KR20100009539A - 회로 접속 재료 및 회로 단자의 접속 구조 - Google Patents

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고우지 고바야시
가즈요시 고지마
니찌오미 모찌즈끼
스나오 구도우
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 회로 접속 재료는, 제1 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재를, 상기 제1 회로 전극 및 상기 제2 회로 전극을 대향 배치시킨 상태에서 접속하기 위한 회로 접속 재료로서, 필름 형성재와, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제와, 라디칼 중합성 물질과, 이소시아네이트기 함유 화합물과, 하기 화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물을 함유하고, 상기 필름 형성재와 상기 라디칼 중합성 물질과의 합계 100 중량부에 대하여 상기 이소시아네이트기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부이고, 상기 케티민기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부인 회로 접속 재료를 특징으로 합니다.
<화학식 I>
Figure 112009055978625-PCT00008
(식 중, R은 유기기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 탄소 원자수 1 내지 4의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R1 및 R2는 서로 연결되어 시클로알킬기를 구성할 수도 있음)
회로 접속 재료, 이소시아네이트기 함유 화합물, 케티민기 함유 화합물

Description

회로 접속 재료 및 회로 단자의 접속 구조{CIRCUIT-CONNECTING MATERIAL AND CIRCUIT TERMINAL CONNECTION STRUCTURE}
본 발명은 서로 대향하는 회로 전극 사이에 개재하여, 서로 대향하는 회로 전극을 가압하여 가압 방향의 전극 사이를 전기적으로 접속하는 회로 접속 재료, 및 상기 회로 접속 재료를 이용한 접속 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어 정밀 전자 기기의 분야에서는 회로의 고밀도화가 진전되어, 전극 폭, 전극 간격이 매우 좁게 되어 있기 때문에, 배선의 탈락, 박리나 위치 어긋남이 생길 우려가 있다.　 이 문제를 해결하기 위해서 저온 속경화성이 우수하고, 또한 가용 시간을 갖는 전기·전자용의 회로 접속 재료가 개발되어 있다(예를 들면 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)11-97825호 공보
[발명의 개시]
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그러나, 상기 종래의 회로 접속 재료에서도 회로의 재료의 종류에 따라 접착 강도가 다르고, 표면이 질화규소, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 코팅 또는 부착된 회로 부재와의 접착에서는 목표로 하는 접착 강 도가 얻어지지 않는 경우가 있었다.　
본 발명은 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 회로 단자를 지지하는 기판이 유기 절연 물질, 유리로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 회로 부재 및 표면이 질화규소, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 처리된 회로 부재에 대하여 특히 양호한 접착 강도가 얻어지고, 또한 충분한 가용 시간을 갖는 전기·전자용의 회로 접속 재료, 및 상기 회로 접속 재료를 이용한 회로 단자의 접속 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.　
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 우선 케티민기 함유 화합물의 사용 및 이소시아네이트기 함유 화합물의 사용에 대해서 검토하였다.　 그러나, 케티민기 함유 화합물 또는 이소시아네이트기 함유 화합물을 단독으로 사용한 경우, 상대 습도 70％ 이상의 환경에서는 가용 시간이 극단적으로 짧아진다는 문제가 있었다.　
그런데 놀랍게도, 특정 구조를 갖는 케티민기 함유 화합물과 이소시아네이트기 함유 화합물을 각각 특정한 배합 비율로 병용함으로써, 상대 습도 70％ 이상의 환경 하에서도, 질화규소 등으로 표면이 처리된 회로 부재에 대한 접착 강도를 비약적으로 개선할 수가 있어, 충분한 가용 시간을 달성할 수 있는 것이 판명되었다.　 그리고, 이러한 지견에 기초하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.　
즉, 본 발명은 제1 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로부를, 제1 회로 전극 및 제2 회로 전극을 대향 배치시킨 상태에서 접속하기 위한 회로 접속 재료로서, 필름 형성재와, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제와, 라디칼 중합성 물질과, 이소시아네이트기 함유 화합물과, 하기 화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물을 함유하고, 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 이소시아네이트기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부이고, 케티민기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부인 회로 접속 재료를 제공한다.
Figure 112009055978625-PCT00001
(식 중, R은 유기기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 탄소 원자수 1 내지 4의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R1 및 R2는 서로 연결되어 시클로알킬기를 구성할 수도 있음)
본 발명의 회로 접속 재료는 분자 중에 불소 원자를 포함하는 유기 화합물을 더 함유할 수 있다.　
또한, 본 발명의 회로 접속 재료는 분자 중에 우레탄기를 포함하는 분자량 10000 이상의 유기 화합물을 더 함유할 수 있다.　
또한, 본 발명의 회로 접속 재료는 도전성 입자를 더 함유할 수 있다.　
또한, 본 발명은 제1 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재를, 제1 회로 전극 및 제2 회로 전극이 서로 대향하도록 배치하고, 제1 회로 전극과 제2 회로 전극 사이에 상기 본 발명의 회로 접속 재료를 개재시키고, 그 상태에서 가열 가압함으로써 제1 회로 전극과 제2 회로 전극을 전기적으로 접속한 회로 단자의 접속 구조를 제공한다.　
