KR20100033219A - 파장가변 소자 패키지 - Google Patents

파장가변 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20100033219A
KR20100033219A KR1020080092286A KR20080092286A KR20100033219A KR 20100033219 A KR20100033219 A KR 20100033219A KR 1020080092286 A KR1020080092286 A KR 1020080092286A KR 20080092286 A KR20080092286 A KR 20080092286A KR 20100033219 A KR20100033219 A KR 20100033219A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
wavelength
optical waveguide
block
light source
Prior art date
Application number
KR1020080092286A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101018278B1 (ko
Inventor
이형만
이한영
양우석
김우경
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020080092286A priority Critical patent/KR101018278B1/ko
Priority to US12/472,918 priority patent/US8098422B2/en
Publication of KR20100033219A publication Critical patent/KR20100033219A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101018278B1 publication Critical patent/KR101018278B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/60—Temperature independent

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 비선형 광학 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 발진부와 파장 변조부에 각각 온도 조절블럭과 온도센서를 구비하고 유연한 광 전달부를 광 발진부와 파장 변조부에 고정함으로써, 외부의 환경적인 변화, 일예로서 온도 변화에도 광의 정렬을 안정화함으로써, 광 손실이 적은 파장가변 소자 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 파장가변 소자 패키지는 광을 출사하기 위한 광원을 포함하는 광 발진부; 상기 광 발진부에서 출사된 광을 하기 파장 변조부에 전달하기 위한 유연한 광 전달부; 및 상기 광 전달부에서 출사된 광을 받아 파장이 변조된 광으로 출사하기 위한 파장 변조부를 포함함에 기술적 특징이 있다.
비선형, 레이저, 파장, 변조, 패키지

Description

파장가변 소자 패키지{wavelength conversion device package}
본 발명은 비선형 광학 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 발진부와 파장 변조부에 각각 온도 조절블럭과 온도센서를 구비하고 유연한 광 전달부를 광 발진부와 파장 변조부에 고정함으로써, 외부의 환경적인 변화, 일예로서 온도 변화에도 광의 정렬을 안정화함으로써, 광 손실이 적은 파장가변 소자 패키지에 관한 것이다.
분극반전된 비선형 칩을 사용한 레이저 광원 기술은 다양한 방법으로 시도되고 있다. 예를 들어 차주파수(Difference Frequency Mixing), 합주파수(Sum Frequency Mixing), 또는 광매개공진기(Optical Parametric Oscillator)를 제작할 수 있다.
이 중에서도 가시광 대역의 파장 광원을 제작하기 위해서는 주파수의 특수한 형태인 2차조화파 생성 기술이 적용이 된다. 이는 낮은 주파수를 갖는 펌핑광원이 비선형 특성을 갖는 분극반전된 광도파로에 입사된 후 변환되어 2배수의 주파수를 갖는 광원으로 변환되는 기술을 말한다. 이론적으로는 입사되는 펌핑광원 파워의 제곱과 비선형 칩의 길이의 제곱에 비례하여 2차조화파 광원의 파워가 결정되지만 광도파에서 손실 및 흡수손실 및 광접속 손실등으로 인해 100%의 변환효율을 가질 수 없게 된다. 비선형을 이용한 2차 조화파 생성 기술 중 대표적인 것이 파장가변 레이저 소자이다.
비선형을 이용한 파장가변 레이저 제작에 있어서 중요한 변수는 다음과 같다. 결정의 비선형 계수값, 비선형 샘플의 길이, 입력 펌핑광원의 파워, 입력 펌핑광원의 선폭, 펌핑광원과 광도파로와의 정렬손실과 온도 안정화, 광도파로의 모드, 또는 광도파로의 도파손실 등이 있다. 분극반전된 영역을 갖는 도파로를 패키징하기 위해서는 2개의 온도 안정화 모듈을 각각 레이저 다이오드와 분극반전 도파로에 적용해야 한다. 이 경우 각각의 온도 최적화 설정값에 따라 정렬 위치 틀어짐 현상이 발생하게 되며 이로 인해 광접속 파워가 변하게 된다. 대략 1미크론의 위치 변화에 따라 10%의 광접속 파워 변화가 유발될 수 있으며 이로 인해 파장가변된 광원의 파워 또한 손실이 발생하는 문제점을 갖게 된다. 파장가변 광원으로의 파워변환 효율(Conversion Efficiency)는 입력 펌핑 광원의 파워에 비례하는 특성을 갖고 있다. 따라서, 10%의 파워 손실은 10%의 변환효율 감소를 유발하게 된다.
도 1은 종래의 기술에 따른 레이저 다이오드를 이용한 비선형 광 발진기의 구성도이다.
레이저를 출력하기 위한 레이저 다이오드(120), 출력된 레이저를 집속시켜 강유전체 결정(140)상에 주기적으로 분극(130)이 반전된 Ti 확산도파로(160)에 조 사하기 위한 광집속 렌즈(150) 그리고 광도파로(160)에서 출력된 레이저 광의 초점을 조절하기 위한 광시준화 렌즈(170)로 구성되어 있다.
종래의 Ti 확산 도파로는 도파로 모드 제어 및 도파손실 최소화 측면에서는 장점을 갖고 있는 반면, 광굴절(Photorefractive)현상에 의한 재료적 문제를 갖고 있다. 광굴절이란 광도파로를 진행하는 광원의 세기에 의한 굴절률 변화 현상을 의미한다. 일반적으로 Ti 확산도파로의 경우 1mW의 입력광원에 대해서도 광굴절 현상이 나타난다. 이로 인해 Ti 확산도파로에 의한 파장가변레이저의 경우 1mW 미만의 광원제작만이 가능하다. 그리고 일반적으로 렌즈(150,170)를 이용한 광접속 방법을 적용할 경우 정렬 작업이 어려우며 접속 손실이 크다.
