KR20090130322A

KR20090130322A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치

Info

Publication number: KR20090130322A
Application number: KR1020097024339A
Authority: KR
Inventors: 에이치 이이지마; 무네토 하코모리; 마사토 나카츠카; 도시하루 구라우치
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2007-06-15
Filing date: 2008-05-30
Publication date: 2009-12-22
Also published as: WO2008152928A1; EP2157595A1; US20100167618A1; RU2009146826A; KR101117813B1; RU2441297C2; CN101681759A; EP2157595A4; JPWO2008152928A1; US8460048B2; CN101681759B

Abstract

봉착된 제1 기판(1)과 제2 기판(2) 사이에 방전 가스가 충전되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 플라즈마 방전에 대한 보호막이 형성된 상기 제1 기판(1)을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 제1 가스 빼기 공정; 상기 보호막에서 상기 불순 가스가 이탈된 상기 제1 기판(1)과, 상기 제2 기판(2)을 맞닿게 하여 봉착하는 봉착 공정;을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. 제1 기판과 제2 기판을 맞닿게 하기 전의 배기 콘덕턴스가 큰 상태에서 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있게 된다. 또 보호막을 280℃ 이상으로 가열하기 때문에 보호막에 흡착된 불순 가스의 약 70% 이상을 이탈시킬 수 있게 된다.

PDP, 플라즈마, 이탈, 가스 빼기, 청정화

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치{Plasma display panel manufacturing method and apparatus}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.

본원은 2007년 6월 15일 일본에 출원된 일본특원 2007-158704호에 기초하여 우선권을 주장하고 그 내용을 여기에 원용한다.

종래에 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」라고 한다.)은 표시 장치의 분야에서 널리 이용되어 왔으며, 최근에는 대화면이면서 고품질 및 저가격의 PDP가 요구되고 있다.

PDP는, 전면 기판과 배면 기판이 봉착재로 맞붙여지고 내부에 방전 가스가 채워진 것이다. PDP로서, 전면 기판에 유지 전극 및 주사 전극이 형성되고 배면 기판에 어드레스 전극이 형성된 3전극면 방전형이 주류를 이루고 있다. 주사 전극과 어드레스 전극 사이에 전압을 인가하여 방전을 발생시키면, 채워진 방전 가스가 플라즈마화되어 자외선이 방출된다. 이 자외선에 의해 배면 기판에 형성된 형광체가 여기되어 가시광이 방출되도록 되어 있다.

이와 같은 PDP의 제조 공정은 전면 기판 및 배면 기판을 별개로 형성하는 공 정(전면 기판 공정 및 배면 기판 공정)과 양 기판을 맞붙이는 공정(패널화 공정)을 갖는 것이 일반적이다. 이 제조 공정에서는 플라즈마 방전에 대한 보호막을 전면 기판에 형성한 후 전면 기판과 배면 기판을 맞붙이는 동안에 H₂나 H₂O,CO,N₂,CO₂ 등의 불순 가스가 보호막에 흡착되는 경우가 있다. 이러한 불순 가스가 부착된 상태에서는 보호막의 2차 전자 방출 계수가 작아지고, 그 결과 PDP의 방전 전압이 높아질 우려가 있다. 그래서 양 기판의 봉착 공정에서는 배기관을 장착하여 가열 진공 배기(배기 베이크)함으로써 패널 내의 청정화(공동화)를 수행하였다. 또 방전 가스의 충전 후에 AC전압을 인가하여 방전시키고 패널의 방전 전압을 낮춰 방전 특성을 안정화시키는 에이징((고화(枯化)))을 실시하였다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

특허문헌 1: 일본특허제3830288호 공보

그러나 상술한 청정화는 양 기판의 봉착 후에 배기관을 통해 배기 콘덕턴스가 매우 작은 상태에서 이루어지고 있다. 앞으로 PDP는 한층 더 미세화가 진행되기 때문에 배기 콘덕턴스는 더욱 저하된다. 따라서 청정화에는 수시간(2∼6시간)이 필요하다. 또 에이징에는 3∼15시간이 필요하다. 즉, 패널화 공정의 처리율(throughput)이 저하된다는 문제가 있다.

한편, 전면 기판 공정 도중 보호막 형성 공정의 처리율은 성막율의 향상이나 성막 장치의 대형화에 의해 단축되었다. 여기에서 PDP 제조 라인 전체의 처리율을 보호막 형성 공정의 처리율과 동일하게 하기 위해서는 많은 봉착·에이징 장치가 필요하다. 이 경우, 에너지 소비량이 증대되어 이것이 PDP의 제조 비용 절감을 위한 큰 과제가 되었다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치의 제공을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 이하의 수단을 채용하였다. 즉, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 봉착된 제1 기판과 제2 기판 사이에 방전 가스가 충전되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 플라즈마 방전에 대한 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 제1 가스 빼기 공정과, 상기 보호막에서 상기 불순 가스가 이탈된 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 맞닿게 하여 봉착하는 봉착 공정을 갖는다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 따르면, 제1 기판과 제2 기판을 맞닿게 하기 전의 배기 콘덕턴스가 큰 상태에서 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있게 된다. 또 보호막을 280℃ 이상으로 가열하기 때문에 보호막에 흡착된 불순 가스의 약 70% 이상을 이탈시킬 수 있게 된다(도 6 참조). 즉, 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 제1 가스 빼기 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판에 상기 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 더 포함하고, 상기 보호막 형성 공정에서 상기 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에는 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되어도 좋다.

이 경우, 보호막으로의 불순 가스의 흡착을 억제할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 제1 가스 빼기 공정 전에 상기 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 진공중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정을 더 구비하고, 상기 예비 가스 빼기 공정에서 상기 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에는 상기 제1 기판이 진공중에 유지되어도 좋다.

이 경우, 제1 기판을 350℃ 이상으로 가열함으로써 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스를 이탈시킬 수 있게 되고, 또 제1 기판의 방치중에 새로운 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 된다. 이로써 청정화 시간의 단축에 추가하여 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 된다. 그 결과, 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다. 또 보호막 형성 공정과 봉착 공정 사이에 제1 기판을 대기시킬 수 있기 때문에 유연한 공정 설계가 가능해지고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율을 더욱 향상시킬 수 있다.

상기 제1 가스 빼기 공정 전에 상기 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 대기중 또는 제어된 분위기중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 대기중 또는 제어된 분위기중에서 제1 기판을 가열하기 때문에 보호막 형성 공정에서 봉착 공정까지 제1 기판을 진공중에 유지할 필요가 없게 된다. 이로써 더 유연한 공정 설계가 가능해지고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율을 향상시킬 수 있다.

상기 봉착 공정을, 분위기중의 상기 불순 가스의 농도를 소정 값 이하로 유지한 상태에서 수행해도 좋다.

이 경우, 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있게 된다. 이로써 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 제1 가스 빼기 공정에서는, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 서로 대향 배치된 상태에서 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에서 이탈된 상기 불순 가스의 평균 자유 공정이 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간격보다 짧아지도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 캐리어 가스가 도입되어도 좋다.

이 경우, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽 기판에서 이탈된 불순 가스가 다른 쪽 기판에 입사되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이로써 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 캐리어 가스는 상기 방전 가스와 같은 종류의 가스여도 좋다.

이 경우, 캐리어 가스 공급 수단을 새로 만들 필요가 없기 때문에, 그 결과 제조 비용을 줄일 수 있다.