본 발명의 회로 단자의 접속 구조에 있어서는, 제1 회로 전극 또는 제2 회로 전극 중의 적어도 한쪽의 표면이 금, 은, 주석, 백금족의 금속 및 인듐-주석 산화물로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.　
또한, 제1 기판 또는 제2 기판 중의 적어도 한쪽은 유기 절연 물질, 유리로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되는 것이 바람직하다.　
또한, 제1 회로 부재 또는 제2 회로 부재 중의 적어도 한쪽의 표면은 질화규소, 실리콘 화합물, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 코팅 또는 부착 처리되어 있는 것이 바람직하다.　
[발명의 효과]
본 발명에 따르면, 회로 단자를 지지하는 기판이 유기 절연 물질, 유리로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어지는 회로 부재 및 표면이 질화규소, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 처리된 회로 부재에 대하여 특히 양호한 접착 강도가 얻어지고, 또한 충분한 가용 시간을 갖는 전기·전자용의 회로 접속 재료, 및 상기 회로 접속 재료를 이용한 회로 단자의 접속 구조가 제공된다.
도 1은 회로 단자의 접속 구조의 일 실시 형태를 도시하는 모식단면도이다.
[부호의 설명]
1: 접속 구조체
7: 도전성 입자
10: 접착층
11: 절연층
20: 제1 회로 부재
21: 제1 회로 기판
22: 제1 접속 단자
30: 제2 회로 부재
31: 제2 회로 기판
32: 제2 접속 단자
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세히 설명한다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 필름 형성재와, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제와, 라디칼 중합성 물질과, 이소시아네이트기 함유 화합물과, 하기 화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물을 함유한다.　
본 발명의 회로 접속 재료에 포함되는 필름 형성재로서는 폴리비닐포르말, 폴리스티렌, 폴리비닐부티랄, 폴리에스테르, 폴리에스테르폴리우레탄, 폴리아미드, 크실렌 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다.　 필름 형성재는 라 디칼 중합성의 관능기에 의해 변성되어 있을 수도 있다.　
또한, 본 발명의 회로 접속 재료에 포함되는, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제(「유리 라디칼 발생제」라고도 함)로서는, 과산화 화합물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다.　 이들 경화제는 가열에 의해 분해하여 유리 라디칼을 발생하는 것이고, 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 가용 시간 등에 따라 적절하게 선정되는데, 고반응성과 가용 시간 면에서, 반감기 10시간의 온도가 40℃ 이상또한, 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 유기 과산화물이 바람직하고, 반감기 10시간의 온도가 60℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 170℃ 이하인 유기 과산화물이 바람직하다.　 접속 시간을 25초 이하로 한 경우, 경화제의 배합량은 충분한 반응율을 얻기 위해서, 회로 접속 재료의 전체 중량을 기준으로 하여 2.0 내지 10 중량％로 하는 것이 바람직하고, 4.0 내지 8.0 중량％로 하는 것이 보다 바람직하다.　 또한, 해당 경화제의 배합량은 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 0.05 내지 20 중량부가 바람직하고, 0.1 내지 10 중량부가 보다 바람직하다.　
바람직한 경화제로서는 디아실퍼옥시드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드 등을 들 수 있다.　 또한, 회로 부재의 접속 단자의 부식을 억제하기 위해서, 경화제 중에 함유되는 염소 이온이나 유기산은 5000 ppm 이하인 것이 바람직하고, 또한 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적은 것이 보다 바람직하다.　 구체적으로는, 퍼옥시에스테르, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드로부터 선정되고, 고반응성이 얻어지는 퍼옥시에스테르로부터 선정되는 것이 보다 바람직하다.　 상기 경화제는 적절하게 혼합하여 사용할 수 있다.　
퍼옥시에스테르로서는, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노데이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 등을 사용할 수 있다.　
디알킬퍼옥시드로서는 α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥시드 등을 사용할 수 있다.　
히드로퍼옥시드로서는 디이소프로필벤젠히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드 등을 사용할 수 있다.　
디아실퍼옥시드로서는 이소부틸퍼옥시드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥시드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 스테아로 일퍼옥시드, 숙시닉퍼옥시드, 벤조일퍼옥시톨루엔, 벤조일퍼옥시드 등을 사용할 수 있다.　
퍼옥시디카르보네이트로서는 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카르보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카르보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카르보네이트 등을 사용할 수 있다.　
퍼옥시케탈로서는 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸 등을 사용할 수 있다.　
실릴퍼옥시드로서는 t-부틸트리메틸실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥시드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥시드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥시드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥시드, 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥시드 등을 사용할 수 있다.　
이들 경화제(유리 라디칼 발생제)는 단독 또는 혼합하여 사용할 수가 있고, 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 이용할 수도 있다.　 또한, 이들 경화제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것은 가용 시간이 연장되기 때문에 바람직하다.　
또한, (2) 라디칼 중합성 물질은 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물 질로서, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 말레이미드 화합물 등을 들 수 있다.　 라디칼 중합성 물질은 단량체, 올리고머 중의 어느 상태에서도 이용하는 것이 가능하고, 단량체와 올리고머를 병용하는 것도 가능하다.　
