JP6524203B2 - 光入力部材の保持部品と光導波路部品との接続構造およびその製造方法 - Google Patents
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Description
光ファイバーと光導波路との間を伝搬する光による劣化は防止できたはずであり、接着剤の劣化による影響とは考えられない。また、接着剤は、図7に示すように基板の左右二カ所に対称に存在しているので、熱衝撃による応力は左右均等に加わるはずであり、意外な結果であった。
光導波路部品、光入力部材を保持する保持部品、および光導波路部品と保持部品とを接着する接着部を備える接続構造であって、
前記光導波路部品が、支持基板と、前記支持基板上に設けられ、光導波路を有する光導波路基板と、前記光導波路基板上に設けられ、かつ突起部を有する上側基板とを備え、
前記光導波路部品に凹部が設けられており、
前記突起部に前記凹部に隣り合う接着面が設けられており、
前記接着面上に前記接着部が設けられており、
この接着部が前記光導波路基板の厚さ方向に向かって前記光導波路基板から上方に離れた位置に一カ所設けられており、
前記接着部と前記光導波路基板との間に前記凹部が設けられており、
前記光入力部材の端面と前記光導波路の端面との間に隙間が設けられており、
前記凹部は、前記光導波路基板の上面と前記上側基板の前記突起部の下面とで形成されていることを特徴とする、光導波路部品と保持部品との接続構造に係るものである。
前記光導波路部品に設けられた前記接着面上に接着剤を設け、この際前記接着剤の下方に前記光導波路基板を位置させる工程、および
前記接着剤を硬化させることで前記接着部を形成する工程
を有することを特徴とする、接続構造の製造方法に係るものである。
光導波路は、基板の主面に直接形成されたリッジ型の光導波路であってよく、基板の主面の上に他の層を介して形成されたリッジ型の光導波路であってよく、また基板の内部に内拡散法やイオン交換法によって形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロトン交換光導波路であってよい。具体的には、光導波路が、基板表面から突出するリッジ型光導波路であってよい。リッジ型の光導波路は、レーザー加工、機械加工によって形成可能である。あるいは、高屈折率膜を基板上に形成し、この高屈折率膜を機械加工やレーザーアブレーション加工することによって、リッジ型の三次元光導波路を形成できる。高屈折率膜は、例えば化学的気相成長法、物理的気相成長法、有機金属化学的気相成長法、スパッタリング法、液相エピタキシャル法によって形成できる。
すなわち、光導波路部品1は、光導波路基板18と、光導波路基板18を接着層4を介して接着する支持基板5と、支持基板5の下に接合されている接合用基板6とを備えている。光導波路基板18にはチャンネル光導波路3が形成されている。チャンネル光導波路3の一方の端面3bは末端に露出しており、他方の端面3aは、保持部品2に対する対向面に露出している。
本例においては、図6に示す光導波路部品1Eを使用している。この光導波路部品1Eは、光導波路基板18と、支持基板16と、支持基板16と光導波路基板18とを接着する接着層4とを有する。光導波路基板16には、接着剤硬化層12が接着する接着面を有する突起部が設けられていない。
図1および図3の形態とした。
溝7の幅H0.2mm、溝7の深さD1.0mm、接着面の突出量0μm、光導波路端面と光ファイバー端面との間隔10μm
(参考例B):
図1および図3の形態とした。
溝7の幅H0.5mm、溝7の深さD0.3mm、接着面の突出量0μm、光導波路端面と光ファイバー端面との間隔10μm
(参考例C):
図1および図4の形態とした。
溝7の幅H0.2mm、溝7の深さD1.0mm、接着面の突出量S 10μm、光導波路端面と光ファイバー端面との間隔10μm
(参考例D):
図1および図4の形態とした。
溝7の幅H0.5mm、溝7の深さD0.3mm、接着面の突出量S 10μm、光導波路端面と光ファイバー端面との間隔10μm
(参考例E):
図1および図6の形態とした。
溝7の幅H0.2mm、溝7の深さD1.0mm、接着面の突出量S 0μm、光導波路端面と光ファイバー端面との間隔10μm
図11の形態とした。
溝7の幅H0.2mm、溝7の深さD1.0mm、接着面の突出量0μm、光導波路端面と半導体レーザー端面との間隔10μm
(参考例J)
図12の形態とした。
溝7の幅H0.2mm、溝7の深さD1.0mm、接着面の突出量S10μm、光導波路端面と半導体レーザー端面との間隔20μm
図7、図8に示すような形態の接続構造を作製した。
ただし、光導波路部品には、光導波路から光導波路基板の幅方向に離れた2箇所に溝30を形成し、各溝30の外側にそれぞれ突起部31を形成し、各突起部31の先端を接着面31aとした。32はV溝である。
溝の幅は0.2mmであり、溝の深さは1.0mmであり、突起部の接着面の光導波路部品端面からの突出量は0μmとした。
図9に示すような形態の接続構造を作製した。ただし、光導波路部品33には、光導波路から光導波路基板の厚さ方向Tに離れた2箇所に溝30を形成し、各溝30の外側にそれぞれ突起部14を形成し、各突起部14の先端を接着面とした。
溝の幅は0.5mmであり、溝の深さは0.3mmであり、突起部の接着面の光導波路部品端面からの突出量は0μmとした。
比較例Fと同様の接続構造を作製した。ただし、突起部および溝を光ファイバーアレイの方に形成した。溝の幅は0.2mmであり、溝の深さは1.0mmであり、突起部の接着面の光ファイバー端面からの突出量は0μmとした。