상기 봉착 공정 전에 형광체 및 봉착재가 설치된 상기 제2 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 가열함으로써 상기 형광체 및 상기 봉착재에서 상기 불순 가스를 이탈시키는 제2 가스 빼기 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 형광체 및 봉착재에서의 불순 가스의 흡착량을 줄일 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 제2 가스 빼기 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판에 봉착재를 도포하는 봉착재 도포 공정을 더 구비하고, 상기 봉착재 도포 공정에서 상기 제2 가스 빼기 공정까지의 동안에 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되어도 좋다.

이 경우, 봉착재에서의 불순 가스의 흡착량을 더욱 줄일 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 봉착 공정에서는 상기 불순 가스의 분압이 2.0Pa 이하인 상기 방전 가스가 도입되어도 좋다.

이 경우, 봉착 후 패널 내에서의 불순 가스의 함유량을 줄일 수 있게 된다. 이로써 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 전압이 안정되기 때문에 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 된다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 봉착 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상기 봉착 공정에서의 봉착 온도 이상의 온도로 예비 가열하는 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 제1 기판 및 제2 기판에서의 불순 가스의 흡착량을 더욱 줄인 상태에서 봉착할 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

한편, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치는 진공중 또는 제어된 분위기중에서 제1 기판과 제2 기판이 봉착되는 봉착실을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서, 상기 봉착실은, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 플라즈마 방전에 대한 보호막이 형성된 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열되도록 구성되어 있다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치에 의하면, 제1 기판과 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 보호막을 가열하여 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있다. 또 성막실에서 보호막의 가스 빼기와 양 기판의 봉착을 연속하여 수행할 수 있기 때문에 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 제1 기판에 상기 보호막이 형성되는 성막실을 더 구비하고, 상기 성막실에서 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 구성되어 있어도 좋다.

이 경우, 보호막에 불순 가스가 흡착되는 것을 더욱 억제할 수 있게 되므로, 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

형광체 및 봉착재가 설치된 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에서 가열되는 가열실을 더 구비하고, 상기 가열실에서 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 구성되어도 좋다.

이 경우, 제2 기판의 형광체 및 봉착재에 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 되므로 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판에 봉착재가 도포되는 도포실을 더 구비하고, 상기 도포실에서 상기 가열실 및 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 되어 있어도 좋다.

이 경우, 봉착재에 불순 가스가 흡착되는 것을 더욱 억제할 수 있게 되므로 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 봉착실에는 상기 분위기중의 상기 불순 가스의 농도를 측정할 수 있는 가스 분석 수단이 마련되어 있어도 좋다.

이 경우, 봉착실에서의 불순 가스의 농도를 감시함으로써 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 봉착실은, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 봉착 온도 이상의 온도로 예비 가열되도록 구성되어 있어도 좋다.

이 경우, 제1 기판 및 제2 기판에서의 불순 가스의 흡착량을 더욱 줄인 상태에서 봉착을 수행할 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 제1 기판과 제2 기판을 맞닿게 하기 전의 배기 콘덕턴스가 큰 상태에서 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있게 되고, 또한 봉착 공정중의 청정화가 불필요해진다. 또 보호막을 280℃ 이상으로 가열하기 때문에 보호막에 흡착된 불순 가스의 대부분을 이탈시킬 수 있게 된다. 즉, 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치에 의하면, 제1 기판과 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 보호막을 가열하여 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있다. 또 성막실에서 보호막의 가스 빼기와 양 기판의 봉착을 연속하여 수행할 수 있기 때문에 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

도 1은 3전극 AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도이다.

도 2a는 PDP의 평면도이다.

도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 측면 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법의 흐름도이다.

도 4는 동 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다.

도 5는 봉착실의 개략 구성도이다.

도 6은 가열에 의한 보호막으로부터의 방출 가스량 측정 결과를 도시한 그래프이다.

도 7은 전면 기판 가열중의 수분의 이온 전류값을 도시한 그래프이다.

도 8은 전면 기판 가열중의 탄산 가스의 이온 전류값을 도시한 그래프이다.

도 9a는 동 실시형태에 관한 PDP의 제조 프로세스에서의 양 기판의 가열 온 도 변화를 도시한 그래프이다.

도 9b는 종래 기술에 관한 PDP의 제조 프로세스에서의 양 기판의 가열 온도 변화를 도시한 그래프이다.

도 10은 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다.

도 11은 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다.

도 12는 승온 탈리법에 의한 보호막으로부터의 방출 가스 측정 결과를 도시한 그래프이다.

도 13은 본 발명의 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다.

도 14는 본 발명의 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다.

<부호의 설명>

1 전면 기판 2 배면 기판

14 보호막 17 형광체

20 봉착재 50 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치

64 성막실 82 봉착실

96 잔류 가스 분석계(가스 분석 수단)

100 플라즈마 디스플레이 패널

S66 보호막 형성 공정 S78 봉착재 도포 공정

S84 봉착 공정 S801 제1 가스 빼기 공정

S802 제2 가스 빼기 공정

이하 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 아울러 이하의 설명에 사용하는 각 도면에서는 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해 그 축척을 적절히 변경하였다. 또 이하에서 기판의 「내면」이란, 해당 기판의 양 표면 중 해당 기판과 쌍을 이루는 기판쪽 표면을 가리키는 것으로 한다.

(플라즈마 디스플레이 패널)

도 1은, 3전극 AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도이다. 이 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」라고 한다.)(100)은 대향 배치된 전면 기판(제1 기판)(1) 및 배면 기판(제2 기판)(2)과, 양 기판(1),(2) 사이에 형성된 여러 개의 방전실(16)을 구비하고 있다.

전면 기판(1)의 내면에는 소정 간격으로 스트라이프 형태로 표시 전극(12)(주사 전극(12a) 및 유지 전극(12b))이 형성되어 있다. 이 표시 전극(12)은 ITO 등의 투명 도전성 재료와 버스 전극으로 구성되어 있다. 이 표시 전극(12)을 덮도록 유전체층(13)이 형성되고, 그 유전체층(13)을 덮도록 보호막(14)이 형성되어 있다. 이 보호막(14)은 방전 가스의 플라즈마화에 의해 발생한 양이온으로부터 유전체층(13)을 보호하는 것으로서, Mg0이나 Sr0 등 알카리 토류 금속의 산화물로 구성되어 있다.

한편, 배면 기판(2)의 내면에는 소정 간격으로 스트라이프 형태로 어드레스 전극(11)이 형성되어 있다. 이 어드레스 전극(11)은 상기 표시 전극(12)와 직교하도록 배치되어 있다. 이 어드레스 전극(11)과 표시 전극(12)의 교점이 PDP(100)의 화소로 되어 있다.

그 어드레스 전극(11)을 덮도록 유전체층(19)가 형성되어 있다. 또 서로 인접한 어드레스 전극(11)간의 유전체층(19) 상면에는 어드레스 전극(11)과 평행하게 격벽(rib)(15)이 형성되어 있다. 또 서로 인접한 격벽(15)간의 유전체층(19)의 상면 및 격벽(15)의 측면에는 형광체(17)이 배치되어 있다. 이 형광체(17)는 적색, 녹색, 청색 중 하나의 형광을 발광하는 것이다.

도 2a는 PDP의 평면도이다. 상술한 전면 기판(1)과 배면 기판(2)이 이들 기판 내면의 주연부에 배치된 봉착재(20)로 맞붙여져 있다.

