KR20090102615A - 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치 - Google Patents
자기 기록 매체 및 자기 기록 장치Info
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Abstract
본 발명은 수직 자기 기록에 적합한 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치에 관한 것으로서, 교환 결합력 제어층을 두껍게 하여도 수직 자기 기록 특성을 유지하고, 양산성의 향상을 꾀하는 것을 목적으로 한다.
기판(1)과, 그 상부에 형성된 연자성 받침층(2)과, 그 상부에 형성된 비자성 중간층(3)과, 그 상부에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 제 1 기록 자성층(4)과, 그 상부에 형성된 교환 결합력 제어층(5)과, 그 상부에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 제 2 기록 자성층(6)을 갖고, 상기 제 1 기록 자성층(4)과 제 2 기록 자성층(6)이 교환 결합력 제어층(5)을 통하여 강자성 결합하여 이루어지는 자기 기록 매체로서, 상기 교환 결합력 제어층(5)으로서 루테늄에 산화물을 첨가한 그래뉼라(granular) 재료를 사용한다.
Description
본 발명은 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치에 관한 것으로, 특히 수직 자기 기록에 적합한 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치에 관한 것이다.
정보화 사회의 진전과 함께, 정보 기록 장치의 중심적 역할을 담당하는 자기 기록 장치에서는, 내장되는 자기 기록 매체에 대하여 고기록 밀도가 한층더 요구되고 있다. 예를 들면, 하드디스크 드라이브(Hard Disk Drive: HDD)에서는, 하드디스크의 기록 밀도가 연율로 50％ 이상이라는 속도로 향상되고 있다. 이러한 고기록 밀도를 실현하는 데는 기록층의 자화가 면내 방향을 향한 면내 기록 매체보다도, 그 자화가 수직 방향을 향한 수직 자기 기록 매체가 유리하다고 여겨지고 있다. 수직 자기 기록 매체에서는, 기록층의 인접하는 비트의 자화끼리가 반 평행하게 되어 서로 강화되기 때문에 고기록 밀도화를 실현하기 쉽다.
다만, 기록 밀도가 높아지면, 1 비트의 자기 정보를 담당하는 자구 도메인의 면적이 감소하고, 그 자구 도메인에서의 자화의 강도가 약해지므로, 자화가 열에 의해 반전하여 자기 정보가 소실되는 「열요동(thermal fluctuation)」의 문제가 현저해진다. 열요동의 대책으로서, 자기 이방성 에너지가 큰 재료를 사용하는 것이 고려되지만, 한쪽에서 자기 이방성 에너지가 크면 자기 기록 정보를 기입하기 위한 기록 자계도 커지기 때문에, 기록층의 기입 용이성이 저감된다.
이렇게, 기록층의 열요동 내성과 기입 용이성과는 서로 트레이드 오프의 관계에 있고, 이들을 어떻게 해서 양립시킬지가 수직 자기 기록 매체의 개발에 중요해지고 있다.
그들의 양립을 꾀하기 위해서, 특허문헌 1에서는 소위 ECC(Exchange Coupled Composite) 자기 기록 매체가 제안되고 있다. 이 ECC 자기 기록 매체는 자화용이축이 기판에 대하여 수직과 면내, 또는 서로 경사 방향에 있는 2층의 기록층을 적층하고, 그들 사이에 비자성 또는 고 포화 자성의 교환 결합력 제어층(중간층)을 삽입함으로써, 각 기록층 간의 교환 결합 에너지를 제어하여 기록 자계의 저감을 행하는 매체이다. 특허문헌 1에서는 비자성의 교환 결합력 제어층으로서 Ru(루테늄)층이 개시되고, 고 포화 자성의 교환 결합력 제어층으로서 Co(코발트)층이 개시되고 있다. 특히, 교환 결합력 제어층 재료로서는, 기록층과 격자 정합성이 좋은 Ru를 사용하는 것이 바람직하다.
