KR20090106532A - 표면 장력 감소 기체를 사용하여 기판을 건조하는 방법 및 장치 - Google Patents
표면 장력 감소 기체를 사용하여 기판을 건조하는 방법 및 장치 Download PDFInfo
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Abstract
근접 헤드를 사용하여 기판을 프로세싱하는 방법이 개시된다. 그 방법은, 기판의 표면에 근접하게 배치된 헤드 표면을 구비한 헤드를 제공함으로써 개시된다. 헤드는 폭 및 길이를 가지고, 헤드는 헤드의 길이에 따라 열들 (rows) 로 구성된 복수의 포트를 가진다. 복수의 열들은 헤드의 폭 이상으로 연장될 수 있고, 제 1 유체를 분사하도록 구성된 제 1 그룹의 포트가 있다. 제 1 유체가 기판 표면에 분사되어, 기판 표면 및 헤드 표면 사이에 메니스커스를 형성시킨다. 또한, 그 방법은 헤드의 제 2 그룹의 포트로부터 메니스커스 및 기판 사이의 계면으로 기체인 이산화 탄소를 전달하는 단계를 포함한다. 이산화 탄소는 기판의 표면에 대한 메니스커스 상의 감소된 표면 장력을 증진시키는 것을 보조한다.
근접 헤드, 웨이퍼, 메니스커스
Description
발명자
John M. de Larios, Paul A. Kittle, Mike Ravkin, Mikhail Korolik, Erik Freer, Katrina Mikhaylich, 및 Fritz Redeker
본 발명은 일반적으로 기판 프로세싱 및 장비에 관한 것으로, 보다 구체적으로 표면 장력 감소 기체를 사용하여 반도체 기판을 건조하는 시스템에 관한 것이다.
반도체 칩 제조 공정에서, 웨이퍼의 표면 상에 원치않는 잔여물을 남기는 제조 작업이 수행된 웨이퍼를 세정 및 건조할 필요가 있음은 잘 알려져 있다. 그러한 제조 작업의 예는 플라즈마 식각 및 화학적 기계적 연마 (CMP) 를 포함한다. CMP에서, 웨이퍼는 연마 표면에 대하여 웨이퍼 표면을 푸시하는 홀더에 배치된다. 슬러리는 화학물질 및 연마 재료로 이루어져 연마를 일으킨다. 불행히도, 이 공정은 웨이퍼 표면에 잔여물 및 슬러리 파티클의 축적물을 남기는 경향이 있다. 원치않는 잔여 재료 및 파티클은, 웨이퍼 상에 남겨진다면, 그 중에서 웨이퍼 표면 상의 흠집 및 금속배선 피쳐들 (metallization features) 사이의 부적 절한 상호작용과 같은 결함을 유발할 수 있다. 일부의 경우, 그러한 결함은 웨이퍼 상의 디바이스들을 실행할 수 없게 할 수도 있다. 따라서, 실행할 수 없는 디바이스들을 가지는 웨이퍼를 폐기하는 과도한 비용을 피하기 위해서, 원치않는 잔여물을 남기는 제조 작업 이후 웨이퍼를 충분히 또한 효율적으로 세정하는 것이 필요하다.
웨이퍼가 습식 세정된 이후, 웨이퍼를 효과적으로 건조하여, 물 또는 세정 유체 찌꺼기가 웨이퍼 상에 잔여물을 남겨지는 것을 방지해야 한다. 웨이퍼 표면 상의 세정 유체가 증발되도록 허용된다면, 액적이 형성되는 경우에 보통 발생하는 것처럼, 증발 이후 세정 유체에 미리 용해되어 있는 잔여물 또는 오염물이 웨이퍼 표면 상에 남게된다 (예를 들어, 스폿을 형성한다). 증발이 일어나는 것을 방지하기 위해서, 세정 유체는 웨이퍼 표면 상에 액적을 형성시키지 않고 가능한 한 빨리 제거되어야 한다.
이를 달성하기 위한 시도에 있어서, 스핀 건조 등과 같이, 여러가지의 상이한 건조 기술 중 하나가 채용된다. 이들 건조 기술은 웨이퍼 표면 상의 일정한 이동성 액체/기체 계면을 이용하여, 이것이 적절하게 유지된다면, 액적을 형성시키지 않고 웨이퍼 표면을 건조시킨다. 불행히도, 이동성 액체/기체 계면이 파괴된다면, 전술한 건조 방법 모두에서 종종 발생하는 것처럼, 액적이 형성되고 증발이 일어나 오염물 및/또는 스폿이 웨이퍼 표면 상에 남게된다.
상기를 고려하여, 기판 표면 상의 액적의 효과를 최소화하는 건조 기술이 요구된다.
요약
일 실시형태에서, 근접 헤드를 이용하는 기판 프로세싱 방법이 개시된다. 그 방법은 기판 표면에 근접하게 배치된 헤드 표면을 가지는 헤드를 제공함으로써 개시된다. 헤드는 폭 및 길이를 가지고, 헤드는 헤드의 길이를 따라 열들 (rows) 로 구성된 복수의 포트를 가진다. 복수의 열들은 헤드의 폭 이상으로 연장될 수 있고, 제 1 유체를 분사하도록 구성된 제 1 그룹의 포트가 있다. 제 1 유체가 기판 표면에 분사되어, 기판 표면 및 헤드 표면 사이에 메니스커스를 형성시킨다. 또한, 그 방법은 헤드의 제 2 그룹의 포트로부터 메니스커스 및 기판 사이의 계면으로 기체인 이산화 탄소를 전달하는 단계를 포함한다. 이산화 탄소는 기판의 표면에 대한 메니스커스 상의 감소된 표면 장력을 증진시키는 것을 보조한다.