아크릴레이트(메타크릴레이트)의 구체예로서는, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등이 있다.　 이들은 단독 또는 병용하여 사용할 수 있고, 필요에 따라서는 히드로퀴논, 메틸에테르히드로퀴논류 등의 중합 금지제를 적절하게 이용할 수도 있다.　 또한, 디시클로펜테닐기 및/또는 트리시클로데카닐기 및/또는 트리아진환을 갖는 경우에는, 내열성이 향상되기 때문에 바람직하다.　
말레이미드 화합물로서는, 분자 중에 말레이미드기를 적어도 2개 이상 함유하는 것으로, 예를 들면 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-m-톨루일렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸-비페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸-디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스 말레이미드, N,N'-3,3'-디페닐술폰비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-4-8-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-말레이미드페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.　 이들은 단독으로나 또한 조합하여도 사용할 수 있다.　
또한, 상기한 라디칼 중합성 물질에 하기 화학식 II로 표시되는 인산에스테르 구조를 갖는 라디칼 중합성 물질을 병용하면 금속 등의 무기물 표면에서의 접착 강도가 향상되기 때문에 바람직하다.　
Figure 112009055978625-PCT00002
(식 중, n은 1 내지 3의 정수를 나타냄)
인산에스테르 구조를 갖는 라디칼 중합성 물질은 무수인산과 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응물로서 얻어진다.　 구체적으로는, 모노(2-메타크릴로일옥시에틸)아시드포스페이트, 디(2-메타크릴로일옥시에틸)아시드포스페이트 등이 있다.　 이들은 단독으로나 또한 조합하여도 사용할 수 있다.　
라디칼 중합성 물질의 배합량은 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 0.01 내지 50 중량부로 하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 중량부가 보다 바람직하다.　
또한, 본 발명에서 이용되는 이소시아네이트기 함유 화합물은 분자 중에 이소시아네이트기를 포함하는 화합물이다.　 이소시아네이트기 함유 화합물로서는 p-톨루엔술포닐이소시아네이트, p-옥토데실모노이소시아네이트, 메타아크로일이소시아네이트 등의 모노이소시아네이트 화합물; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4-디이소시아네이트, 콜로네이트 L, 밀리오네이트 MR, 콜로네이트 EH, 콜로네이트 HL(이상 4가지 모두 닛본 폴리우레탄 고교(주) 제조) 등의 디이소시아네이트 화합물; 또한 각종 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리아미드 등과 이소시아네이트 화합물과의 반응에 의해서 얻어지는 말단 이소시아네이트기 함유 화합물 등을 사용할 수 있다.　
또한, 이소시아네이트기 함유 화합물의 말단에 수산기, 니트릴기, 카르보닐기 등의 반응성이 높은 극성기가 있는 경우, 피착재에 대한 접착 강도가 향상되기 때문에 바람직하고, 또한 분자 중에 -Si(OMe)3, -Si(OEt)3 등으로 표시되는 알콕시실릴기(Me는 메틸기, Et는 에틸기를 나타냄)가 있는 경우, 피착재 표면의 흡착물과 화학 결합을 형성하여 견고하게 접착하기 때문에 보다 바람직하다.　
이소시아네이트기 함유 화합물의 배합량은 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부이고, 0.5 내지 3 중량부가 보다 바람직하다.　 상기 배합량이 0.1 중량부 미만인 경우에는 원하는 효과가 얻어지지 않고, 또한 5 중량부를 초과하면 가용 시간이 짧아진다.　
본 발명에 이용하는 케티민기 함유 화합물은 하기 화학식 I로 표시된다.
<화학식 I>
Figure 112009055978625-PCT00003
화학식 I 중, R로 표시되는 유기기는 특별히 제한되지 않고, 포화 지방족기, 불포화 지방족기, 방향족기, 또는 이들 2종 이상으로 구성되는 유기기를 들 수 있다.　 R의 말단에 수산기, 니트릴기, 카르보닐기 등의 반응성이 높은 극성기가 있는 경우, 피착재에 대한 접착 강도가 향상되기 때문에 바람직하고, -Si(OMe)3, -Si(OEt)3 등으로 표시되는 실라놀기이면 피착재 표면의 흡착물과 화학 결합을 형성하여 견고하게 접착되기 때문에 보다 바람직하다.　
또한, 화학식 I 중 R1 및 R2는 각각 탄소 원자수 1 내지 4의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R1 및 R2는 서로 연결되어 시클로알킬기를 구성할 수도 있다.　
화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물은, 대과잉의 하기 화학식 III으로 표시되는 카르보닐 화합물과 하기 화학식 IV로 표시되는 1급 아민을 함유하는 화합물을 80 내지 170℃에서 가열 반응하여, 반응 시에 생성하는 물과 카르보닐 화합물과 반응 용매를 함께 공비증류 제거함으로써 얻을 수 있다.　
