KR20090106631A - 진공 척이 있는 베벨 에칭 장치 - Google Patents

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앤드류 디 3세 베일리
앨런 엠 쇠프
그레고리 섹스턴
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

베벨 에지를 세정하고, 반도체 기판의 벤딩 곡률을 감소시키기 위해 사용되는, 진공척과 일체된 베벨 에칭 장치에 관한 것이다. 베벨 에칭 장치는 진공 척 및 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하는 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 진공 척은 척 보디 및 지지 링을 포함한다. 척 보디의 상부 표면 및 지지 링의 내주연은, 지지 링에 장착된 기판의 저부 표면에 의해 밀폐된 진공 지역을 형성한다. 진공 펌프는 동작 동안 진공 지역을 진공화시킨다. 진공 척은 기판의 상부 표면과 저부 표면 사이의 압력 차이에 의해 기판을 제자리에 유지하도록 동작한다. 또한, 압력 차이는 기판의 벤딩 곡률을 감소하기 위해 벤딩 력을 생성한다.
Figure P1020097017665
베벨 에칭 장치, 진공 척

Description

진공 척이 있는 베벨 에칭 장치{BEVEL ETCHER WITH VACUUM CHUCK}
배경
페터닝된 마이크로전자 층들이 형성된 웨이퍼 또는 기판으로부터 집적회로들이 형성된다. 기판의 프로세싱에서, 플라즈마는, 기판상에 증착되는 필름들의 의도된 부분들을 에칭하도록 종종 채용된다. 통상적으로, 에칭 플라즈마 밀도는 기판의 에지 (edge) 근처에서 더 낮으며, 이는 기판의 베벨 (bevel) 에지의 상부 및 저부 표면들 상에 폴리-실리콘층, 질화물층, 금속층 등 (총괄하여 부산물층으로 지칭됨) 의 축적을 가져올 수도 있다. 수개의 상이한 에칭 프로세스들의 결과로서 연속하는 부산물층들이 기판 베벨 에지의 상부 및 저부 표면들에 증착됨에 따라, 부산물층들과 기판 사이의 결합은 결국 약해질 것이고, 부산물층들은 기판 이송 동안에 다른 기판들 상에서 박피되거나 플레이킹될 수도 있고, 그것에 의해 다른 기판들을 오염시킬 수도 있다.
개요
일 실시형태에 따르면, 반도체 기판의 베벨 에지가 플라즈마 세정을 받는 베벨 에칭 장치용 진공 척 배열은, 기판의 베벨 에지가 상부 표면의 외측 에지의 외부로 연장하기 위해 반도체 기판을 지지하도록 구성되는 상부 표면을 갖는 지지 링 및 옵션적인 리프트 (lift) 핀 홀들이 있는 리세스 (recessed) 표면을 갖는 척 보디 (body) 를 포함한다. 리세스 표면은 지지 링의 내주연 사이로 연장하고, 지지링의 상부 표면상에 지지되는 기판의 저측 아래에 있다. 리세스 표면 및 내주연은 지지 링 상에 지지되는 기판 아래에 진공 영역을 정의하고, 유입구를 갖는 적어도 하나의 가스 통로는 진공 영역과 유체 연통한다. 가스 통로는, 기판의 저측에 진공력을 가하도록 인가될 수 있는 방출구를 갖는다.
반도체 기판의 베벨 에지가 플라즈마 에칭될 수 있는 베벨 에칭 장치가, 진공 척 보디를 갖는 챔버, 진공 척 보디의 표면과 지지 링의 내주연에 의해 둘러싸인 공간을 형성하도록 진공 척 보디의 상부 에지를 둘러싸는 지지 링, 베벨 에지의 근처에 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징 (energize) 하도록 구성되는 플라즈마 생성 유닛 및 상기 공간과 유체 연통하는 진공 소스 (source) 를 포함하고, 지지 링은 기판의 저부 표면이 공간을 밀폐하도록 베벨 에지를 갖는 기판을 지지하도록 구성되며, 진공 소스는 지지 링 상에 기판을 유지하는 진공력을 확립하도록 구성된다.
만곡된 반도체 기판의 곡률을 감소시키는 방법은, 만곡된 곡률을 갖는 반도체 기판을 베벨 에칭 장치의 지지 링 상에 로딩하는 단계, 진공 소스의 사용에 의해 공간을 진공화시키는 단계 및 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하고, 플라즈마로 빌드업 (buildup) 을 에칭함으로써 베벨 에지 상의 빌드업을 제거하는 단계를 포함한다.
도면의 간단한 설명
도 1a는 일 실시형태에 따른 진공 척을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 1b는 도 1a 의 영역 B 의 확대된 개략도이다.
도 1c는 다른 실시형태에 따른 진공 척 및 중공 캐소드 링을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 1d는 다른 실시형태에 따른 진공 척 및 유도 코일을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2는 다른 실시형태에 따른 RF 전력 소스에 커플링 (couple) 된 진공 척을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 3은 다른 실시형태에 따른 진공 척 및 2개의 전극들을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 4a는 다른 실시형태에 따른 진공 척을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다.
도 4b는 도 4a 의 진공 척의 평면도를 도시한다.
도 5는 다른 실시형태에 따른 만곡된 기판을 수용하는 곡선형의 표면들을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다.
도 6은 또 다른 실시형태에 따른 만곡된 기판을 수용하는 스텝형 (stepped) 의 표면들을 갖는 기판 에칭 시스템의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 상부 전극 어셈블리의 개략적인 단면도를 도시 한다.
상세한 설명
도 1a를 참조하면, 일 실시형태에 따른 기판 에칭 시스템 또는 베벨 에칭 장치 (100A) 의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 기판 (106) 은, 도 1a 의 영역 B 및 도 1b 의 확대된 영역 B 에 도시된 바와 같이, 기판의 에지의 상부 및 저부 표면들을 포함하는 베벨 에지 (140) 를 갖는다.