또 다른 실시형태에서, 두번째 기판 프로세싱 방법이 개시된다. 그 방법은 프로세스 유체를 기판 표면에 적용함으로써 시작한다. 프로세스 유체는 헤드 및 기판 표면 사이에 메니스커스를 형성하며, 메니스커스는 프로세스 유체 및 기판에 의해 정의된 계면을 가진다. 그 방법은 메니스커스의 계면을 향해 지향된 배향으로 이산화 탄소 기체 흐름을 적용함으로써 계속된다. 이산화 탄소는 계면에서 메니스커스와 부분적으로 혼합되어, 기판 표면 상부의 메니스커스의 표면 장력을 감소시키는 것을 보조할 수 있다. 그 방법은, 프로세스 유체 및 이산화 탄소 기체를 적용하는 한편 메니스커스를 기판 표면에 대해 이동시키면서 계속되어, 메니스커스는 이동하는 동안 실질적으로 그대로 유지된다. 여기서, 이산화 탄소 기체의 적용은, 설정 속도로의 메니스커스의 이동을 가능하게 하는 흐름을 전달하도록 조정된다.
또 다른 실시형태에서, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 시스템이 개시된다. 근접 시스템은 기판의 표면에 근접하게 배치되도록 구성된 헤드 표면을 가지는 헤드를 포함한다. 헤드는 유체를 기판 표면에 전달하도록 구성된 복수의 제 1 포트를 포함한다. 유체가 전달되는 경우, 메니스커스는 기판 표면 및 헤드 표면 사이에서 형성될 수 있다. 또한, 근접 시스템은 기체인 이산화 탄소를 전달하도록 구성된 복수의 제 2 포트를 포함한다. 기체인 이산화 탄소는 메니스커스 및 기판 사이의 계면에 전달되며, 이산화 탄소는 메니스커스 상에서 마랑고니 (Marangoni) 효과를 형성한다.
본 발명의 다른 양태 및 이점은 첨부된 도면과 함께 본 발명의 원리를 예시로써 설명하는 하기의 상세한 설명으로부터 명백해진다.
본 발명은, 다른 이점과 함께, 첨부된 도면과 결합된 하기의 설명에 대한 언급에 의해 최상으로 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따르는, 프로세스 모듈의 하이 레벨 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 근접 스테이션의 예시적인 구성을 나타낸다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판이 메니스커스로 들어갈 때의 근접 스테이션의 예시적인 측면도를 나타낸다.
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 헤드 표면 상의 포트 레이아웃의 예시적인 개략도를 나타낸다.
도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판이 메니스커스를 통과할 때의 근접 스테이션의 예시적인 측면도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 포트로부터 분사되는 기체 및 메니스커스 사이에서의 마랑고니 효과를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 미세 액적이 기판의 표면 상에 형성되는 예시적인 조건을 나타낸다.
상세한 설명
본 발명은 기판을 프로세싱하기 위해 개시되며, 보다 구체적으로 이산화 탄소와 같은 기체를 이용하여 마랑고니 효과를 형성하기 위해 개시된다. 본 발명의 실시형태에서, 메니스커스는 근접 헤드에 의해 기판 표면에 적용된다. 근접 헤드는 유체를 수용하고, 근접 헤드가 기판 표면에 대해 근접하게 배치되는 경우 기판 표면으로부터 유체를 제거할 수 있는 장치이다. 일 예에서, 근접 헤드는 헤드 표면을 가지고 헤드 표면은 기판의 표면과 실질적으로 평행하게 배치된다. 즉, 메니스커스는 헤드 표면 및 기판 표면 사이에서 정의된다. 근접의 상이한 각도가 가능하며, 근접 거리의 예는 약 0.2 mm ~ 약 4 mm 일 수 있고, 또 다른 실 시형태에서는 약 0.3 mm ~ 약 1.5 mm 일 수 있다.
근접 헤드는, 일 실시형태에서, 복수의 유체 입력을 수용하고, 또한 제공된 유체를 제거하기 위한 진공 포트로 구성된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 "메니스커스"는 근접 헤드의 표면 및 기판의 표면 사이에서 형성되는 제어된 유체 메니스커스이고, 유체의 표면 장력은 메니스커스를 제어된 형태로 제자리에 홀딩한다. 또한, 메니스커스의 제어는 유체의 제어된 전달 및 제거에 의해 확실해지며, 이는 유체에 의해 정의되는 바와 같이, 메니스커스의 제어된 한정 (definition) 을 가능하게 한다. 메니스커스는 세정, 프로세스, 식각, 또는 기판 표면을 프로세스하기 위해 사용될 수 있다. 표면에 대한 프로세싱은, 파티클 또는 원치않는 재료가 메니스커스에 의해 제거되게 할 수 있다. 관련 실시형태에서, 메니스커스는 삼상태 바디 (tri-state body)(예를 들어, 발포액) 로부터 형성될 수 있고, 그 발포액은 기판에서 표면 상에 간단히 안착할 수도 있지만, 표면 장력에 의해 영향받는 유체 용액과 기계적으로 상이하게 기능한다. 발포액은 보다 비뉴턴 유체와 같이 거동한다.
본 명세서에서 사용된 예로서, "기판" 은 한정되지 않고, 반도체 웨이퍼, 하드 드라이브 디스크, 광학 디스크, 유리 기판, 및 평판 디스플레이 표면, 액정 디스플레이 표면 등을 나타내며, 이는 제작 또는 취급 작업동안 오염될 수 있다. 실제 기판에 따라서, 표면은 상이한 방식으로 오염될 수 있고, 수용가능한 오염 레벨은 기판이 취급되는 개개의 산업에서 정의된다.
일 실시형태에서, 근접 헤드로의 유체 전달은, 원하는 애플리케이션에 따라 서 프로세스 유체 (또는 혼합물) 의 분사 및 제거가 미리 구성될 수 있도록 동적으로 구성가능하다. 프로그래밍가능한 분배 메니폴드는 근접 헤드의 구성을 부분적으로 도울 수 있다. 프로그래밍가능한 분배 메니폴드는 유체가 근접 헤드로 전달되는 것을 정의할 수 있고, 또한 근접 헤드 상에서 유체가 전달되는 곳을 정의할 수도 있다. 그 결과, 유체가 기판의 원하는 영역 바로 위에 원하는 순서로 놓일 수 있다. 예를 들어, 상이한 유체가 근접 헤드의 상이한 부분으로 전달되어, 헤드 또는 기판이 이동하는 경우, 상이한 종류의 유체가 상이한 프로세스를 순서대로 수행할 수 있다.