Figure 112009055978625-PCT00004
Figure 112009055978625-PCT00005
(식 중, R은 유기기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 탄소 원자수 1 내지 4의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R1 및 R2는 서로 연결되어 시클로알킬기를 구성할 수도 있음)
본 발명에 이용하는 케티민기 함유 화합물의 배합량은 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부이고, 0.5 내지 3 중량부가 보다 바람직하다.　 상기 배합량이 0.1 중량부 미만이면 원하는 효과가 얻어지지 않고, 또한 5 중량부를 초과하면 가용 시간이 짧아진다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 필름 형성재와, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제와, 라디칼 중합성 물질과, 이소시아네이트기 함유 화합물과, 하기 화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물만으로 이루어지는 것일 수도 있지만, 필요에 따라서 후술하는 각종 성분을 추가로 함유할 수 있다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 알릴(메트)아크릴레이트를 추가로 함유할 수도 있다.　 알릴(메트)아크릴레이트의 배합량은 필름 형성재와 라디칼 중합성 물질의 합계 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부 이용하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 중량부가 보다 바람직하다.　
또한, 본 발명의 회로 접속 재료는 접속하는 회로에 대한 접착성을 더욱 향상시킬 목적으로 고무 미립자를 추가로 함유할 수 있다.　 고무 미립자의 재질 형상 등은 특별히 한정되지 않지만, 고무 미립자의 재질이 실리콘, 아크릴에멀전, SBR, NBR, MBS, 폴리부타디엔고무 미립자는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용하는 것이 바람직하다.　 또한, 3차원 가교한 이들 고무 미립자는 내용제성이 향상되어, 접착제에 미립자를 분산시키기 쉬워지기 때문에 보다 바람직하다.　 또한, 회로 접속 재료가 후술하는 도전성 입자를 함유하는 경우에는, 고무 미립자의 평균 입경이 배합하는 도전성 입자의 평균 입경의 2배 이하이고, 또한 실온에서의 탄성률이 도전성 입자 및 접착제의 실온에서의 탄성률의 1/2 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 회로 접속 재료에는 아크릴산, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르 또는 아크릴로니트릴 중 적어도 하나를 단량체 성분으로 한 중합체 또는 공중합체를 사용할 수가 있고, 글리시딜에테르기를 함유하는 글리시딜아크릴레이트나 글리시딜메타크릴레이트를 포함하는 공중합체계 아크릴 고무를 병용한 경우, 응력 완화가 우수하기 때문에 바람직하다.　 이들 아크릴 고무의 분자량(중량 평균)은 접착제의 응집력을 높이는 점에서 20만 이상이 바람직하다.
또한, 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연화제, 틱소트로픽제, 커플링제 및 페놀 수지나 멜라민 수지를 함유할 수도 있다.　
충전제를 함유한 경우, 접속 신뢰성 등의 향상이 얻어지기 때문에 바람직하 다.　 충전제의 최대 직경이 도전성 입자의 입경 미만이면 사용할 수 있고, 5 내지 60 부피부(접착제 수지 성분 100 부피부에 대하여)의 범위가 바람직하다.　 60 부피부를 넘으면 신뢰성 향상의 효과가 포화하는 경우가 있고, 5 부피부 미만이면 첨가의 효과가 적다.　
커플링제로서는 비닐기, 아크릴기 또는 에폭시기를 갖는 화합물이 접착성의 향상 면에서 바람직하다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 도전성 입자를 포함하지 않더라도, 접속 시에 서로 대향하는 회로 전극의 직접 접촉에 의해 접속이 얻어지지만, 도전성 입자를 함유한 경우, 보다 안정된 접속이 얻어진다.　
도전성 입자로서는, Au, Ag, Ni, Cu, 땜납 등의 금속 입자나 카본 등이 있다.　 특히, 낮은 접속 저항이 얻어지기 때문에 Au가 바람직하다.　 또한, Ni 등의 전이 금속류의 표면을 Au 등의 귀금속류로 피복한 것일 수도 있다.　 또한, 도전성 입자 표면에 높이 50 nm 이상, 500 nm 이하, 피치 1μm 이하이고 또한 표면이 도전성 금속인 돌기를 갖는 경우, 접속하는 회로 전극과 회로 접속 재료 수지의 배제성이 높아지기 때문에 바람직하다.　 또한, 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등에 상기한 도통층을 피복 등에 의해 형성하여 최외층을 귀금속류로 한 경우나 열용융 금속 입자의 경우, 가열 가압에 의해 변형성을 갖기 때문에 접속 시에 전극과의 접촉 면적이 증가하여 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.　 귀금속류의 피복층의 두께는 양호한 저항을 얻기 위해서는 100 옹스트롱 이상이 바람직하다.　 그러나, Ni 등의 전이 금속 상에 귀금속류의 층을 설치하는 경우에는, 귀금속류층의 결손이 나 도전성 입자의 혼합분산 시에 생기는 귀금속류층의 결손 등에 의해 생기는 산화환원 작용으로 유리 라디칼이 발생하여 보존성 저하를 야기하기 때문에 300 옹스트롱 이상이 바람직하다.　 도전성 입자는 접착제 수지 성분 100 부피부에 대하여 0.1 내지 30 부피부의 범위에서 용도에 따라 구분하여 사용한다. 과잉의 도전성 입자에 의한 인접 회로의 단락 등을 방지하기 위해서는 0.1 내지 10 부피부로 하는 것이 보다 바람직하다.　