도 2b는, 도 2a의 A-A선의 측면 단면도이다. 도 2b에 도시한 것처럼, 전면 기판(1)과 배면 기판(2)이 맞붙여짐으로써 서로 인접한 격벽(15) 사이에 방전실(16)이 형성되어 있다. 이 방전실(16) 내부에는 Ne 및 Xe의 혼합 가스 등 방전 가스가 채워져 있다.

PDP(100)의 어드레스 전극(11)과 주사 전극(12a) 사이에 직류 전압을 인가하여 대향 방전을 발생시키고, 또 주사 전극(12a)와 유지 전극(12b) 사이에 교류 전압을 인가하면 면방전이 발생된다. 그러면 방전실(16) 안에 채워진 방전 가스가 플라즈마화되어 진공 자외선이 방사된다. 이 자외선에 의해 형광체(17)이 여기되고 그 결과, 가시광이 전면 기판(1)에서 방출된다.

(PDP의 제조 방법, 제조 장치)

도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법의 흐름도이다. PDP의 제조 공정은 크게 패널 공정(S50)과 모듈·세트 공정(S52)의 2가지로 나뉜다. 그 패널 공정(S50)은 전면 기판 공정(S60)과 배면 기판 공정(S70)과 패널화 공 정(S80)의 3가지로 나뉜다.

전면 기판 공정(S60)에서는 우선 표시 전극(12)이 되는 투명 전극을 전면 기판(1) 위에 형성한다(S62). 구체적으로는, ITO나 SnO₂ 등의 투명 도전막을 스퍼터링법 등으로 전면 기판(1) 위에 형성하고, 형성된 투명 도전막을 패터닝함으로써 표시 전극(12)을 얻는다. 다음으로 얻어진 표시 전극(12)의 전기 저항을 줄이기 위해 그 표시 전극(12) 위에 금속 재료로 이루어진 보조 전극(버스 전극)을 스퍼터링법 등으로 형성한다(S63). 다음으로, 이들 표시 전극(12) 및 보조 전극의 보호와 벽전하의 형성을 목적으로 하여 그들 전극 위에 유전체층(13)을 인쇄법 등으로 두께 20∼40㎛로 형성하여 소성한다(S64). 그리고 형성된 유전체층(13)의 보호와 2차 전자 방출 효율의 향상을 위해 그 유전체층(13) 위에 보호막(14)을 전자빔 증착법 등으로 두께 700∼1200㎚로 형성한다(S66).

배면 기판 공정(S70)에서는 우선 Ag, Cr/Cu/Cr 또는 Al로 이루어진 어드레스 전극(11)을 배면 기판(12) 위에 형성한다(S72). 다음으로 형성된 어드레스 전극(11)을 보호하기 위한 유전체층(19)을 어드레스 전극(11) 위에 형성한다(S74). 또한 방전 공간 및 형광체(17)의 발광 면적을 늘리기 위해 유전체층(19) 위에 여러 개의 격벽(15)을 샌드 블라스트법 등으로 형성한다(S75). 아울러 샌드 블라스트법은 격벽의 재료가 되는 유리 페이스트를 기판상에 도포하고 도포된 유리 페이스트의 건조 후에 마스크재를 패터닝하여 거기에 알루미나나 유리 비즈 등의 연마제를 고압으로 분사함으로써 소정 형상의 격벽을 형성하는 방법이다. 다음으로 서로 인 접한 격벽(15) 사이에 스크린 인쇄법 등에 의해 형광체(17)를 도포하여 건조시킨다. 그 후 건조된 형광체(17)를 약 500℃ 정도에서 소성한다(S76). 그리고 배면 기판(2)의 주연(周緣)을 가열하면서 봉착재(20)를 도포한다(S78).

도 4는, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. PDP의 제조 장치(50)는 전면 기판 라인(60)의 뒷단, 배면 기판 라인(70)의 뒷단 및 패널화 라인(80)의 앞단이 각각 반송실(55)에 접속되어 구성되어 있다. 이 PDP의 제조 장치(50)는, 도 3에 도시한 PDP의 제조 프로세스 중 점선으로 둘러싸인 범위(50)를 진공중 또는 제어된 분위기중에서 연속하여 실시하는 것이다. 아울러 제어된 분위기란, 예를 들면 소정 압력으로 제어된 불활성 가스 분위기이다. 또 도 4에 도시한 전면 기판 라인(60)에서의 보호막 형성 공정의 택트 타임은 패널화 라인(80)에서의 패널화 공정의 택트 타임에 비해 매우 짧기 때문에 하나의 전면 기판 라인(60)에 대해 여러 개의 패널화 라인(80)을 접속해도 좋다.

도 4에 도시한 전면 기판 라인(60)에는 유전체층(13)까지 형성된 전면 기판(1)을 수용하는 수용실(진공 배기실)(61)과, 전면 기판(1)을 150∼350℃ 정도로 가열하는 가열실(62)과, 전자빔 증착법에 의해 보호막(14)을 형성하는 성막실(64)이 마련되어 있다. 아울러 성막실(64)에서 후술하는 봉착실(82)에 걸쳐 진공중 또는 제어된 분위기중에서 전면 기판을 유지할 수 있도록 되어 있다. 본 실시형태에서는 전면 기판(1)을 250℃까지 가열하고 그 표면에 보호막(14)으로서 MgO막을 두께 약 800㎚로 성막한다.

또 배면 기판 라인(70)에는 형광체(17) 및 봉착재(20)가 설치된 배면 기 판(2)을 수용하는 수용실(76)과, 배면 기판(2)을 가열하는 가열실(77)이 마련되어 있다. 아울러 가열실(77)에서 후술하는 봉착실(82)에 걸쳐 진공중 또는 제어된 분위기중에서 배면 기판을 유지할 수 있도록 되어 있다. 이 가열실(77)에서는, 도 3에 도시한 제2 가스 빼기 공정(S802)을 수행한다. 즉, 배면 기판(2)을 가열함으로써 형광체 및 봉착재로부터 불순 가스를 이탈시킨다. 구체적으로는 N₂가스 및 O₂가스를 흘려보내면서 가열실(77)을 200Pa 정도로 유지하고, 배면 기판(2)을 약 450℃에서 3시간 정도 가열한다. 아울러 가열실(77)을 10^-5Pa 정도의 진공중에 유지하고 배면 기판(2)을 420∼430℃에서 3시간 정도 가열해도 좋다. 배면 기판 라인(70)의 처리율을 단축시키기 위해 배면 기판(2)의 가열은 여러 개 동시에 하거나 가열실을 여러 개 설치하거나 혹은 이들을 조합해도 좋다.

한편, 도 4에 도시한 패널화 라인(80)에는 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)의 얼라이먼트, 방전 가스의 도입 및 양 기판(1),(2)을 봉착하는 봉착실(82)이 마련되어 있다. 이와 같이 양 기판의 얼라이먼트에서 봉착까지 같은 처리실에서 수행함으로써 양 기판에 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 된다. 이로써 청정화 시간의 단축에 추가하여 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다.