또한, 레이저 다이오드에서 출력되는 레이저 광의 경로에 광집속 렌즈, Ti 확산 도파로 및 광시준화 렌즈를 정렬한 후, 외부 환경 변화 및 설정 온도에 따라 민감하게 광파워가 변하는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 또 다른 기술에 따른 비선형 웨이브 가이드의 구성도이다.
광도파로(210)는 LiNbO3 비선형 결정 웨이퍼(220)위에 TiO2-doped-Ta2O5 를 증착하여 박막을 형성한 후, 패터닝하여 주기적인 분극 반전(a,b)을 형성한다.
주기적인 분극 반전 격자의 주기는 생성하고자 하는 2차조화파의 파장에 의해 결정이 된다. TiO2-doped-Ta2O5 박막필름의 두께와 폭을 제어하고 도핑량에 따른 굴절률 변화(2.2~2.4)를 제어함으로써, 펌핑광원과 2차조화파 광원의 도파모드를 최적화하도록 구성된다.
박막증착을 이용하여 Rib 구조의 분극반전 영역을 갖는 광도파로를 형성할 경우, 확산도파로가 갖는 광의 굴절 효과를 다소 완화시킬 수 있으나, 굴절률 제어를 위해 Ti/(Ti+Ta)의 비를 조절하도록 되어 있어, 이로 인한 광굴절 효과가 발생하는 단점이 있다.
그리고, 기존의 렌즈를 이용한 광접속 방법을 적용시 온도 조절에 따른 광접속 손실을 유발한다.
특히, 앞서 기술한 종래의 기술에 따른 광도파도 및 웨이브 가이는 외부 환경적인 요인에 의하여 각 구성이 레이저 광경로에 따른 위치 정렬이 어렵다는 단점이 있다. 이로 인하여 입력광원과 광도파로와의 손실 최적화와 디바이스 제작시 패키징 구조의 선택 및 소형화를 위한 구조의 개선과 같은 측면이 아직 구체화되지 못함으로써, 실제 제품으로 적용하는데 문제점이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 본 발명은 비선형 광학 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 발진부와 파장 변조부에 각각 온도 조절블럭과 온도센서를 구비하고 유연한 광 전달부를 이용함으로써, 외부의 환경적인 변화, 일예로서 온도 변화에도 광 발진부, 광 전달부 및 파장 변조부의 정렬을 안정화함으로써, 광 손실이 적은 파장가변 소자 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 광을 출사하기 위한 광원을 포함하는 광 발진부; 상기 광 발진부에서 출사된 광을 하기 파장 변조부에 전달하기 위한 유연한 광 전달부; 및 상기 광 전달부에서 출사된 광을 받아 파장이 변조된 광으로 출사하기 위한 파장 변조부를 포함하는 파장가변 소자 패키지에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명은 온도의 변화에도 광 발진부, 광 전달부 및 파장 가변부의 정렬을 유지할 수 있어 광접속 손실을 줄여 파장 가변 소자의 파워 안정도 특성을 극대화할 수 있다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 파장변환 소자 패키지의 사시도이다.
본 발명에 따른 파장변환 소자 패키지(300)는 크게 광 발진부(310), 광 전달부(320) 그리고 파장 가변부(330)를 포함한다.
먼저, 광 발진부(310)는 광을 출력하기 위한 레이저 다이오드 등을 포함하는 칩 스케일의 광원(311), 광원(311)에서 발산하는 열의 온도를 측정하기 위한 제1온도센서(312), 광원(311)과 제1온도센서(312)를 지지하는 제1마운트 블럭(313)으로 구성된다. 그리고 제1마운트 블럭(310) 하부에는 광원(311)의 열을 외부로 발산하기 위한 열발산 블럭(314)과 광원(311)의 온도를 조절하기 위한 제1온도 조절기(315)가 형성되어 있다. 열발산 블럭(314)에는 광원(311)에서 출력된 광을 광 전 달부(320)로 입사시키기 위하여 광원(311)의 출력단으로부터 소정의 거리로 이격된 곳에 광 전달부(320)의 위치를 고정하기 위한 광 전달부 고정블럭(316)이 형성되어 있다.
광 전달부(320)는 광 발진부(310)의 구성 중, 광원(311)에서 출력된 광을 파장 가변부(330)로 전달하기 위한 것으로 휘어짐이 가능한 유연한 광섬유를 사용하는 것이 바람직하다.
파장 가변부(330)는 광 전달부(320)의 위치를 고정하기 위한 앵글 폴리싱 블럭(331), 광 전달부(320)로부터 출력된 광을 받아 파장을 가변하기 위한 광도파로(332), 광도파로(332)를 지지하기 위한 제2마운트 블럭(333), 광도파로(332)의 온도를 측정하기 위한 제2온도센서(334) 및 광도파로(332)의 온도를 조절하기 위한 제2온도 조절블럭(335)을 포함한다.
도 4는 본 발명에 따른 광 발진부의 사시도이다.
본 발명에 따른 광 발진부는 제1온도 조절기(315), 광원 열발산 블럭(314), 제1 마운트 블럭(313), 제1온도센서(312), 광원(311) 및 광 전달부 고정블럭(316)을 포함한다.
본 발명에 따른 광원으로는 칩 스케일의 다이오드 광원 또는 파장의 선폭 조절 기능과 파장의 튜닝의 기능 중 어느 하나 이상을 포함하는 다이오드 광원을 사용할 수 있다.
이하, 본 발명에 다른 광 발진부의 공정 흐름에 대하여 설명한다.
제1온도 조절기(315)상에 광발산 블럭을 접합하고, 광발산 블럭(314)상에 제 1마운트 블럭(313)과 광 전달부 고정블럭을 접합한다.