또한, 회로 접속 재료를 2층 이상으로 분할하여, 유리 라디칼을 발생하는 경화제를 함유하는 층과 도전성 입자를 함유하는 층으로 분할한 경우, 가용 시간의 향상이 얻어진다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 IC 칩의 범프 전극과 칩 탑재 기판 전극과의 전기적 도통 및 접착이나 전기 회로 상호의 접착용의 접착제로서 사용할 수 있다.　 회로 접속 재료는 액상 또는 필름상 접착제로 할 수 있다.　
다음으로, 본 발명의 회로 단자의 접속 구조 및 그의 제조 방법에 대해서 설명한다.　
도 1은 회로 단자의 접속 구조의 일 실시 형태를 도시하는 개략단면도이다.　 도 1에 도시하는 접속 구조체 (1)은 제1 회로 기판 (21) 및 이것의 주면 (21a) 상에 형성된 제1 회로 전극(제1 접속 단자) (22)를 갖는 제1 회로 부재 (20)과, 제2 회로 기판 (31) 및 이것의 주면 (31a) 상에 형성된 제2 회로 전극(제2 접속 단자) (32)를 갖는 제2 회로 부재 (30)과, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 사이에 개재하여 이들을 접착하고 있는 접착층 (10)을 구비한다.　 제2 회로 부재 (30)은 제2 회로 전극 (32)가 제1 회로 전극 (22)와 대향하도록 제1 회로 부재 (20)과 대향 배치되어 있다.　
접착층 (10)은 상기 본 발명의 회로 접속 재료를 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 사이에 개재시키고, 그 상태에서 가열 가압함으로써 형성된 것이다.　 또한, 본 실시 형태에서는 도전성을 갖는 회로 접속 재료를 이용하여 접착층 (10)을 형성한 경우의 일례를 나타내고 있고, 접착층 (10)은 절연층 (11)과, 절연층 (11) 내에 분산되어 있는 도전성 입자 (7)로 구성된다.　 절연층 (11)은 접착제 중 도전성 입자 이외의 성분에 유래하고, 라디칼 중합성 화합물의 라디칼 중합에 의해 형성된 경화체이다.　
대향하는 제1 회로 전극 (22) 및 제2 회로 전극 (32)는 도전성 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다.　 한편, 동일한 회로 기판 상에 형성된 제1 회로 전극 (22)끼리, 및 제2 회로 전극 (32)끼리는 절연되어 있다.　
제1 회로 기판 (31) 및 제2 회로 기판 (21)로서는 반도체칩, 저항체칩, 컨덴서칩 등의 칩 부품, 인쇄 기판 등의 기판 등을 들 수 있다.　 통상, 회로 부재에는 다수의 접속 단자가 설치되는데, 접속 단자는 경우에 따라서는 단수일 수도 있다.
보다 구체적으로는, 반도체, 유리 및 세라믹 등의 무기 재료의 기판, 플라스틱 기판, 또는 유리/에폭시 기판이 이용된다.　 플라스틱 기판으로서는, 폴리이미드 필름, 폴리카보네이트 필름 및 폴리에스테르 필름을 들 수 있다.　 제1 회로 전극 및 제2 회로 전극은 구리 등의 금속으로 형성된다.　 보다 양호한 전기적 접속을 얻기 위해서는, 제1 회로 전극 및 제2 회로 전극 중의 적어도 한쪽의 표면을 금, 은, 주석 및 백금족으로부터 선택되는 금속으로 하는 것이 바람직하다.　 표면층은 금, 은, 백금족 또는 주석 중 어느 하나로부터 선택되고, 이들을 조합하여 이용할 수도 있다.　 또한, 구리/니켈/금과 같이 복수의 금속을 조합하여 다층 구성으로 할 수도 있다.　
또한, 제1 회로 부재 (20) 및 제2 회로 부재 (30) 중 한쪽은 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 회로 기판으로서 갖고, ITO 등으로 형성된 접속 단자를 갖는 액정 디스플레이 패널일 수도 있다.　 또한, 제1 회로 부재 (20) 및 제2 회로 부재 (30) 중 한쪽은 폴리이미드 필름을 회로 기판으로서 갖는 연성 인쇄 배선판(FPC), 테이프 캐리어 패키지(TCP) 또는 칩온 필름(COF), 또는 반도체 기판을 회로 기판으로서 갖는 반도체 실리콘칩일 수도 있다.　 이들 각종 회로 부재를 필요에 따라 적절하게 조합하여 접속 구조체가 구성된다.　
또한, 회로 전극을 설치한 기판은 접속 시의 가열에 의한 휘발 성분에 의한 접속에 대한 영향을 배제하기 위해서, 회로 접속 재료에 의한 접속 공정의 전에 미리 가열 처리하는 것이 바람직하다.　