도 1a 내지 도 1b에 도시된 바와 같이, 베벨 에칭 장치는, 기판 (106) 이 로딩/언로딩되는 개구부 또는 게이트 (142) 를 갖는 벽 (102); 동작 동안에 제자리에 기판 (106) 을 유지하기 위한 진공 척 또는 기판 지지부 (104); 가스 공급부 (116) 에 커플링되고, 진공 척 (104) 과 대향하는 가스 분배 플레이트 (114); 알루미늄과 같은 도전성 재료들로 구성되는 저부 에지 전극 또는 저부 전극 링 (126); 진공 척 (104) 과 저부 에지 전극 (126) 사이에 위치되는 저부 지지 링 (124) (예를 들어, 진공 척과 저부 에지 전극을 전기적으로 분리하는 유전체 지지 링); 상부 에지 전극 또는 상부 전극 링 (120); 가스 분배 플레이트 (114) 와 상부 에지 전극 (120) 사이에 위치되는 상부 링 (118) (예를 들어, 가스 분배 플레이트과 상부 에지 전극을 전기적으로 분리하는 유전체 링) 을 포함한다. 상부 및 저부 에지 전극들 (120, 126) 너머에, 유전체 재료로 구성되고, 기판 (106) 과 마주보는 상부 및 저부 에지 전극들 (120, 126) 의 표면들에 각각 연장하는 상부 및 저부 절연 링들 (122, 128) 이 있다. 저부 지지 링 (124) 은 상부로부터 보았을 때 원형 또는 직사각형 구성들을 갖지만 이에 한정되지 않는다. 마찬가지로, 진공 척 (104) 의 상부 에지, 저부 에지 전극 (126), 및 저부 절연 링 (128) 은 상부로부터 보았을 때 원형 또는 직사각형 구성들을 갖지만 이에 한정되지 않는다. 유사하게, 상부 절연 링 (122), 상부 에지 전극 (120), 상부 링 (118), 및 가스 분배 플레이트 (114) 의 외측 에지는 상부로부터 보았을 때 원형 또는 직사각형 구성들을 갖지만 이에 한정되지 않는다.
링들 (118, 124) 은 산화알루미늄 (Al2O3), 질화알루미늄 (AlN), 산화실리콘 (SiO2), 탄화실리콘 (SiC), 질화실리콘 (Si3N4), 실리콘 (Si), 산화이트륨 (Y2O3) 또는 다른 재료들로 완전히 구성된 링들과 같은 유전체, 반도체 또는 전기적으로 전도성 재료로 구성될 수 있고, 또는, 지지링 (124) 은 Si, SiC 또는 Y2O3 과 같은 전도성 또는 유전체 재료로 코팅된 금속, 세라믹 또는 중합체의 복합 링일 수도 있다.
기판 (106) 은 저부 지지 링 (124) 의 상부에 장착된다. 더 상세하게는, 지지 링 (124) 의 상단부는 링-형상의 돌출부 (125) (도 1b) 를 포함하고, 기판 (106) 은 링-형상의 돌출부에 고정된다. 링-형상의 돌출부 (125) 는 기판 (106) 의 저부 표면의 에지부를 세정 플라즈마에 노출시키기 위해 좁은 단면을 갖는다. 베벨 에칭 장치 (100A) 는 또한 기판의 로딩/언로딩 동안 상부 돌출부로부터 기판 (106) 을 상승시키기 위한 리프트 핀들 (110) 을 포함한다. 리프트 핀들 (110) 은 원통형 홀들 또는 통로들을 통해 수직으로 이동하고, 진공 척 (104) 아래에 위치된 핀 작동 유닛 (108) 에 의해 동작된다. 다른 방법으로는, 핀 작동 유닛 (108) 은 벽 (102) 의 외측에 위치될 수도 있다. 임의의 적합한 수의 핀들 (110) 이 베벨 에칭 장치 (100A) 에서 사용될 수도 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 리프터 벨로우 (lifter bellow) 들, 공기입 또는 기계적 구동 배열과 같은 임의의 적합한 메커니즘들이 핀 작동 유닛 (108) 으로서 사용될 수도 있다.
기판 (106) 을 로딩하기 위해, 진공 척 (104), 리프트 핀들 (110), 핀 작동 유닛 (108), 저부 지지 링 (124), 저부 에지 전극 (126), 및 저부 절연 링 (128) 을 포함하는 저부 전극 어셈블리 (148b) 는 수직 변위 유닛 (149) 에 의해 하강된다. 그 후에, 리프트 핀들 (110) 이 기판 (106) 을 수용하기 위해 핀 작동 유닛 (108) 에 의해 상향으로 이동된다. 다음으로, 리프트 핀들 (110) 은 저부 지지 링 (124) 에 기판 (106) 을 장착하도록 후퇴된다. 변형예로서, 저부 전극 어셈블리 (148b) 는 챔버의 저부 벽에 고정되게 장착된다. 이 변형예에서, 상부 절연 링 (122), 상부 에지 전극 (120), 상부 링 (118), 및 가스 분배 플레이트 (114) 를 포함하는 상부 전극 어셈블리 (148a) 는 기판을 로딩할 공간을 제공하기 위해 임의의 수직 변위 유닛 (115) 에 의해 이동될 수도 있다. 또한, 상부 전극 어셈블리 (148a) 는 수직 변위 유닛 (115) 으로부터 정지될 수도 있다. 만약 요구된다면, 상부 및 저부 수직 변위 유닛들 (115, 149) 은 상부 및 저부 전극 어셈블리들을 수직으로 이동시킬 수 있다. 수직 변위 유닛들 (115, 149) 은 상부 및 저부 전극 어셈블리들 (148a, 148b) 사이의 간격을 제어하기 위한 간격 제어 메커니즘들에 따라 동작한다.