일 예에서, 프로그래밍가능한 분배 메니폴드에 의해 구성되는 경우, 상이한 크기 및 배치의 다중 메니스커스가 생성될 수 있다. 또한, 근접 헤드에는 복수의 포트가 제공되어, 일단 유체가 프로그래밍가능한 분배 메니폴드로부터 근접 헤드로 지향되면, 근접 영역의 제어된 전달 및 선택이 용이하게 된다.
하기의 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 다수의 특정 상세가 기재된다. 하지만, 본 발명이 이 특정 상세의 일부 또는 전부없이도 실행될 수 있음이 당업자에게 명백하다. 다른 예시에서, 잘 알려진 공정 단계들은 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위해서 상세히 기재하지 않았다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로세스 모듈 (104) 의 하이 레벨 개략도이다. 프로세스 모듈은 세정룸 (102) 에 배치되고, 컴퓨터 (106) 에 연결될 수 있다. 세정룸 (102) 은 프로세스 모듈 (104) 내에서 사용하기 위한 유체 및 기체를 제공할 수 있는 설비 (110) 를 포함할 수 있다. 유체 및 기체의 보 관 및 도포를 제어하기 위해서, 프로세스 모듈 (104) 은 유체 제어장치 (111) 및 기체 제어장치 (108) 를 포함할 수 있다. 기체 제어장치 (108) 는 공기 필터, 기체 밸브 및 프로세스 모듈에서 사용되는 기체의 온도 및 습도를 제어하기 위한 디바이스를 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 유체 제어장치 (111) 는 유체 핸들러 (112), 흐름 제어기 (114), 및 밸브 (116) 를 포함할 수 있다. 유체 핸들러 (112) 는 프로세스 화학물질 (CHEM), 탈이온수 (DIW), 및 기타 재료나 용액을 보관하기 위해 사용할 수 있다. 흐름 제어기 (114) 및 밸브 (116) 는 유체의 혼합 및 분사를 제어하기 위해 사용할 수 있다. 추가 유체 제어장치 (111) 는 프로세스 화학물질 및 탈이온수를 재순환시킬 수 있는 장비를 포함할 수 있다.
프로세스 모듈 (104) 은 단일의 프로세스 스테이션 또는 다중의 프로세스 스테이션을 가질 수 있다. 프로세스 모듈 (104) 은 도 1에 도시된 것보다 적거나 많은 프로세스 스테이션을 포함할 수 있다. 개별 프로세스 스테이션은 이에 한정되지 않지만, 도금, 식각, 린싱, 세정 또는 반도체 프로세싱 환경에서 통상 사용되는 기타 공정을 포함하는 프로세싱 중 하나 또는 그 조합을 수행할 수 있다.
일 실시형태에서 근접 스테이션 (118 및 122) 은 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 로 구성되는 근접 헤드를 포함할 수 있다. 메니스커스 (154) 는 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 사이에서 프로세스 유체로부터 형성되고, 캐리어 (156) 에 의해 홀딩되는 기판 (152) 은 메니스커스 (154) 를 통과할 수 있다. 근접 스테이션의 또 다른 예는 근접 스테이션 (120) 이다. 근접 스테이션 (120) 은메니 스커스 (154) 를 형성할 수 있는 헤드 (150a) 및 캐리어 (156) 를 포함할 수 있다. 또한, 기판 (152) 표면 세정용 브러쉬 (158) 가 근접 스테이션 (120) 에 포함될 수 있다. 도 1에 도시된 근접 스테이션은 예시하기 위한 것으로, 실제 근접 스테이션의 스케일로 간주되거나 기능이 제한되는 것으로 간주되어서는 안된다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 근접 스테이션 (118) 의 예시적인 구성을 나타낸다. 기판 (152) 이, 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 를 구비한 근접 헤드를 포함할 수 있는 근접 스테이션 (118) 으로 삽입된다. 캐리어 (156) 가 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 사이에서 기판 (152) 을 홀딩 및 가이드할 수 있다. 일 실시형태에서, 메니스커스 (154) 가 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 사이에서 처음 형성된다. 또 다른 실시형태에서, 메니스커스 (154) 는 헤드 (150a) 의 표면 및 기판 (152) 의 표면 (그리고 캐리어 (156) 의 표면) 사이에서 형성될 수 있다. 메니스커스 (154) 는 근접 헤드 (150a) 의 표면 및 기판 표면 사이에서 형성할 수 있는 제어된 유체 메니스커스이고, 유체의 표면 장력이 메니스커스 (154) 를 제어된 형태로 제자리에 홀딩한다. 또한, 메니스커스 유체의 전달 및 제거의 제어는 메니스커스 (154) 의 다른 제어를 보장할 수도 있다. 메니스커스 (154) 는 세정, 프로세스, 식각, 또는 기판의 표면 (152) 을 프로세스하기 위해 사용될 수 있다.
메니스커스 (154) 는 메니스커스 유체를 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 에 공급하고 제어된 방식으로 메니스커스 유체를 진공에 의해 제거함으로써 근접 스테이션 내에 발생된다. 선택적으로, 기체 장력 감소제가 근접 헤드 (150a) 에 제공 되어, 메니스커스 (154) 및 기판 (152) 사이의 표면 장력을 감소시킬 수 있다. 근접 헤드 (150a 및 150b) 에 공급된 기체 장력 감소제는 메니스커스 (154) 가 증가된 속도로 기판 (152) 의 표면 상부에서 이동하도록 할 수 있다 (이로써 처리량이 증가함). 기체 장력 감소제의 예는 질소와 혼합된 이소프로필 알코올 (IPA/N2) 일 수 있다. 기체 장력 감소제의 또 다른 예는 이산화 탄소 (CO2) 일 수 있다. 또한, 기체가 기판 (152) 의 특정 표면에 대해 바람직한 프로세싱을 방해하지 않는 한, 다른 종류의 기체가 사용될 수도 있다.