본 발명에 따른 제1마운트 블럭(313)은 실리콘, AlN, W-Cu 또는 SiC와 같은 다양한 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1마운트 블럭(313)은 2종 이상의 재료로 구성될 수 있는데, 이때, 열전도체(Thermal Conductor)와 열장벽 (Thermal Barrier)의 조합으로 형성될 수 있다. 열장벽(Thermal Barrier)의 소재로는 ZrO2 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 접합은 솔더 접합을 이용하며, 솔더의 소재로는 Au-Sn, Au-Ag, Sn-Au-Cu 또는 Sn-Bi 등의 Au 또는 Sn 합금을 사용할 수 있다.
제1마운트 블럭(313) 상부에는 금속 또는 솔더 소재를 도금 또는 증착공정을 이용하여 박막의 형태로 형성한 후, 광원(311), 제1온도센서(312) 및 광원(311)과 제1온도센서(312)의 전압을 인가하기 위한 전극패드(317)가 형성될 영역을 정의하기 위하여 사진식각공정을 이용하여 패터닝한다.
패터닝된 전극패드(317)상에 광원(311)과 제1온도센서(312)를 위치시키고 다이 본더 장비를 이용하여 위치를 정밀하게 제어한 후 가압하면서 초음파, 레이저 또는 금속 저항 판히터를 이용하여 접합한다.
도 5는 본 발명에 따른 파장 가변부의 상면도이다.
제2마운트 블럭(333) 상에 접합된 광도파로(332)는 일정한 간격으로 분극반전(340) 영역을 포함하며, 광도파로(332)의 열을 측정하기 위한 제2온도센서(334)가 구비된다.
분극반전 주기에서 결정의 분극 방향이 50%는 +극성으로 되어 있으며 50%는 -극성이 되도록 형성된다. 이러한 주기적 분극반전된 영역의 광학적 효과로 인해 펌핑 광원이 다른 파장으로 변환되는 현상이 유발된다.
도 6은 본 발명에 따른 파장 가변부의 측면도이다.
파장 가변부(330)를 구성하는 광도파로(332)는 지지블록(510), 광이 통과하는 주기적으로 분극반전 영역이 형성된 도파관(540), 광의 발산을 막기 위한 클래드 층(520) 및 표면 보호를 위한 보호층(530)을 포함한다.
본 발명에 따른 광도파로 형성을 위한 공정 흐름은 다음과 같다.
강유전체 기판 상부에 시드층(Seed layer)층과 감광막을 순차적으로 형성하고, 사진공정을 수행하여 패터닝된 감광막을 형성한다. 감광막 패턴사이 공간에 Ni막을 형성하고, 감광막 패턴을 제거한다. 강유전체 기판 상부에는 기판 식각을 위한 마스크 역할을 수행할 Ni 박막만 남게 된다.
상기 금속 마스크가 제작된 강유전체 기판을 건식 또는 습식식각방법을 통해 약 1-10 um의 깊이로 식각한다.
본 발명의 일실시예에 따른 강유전체의 식각되지 않은 면 위에 금속전극을 형성한 후 외부전계를 전극에 인가해 주기적 분극 반전을 수행한다. 다른 방법으로는 기판의 식각 면 위에 감광제와 같은 유기물을 패터닝한 후 LiCl과 같은 전도성 용액을 이용한 외부전계의 인가를 통해 분극 반전시킬 수 있다.
광도파로는 강유전체 기판의 표면에 형성되므로 표면에 식각으로 인하여 요철이 형성되어 있다. 이러한 요철은 광도파로를 손상시킬 수 있어 소자로써 이용할 수 없다.따라서, 요철 부위를 제거해 주어야 하는데, 일예로서, 열 왁스를 이용하여 세라믹으로 이루어진 원형지그 위에 강유전체 기판을 부착한다. 이때 부착된 강유전체 기판의 균일한 연마를 위하여 세라믹 지그의 표면은 1 ~ 3um 미만의 평탄도로 형성되어야 한다. 그리고 래핑 머신과 화학적 기계연마기를 이용하여 부착된 강유전체 기판을 연마한다. 연마가 완료된 강유전체 기판은 세척 공정을 통하여 주기적으로 분극 도메인이 형성된 광도파로 기판을 형성할 수 있다.
z-축 강유전체 결정에서의 Ridge 형태의 광도파로 공정은 다음과 같다.
앞서 설명에서 개시한 바와 같이 연마와 세척이 완료된 광도파로 기판은 건식식각공정을 이용하여 광도파로가 형성된 z-축 기판을 형성한다.
식각공정에 필요한 마스크의 소재로는 Ni, Ti, Cr, 감광제 등을 사용할 수 있다. 주기적으로 분극반전된 광도파로가 형성된 강유전체 기판은 마스크를 이용하여 3 ~ 15 마이크로의 깊이로 식각한다. 식각된 강유전체는 측면 각도가 약 65~85도 정도이며, 밑면이 넓고 윗면이 좁은 사다리꼴 형상의 광도파로가 형성이 된다.
이렇게 제작된 광도파로가 형성된 기판과 더미기판을 강유전체 기판 또는 굴절률이 낮은 glass계 기판을 사용하여 접합할 수 있다. 더미기판위에 스핀 코팅 등을 이용하여 UV 또는 열처리에 의하여 경화되는 경화성 에폭시 또는 왁스를 도포하거나 또는 직접본딩(direct bonding)을 수행한다. 더미기판상에 에폭시 또는 왁스가 도포되면 강유전체 기판상에 식각된 면을 더미기판에 접합시킨 후 자외선이나 열을 이용하여 두 기판의 접합면을 경화시키며 직접본딩을 수행할 경우는 기판을 붙인 후 열처리하여 결합력을 증대시킨다. 이때 두 기판 사이의 간격이 균일해야 하며, 기판 사이에 이물질이나 공공과 같은 결함은 사전에 제거하는 것이 바람직하다.