접속 구조체 (1)은, 예를 들면 제1 회로 부재 (20), 필름상의 접착제 및 제2 회로 부재 (30)을 이 순으로 제1 접속 단자 (22) 및 제2 접속 단자 (32)가 서로 대치하도록 중첩시키고, 그 상태에서 가압 또는 추가로 가열함으로써 형성된다.　 압력은 피착체에 손상을 제공하지 않는 범위이면, 특별히 제한은 받지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 10 MPa가 바람직하다.　 가열 온도는 특별히 제한은 받지 않지만, 100 내지 250℃가 바람직하다.　 이들 가압 및 가열은 0.5초 내지 120초간의 범 위에서 행하는 것이 바람직하고, 140 내지 200℃, 3 MPa, 10초의 가열로도 접착시키는 것이 가능하다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 접속 시에 접착제가 용융 유동하여 서로 대향하는 회로 전극의 접속을 얻은 후, 경화하여 접속을 유지하는 것으로서, 접착제의 유동성은 중요한 인자이다.　 두께 0.7 mm, 15 mm×15 mm의 유리를 이용하고, 두께 35μm, 5 mm×5 mm의 회로용 접속 재료를 이 유리 사이에 끼우고, 150℃ 2 MPa 10초로 가열 가압을 행한 경우, 초기의 면적(A)와 가열 가압 후의 면적(B)를 이용하여 표시되는 유동성 (B)/(A)의 값은 1.3 내지 3.0인 것이 바람직하고, 1.5 내지 2.5인 것이 보다 바람직하다.　 1.3 미만이면 유동성이 나빠서 양호한 접속이 얻어지지 않는 경우가 있고, 3.0을 초과하는 경우에는 기포가 발생하기 쉬워 신뢰성이 떨어지는 경우가 있다.　
본 발명의 회로 접속 재료의 경화 후의 40℃에서의 탄성률은 100 내지 3000 MPa가 바람직하고, 300 내지 2000 MPa가 보다 바람직하다.　
본 발명의 회로 단자의 접속 방법은 본 발명의 회로 접속 재료를 표면이 금, 은, 주석 및 백금속, 인듐-주석 산화물(ITO)로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되는 한쪽의 전극 회로에 형성한 후, 또 다른 한쪽의 회로 전극을 위치 정렬하고 가열, 가압하여 접속할 수 있다.　
본 발명에 있어서는, 회로 단자를 지지하는 기판이 폴리이미드 수지 등의 유기 절연 물질, 유리로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어지는 회로 부재 및 표면이 질화규소, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 코팅 또는 부착된 회로 부재에 대하여 특히 양호한 접착 강도가 얻어지고, 또한 충분한 가용 시간을 갖는 전기·전자용의 회로 접속 재료의 제공이 가능해진다.　
이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 전혀 한정되지 않는다.　
(우레탄아크릴레이트의 합성)
평균 분자량 800의 폴리카프로락톤디올 400 중량부와, 2-히드록시프로필아크릴레이트 131 중량부, 촉매로서 디부틸주석디라우레이트 0.5 중량부, 중합 금지제로서 히드로퀴논모노메틸에테르 1.0 중량부를 교반하면서 50℃로 가열하여 혼합하였다.　 이어서, 이소포론디이소시아네이트 222 중량부를 적하하고 추가로 교반하면서 80℃로 승온하여 우레탄화 반응을 행하였다.　 이소시아네이트기의 반응율이 99％ 이상으로 된 것을 확인한 후, 반응 온도를 낮추어 우레탄아크릴레이트를 얻었다.
(폴리에스테르우레탄 수지의 제조)
디카르복실산에 테레프탈산, 디올에 프로필렌글리콜을 이용하고 이소시아네이트에 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트를 이용하고, 테레프탈산/프로필렌글리콜/4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트의 몰비가 1.0/1.3/0.25가 되는 폴리에스테르우레탄 수지를 제조하였다.　 얻어진 폴리에스테르우레탄 수지를 메틸에틸케톤에 20 중량％가 되도록 용해하였다.　
(케티민기 함유 화합물 (A-1)의 합성)
60℃의 온도 하, 300 rpm에서 교반한 300 g의 메틸에틸케톤 중에 130 g의 헥사메틸렌디아민을 적하하고, 7시간 교반하면서 반응을 계속한 후, 저비분(低沸分)을 감압 하에서 90℃에서 제거한 바, 담황색 투명 액체인 케티민기 함유 화합물 (A-1)을 얻었다.　
(케티민기 함유 화합물 (A-2)의 합성)
60℃의 온도 하, 300 rpm에서 교반한 300 g의 메틸에틸케톤 중에 268.5 g의γ-아미노프로필트리메톡시실란을 적하하고, 7시간 교반하면서 반응을 계속한 후, 저비분을 감압 하에서 90℃로 제거한 바 담황색 투명 액체인 케티민기 함유 화합물 (A-2)를 얻었다.　
(도전성 입자의 제조)
폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에 두께 0.2μm의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에 두께 0.04μm의 금층을 설치하여 평균 입경 10μm의 도전성 입자를 제조하였다.　
[실시예 1]
고형 중량비로 우레탄아크릴레이트 40 g, 폴리에스테르우레탄 수지 60 g, 인산에스테르형아크릴레이트(교에이샤 유시 가부시끼가이샤 제조, 상품명 P2M) 1 g, 이소시아네이트기 함유 화합물로서 헥사메틸렌디이소시아네이트 0.5 g, 케티민기 함유 화합물 (A-1) 0.5 g, 유리 라디칼 발생제로서 t-헥실퍼옥시2-에틸헥사노에이트 5 g이 되도록 배합하고, 추가로 도전성 입자를 3 부피％ 배합 분산시켜 액상의 회로 접속 재료 1을 얻었다.　