진공 척 (104) 의 상부 표면, 기판 (106) 의 저부 표면, 및 저부 지지 링 (124) 의 상부 돌출부 (125) 는 밀폐된 진공 영역 리세스부 ("진공 영역") (132) 를 형성하고, 진공 영역 (132) 의 가스 압력은 동작 동안에 대기압 보다 낮게 유지된다. 리프트 핀들 (110) 을 위한 원통형 홀들 또는 통로들은 또한, 방출구 (144) 에 커플링되는 진공 펌프가 진공 영역 (132) 을 진공화시키는 가스 통로들로서 공유된다. 진공 척 (104) 은, 진공 영역 (132) 의 시간적 압력 변동들을 감소시키고, 다수의 리프트 핀들이 사용되는 경우 원통형 홀들에 대한 균일한 흡입 레이트를 제공하도록 플리넘 (plenum; 112) 을 포함한다.
상부 에지 전극 (120) 은 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성되고, 바람직하게는 접지된다. 저부 에지 전극 (126) 은 베벨 에지 (140) 주위로 세정 플라즈마를 생성하도록, 바람직하게는, 이에 제한되지는 않으나, ~2 MHz 부터 ~13 MHz 까지의 주파수 범위 및 ~100 와트부터 ~2000 와트의 전력에서 무선 주파수 (RF) 전력을 공급하는 RF 전력 소스 (130) 에 커플링된다. 베벨 에지 세정 동안, 진공 척 (104) 및 가스 분배 플레이트 (114) 는 전기적으로 계속 플로팅 (floating) 된다. 세정 플라즈마는 상부 링 (118), 상부 에지 전극 (120), 상부 절연 링 (122), 저부 지지 링 (124), 저부 에지 전극 (126), 및 저부 절연 링 (128) 에 의해 한정된다. 상부 및 저부 전극들 (120, 126) 에 인가되는 전력 및 주파수는 베벨 에지 (140) 로부터 제거될 재료들 및 프로세스 가스("세정 가스") 의 타입에 의존하여 변화할 수도 있다는 것을 주목한다.
세정 가스 (들) 은 가스 공급부 (116) 를 통하여 제공된다. 가스 공급부 (116) 는 가스 분배 플레이트 (114) 의 중심 근처에 위치된다. 다른 방법으로는, 도 4a 내지 도 6과 관련하여 상술된 바와 같이, 세정 가스 (들) 은 상부 전극 어셈블리 (148a) 의 다른 부분들에 배치된 가스 공급부 (들) 을 통하여 제공될 수 있다.
동작 동안 제자리에 기판 (106) 을 유지하기 위해, 기판 (106) 의 상부 표면과 진공 영역 (132) 의 압력 차이가 임계치를 초과하여 유지될 필요가 있다. 기판 (106) 의 상부 표면상의 압력은 가스 분배 플레이트 (114) 내의 가스 압력, 가스 플로우 레이트, 및 기판 (106) 과 가스 분배 플레이트 (114) 사이의 간극 또는 간격 "Ds" 의 함수이다. 방출구 (146) 를 통하는 소정의 펌핑 레이트에 대해 기판 (106) 의 상부 표면 상의 가스 압력을 증가시키기 위해, 간격 (Ds) 은 최소화될 필요가 있다. 베벨 에지 세정 프로세스 동안, 간격 (Ds) 은, 예를 들어, 바람직하게는 0.6 mm 미만으로 유지되고, 더 바람직하게는 ~0.4 mm 에서 유지된다. 상기 설명된 바와 같이, 간격 (Ds) 은 수직 변위 제어부 (115, 149) 중 적어도 하나에 의해 제어된다.
동작의 챔버 압력이 낮을 때, 기판의 상부 및 저부 표면들 사이의 압력 차이는 동작 동안 기판 상의 충분한 진공력을 가하는데 매우 충분하지 않을 수도 있다는 것을 주목한다. 도 1a 내지 도 6의 실시형태들은 증가된 압력 차이를 생성하기 위해 작은 간격 (Ds) 과 관련하여 진공 척을 이용한다.
에칭 부산물 중합체들을 세정하기 위해, 프로세스 가스들이 O2 와 같은 산소-함유 가스를 포함할 수도 있다. 또한, CF4, SF6, 또는 C2F6 와 같은 불소-함유 가스의 10% 미만과 같은 작은 양이 중합체를 세정하도록 부가될 수도 있다. 또한, N2 와 같은 질소-함유 가스가 가스 혼합물에 포함될 수도 있다는 점이 이해될 것이다. 질소-함유 가스는 산소-함유 가스의 해리를 보조할 수도 있다. 또한, Ar 과 He 와 같은 비활성 가스가 가스를 희석하고/하거나 플라즈마를 유지하도록 부가될 수도 있다. SiN 또는 SiO2 와 같은 유전체 필름 (들) 을 베벨 에지 (140) 에서 세정하기 위해, CF4 또는 SF6 와 같은 불소-함유 가스 또는 두 가스들의 화합물이 사용될 수도 있다. Ar 또는 He 와 같은 비활성 가스는 또한 불소-함유 가스를 희석하고/하거나 세정 플라즈마를 유지하는데 사용될 수도 있다. Al 또는 Cu 와 같은 금속 필름 (들) 을 베벨 에지 (140) 에서 세정하기 위해, Cl2 또는 BCl3 와 같은 염소-함유 가스 또는 두 가스들의 화합물이 사용될 수도 있다. Ar 또는 He 와 같은 비활성 가스는 또한 염소-함유 가스를 희석하고/하거나 금속 필름 (들) 을 세정하기 위한 플라즈마를 유지하는데 사용될 수도 있다.