이렇게 형성된 광도파로를 이용한 비선형 파장 가변부는는 복굴절을 이용하거나 본 발명에서와 같이 주기적 분극반전을 이용하는 방법이 사용된다. 파장가변기의 의사위상정합 주기는 생성할 목표 파장과 파장가변기에 적용되는 온도 및 입력 펌핑 광원의 파장을 적용하여 결정된다. 의사위상정합(Quasi Phase Matching) 주기의 결정은 간략하게 다음의 식 1과 식 2에 의해 결정될 수 있다.
[식 1]
Figure 112008066117676-PAT00001
[식 2]
Figure 112008066117676-PAT00002
여기서 n은 굴절률, p는 펌핑광원의 파장, λs는 시그널 광원의 파장, λi는 아이들러 광원의 파장, ∧g는 분극반전 주기, m은 의사위상정합 차수 및 k는 위상차를 나타낸다.
여기서, 2차조화파는 λs와 λi가 같은 파장을 갖고 있으며 이 파장을 입력 펌핑광원으로 사용하여 새로운 λp를 생성할 수 있다. 이를 이차조화파(Second Harmonic Generation)이라 통칭한다.
식 2에서와 같이 파장을 고정하고 분극반전 주기를 고정하고 k를 0이 되게 하기 위해서는 굴절률이 조절되어야 함을 알 수 있다.
이러한 굴절률 조절을 위해서 적용되는 방법은 소자의 온도를 제어하는 것이다. 분극주기를 정밀하게 설계하여 k를 0이 되게 하는 굴절률 조절 온도가 소자를 사용하기에 가장 적합한 온도를 갖도록 제작함이 바람직하다. 그러나, 이러한 적합한 온도는 소자의 제작 공차에 따라 달라질 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 광도파로를 이용하여 파장 가변부를 형성하기 위한 공정의 흐름을 도시한 것이다.
먼저, 제2온도센서(334)는 솔더 접합을 이용하여 제2마운트 블럭(333)에 부착된다.
이때, 솔더 접합으로는 제2마운트 블럭(333)상에 도금 또는 증착을 이용한 Au층을 이용할 수 있다. 그리고 이를 통해 와이어 본딩 공정 작업을 원활히 수행할 수 있다.
제2마운트 블럭(333)은 W-Cu를 소재로 사용하거나 Si, AlN 또는 SiC와 같은 열전도체를 소재로 사용할 수 있다. 그리고 제2마운트 블럭(333)은 2종 이상의 재료를 사용할 수 있으며, 이때 열전도체와 열장벽의 조합으로 구성이 될 수도 있다. 열장벽(Thermal Barrier)의 소재로는 ZrO2등이 적용될 수도 있다. 다음으로 제2마운트 블럭(333)에 광도파로(332)를 솔더접합을 이용하여 접합한다.
본 발명에 실시예에 따르면, 광도파로(332)가 접합되는 제2마운트 블럭(333) 의 표면은 경사가 형성되어 있고, 광 전달(310)부터 조사된 광이 입사 및 출력되는 광도파로(332) 양단의 표면 다이싱 공정에 의하여 경사지게 형성된다.
도 9는 본 발명에 따른 광도파로부터 출사된 광의 온도제어에 따른 파워 변화 그래프를 나타낸다.
분극 반전된 광도파로의 온도가 일정하게 유지되지 않을 경우 파장가변이 극대화되는 중심파장이 틀어지게 되며 이로 인해 파워가 저하되는 현상이 발생한다. 그래프에서 FWHM(Full Width Half Maximum)은 광도파로의 길이에 따라 달라질 수 있다. 광도파로의 길이가 증가할수록 FWHM의 폭은 줄어든다.
이러한 현상을 막기 위하여 광이 입사/출려되는 광도파로의 표면에 제1,2광학박막층을 파장가변 중심파장에 맞게 적용하는 것이 바람직하다.
일예로서, 2차 조화파 생성을 위하여 1064nm의 파장을 갖는 광원을 사용하여 532nm의 2차 조화파를 형성하기 위하여 제1광학박막층(530)은 1064nm에 대하여 무반사 박막층을 형성하고 제2광학박막층(540)는 1064nm와 532nm 두 파장에 대하여 무반사 박막층을 형성함이 바람직하다.
도 10은 본 발명에 따른 파장 가변부와 광 전달부의 광접속 공정도이다.
광 전달부(320)는 앞서 기술한 바와 같이 휘어짐이 가능한 유연한 광 섬유로 되어 있고, 파장 가변부(330)는 광 전달부(320)를 고정하기 위한 앵글 폴리싱 블록(331), 제2마운트 블럭(333), 광학박막층(530,540)이 형성된 광도파로(332) 및 제2온도센서(334)로 구성된다.
광 전달부의 광원에서 출력된 광은 일정한 편광 방향(TE모드)을 갖고 있어, 광도파로(332)내에 형성된 분극반전 방향을 광원의 편광 방향과 일치시키는 작업이 필요하다. 도 5에서 설명한 바와 같이 분극 반전 방향을 광원에서 출력된 광의 편광 방향과 일치하도록 광도파로(332)를 제2마운트 블럭(333)에 접합한다.
이때 사용된 광도파로는 Z-Cut의 LiNbO3와 같은 비선형 결정을 사용한 것이며, 비선형 광결정은 웨이퍼 절단축에 따라 X, Y, Z-cut 또는 임의의 축이 될 수 있다. 이에 따라 주기적인 분극 방향을 형성하는 축에 따라, 광도파로의 마운트 방향이 달라질 수 있다.