도 2에 도시된 실시형태는 단일의 유체 공급부에 연결된 것을 도시한다. 근접 헤드의 다른 실시형태는 다중의 유체 공급부 및 장력 감소를 위한 다중의 다양한 기체를 포함할 수 있다. 이러한 실시형태는 단일의 근접 헤드가 다중의 프로세스 유체를 도포 및 제거하게 할 수 있다. 또한, 완전함을 위해, 근접 스테이션이 임의의 배향으로 있을 수 있고, 그러한 것으로서 메니스커스 (154) 가 수평이 아닌 표면 (예를 들어, 수직 기판 또는 소정 각도로 홀딩되는 기판) 에 적용될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판 (152) 이 메니스커스 (154) 로 들어가는 경우 근접 스테이션 (118) 의 예시적인 측면도를 나타낸다. 메니스커스 (154) 는, 메니스커스 공급 포트 (304a) 및 메니스커스 공급 포트 (304b) 를 이용하여 유체를 공급함으로써 헤드 (150a 및 150b) 사이에서 처음 형성될 수 있다. 메니스커스 (154) 의 형성은, 메니스커스 (154) 의 경계 (306) 가 헤드 (150a) 의 표면 (308a) 또는 헤드 (150b) 의 표면 (308b) 과 접촉하는 곳에서, 메니스커스/헤드 경계 (310) 를 생성한다. 캐리어 (156) 가 헤드 (150a) 및 헤드 (150b) 사이에서 기판 (152) 을 이동시킬 때, 기판 (152) 은 진공 포트 (300a/300a' 및 300b/300b') 와 마주한다. 일 실시형태에서, 진공 포트 (300a/300a' 및 300b/300b') 는 메니스커스 (154) 로부터 유체를 제거하도록 구성되나, 또한 기판 (152) 의 표면으로부터 임의의 오염물, 파티클 또는 원치않는 재료를 제거하는 것을 보조한다. 진공 포트 (300a/300a' 및 300b/300b') 의 진공률을 조심스럽게 제어함으로써, 메니스커스 (154) 가 헤드 (150a) 의 표면 (308a) 및 헤드 (150b) 의 표면 (308b) 사이에서 홀딩되는 것을 보장하는 것이 가능하다.
진공 포트 (300a 및 300b) 아래를 통과한 후, 캐리어 (156) 및 기판 (152) 은 메니스커스 (154) 로 들어간다. 캐리어 (156) 및 기판 (152) 이 메니스커스 (154) 로 들어가는 경우, 메니스커스/표면 경계 (312) 가 기판 (152) 의 표면 (152a) 또는 표면 (152b) 과 메니스커스 (154) 의 경계 (306) 사이의 계면에서 형성된다. 상술한 진공 기술을 이용하고, 메니스커스 공급 포트 (304a 및 304b) 를 통한 메니스커스 유체의 유입을 제어함으로써, 메니스커스 유체에 캐리어 (156) 및 기판 (152) 이 대신 들어서는 경우 메니스커스 (154) 가 안정을 유지할 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 기체 장력 감소제를 분사할 수 있는 기체 포트 (302a 및 302b) 가 진공 포트 (300a' 및 300b') 각각의 좌측에 배치된다. 앞서 논의한 바와 같이, 기체 장력 감소제는 메니스커스 (154) 및 기판 (152) 사이에서 표면 장력을 감소시킬 수 있다. 또한, 기체는 진공 포트 (300a' 및 300b') 와 함께 사용되어 헤드 (150a 및 150b) 내에서 메니스커스 (154) 를 포함하는 것을 도울 수 있다. 경계 (306) 상의 기체의 추가 이점 및 효과가 도 3d에서 설명된다. 다른 실시형태에서, 추가 기체 포트가 도 3d에 도시된 바와 같이 진공 포트 (300a 및 300b) 의 우측에 배치될 수 있다. 도 3a 및 도 3d에 나타낸 바와 같이, 기체 포트 (302a/302a' 및 302b/302b') 가 메니스커스 (154) 측으로 기울어지게 도시됨에 유의한다. 도시된 각도는 예시이며, 기체 포트의 각도가 특정 애플리케이션에 따라 달라질 수 있으므로 한정되는 것으로 간주되어서는 안된다.
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 헤드 (150a) 의 표면 (308a) 상의 포트 레이아웃의 예시적인 개략도를 나타낸다. 도 3b는 진공 포트 (300a) 다음에 메니스커스 공급 포트 (304a) 가 수반되는 도 3a로부터의 헤드 (150a) 의 하면도를 나타낸다. 메니스커스 공급 포트 (304a) 다음에 진공 포트 (300a') 및 기체 포트 (302a) 가 수반된다. 도 3c는 기체 포트 (302a'/302a) 가 진공 포트 (300a/3OOa') 를 둘러싸는 헤드 (150a) 의 실시형태를 나타낸다. 또한, 도 3c에서는 메니스커스 공급 포트 (304a) 주위에 진공 포트 (300a/300a') 가 있는 것이 도시된다. 도 3b 및 도 3c에서, 진공 포트 (300a/300a') 및 메니스커스 공급 포트 (304a) 에 대한 개구부가 각각 사각형 및 삼각형으로 도시됨에 유의한다. 포트 개구부의 각종 형상은 도면 내에서 포트 종류를 구별하는 것을 돕기 위한 노력으로 만들어졌다. 포트 개구부는 각종 형상으로 만들어질 수 있고, 도 3b 및 도 3c에 도시된 것을 제한으로 간주해서는 안된다.
