KR20100030226A - 데이터 출력회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 입력 데이터를 인가 받아 복수개의 풀업 신호 및 풀다운 신호를 생성하고, 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 풀업 신호 및 풀다운 신호의 인에이블 시점을 가변화하도록 구성되는 프리 드라이빙부;상기 풀업 신호 및 풀다운 신호에 응답하여 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부;를 포함하는 데이터 출력 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 프리 드라이빙부는, 상기 입력 데이터를 인가받고, 상기 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 복수개의 풀업 신호를 생성하는 제 1 프리 드라이버;상기 입력 데이터를 인가받고, 상기 복수개의 제어신호에 응답하여 상기 복수개의 풀다운 신호를 생성하는 제 2 프리 드라이버;를 포함하는 데이터 출력 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 프리 드라이버는, 상기 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 제 1 지연부; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호를 입 력 받아 상기 복수개의 풀업 신호를 생성하는 풀업 위상 혼합부;로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
- 제 3 항에 있어서,상기 풀업 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호를 각각 입력 받아 상기 각각의 풀업 신호들을 생성하는 복수개의 위상 혼합기로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 4 항에 있어서,상기 복수개의 위상 혼합기는 각각, 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버; 및상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;를 포함하며, 상기 제 1 드라이버의 출력과 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각의 상기 풀업 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 프리 드라이버는, 상기 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 제 2 지연부; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호를 입력 받아 상기 복수개의 풀다운 신호를 생성하는 풀다운 위상 혼합부;로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
- 제 6 항에 있어서,상기 풀다운 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호를 각각 입력 받아 상기 각각의 풀다운 신호들을 생성하는 위상 혼합기로 구성되는 것을 특징으로 데이터 출력 회로.
- 제 7 항에 있어서,상기 복수개의 위상 혼합기는 각각, 상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버; 및상기 복수개의 제어신호 중 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;를 포함하며, 상기 제 1 드라이버의 출력과 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각의 상기 풀다운 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 메인 드라이빙부는, 상기 복수개의 풀업 신호에 응답하여 출력노드를 풀업 구동하는 풀업 드라이버; 및상기 복수개의 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하는 풀다운 드라이버;를 포함하며, 상기 출력노드에서 상기 출력 데이터가 생성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하고, 제 1 및 제 3 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 1 프리 드라이버;상기 입력 데이터를 인가 받아 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하고, 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호의 인에이블 시점을 결정하는 제 2 프리 드라이버; 및상기 제 1 및 제 2 풀업 신호, 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 출력노드를 구동하며, 상기 출력노드에서 출력 데이터를 생성하는 메인 드라이빙부;를 포함하는 데이터 출력 회로.
- 제 10 항에 있어서,상기 출력노드가 제 1 레벨에서 제 2 레벨로 천이할 때, 상기 제 1 풀업 신호가 가장 먼저 인에이블 되고 이후에 상기 제 1 풀다운 신호, 상기 제 2 풀업 신호 및 상기 제 2 풀다운 신호가 순차적으로 인에이블 되는 것을 특징으로 하는 데 이터 출력 회로.
- 제 10 항에 있어서,상기 출력노드가 상기 제 2 레벨에서 상기 제 1 레벨로 천이할 때, 상기 제 1 풀다운 신호가 가장 먼저 인에이블 되고, 이후에 상기 제 1 풀업 신호, 상기 제 2 풀다운 신호 및 상기 제 2 풀업 신호가 순차적으로 인에이블 되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 프리 드라이버는, 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 지연부; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 1 및 제 3 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하는 풀업 위상 혼합부;로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 13 항에 있어서,상기 풀업 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 1 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 풀업 신호를 생성하는 제 1 위상 혼합기; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 3 제어신호를 입력 받 아 상기 제 2 풀업 신호를 생성하는 제 2 위상 혼합기;로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 위상 혼합기는 각각, 상기 제 1 및 제 2 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버;상기 제 1 및 제 2 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;를 포함하며, 상기 제 1 드라이버와 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 프리 드라이버는, 입력 데이터를 일정 시간 지연시켜 지연 입력 데이터를 생성하는 지연부; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 2 및 제 4 제어신호를 입력 받아 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하는 풀다운 위상 혼합부;로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 16 항에 있어서,상기 풀다운 위상 혼합부는, 상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 2 제어신호를 입력 받아 상기 제 2 풀다운 신호를 생성하는 제 1 위상 혼합기; 및상기 입력 데이터, 상기 지연 입력 데이터 및 상기 제 4 제어신호를 입력 받아 상기 제 2 풀다운 신호를 생성하는 제 2 위상 혼합기;로 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 위상 혼합기는 각각, 상기 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 1 드라이버;상기 제 2 및 제 4 제어신호에 응답하여 상기 지연 입력 데이터의 지연량을 조절하는 제 2 드라이버;를 포함하며, 상기 제 1 드라이버와 상기 제 2 드라이버의 출력을 혼합하여 각각 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 10 항에 있어서,상기 메인 드라이빙부는, 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호에 응답하여 출력노드를 풀업 구동하는 풀업 드라이버; 및상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하 는 풀다운 드라이버;를 포함하며, 상기 출력노드에서 상기 출력 데이터가 생성되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 19 항에 있어서,상기 풀업 드라이버는, 각각 상기 제 1 및 제 2 풀업 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀업 구동하는 제 1 및 제 2 풀업 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
- 제 19 항에 있어서,상기 풀다운 드라이버는, 각각 상기 제 1 및 제 2 풀다운 신호에 응답하여 상기 출력노드를 풀다운 구동하는 제 1 및 제 2 풀다운 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력 회로.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8649228B2 (en) | 2011-01-03 | 2014-02-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Output driver and electronic system comprising same |
US9461634B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-10-04 | SK Hynix Inc. | Data output circuit of semiconductor apparatus |
US9773544B2 (en) | 2015-09-09 | 2017-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with switchable sense amplifier |
US10453504B2 (en) | 2016-09-26 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and divided clock correction method thereof |
US10460769B2 (en) | 2016-08-22 | 2019-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device including error detection circuit |
US10671319B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device configured to store and output address in response to internal command |
US10908212B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device including a shift register |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7907928B2 (en) * | 2007-11-07 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | High speed, wide frequency-range, digital phase mixer and methods of operation |
US8681566B2 (en) * | 2011-05-12 | 2014-03-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of driving signal for reducing the leakage current |
US8743628B2 (en) * | 2011-08-08 | 2014-06-03 | Micron Technology, Inc. | Line driver circuits, methods, and apparatuses |
US10347325B1 (en) * | 2018-06-29 | 2019-07-09 | Realtek Semiconductor Corporation | DDR4 memory I/O driver |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5862390A (en) * | 1996-03-15 | 1999-01-19 | S3 Incorporated | Mixed voltage, multi-rail, high drive, low noise, adjustable slew rate input/output buffer |
US6288563B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Intel Corporation | Slew rate control |
JP4101973B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2008-06-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 出力バッファ回路 |
US6366867B2 (en) * | 1999-06-22 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing controllable compensation factors to a compensated driver circuit which may be used to perform testing of the structural integrity of the compensated driver circuit |
US6636069B1 (en) * | 2000-03-22 | 2003-10-21 | Intel Corporation | Method and apparatus for compensated slew rate control of line termination |
US6924669B2 (en) * | 2000-03-30 | 2005-08-02 | Fujitsu Limited | Output buffer circuit and control method therefor |
US6256235B1 (en) * | 2000-06-23 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Adjustable driver pre-equalization for memory subsystems |
ITVA20000027A1 (it) * | 2000-08-10 | 2002-02-10 | St Microelectronics Srl | Buffer di uscita e metodo di pilotaggio di un buffer di uscita. |
JP3667690B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2005-07-06 | エルピーダメモリ株式会社 | 出力バッファ回路及び半導体集積回路装置 |
JP3786879B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2006-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 出力回路 |
KR100480596B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 업-슬루율 및 다운-슬루율, 업-드라이빙 세기 및다운-드라이빙 세기가 상호 독립적으로 조절되는 출력드라이버 회로 |
JP4428504B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2010-03-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US7205786B2 (en) * | 2003-04-25 | 2007-04-17 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Programmable output buffer |
KR100582359B1 (ko) | 2004-03-03 | 2006-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 슬루 레이트가 제어된 반도체 소자의 출력 드라이버 |
KR100533383B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2005-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 출력 드라이버 회로 |
JP4536449B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-09-01 | 富士通株式会社 | ドライバ回路、半導体装置、及び電子機器 |
KR100555571B1 (ko) | 2004-09-07 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 송신기 |
KR100593451B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 데이터 출력 드라이버 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치 |
KR100670653B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 출력 드라이버 |
KR20080000424A (ko) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 출력 버퍼 |
-
2008
- 2008-09-10 KR KR1020080089073A patent/KR100956781B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-22 US US12/340,882 patent/US7800416B2/en active Active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8649228B2 (en) | 2011-01-03 | 2014-02-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Output driver and electronic system comprising same |
US9461634B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-10-04 | SK Hynix Inc. | Data output circuit of semiconductor apparatus |
US9773544B2 (en) | 2015-09-09 | 2017-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with switchable sense amplifier |
US10460769B2 (en) | 2016-08-22 | 2019-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device including error detection circuit |
US10453504B2 (en) | 2016-09-26 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and divided clock correction method thereof |
US11056158B2 (en) | 2016-09-26 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and divided clock correction method thereof |
US10671319B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device configured to store and output address in response to internal command |
US10908212B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device including a shift register |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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