도 1a의 실시형태의 변형예에서, 저부 에지 전극 (126) 은 용량성 결합 세정 플라즈마를 생성하도록 접지되는 반면에, RF 전력 소스는 상부 에지 전극 (120) 에 커플링된다. 다른 변형예로서, 상부 에지 전극 (120) 또는 저부 에지 전극 (126) 중 어느 하나는 유전체 재료에 매립되는 유도 코일로 대체된다. 이 경 우, 유도 코일은 RF 전력 소스에 커플링되고, 대향하는 전극은 접지된다. RF 전력 소스는 베벨 에지 (140) 를 세정하기 위한 유도성 결합 플라즈마를 생성하기 위해 전력을 공급한다.
도 1c는 다른 실시형태에 따른 베벨 에칭 장치 (100C) 의 개략적인 단면도를 도시한다. 에칭 장치 (100C) 의 컴포넌트들은 도 1a에 도시된 컴포넌트들과 유사하다. 이 실시형태에서, 차이점은, 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성되는 중공 캐소드 링 (150) 이 절연 링들 (122, 128) 외부에 위치된다는 것이다. 중공 캐소드 링 (150) 은 베벨 에지와 마주보는 채널 (151) 을 갖는다. 채널 (151) 의 폭은, 예를 들어, 약 1.5 cm 보다 더 크다. 중공 캐소드 링 (150) 은 기판 (106) 을 로딩/언로딩하는 동안 적합한 변위 디바이스 (도 1c에 도시되지 않음) 에 의해 수직 방향으로 이동된다는 것을 주목한다.
일 실시형태에서, 중공 캐소드 링 (150) 은 RF 전력 소스 (152) 에 커플링되고, 상부 및 저부 에지 전극들 (120, 126) 둘 모두는 접지된다. RF 전력 소스는 바람직하게는, 이에 제한되지는 않으나, 예를 들어, ~2 MHz 부터 ~13 MHz 까지의 주파수 범위에서 RF 전력을 공급한다. 다른 실시형태에서, 저부 에지 전극 (126) 및 중공 캐소드 링 (150) 이 접지되는 반면에, 상부 에지 전극 (120) 은 RF 전력 소스에 커플링된다. 또 다른 실시형태에서, 상부 에지 전극 (120) 및 중공 캐소드 링 (150) 이 접지되는 반면에, 저부 에지 전극 (126) 이 RF 전력 소스에 커플링된다.
만약 요구된다면, 용량성 결합 플라즈마는 벽 (102) 의 내부를 세정하는데 사용될 수 있다. 내부를 세정하기 위한 플라즈마를 생성하기 위해, 예를 들어, ~ 27 MHz 부터 ~60 MHz 까지의 주파수 범위를 갖는 고-주파수 RF 전력이 바람직하다. 도 1c의 실시형태의 변형예에서, 저부 에지 전극 (126) 이 고-주파수 (~27 MHz 내지 ~60 MHz) RF 전력 소스에 커플링되고, 중공 캐소드 링 (150) 이 접지되는 반면에, 상부 에지 전극 (120) 은 저-주파수 (~2 MHz 내지 ~13 MHz) RF 전력 소스에 커플링된다. 다른 변형예에서, 저부 에지 전극 (126) 이 저-주파수 RF 전력 소스에 커플링되고, 중공 캐소드 링 (150) 이 접지되는 반면에, 상부 에지 전극 (120) 은 고-주파수 RF 전력 소스에 커플링된다. 또 다른 변형예에서, 저부 에지 전극 (126) 이 저-주파수 및 고-주파수 FR 전력 소스들에 커플링되는 반면에, 상부 에지 전극 (120) 및 중공 캐소드 링 (150) 은 접지된다.
도 1d는 다른 실시형태에 따른 베벨 에칭 장치 (100D) 의 개략적인 단면도를 도시한다. 베벨 에칭 장치 (100D) 의 컴포넌트들은 도 1a에서 도시된 컴포넌트들과 유사하다. 차이점은, 유도 코일 (들) (164) 이 상부 에지 전극 (120) 과 저부 에지 전극 (126) 사이의 공간 및 기판 에지를 둘러싼다는 것이다. 유도 코일 (164) 은 유전체 지지부 (160) 에 커플링되는 유전체 재료 (162) 에 임베디드된다. 유전체 지지부 (160) 는 기판 (106) 을 로딩/언로딩하는 동안에 수직 방향으로 유도 코일 (164) 을 이동하는 변위 메커니즘을 포함한다.
유도 코일 (164) 은 RF 전력 소스 (166) 에 커플링된다. 베벨 에지 세정 프로세스 동안에, RF 전력 소스 (166) 는 바람직하게는 기판 에지 근처에 유도성 플라즈마를 생성하기 위해, 이에 제한되지는 않으나, ~2 MHz 부터 ~13 MHz 까지의 범위의 RF 전력을 공급한다. 상부 에지 전극 (120) 및 저부 에지 전극 (126) 은 유도성 결합 플라즈마에 대한 복귀 통로를 제공하도록 접지된다. 유도 코일 (164) 은 베벨 에지 (140) 를 세정하기 위해 세정 플라즈마를 제공한다. 변형예로서, 유도 코일 (164) 은 또한 챔버 내부 세정 플라즈마를 생성하기 위해 고-주파수 RF 전력 소스에 커플링될 수 있다. 도 1a, 1c, 1d에 도시된 진공 척들의 상부 표면은 유전체 층으로 덮인다는 것을 주목한다.
도 2는 다른 실시형태에 따른 베벨 에칭 장치 (200) 의 개략적인 단면도를 도시한다. 에칭 장치 (200) 는 도 1a에 도시된 것과 유사하나, 진공 척 (204) 이 RF 전력 소스 (212) 와 커플링되고, 상부 및 저부 에지 전극들 (208, 210) 둘 모두 접지된다는 점에서 상이하다. 이 실시형태에서, 가스 분배 플레이트 (202) 의 저부 표면은, 기판 (206) 과 가스 분배 플레이트 (202) 사이의 전계 또는 전자기계의 형성을 방지하기 위해 유전체 층으로 덮인다.