도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 기판 (152) 이 메니스커스 (154) 를 통과하는 경우의 근접 스테이션 (118) 의 예시적인 측면도를 나타낸다. 캐리어 (156) 및 기판 (152) 이 메니스커스 (154) 에서 나올 때, 포트 (302a 및 302b) 는 메니스커스/표면 경계 (312) 에 기체 장력 감소제의 흐름을 분사하기 위해서 사용된다. 일 실시형태에서, 기체 장력 감소제는 압력 하에서 포트 (302a 및 302b) 에 공급되거나, 또는 포트 (302a 및 302b) 로 단순히 전달될 수 있는 기체 CO2 일 수 있으며, CO2 가 흘러나와 경계 (306) 가까이에 존재한다. 가압한다면, CO2 흐름은 약 5 psi ~ 약 60 psi 의 압력에서 전달될 수 있다. 일 예에서, CO2 는 비활성 기체로 희석될 수 있거나 또는 순 (pure) CO2 로 적용될 수도 있다. 일 실시형태에서, CO2 흐름은 IPA/N2 혼합물과 같은, 다른 장력 감소 기체의 흐름과 적어도 동등하고, 다른 실시형태에서는, CO2 흐름이 보다 많을 수 있다. 또 다른 예에서는, 각각의 포트 (302a) 및 포트 (302b) 로부터의 CO2 흐름이 IPA/N2 혼합물이 사용될 때 제공될 수 있는 흐름의 약 1.1 ~ 약 1.8 배의 범위이다. IPA/N2 혼합물이 사용될 때, 흐름은 특정 애플리케이션, 적용되는 유체의 종류, 메니스커스 (154) 에 대한 기판의 속도, 및 다른 인자에 대해 조정된다. 보다 일반적인 상식으로, 기판 상부에서 이동하는 메니스커스의 상대 속도를 증가시키기 원한다면 (예를 들어, 처리량 증가 등을 원한다면), CO2 흐름이 증가하도록 구성되 어야 한다.
기체 장력 감소제, 일 실시형태에서 CO2 는, 메니스커스 (154) 의 유체에 대한 일종의 마랑고니 효과를 증진시키기 위해 제공된다. 마랑고니 효과는 표면 장력의 차이에 의한 액체층 상의, 또는 액체층에서의 매스 (mass) 이동이다. 표면 장력이 높은 액체는 표면 장력이 낮은 액체보다 주위 액체에 대해 더 강하게 끌어당기기 때문에, 표면 장력에서의 구배의 존재는 표면 장력이 낮은 영역으로부터 액체를 멀리 흐르게 한다. 정의된 실시형태에서, CO2 기체의 분사는 기판 (152) 의 표면 (152a) 에서 메니스커스/표면 경계 (312) 에서의 표면 장력을 감소시키는 것을 돕는다. 기판 (152) 의 표면에 대한 메니스커스/표면 경계 (312) 의 표면 장력을 낮춤으로써, 기판 (152) 의 표면을 따라 메니스커스 (154) 를 보다 빠른 속도로 이동시키거나 횡단시키는 것이 가능하고, 유체, 액적 또는 건조된 유체 액적 또는 비즈로부터의 얼룩의 흔적을 최소화 (또는 제거) 하는 것이 가능하다.
일 실시형태에서, 캐리어 (156) 및 기판 (154) 이 약 10 mm/second ~ 약 40 mm/second 의 속도로 메니스커스 (154) 를 통해 이동하는 동안, 헤드 (150a 및 150b) 는 정지한 채로 있다. 또 다른 실시형태에서는, 캐리어 (156) 및 기판 (152) 이 정지한 채로 있는 동안, 헤드 (150a 및 150b) 및 메니스커스 (154) 가 이동할 수 있다. 또 다른 실시형태에서는, 헤드 (150a 및 150b) 및 기판 (152) 이 약 10 mm/second ~ 약 40 mm/second 의 속도인 헤드 (150a 및 150b) 에 대한 기 판 (152) 의 상대 속도로 이동할 수 있다.
마랑고니 효과를 형성하는 CO2 의 사용은, 이에 한정되지는 않지만, 마랑고니 효과를 형성할 수 있는 다른 기체 또는 기체 혼합물과 비교하여 감소된 인화성을 포함하여 추가적인 이익을 제공한다. CO2 의 비활성 성질은 기체 포트 (302a/302a' 및 302b/302b') 에 의해 분사된 기체의 인화성을 감소시킬 수 있다. 인화성의 감소는 화제 진압 장비를 감소시키고, 이로써 근접 스테이션의 설계, 건축 및 관리과 관련된 비용을 감소시키고 단순화시킬 수 있다. 기체 CO2 가 용이하게 사용될 수 있고, 헤드 (150a 및 150b) 에 공급되기 이전에 기화 및 포화와 같은 프로세싱을 요구하지 않을 수 있으므로, CO2 를 사용함으로써 추가적인 단순화 및 비용 감소를 실현할 수 있다.