[실시예 2]
이소시아네이트기 함유 화합물로서, 헥사메틸렌디이소시아네이트 대신에 γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 접속 재료 2를 얻었다.　
[실시예 3]
케티민기 함유 화합물 (A-1) 대신에 케티민기 함유 화합물 (A-2)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 접속 재료 3을 얻었다.　
[실시예 4]
케티민기 함유 화합물 (A-1) 대신에 케티민기 함유 화합물 (A-2)를 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 회로 접속 재료 4를 얻었다.　
[실시예 5]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 0.1 g으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 회로 접속 재료 5를 얻었다.　
[실시예 6]
케티민기 함유 화합물 (A-2)의 사용량을 0.1 g으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 회로 접속 재료 6을 얻었다.　
[실시예 7]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 0.1 g으로 한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여 회로 접속 재료 7을 얻었다.　
[실시예 8]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 5 g으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 회로 접속 재료 8을 얻었다.　
[실시예 9]
케티민기 함유 화합물 (A-2)의 사용량을 5 g으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 회로 접속 재료 9를 얻었다.　
[실시예 10]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 5 g으로 한 것 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여 회로 접속 재료 10를 얻었다.
[실시예 11]
페녹시 수지(유니온카바이드 가부시끼가이샤 제조, 상품명 PKHC, 평균 분자량 45000) 50 g을, 중량비로 톨루엔(비점 110.6℃, SP값 8.90)/아세트산에틸(비점 77.1℃, SP값 9.10)=50/50의 혼합 용제에 용해하여 고형분 40％의 용액으로 하였다.　
얻어진 페녹시 수지 용액을 폴리에스테르우레탄 수지 용액 대신에 이용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 11을 얻었다.　
[실시예 12]
(불소 함유 폴리이미드 수지의 제조)
딘스타크 환류 냉각기, 온도계, 교반기를 구비한 1000 mL의 세퍼러블 플라스크에 디아민 화합물로서 폴리옥시프로필렌디아민 15.0 mmol, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 105.0 mmol, 비양성자성 극성 용매로서 N-메틸-2- 피롤리돈 287 g을 첨가하고, 온실 온도에서 30분간 교반하였다.　
교반 종료 후, 물과 공비 가능한 방향족 탄화수소로서 톨루엔 180 g, 테트라카르복실산 이무수물로서, 4,4'-헥사플루오로프로필리덴비스프탈산이무수물 114.0 mmol을 첨가하고, 온도를 50℃로 승온시켜 1 교반한 후, 온도를 160℃로 승온시켜 3시간 환류시켰다.　 수분 정량수기에 이론량의 물이 괴고, 물의 유출이 보이지 않게 되어 있는 것을 확인하면, 수분 정량수기 중의 물과 톨루엔을 제거하고, 온도를 180℃까지 상승시켜 반응 용액 내의 톨루엔을 제거하여, 폴리이미드 수지의 NMP 용액을 얻었다.　
폴리이미드 수지의 NMP 용액을 메탄올로써 재침전하고, 분쇄, 건조시킨 분자 중에 실리콘 원자를 포함하지 않는 불소 변성 폴리이미드 수지를 얻었다.　
상기 불소 변성 폴리이미드 수지를 메틸에틸케톤에 40％ 중량％가 되도록 용해하였다.　
고형 중량비로 상기에서 얻어진 폴리에스테르우레탄 수지 55 g, 불소 변성 폴리이미드 수지 5 g으로 한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 12를 얻었다.　
[비교예 1]
헥사메틸렌디이소시아네이트 및 케티민 화합물 (A-1)을 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 접속 재료 13을 얻었다.　
[비교예 2]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 0.05 g으로 한 것 이외 에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 14를 얻었다.　
[비교예 3]
케티민기 함유 화합물 (A-2)의 사용량을 0.05 g으로 한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 15를 얻었다.　
[비교예 4]
γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 사용량을 7.5 g으로 한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 16을 얻었다.　
[비교예 5]
케티민기 함유 화합물 (A-2)의 사용량을 7.5 g으로 한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 회로 접속 재료 17을 얻었다.　
다음으로, 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 5의 각 회로 접속 재료에 대해서, 이하와 같이하여 회로의 접속 저항의 측정, 접착 강도의 측정 및 접속 외관의 관찰을 행하여, 가용 시간을 평가하였다.　 각 평가에 있어서는, 회로 접속 재료로서, 미처리품(회로 접속 재료 A), 회로 접속 재료를 알루미늄 주머니에 넣어 밀봉하고, 40℃로 설정한 항온조에서 5일 처리한 것(회로 접속 재료 B), 회로 접속 재료를 그대로 30℃-70％RH로 설정한 항온 고습조에서 1일 처리한 것(회로 접속 재료 C)의 3 종류를 이용하였다.　 회로 접속 재료 A와 회로 접속 재료 B의 비교에 의해, 가용 시간에 대한 온도의 영향을 알 수 있다.　 또한, 회로 접속 재료 A와 회로 접속 재료 C의 비교에 의해, 가용 시간에 대한 습도의 영향을 알 수 있다.　