[특허문헌 1] 일본국 특허 공개 2005-56555호 공보
그러나, 비자성의 교환 결합력 제어층으로서 Ru만을 사용했을 경우, 교환 결합력 제어층이 너무 두꺼우면, 상하의 기록층의 교환 결합 에너지가 작아져 버리고, 기록 자계에 의해 한쪽의 기록층의 자화가 반전하여도 다른쪽의 기록층의 자화가 반전하지 않아서, 자기 정보를 기입하기 위해 기록 자계를 강화하여야만 한다. 그 때문에, ECC 자기 기록 매체에서 비자성의 교환 결합력 제어층을 형성하는 경우에는, 교환 결합력 제어층의 두께를 0.2㎚ 이하 정도까지 얇게 할 필요가 있다. 그러나, 교환 결합력 제어층의 막두께를 제어해서 이와 같이 매우 얇게 하는 것은 매우 어렵고, 자기 기록 매체의 양산성에 문제가 있다.
본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것이며, 교환 결합력 제어층을 두껍게 하여도 수직 자기 기록 특성을 유지하고, 따라서 양산성의 향상을 꾀할 수 있는 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제는, 본 발명의 제 1 관점으로부터는,
기재(基材)와, 상기 기재 위에 형성된 연자성 받침층과, 상기 연자성 받침층 위에 형성된 중간층과, 상기 중간층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 제 1 기록층과, 상기 제 1 기록층 위에 형성되고, 루테늄을 포함하는 금속에 산화물을 첨가한 그래뉼라(granular) 재료로 이루어지는 교환 결합력 제어층과, 상기 교환 결합력 제어층 위에 형성되고, 수직 자기 이방성을 갖고, 상기 교환 결합력 제어층 을 통하여 상기 제 1 기록층과 강자성 결합하여 이루어지는 제 2 기록층을 갖는 자기 기록 매체에 의해 해결할 수 있다.
또한, 상기 발명에서, 상기 산화물을 이산화실리콘으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 교환 결합력 제어층은 상기 루테늄에 상기 이산화실리콘을 3at％ 이상 6at％ 이하의 첨가량으로 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 발명에서, 상기 교환 결합력 제어층의 두께를 0.3㎚ 이상 0.5㎚이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 교환 결합력 제어층이 루테늄에 산화물을 첨가한 그래뉼라 재료인 것이 바람직하다.
또한, 상기의 과제는 본 발명의 다른 관점으로부터는,
청구항 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체와, 상기 자기 기록 매체에 대향하여 설치된 자기헤드를 갖는 자기 기록 장치에 의해 해결할 수 있다.
본 발명에 의하면, 교환 결합력 제어층을 두껍게 형성하여도 기록층의 교환 결합 에너지를 높게 유지할 수 있기 때문에, 수직 자기 기록 특성의 향상 및 양산성의 향상을 함께 꾀할 수 있다.
도 1은 본 발명의 1 실시예에 따른 자기 기록 매체의 단면도.
도 2는 교환 결합력 제어층의 막두께와 반전 자계와의 관계를 도시한 도면.
도 3은 Ru에 대한 SiO2의 첨가량과 Ru층 두께 마진과의 관계를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 1 실시예에 따른 자기 기록 재생 장치의 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 : 기판
2 : 연자성 받침층
3 : 비자성 중간층
4 : 제 1 기록 자성층
5 : 교환 결합력 제어층
6 : 제 2 기록 자성층
7 : 보호층
9 : 자기 기록층
10 : 수직 자기 기록 매체
11 : 디스크
13 : 자기 헤드
20 : 자기 기록 재생 장치
다음으로, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 도면과 함께 설명한다.
도 1은 본 발명의 1 실시예인 ECC 구조를 갖는 수직 자기 기록 매체(10)의 기본 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다. 동 도면에 도시한 바와 같이, ECC 구조를 갖는 수직 자기 기록 매체(10)는 기판(1) 위에, 연자성 받침층(2), 비자성 중간층(3), 자기 기록층(9), 보호층(7)을 적층한 구성을 갖는다.