도 5는, 봉착실의 개략 구성도이다. 봉착실(82)은 진공 내지 19.6N/㎠G 정도의 압력에 견딜 수 있는 챔버(90)를 구비하였다. 챔버(90)의 천정면에는 전면 기판(1)을 지지하기 위한 여러 개의 후크 기구(91a)가 설치되어 있다. 그 후크 기구(91a)에 지지된 전면 기판(1)을 가열하기 위해 챔버(90)의 천정면과 대략 평행하 게는 히터 플레이트(91)가 마련되어 있다. 한편, 챔버(90)의 저면에는 배면 기판(2)을 지지하기 위한 여러 개의 핀 기구(92a)가 설치되어 있다. 그 핀 기구(92a)에 지지된 배면 기판(2)을 가열하기 위해 챔버(90)의 하부에는 저면과 대략 평행하게 히터 플레이트(92)가 마련되어 있다. 아울러 이와 같이 복사열에 의해 양 기판을 가열하는 대신에 정전 척 기구 등을 사용하여 양 기판을 지지하고 접촉에 의한 열전달이나 가스를 통한 열전달에 의해 양 기판을 가열해도 좋다.

챔버(90)의 한쪽 측면에는 방전 가스 공급 수단(94)이 마련되어 있다. 방전 가스 공급 수단(94)은 질량 유량계(Mass Flow Controller; MFC)(94a)와, 챔버(90)의 중앙부를 향해 개구되는 가스 노즐(94b)을 구비하고 있다. 또 챔버(90)의 다른 쪽 측면에는 터보 분자 펌프 등으로 이루어진 진공 배기계(95)가 마련되어 있다. 아울러 배기 속도를 조정하기 위해 진공 배기계(95)에 콘덕턴스 가변 밸브를 설치해도 좋다.

또 챔버(90)에는 잔류 가스 분석계(Residual Gas Analyzer; RGA)(96)가 마련되어 있다. 이 잔류 가스 분석계(96)는 4중극형 질량 분석계 등으로 구성되어 있다. 아울러 4중극형 질량 분석계는 소정 압력 이하가 아니면 작동되지 않는다. 그래서 4중극형 질량 분석계의 분석관 안에 도입되는 피측정 가스를 소정 압력 이하로 감압하기 위해 차동 배기계나 가스 도입용 캐필러리 등이 설치되어 있다.

아울러 미도시되었으나, 챔버(90)에는 진공계가 장착되어 있다. 또 챔버(90)의 대기쪽에는 양 기판의 얼라이먼트를 수행하기 위한 CCD카메라 기구가 마련되어 있다.

상술한 봉착실(82)에서 도 3에 도시한 패널화 공정(S80)을 수행한다.

패널화 공정(S80)에서는 전면 기판(1)을 가열하여 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키는 제1 가스 빼기 공정(S801)을 수행한다. 나아가 양 기판의 얼라이먼트 공정(S82)과, 방전 가스 도입 및 봉착 공정(S84)을 수행한다. 아울러 필요한 경우에는 단시간의 에이징공정(S86)도 수행한다.

구체적으로는, 우선 봉착실(82) 내부를 진공 배기계(95)에 의해 배기하여 진공 또는 제어된 분위기로 유지한다. 다음으로 보호막(14)이 형성된 전면 기판(1)을 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지한 채로 봉착실(82)에 반송하고 봉착실(82)의 상부에 설치한 후크 기구(91a)로 지지한다. 그리고 진공중 또는 제어된 분위기중에서 히터 플레이트(91)에 의해 전면 기판(1)을 280℃ 이상으로 가열하여 보호막으로부터 불순 가스를 뺀다(제1 가스 빼기 공정; S801).

도 6은, 가열에 의한 보호막으로부터의 방출 가스량의 측정 결과를 도시한 그래프로서, 횡축에 전면 기판(1)의 가열 온도를 나타내고 종축에 방출 가스량을 나타낸다. 본 발명의 발명자들은 MgO로 이루어진 보호막을 성막 압력5×10^-2Pa으로 두께 약 800㎚로 형성하고, 이 보호막으로부터의 방출 가스량을 승온 탈리법(Thermal Desorption Spectroscopy: TDS)에 의해 측정하였다. 그 결과, 도 6에 도시한 것처럼 방출 가스량의 작은 피크가 약 140℃에 존재하고, 큰 피크가 약 280℃에 존재한다는 것이 확인되었다.

도 7 및 도 8은 전면 기판의 가열중에 잔류 가스 분석계로 측정한 특정 가스 의 이온 전류값(특정 가스의 분압에 상당하는 양)을 도시한 그래프이다. 아울러 보호막으로부터의 특정 가스의 이탈량에 비례하여 특정 가스의 이온 전류값이 상승하게 된다. 도 7은 수분(H₂O; 질량 전하비m/e=18)의 이온 전류값이고, 도 8은 탄산 가스(CO₂; 질량 전하비m/e=44)의 이온 전류값이다. 도 7의 수분의 경우에는 도 6과 같이 작은 피크가 약 140℃에 존재하고 큰 피크가 약 280℃에 존재하는 것이 확인되었다. 도 8의 탄산 가스의 경우에는 큰 피크만이 약 280℃에 존재하는 것이 확인되었다.

도 6 내지 도 8의 결과로부터, 약 140℃의 피크는 MgO에 약하게 흡착되어 있는 물분자가 가열에 의해 이탈한 것에 유래한다고 생각된다. 또 약 280℃의 피크는 분위기중의 탄산 가스 및 수분을 MgO가 흡수하여 탄산수산화마그네슘(4MgCO₃·Mg(OH)₂·5H₂O)으로 되어 있었던 것이, 가열에 의해 분해되어 이탈한 것에 유래된다고 생각된다.

또 도 6의 결과로부터 큰 피크가 확인된 280℃ 이상으로 전면 기판(1)을 가열하면, 보호막에 흡착된 불순 가스의 70% 이상이 방출된다는 것을 알 수 있다. 그래서 본 실시형태에서는 보호막이 형성된 전면 기판(1)을, 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열하는 것으로 되어 있다(제1 가스 빼기 공정; S801).

다음으로 형광체 및 봉착재가 형성된 배면 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지한 채로 도 5에 도시한 봉착실(82)에 반송하고, 봉착실(82)의 하부에 설치된 핀 기구(92a)로 지지한다. 그리고 진공중 또는 제어된 분위기중에서 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 280℃ 이상으로 유지한다. 여기에서는 양 기판을 봉착 온도까지 가열해도 좋다. 봉착 온도가 280℃ 이하인 경우에는 전면 기판(1)만을 280℃ 이상으로 가열해도 좋다.

여기에서 서로 대향 배치된 전면 기판(1) 및 배면 기판(2) 중 한쪽 기판에서 이탈된 불순 가스가 다른 쪽 기판에 입사되는 것을 방지할 필요가 있다. 그래서 한쪽 기판에서 이탈된 불순 가스의 평균 자유 공정이 대향 배치된 다른 쪽 기판과의 간격보다 짧아지도록 전면 기판(1)과 배면 기판(2) 사이에 소정 압력의 캐리어 가스를 도입한다. 여기에서 평균 자유 공정(mean free pass)이란, 기체 안을 자유롭게 돌아다니는 입자가 동종 또는 이종 입자와 차례차례 충돌하는 경우, 계속되는 충돌 동안에 입자가 비행한 거리의 평균이다. 캐리어 가스를 도입하면, 이탈된 불순 가스가 캐리어 가스와 충돌하기 때문에 평균 자유 공정은 짧아진다. 불순 가스의 평균 자유 공정이 양 기판의 간격보다 짧아지면, 한쪽 기판에서 이탈된 불순 가스가 다른 쪽 기판으로 입사되는 것을 방지할 수 있다. 또 캐리어 가스를 도입함으로써 한쪽 기판에서 이탈된 불순 가스를 조속히 배기할 수 있다.