본 발명에 따른 광 정렬 과정은 다음과 같다.
우선 패키징에 사용할 광원(311) 또는 광원의 파장과 동일한 다른 소스로부터 나오는 광을 광 전달부(320)에 입사시킨다.
본 발명에 따르면, 유연한 광 전달부(320)를 고정하고 있는 앵글 폴리싱 블럭(331)를 지그(미도시)에 고정한 후, 정밀 제어 스테이지 또는 자동화 정렬 장비를 사용하여 폴리싱 앵글블럭(331)과 광원(311)에서 조사된 광접속의 손실이 최소가 되도록 정렬한다.
그리고 또 다른 정렬 지그에 광도파로(332)가 마운트된 제2마운트 블럭(333)을 고정하고 유연한 광 전달부(320)로부터 출사되는 광이 분극반전된 광도파로(332)에 최적 집속이 되도록 정렬한다. 정렬이 완료되면 광 투과성이 좋은 에폭시를 폴리싱 앵글블럭(331)과 광도파로(332) 사이에 주입하고 UV 경화기를 사용하여 UV를 조사함으로 광의 정렬 위치를 고정하고 작업을 완료한다.
도 11 내지 도 14는 본 발명에 따른 패키징 공정의 흐름을 도시한 것이다.
먼저, 하우징(410)에 솔더 접합을 이용하여 제1온도 조절기(315)과 제2 온도 조절기(335)을 부착한다(도 11). 솔더 접합의 소재로는 도금 또는 증착으로 형성된 Au-Sn, Sn-Ag 또는 Sn-Ag-Cu를 포함하는 Au 합금을 사용하거나 Sn-Bi 등의 Sn 합금을 이용할 수 있다. 솔더의 소재에 따라 용융 온도가 다르므로 이를 이용하여 접합 공정 순서에 맞는 솔더의 선택이 가능하다.
본 발명에 따른 제1,2 온도 조절기(315,335)는 TEC(Thermal Electric Cooler) 또는 박막 저항 히터를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 하우징(410)은 와이어 본딩을 위한 금속핀(420)과 함께 제작된다. 일반적으로 하우징의 바닥은 W-Cu, 외벽은 Kovar 소재를 사용하며, 금속핀(420)과 하우징(410)과의 기밀성은 글래스 실링을 사용하는 것이 바람직하다.
하우징에 제1,2 온도 조절기(315,335)가 접합되면, 제1온도 조절기(315)에 광 발진부(310)를 접합한다(도 12). 광 발진부(310)와 제1온도 조절기(315)는 솔더 접합이 바람직하며, 이때 제1온도 조절기(315)의 종류에 따라 사용되는 솔더의 용융점을 고려하여야 한다. 일예로서, 제1온도 조절기(315)로 TEC를 적용시 저온솔더 또는 열전도성 에폭시를 사용하는 것이 바람직하다.
광 발진부(310)에 접합된 제1온도센서(312), LD(laser diode) 등의 칩 스케일의 광원(311)은 금 와이어 본딩 공정을 통해 전기 배선(430)을 형성하는 것이 바람직하다. 제1온도 조절기(315)와 금속핀(420)과의 배선(430) 접합은 솔더 접합이 바람직하다.
다음으로, 제2온도 조절기(335)에 파장 변조부(330)를 접합한다. 제2온도 조 절기(335) 및 파장 변조부(330)에 형성된 구성과 금속핀(420)은 솔더 접합을 이용하여 배선과 접합한다(도 13).
제1온도 조절기(315)와 광 발진부(310)의 접합과 동일하게 제2온도 조절기(335)상의 파장 변조부(330)의 접합 역시 Thermal Conductive 에폭시를 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시를 이용한 접합은 파장 변조부(330)를 구성하는 제2마운트 블럭(333)에 에폭시를 도포한 후, 제2온도 조절기(335)에 안착시킨다. 이때, 정밀 스테이지 또는 자동화 정렬장비의 지그를 이용하여 파장 변조부(330)에 고정된 광 전달부(320)를 광 발진부(310)에 형성된 광 전달부 고정블럭(316)에 위치시킨 후, 광정렬을 수행한다. 그리고 광정렬 작업이 완료되면 광 전달부 고정 블록(316)과 광 전달부(320) 사이에 에폭시 또는 솔더를 사용하여 고정한다(도 14).
접합이 완료되면 파장 변조부(330)는 정렬위치의 틀어짐이 없이 지그에서 분리되고 제2온도 조절기(335)에 안착되고 압력과 함께 40~100℃ 정도의 열을 가하여 하우징(410)에 파장 변조부(330)를 접합한다. 본 발명의 다른 접합방법으로는 솔더 프리폼과 다이 본더를 사용할 수 있다.
도 15 내지 도 17은 본 발명에 따른 광 발진부와 광 전달부의 광정렬을 위한 공정도이다.
하우징에 광 발진부(310)를 접합한 후, 광 전달부(320)가 부착된 파장 변조부(330)를 하우징에 접합하는 과정에서 광 전달부(320)는 광 발진부(310)에 구비된 광원(310)과 광정렬이 이루어져야 한다.
광정렬 과정에서 발생할 수 있는 공차의 원인은 다음과 같다.
파장 변조부(330)을 이동시켜 광정렬 후 접합을 위해서는 Case 2가 바람직함을 알 수 있다. 이를 위하여 F의 Dimension에 (-) alpha 공차를 의도적으로 적용하는 방법을 사용하여 항상 Case 2의 경우가 발생하도록 하여야 한다. 이러한 공차에도 광손실이 없는 패키징을 위하여 유연한 파이버를 갖는 광 전달부을 이용하는 것이 바람직하다(도 16).