기판(1)은 유리, 알루미늄, Si 등의 비자성 재료로 형성된 비자성 기판이다. 이 상부에 적층되는 연자성 받침층(2)은, 고 투자율(permeability)로 비정질인 FeCo합금을 사용하였다. 이 연자성 받침층(2)은 비자성층을 포함하는 복수층을 적층한 구성으로 하여도 좋다. 예를 들면, FeCoB층, Ru층, FeCoB층의 각 층을 적층한 구성으로 할 수도 있다.
비자성 중간층(3)은 자기 기록층(9)의 자화용이축의 면직 배향을 촉진함으로써, 결정성의 향상을 도모하기 위한 층이며, 단층 또는 복수층으로 형성된다. 본 실시예에서는 자기 기록층(9)과 격자 정합성이 양호한 루테늄(Ru)을 사용하였다. 그러나, 비자성 중간층(3)으로서, 예를 들면 아모퍼스 Ta층, NiFeCr층, Ru층의 적층, NiFeCr층, Ru층의 적층 등으로 형성하는 것도 가능하다.
자기 기록층(9)은 제 1 및 제 2 기록 자성층(4, 6)을 교환 결합력 제어층(5)으로 결합한 구성을 갖는다. 제 1 기록 자성층(4)은 높은 자기이방성(고(高) Hk)을 갖는 자성층이며, CoCrPt 합금에 SiO2을 첨가한 그래뉼라 재료를 이용하고, Pt 조성량을 20at ％이상으로 함으로써 고 Hk로 하였다. 또한, 제 2 기록 자성층(6)은 제 1 기록 자성층(4)에 비해서 낮은 자기이방성(저(低) Hk)을 갖는 자성층이며, CoCrPt 합금에 SiO2을 첨가한 그래뉼라 재료를 이용하고, Pt 조성량을 15at％ 이상으로 함으로써, 제 1 기록 자성층(4)보다는 자기이방성(Hk)이 작아지도록 구성하고 있다.
또한, 본 실시예에서는 하층을 제 1 기록 자성층(4)으로 하고, 그 상부에 교환 결합력 제어층(5)을 거쳐서 제 2 기록 자성층(6)을 적층한 구성으로 하고 있지만, 저 Hk의 기록 자성층을 하층으로 하고, 고 Hk의 기록 자성층을 그 상부에 교환 결합력 제어층(5)을 거쳐서 적층한 구성으로 하는 것도 가능하다.
교환 결합력 제어층(5)은 양호한 ECC 구조를 실현하기 위한 층이다. 본 실시예에서는, 이 교환 결합력 제어층(5)을 루테늄(Ru)에 SiO2을 6at％ 첨가한 그래뉼라 재료로 한 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 보호층(7)은 예를 들면 DLC (Diamond Like Carbon)층을 이용할 수 있고, 또한 이 보호층 위에 윤활제를 도포하여도 좋다.
다음으로, 본 실시예에 따른 자기 기록 매체(10)의 제조 순서에 대하여 설명한다.
자기 기록 매체(10)를 제조하기 위해서는, 우선 유리 기판 등의 비자성 기재(1) 위에, 연자성 받침층(2)으로서 스퍼터링법에 의해 CoNbZr층을 50∼100㎚, 더 바람직하게는 50㎚의 두께로 형성한다. 이 스퍼터링법에서는 기판 온도가 실온으로 유지되는 동시에, 프로세스 가스(스퍼터링 가스)로서 Ar가스를 사용하고, 또한 성막 압력은 약 0.5Pa로 하였다.
또한, 기재(1)는 유리 기판에 한정되는 것은 아니며, Al 합금 기재, 표면에 열산화막이 형성된 실리콘 기판, 또는 플라스틱 기판을 적용한 것도 가능하다. 또한, 연자성 받침층(2)은 단층 구조에 한정되지 않고, Ru층 등의 비자성층으로 연자성 받침층(2)을 분리하고 분리된 각 연자성층끼리를 반강자성적으로 결합시켜, 스파이크 노이즈(spike noise)의 원인이 되는 누설 자계가 연자성 받침층(2)으로부터 나가지 않도록 하여도 좋다.