상기 도입하는 캐리어 가스로서는, H₂나 O₂,N₂,Ar,Ne,Xe,CDA(Clean Dry Air) 등을 채용할 수 있다. 특히 캐리어 가스로서 PDP에 채워지는 방전 가스와 같은 종류의 방전 가스를 채용하는 것이 바람직하다. 도 5에 도시한 것처럼, 봉착실(82)에는 방전 가스 공급 수단(94)이 마련되어 있기 때문에 캐리어 가스 공급 수단을 별 도로 만들 필요가 없고, 그 결과 제조 비용의 증가를 억제할 수 있기 때문이다. 이 경우에는 방전 가스 공급 수단(94)과 진공 배기계(95)를 대향 배치하고 방전 가스 공급 수단(94)으로부터 공급된 방전 가스를 양 기판(1),(2) 사이에 유통시켜 진공 배기계(95)에 의해 배기하면 된다.

다음으로, 도 3에 도시한 얼라이먼트 공정(S82)과, 방전 가스 도입 및 봉착 공정(S84)을 수행한다. 구체적으로는, 도 5에 도시한 봉착실(82)에서 챔버(90)의 대기쪽에 설치된 CCD카메라 기구(미도시)에 의해 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)의 얼라이먼트 마크를 읽어 양 기판(1),(2)의 위치를 맞춘다(S82).

다음으로, 방전 가스 공급 수단(94)에 의해 방전 가스를 도입한다. 여기에서 불순 가스의 분압이 2.0Pa 이하인 방전 가스를 도입하는 것이 바람직하다. 이로써 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있게 된다.

다음으로, 후크 기구(91a) 및 핀 기구(92a)를 챔버 내부에 신장시켜 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 서로 맞닿게 한다. 양 기판(1),(2)이 가압된 상태에서 봉착재(20)를 430∼450℃ 정도로 가열하여 양 기판(1),(2)을 봉착한다(S84). 아울러 봉착재(20)를 430∼450℃ 정도로 가열한 후 후크 기구(91a) 및 핀 기구(92a)를 챔버 내부로 신장시켜 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 서로 맞닿게 하고 양 기판(1),(2)을 가압하여 봉착해도 좋다. 봉착 후의 패널은, 도 4에 도시한 냉각·취출실(84)에 반송되어 약 150℃까지 냉각된 후 취출된다.

그런데 상술한 제1 가스 빼기 공정은, 봉착실 내의 불순 가스의 농도가 소정 값 이하로 저하될 때까지 수행되는 것이 바람직하다. 또 상술한 봉착 공정은 봉착 실 내의 불순 가스의 농도를 소정 값 이하로 유지한 상태에서 수행되는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제1 가스 빼기 공정에서 봉착 공정에 걸쳐 도 5에 도시한 잔류 가스 분석계(96)에 의해 챔버(90) 안의 H₂나 H₂O,CO,N₂,CO₂ 등 불순 가스의 분압을 측정한다. 특히, H₂O 및 CO₂의 분압을 측정하는 것이 바람직하다. 아울러 상기 측정시에는 잔류 가스 분석계(96)에 접속된 차동 배기계를 구동하거나 캐필러리를 이용하여 분석관 안의 압력이 높아지지 않도록 한다. 또 잔류 가스 분석계(96)로 분압을 환산할 경우, 사전에 He로 교정하고 측정하는 가스에 의해 환산 계수를 결정한다.

여기에서 제1 가스 빼기 공정에서 불순 가스의 농도 저하를 촉진시키는 방법으로서, (1)전면 기판의 가열 시간을 연장하는 방법과, (2)전면 기판의 가열 온도를 높이는 방법이 있다. (2)의 경우, 예를 들면 가열 온도를 370℃에서 390℃로 하면 불순 가스의 농도가 소정 값 이하로 저하될 때까지의 시간은 대략 반 정도로 단축된다는 보고가 있다. 아울러 (1) 및 (2)의 방법을 동시에 채용하는 것도 가능하다.

본 실시형태에서는 봉착실 내의 불순 가스의 농도를 20ppm 이하까지 낮춘다. 불순 가스 농도가 적어도 20ppm 있으면, AC형 PDP의 동작 전압을 증가시킨다는 보고가 있기 때문이다.

그리고 봉착실 내의 불순 가스의 농도를 소정 값 이하로 유지한 상태에서 봉착 공정을 수행한다. 이로써, 패널 내의 불순 가스의 함유량을 줄일 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

도 9a 및 도 9b는, PDP의 제조 프로세스에서의 양 기판(1),(2)의 온도 변화를 도시한 그래프이다. 아울러 도 9a는 본 실시형태의 경우이고, 도 9b는 종래 기술의 경우이다. 도 9b에 도시한 종래 기술에 관한 PDP의 제조 프로세스에서는, 전면 기판 공정에서 보호막 형성을 약 250℃에서 수행한 후, 패널화 공정에서 양 기판의 얼라이먼트를 상온에서(대기중에서) 실시한다. 이어서 패널화 공정에서 양 기판의 봉착을 약 450℃에서 수행한 후, 청정화를 약 350℃에서 수행하였다. 이와 같이 종래 기술에서는 히트 싸이클이 많아져 공정간의 온도 변화가 커지기 때문에 PDP의 제조 프로세스에서의 에너지 소비량이 증대됨과 동시에 그 처리율이 저하된다.

이에 반해, 도 9a에 도시한 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 프로세스에서는, 전면 기판 공정에서 보호막 형성을 약 250℃에서 수행한 후, 패널화 공정에서 양 기판의 가열에 의한 청정화(제1 가스 빼기 공정) 및 얼라이먼트를 280℃에서 수행한다. 이어서 양 기판의 봉착을 약 450℃에서 수행한다. 이와 같이 본 실시형태에서는 히트 싸이클이 줄어들어 공정간의 온도 변화가 작아지기 때문에 종래 기술의 경우에 비해 PDP 제조 프로세스에서의 에너지 소비량을 줄이고 그 처리율을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 발명자들은, 종래 방법으로 제작한 PDP 및 본 실시형태의 방법으로 제작한 PDP에 대해서 에이징 시험을 하여 초기 특성을 평가하였다. 본 시험에서 의 PDP의 보호막(14)에는 막두께 800㎚로 성막된 MgO를 사용하고, 또 방전 가스로서 Ne-4% Xe를 66.5kPa의 압력으로 도입하였다.

아울러 본 실시형태에 관한 PDP의 제작시에는 보호막 형성 후의 전면 기판을 봉착실에서 280℃ 이상으로 가열(제1 가스 빼기 처리)한 후에 양 기판을 봉착하였다.

이에 반해, 종래 기술에 관한 PDP의 제작시에는 보호막 형성 후의 전면 기판을 진공중에 120분 방치한 후 양 기판을 봉착·봉지하였다. 아울러 양 기판의 봉착 도중에 350℃에서 90분간 청정화를 수행하였다.

도 1O은, 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다. 아울러 Vfn은 최종 셀 점등 전압이고, Vsmn은 최종 소등 전압이다. 진공중에 방치한 종래 기술에 관한 PDP의 경우(도 1O에서 점선의 그래프)에는 최종 셀 점등 전압Vfn 및 최종 소등 전압Vsmn 모두 높고, 또 전압이 안정될 때까지 약 20분이 필요하다. 이것은, 불순 가스의 청정화가 불충분한 것이 원인이라고 생각된다. 이에 반해, 본 실시형태에 관한 PDP의 경우(도 10에서 실선의 그래프)에는 최종 셀 점등 전압Vfn 및 최종 소등 전압Vsmn 모두 낮고, 당초부터 안정되어 있다. 이것은, 제1 가스 빼기 처리에 의해 불순 가스의 청정화가 충분히 이루어지고 있는 것이 원인이라고 생각된다.