또한, CO2 에 대한 노출 이후, 메니스커스 유체에 대한 변화가 거의 없을 수 있고, 이로써 다른 각종 기체에 노출된 메니스커스 유체의 재순환과 비교할 때, 메니스커스 유체의 재순환을 단순화할 수 있다. CO2 이외의 기체는 기화된 첨가제를 포함할 수 있다. 메니스커스 유체가 기체에 반복적으로 노출된 이후, 기화된 첨가제는 메니스커스 유체 내에서 응축하여, 결국 메니스커스 유체의 성질을 변화시킬 수 있다. 응축된 첨가제의 제거 실패는, 이에 한정되지 않지만, 메니스커스 유체의 감소된 효능을 포함하여 원하지 않는 프로세싱 특성을 초래할 수 있다. 응축된 첨가제가 완전히 혼합되고 메니스커스 유체와 통합되는 경우, 추가 장비 및 프로세스 단계들이 메니스커스 유체의 재순환을 복잡하게 하는 응축된 첨가제의 제거에 요구된다. CO2 를 사용하여, 메니스커스 유체에 대한 변화가 메니스커스 유체의 주의깊은 선택에 의해 최소화 및 제어될 수 있다. 또한, CO2 는 제거되어야 하는 메니스커스 유체에 첨가제를 도입하지 않기 때문에, 재순환 장비의 설계, 구현 및 동작과 관련된 비용을 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 포트 (302a) 로부터 분사된 기체 및 메니스커스 (154) 사이에서의 마랑고니 효과를 나타낸다. 간략화를 위해, 메니스커스 (154) 및 기판 (152) 의 표면 (152a) 사이에 메니스커스/표면 경계 (312) 가 도시된다. 포트 (302a) 로부터 분사된 기체에 의해 생성되는, 메니스커스의 표면에 따른 표면 장력 구배 (400) 가 메니스커스/표면 경계 (312) 에서 경계 (306) 까지 도시된다. 메니스커스 공급 포트로부터 전달된 메니스커스 유체와 함께, 포트 (302a) 로부터의 기체는, 기체 및 메니스커스 유체 혼합물이 경계 (312) 에서 장력을 감소시키고 경계 (306) 에서는 상대적으로 더 높은 표면 장력을 생성하는 방식으로 혼합한다. 메니스커스/표면 경계 (312) 에 대한 경계 (306) 에 따른 보다 높은 장력은, 보다 낮은 표면 장력을 가지는 유체가 보다 높은 표면 장력을 가지는 유체 측으로 끌어당겨지는 마랑고니 효과를 형성한다. 그 결과, 메니스커스 (154) 의 벌크를 향해 유인되는 메니스커스/표면 경계 (312) 의 유체가 기체 포트 (302a) 아래를 통과한 이후의 기판 (152) 이 실질적으로 건조되게 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 미세 액적 (500) 이 기판 (152) 의 표면 (152a) 상에 형성되는 조건의 예를 나타낸다. 기판 (152) 이 기체 포트 (302a) 아래를 통과한 이후, 메니스커스 유체의 미세 액적 (500) 이 기판 (152) 의 표면 상에 남아있는 것이 가능하다. 일반적으로 바람직하지 않지만, 미세 액적 (500) 은 메니스커스/표면 경계 (312) 가 파괴될 때 형성되어, 기판 (152) 의 표면 (152a) 상에 메니스커스 유체의 미세 액적 (500) 을 남길 수 있다. 미세 액적 (500) 은 매우 작고, 메니스커스 (154) 로부터 빠져나간후 거의 즉시 증발할 수 있다. 미세 액적 (500) 은 미소량의 잠재적인 오염 물질을 함유할 수 있기 때문에, 미세 액적 (500) 이 바람직하지 않다. 미세 액적 (500) 의 증발 이후, 오염 물질이 기판 (152) 의 표면 (152a) 상에 증착될 수도 있다.
일 실시형태에서, 포트 (302a) 로부터의 CO2 분사는 메니스커스 (154) 유체의 pH 를 변화시킬 수 있고, 그 결과 미세 액적 (500) 내에 규산과 같은 오염물의 양을 감소시킬 수 있다. 기판 (152) 이 포트 (302a) 아래를 통과할 때, 메니스커스/표면 경계 (312) 에서의 메니스커스 유체가 CO2 에 노출되어, CO2 로 포화될 수 있다. 일 실시형태에서, 메니스커스/유체 경계 (312) 에서의 메니스커스 유체의 포화는 메니스커스 유체의 pH 를 낮출 수 있다. 메니스커스/유체 경계 (312) 에서의 낮아진 pH 는 규산 (H2SiO3) 의 형성을 감소시킬 수 있다. 즉, 미세 액적 (500) 이 형성되고 증발된다면, CO2 에 대한 노출에 의해 야기되는 규산의 감소가 기판 (152) 의 표면 (152a) 상의 오염 재료의 흔적을 감소시킬 수 있다.
다른 실시형태에서, 기체 장력 감소제에 대한 노출 이후 메니스커스 유체에 서의 소망하는 변화를 달성하기 위해서, 기체 장력 감소제에 민감한 첨가제를 메니스커스 유체에 첨가할 수 있다. 기체 장력 감소제로서 CO2 를 사용하고 소망하는 변화가 규산의 형성을 감소시키는 실시형태에서, 계면활성제를 메니스커스 유체에 첨가할 수 있다. CO2 에 민감하고 규산의 형성을 감소시킬 수 있는 계면활성제의 예는, 이에 한정되지 않지만, 아미드 산화물을 포함하며, 예컨대, 도데실디메틸아민 산화물 (DDMAO), 트리메틸아민 산화물 (TMAO), N,N-디메틸-N-도데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-테트라데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-헥사데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-옥타데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-(Z-9-옥타데세닐)-N-아민 산화물, N-도데실-N,N-디메틸 글리신, 포스페이트, 포스피트, 포스포네이트, 레시틴, 포스페이트 에스테르, 포스파티디일에탄올아민, 포스파티디일콜린, 포스파티디일 세린, 포스파티디일인노시톨, 또는 B'-O-리실포스파티디일글리세롤이다.
CO2 에 대한 노출에 의해 야기되는 pH 변화가 메니스커스 (154) 의 경계 (306) 에 한정될 수 있지만, 반복되는 노출이 결국엔 메니스커스 유체에 악영향을 미칠 수 있다. 하지만, 재순화된 메니스커스 유체의 pH를 모니터링 및 조정할 수 있는 재순환 장비를 사용함으로써 메니스커스 유체를 재순환하는 것이 여전히 가능하다.