다음으로, 프로세스 가스로서 Ar가스를 사용하는 스퍼터링법에 의해, 성막 압력을 0.5Pa로 하는 조건에서 연자성 받침층(2) 위에 Ru층을 20∼30㎚의 두께로 형성하고, 그것을 비자성 중간층(3)이라 한다. 이 비자성 중간층(3)을 형성할 때, 기판 온도는 실온으로 유지된다.
다음으로, 산화 실리콘(SiO2) 중에 CoCrPt 입자를 분산시켜서 이루어지는 그래뉼라 구조의 CoCrPt·SiO2층을 스퍼터링법으로 두께 약 10㎚로 형성하고, 그것을 제 1 기록 자성층(4)이라 한다. 이때, 상기한 바와 같이 Pt조성량을 20at％ 이상으로 함으로써, 형성되는 제 1 기록 자성층(4)의 고 Hk화를 꾀하고 있다. 또한, 이 제 1 기록 자성층(4)의 성막 조건은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시예에서는 프로세스 가스로서 Ar 가스를 사용하고, 성막 압력을 0.5Pa로 한다.
여기에서, 제 1 기록 자성층(4)의 하층인 Ru로 이루어지는 비자성 중간층(3)은, 그 결정 구조가 hcp(hexagonal close-peaked)이며, 제 1 기록 자성층(4) 중의 CoCrPt 입자의 배향을 수직 방향으로 갖춰지도록 기능한다. 그 결과, CoCrPt 입자는 비자성 중간층(3)과 마찬가지로 수직 방향으로 연장된 hcp 구조의 결정 구조로 되는 동시에, hcp 구조의 6각 기둥의 높이 방향이 자화용이축이 되어, 제 1 기록 자성층(4)이 수직 자기 이방성을 나타내게 된다.
또한, 제 1 기록 자성층(4)은 수직 자기 이방성을 나타내는 것이면, 그래뉼라 구조에 한정되지 않는다. 예를 들면, 수직 자기 이방성을 나타내는 CoCr계 합금층을 제 1 기록 자성층(4)으로서 형성하여도 좋다.
이어서, 산화 실리콘(SiO2) 중에 Ru 입자를 분산시켜서 이루어지는 그래뉼라 구조의 Ru·SiO2층을 스퍼터링법으로 두께 0.3㎚ 이상 0.5㎚ 이하로 형성하고, 이것을 교환 결합력 제어층(5)이라 한다. 이렇게, 본 실시예에서는 교환 결합력 제어층(5)의 막두께를 두껍게 설정하고 있기 때문에, 교환 결합력 제어층(5)의 성막 효율을 높일 수 있고, 따라서 수직 자기 기록 매체(10)의 양산성을 높일 수 있다.
상기한 바와 같이, 교환 결합력 제어층(5)이 형성되면, 이어서 교환 결합력 제어층(5)의 상부에 제 2 기록 자성층(6)이 형성된다. 구체적으로는, 프로세스 가스로서 Ar 가스를 사용하는 스퍼터링법에 의해, 성막 압력을 0.5Pa로 한 조건에서 교환 결합력 제어층(5) 위에 CoCrPt층을 두께 약 6㎚로 형성하고, 그 CoCrPt층을 제 2 기록 자성층(6)이라 한다. 이때, 상기한 바와 같이 Pt조성량을 15at％ 이상으로 함으로써, 형성되는 제 2 기록 자성층(6)의 자기이방성을 제 1 기록 자성층(4)에 비해서 저 Hk화하고 있다.
이 제 2 기록 자성층(6)은 제 1 기록 자성층(4)과 마찬가지로 수직 자기 이방성을 나타낸다. 제 1, 제 2 기록층(4, 6)은 교환 결합력 제어층(5)을 통하여 서로 강자성 결합하고, 각 기록층(4, 6) 사이의 교환 결합 에너지는 교환 결합력 제어층(5)에 의해 제어할 수 있다. 또한, 이것 제 1 및 제 2 기록 자성층(4, 6)의 형성 순서는 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이들의 형성 순서를 상기와는 반대로 하여도 좋다.