도 3은 다른 실시형태에 따른 베벨 에칭 장치 (300) 의 개략적인 단면도를 도시하며, 챔버 벽은 간결함을 위해 도시되지 않았다. 베벨 에칭 장지 (300) 는, 기판 (310) 아래에 진공 영역 (324) 을 갖고, 동작 동안 제자리에 기판 (310) 을 유지하도록 동작하는 진공 척 (328); 기판 (310) 위에 위치되는 상부 전극 (302); 진공 척 (328) 을 둘러싸는 저부 지지 링 (322); 지지 링 (322) 을 둘러싸는 저부 전극 (320) 을 포함한다. 상부 전극 (302) 및 저부 전극 (320) 은, 기판 (310) 의 베벨 에지 상에 증착되고 축적된 이물질들을 제거하기 위한 플라즈마를 생성한다.
상부 전극 (302) 은 저부 전극을 향하여 수직으로 연장하는 외측 링-형상의 돌출부 (304) 가 있는 평면 원형 플레이트이다. 돌출부는 기판 (310) 의 외주연과 수직으로 정렬되는 외주연을 갖는다. 돌출부 (304) 의 내주연은 저부 전극 (320) 의 내주연과 수직으로 정렬된다. 하나 이상의 가스 통로들 (306) 은 프로세스 가스 (들) 및/또는 퍼지 (purge) 가스 (들) 을 제공하는데 사용된다. 가스 홀 (306b) 이 돌출부 (304) 와 상부 전극 (302) 의 주변 에지 사이에 위치되는 반면에, 가스 홀 (306a) 은 상부 전극 (302) 의 중심에 위치된다. 상부 전극 (302) 은 애노드이고, 저부 전극 (320) 은 캐소드이다. 변형예로서, 상부 전극 (302) 은 캐소드로서 사용될 수 있고, 저부 전극 (320) 은 애노드로서 사용된다.
절연체 층 또는 절연 플레이트 (308) 가 상부 전극 (302) 의 저부 표면에 증착되거나 부착되고, 돌출부 (304) 의 내부에 위치된다. 절연체 (308) 는 기판 (310) 을 마주보는 노출된 표면을 갖고, 노출된 표면은 돌출부 (304) 의 노출된 표면과 동일 평면상이다. 하지만, 만약 요구된다면, 절연체의 노출된 표면은 돌출부의 노출된 표면보다 위 또는 아래로 수직으로 오프셋 (offset) 될 수 있다. RF 전력이 상부 및 저부 전극들 (302, 320) 사이에 공급될 때, 절연체 (308) 는 상부 전극 (302) 과 기판 (310) 사이에 전계 또는 전자기계의 형성을 억제한다.
반도체 웨이퍼들을 프로세싱하기 위해, 저부 전극 (320) 은 돌출부 (304) 의 내경과 동일한 내경을 갖는 원형 링이다. 저부 전극 (320) 은 바람직하게는 RF 전력 소스 (342) 와 커플링된다. 동작 동안, 플라즈마가 돌출부 (304) 와 저부 전극 (320) 사이의 영역에 생성된다.
진공 척 (328) 은, 하나 이상의 통로들 (327) 을 통해 진공 영역 리세스부 ("진공 영역") (324) 와 유체 연통하고, 동작 동안 진공 펌프에 의해 진공화되는 플리넘 (326) 을 포함한다. 플리넘 (326) 은 진공 영역 (324) 의 시간적 압력 변동들을 감소시키고, 넓은 패턴으로 통로들 (327) 을 배열하는 척 설계를 위해 홀들 (327) 에 대한 균일한 흡입 레이트를 제공한다. 진공 척 (328) 은 바람직하게는, 진공 영역의 부피를 조절하기 위해 수직 방향으로 상향 및 하향으로 진공 척을 이동시키는 이동가능한 지지부 (340) 에 의해 지지된다. 변형예에서, 상부 전극 (302) 은 옵션적인 지지부 (315) 로부터 정지되고 옵션적인 지지부 (315) 에 의해 수직으로 이동된다. 옵션적으로, 진공 척 (328) 의 상부 표면은 진공 영역 (324) 의 전계 또는 전자기계의 형성을 방지하기 위해 유전체 층으로 덮일 수도 있다.
도 3의 실시형태의 변형예로서, 진공 척 (328) 은 도 1a 내지 도 2에서 도시된 리프트 핀들과 유사한 리프트 핀들을 포함할 수도 있으며, 여기서, 홀들 (327) 은 리프트 핀들에 대한 통로들로서 사용된다. 마찬가지로, 도 1a 내지 도 2의 실시형태들은 도 3의 홀들 (327) 과 유사한 홀들을 가질 수도 있으며, 여기서, 홀들은 리프트 핀들에 대한 통로들로서 사용되지 않는다. 다른 변형예에서, 진공 척은 플리넘을 포함하지 않고, 홀들 (327) 은 진공 펌프에 직접적으로 커플링된다.
도 4a는 다른 실시형태에 따른 기판 (414) 의 베벨 에지를 세정하기 위한 베벨 에칭 장치 (400A) 의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다. 베벨 에칭 장 치 (400A) 의 컴포넌트들은 도 1a의 컴포넌트들과 유사하고, 진공 척 (402) 이 복수의 범프 (bump) 또는 돌출 엘리먼트들 (406) 을 포함한다는 것이 상이하다. 돌출 엘리먼트들 (406) 은 반구형 형상 또는 임의의 다른 적합한 지오메트리를 가질 수도 있으며, 기판 (414) 의 상부 표면과 저부 표면 사이의 압력 차이에 기인하여 기판 (414) 이 만곡되는 것을 방지할 수도 있다. 예를 들어, 돌출 엘리먼트들 (406) 은, 일체형으로 척 (402) 으로 형성되거나 척의 상부 표면에 접합된 메사 (mesa) 어레이 또는 일련의 링들의 형태일 수 있다. 도 4b는 도 4a의 진공 척 (402) 의 평면도를 도시한다. 도시된 바와 같이, 리프트 핀들 (408) 은 홀들 (410) 에서 수직으로 이동할 수 있고, 각 홀의 일 부분은 가스 통로로서 공유되고, 플리넘 (412) 에 커플링된다.