이 결과로부터, 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치를 채용함으로써 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다는 것이 확인되었다. 따라서 PDP 제조시의 처리율을 향상시킬 수 있다. 또 소비전력을 줄일 수 있게 되고, 그 결과 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 발명의 발명자들은 본 실시형태에 관한 방법으로 제작한 PDP에 대해서 방치 후의 특성 변동을 평가하였다. 구체적으로는 70℃의 고온조에 48시간 방치한 후 상기와 같은 에이징 시험을 실시하였다.

도 11은, 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다. 본 실시형태에 관한 PDP에서는, 도 10에 도시한 방전 전압(실선)에 비해, 도 11에 도시한 방치 후의 PDP의 방전 전압이 거의 변화되지 않았다. 그에 반해, 종래 기술에 관한 PDP에서는 불순 가스의 청정화가 불충분하기 때문에 방치 후에는 방전 전압이 상승한다.

이 결과로부터, 본 실시형태에 관한 PDP에서는 봉착 전의 제1 가스 빼기 처리에 의해 불순 가스의 청정화가 충분히 이루어졌기 때문에 패널 내 불순 가스의 함유량이 낮아져 방전 전압이 상승하지 않는다는 것이 확인되었다. 이로써, 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 이에 따라 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

이상에 상술한 것처럼, 본 실시형태의 PDP의 제조 방법은 보호막이 형성된 전면 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열함으로써 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 제1 가스 빼기 공정과, 제1 가스 빼기 공정에 연속하여 전면 기판과 배면 기판을 맞닿게 하여 봉착하는 봉착 공정을 가진다.

상기 PDP의 제조 방법에 의하면, 전면 기판과 배면 기판을 맞닿게 하기 전의 배기 콘덕턴스가 큰 상태에서 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키기 때문에 단시간에 청정화할 수 있게 되고, 따라서 봉착 공정중의 청정화가 불필요해진다. 또 보호막을 280℃ 이상으로 가열하기 때문에 보호막에 흡착된 불순 가스의 약 70% 이상 을 이탈시킬 수 있게 되고(도 6 참조), 따라서 봉착 후 패널 내의 불순 가스 함유량을 줄일 수 있다. 이로써 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 실시형태의 PDP의 제조 방법에서는 전면 기판에 보호막을 형성한 후에,전면 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지한 채로 상술한 제1 가스 빼기 공정을 수행한다. 즉, 보호막 형성 공정에서 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에 전면 기판은 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지된다.

이 경우, 보호막에 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 되므로 제1 가스 빼기 공정을 단시간에 수행할 수 있다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 실시형태의 PDP의 제조 방법에서는 형광체 및 봉착재가 설치된 배면 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 가열함으로써 형광체 및 봉착재로부터 불순 가스를 이탈시키는 제2 가스 빼기 공정 후에 봉착 공정을 수행한다.

이 경우, 형광체 및 봉착재에서의 불순 가스의 흡착량을 줄일 수 있게 되므로 패널의 방전 전압을 안정시킬 수 있다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 PDP의 제조 방법에서 진공중 또는 제어된 분위기중에서 배면 기판에 봉착재를 도포하는 봉착재 도포 공정 후에 배면 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중 에 유지한 채로 상술한 제2 가스 빼기 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 즉, 봉착재 도포 공정에서 제2 가스 빼기 공정까지의 동안에 배면 기판은 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지된다.

이 경우, 봉착재에서의 불순 가스의 흡착량을 더욱 줄일 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 상술한 봉착 공정 전에 봉착 공정에서의 봉착 온도 이상의 온도에서 전면 기판 및 배면 기판을 예비 가열하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.

일반적으로, 양 기판의 봉착 온도(봉착재가 용해되는 온도)는 약 420∼430℃인데, 도 6의 그래프에 의하면, 이 봉착 온도 이상으로 가열한 경우에도 불순 가스가 방출된다(유리 기판으로부터의 방출 가스라고 생각된다.). 그래서 봉착 공정 전에 봉착 온도 이상의 온도(예를 들면 450℃)에서 전면 기판 및 배면 기판을 예비 가열한다. 이 예비 가열 공정은 봉착실에서 제1 가스 빼기 공정에 이어, 또는 제1 가스 빼기 공정과 동시에 수행할 수 있다. 이로써 전면 기판 및 배면 기판에서의 불순 가스의 흡착량을 더욱 줄인 상태에서 봉착할 수 있게 된다. 따라서 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있게 되고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

(제2 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치에 대해서 설명하기로 한다.

제2 실시형태에서는 전면 기판에 대한 보호막 형성 공정과 제1 가스 빼기 공정 사이에 예비 가스 빼기 공정을 구비하고 있는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 아울러 제1 실시형태와 동일한 구성이 되는 부분에 대해서는 그 상세한 설명을 생략한다.

도 12는, 승온 탈리법(TDS)에 의한 보호막으로부터의 방출 가스 측정 결과를 도시한 그래프이다. 도 12에서는, 가열 시간과 기판 온도의 관계를 실선으로 표시하였다. 또 보호막 형성 후의 전면 기판을 90분간 진공 유지한 후, TDS를 수행한 경우(a)에서의 가열 시간과 방출 가스 압력의 관계를 점선으로 표시하였다. 또 보호막 형성 직후에 TDS를 수행한 경우(b)에서의 가열 시간과 방출 가스 압력의 관계를 1점쇄선으로 표시하였다. 또 보호막 형성 후의 전면 기판을 450℃로 가열하고, 140℃에서 120분간 진공 유지한 후에 TDS를 수행한 경우(c)에서의 가열 시간과 방출 가스 압력의 관계를 2점쇄선으로 표시하였다.

(b)의 결과로부터 보호막 형성 공정에서도 불순 가스가 흡착된다는 것을 알 수 있다. 또 (b)와 (a)의 비교로부터, 90분간의 진공 유지에 의해 불순 가스의 흡착량이 대폭 증가된다는 것을 알 수 있다. 보호막 형성중에는 모든 불순 가스가 흡착되고, 또 진공 유지중에는 특히 H₂O가 흡착되는 것으로 생각된다. 이에 반해 (c)에서는, 보호막 형성 후의 전면 기판을 450℃로 가열함으로써 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스는 이탈되었기 때문에 140℃에서 120분간의 진공 유지중에 흡착된 불순 가스만 방출된 것으로 생각된다.

(b)와 (c)를 상세히 비교하면, 기판 온도가 약 280℃ 이상인 영역에서는 (c)보다 (b)의 방출 가스량이 많아졌다. 이것은, 성막 중에 흡착된 불순 가스(주로 CO₂)와 MgO의 반응에 의해 생성된 탄산수산화마그네슘(4MgCO₃·Mg(OH)₂·5H₂O)이 분해되어 CO₂가 방출된 것으로 생각된다. 또 기판 온도가 200℃ 이하인 영역에서는 (b)보다 (c)의 방출 가스량이 많아졌다. 이것은, 120분간의 진공 유지에 의해 MgO에 약하게 흡착된 H₂O분자가 방출된 것으로 생각된다.