CO2 분사, 및 근접 헤드의 동작은 컴퓨터 제어를 이용한 자동화 방식으로 제어될 수 있다. 즉 본 발명의 양태는 휴대용 디바이스, 마이크로 프로세서 시스템, 마이크로프로세서-기반 또는 프로그래밍가능한 가전 제품, 미니컴퓨터, 메인프 레임 컴퓨터 등을 포함하는 다른 컴퓨터 시스템 구성으로 실행될 수 있다. 또한, 본 발명은 네트워크를 통해 링킹되는 리모트 프로세싱 디바이스에 의해 태스크가 수행되는 컴퓨팅 환경을 배포함에 있어서 수행될 수도 있다.
유념중인 상기 실시형태와 함께, 본 발명은 컴퓨터 시스템에 저장된 데이터를 수반하는 각종 컴퓨터-구현 동작들을 채용할 수 있다. 이들 동작들은 물리량의 물리적 조작을 요구하는 것이다. 일반적으로, 반드시 필요하지는 않지만, 이들 분량은 저장, 전달, 결합, 비교, 및 그외 조작될 수 있는 전기 신호 또는 자기 신호의 형태를 취한다. 또한, 수행되는 조작은 생성, 식별, 결정, 또는 비교와 같은 용어로 종종 불린다.
본 발명의 부분을 이루는 본 명세서에 기재된 임의의 동작들은 유용한 머신 동작이다. 또한, 본 발명은 이들 동작을 수행하기 위한 디바이스 또는 장치에 관한 것이다. 장치는 상술한 캐리어 네트워크와 같이 필요한 목적을 위해 특별하게 구성될 수 있거나, 또는 컴퓨터에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 구성되는 범용 컴퓨터일 수 있다. 특히, 각종 범용 머신은 본 명세서에서의 교시에 따라서 기록된 컴퓨터 프로그램과 같이 사용될 수 있거나, 또는 요구되는 동작을 수행하기 위한 보다 특별한 장치를 구성하기에 보다 편리할 수 있다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 판독가능한 매체 상의 컴퓨터 판독가능한 코드로서 구현될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 데이터를 저장할 수 있는 임의의 데이터 저장 디바이스이고, 이것은 이후 컴퓨터 시스템에 의해 판독될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체의 예는 하드 드라이브, NAS (Network Attached Storage), ROM (read-only memory), RAM (random-access memory), CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD, 플래시, 자석 테이프, 그리고 기타 광학 및 비광학 데이터 저장 디바이스를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체는 또한 네트워크 연결된 컴퓨터 시스템에 걸쳐서 배포되어, 컴퓨터 판독가능 코드가 배포된 방식으로 저장되고 실행되도록 할 수 있다.
전술한 발명이 이해의 명료함을 위해 다소 상세히 기재되어 있지만, 첨부된 청구항의 범위 내에서 일정한 변경 및 수정이 가해질 수 있음은 명백하다. 따라서, 본 발명의 실시형태는 예시적이나 제한적이지 않는 것으로 간주되고, 본 발명은 본 명세서에 제공된 상세에 한정되지 않으나, 첨부된 청구항의 범위 및 등가물 내에서 수정될 수 있다.
메니스커스의 형성 및 기판의 표면에의 메니스커스의 적용에 대한 보다 많은 정보에 대해서는, (1) 2003년 9월 9일에 등록되고 발명의 명칭이 "웨이퍼 근접 세정 및 건조를 위한 방법 (METHODS FOR WAFER PROXIMITY CLEANING AND DRYING)" 인 미국 특허 No. 6,616,772; (2) 2002년 12월 24일에 출원되고 발명의 명칭이 "메니스커스, 진공, IPA 증기, 건조 메니폴드 (MANISCUS, VACUUM, IPA VAPOR, DRYING MANIFOLD)" 인 미국 특허 출원 No. 10/330,843; (3) 2005년 1월 24일에 등록되고 발명의 명칭이 "동적 액체를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법 및 시스템 (METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING A SUBSTRATE USING A DYNAMIC LIQUID)" 인 미국 특허 No. 6,998,327; 및 (4) 2002년 9월 30일에 출원되고 발명의 명칭이 "웨 이퍼에 가깝게 근접되어 홀딩된 복수의 유입구 및 배출구를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면을 건조하기 위한 방법 및 장치 (METHOD AND APPARATUS FOR DRYING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES USING A PLURALITY OF INLETS AND OUTLETS HELD IN CLOSE PROXIMITY TO THE WAFER" 인 미국 특허 No. 7,234,477 을 참조할 수 있다.
전술한 발명이 이해의 명료함을 위해서 다소 상세히 기재되었지만, 첨부된 청구항의 범위 내에서 일정한 변경 및 수정이 가해질 수 있음은 명백하다. 따라서, 본 발명의 실시형태는 예시적이나 제한적이지 않는 것으로 간주되고, 본 발명은 본 명세서에 제공된 상세에 한정되지 않으나, 첨부된 청구항의 범위 및 등가물 내에서 수정될 수 있다.
Claims (20)
- 근접 헤드를 사용하여 기판을 프로세싱하는 방법으로서,기판의 표면에 근접하게 위치한 헤드 표면을 가지는 헤드를 제공하는 단계로서, 상기 헤드는 폭 및 길이를 가지고, 또한 상기 헤드는 상기 헤드의 길이를 따라 열들 (rows) 로 구성된 복수의 포트를 가지며, 복수의 상기 열들은 상기 헤드의 폭 이상으로 연장되고, 제 1 그룹의 포트는 상기 기판의 표면에 제 1 유체를 분사하여 상기 기판의 표면 및 상기 헤드 표면 사이에 메니스커스 (meniscus) 가 형성되게 하도록 구성되는, 상기 헤드를 제공하는 단계; 및상기 헤드의 제 2 그룹의 포트로부터 기체인 이산화 탄소를 상기 메니스커스 및 상기 기판 사이의 계면에 전달하여, 상기 이산화 탄소가 상기 기판의 표면에 대한 상기 메니스커스 상의 감소된 표면 장력의 증진을 보조하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이산화 탄소는 상기 계면에서 상기 제 1 유체의 pH 레벨를 낮추어, 상기 메니스커스에 노출된 이후 상기 기판의 표면 상에 잔존하는 임의의 미세 액적 (micro-droplet) 에서의 오염물의 형성을 억제하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,도데실디메틸아민 산화물 (DDMAO), 트리메틸아민 산화물 (TMAO), N,N-디메틸-N-도데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-테트라데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-헥사데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-옥타데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-(Z-9-옥타데세닐)-N-아민 산화물, N-도데실-N,N-디메틸 글리신, 포스페이트, 포스피트, 포스포네이트, 레시틴, 포스페이트 에스테르, 포스파티디일에탄올아민, 포스파티디일콜린, 포스파티디일 세린, 포스파티디일인노시톨, 또는 B'-O-리실포스파티디일글리세롤로 이루어지는 그룹으로부터 선택된, 이산화 탄소 반응성 아민 산화물 계면활성제를 상기 제 1 유체에 첨가하여 규산의 형성을 억제하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 프로세싱은 세정, 식각, 또는 증착 중 하나를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 프로세싱을 조정하기 위해 컴퓨터 제어장치가 사용되는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이산화 탄소의 기체는 압축된 소스로부터 적용되는, 기판 프로세싱 방법.
