JPH0497232A - 波長変換素子および入射テーパ光導波路作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明（表　コヒーレント光源を応用した　光情報処珠
　光応用計測制御分野に使用される光導波路とレーザお
よびファイバとの高屈折結合を可能にする入射テーパ光
導波路　および波長変換素子に関するものであム 従来の技術 従来の波長変換素子としてはＬｉＴａ０ｚ基板上に液相
成長法によりＬｉＮｂ０ｚ導波路を形成し　波長変換素
子を形成する方法がある。第６図に従来の波長変換素子
の基本構成図を示す。２１はＬｉＴａ０ａ基板、２２は
ＬｉＮｂＯ５導波蕗　２導波比射部　２４は入射部　２
５はＳ　ＨＧ　（Ｓｅｃｏｎｄ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｇ
ｅｒｅａｔｉｏｎ）変換部であム　作製方法として＋１
２１のＬｉＴａ０ｔ基板上に液相成長法によりＬｉＮｂ
０＊を堆積し　ドライエツチングにより導波路ストライ
ブを形成してＬｉＮｂ０ａ導波路２２を作製す４　作製
した導波路の両端面を光学研磨し　入射部２４及び出射
部２３を形成して波長変換素子を作製すム　作製した波
長変換素子の入射部より波長λの光Ｌ１を入射すると、
導波路内の非線形光学効果によって、導波路内の波長λ
の基本波は波長λ／２の第二高調波の光Ｌ２に変換され
る。

また従来の入射テーパ光導波路として（よ　例えば先導
波路の入射部をテーパ状に広げたものがある。第７図は
この従来の入射テーパ光導波路の基本的構成図を示すも
のであり、　２６は誘電体基板、２７は光導波１２８は
テーパ導波路、　２４は入射部である。

以上のように構成された従来の入射テーパ光導波路（訳
　入射部の形状及び面積を変えて、導波路に励起するコ
ヒーレント光の波面分布と導波路を伝搬する導波モード
分布を整合させ導波路とコヒーレント光との高い結合効
率を得る入射テーパ導波路であム　また　この入射テー
パ光導波路の作製方法として（アブライドオブテイクス
（ＡｐｐｌｉｅｄＯｐｔｉｃｓ）　１９７９年３月号　
１８巻のＰ９００〜９０２）のＪ。

Ｃ，Ｃａｍｐｂｅｌ　１氏によると第８図に示されるよ
うに基板２６を除々に硝酸銀の溶液２９中に浸していく
ことにより拡散深さを変化させて入射テーパ光導波路を
形成するというものである。ＬｉＮｂＯ３基板２６に光
導波路を形成する場合、溶液２９として安息香酸を用い
２００℃程度の温度でテーパ状光導波路か作製される。

第８図で３０はヒー久　３１はピー力である。

発明か解決しようとする課題 上記のように構成された従来の波長変換素子においては
導波路をＬｉＮｂＯ３で形成しでいるため導波路光強度
が数ｍＷ以上になると導波路内において光損傷が発生す
る。これによって導波路内の屈折率が変化するため基本
波と第二高調波との位相整合条件が崩れ　安定に動作す
る波長変換素子が構成できないという問題があった　さ
らに波長変換素子の効率は導波路内を導波する基本波の
パワーに依存するため高効率化を図るには光源との高効
率結合効率の達成という課題があっｋ　さらに波長変換
素子と光源を一体化したモジュールを形成するには結合
ずれに対する許容度を増大するという課題がある。

また上記のような入射テーパ光導波路の作製方法で（表
　高温で熱処理するため蒸気により液に浸されていない
部分の温度が低下し再現性よく設計通りの入射部が形成
できないという問題もあつに本発明は光損傷を低減し安
定な動作を行う波長変換素子を提供することを目的とす
る。