이와 같이 (b)에서는 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스만이 방출되고, (c)에서는 진공 유지중에 흡착된 불순 가스만이 방출되고, (a)에서는 양쪽에서 흡착된 불순 가스가 방출되고 있다고 생각된다. 그러나 (c)의 방출 가스량은 (a)와 (b)의 차이보다 작다. 이 결과로부터, 보호막 형성 후의 전면 기판을 가열해두면 그 후의 진공 유지중에 불순 가스가 잘 흡착되지 않는다는 것을 알 수 있다.

또 (c)의 방출 가스량은 (a)의 1/3 이하로서, PDP로서 문제가 없는 정도이다. 특히 (c)의 진공 유지 시간을 단축하면, (b)보다 방출 가스량이 적어질 것으로 생각된다. 그래서 본 실시형태에서는 (c)의 방법을 채용하였다.

도 13은, 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치(52)에서는 전면 기판 라인(60)에서의 성막실(64) 하류쪽에 가열실(66)을 구비하고 있는 점에서 도 4에 도시한 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치(50)와 다르다.

제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법에서는, 제1 실시형태와 같이 보호막 형성 공정을 수행한다. 구체적으로는, 도 13에 도시한 성막실(64)에서 전면 기판에 보호막을 형성한다. 다음으로, 보호막 형성 후의 전면 기판을 진공중에 유지한 채로 가열실(66)에서 전면 기판을 350℃ 이상으로 가열한다(예비 가스 빼기 공정).

상술한 것처럼, 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스와 Mg0의 반응에 의해 보호막 중에는 탄산수산화마그네슘이 생성되어 있다. 이 보호막이 형성된 전면 기판을 350℃ 이상으로 가열함으로써 탄산수산화마그네슘을 확실히 분해하여 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스(주로 CO₂)를 제거할 수 있다. 또 보호막 형성중에는 H₂,C,H₂O,CO,CO₂ 등의 불순물이 추가되는데, 예비 가스 빼기 공정에서 전면 기판을 350℃ 이상으로 가열함으로써 이들 불순물을 없앨 수 있다. 도 6의 그래프에 의하면, 전면 기판을 350℃ 이상으로 가열함으로써 보호막으로부터 90% 이상의 불순 가스를 이탈시킬 수 있게 된다.

다음으로, 가열 후의 전면 기판을 진공중에 유지한 채로 반송실(55)을 지나 봉착실(82)로 반송한다. 아울러 반송중인 전면 기판은 100℃ 이상으로 유지되는 것이 바람직하다. 도 5에 도시한 봉착실(82)에서는, 제1 실시형태와 같이 후크 기구(91a)로 전면 기판(1)을 지지한다. 그리고 진공중 또는 제어된 분위기중에서 히터 플레이트(91)에 의해 전면 기판(1)을 280℃ 이상으로 가열한다(제1 가스 빼기 공정). 이로써, 전면 기판의 진공 반송중에 보호막에 흡착된 불순 가스를 이탈시킨다.

그 후, 형광체 및 봉착재가 형성된 배면 기판(2)을 봉착실(82)에 반송하여 전면 기판(1)과 봉착시킨다.

아울러 봉착실(82)에서 전면 기판과 배면 기판을 맞닿게 하기 전에 상술한 예비 가스 빼기 공정을 실시해도 좋다. 배면 기판에 도포된 봉착재의 용융 온도가 현상태어서 380∼500℃ 정도이므로 350℃로 가열해도 봉착재가 용융되지 않기 때문이다. 그러나 장차 봉착재의 용융 온도는 350℃ 이하로 저하될 가능성이 있다. 이 경우에는 본 실시형태와 같이 봉착실(82)과는 별도의 가열실(66)에서 예비 가열 공정을 실시하는 것이 바람직하다.

이상에 상술한 것처럼, 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법은, 보호막이 형성된 전면 기판을 진공중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정과, 예비 가스 빼기 공정 후의 전면 기판을 진공중에 유지한 채로 전면 기판을 280℃ 이상으로 가열하는 제1 가스 빼기 공정을 갖는다. 즉, 예비 가스 빼기 공정에서 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에 전면 기판은 진공중에 유지된다.

상기 PDP의 제조 방법에 의하면, 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스를 예비 가스 빼기 공정에서 이탈시킬 수 있게 되고, 또 제1 기판의 진공 유지중에 새로운 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 된다. 이로써, 보호막 형성 직후와 동등한 불순 가스 흡착 상태를 실현할 수 있게 되고(도 12 참조), 따라서 청정화 시간을 단축할 수 있다. 또 패널 내의 불순 가스 함유량이 저하되어 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다. 또 보호막 형성 공정과 봉착 공정 사이에서 제1 기판을 대기시킬 수 있기 때문에 유연한 공정 설계가 가능해지고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율을 향상시킬 수 있다.

그런데 성막실(64)에서의 보호막 형성 공정의 택트 타임은 봉착실(82)에서의 패널화 공정의 택트 타임에 비해 매우 짧다. 따라서 보호막 형성 후 전면 기판의 대기(방치) 시간이 길어진다. 그래서 이 전면 기판의 대기중에 상술한 예비 가스 빼기 공정을 수행함으로써 PDP 제조시의 처리율 저하를 방지할 수 있다. 또 예비 가스 빼기 공정 후의 가열실에서 그대로 전면 기판을 대기시킬 수도 있다. 게다가 예비 가스 빼기 공정을 실시하기 때문에 그 후에 상당 시간 전면 기판을 방치하여도 불순 가스의 흡착을 억제할 수 있게 된다. 이로써 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다.

(제3 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치에 대해서 설명하기로 한다.

상술한 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법에서는 진공중에서 예비 가스 빼기 공정을 수행하는 데 반해, 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법에서는 대기중 또는 제어된 분위기중에서 예비 가스 빼기 공정을 수행한다. 아울러 제1 실시형태 또는 제2 실시형태와 같은 구성이 되는 부분에 대해서는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.

상술한 제2 실시형태와 같이 진공중에서 예비 가스 빼기 공정을 수행하면 보호막에 대한 불순 가스의 흡착량을 대폭 줄일 수 있다. 그러나 대기(산소가 존재하 는 분위기)중 또는 제어된 분위기중에서 예비 가스 빼기 공정을 수행한 경우(A)에도 예비 가스 빼기 공정을 수행하지 않는 경우(B)에 비해 불순 가스의 흡착량을 줄일 수 있다. 구체적으로는, (A) 및 (B)의 전면 기판을 상대 습도 50%의 공기중에 30분간 방치한 후에 TDS를 수행하여 방출 가스량을 측정한 바, (A)의 방출 가스량은 (B)에 비해 약 30% 적어지는 것이 확인되었다.

이 밖에도 (A)에서는 (B)에 비해 보호막의 결정성을 개선할 수 있다. 구체적으로는, (111)피크 강도가 증가되어 반치(半値) 폭이 감소된다. 또 패널화 후의 방전 지연을 대폭 개선할 수 있다.

아울러 대기중에서 예비 가스 빼기 공정을 수행할 경우에는 보호막 형성 공정 직후에 봉착 공정을 수행할 필요가 없어져 공정에 유연성을 부여할 수 있다.