- 기판의 표면에 프로세스 유체를 적용하는 단계로서, 상기 프로세스 유체는 헤드 및 상기 기판의 표면 사이에 메니스커스를 형성하고, 상기 메니스커스는 상기 프로세스 유체 및 상기 기판에 의해 정의된 계면을 가지는, 상기 프로세스 유체를 적용하는 단계;상기 메니스커스의 계면을 향해 지향된 배향으로 이산화 탄소 기체를 적용하는 단계로서, 이산화 탄소를 상기 계면에서 상기 메니스커스와 적어도 부분적으로 혼합하여 상기 기판의 표면 상부에서의 상기 메니스커스의 표면 장력을 감소시키는 것을 보조하도록 하는, 상기 이산화 탄소 기체를 적용하는 단계; 및상기 프로세스 유체 및 상기 이산화 탄소 기체를 적용하면서 상기 기판의 표면에 대해 상기 메니스커스를 이동시키는 단계로서, 상기 메니스커스는 상기 이동 중에 실질적으로 그대로 유지하는, 상기 메니스커스를 이동시키는 단계를 포함하고,상기 이산화 탄소 기체를 적용하는 단계는, 설정 속도로의 상기 메니스커스의 이동을 가능하게 하는 흐름을 전달하도록 조정되는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 설정 속도는, 이동되는 경우 상기 메니스커스에 노출되었던 영역에서 상기 기판의 표면 상부에서의 미세 액적의 형성을 감소시키도록 정의되는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 이산화 탄소는 상기 계면에서 상기 프로세스 유체의 pH 레벨을 낮추어, 상기 메니스커스에 노출된 이후 상기 기판의 표면 상에 잔존하는 임의의 미세 액적에서의 오염물의 형성을 억제하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 이산화 탄소 기체는 압축된 소스로부터 적용되는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 이산화 탄소 기체에 노출되는 경우 pH 에 민감한 상기 프로세스 유체에 아민 산화물 계면활성제를 첨가하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 아민 산화물 계면활성제는 도데실디메틸아민 산화물 (DDMAO), 트리메틸아민 산화물 (TMAO), N,N-디메틸-N-도데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-테트라데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-헥사데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-옥타데실 아민 산화물, N,N-디메틸-N-(Z-9-옥타데세닐)-N-아민 산화물, N-도데실-N,N-디메틸 글리신, 포스페이트, 포스피트, 포스포네이트, 레시틴, 포스페이트 에스테르, 포스파티디일에탄올아민, 포스파티디일콜린, 포스파티디일 세린, 포스파티디일인노시톨, 또 는 B'-O-리실포스파티디일글리세롤로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 프로세싱은 세정, 식각, 또는 증착 중 하나를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판의 프로세싱을 조정하기 위해 컴퓨터 제어장치가 사용되는, 기판 프로세싱 방법.
- 기판의 표면에 근접하게 배치되도록 구성된 헤드 표면을 가지는 헤드를 포함하고,상기 헤드는,상기 기판의 표면에 유체를 전달하여, 상기 유체가 전달되는 경우 상기 기판의 표면 및 상기 헤드 표면 사이에 메니스커스가 형성될 수 있도록 구성되는 복수의 제 1 포트와,상기 메니스커스 및 상기 기판 사이의 계면으로 기체인 이산화 탄소를 전달하도록 구성된 복수의 제 2 포트를 포함하며,상기 이산화 탄소는 상기 메니스커스 상에 마랑고니 (Marangoni) 효과를 형 성하는, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
- 제 15 항에 있어서,상기 기판의 또 다른 표면에 근접하게 배치되도록 구성된 헤드 표면을 가지는 또 다른 헤드를 더 포함하며,상기 또 다른 헤드는,상기 기판의 또 다른 표면에 유체를 전달하여, 상기 유체가 전달되는 경우 상기 기판의 또 다른 표면 및 상기 헤드 표면 사이에 메니스커스가 형성될 수 있도록 구성되는 복수의 제 1 포트와,상기 메니스커스 및 상기 기판 사이의 계면에 기체인 CO2 를 전달하도록 구성된 복수의 또 다른 포트를 포함하며,상기 CO2 는 상기 메니스커스 상에 마랑고니 효과를 형성하는, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
- 제 15 항에 있어서,상기 근접 스테이션은 프로세스 모듈 내부의 콤포넌트인, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
- 제 17 항에 있어서,또 다른 근접 스테이션;기체 제어장치;유체 제어장치; 및근접 스테이션, 분위기 제어장치 및 유체 제어장치의 동작을 제어할 수 있는 컴퓨터를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
- 제 18 항에 있어서,상기 프로세스 모듈은 세정룸에 설치가능한, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
- 제 19 항에 있어서,상기 프로세스 모듈에 프로세스 유체를 공급할 수 있는 설비를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 근접 스테이션.
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