돌출 엘리먼트들 (406) 은 동일한 목적을 위해 도 1c 내지 도 3의 실시형태들에서 형성될 수 있다는 것을 주목한다. 또한, 가스 분배 플레이트 (404) 는 중심 가스 통로 (416a) 및 원주형으로 이격된 외측 가스 통로들 (416b) 을 포함할 수 있다는 것을 주목한다.
상기 설명한 바와 같이, 베벨 에칭 장치로 로딩되는 기판은 일련의 프로세스들에 의해 그들의 상부 평면 상에 형성되는 집적 회로들을 가질 수도 있다. 하나 이상의 프로세스들은, 기판상의 열응력이 웨이퍼 만곡을 야기하도록, 열에너지를 기판에 전달할 수도 있는 플라즈마의 사용에 의해 수행될 수도 있다. 도 5는 다른 실시형태에 따른 진공 척 (502) 을 갖는 베벨 에칭 장치 (500) 의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다. 이 실시형태의 컴포넌트들은 도 1a에 도시된 컴포넌트들과 유사하고, 진공 척 (502) 의 상부 표면 및 가스 분배 플레이트 (504) 의 저부 표면인 2개의 대향하는 표면들 중 적어도 하나는 만곡된 기판 (514) 를 수용하기 위한 만곡부를 갖는다는 것이 상이하다. 이 실시형태에서, 대향하는 표면들은 중심에서 더 떨어져 있고, 그들의 외주연에서 함께 더 근접하다. 만약, 베벨 에칭 장치 (500) 로 로딩되는 기판들의 모두가 일 방향으로 만곡된다면, 2개의 대향하는 표면들 중 오직 하나가 기판들을 수용하기 위해 형상된 곡률을 가질 수도 있다.
기판 만곡은 기판 (514) 의 상부 표면과 저부 표면 사이의 압력 차이를 사용하여 감소될 수 있다. 진공 영역 (518) 의 압력은 플리넘 (512) 에 커플링된 진공 펌프에 의한 동작 동안에 진공으로 유지된다. 기판의 상부 표면 (514) 과 가스 분배 플레이트 (504) 사이의 간격 (Ds) 을 조절함에 의해서, 프로세스 가스 (들) 의 전체 플로우 레이트를 변경함이 없이 간격 (Ds) 에서의 가스 압력은 변화될 수 있다. 따라서, 간격의 사이즈 및 간격에서의 가스 압력을 제어함에 의해서, 기판 (514) 의 상부 표면과 저부 표면 사이의 압력 차이는 변화될 수 있고, 그것에 의해 기판 (514) 상에 가해진 벤딩 (bending) 력은 제어될 수 있다.
일 변형예에서, 가스 분배 플레이트 (504) 는 복수의 홀들을 가질 수도 있으며, 홀 직경은 기판 (514) 에의 의도된 압력 분배를 획득하도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 홀들은 베벨 에지근처 영역에서 더 큰 직경을 가질 수 있고, 기판의 중심 영역에서 더 작은 직경을 가질 수 있다. 베벨 에칭 장치 (500) 가 임의의 적합한 수의 가스 공급부들을 가질 수도 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 가스 분배 플레이트 (504) 와 가스 공급 홀들 (516a-516c) 을 포함하는 가스 공급 시스템 및 진공 척 (502) 이 도 1b 내지 도 4의 실시형태들에서 포함될 수 있다는 것이 명백할 것이다.
다른 변형예에서, 추가적인 가스 공급부들 (516c) 이 상부 유전체 링 (522) 또는 상부 에지 전극 (520) 에 형성될 수도 있다. 가스 공급부들 (516a-516b) 은 상이한 압력들을 갖는 가스들을 간격 (Ds) 의 다양한 부분들로 주입하는데 사용되며, 간격의 반경 방향 (중심에서 에지로) 을 따라 의도된 압력 분배를 가져온다. 예를 들어, 만약 기판 (514) 이 가스 분배 플레이트 (504) 에 대하여 볼록하다면, 가스 공급부 (516a) 는 가스 공급부 (516b) 보다 더 높은 압력하에 기판 (514) 의 상부 표면상으로 가스를 향하게 할 수 있다. 다른 실시예에서, 만약 기판 (514) 이 진공 척 (502) 에 대하여 볼록하다면, 오직 가스 공급부들 (516c) 이 베벨 에지 세정 동작 동안에 사용된다.
도 6은 또 다른 실시형태에 따른 베벨 에칭 장치 (600) 의 개략적인 단면도의 일 부분을 도시한다. 도시된 바와 같이, 베벨 에칭 장치 (600) 의 컴포넌트들은 도 5 에 도시된 컴포넌트들과 유사하다. 차이점은 진공 척 (602) 의 상부 표면 및 가스 분배 플레이트 (604) 의 저부 표면인 2개의 대향하는 표면들 중 적어도 하나가 만곡된 기판 (614) 을 수용하도록 스텝형이 된다는 것이다. 예를 들어, 플레이트 및/또는 척 (604) 은 표면에 걸쳐서 25% 이상 연장하는 원통형 리세스부에 의해 형성된 단일 스텝을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 일련의 점진적으로 깊어지고 동축인 리세스부들은 표면으로 연장할 수 있다. 도시된 실시 형태에서, 리세스부들은 각각의 대향하는 표면에 3개의 스텝들을 형성한다. 만약 베벨 에칭 장치 (600) 에 로딩되는 모든 기판들이 일 방향으로 만곡되면, 2개의 대향하는 표면들 중 오직 하나가 기판들을 수용하는 하나 이상의 스텝들을 가질 수도 있다. 가스 분배 플레이트 (604) 와 가스 공급부들 (616a-616c) 을 포함하는 가스 공급 시스템 및 진공 척 (602) 이 또한 도 1b 내지 도 4의 실시형태들에 적용될 수 있다는 것을 주목한다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 상부 전극 어셈블리 (702) 의 개략적인 단면도를 도시한다. 상부 전극 어셈블리 (702) 는 도 1a 에 도시된 것과 유사하다. 차이점은 상부 전극 어셈블리 (702) 가 금속 지지 컴포넌트 (714) 를 포함한다는 것과, 상부 에지 전극 (704), 상부 유전체 링 (706), 상부 절연 링 (708) 및 가스 분배 플레이트 (710) 가 금속 지지 컴포넌트 (714) 에 고정된다는 것이다. 상부 전극 어셈블리 (702) 는 지지부 (712) 로부터 정지되고 지지부 (712) 에 의해 이동된다. 상부 전극 어셈블리 (702) 는 도 1a, 1c, 1d, 2, 4a, 5 및 6에 도시된 실시형태들에 적용될 수 있다.