도 14는, 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치(53)는 보호막 형성 장치(53a)와 패널화 장치(53b)로 분리되어 있다. 보호막 형성 장치(53a)는 전면 기판의 수용실(61)과, 전면 기판을 150∼350℃ 정도로 가열하는 가열실(62)과, 전자 빔 증착법 등에 의해 보호막을 형성하는 성막실(64)과, 전면 기판의 취출실(65a)을 구비하고 있다. 한편, 패널화 장치(53b)에서는 전면 기판 라인(60b)의 뒷단, 배면 기판 라인(70)의 뒷단 및 패널화 라인(80)의 앞단이 각각 반송실(55)에 접속되어 있다. 배면 기판 라인(70) 및 패널화 라인(80)은 제1 실시형태와 같이 구성되어 있다. 이에 반해 전면 기판 라인(60b)은 전면 기판의 수용실(61) 및 가열실(66)만을 구비하고, 성막실을 구비하지 않는다.

제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법에서는, 보호막 형성 장치(53a)의 성막실(64)에서 보호막 형성 공정을 수행한다. 보호막 형성 장치(53a)로부터 전면 기판을 취출한 후, 미도시된 가열 장치에서 대기중에서 전면 기판을 350℃ 이상으로 가열한다(예비 가스 빼기 공정). 다음으로, 패널화 장치(53b)의 수용실(65b)에 전면 기판을 투입하고 가열실(버퍼실)(66)에서 진공중 또는 제어된 분위기중에서 대기시킨다. 아울러 가열실(66)에서 예비 가스 빼기 공정을 수행해도 좋다.

다음으로, 전면 기판을 봉착실(82)에 반송한다. 그리고 제1 실시형태와 같이 도 5에 도시한 봉착실(82)의 상부에 설치한 후크 기구(91a)로 전면 기판(1)을 지지하고, 진공중 또는 제어된 분위기중에서 히터 플레이트(91)에 의해 전면 기판(1)을 280℃ 이상으로 가열한다(제1 가스 빼기 공정). 이로써 전면 기판의 보호막에 흡착된 불순 가스를 이탈시킨다.

그 후, 형광체 및 봉착재가 형성된 배면 기판(2)을 봉착실(82)로 반송하여 전면 기판(1)과 봉착시킨다.

이상에 상술한 것처럼, 제3 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법은, 보호막이 형성된 전면 기판을 대기중 또는 제어된 분위기중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정과, 진공중 또는 제어된 분위기중에서 전면 기판을 280℃ 이상으로 가열하는 제1 가스 빼기 공정을 가진다.

상기 PDP의 제조 방법에 의하면, 제1 기판을 350℃ 이상으로 가열함으로써 보호막 형성중에 흡착된 불순 가스를 이탈시킬 수 있게 되고, 또 제1 기판의 방치 중에 새로운 불순 가스가 흡착되는 것을 억제할 수 있게 되므로 청정화 시간을 단축할 수 있다. 또 패널 내 불순 가스의 함유량이 저하되어 방전 전압을 안정시킬 수 있게 되므로 에이징 시간의 단축 또는 에이징리스를 실현할 수 있다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다. 또 대기중에서의 가열은 저렴하게 실시할 수 있기 때문에 제조 비용을 줄일 수 있다.

도 14에 도시한 성막실(64)에서의 보호막 형성 공정의 택트 타임은, 봉착실(82)에서의 패널화 공정의 택트 타임에 비해 매우 짧다. 그래서 1개의 보호막 형성 장치(53a)에 대해 복수개의 패널화 장치(53b)를 설치하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는 보호막 형성 장치(53a)로부터 패널화 장치(53b)에 대해 진공중 또는 제어된 분위기중에서 전면 기판을 반송할 필요가 없기 때문에, 임의의 갯수의 패널화 장치(53b)를 설치할 수 있다. 이와 같이 본 실시형태에 의하면 유연한 공정 설계가 가능해지고, 그 결과 PDP 제조시의 처리율을 최대한으로 향상시킬 수 있다.

아울러 본 발명의 기술 범위는 상술한 각 실시형태로 한정되지 않으며 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 상술한 각 실시형태에 여러가지 변경을 추가한 것을 포함한다.

즉, 각 실시형태에서 언급한 구체적인 재료나 구성 등은 극히 일례에 불과하며 적절히 변경할 수 있다.

예를 들면, 상기 실시형태에서는 Mg0로 이루어진 보호막을 예로 들어 설명했으나, Sr0이나 CaO 등 알카리 토류 금속의 산화물, 또는 다른 재료로 이루어진 보호막에 대해서도 본 발명을 동일하게 적용할 수 있다.

처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치를 제공할 수 있다.

Claims

봉착된 제1 기판과 제2 기판 사이에 방전 가스가 충전되어 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,

플라즈마 방전에 대한 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 제1 가스 빼기 공정; 및

상기 보호막에서 상기 불순 가스가 이탈된 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 맞닿게 하여 봉착하는 봉착 공정;

을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 빼기 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판에 상기 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 더 포함하고,

상기 보호막 형성 공정에서 상기 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에는 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 빼기 공정 전에 상기 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 진공중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막으로부터 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정을 더 구비하고,

상기 예비 가스 빼기 공정에서 상기 제1 가스 빼기 공정까지의 동안에는 상기 제1 기판이 진공중에 유지되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 빼기 공정 전에 상기 보호막이 형성된 상기 제1 기판을 대기중 또는 제어된 분위기중에서 350℃ 이상으로 가열함으로써 상기 보호막에서 불순 가스를 이탈시키는 예비 가스 빼기 공정을 더 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 봉착 공정을, 분위기중의 상기 불순 가스의 농도를 소정 값 이하로 유지한 상태에서 수행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 빼기 공정에서는, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 서로 대향 배치된 상태에서 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판에서 이탈된 상기 불순 가스의 평균 자유 공정이 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 간격보다 짧아지도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 캐리어 가스가 도입되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 상기 방전 가스와 같은 종류의 가스인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 봉착 공정 전에 형광체 및 봉착재가 설치된 상기 제2 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에서 가열함으로써 상기 형광체 및 상기 봉착재에서 상기 불순 가스를 이탈시키는 제2 가스 빼기 공정을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제8항에 있어서, 상기 제2 가스 빼기 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판에 봉착재를 도포하는 봉착재 도포 공정을 더 구비하고,

상기 봉착재 도포 공정에서 상기 제2 가스 빼기 공정까지의 동안에 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 봉착 공정에서는 상기 불순 가스의 분압이 2.0Pa 이하인 상기 방전 가스가 도입되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 봉착 공정 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상기 봉착 공정에서의 봉착 온도 이상의 온도로 예비 가열하는 공정을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
진공중 또는 제어된 분위기중에서 제1 기판과 제2 기판이 봉착되는 봉착실을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서,

상기 봉착실은, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 플라즈마 방전에 대한 보호막이 형성된 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에서 280℃ 이상으로 가열되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제12항에 있어서, 상기 제1 기판에 상기 보호막이 형성되는 성막실을 더 구비하고,

상기 성막실에서 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제1 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 구성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제12항에 있어서, 형광체 및 봉착재가 설치된 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에서 가열되는 가열실을 더 구비하고,

상기 가열실에서 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 구성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제14항에 있어서, 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판에 봉착재가 도포되는 도포실을 더 구비하고,

상기 도포실에서 상기 가열실 및 상기 봉착실에 걸쳐 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되도록 되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제12항에 있어서, 상기 봉착실에는 상기 분위기중의 상기 불순 가스의 농도를 측정할 수 있는 가스 분석 수단이 마련되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제12항에 있어서, 상기 봉착실은, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 맞닿게 하기 전에 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 봉착 온도 이상의 온도로 예비 가열되도록 구성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.