다음으로, C2H2가스를 반응 가스로 하는 RF-CVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition)법에 의해, 제 2 기록 자성층(6) 위에 보호층(7)으로서 DLC (Diamond Like Carbon) 층을 두께 약 4㎚로 형성한다. 또한, 그 상부에 윤활제를 도포하는 구성으로 하여도 좋다. 이상에 의해, 본 실시예에 따른 자기 기록 매체(10)가 제조된다.
상기한 본 실시예에 의한 수직 자기 기록 매체(10)는, 교환 결합력 제어층(5)으로서 루테늄에 산화물을 첨가한 것을 특징으로 하고 있다. 이렇게, 교환 결합력 제어층(5)으로서 루테늄에 산화물을 첨가함으로써, Ru층 두께 마진을 확대할 수 있다. 즉, 루테늄에 산화물(이산화실리콘)을 첨가함으로써, Ru는 산화물을 매트릭스로 한 그래뉼라 구조라 불리는 입상 구조가 된다.
이 교환 결합력 제어층(5)은 RKKY(Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida) 상호 작용이라 불리는 효과를 상하 자성층 간에 작용시켜 교환 결합력을 제어하고 있지만, 교환 결합력 제어층(5)이 입상 구조가 되는 것으로 그 작용이 약해지고, 그 만큼 작용이 강화되도록 교환 결합력 제어층(5)을 두껍게 하는 것이 가능하게 된다고 여겨진다.
동시에 교환 결합력 제어층(5) 자신을 입상 구조로 함으로써, 그 위에 적층하는 자성층(본 실시예에서는 제 2 기록 자성층(6))도 그것에 따라 성장하기 때문에, 제 2 기록 자성층(6)은 입상 구조에 근접한다. 또한, 원래 제 2 기록 자성층(6)이 입상 구조를 취하는 재료인 경우에는, 제 2 기록 자성층(6)의 입상 구조가 더욱 촉진된다. 그 결과, 제 2 기록 자성층(6)의 면내에서의 자기 결합의 분리가 촉진되기 때문에, 제 2 기록 자성층(6)의 매체 기록 분해능을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기에서는 루테늄에 산화물을 첨가한 재료를 사용했지만, 기록 자성층과 격자 정합성이 양호한 범위에서 Ru를 포함하는 합금을 이용하여도, 동일한 효과를 기대할 수 있다.
다음으로, 상기한 바와 같이 해서 제조되는 본 실시예에 따른 수직 자기 기록 매체(10)에 의해 얻어지는 이점에 대하여, 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다.
도 2는 교환 결합력 제어층(5) 두께를 0㎚에서 0.6㎚까지 변화시켰을 때의 매체 반전 자계 저감 효과를 나타내고 있다. 동 도면에서는, 세로축에 반전 자계의 강도를 나타내고, 가로축에 교환 결합력 제어층(5)의 두께를 나타내고 있다.
또한, 상기한 제법에 의해 제조되는 수직 자기 기록 매체(10)를 실시예 1로 하고, 이 실시예 1과 같은 매체 구성 및 재료로 하는 동시에, 교환 결합력 제어층(5)으로서 Ru에 SiO2을 3at％ 첨가하여 그래뉼라 재료로 한 것을 실시예 2로 하였다. 또한, 실시예 1과 같은 매체 구성 및 재료로 하는 동시에, 교환 결합력 제어층(5)으로서 Ru만(순수 Ru)을 사용한 것을 종래예로 하였다. 도 2에서는, 이 실시예 1, 실시예 2, 및 종래예를 동일한 도면에 함께 도시하고 있다.
도 2로부터, 종래예에서는 반전 자계가 저감되는 최적층 두께가 약 0.15㎚이었다. 그러나, 교환 결합력 제어층의 최적층 두께가 이렇게 매우 얇은 경우, 수직 자기 기록 매체(10)의 양산성에 문제가 있다는 것은 상술한대로이다.
이것에 대하여, 실시예 1 및 실시예 2에서는 약 0.40㎚가 되어, 최적층 두께를 종래예와 비교하여 약 2.7배 정도까지 증대시킬 수 있었다. 따라서, 본 실시예에 따른 수직 자기 기록 매체(10)에 의하면, 양산성을 높이는 것이 가능하게 된다. 또한, 실시예 2와 같이 Ru에 첨가하는 SiO2을 3at％로 하여도, 교환 결합력 제어층(5)의 막두께의 변화는 실시예 1과 변화가 없기 때문에, 적어도 Ru에 첨가하는 SiO2을 3at％ 이상 6at％ 이하의 첨가량으로 설정했을 경우, 양산성이 높은 막두께(0.4㎚)의 교환 결합력 제어층(5)을 실현할 수 있다.
한편, 도 3은 SiO2의 첨가량에 대한 Ru층 두께의 마진(margin)을 나타낸다. 여기에서 Ru층 두께 마진이란, 반전 자계가 목표치로부터 2000e의 편차 범위에 수용되는 Ru층의 막두께를 의미한다. 동 도면으로부터, Ru에 첨가하는 SiO2을 0at％ 이상 6at％로 증대시킴으로써, Ru층 두께 마진을 1.5∼2배 정도까지 확대하는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 도 3으로부터의 결과에 의해서도, 수직 자기 기록 매체(10)의 양산성의 향상을 꾀할 수 있는 것이 실증되었다.
다음으로, 본 실시예의 자기 기록 매체(10)를 구비한 자기 기록 재생 장치(20)에 대하여 설명한다. 도 4는 자기 기록 재생 장치(20)의 평면도이다. 이 자기 기록 재생 장치(20)는 pc이나 텔레비전의 녹화 장치에 탑재되는 하드디스크 장치이다.
이 자기 기록 재생 장치(20)에서는, 자기 기록 매체(10)가 스핀들 모터 등에 의해 회전 가능한 상태에서 하드디스크로서 하우징(17)에 수용된다. 또한, 하우징(17)의 내부에는 축(16)을 중심으로 하여 VCM18(voice coil motor)에 의해 회전 가능한 캐리지 암(14)이 설치되어 있다. 자기 헤드(13)는 캐리지 암(14)의 선단에 설치되어 있고, 자기 헤드(13)가 자기 기록 매체(10)의 상방을 주사함으로써 자기 기록 매체(10)로의 자기 정보의 기입과 판독이 행하여진다.
또한, 자기 헤드(13)의 종류는 특별히 한정되지 않고, GMR(Giant Magneto-Resistive) 소자나 TuMR(Tunneling Magneto-Resistive) 소자 등의 자기 저항 소자로 자기 헤드를 구성하여도 좋다. 또한, 자기 기록 재생 장치(20)는 상기와 같은 하드디스크 장치에 한정되지 않고, 가요성의 테이프 모양의 자기 기록 매체에 대하여 자기 정보를 기록하기 위한 장치라도 좋다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기한 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형·변경이 가능한 것이다.
Claims (6)
- 기재(基材)와,상기 기재 위에 형성된 연자성 받침층과,상기 연자성 받침층 위에 형성된 중간층과,상기 중간층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 제 1 기록층과,상기 제 1 기록층 위에 형성되고, 루테늄(Ru)을 포함하는 금속에 산화물을 첨가한 그래뉼라(granular) 재료로 이루어지는 교환 결합력 제어층과,상기 교환 결합력 제어층 위에 형성되고, 수직 자기 이방성을 갖고, 상기 교환 결합력 제어층을 통하여 상기 제 1 기록층과 강자성 결합하여 이루어지는 제 2 기록층을 갖는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화물은 이산화실리콘인 자기 기록 매체.
- 제 2 항에 있어서,상기 교환 결합력 제어층은, 상기 루테늄에 상기 이산화실리콘을 3at％ 이상 6at％ 이하의 첨가량으로 첨가하여 이루어지는 자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 교환 결합력 제어층의 두께가 0.3㎚ 이상 0.5㎚ 이하인 자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 교환 결합력 제어층이 루테늄에 산화물을 첨가한 그래뉼라 재료인 자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체와,상기 자기 기록 매체에 대향하여 설치된 자기 헤드를 갖는 자기 기록 장치.
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