앞서 설명한 바와 같이 광 소자의 패키지는 온도에 큰 영향을 받는다. 광정렬 후, 하우징에 접합된 광 발진부(310)와 파장 변조부(330)는 각각의 온도 조절기에 의하여 일정한 온도로 유지된다. 최적 조건의 온도는 광원의 파장 특성과 광도파로의 특성에 따라 달리 설정되는 것이 바람직하다.
이러한 온도 조절 특성은 외부 환경에 따라 변하며, 온도는 광 발진부(310)와 파장 변조부(330)의 최종 정렬 접합 높이가 되는 G와 H에 영향을 준다. 광정렬에 의해 고정된 G와 H가 온도에 의하여 변화되면, 광정렬이 틀어짐과 함께 광접속 손실이 추가적으로 발생하게 된다.
도 18은 광정렬의 틀어짐에 따른 광의 출력손실을 나타낸 그래프이다.
본 발명에서는 이러한 정렬 틀어짐이 발생하더라도 손실을 유발하지 않는 유연한 파이버의 곡률 반경을 사용한 광 전달부를 이용함으로써 광의 출력손실 문제를 해결할 수 있다.
도 17에서 도시된 바와 같이 광정렬 후, 접합된 상태에서의 광 전달부(320)는 하우징 면과 평행하지만, 온도에 따라 G와 H가 변하면서, Case3 또는 Case4의 경우가 발생할 수 있다. 일반적으로 렌즈를 사용하는 광학계에서는 이러한 위치차이가 서브 마이크론(sub-micron)이라도 발생시 광원에서 광도파로로 접속되는 광량이 줄어드는 광출력의 손실을 유발하는 단점이 있다. 본 발명의 제1,2온도조절기(315,335)는 이러한 온도 변화에 따른 광 손실을 제거함으로써, 광특성이 안정화된 파장가변 소자를 제작할 수 있는 큰 장점을 갖고 있다.
도 19는 본 발명에 따른 파장 가변소자의 특성 평가를 위한 시스템 구성도이다.
광원 제어부는 광 발진부의 광원에 인가되는 전류, 온도, 출사광의 파워 및 변조의 특성을 제어하고, QPM 제어부는 파장 변조부에 인가되는 전압 및 온도를 제어한다. 광 발진부에서 출력된 광은 광 전달부를 거쳐 파장 변조부에서 출사된다. 출사된 광을 모니터링하여 데이터로 출력하고 출력된 데이터는 다시 광원 제어부와 비선형 QPM 제어부에 피드백되는 과정을 반복하여 파장 가변소자의 특성 평가를 진행하게 된다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 제1실시예에 따른 광 발진부의 구성도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 광 발진부는 열발산 블럭(314,도3)을 사용하지 않고, 제1온도 조절기(315)에 제1마운트 블럭(313)을 접합할 수 있다. 이때, 열 발산 블록(314,도3)과 함께 광 전달부 고정용 블록(316,도3)을 함께 제거할 수 있는 장점이 있다.
이대, 제1마운트 블록(313)의 소재는 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것이 바람직하며, 실리콘 웨이퍼를 실리콘 반도체 공정에 적용하여 광 전달부 고정부(316)를 형성할 수 있다.
광 전달부(316) 역시 사진식각공정을 이용하여 광 전달부(320)가 안착될 수 있도록 가이드 홈(610)을 형성하는 것이 바람직하다.
반도체 공정을 이용할 경우, 정밀한 패터닝이 가능하여 광원(311)과 광전달부(320)의 광 정렬이 보다 용이하면서, 패키징의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다.
도 22는 본 발명의 제2실시예에 따른 광 발진부를 도시한 것이다.
광 전달부를 고정하기 위한 고정부를 형성하기 위하여 열발산 블럭(314)상에 클립 마운트(710)를 접합한다. 그리고 유연한 광 전달부(320)에 메탈코팅을 하고 이를 중심이 비어 있는 실린더(720)와 솔더 접합한다. 광 전달부(320)가 접합된 실린더(720)은 고정클립(730)에 접합한다. 마지막으로 고정클립(730)을 클립 마운트(710)에 접합한다.
본 발명에 따른 접합공정은 레이저 웰더를 이용하는데, 레이저 웰더를 적용한 광정렬 접합 방법은 접합 후 추가적인 웰딩 작업에 의해 접합 후 정렬 틀어짐을 보상하는 기능을 갖는 큰 장점이 있다. 이러한 구성을 적용함으로 광접속 손실을 최소화함에 따라 더욱 향상된 특성을 갖는 파장가변 소자의 패키지 형성이 가능하다.
도 23은 본 발명의 실시예에 따른 파장 변조부의 측면도이다.
광도파로(332)를 제작시 광도파로(332)와 옆면 기준선과 일정한 각도를 갖도록 제작한 예를 나타낸다. 일반적으로 광소자는 반사에 광원의 손상 및 특성 악화 를 막고 위해 반사광을 제거하기 위해 앵글 폴리싱(331) 블럭을 소자에 적용한다. 광전달부(320)의 경우 5°내지 9°를 적용하는 것이 보편적이다.
이러한 광전달부(320)에서 출사된 광을 본 발명의 소자와 같이 굴절률이 4이상인 광도파로(332)에 손실을 최소화하여 광정렬하기 위해서는 8°가 아닌 다른 각도의 앵글 폴리싱 블럭(331)을 광도파로(332)에 적용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 이를 감안하여 3°내지 8°를 적용하였다. 이는 광도파로의 굴절률에 따라 계산되어 질 수 있다. 이러한 앵글 폴리싱 블럭(331) 각도 차이로 인해 그림 3에서와 같이 광도파로를 장착하기 위한 제2마운트 블럭에 일정한 각도로 경사를 형성하여야 한다.