[회로의 접속 저항의 측정]
폴리이미드 필름(우베 고산 가부시끼가이샤 제조, 상품명: 유필렉스, 두께 25μm) 상에 라인폭 50μm, 피치 100μm, 두께 8μm의 구리 회로 500개를 직접 형성한 2층으로 이루어지는 연성 회로판(FPC)을 제조하였다.　
한편, 라인폭 50μm, 피치 100μm, 두께 0.4μm의 크롬 회로 500개를 유리(코닝사 제조, 상품명: #1737) 상에 형성한 유리 기판을 제조하였다.　
이어서, 회로 접속 재료 A, B 또는 C를 이용하여, 상기 FPC와 유리 기판을160℃, 3 MPa에서 10초간 가열 가압하여 폭 2 mm에 걸쳐서 접속하여 접속 구조체를 얻고, 그 접속 저항을 측정하였다.　 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.　
회로 접속 재료 A를 이용한 경우의 접속 저항은 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 5의 전부로 1Ω 전후의 양호한 접속 저항을 나타내었다.　 그러나, 비교예 4에 있어서는, 회로 접속 재료 B를 이용한 경우의 접속 저항이 회로 접속 재료 A를 이용한 경우의 접속 저항의 2배 이상이었다.　 또한, 비교예 5에 있어서는, 회로 접속 재료 C를 이용한 경우의 접속 저항이 회로 접속 재료 A를 이용한 경우의 접속 저항의 2배 이상이었다.　
[접착 강도의 측정]
상기한 바와 같이하여 회로를 접속한 후, 90℃ 박리, 박리 속도 50 mm/분의 조건으로 접착 강도의 측정을 행하였다.　 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.　 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 5에서는, 회로 접속 재료 A, B 및 C 중의 어느 것을 이용한 경우에도, 7 N/cm 이상의 양호한 접착 강도를 나타내었다.　
[접속 외관의 관찰]
상기한 바와 같이하여 회로를 접속한 후, 접속 구조체를 85℃/85％RH의 고온 고습조건 하에서 250시간 처리하고, 처리 후의 외관을 유리 기판측으로부터 현미경으로 관찰하였다.　 회로 접속 재료와 전극 사이 스페이스 계면에서 박리가 생기면 전극 간의 절연성이 대폭 저하되기 때문에, 이러한 박리가 생긴 것을 NG라고 판정하였다.　 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.　
실시예 1 내지 12에 있어서는, 회로 접속 재료 A, B 및 C 중의 어느 것을 이용한 경우에도 외관이 양호하였다.　 이에 비하여, 비교예 1에 있어서는, 회로 접속 재료 A, B 및 C의 모든 경우에 박리가 발생하여 NG가 되었다.　 비교예 2에 있어서는, 회로 접속 재료 C를 이용한 경우에 박리가 발생하여 NG가 되었다.　 비교예 3에 있어서는, 회로 접속 재료 B를 이용한 경우에 박리가 발생하여 NG가 되었다.　
Figure 112009055978625-PCT00006

Claims (8)

  1. 제1 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재를, 상기 제1 회로 전극 및 상기 제2 회로 전극을 대향 배치시킨 상태에서 접속하기 위한 회로 접속 재료로서,
    필름 형성재와, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제와, 라디칼 중합성 물질과, 이소시아네이트기 함유 화합물과, 하기 화학식 I로 표시되는 케티민기 함유 화합물을 함유하고,
    상기 필름 형성재와 상기 라디칼 중합성 물질과의 합계 100 중량부에 대하여 상기 이소시아네이트기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부이고, 상기 케티민기 함유 화합물의 배합량이 0.1 내지 5 중량부인 회로 접속 재료.
    <화학식 I>
    Figure 112009055978625-PCT00007
    (식 중, R은 유기기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 탄소 원자수 1 내지 4의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R1 및 R2는 서로 연결되어 시클로알킬기를 구성할 수도 있음)
  2. 제1항에 있어서, 분자 중에 불소 원자를 포함하는 유기 화합물을 더 함유하 는 회로 접속 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 분자 중에 우레탄기를 포함하는 분자량 10000 이상의 유기 화합물을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 회로 접속 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 입자를 더 함유하는 회로 접속 재료.
  5. 제1 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재를, 상기 제1 회로 전극 및 상기 제2 회로 전극이 서로 대향하도록 배치하고, 상기 제1 회로 전극과 상기 제2 회로 전극 사이에 제1항 내지 제4항항 중 어느 한 항에 기재된 회로 접속 재료를 개재시키고, 그 상태에서 가열 가압함으로써 상기 제1 회로 전극과 상기 제2 회로 전극을 전기적으로 접속한 회로 단자의 접속 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 회로 전극 또는 상기 제2 회로 전극 중의 적어도 한쪽의 표면이 금, 은, 주석, 백금족의 금속 및 인듐-주석 산화물로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되어 있는 회로 단자의 접속 구조.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 중의 적어도 한쪽이 유기 절연 물질, 유리로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되는 회로 단자의 접속 구조.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 회로 부재 또는 상기 제2 회로 부재 중의 적어도 한쪽의 표면이 질화규소, 실리콘 화합물, 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종으로 코팅 또는 부착 처리되어 있는 회로 단자의 접속 구조.
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