図13に示す形態の接続構造を作製した。光導波路基板1Eを図13に示す形態とし、光導波路の端面と半導体レーザー43の端面43aとを接着した。両者の距離Wは10μmとした。
以下の熱衝撃サイクル試験を実施した。
すなわち、参考例A〜Hについて−40℃と+85℃との間の熱サイクルを印加し、参考例I、J,Kについては+15℃と+70℃との間の熱サイクルを印加し、挿入損失の初期特性と熱衝撃サイクル印加後の特性を測定した。挿入損失については、各接続構造におけるレーザー光の入力に対する出力の割合(挿入損失)を測定した。初期特性、熱衝撃200サイクル後、熱衝撃500サイクル後と比較した。
F:200サイクル後 0.2dB増加
500サイクル後 0.5dB増加。
G:200サイクル後 0.3dB増加、
500サイクル後 1.1dB増加。
H:200サイクル後 0.5dB増加
500サイクル後 0.8dB増加。
K:200サイクル後 9dB増加
500サイクル後 10dB増加。
A〜Hまでの各例の接続構造に対してレーザー光を入射させながらモジュール全体を恒温槽にセットし、槽内温度を−40〜+85℃まで変動させその際のモジュールからの出射光の変動を測定した。結果は以下のとおりである。
熱衝撃200サイクル後: 低温にむかって緩やかに0.10dB程度変動(光量上昇)、高温に向かって緩やかに0.20dB程度変動(光量低下)した。
500 サイクル後: 低温にむかって緩やかに0.05dB程度変動(光量低下)した。
200サイクル後:高温にむかって緩やかに0.10dB程度変動(光量低下)した。
500サイクル後:低温にむかって緩やかに0.05dB程度変動(光量上昇)、高温に向かって緩やかに0.20dB程度変動(光量低下)した。
200サイクル後:低温にむかって緩やかに0.20dB程度変動(光量低下)した。
500サイクル後:200サイクル後と同一結果であった。
200サイクル後:低温にむかって緩やかに0.10dB程度変動(光量上昇)した。
500サイクル後:高温に向かって緩やかに0.10dB程度変動(光量低下)した。
200サイクル後:低温・高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)
した。
500サイクル後:低温に向かって緩やかに0.2dB程度変動(光量上昇)、高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)した。
200サイクル後:低温・高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)した。
500サイクル後:低温に向かって緩やかに0.2dB程度変動(光量上昇)、高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)した。
200サイクル後:低温・高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)した。
500サイクル後:低温に向かって緩やかに0.2dB程度変動(光量上昇)、高温側に向かって緩やかに0.1dB程度変動(光量上昇)した。
200サイクル後:低温に向かうときに急激に0.8dB程度変動、高温に向かうときに緩やかに0.1dB程度光量低下した。
500 サイクル後:低温に向かうときに急激に0.8dB程度変動した。
200サイクル後:低温に向かうときに0.6dB程度光量低下し、高温に向かうときに緩やかに0.2dB程度光量上昇した。
500サイクル後:高温側の昇降温時に瞬間的に光量が2.0dB程度大きく変動した。
200サイクル後:低温に向かうときに急激に光量が1.7dB程度低下し、高温に向かうときに急激に光量が0.95dB程度上昇した。
500サイクル後:低温に向かうときに急激に光量が2.0dB程度低下し、高温に向かうときに急激に光量が0.93dB程度上昇した。
200サイクル後:挿入損失が大きく、測定することはできなかった。
500サイクル後:挿入損失が大きく、測定することはできなかった。
Claims (4)
- 光導波路部品、光入力部材を保持する保持部品、および光導波路部品と保持部品とを接着する接着部を備える接続構造であって、
前記光導波路部品が、支持基板と、前記支持基板上に設けられ、光導波路を有する光導波路基板と、前記光導波路基板上に設けられ、かつ突起部を有する上側基板とを備え、
前記光導波路部品に凹部が設けられており、
前記突起部に前記凹部に隣り合う接着面が設けられており、
前記接着面上に前記接着部が設けられており、
この接着部が前記光導波路基板の厚さ方向に向かって前記光導波路基板から上方に離れた位置に一カ所設けられており、
前記接着部と前記光導波路基板との間に前記凹部が設けられており、
前記光入力部材の端面と前記光導波路の端面との間に隙間が設けられており、
前記凹部は、前記光導波路基板の上面と前記上側基板の前記突起部の下面とで形成されていることを特徴とする、光導波路部品と保持部品との接続構造。
- 前記光入力部材が、光伝送部材または光源であることを特徴とする、請求項1記載の接続構造。
- 前記光導波路は、リッジ型光導波路であることを特徴とする、請求項1又は2記載の接続構造。
- 請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の接続構造を製造する方法であって、
前記光導波路部品に設けられた前記接着面上に接着剤を設け、この際前記接着剤の下方に前記光導波路基板を位置させる工程、および
前記接着剤を硬化させることで前記接着部を形成する工程
を有することを特徴とする、接続構造の製造方法。
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