본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 광도파로(332)를 일정한 폭을 갖도록 다이싱 하는 공정에서 도시된 바와 같이 광도파로(332) 내의 도파관에서 광의 진행 방향과 1.5° ~ 3.5°차이를 갖도록 형성한다. 이러한 각도는 광도파로(332)의 굴절률에 따라 달리 적용되어 진다.
또한 제2온도센서(334)의 하부에 센서블록(810)을 적용할 수 있다. 센서블럭(810)은 광도파(332)로 형성에 사용된 소재와 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이를 통해 온도 조절시 광도파로(332)의 내부 온도가 제2온도센서(334)에서 측정된 온도와의 차이를 최소화하는 장점을 가질 수 있다. 또한, 광도파로(332)가 제2온도 조절기(335)와 평행한 면을 갖게 됨으로써 도 3에서의 제2마운트 블럭(333)을 제거할 수 있어 패키징에 필요한 부품을 줄일 수 있다.
레이저를 광원으로 하는 디스플레이는 저가의 녹색, 적색 및 청색광원을 필요로 한다. 아직 기존의 기술로는 적색을 제외하고는 가격 경쟁력이 있는 광원을 제작한 사례가 없다. 특히, 녹색광원의 경우 다이오드 펌핑에 의한 레이저광원 기술(Diode Pumped Solid State Laer)이 있으나 이 경우 광변조기술을 적용함에 있어서 문제점을 갖고 있다. 디스플레이용 레이저 광원은 수MHz이상의 광변조기술을 적용해야하나, 종래의 기술로는 구현이 어려운 문제점을 갖고 있다. 그러나, 본 발명에 따른 파장 가변소자 패키징은 이러한 단점이 없어 디스플레이용 광원에 적용이 가능하다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 레이저 다이오드를 이용한 비선형 광 발진기의 구성도,
도 2는 종래의 기술에 따른 비선형 웨이브 가이드의 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 파장변환 소자 패키지의 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 광 발진부의 사시도,
도 5는 본 발명에 따른 파장 가변부의 상면도,
도 6은 본 발명에 따른 파장 가변부의 측면도,
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 광도파로를 이용하여 파장 가변부를 형성하기 위한 공정의 흐름도,
도 9는 본 발명에 따른 광도파로부터 출력된 광의 온도제어에 따른 파워 변화 그래프,
도 10은 본 발명에 따른 파장 가변부와 광 전달부의 광접속 공정도,
도 11 내지 도 14는 본 발명에 따른 패키징 공정의 흐름도,
도 15 내지 도 17은 본 발명에 따른 광 발진부와 광 전달부의 광정렬을 위한 공정도,
도 18은 본 발명에 따른 파장 가변소자의 특성 평가를 위한 시스템 구성도,
도 20 및 도 21은 본 발명의 제1실시예에 따른 광 발진부의 구성도
도 22는 본 발명의 제2실시예에 따른 광 발진부의 구성도,
도 23은 본 발명의 실시예에 따른 파장 변조부의 측면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
310: 광 발진부 311: 광원
312: 제1온도센서 313: 제1마운트 블럭
314: 열발산 블럭 315: 제1온도 조절기
316: 광 전달부 고정블럭 320: 광 전달부
330: 파장 변조부 331: 앵글 폴리싱 블럭
332: 광도파로 333: 제2마운트 블럭
334: 제2온도센서 335: 제2온도 조절기
340: 분극반전 410: 하우징
420: 금속핀 510: 지지블럭
520: 클래드 층 530: 보호층

Claims (16)

  1. 광을 출사하기 위한 광원을 포함하는 광 발진부;
    상기 광 발진부에서 출사된 광을 하기 파장 변조부에 전달하기 위한 유연한 광 전달부; 및
    상기 광 전달부에서 출사된 광을 받아 파장이 변조된 광으로 출사하기 위한 파장 변조부
    를 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 발진부는,
    상기 광원의 온도를 측정하기 위한 온도센서;
    상기 광원과 온도센서를 지지하기 위한 제1마운트 블럭; 및
    상기 제1마운트 블럭 하부에 형성되어 상기 광원의 온도를 조절하기 위한 온도 조절기
    를 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1마운트 블럭상에 상기 광 전달부를 고정하기 위한 고정블럭이 형성 된 파장 가변소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 고정블럭의 표면에는 상기 광 전달부가 안착되기 위한 가이드 홈이 형성된 파장 가변소자 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1마운트 블럭과 상기 고정블럭은 동일한 소재로 형성된 파장 가변소자 패키지.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1마운트를 지지하면서 상기 광원에서 발생하는 열을 외부로 발산하기 위한 열발산 블럭; 및
    상기 열발산 블럭상에 형성되어 상기 광 전달부를 고정하기 위한 고정부
    를 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고정부는,
    광 전달부가 삽입할 수 있는 삽입구가 형성된 실린더; 및
    상기 실린더를 고정하기 위한 고정클립
    을 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 레이저 다이오드를 포함하는 칩 스케일의 광원을 사용하는 파장 가변소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 파장 변조부는,
    상기 광 전달부로부터 출사된 광을 받아 파장을 변조하기 위한 광도파로;
    상기 광 전달부를 고정하기 위하여 상기 광도파로의 일단에 형성된 앵글 폴리싱 블럭;
    상기 광도파로를 지지하기 위한 제2마운트 블럭;
    상기 제2마운트 블럭 하부에 형성되어 상기 광도파로의 온도를 측정하기 위한 온도센서; 및
    상기 광도파로의 온도를 조절하기 위한 온도조절기
    를 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광도파로는 강유전체 기판을 이용하여 주기적으로 분극반전 영역을 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광도파로의 양단은 기울어진 경사면이 형성된 파장 가변소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광도파로의 양단은 무반사 반사층이 형성된 파장 가변소자 패키지
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제2마운트 블럭은 상기 광도파로와 접합된 면에 기울어진 경사면을 포함하는 파장 가변소자 패키지.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 광도파로내 형성된 도파관의 기울기는 1.5°내지 3.5°파장 가변소자 패키지.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 광도파로에 접한 폴리싱 앵글 블럭면의 기울기는 3°내지 8°파장 가변소자 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 광 발진부와 상기 파장 변조부는 금속핀이 구비된 하우징에 와이어 본딩으로 연결된 파장 가변소자 패키지.