また本発明（表　波長変換素子の入射部をテーパ状に広
げた入射テーパ光導波路にすることにより、高効率で安
定な波長変換素子を形成することを目的とする。

また本発明（よ　伝搬ロスの少なくかつ高い結合効率を
も板　かつ光損傷にも強い入射テーパ導波路を提供する
ことを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は以上の点に鑑み導波路を耐光損傷性に優れるＬ
ｉＴａ０ａと大きな非線形光学効果を有するＬｉＮｂＯ
５の混晶であるＬｉＮｂ８Ｔａ＋−Ｊ３　（ｏ、　２≦
ｘ≦０．８）によって構成する。ＬｉＴａ０ｚとＬｉＮ
ｂ０＊は結晶構造−が等しいためロスが少なくかつ結晶
性に優れる導波層を形成できるた八　低ロスで高い非線
形性を有しかつ耐光損傷にすくれた光導波路が形成でき
、この導波路によって波長変換素子を構成すると安定で
高出力の波長変換素子が構成できる。すなわち、本発明
１；ｉ、　　ＬｉＴａＯ３基板と前記基板上に形成した
ＬｉＮｂ８Ｔａ＋−ＸＯ３（０．２≦ｘ≦０．８）の導
波層と光を前記導波層内に入射する入射部と前記導波層
内に形成した光を第二高調波ＳＨＧに変換するＳ　１−
ｊ　Ｇ変換部と前記導波層内からＳＨＧを出力する出射
部を備えたことを特徴とする波長変換素子である。

まｔ−、ＬｉＴａＯ３基板と前記基板上に形成したＬｉ
Ｎｂ８Ｔａ＋−ウ０ｉ（０．２≦ｘ≦０．８）の導波層
と光を前記導波層内に入射するテーパ状の入射部と前記
導液層内に形成した光を第二高調波ＳＨＧに変換するＳ
ＨＧ変換部と前記導波層内からＳ　ＨＧを出力する出射
部を備えたことを特徴とする波長変換素子である。

また　従来の入射テーパ光導波路作製方法では精度良く
テーパ部を作製することができなかったこれを解決する
た数　深さ方向のテーパを機械研暦により精度良く形成
したのちこの部分に導波層を付けさらに導波層を選択エ
ツチングにより加工することにより輻方阻　深さ方向と
もにテーパ状に広がった入射テーパ光導波路を精度よく
作製することができる、すなわち凹状に加工した基板上
に導波層を付け、導波層上面を研磨する。その後選択エ
ツチングにより凹部上にその他の部分より幅の広い導波
路を形成し　凹部の中心を切断した後、光学研磨により
端面を研磨したことを特徴とする入射テーパ光導波路作
製方法である。

作用 本発明は前述した構成により、ＬｉＴａＯ５基板と前記
基板上に形成したＬｉＮｂ−Ｔａ＋−ＸＯ３（０．２≦
ｘ≦０．８）の導波層と光を前記導波層内に入射する入
射部と前記導波層内に形成した光を第二高調波ＳＨＧに
変換するＳＨＧ変換部と前記導波層内からＳＨＧを出力
する出射部を備えた波長変換素子を形成できる。すなわ
ち導波層を耐光損傷性に優れるＬｉＴａ０ｔと大きな非
線形光学効果を有するＬｉＮｂＯ３の混晶であるＬｘＮ
ｂｘＴａ＋−ｘ０３　（ｏ、　２≦ｘ≦０．８）によっ
て構成する。

ＬｉＴａＯ３とＬｉＮｂＯ３は結晶構造が等しいためロ
スが少なくかつ結晶性に優れる導波層を形成できるた教
低口人　高非線形光学効巣　耐光損傷にすぐれた光導波
路が形成でき、この導波路によって波長変換素子を構成
することにより安定で高出力の波長変換素子か構成でき
る。

また　本発明は前述した波長変換素子の構成により、Ｌ
ｉＴａＯ３基板と前記基板上に形成したＬｉＮｂ、Ｔａ
＋＝ｘｏ３（０．２≦ｘ≦０．８）の導波層と光を前記
導波層内に入射するテーパ状の入射部と前記導波層内に
形成した光を第二高調波ＳＨＧに変換するＳ　ｌ−Ｉ　
Ｇ変換部と前記導波層内からＳＨＧを出力する出射部を
備えた波長変換素子を形成できる。すなわち導波路内を
導波する基本波のパワーに依存する変換効率を向上させ
るため光源との高効率結合効率を達成でき、さらに波長
変換素子と光源を一体化したモジュールを形成する場合
に　結合ずれに対する許容度を増大することができる。

また　本発明は前述した入射テーパ光導波路の作製方法
により、凹状に加工した基板上に導波層を付け、導波層
上面を研磨する。その後選択エツチングにより凹部上に
その他の部分より幅の広い導波路を形成し　凹部の中心
を切断した後、光学研磨により端面を研磨し　入射テー
パ光導波路を作製できる。すなわち、深さ方向のテーパ
を機械研磨により精度良く形成したのちこの部分に導波
層を付けさらに導波層を選択エツチングにより加工する
ことにより帳簿１社　深さ方向ともにテーパ状に広がっ
た入射テーパ光導波路を精度よく作製することができも 実施例 （実施例１） 第１図は　第１の実施例における波長変換素子の構成図
を示すもので、ＬｉＴａＯ３基板と、前記基板上に形成
したＬｉＮｂ−Ｔａ＋　−ｗｏ３（０．２≦ｘ≦０．８
）の導波層と、光を前記導波層内に入射する入射部と、
前記導波層内に形成した光を第二高調波（Ｓｅｃｏｎｄ
　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｇｅｎａｒａｔｉｏｎ　　以下Ｓ
ＨＧとする）に変換するＳＨＧ変換部と、前記導波層内
からＳＨＧを出力する出射部を備えたことを特徴とする
波長変換素子である。第１図においてｌは屈折率２．１
６の＋２板（Ｚ軸と垂直に切り出された基板の→−側）
のＬｉＴａＯ３からなる基板、　２は液層成長で形成し
たＬｊＮｂ。

Ｔａ＋　−ＸＯ３（０．２≦ｘ≦０．８）の導波層　３
はＳａＣ変換眠　４、５は一光学研磨により導波路端面
に形成した入射部および出射部である。

以上のように構成された第１実施例の波長変換素子につ
いて、以下その動作を説明する。

屈折率２．１６のＬｉＴａＯ５からなる基板１上に液相
成長によりＬｉＮｂｘＴａ＋−ｘＯｚ　（Ｘ＝０．５）
　（７）導波層を成長させる。フォトリソグラフィ法に
より先導波路マスクパターンレジストにより形成した形
成した後、ＣＦ４雰囲気中で選択ドライエツチングを行
（＼　リッジ形の光導波路２を形成すも　レジストを除
去した後、光導波路の両端面を光学研磨し入射部４及び
出射部５を形成する。作製した入射テーパ光導波路２に
波長０．８μｍの半導体レーザの光を励起して、導波路
の伝搬ロスを測定し池　測定方法は開口数０．３のコリ
メータレンズとλ／２板、及び開口数０．６の集光レン
ズからなる集光光学系により半導体レーザの光を集光し
　最小集光スポット径５Ｘｌ。

８μｍでテーパ導波路に集光してＬｌとして入射しμ　
この先導波路上に蛍光体を塗布し光導波路表面からの散
乱光をストリークカメラで観測して、先導波路からの散
乱光の強度により導波路の伝搬モード並びに導波路伝搬
ロスを測定した　その結果、従来のＬｉＮｂＯ５光導波
路では導波する光の強度が］０ｍＷ以上では光損傷にょ
る導波ロスおよび導波モードの移り変わりが発生した力
丈　今回作製した先導波路においては導波光強度１００
ｍＷでも光損傷による導波ロス及び導波モードの移り変
わりは確認されなかっｋ　以上の結果導波路の耐光損傷
強度は従来の１０倍以上に向上していることがわかム　
またＬＩＮｂｘ　Ｔａ＋−０ｏ３のＸの値と導波路と基
板の屈折率差および耐光損傷強度の関係を第２図に示す
。この結果より、Ｘの値により導波路内の耐光損傷性を
変えることができる力＜、　　Ｘ＜０．２のとき導波路
と基板の屈折率差が１０−４以下になり屈折率が基板と
変わらなくなるため導波路が形成できなかっ島　またＸ
＞０．８のとき、導波路内の耐光損傷性はＬｉＮｂＯ５
光導波路とほぼ同等となった　このためＸの値を０．２
〜０．′８と決定し通　光導波路での伝搬ロスは１　ｄ
　Ｂ　／　ｃ　ｍであっ九　さらＬ　　この導波路にお
いて、導波モード間におけ４　位相整合による波長変換
を行った　波長８３０ｎｍのＴＭ光をＬｌとして入力し
　導波路内の非線形光学効果により、波長４１５ｎｍの
第二高調波に変換してＬ２として出力し九　変換効率は
導波光強度が１００ｍＷのとき、２％／ｃｍであっ九　
導波路内の非線形光学定数はＬｉＮｂ偶とＬｉＴａＯ３
の中間の値を示り、　　ＬｉＮｂ−Ｔａ＋　−ｘｃｈ　
（Ｘ−０．５）のとき非線形光学定数ｄ３３の値は約３
０ｐｍ／Ｖとなツタコノ値はＬｉＮｂＯ３基板−ｘＯｔ
ノＸＯ）値を０．２〜０．８にかえることにより約２０
〜４０ｐｍ／Ｖにかえることができも　以上にように本
実施例によれば光損傷に強く、かつ高出力の波長変換素
子が構成することができ島 な耘　本実施例で導波層としてＬｉＮｂ−Ｔａ＋　−Ｊ
ｓ　（。

、２≦ｘ≦０．８）を用いた力交　他にＭｇＯをドーピ
ングしたＬｉＮｂｘＴａ＋−ｇｏｓ（０．２≦ｘ≦０．
８）を用いても先導波路は形成される。

（実施例２） 第３図は　第２の実施例における波長変換素子の構成図
を示すもので、ＬｉＴａＯ３基板と前記基板上に形成し
たＬｉＮｂ−Ｔａ＋−ｘＯｓ（０．２≦ｘ≦０．８）の
導波層と、光を前記導波層内に入射するテーパ状の入射
部と、前記導波層内に形成した光を第二高調波（以下Ｓ
ＨＧとする）に変換するＳ　ＨＧ変換部と、前記導波層
内からＳＨＧを出力する出射部を備えた波長変換素子で
あａ　第３図においてｌは屈折率２．１６の＋Ｚ板（Ｚ
軸と垂直に切り出された基板の＋側）のＬｉＴａ０ｚか
らなる基板、　２は液相成長で形成したＬｉＮｂｘＴａ
＋−ＸＯ３（０．２≦ｘ≦０．８）の導波＃　３はＳＨ
Ｇ変換服　５は光学研磨により導波路端面に形成した出
射部　４は導波路をテーパ状に広げた入射部である。

以上のように構成された第２実施例の波長変換素子につ
いて、以下その動作を説明する。

作製方法は実施例１と同様に行う、作製した波長変換素
子の入射部５に波長０．８μＲ発光面積５ｘ１．８μｍ
の半導体レーザを集光光学系を介して微動装置により位
置合わせした後、紫外線硬化樹脂により固定し九　次に
半導体レーザと導波路の結合効率を測定したところ結合
効率は５０％であっμ　これは従来の直線導波路と半導
体レーザの集光光学系を通した結合効率３０％に対し　
　１．　６倍の値である。さらに　非線形光学効果によ
り波長０．４μｍの第２高調波が発生し　半導体レーザ
の出力４０ｍＷに対し０．２ｍＷの第２高調波成分を得
ることができへ　これは従来の値（半導体レーザ出力４
０ｍＷに対する第２高調波成分０．１ｍＷ）の２倍であ
る。

また６Ｘ２Ｘ２ｍｍのＬｉＮｂＯ３基板と長さ２００μ
ｍの半導体レーザ及びｌ０Ｘ５Ｘ５の集光光学系を一体
モジュール化することにより、２０Ｘ６Ｘ６の小型の波
長変換素子を形成することができ九　以上のように本実
施例によれば　小型で高出力の波長変換素子を形成する
ことができも （実施例３） 第４図Ｉｉ、第３の実施例における波長変換素子の構成
図を示すもので、ＬｉＴａＯ５基板と、前記基板上に形
成したＬｉＮｂｘＴａ＋−ｘｏｉ（０．２≦ｘ≦０．８
）の導波層と、光を前記導波層内に入射する入射部と、
前記導波層内に形成した周期的に非線形分極が互いに反
転しているＳＨＧ変換部と、前記導波層内からＳＨＧを
出力する出射部を備えた波長変換素子である。第４図に
おいて１は屈折率２．１６の＋２板（Ｚ軸と垂直に切り
出された基板の＋側）のＬｉＴａＯ３からなる基板、　
２は液相成長で形成したＬｉＮｂ＊　Ｔａ＋　−ｘ　０
３（０．２≦ｘ≦０．８）の導波層　３はＳＨＧ変換剖
（４，５は光学研磨により導波路端面に形成した入射部
および出射部である。作製方法は実施例１と同様に行う
万丈　液相成長でＬｉＮｂ％ｒ’ａ＋　−Ｊ３　（ｏ、
　２≦ｘ≦０．８）の導波層を成長させるとき、導波層
に櫛形電極により周期的な電界を印加し　導波路層の非
線形分極を周期的に反転して反転層１０を形成しｋ　反
転層１０の周期は７μｍ反転層ＩＯの幅は３μｍであっ
ｋ　フォトリソグラフィ法により光導波路マスクパター
ンを形成した後、ＣＦ４雰囲気中でドライエツチングを
行（＼　リッジ形の光導波路２を形成する。光導波路の
両端面を光学研磨し入射部３及び出射部４を形成する。

以上のように構成された鴻３実施例の波長変換素子につ
いて、以下その動作を説明すも作製した波長変換素子の
先導波路の導波路ロスを実施例１と同様の方法で評価し
たところほぼ同等の特性を示した　さらに態度特性を評
価した作製した素子をペルチェ素子の上にのせ、素子の
温度をコントロールヒ　素子温度対Ｓ　ＨＧ出力の関係
を測定しん　その結果実施例１の波長変換素子は±０．
４℃でＳＨＧ出力が約半分に減少しｙ＝それに比べ実施
例３の波長変換素子は±１℃でＳＨＧ出力が約半分に減
少し　温度安定性に優れていることがわかっ九　さらに
本実施例の素子の波長変換効率は導波光強度が１００ｍ
Ｗのとき、２．２％／Ｃｍでありへ　導波路内の非線形
光学定数はＬｉＮｂＯ３とＬｉＴａＯ５の中間の値を示
り、　　ＬｉＮｂ４ａ＋−ＸＯ３（Ｘ−０．５）のとき
非線形光学定数ｄｓｓの値は約３０ｐｍ／Ｖとなっな　
この値はＬｘＮｂ、　Ｔａ＋　−ＸＯ３のＸの値を０．
２〜０．８にかえることにより約２０〜４０ｐｍ／　Ｖ
にかえることができる。以上にように本実施例によれば
光損傷に強く、高出九　かつ温度安定性に優れた波長変
換素子か構成することができへ （実施例４） 第５図は　第４の実施例における入射テーパ作製方法の
工程図を示すもので、凹状に加工した基板上に導波層を
付け、導波層上面を研磨する。その後選択エツチングに
より凹部上にその他の部分より幅の広い導波路を形成し
　凹部の中心を切断した後、光学研磨により端面を研磨
したことを特長とする入射テーパ光導波路作製方法であ
る。第５図において１は屈折率２．１６の＋Ｚ板（Ｚ軸
と垂直に切り出された基板の＋側）のＬｉＴａＯ５から
なる基板、２は液層成長で形成したＬｉＮｂ４ａ＋−＋
［）ｔ（０．２≦ｘ≦０．８）の導波層　４、５は光学
研磨により導波路端面に形成した入射部および出射部１
１は凹部である。

第５図（ａ）はＬｉＴａＯ５基板ｌの一部を機械研磨に
より深さ２μ亀　長さ１００μｍのテーパ状凹部１１を
形成する加工を行ったものであａ　第５図（ｂ）はＬｉ
Ｔａ０＊基板１上に液相成長により、ＬｘＮｂ、　Ｔａ
＋　−Ｘ　０ｓ（０．２≦ｘ≦０．８）導波層２を５μ
ｍ成長させも　第５図（ｃ）にて基板表面を３μｍ機械
研磨すると深さ方向にテーパ状の分布を有する導波層２
が形成される。第５図（ｄ）はこのテーパ部の上部に横
幅が他の部分より広いよこ方向のテーパ導波路をフォト
リソグラフィ法によりレジストパターンにより形成した
後ＣＦ、の雰囲気中でドライエツチングを行い導波路を
形成する。第５図（ｅ）にてレジストを除去し　四部１
１の中央（線Ｌ）で基板を切断した後、端面を光学研磨
し入射部４を作製すると深さおよび幅方向にテーパ状に
広かった入射テーパ導波路が形成される。

この方法によると、作製か困難であった深さ方向のテー
パ導波路が機械研磨加工により設計通りに精度よく作製
できる。つぎに作製した入射テバ導波路の評価を行っな
　波長０．８３μｍの半導体レーザとの結合効率を測定
したとこへ　結合損失は０．４ｃｌＢとなり従来の導波
路との結合損失１．５ｄＢに比べ半分以下に減少させる
ことができし　また半導体レーザと導波路入射部との位
置ずれと結合効率の関係を測定したとこへ　従来の直線
導波路に対し　入射テーパ導波路は約１．　５倍の結合
アライメント許容度を有することがわかつｋな紅　本実
施例では　基板として、ＬｉＴａＯ５を用いたカミ　他
にＭｇＯをドーピングしたＬｉＮｂ０ａ、ＬｉＴａ０ネ
、　ＫＮｂＯｉ　、　ＫＴＰなどの強誘電体、５ｉ０２
などの誘電体ＭＮＡなどの有機ｔｍ　　またはＺｎＳな
どの化合物半導体など結晶成長により光導波路を形成で
きる基板であれば用いることができる。

な耘　本実施例では　導波路層として、ＬｉＮｂ、Ｔａ
＋　−−Ｃｈ　（０．２≦ｘ≦０．８）結晶ＬｉＴａＯ
３を用いた力（他にＭｇＯをドーピングしたＬｉＮｂＯ
５、ＬｉＴａＯ３，ＫＮｂＯ３，ＫＴＰなどの強誘電体
、５ｉＯａなどの誘電体ＭＮＡなどの有機１扱　または
ＺｎＳなどの化合物半導体など結晶成長により光導波路
を形成できるものであれば用いることができる。

発明の詳細 な説明したように　ＬｉＴａＯ５基板と前記基板上に形
成したＬｉＮｂ０ａ＋−×ｏｓ（０．２≦ｘ≦０．８）
の導波層と光を前記導波層内に入射する入射部と前記導
波層内に形成した光を第二高調波ＳＨＧに変換するＳＨ
Ｇ変換部と前記導波層内からＳＨＧを出力する出射部を
備えた波長変換素子により、導波路を非線形性の高いＬ
ｉＮｂＯ３七耐光損傷性に優れるＬｉＴａＯ５の混晶に
より形成することにより高非線形性でかつ耐光損傷性に
優れた導波路を形成することができ、この導波路によっ
て波長変換素子を構成することにより、光損傷に強く、
かつ高出力の波長変換素子か構成することができその実
用効果は太きい。

また凹状に加工した基板上に導波層を付け、導波層上面
を研磨する。その後選択エツチングにより凹部上にその
他の部分より幅の広い導波路を形成し　凹部の中心を切
断した後、光学研磨により端面を研磨したことを特長と
する入射テーパ光導波路作製方法により、作製が困難で
あった深さ方向のテーパ導波路が機械研磨加工により設
計通りに精度よく作製できも　その結果　光源との結合
損失が少なく、かつ光源との結合アライメント許容度の
大きな入射テーパ光導波路が作製できその実用効果は太
きｔも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における波長変換素子の構成
斜視＠　第２図は波長変換素子に於ける導波層の組成比
Ｘと導波層の屈折率差△ｎ及び導波層の耐光損傷強度の
関係を示す皿　第３図は本発明の他の実施例における波
長変換素子の構成斜視は　第４図は本発明のさらに他の
実施例における波長変換素子の構成斜視は　第５図は本
発明における入射テーパ作製方法の工程医　第６図は従
来の波長変換素子の構成斜視匝　第７図は従来の入射テ
ーパ導波路の基本構成斜視又　第８図は従来の入射テー
パ光導波路の製造方法の基本構成図である。 １　・・・ＬｉＴａ０ｔ基板、　２　・・・ＬｉＮｂ０
ａ＋−ｘｉ３（０．２≦ｘ≦０．８）導波層　３・・・
ＳＨＧ変換餓　４・・入射部　５・・・入射光 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第１図 Ｘ　（ＬｒＮｂｘＴＩ２１−Ｘ　） 第 図 工打邸 ／Ｌｒ乃０３基版 第 図 ５出航部 ／ＬＩ及Ｏ及 第 図 ２４人入射ｖ＝ 第 図 第 図 ｔ 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＬｉＴａＯ＿３基板と、前記基板上に形成したＬ
   ｉＮｂ＿ｘＴａ＿１＿−＿ｘＯ＿３（０．２≦ｘ≦０．
   ８）の導波層と、光を前記導波層内に入射する入射部と
   、前記導波層内に形成した光を第二高調波に変換するＳ
   ＨＧ変換部と、前記導波層内からＳＨＧを出力する出射
   部を備えたことを特徴とする波長変換素子。
2. （２）テーパ状の入射部を備えたことを特徴とする特許
   請求の範囲前記第１項記載の波長変換素子。
3. （３）周期的に非線形分極が互いに反転しているＳＨＧ
   変換部を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の波長変換素子。
4. （４）凹状に加工した基板上に導波層を付け、導波層上
   面を研磨し、その後選択エッチングにより前記凹部上に
   その他の部分より幅の広い導波路を形成し、前記凹部の
   ほぼ中心を切断した後、光学研磨により端面を研磨する
   ことを特徴とする入射テーパ光導波路作製方法。