도 1a 내지 도 2 및 도 3 내지 도 6의 실시형태들에서, 가스 분배 플레이트는 상부 유전체 링에 의해 상부 에지 전극으로부터 전기적으로 절연된다. 일 변형예로서, 가스 분배 플레이트 및 상부 유전체 링은 일체형으로 형성되고 유전 재료의 단편으로 구성된다.
본 발명은 그 특정 실시형태들에 관련하여 상세하게 기술되었지만, 첨부된 청구항들의 범위로부터 벗어남이 없이, 다양한 변화예들 및 변경예들이 행해질 수 있고, 균등물들이 채용될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (19)

  1. 반도체 기판의 베벨 에지가 플라즈마 세정을 받는 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열로서,
    반도체 기판의 베벨 에지가 상부 표면의 외측 에지의 외부로 연장하기 위해 상기 반도체 기판을 지지하도록 구성되는, 상기 상부 표면을 갖는 지지 링;
    옵션적인 리프트 핀 홀들이 있고 리세스 (recessed) 표면을 갖는 척 보디로서, 상기 리세스 표면은 상기 지지 링의 내주연 사이로 연장하고, 상기 리세스 표면은 상기 지지링의 상부 표면 상에 지지되는 상기 반도체 기판의 저측 아래에 있고, 상기 리세스 표면 및 내주연은 상기 지지 링 상에 지지되는 상기 반도체 기판 아래에 진공 영역을 정의하는, 상기 척 보디; 및
    상기 진공 영역과 유체 연통하고 유입구를 갖는 적어도 하나의 가스 통로로서, 상기 가스 통로는 상기 반도체 기판의 저측에 진공력을 가하도록 진공력이 인가될 수 있는 방출구를 갖는, 상기 적어도 하나의 가스 통로를 포함하는, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 척 보디에 플리넘 (plenum) 을 더 포함하고,
    상기 플리넘은 진공 펌프와 유체 연통하고,
    상기 적어도 하나의 가스 통로는 상기 리세스 표면과 상기 플리넘 사이에 연 장하는 복수의 홀들을 포함하는, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  3. 제 1 항에 있어서,
    (a) 상기 리세스 표면은 상기 지지 링 상에 지지되는 상기 반도체 기판의 저측에 접촉하도록 구성되는 하나 이상의 돌출부를 포함하거나,
    (b) 상기 리세스 표면은 스텝형 (stepped) 표면 또는 오목 표면인, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 가스 통로는, 리프트 핀들의 이동을 허용하도록 사이징 (size) 되는 복수의 리프트 핀 홀들을 포함하고, 상기 진공 영역에 진공력을 인가하는, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 링은 도전성, 반도전성 또는 유전성 재료로 코팅되거나, 전적으로 도전성, 반도전성 또는 유전성 재료인, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스 표면은 제 1 및 제 2 환형 스텝들을 포함하고,
    상기 제 1 환형 스텝은 상기 지지 링의 내측으로 연장하고, 상기 제 2 환형 스텝은 상기 제 1 스텝의 내측으로 연장하며,
    상기 제 1 및 제 2 환형 스텝들은 서로로부터 수직으로 오프셋되는 평면 표면들을 갖는, 베벨 에칭 장치의 진공 척 배열.