KR1020080092286A 2008-09-19 2008-09-19 파장가변 소자 패키지 KR101018278B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080092286A KR101018278B1 (ko) 2008-09-19 2008-09-19 파장가변 소자 패키지
US12/472,918 US8098422B2 (en) 2008-09-19 2009-05-27 Wavelength conversion device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080092286A KR101018278B1 (ko) 2008-09-19 2008-09-19 파장가변 소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100033219A true KR20100033219A (ko) 2010-03-29
KR101018278B1 KR101018278B1 (ko) 2011-03-04

Family

ID=42037365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080092286A KR101018278B1 (ko) 2008-09-19 2008-09-19 파장가변 소자 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8098422B2 (ko)
KR (1) KR101018278B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5548422B2 (ja) * 2009-10-15 2014-07-16 シチズンホールディングス株式会社 レーザ光源
KR101515732B1 (ko) * 2010-10-07 2015-04-27 알까뗄 루슨트 라인 카드를 위한 광전자 조립체
JP6520320B2 (ja) * 2015-04-03 2019-05-29 住友大阪セメント株式会社 光導波路デバイス、及び光導波路デバイスにおいてフォトリフラクティブ効果を解消又は低減する方法
US11852953B2 (en) * 2019-12-03 2023-12-26 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical element and manufacturing method thereof
JPWO2022249234A1 (ko) * 2021-05-24 2022-12-01

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68914240T2 (de) 1988-10-21 1994-10-27 Sony Corp Optischer Wellenleiter und Generator zur Erzeugung der zweiten Harmonischen.
WO1990009094A2 (en) 1989-02-01 1990-08-23 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies
JPH02267529A (ja) 1989-04-07 1990-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換素子およびその製造方法
US5854870A (en) 1990-05-25 1998-12-29 Hitachi, Ltd. Short-wavelength laser light source
US5290730A (en) 1992-09-10 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Wavelength conversion waveguide and fabrication method
JPH0758416A (ja) * 1993-08-09 1995-03-03 Miyazaki Densen Kogyo Kk レーザーダイオード冷却装置
JP3392931B2 (ja) 1994-02-14 2003-03-31 東北パイオニア株式会社 光波長変換装置
US5761226A (en) * 1996-05-29 1998-06-02 Eastman Kodak Company Frequency conversion laser devices
US5854802A (en) * 1996-06-05 1998-12-29 Jin; Tianfeng Single longitudinal mode frequency converted laser
JP3929705B2 (ja) * 2001-02-05 2007-06-13 ユーディナデバイス株式会社 半導体装置及びチップキャリア
US7239654B2 (en) * 2001-11-01 2007-07-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wave length plate, wavelength filter and wavelength monitor
JP2004070338A (ja) 2002-07-23 2004-03-04 Canon Inc 光波長変換装置、及び光波長変換方法
US7103075B2 (en) * 2003-06-18 2006-09-05 Shimadzu Corporation Solid laser apparatus
JP2007052082A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Nikon Corp 非線形光学結晶の温度制御装置、波長変換光学系、及びレーザ光源
US8031749B2 (en) * 2005-09-20 2011-10-04 Jds Uniphase Corporation Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density
JP2008009065A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長変換光源
US7826502B2 (en) * 2006-12-14 2010-11-02 Jds Uniphase Corporation Circuit and method for lessening noise in a laser system having a frequency converting element
US8265111B2 (en) * 2008-03-18 2012-09-11 Mitsubishi Electric Corporation Laser light source module

Also Published As

Publication number Publication date
US20100073761A1 (en) 2010-03-25
KR101018278B1 (ko) 2011-03-04
US8098422B2 (en) 2012-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6704337B2 (en) Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof
US6373872B2 (en) Channel-switched tunable laser for DWDM communications
JP6524203B2 (ja) 光入力部材の保持部品と光導波路部品との接続構造およびその製造方法
JP4734053B2 (ja) 光導波路部品の実装ずれ補償方法
US6614966B2 (en) Optical waveguide device integrated module and method of manufacturing the same
JP4028550B2 (ja) 波長変換モジュール
KR101018278B1 (ko) 파장가변 소자 패키지
JP3596659B2 (ja) 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス
JP4779255B2 (ja) レーザ光源
KR101104133B1 (ko) 유연한 파이버 모듈, 이를 이용한 파장 가변 소자 패키지 및 이들의 제조방법
US5960259A (en) Optical apparatus and method for producing the same
US6836497B1 (en) Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module
JP3844326B2 (ja) 集積化光モジュールの実装方法
KR100860558B1 (ko) 파장변환 장치 및 그 제작 방법
US6839489B2 (en) Micro-electrodes for electro-optic control of optical waveguides
JP2003307759A (ja) 光波長変換装置、及び光波長変換方法
Conradi et al. Second Harmonic Generation in Polymer Photonic Integrated Circuits
JP7319582B2 (ja) 波長変換装置
JP2003046183A (ja) コヒーレント光源
EP1433022A2 (en) Non-linear optical stacks
JP2004007023A (ja) 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス
JPH0497232A (ja) 波長変換素子および入射テーパ光導波路作製方法
JPH0895103A (ja) レーザ光発生装置
JP2002314183A (ja) コヒーレント光源の製造方法及びその製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131231

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150109

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee