KR20100030226A - 데이터 출력회로 - Google Patents

데이터 출력회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20100030226A
KR20100030226A KR1020080089073A KR20080089073A KR20100030226A KR 20100030226 A KR20100030226 A KR 20100030226A KR 1020080089073 A KR1020080089073 A KR 1020080089073A KR 20080089073 A KR20080089073 A KR 20080089073A KR 20100030226 A KR20100030226 A KR 20100030226A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pull
input data
driver
signals
response
Prior art date
Application number
KR1020080089073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100956781B1 (ko
Inventor
김용주
한성우
송희웅
오익수
김형수
황태진
최해랑
이지왕
장재민
박창근
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020080089073A priority Critical patent/KR100956781B1/ko
Priority to US12/340,882 priority patent/US7800416B2/en
Publication of KR20100030226A publication Critical patent/KR20100030226A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100956781B1 publication Critical patent/KR100956781B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4096Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4093Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/02Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1072Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2254Calibration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 데이터 출력 회로는 입력 데이터를 인가 받아 복수개의 풀업 신호 및 풀다운 신호를 생성하고, 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호의 인에이블 시점을 가변화하도록 구성되는 프리 드라이빙부; 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호에 응답하여 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부; 를 포함한다.
출력 데이터, 프리 드라이버, 메인 드라이버

Description

데이터 출력회로{Data Output Circuit}
본 발명은 반도체 메모리 장치의 설계에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력회로에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 메모리 장치, 특히 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)은 클럭의 라이징 에지(Rising Edge) 뿐만 아니라 폴링 에지(Falling Edge)에도 동기되어 입출력 동작이 수행됨으로써 두 배의 데이터 입출력 속도를 갖는다.
일반적인 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로는 메인 드라이버(Main Driver)를 통해 패드(Pad)로 데이터를 출력하며, 상기 메인 드라이버를 구동하기 위해 라이징 데이터(Rising Data)와 폴링 데이터(Falling Data)를 입력 받는 프리 드라이버(Pre-Driver)를 포함하고 있다.
슬루 레이트(Slew Rate)는 출력 신호의 전압 레벨이 얼마나 빨리 변하는지를 나타내는 지표로서, 단위 시간당 전압 레벨의 변화량을 나타낸 기울기로 정의할 수 있다. 상기 슬루 레이트가 클수록 출력신호의 기울기가 크며 신호의 레벨 변화가 빠르게 일어난다. 한편, 상기 슬루 레이트가 너무 큰 경우에는 노이즈(Noise)가 심하게 발생하고, 반대로 상기 슬루 레이트가 작은 경우에는 노이즈를 감소시킬 수는 있으나, 데이터의 스큐(Skew)가 심해지는 문제점이 있다.
따라서, 상기 프리 드라이버는 상기 메인 드라이버가 출력하는 데이터의 슬루 레이트를 적절하게 조절하도록 구성된다. 즉, 종래에는 프리 드라이버 단에 저항(Resistor)과 캐패시터(Capacitor)를 이용한 RC 딜레이 컨트롤(RC Delay Control)을 적용하여 메인 드라이버의 턴온 타이밍을 조절함으로써, 데이터의 슬루 레이트를 조절하였다.
그러나 RC 딜레이 컨트롤은 일정한 지연량을 갖고 메인 드라이버의 턴온 타이밍을 조절하기 때문에 PVT(Process, Voltage, Temperature)변화에 따른 정교한 컨트롤이 힘들다. 또한 고속 입출력 동작에는 적용하기 힘든 문제가 있고, RC 딜레이로 인한 프리 드라이버의 대역폭(Bandwidth)이 작아져 메인 드라이버의 출력에 지터(Jitter)가 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 메인 드라이버의 출력의 슬루 레이트를 정교하게 조절할 수 있는 데이터 출력 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력 회로는 입력 데이터를 인가 받아 복수개의 풀업 신호 및 풀다운 신호를 생성하고, 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호의 인에이블 시점을 가변화하도록 구성되는 프리 드라이빙부; 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호에 응답하여 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부; 를 포함한다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력 회로는 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하고, 제 1 및 제 3 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 1 프리 드라이버; 상기 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하고, 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 2 프리 드라이버; 및 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호, 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 출력노드를 구동하며, 상기 출력노드에서 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부; 를 포함한다.
본 발명에 의하면, 메인 드라이버의 출력의 슬루 레이트를 정교하게 조절할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 프리 드라이버의 대역폭을 감소시키지 않아 출력 데이터에 지터가 발생하는 것을 최소화 시키며, 메인 드라이버의 턴온 스위칭에 따른 노이즈를 급격히 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력회로의 블록도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력 회로는 프리 드라이빙부(1000) 및 메인 드라이빙부(2000)를 포함한다.
상기 프리 드라이빙부(1000)는 입력 데이터(Din)를 인가 받아 복수개의 풀업 신호(up) 및 풀다운 신호(down)를 생성한다. 상기 프리 드라이빙부(1000)는 복수개의 제어신호(TM)에 응답하여 상기 복수개의 풀업 신호(up) 및 풀다운 신호(down)의 인에이블 시점을 가변화하도록 구성된다.
예를 들어, 상기 프리 드라이빙부(1000)는 입력 데이터(Din)를 인가받고, 제 1 내지 제 4 제어신호(TM1~TM4)에 응답하여 인에이블 시점이 결정되는 제 1 및 제 2 풀업 신호(up1, up2), 제 1 및 제 2 풀다운 신호(down1, down2)를 생성한다. 상기 예시는 설명의 편의를 위한 것이며, 위와 같은 경우에 한정하려는 것은 아니다. 상기 제어신호(TM1~TM4)는, 예를 들어 퓨즈셋(Fuse Set)을 이용한 테스트 모드 신호(Test Mode Signal) 또는 MRS(Mode Register Set)신호를 이용할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 프리 드라이빙부(1000)는 상기 제 1 및 제 3 제어신호(TM1, TM3)를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호(up1, up2)를 생성하는 제 1 프리 드라이버(100) 및 상기 제 2 및 제 4 제어신호(TM2, TM4)를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호(down1, down2)를 생성하는 제 2 프리 드라이버(200)로 구성된다. 상기 제 1 풀업 신호(up1)는 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 인에이블 시점이 결정되고, 상기 제 2 풀업 신호(up2)는 상기 제 3 제어신호(TM3)에 응답하여 인에이블 시점이 결정된다. 제 1 및 제 2 풀다운 신호(down1, down2)도 각각 제 2 및 제 4 제어신호(TM2, TM4)에 의해 인에이블 시점이 결정된다. 물론, 위와 같이 한정하는 것은 아니고, 상기 제 1 프리 드라이버(100) 및 제 2 프리 드라이버(200)는 더 많은 수의 제어신호(TM)를 입력 받아 더 많은 수의 풀업 신호(up)와 풀다운 신호(down)를 생성할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 프리 드라이버(100) 및 제 2 프리 드라이버(200)로 구성되는 프리 드라이빙부(1000)는 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호(up1, up2) 및 제 1 및 제 2 풀다운 신호(down1, down2)의 인에이블 시점을 조절하여 메인 드라이빙부(2000)를 원하는 타이밍에 구동시킬 수 있다.
상기 메인 드라이빙부(2000)는 풀업 드라이버(10)와 풀다운 드라이버(20)를 포함한다. 상기 풀업 드라이버(10)는 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호(up1, up2)에 응답하여 출력노드(A)를 풀업 구동하고, 상기 풀다운 드라이버(20)는 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호(down1, down2)에 응답하여 상기 출력노드(A)를 풀다운 구동한다. 출력 데이터(Dout)는 상기 출력노드(A)를 통해 생성된다.
도 2는 도 1의 제 1 프리 드라이버(100)의 구성을 보여주는 도면이다.
상기 제 1 프리 드라이버(100)는 제 1 지연부(110) 및 풀업 위상 혼합부(120)를 포함한다. 상기 제 1 지연부(110)는 입력 데이터(Din)를 일정시간 지연시켜 지연 입력 데이터(d_Din)를 생성한다. 상기 일정 시간은 회로를 설계하는 단계에서 임의로 조절할 수 있다. 예를 들어, 반도체 메모리 장치에서는 상기 일정시간을 30 피코초(Pico seconds, ps) 내지 50 피코초 정도가 될 수 있다. 상기 제 1 지연부(110)는 입력 데이터(Din)를 지연시킬 수 있도록 복수개의 일반적인 버퍼(Buffer)로 구성될 수 있다.
상기 풀업 위상 혼합부(120)는 제 1 및 제 2 위상 혼합기(121, 122)로 구성된다. 상기 제 1 위상 혼합기(121)는 상기 입력 데이터(Din)와 상기 지연 입력 데이터(d_Din)를 인가 받으며, 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 상기 제 1 풀업 신호(up1)의 인에이블 시점을 결정한다. 상기 제 2 위상 혼합기(122)는 상기 입력 데이터(Din)와 상기 지연 입력 데이터(d_Din)를 인가 받으며, 상기 제 3 제어신호(TM3)에 응답하여 상기 제 2 풀업 신호(up1)의 인에이블 시점을 결정한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상기 풀업 위상 혼합부를 구성하는 위상 혼합기의 개수를 늘려 더 많은 풀업 신호 및 풀다운 신호를 생성할 수 있음을 알 것이다.
도 3은 도 1의 제 2 프리 드라이버(200)의 구성을 보여주는 도면이다.
상기 제 2 프리 드라이버(200)는, 상기 제 1 프리 드라이버(100)의 구성과 마찬가지로 제 2 지연부(210) 및 풀다운 위상 혼합부(220)를 포함한다. 상기 제 2 지연부(210)는 상기 제 1 프리 드라이버(100)의 제 1 지연부(110)와 동일하게 입력 데이터를 일정시간 지연시켜 지연 입력 데이터(d_Din)를 생성한다. 상기 일정 시간은 제 1 지연부(110)와 동일하게 설정될 수도 있고, 임의로 다른 시간으로 설정할 수도 있다. 즉, 본 발명의 어플리케이션(Application)에 따라 설계자나 사용자가 가변적으로 정할 수 있다.
상기 풀다운 위상 혼합부(220)는 제 3 위상 혼합기 및 제 4 위상 혼합기(221, 222)를 포함한다. 상기 제 3 위상 혼합기(221)는 상기 입력 데이터(Din)와 상기 지연 입력 데이터(d_Din)를 인가 받으며, 상기 제 2 제어신호(TM2)에 응답하여 상기 제 1 풀다운 신호(down1)의 인에이블 시점을 결정한다. 상기 제 4 위상 혼합기(222)는 상기 입력 데이터(Din)와 상기 지연 입력 데이터(d_Din)를 인가 받으며, 상기 제 4 제어신호(TM4)에 응답하여 상기 제 2 풀다운 신호(down2)의 인에이블 시점을 결정한다.
도 4는 도 2에 도시된 제 1 위상 혼합기(121)의 상세한 구성을 보여주는 회로도이다. 상기 제 1 위상 혼합기(121)는 제 1 드라이버(121-1) 및 제 2 드라이버(121-2)를 포함한다. 상기 제 1 드라이버(121-1)는 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 상기 입력 데이터(Din)의 위상(Phase) 쪽으로 비중을 부여하고, 상기 제 2 드라이버(121-2)는 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 상기 지연 입력 데이터(d_Din)의 위상 쪽으로 비중을 부여한다.
상기 제 1 드라이버(121-1)는 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 상기 입력 데이터(Din)의 위상 쪽으로 비중을 부여하도록 상기 입력 데이터(Din)의 지연량을 조절하는 트리 스테이트 인버터(Tri-State Inverter) 두 개가 연결된 형태의 유 닛 드라이버(Unit Driver, UD)를 복수개 포함하고, 마찬가지로 상기 제 2 드라이버(121-2)도 상기 제 1 제어신호(TM1)에 응답하여 상기 지연 입력 데이터(d_Din)의 위상 쪽으로 비중을 부여하도록 상기 지연 입력 데이터(d_Din)의 지연량을 조절하는 트리 스테이트 인버터 두 개가 연결된 형태의 유닛 드라이버(UD)를 복수개 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 제어신호(TM1)는 복수개의 신호 세트(TM1<0:2>, TM1B<0:2>)로 구성될 수 있는데 복수개의 신호 세트(TM1<0:2>, TM1B<0:2>)는 각각의 유닛 드라이버(UD1~UD6)의 턴온 여부를 결정한다. 상기 제 1 드라이버(121-1)는 제 1 내지 제 3 유닛 드라이버(UD1~UD3)로 구성되고, 상기 제 2 드라이버(121-2)는 제 4 내지 제 6 유닛 드라이버(UD4~UD6)로 구성된다고 할 때, 상기 복수개의 신호 세트(TM1<0:2>, TM1B<0:2>)인 제 1 제어신호(TM1)는 상기 제 1 내지 제 6 유닛 드라이버(UD1~UD6)의 각각의 턴온 여부를 결정한다. 예를 들어, 상기 제 1 제어신호(TM1<0:2>)가 1, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트로 구성된다고 했을 때 상기 제 1 드라이버(121-1)의 제 1 유닛 드라이버(UD1)는 턴오프되고 제 2 및 제 3 유닛 드라이버(UD2, UD3)는 턴온되며, 상기 제 2 드라이버(121-2)의 제 4 유닛 드라이버(UD4)는 턴온되고 제 5 및 제 6 유닛 드라이버(UD5, UD6)는 턴오프된다.
상기 제 1 유닛 드라이버(UD1)는 세 개의 피모스 트랜지스터(P1, P1-1, P1-2)와 세 개의 엔모스 트랜지스터(N1, N1-1, N1-2)를 포함한다. 제 2 유닛 드라이버 내지 제 6 유닛 드라이버(UD2~UD6) 또한 각각 세 개의 피모스 트랜지스터들(P2, P2-1, P2-2, P3, P3-1, P3-2, P4, P4-1, P4-2, P5, P5-1, P5-2, P6, P6-1, P6-2)과 세 개의 엔모스 트랜지스터들(N2, M2-1, N2-2, N3, N3-1, N3-2, N4, N4-1, N4-1, N5, N5-1, N5-2, N6, N6-1, N6-2)을 포함한다.
상기 제 1 드라이버(121-1)를 구성하는 제 1 유닛 드라이버(UD1)와 제 2 드라이버(121-2)를 구성하는 제 4 유닛 드라이버(UD4)의 구성을 대표적으로 살펴보자. 상기 제 1 유닛 드라이버(UD1)는 스위칭(Switching) 기능을 하는 제 1 피모스 트랜지스터(P1) 및 제 2 엔모스 트랜지스터(N2)와 반전(Inverting) 기능을 수행하는 제 1-1 및 제 1-2 피모스 트랜지스터(P1-1, P1-2), 제 1-1 및 제 1-2 엔모스 트랜지스터(N1-1, N1-2)로 구성된다. 상기 제 1 피모스 트랜지스터(P1)는 첫번째 제 1 제어신호(TM1<0>)에 응답하여 턴온 여부가 결정되어 제 1-1 및 제 1-2 피모스 트랜지스터(P1-1, P1-2)에 외부전압(VDDQ)을 공급하고, 상기 제 1 엔모스 트랜지스터(N1)는 첫번째 제 1 제어신호가 반전된 신호(TM1B<0>)에 응답하여 턴온 여부가 결정되어 제 1-1 및 제 1-2 엔모스 트랜지스터(N1-1, N1-2)에 접지전압(VSSQ)을 제공한다. 따라서 제 1 유닛 드라이버(UD1)는 제 1 피모스 트랜지스터(P1) 및 제 1 엔모스 트랜지스터(N1)가 턴온될 때만 입력 데이터(Din)를 두 번 반전시킨다.
상기 제 4 유닛 드라이버(UD4)는 스위칭 기능을 하는 제 4 피모스 트랜지스터(P4) 및 제 4 엔모스 트랜지스터(N4)와 반전 기능을 수행하는 제 4-1 및 제 4-2 피모스 트랜지스터(P4-1, P4-2), 제 4-1 및 제 4-2 엔모스 트랜지스터(N4-1, N4-1)로 구성된다. 상기 제 4 피모스 트랜지스터(P4)는 첫번째 제 1 제어신호가 반전된 신호(TM1B<0>)에 응답하여 턴온 여부가 결정되어 제 4-1 및 제 4-2 피모스 트랜지스터(P4-1, P4-2)에 외부전압(VDDQ)을 공급하고, 상기 제 4 엔모스 트랜지스터(N4) 는 첫번째 제 1 제어신호(TM1<0>)에 응답하여 턴온 여부가 결정되어 제 4-1 및 제 4-2 엔모스 트랜지스터(N4-1, N4-2)에 접지전압(VSSQ)을 제공한다. 따라서 제 4 유닛 드라이버(UD4)는 제 4 피모스 트랜지스터(P4) 및 제 4 엔모스 트랜지스터(N4)가 턴온될 때만 지연 입력 데이터(d_Din)를 두 번 반전시킨다.
상기 제 2 유닛 드라이버(Ud2)는 두번째 제 1 제어신호(TM1<1>)에 응답하여 제 1 유닛 드라이버(UD1)의 출력을 반전시키고, 상기 제 3 유닛 드라이버(UD3)는 세번째 제 1 제어신호(TM1<2>)에 응답하여 제 2 유닛 드라이버(UD2)의 출력을 반전시킨다. 상기 제 5 유닛 드라이버(UD5)는 두번째 제 1 제어신호(TM1<1>)에 응답하여 제 4 유닛 드라이버(UD4)의 출력을 반전시키고, 상기 제 6 유닛 드라이버(UD6)는 세번째 제 1 제어신호(TM1<2>)에 응답하여 제 5 유닛 드라이버(UD5)의 출력을 반전시킨다.
상기 제 2 내지 제 4 위상 혼합기(122, 221, 222) 또한 입력되는 신호만 다를 뿐 제 1 위상 혼합기(121)와 동일한 구성을 갖으므로 제 2 내지 제 4 위상 혼합기(122, 221, 222)의 상세한 구성은 도시하지 않았다.
도 5는 도 1의 메인 드라이빙부(2000)의 상세한 구성을 보여주는 회로도이다.
상기 메인 드라이빙부(2000)는 풀업 드라이버(10)와 풀다운 드라이버(20)를 포함한다. 상기 풀업 드라이버(10)는 상기 풀업 신호(up1, up2)에 응답하여 출력노드(A)를 풀업 구동하는 풀업 트랜지스터들(MP1, MP2)로 구성되고, 상기 풀다운 드라이버(20)는 상기 풀다운 신호(down1, down2)에 응답하여 상기 출력노드(A)를 풀 다운 구동하는 풀다운 트랜지스터들(MN1, MN2)로 구성된다. 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자라면, 메인 드라이빙부를 구성하는 풀업 트랜지스터와 풀다운 트랜지스터의 개수는 풀업 신호와 풀다운 신호의 개수에 맞추어 조절할 수 있음을 알 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력 회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 입력 데이터(Din)가 로우(Low) 레벨인 경우를 살펴보자. 이 경우 출력 데이터(Dout)는 로우 레벨에서 점차 하이(High) 레벨로 천이하게 된다. 상기 제 1 지연부(110)는 상기 로우 레벨의 입력 데이터(Din)를 일정시간 지연시켜 지연 입력 데이터(d_Din)를 생성한다. 상기 로우 레벨의 입력 데이터(Din)와 지연 입력 데이터(d_Din)는 각각 제 1 및 제 2 위상 혼합기(121, 122)로 입력 된다. 또한 상기 제 2 지연부(210)는 상기 로우 레벨의 입력 데이터(Din)를 일정시간 지연시켜 지연 입력 데이터(d_Din)를 생성하고, 상기 입력 데이터(Din)와 상기 지연 입력 데이터(d_Din)는 각각 제 3 및 제 4 위상 혼합기(221, 222)로 입력 된다.
이 때, 상기 제 1 제어신호(TM1<0:2>)는 0, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트가 될 수 있고, 상기 제 2 제어신호(TM2<0:2>)는 1, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트, 상기 제 3 제어신호(TM3<0:2>)는 1, 1, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트, 상기 제 4 제어신호(TM4<0:2>)는 1, 1, 1의 레벨을 갖는 신호들의 세트가 될 수 있다. 상기 제어신호(TM1~TM4)는 앞서 언급한 바와 같이 퓨즈셋을 이용한 테스트 모드 신호 또는 MRS 신호가 될 수 있으므로, 임의로 조절이 가능하다.
상기 제 1 위상 혼합기(121)는 상기 0, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들을 제 1 제어신호(TM1<0:2>)로 입력 받는다. 따라서 상기 제 1 위상 혼합기(121)의 제 1 드라이버(121-1)를 구성하는 제 1 내지 제 3 유닛 드라이버(UD1~UD3)는 모두 턴온 되고, 제 2 드라이버(121-2)를 구성하는 제 4 내지 제 6 유닛 드라이버(UD4~UD6)는 모두 턴오프 된다. 따라서, 제 1 드라이버(121-1)는 입력 데이터(Din)의 위상과 동일한 시점에서 인에이블 되는 제 1 풀업 신호(up1)를 생성하게 된다.
상기 제 2 위상 혼합기(122)는 상기 1, 1, 0의 레벨을 갖는 신호들을 제 3 제어신호(TM3<0:2>)로 입력 받는다. 상기 제 2 위상 혼합기(122)의 제 1 드라이버(122-1)를 구성하는 제 1 및 제 2 유닛 드라이버(UD1, UD2)는 턴오프되고, 제 3 유닛 드라이버(UD3)는 턴온된다. 또한 상기 제 2 위상 혼합기(122)의 제 2 드라이버(122-2)를 구성하는 제 4 및 제 5 유닛 드라이버(UD4, UD5)는 턴온되고 제 6 유닛 드라이버(UD6)는 턴오프 된다. 따라서 상기 제 2 위상 혼합기(122)는 입력 데이터(Din)와 지연 입력 데이터(d_Din)의 위상 차이의 2/3가 되는 지점에서 인에이블 되는 제 2 풀업 신호(up2)를 생성한다.
마찬가지로 상기 제 3 위상 혼합기(221)는 상기 1, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들을 제 2 제어신호(TM2<0:2>)로 입력 받으므로, 입력 데이터(Din)와 지연 입력 데이터(d_Din)의 위상 차이의 1/3이 되는 지점에서 인에이블 되는 제 1 풀다운 신호(down1)를 생성한다.
상기 제 4 위상 혼합기(222)는 상기 1, 1, 1의 레벨을 갖는 신호들을 제 4 제어신호(TM4<0:2>)로 입력 받으므로, 지연 입력 데이터(d_Din)의 위상과 동일한 시점에 인에이블 되는 제 2 풀다운 신호(down2)를 생성하게 된다.
결과적으로 상기 프리 드라이빙부(1000)는 제 1 풀업 신호(up1)를 가장 먼저 로우로 인에이블 시키고, 차례대로 제 1 풀다운 신호(down1), 제 2 풀업 신호(up2), 제 2 풀다운 신호(down2)를 인에이블 시킨다.
상기 메인 드라이빙부(1000)의 제 1 풀업 트랜지스터(MP1)는 제 1 풀업 신호(up1)를 입력 받아 가장 먼저 턴온되고, 그 다음 제 1 풀다운 트랜지스터(MN1)가 턴오프되며, 그 다음 제 2 풀업 트랜지스터(MP2)가 턴온되고, 마지막으로 제 2 풀다운 트랜지스터(MN2)가 턴오프되는 것을 알 수 있다. 따라서 상기 출력노드(A)는 점차 하이 레벨로 천이하게 된다. 이와 같이 본 발명은 상기 풀업 신호(up1, up2)와 상기 풀다운 신호(down1, down2)를 교대로 인에이블 시켜 메인 드라이빙부(1000)를 구성하는 풀업 트랜지스터들(MP1, MP2)과 풀다운 트랜지스터들(MN1, MN2)을 교대로 턴온 시키거나 턴오프시킨다. 따라서 상기 트랜지스터들이 동시에 스위칭(Simultaneous Switching) 됨에 따라 발생하는 노이즈(Noise)를 급격히 감소시킬 수 있다. 또한 상기 제 1 프리 드라이버(100) 및 제 2 프리 드라이버(200)를 구성하는 유닛 드라이버(UD)의 개수와 입력되는 제어신호(TM)의 개수와 레벨을 자유롭게 조절하여 정교한 딜레이 조절(Delay Control)이 가능하게 되어, 종래 기술이 갖는 문제점을 해결할 수 있다.
다음으로, 입력 데이터(Din)가 하이 레벨인 경우를 살펴보자. 이 경우 출력 데이터(Dout)는 하이 레벨에서 점차 로우 레벨로 천이하게 된다. 위의 경우와 마찬가지로, 입력 데이터(Din)와 지연 입력 데이터(d_Din)가 제 1 내지 제 4 위상 혼합 기(121, 122, 221, 222)로 입력된다. 이 때 상기 제 1 내지 제 4 제어신호(TM1<0:2>~TM4<0:2>)의 레벨을 이전 레벨로 동일하게 유지 시킬 수도 있으나, 상기 제 1 제어신호(TM1<0:2>)는 1, 1, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트로, 상기 제 2 제어신호(TM2<0:2>)는 0, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트로, 제 3 제어신호(TM3<0:2>)는 1, 1, 1의 레벨을 갖는 신호들의 세트로, 제 4 제어신호(TM4<0:2>)는 1, 0, 0의 레벨을 갖는 신호들의 세트로 설정하는 것이 더욱 바람직하다.
따라서 상기 제 1 풀다운 신호(down1)가 가장 먼저 하이로 인에이블 되고, 차례로 제 1 풀업 신호(up1), 제 2 풀다운 신호(down2), 제 2 풀업 신호(up2)가 인에이블 된다. 상기 풀업 신호들(up1, up2) 및 풀다운 신호들(down1, down2)에 응답하여 제 1 풀다운 트랜지스터(MN1)가 가장 먼저 턴온되어 출력노드(A)를 풀다운 구동하고, 그 다음으로 제 1 풀업 트랜지스터(MP1)가 턴오프되고, 그 다음으로 제 2 풀다운 트랜지스터(MN2)가 턴온되고, 마지막으로 제 2 풀업 트랜지스터(MP2)가 턴오프된다. 이 때도 마찬가지로, 동시 스위칭에 따른 노이즈가 급격히 감소하게 된다.
메인 드라이빙부의 턴온 타이밍 및 슬루 레이트를 조절하는데 있어서, 종래의 RC 딜레이를 사용하지 않고 본 발명의 실시예에 따른 위상 혼합기를 이용함으로써 정교한 딜레이가 가능하고, 프리 드라이버의 대역폭을 감소시키지 않으며, 고속 동작에서도 적용 가능하다. 또한 동시 스위칭에 따른 노이즈를 급격히 감소시킬 수 있는 효과가 발생된다는 것으로 본 발명의 특징을 이해할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수 적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 데이터 출력 회로의 블록도,
도 2는 도 1의 제 1 프리 드라이버의 구성을 보여주는 도면,
도 3은 도 1의 제 2 프리 드라이버의 구성을 보여주는 도면,
도 4는 도 2의 제 1 프리 드라이버의 상세한 구성을 보여주는 회로도,
도 5는 도 1의 메인 드라이빙부의 상세한 구성을 보여주는 회로도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 풀업 드라이버 20: 풀다운 드라이버
100: 제 1 프리 드라이버 200: 제 2 프리 드라이버
1000: 프리 드라이빙부 2000: 메인 드라이빙부

Claims (21)

  1. 입력 데이터를 인가 받아 복수개의 풀업 신호 및 풀다운 신호를 생성하고, 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호의 인에이블 시점을 가변화하도록 구성되는 프리 드라이빙부;
    상기 풀업 신호 및 풀다운 신호에 응답하여 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부;
    를 포함하는 데이터 출력 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프리 드라이빙부는, 상기 입력 데이터를 인가받고, 상기 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 복수개의 풀업 신호를 생성하는 제 1 프리 드라이버;
    상기 입력 데이터를 인가받고, 상기 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 복수개의 풀다운 신호를 생성하는 제 2 프리 드라이버;
    를 포함하는 데이터 출력 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 프리 드라이버는, 상기 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 제 1 지연부; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호를 입 력 받아 상기 복수개의 풀업 신호를 생성하는 풀업 위상 혼합부;
    로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 풀업 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호를 각각 입력 받아 상기 각각의 풀업 신호들을 생성하는 복수개의 위상 혼합기로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수개의 위상 혼합기는 각각, 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버; 및
    상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;
    를 포함하며, 상기 제 1 드라이버의 출력과 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각의 상기 풀업 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 프리 드라이버는, 상기 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 제 2 지연부; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호를 입력 받아 상기 복수개의 풀다운 신호를 생성하는 풀다운 위상 혼합부;
    로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 풀다운 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호를 각각 입력 받아 상기 각각의 풀다운 신호들을 생성하는 위상 혼합기로 구성되는 것을 특징으로 데이터 출력 회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수개의 위상 혼합기는 각각, 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버; 및
    상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;
    를 포함하며, 상기 제 1 드라이버의 출력과 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각의 상기 풀다운 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 메인 드라이빙부는, 상기 복수개의 풀업 신호에 응답하여 출력노드를 풀업 구동하는 풀업 드라이버; 및
    상기 복수개의 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하는 풀다운 드라이버;
    를 포함하며, 상기 출력노드에서 상기 출력 데이터가 생성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  10. 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하고, 제 1 및 제 3 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 1 프리 드라이버;
    상기 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하고, 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 2 프리 드라이버; 및
    상기 제 1 및 제 2 풀업 신호, 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 출력노드를 구동하며, 상기 출력노드에서 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부;
    를 포함하는 데이터 출력 회로.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 출력노드가 제 1 레벨에서 제 2 레벨로 천이할 때, 상기 제 1 풀업 신호가 가장 먼저 인에이블 되고 이후에 상기 제 1 풀다운 신호, 상기 제 2 풀업 신호 및 상기 제 2 풀다운 신호가 순차적으로 인에이블 되는 것을 특징으로 하는 데 이터 출력 회로.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 출력노드가 상기 제 2 레벨에서 상기 제 1 레벨로 천이할 때, 상기 제 1 풀다운 신호가 가장 먼저 인에이블 되고, 이후에 상기 제 1 풀업 신호, 상기 제 2 풀다운 신호 및 상기 제 2 풀업 신호가 순차적으로 인에이블 되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 프리 드라이버는, 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 지연부; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 1 및 제 3 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하는 풀업 위상 혼합부;
    로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 풀업 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 1 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 풀업 신호를 생성하는 제 1 위상 혼합기; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 3 제어신호를 입력 받 아 상기 제 2 풀업 신호를 생성하는 제 2 위상 혼합기;
    로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 위상 혼합기는 각각, 상기 제 1 및 제 2 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버;
    상기 제 1 및 제 2 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;
    를 포함하며, 상기 제 1 드라이버와 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 프리 드라이버는, 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 지연부; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 2 및 제 4 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하는 풀다운 위상 혼합부;
    로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 풀다운 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 2 제어신호를 입력 받아 상기 제 2 풀다운 신호를 생성하는 제 1 위상 혼합기; 및
    상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 4 제어신호를 입력 받아 상기 제 2 풀다운 신호를 생성하는 제 2 위상 혼합기;
    로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 위상 혼합기는 각각, 상기 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버;
    상기 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;
    를 포함하며, 상기 제 1 드라이버와 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 메인 드라이빙부는, 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호에 응답하여 출력노드를 풀업 구동하는 풀업 드라이버; 및
    상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하 는 풀다운 드라이버;
    를 포함하며, 상기 출력노드에서 상기 출력 데이터가 생성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 풀업 드라이버는, 각각 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀업 구동하는 제 1 및 제 2 풀업 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 풀다운 드라이버는, 각각 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하는 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
KR1020080089073A 2008-09-10 2008-09-10 데이터 출력회로 KR100956781B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080089073A KR100956781B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 데이터 출력회로
US12/340,882 US7800416B2 (en) 2008-09-10 2008-12-22 Data output buffer circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080089073A KR100956781B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 데이터 출력회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100030226A true KR20100030226A (ko) 2010-03-18
KR100956781B1 KR100956781B1 (ko) 2010-05-12

Family

ID=41799159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080089073A KR100956781B1 (ko) 2008-09-10 2008-09-10 데이터 출력회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7800416B2 (ko)
KR (1) KR100956781B1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8649228B2 (en) 2011-01-03 2014-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Output driver and electronic system comprising same
US9461634B2 (en) 2014-03-03 2016-10-04 SK Hynix Inc. Data output circuit of semiconductor apparatus
US9773544B2 (en) 2015-09-09 2017-09-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with switchable sense amplifier
US10453504B2 (en) 2016-09-26 2019-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device and divided clock correction method thereof
US10460769B2 (en) 2016-08-22 2019-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including error detection circuit
US10671319B2 (en) 2017-11-03 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device configured to store and output address in response to internal command
US10908212B2 (en) 2018-03-05 2021-02-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device including a shift register

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907928B2 (en) * 2007-11-07 2011-03-15 Micron Technology, Inc. High speed, wide frequency-range, digital phase mixer and methods of operation
US8681566B2 (en) * 2011-05-12 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods of driving signal for reducing the leakage current
US8743628B2 (en) * 2011-08-08 2014-06-03 Micron Technology, Inc. Line driver circuits, methods, and apparatuses
US10347325B1 (en) * 2018-06-29 2019-07-09 Realtek Semiconductor Corporation DDR4 memory I/O driver

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862390A (en) * 1996-03-15 1999-01-19 S3 Incorporated Mixed voltage, multi-rail, high drive, low noise, adjustable slew rate input/output buffer
US6288563B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Intel Corporation Slew rate control
JP4101973B2 (ja) * 1999-05-21 2008-06-18 株式会社ルネサステクノロジ 出力バッファ回路
US6366867B2 (en) * 1999-06-22 2002-04-02 Intel Corporation Method and apparatus for providing controllable compensation factors to a compensated driver circuit which may be used to perform testing of the structural integrity of the compensated driver circuit
US6636069B1 (en) * 2000-03-22 2003-10-21 Intel Corporation Method and apparatus for compensated slew rate control of line termination
US6924669B2 (en) * 2000-03-30 2005-08-02 Fujitsu Limited Output buffer circuit and control method therefor
US6256235B1 (en) * 2000-06-23 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Adjustable driver pre-equalization for memory subsystems
ITVA20000027A1 (it) * 2000-08-10 2002-02-10 St Microelectronics Srl Buffer di uscita e metodo di pilotaggio di un buffer di uscita.
JP3667690B2 (ja) * 2001-12-19 2005-07-06 エルピーダメモリ株式会社 出力バッファ回路及び半導体集積回路装置
JP3786879B2 (ja) * 2002-01-24 2006-06-14 松下電器産業株式会社 出力回路
KR100480596B1 (ko) * 2002-04-03 2005-04-06 삼성전자주식회사 업-슬루율 및 다운-슬루율, 업-드라이빙 세기 및다운-드라이빙 세기가 상호 독립적으로 조절되는 출력드라이버 회로
JP4428504B2 (ja) * 2003-04-23 2010-03-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US7205786B2 (en) * 2003-04-25 2007-04-17 Stmicroelectronics Pvt. Ltd. Programmable output buffer
KR100582359B1 (ko) 2004-03-03 2006-05-22 주식회사 하이닉스반도체 슬루 레이트가 제어된 반도체 소자의 출력 드라이버
KR100533383B1 (ko) * 2004-03-12 2005-12-06 주식회사 하이닉스반도체 출력 드라이버 회로
JP4536449B2 (ja) * 2004-07-29 2010-09-01 富士通株式会社 ドライバ回路、半導体装置、及び電子機器
KR100555571B1 (ko) 2004-09-07 2006-03-03 삼성전자주식회사 반도체 장치의 송신기
KR100593451B1 (ko) * 2005-01-07 2006-06-28 삼성전자주식회사 데이터 출력 드라이버 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치
KR100670653B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 출력 드라이버
KR20080000424A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 출력 버퍼

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8649228B2 (en) 2011-01-03 2014-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Output driver and electronic system comprising same
US9461634B2 (en) 2014-03-03 2016-10-04 SK Hynix Inc. Data output circuit of semiconductor apparatus
US9773544B2 (en) 2015-09-09 2017-09-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with switchable sense amplifier
US10460769B2 (en) 2016-08-22 2019-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device including error detection circuit
US10453504B2 (en) 2016-09-26 2019-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device and divided clock correction method thereof
US11056158B2 (en) 2016-09-26 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device and divided clock correction method thereof
US10671319B2 (en) 2017-11-03 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device configured to store and output address in response to internal command
US10908212B2 (en) 2018-03-05 2021-02-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device including a shift register

Also Published As

Publication number Publication date
US20100061167A1 (en) 2010-03-11
US7800416B2 (en) 2010-09-21
KR100956781B1 (ko) 2010-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100956781B1 (ko) 데이터 출력회로
US8471602B2 (en) Output driver and semiconductor apparatus having the same
JP4987458B2 (ja) 半導体記憶装置のデータ出力回路及び方法
KR100837822B1 (ko) Dll 회로 및 그 제어 방법
US8994402B2 (en) Level shifter circuit optimized for metastability resolution and integrated level shifter and metastability resolution circuit
JP5796944B2 (ja) 表示パネル駆動装置
US9509317B2 (en) Rotational synchronizer circuit for metastablity resolution
JP4117977B2 (ja) 半導体装置
JP6104586B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の動作方法
US20130113523A1 (en) Semiconductor device
US7994835B2 (en) Duty control circuit and semiconductor device having the same
KR100632615B1 (ko) 동기식 메모리 장치의 테스트를 위한 데이터 스트로브신호 생성 회로
TWI521680B (zh) 半導體裝置
KR100864625B1 (ko) 데이터 드라이빙장치를 구비하는 반도체메모리소자
JP4871636B2 (ja) 波形幅調整回路
KR20220056497A (ko) 동기 회로, 이를 이용하는 직렬화기 및 데이터 출력 회로
US8350613B2 (en) Signal delay circuit, clock transfer control circuit and semiconductor device having the same
KR101632711B1 (ko) 반도체 메모리 장치
US20240356550A1 (en) Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same
KR100933799B1 (ko) 듀티 사이클 보정 회로와 그의 구동 방법
JP2009273125A (ja) 出力回路
CN118842460A (en) Buffer circuit, clock generation circuit, semiconductor device, and semiconductor system
KR101024240B1 (ko) 출력 데이터 스트로브 신호 생성 장치
KR20090017086A (ko) 반도체 메모리 장치의 프리 엠파시스 제어회로
JP2006129028A (ja) 差動信号生成回路および差動信号送信回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130325

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140324

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160321

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170323

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180326

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 10