  7. 반도체 기판의 베벨 에지가 플라즈마 에칭되는 베벨 에칭 장치로서,
    반도체 기판의 베벨 에지가 플라즈마 에칭될 수 있는 내부를 갖는 챔버;
    반도체 기판의 베벨 에지가 상부 표면의 외측 에지의 외부로 연장하기 위해 상기 반도체 기판을 지지하도록 구성되는, 상기 상부 표면을 갖는 지지 링;
    옵션적인 리프트 핀 홀들이 있고 리세스 표면을 갖는 척 보디로서, 상기 리세스 표면은 상기 지지 링의 내주연 사이로 연장하고, 상기 리세스 표면은 상기 지지링의 상부 표면 상에 지지되는 상기 반도체 기판의 저측 아래에 있고, 상기 리세스 표면 및 내주연은 상기 지지 링 상에 지지되는 상기 반도체 기판 아래에 진공 영역을 정의하는, 상기 척 보디;
    상기 진공 영역과 유체 연통하고 유입구를 갖는 적어도 하나의 가스 통로로서, 상기 가스 통로는 상기 반도체 기판의 저측에 진공력을 가하도록 진공력이 인가될 수 있는 방출구를 갖는, 상기 적어도 하나의 가스 통로;
    상기 베벨 에지의 근처에 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하도록 구성되는 플라즈마 생성 유닛; 및
    상기 진공 영역과 유체 연통하는 진공 소스로서, 상기 진공 소스는 상기 지지 링 상의 제자리에 상기 반도체 기판을 유지하는 진공력을 확립하도록 구성되는, 상기 진공 소스를 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 유닛은,
    상기 지지 링을 둘러싸고, 상기 지지링에 의해 상기 척 보디로부터 전기적으로 절연되는 제 1 전극 링;
    상기 척 보디에 대향하는 저부 표면을 갖고, 프로세스 가스가 상기 반도체 기판의 상부 표면으로 도입되도록 되는 적어도 하나의 홀을 포함하는 가스 분배 플레이트; 및
    상기 가스 분배 플레이트를 둘러싸고, 상기 제 1 전극 링에 대향하는 제 2 전극 링을 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    (a) 상기 제 1 및 제 2 전극 링들 중 하나는 접지되고, 다른 하나는 무선 주파수 (RF) 전력 소스에 커플링되고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 상기 RF 전력 소스로부터 RF 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하거나;
    (b) 중공 캐소드 링이 상기 제 1 및 제 2 전극 링들을 따라 배치되고, 상기 중공 캐소드 링과 상기 제 1 및 제 2 전극 링들 중 하나는 무선 주파수 (RF) 전력 소스에 커플링되고, 다른 것들은 접지되고, 상기 중공 캐소드 링과 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 상기 RF 전력 소스로부터 RF 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하거나; 또는
    (c) 코일이 상기 무선 주파수 (RF) 전력 소스와 유도성 결합되고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들을 따라 배치되며, 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 접지되는, 베벨 에칭 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    (a) 상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 오목하거나;
    (b) 상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면은 상기 반도체 기판을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;
    (c) 상기 척 보디의 리세스 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 오목하거나;
    (d) 상기 척 보디의 리세스 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 다중의 스텝들을 포함하거나;
    (e) 돌출 엘리먼트들이 상기 척 보디의 리세스 표면 상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁 (tip) 들을 포함하거나;
    (f) 메사 (mesa) 어레이 또는 이격된 링들의 형태인 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 리세스 표면 상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁들을 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    (a) 상기 척 보디는 플라즈마를 생성하기 위해 무선 주파수 (RF) 전력 소스에 커플링되는 전기 전도성 금속이고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 접지되거나;
    (b) 상부 유전체 링은 상기 가스 분배 플레이트 및 상기 제 2 전극 링 사이에 위치되고, 상기 제 2 전극 링으로부터 상기 가스 분배 플레이트를 전기적으로 절연시키도록 구성되는, 베벨 에칭 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면과 상기 척 보디의 리세스 표면 사이의 간격의 높이를 조절함에 의해 상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면과 상기 반도체 기판의 상부 표면 사이의 수직 분리를 제어하도록 구성되는 간격 제어 메커니즘을 더 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 수직 분리는 약 0.6 mm 보다 적은, 베벨 에칭 장치.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 척 보디는
    상기 진공 영역으로 연장하는 복수의 원통형 홀들;
    상기 척 보디의 리세스 표면에 수직 방향으로 상기 반도체 기판을 이동시키도록 구성되는 복수의 리프트 핀들로서, 각각의 리프트 핀은 상기 원통형 홀들 중 하나를 따라서 이동하도록 구성되는, 상기 복수의 리프트 핀들; 및
    상기 리프트 핀들을 기계적으로 이동시키는 핀 작동 유닛을 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    (a) 각각의 상기 홀들의 일 부분은 상기 진공 소스가 상기 진공 영역을 진공화시키는 가스 통로를 형성하거나;
    (b) 상기 척 보디는 상기 홀들을 통해 상기 진공 영역과 유체 연통하는 플리넘을 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 유닛은,
    상기 지지 링을 둘러싸고, 상기 지지 링에 의해 상기 척 보디로부터 전기적으로 절연되는 제 1 전극;
    평평한 플레이트, 상기 제 1 전극에 대향하는 링-형상의 돌출부 및 프로세스 가스가 상기 챔버에 도입되는 적어도 하나의 가스 통로를 포함하는 제 2 전극; 및
    상기 평평한 플레이트 아래 및 상기 링-형상의 돌출부의 내부에 배치되는 절연층을 포함하고,
    상기 절연층의 저부 표면은, 상기 반도체 기판을 수용하기 위한 공간을 형성하기 위해 상기 척 보디의 리세스 표면과 이격된 관계이고,
    상기 제 1 및 제 2 전극들 중 하나는 접지되고, 다른 하나는 무선 주파수 (RF) 전력 소스에 커플링되며,
    상기 제 1 및 제 2 전극들은 상기 RF 전력 소스로부터 RF 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하는, 베벨 에칭 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    (a) 상기 절연층의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 오목하거나;
    (b) 상기 절연층의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;
    (c) 상기 척 보디의 상부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 오목하거나;
    (d) 상기 척 보디의 상부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;
    (e) 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 상부 표면상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁들을 포함하거나;
    (f) 메사 어레이 또는 이격된 링들의 형태인 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 리세스 표면상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하 는 팁들을 포함하는, 베벨 에칭 장치.
  18. 베벨 에지 세정 동안 만곡된 반도체 기판의 곡률을 감소시키는 방법으로서,
    제 7 항에 기재된 베벨 에칭 장치의 상기 지지 링 상에, 만곡된 곡률을 갖는 반도체 기판을 로딩하는 단계;
    상기 진공 영역을 진공화시키는 단계; 및
    프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하고, 상기 플라즈마로 빌드업 (buildup) 을 에칭함으로써 상기 베벨 에지상의 상기 빌드업을 제거하는 단계를 포함하는, 곡률 감소 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 상부 표면 상에 프로세스 가스를 공급하여, 상기 반도체 기판의 저부 표면 보다 더 큰 압력을 상기 상부 표면상에 생성하고, 그것에 의해 상기 만곡된 곡률을 감소시키도록 상기 반도체 기판에 벤딩 (bending) 력을 가하는 단계를 더 포함하는, 곡률 감소 방법.
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