CN106205644B - 垂直磁记录介质及磁记录再生装置 - Google Patents

垂直磁记录介质及磁记录再生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106205644B
CN106205644B CN201610307404.4A CN201610307404A CN106205644B CN 106205644 B CN106205644 B CN 106205644B CN 201610307404 A CN201610307404 A CN 201610307404A CN 106205644 B CN106205644 B CN 106205644B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
magnetic recording
alloy
perpendicular magnetic
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610307404.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106205644A (zh
Inventor
徐晨
黑川刚平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN106205644A publication Critical patent/CN106205644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106205644B publication Critical patent/CN106205644B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G11B5/7006—
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
    • G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
    • G11B5/706—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material
    • G11B5/70605—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material metals or alloys
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
    • G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
    • G11B5/706—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material
    • G11B5/70626—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material containing non-metallic substances
    • G11B5/7315—

Abstract

一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。

Description

垂直磁记录介质及磁记录再生装置
技术领域
本发明涉及一种用于硬盘装置(HDD)等的垂直磁记录介质及磁记录再生装置。
背景技术
一般而言，垂直磁记录方式通过使朝向介质面内方向的磁记录层的易磁化轴朝向介质的垂直方向，作为记录位(recording bit)之间的分界的磁化过渡区付近的退磁场(demagnetization field)变小，为此，随着记录密度变高，静磁越发稳定，热稳定性也会提高，所以该方式是一种适于提高面记录密度的方式。
垂直磁记录介质是一种在非磁性基板之上依次对背衬层、底层、中间层、及垂直磁记录层进行了积层的介质。在非磁性基板和垂直磁记录层之间设置了由软磁性材料构成的背衬层的情况下，可发挥所谓的垂直两层介质的功能，并可获得较高的记录能力。此时，由于软磁性背衬层具有对来自磁头的记录磁场进行回流的作用，所以可提高记录再生效率。
另外，由于底层是决定其上所设置的中间层和垂直磁记录层的粒径和取向(orientation)的主导要素，所以在确定磁记录介质的记录再生特性时，其材料的选择非常重要。为此，提出了可用于底层的各种各样的材料。例如，Ti合金(例如，参照专利文献1)、NiFeCr合金(例如，专利文献2参照。)等及hcp结构、fcc结构等，另外，还可列举出Ta等非晶体结构等。再有，在专利文献4中还记载了作为底层可使用以Ni、Cu、Pt、Pd的其中之一为主成分，并包括Ti、V、Ta、Cr、Mo、W中的一种以上的添加元素的合金。
作为中间层，提出了可使用Ru(参照专利文献5)。另外，由于Ru在柱状晶的顶部形成了圆顶状凸部，所以通过在该凸部上使记录层等的结晶颗粒进行成长，并对成长了的结晶颗粒的分离结构进行促进以使结晶颗粒孤立化，可具有使磁性颗粒成长为柱状的效果(参照专利文献6)。另外，在专利文献7中公开了作为底层可使用fcc结构的合金层和NiW合金层的积层结构，其中，fcc结构的合金层包括fcc结构的元素和bcc结构的元素。再有，在专利文献8中还公开了在进行了面内取向的磁记录介质的底层可使用TiV。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1](日本)专利第2669529号公报
[专利文献2](日本)特开2003－123239号公报
[专利文献3](日本)特开2007－179598号公报
[专利文献4](日本)特开2010－92525号公报
[专利文献5](日本)特开平7－244831号公报
[专利文献6](日本)特开2007－272990号公报
[专利文献7](日本)特开2012－069230号公报
[专利文献8](日本)特开2004－227717号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
尽管如此，就磁记录介质而言，目前仍存在着需要进一步提高其记录密度的要求。
针对该课题，现有技术中尝试了一种通过对使用了NiW合金的底层的结晶粒进行微细化，其上所形成的中间层和磁记录层的结晶粒的微细化和取向性获得了提高，电磁转换特性也较佳，并还可支持高记录密度化的垂直磁记录介质以及具有该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。其方法主要是在非晶体结构的背衬层和NiW底层之间设置了fcc结构的微结晶层以对NiW层进行微结晶化。但是，该尝试有极限，即，如果过分地对NiW层进行了微结晶化，则存在着其上所形成的中间层的取向性会下降的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种垂直磁记录介质和具有该垂直磁记录介质的磁记录再生装置，就该垂直磁记录介质而言，其为通过提供一种可使采用了NiW合金的底层的结晶粒的微细化和高结晶取向性并立的底层，其上所形成的中间层和磁记录层的结晶粒的微细化和取向性获得了提高，电磁转换特性也较佳，并还可支持高记录密度化的垂直磁记录介质。
[用于解决课题的手段]
为了解决上述课题，本发明采用了如下手段。
一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：
所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；
所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；
所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；
所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；
所述中间层包括Ru或Ru合金；及
所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按照所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层的顺序进行了积层。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种垂直磁记录介质和磁记录再生装置，通过将底层设计为由非晶体结构的TiV合金构成的第1底层和由包括Co、Cu、Al、Cr或Fe的NiW合金层构成的第2底层的两层结构，底层上所形成的中间层和垂直磁记录层的结晶粒的微细化、粒度分布的均质化及取向性都获得了提高，电磁转换特性也较佳，并还可支持高记录密度化。
附图说明
[图1]表示应用了本发明的垂直磁记录介质的一例的截面图。
[图2]表示应用了本发明的磁记录再生装置的一例的斜视图。
[符号说明]
1 非磁性基板(nonmagnetic substrate)
11 密着层(bonding layer)
2 背衬层(backing layer)
3 第1底层(first underlayer)
4 第2底层(second underlayer)
5 中间层(intermediate layer)
6 垂直磁记录层(perpendicular magnetic recording layer)
7 保护层(protection layer)
8 第1软磁性膜(first soft magnetic layer)
9 Ru膜(Ru layer)
10 第2软磁性膜(second soft magnetic layer)
11 密着层(bonding layer)
50 垂直磁记录介质(perpendicular magnetic recording medium)
51 介质驱动部(medium driving part)
52 磁头(magnetic head)
53 头驱动部(head driving part)
54 信号处理部(digital processing part)
具体实施方式
以下参照附图对应用了本发明的垂直磁记录介质及磁记录再生装置进行详细说明。
需要说明的是，以下说明中所使用的附图存在着为了使某特征清楚易懂而对该特征部分进行了扩大表示的情况，所以各构成要素的尺寸比例等并不一定与实物相同。另外，以下说明中所例示的材料和尺寸等仅是举例而已，并非用于对本发明进行限定，即，在可发挥本发明效果的范围内还可对其进行适当的变更。
(垂直磁记录介质)
例如，如图1所示，应用了本发明的本实施方式的垂直磁记录介质50为在非磁性基板1的两面依次进行了密着层11、背衬层(也称“软磁性衬层(soft magneticunderlayer)”)2、第1底层3(底层)、第2底层4(底层)、中间层5、垂直磁记录层6、保护层7的积层，并且其最上层还进行了润滑膜(图1中省略了图示)的成膜的结构。需要说明的是，图1中仅对非磁性基板1的单面进行了图示。
其中，作为非磁性基板1例如可使用由铝、铝合金等金属材料构成的金属基板，还可使用由玻璃、陶瓷、硅、硅碳化物、碳等非金属材料构成的非金属基板。
另外，作为构成非磁性基板1的玻璃基板，例如可使用非晶体玻璃、结晶化玻璃等，而作为非晶体玻璃，可使用通用的无水碳酸钠玻璃、铝硅酸盐玻璃等。另一方面，作为结晶化玻璃，可使用锂类结晶化玻璃等。
另外，在非磁性基板1与如后所述的以Co或Fe为主成分的背衬层2相接的情况下，表面的吸附气体、水分的影响、基板成分的扩散等可能会导致非磁性基板1产生腐食。为此，非磁性基板1和背衬层2之间优选设置密着层11。需要说明的是，作为密着层11的材料，例如可选择Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。另外，密着层11的厚度优选为2nm以上、30nm以下。
背衬层2具有第1软磁性膜8、Ru膜9、第2软磁性膜10依次进行了积层的结构。即，背衬层2通过使Ru膜9夹在两层的软磁性膜8、10之间具有Ru膜9的上下的软磁性膜8、10为AFC(Anti-Ferromagnetic Coupling)结合的结构。据此，可提高相对于来自外部的磁场的耐受性及相对于作为垂直磁记录特有的问题的WATE(Wide-area Track Erasure)现象的耐受性。
第1和第2软磁性膜8、10例如由CoFe合金构成。通过在这些软磁性膜8、10中使用CoFe合金，可实现较高的饱和磁束密度(或称饱和磁通密度)Bs(1.4(T)以上)。另外，通过使用后述的第1底层3和第2底层4，还可获得更优的记录再生特性。需要说明的是，进行第1和第2软磁性膜8、10的成膜时，在沿非磁性基板1的半径方向施加了磁场的状态下，优选采用溅射法形成CoFe合金膜。
另外，在CoFe合金中优选添加Zr、Ta、Nb中的任一种元素。据此，可促进CoFe合金的非晶体化，并可提高NiW合金的取向性。另外，CoFe合金中的Zr、Ta、Nb的添加量优选在3～15原子％的范围内，较佳在5～10原子％的范围内。
CoFe合金中的Fe的含有量优选为5～60原子％的范围。如果Fe的含有量小于5原子％，则背衬层2的饱和磁束密度Bs会变低，并非优选。另一方面，如果Fe的含有量超过60原子％，则背衬层2的腐食性会恶化(变坏)，也非优选。
背衬层2的膜厚优选为15～80nm的范围，较佳为20～50nm的范围。如果背衬层2的膜厚小于15nm，则难以充分地对来自磁头磁束进行吸收，不能充分地进行读写操作，导致记录再生特性恶化，并非优选。另一方面，如果背衬层2的膜厚超过80nm，则生产性会显著下降，也非优选。
另外，在背衬层2中，通过将第1和第2软磁性膜8、10设计为非晶体结构，可防止表面粗糙度Ra增大。据此，可降低磁头的浮上量，进而可实现高记录密度化。
这里，对构成背衬层2的第1和第2软磁性膜8、10的AFC结合的大小进行表示的指标为「Hbias」，对其进行定义时，就背衬层2而言，该Hbias的值优选为80(Oe)以上、300(Oe)以下。据此，可提高针对外磁场的耐受性及针对WATE的耐受性。当用Ms表示饱和磁束密度时，「Hbias」被定义为该饱和磁束密度Ms的一半值Ms/2时的磁场；通过使第1和第2软磁性膜8、10使用上述材料，并将软磁性膜8、10之间所设置的Ru膜9的膜厚设定为预定膜厚(例如，0.6～0.8nm)，可满足上述Hbias的值。
另外，第1和第2软磁性膜8、10优选为10(Oe)以下，较佳为5(Oe)以下。需要说明的是，1(Oe)为大约79A/m。
第1底层3和第2底层4用于对其上所设置的中间层5和垂直磁记录层6的取向和结晶尺寸进行控制，其设置目的为，使磁头所产生的磁束的与基板面垂直方向的成分变大，并使记录信息的垂直磁记录层6的磁化方向更牢固地固定在与非磁性基板垂直的方向上。即，其原因在于，由于第2软磁性膜10为非晶体结构，所以其上即使直接设置中间层和磁记录层，也难以使磁记录层变为垂直取向。
通过使底层使用NiW合金，可在其上成长c轴取向性较高的hcp结构的磁性颗粒，进而可形成垂直磁记录层(参照专利文献3)。据此，本发明人进行了通过对由该NiW合金所构成的底层进行改良，以实现垂直磁记录层结晶粒的进一步微细化、结晶粒粒度分布的均质化、及结晶粒取向性的提高为目的的研究，并发现通过将底层从基板侧依次设计为非晶体结构的TiV合金层和NiW合金层的两层结构，可实现上述目的。
现有技术中，尝试了在非晶体结构的背衬层和NiW底层之间设置fcc结构等的微结晶层来实现NiW层的微结晶化的方案。但是，该尝试也有极限，即，如果过度地对NiW层进行微结晶化，则存在着其上所形成的中间层的取向性会下降的问题。经本发明人的研究可知，其原因在于，如果对微结晶层进行了过度的微细化，则微结晶层的结晶性会恶化，这会导致NiW层的结晶性下降。所以，本发明人进行了作为NiW底层的下层设置了非晶体结构层的研究，并发现该非晶体结构层为一种其核形成为岛状的层，该核可使NiW的结晶进行一个一个(one by one)的结晶成长。
另外，本发明人还发现，通过向NiW合金中添加从Co、Cu、Al、Cr、Fe所构成的组中选择的一种以上的物质，可提高NiW合金的热传导性，这样，可使NiW合金层成膜时所产生的热量沿基板方向进行扩散，进而可使NiW合金结晶的一个一个的结晶成长稳定化，据此，本发明人提出了本发明的积层结构。即，TiV层表面的NiW结晶的核的生成是在微妙的热平衡的条件下进行的，所以通过使NiW结晶粒的温度下降并对原子的扩散进行抑制，可实现NiW合金结晶的一个一个的结晶成长的稳定化。
这里，一般而言，Co、Cu、Al、Cr的单体的热传导率都高于Ni，所以通过将其添加至NiW，可提高NiW合金的热传导率；然而，Fe的热传导率低于Ni，所以即使添加这样的元素也不会提高NiW合金的热传导率。但是，经本发明人的研究可知，实际上并非如此，向NiW添加Fe也会获得与向NiW添加Co、Cu、Al、Cr时同样的效果。
本发明人认为其理由如下，即，众所周知，热传导率除了材料之外还会受到密度和组织等的影响。尤其是在采用溅射这样的非平衡处理而获得的膜中，膜内部容易生成原子孔洞和粒界等，据此，存在着膜的热传导率可能低于理论值的情况。经本发明人的研究可知，如果向NiW添加Fe，则NiW内部的原子孔洞和粒界等都会减少，据此，可提高合金的热传导率。
NiW合金中的Co、Cu、Al、Cr、Fe的添加量优选在1原子％～20原子％的范围内。如果添加量低于1原子％，则难以获得提高NiW合金的热传导性的效果，而如果添加量超过了20原子％，则NiW的结晶取向性会恶化，所以都不是优选。
在本发明中，作为第1底层使用了TiV合金，TiV合金所含的V的量优选在10原子％～80原子％的范围内。即，在作为第1底层使用了由TiV合金所构成的底层的情况下，通过将V的量控制在10原子％～80原子％的范围内，可使采用了NiW合金的底层的结晶粒的微细化和结晶取向性的提高并立。
TiV合金所含的V的量的下限优选为10原子％以上，较佳为30原子％以上。另外，TiV合金所含的V的量的上限优选为80原子％以下，较佳为70原子％以下。
可采用公知的方法使作为本发明的第1底层的TiV合金层变为非晶体结构。例如，在采用溅射法进行成膜的情况下，可采用使成膜时的基板温度下降、使溅射颗粒的能量下降、使施加至靶材的电力下降以使等离子密度下降、及成膜后进行逆溅射以打乱膜的结晶结构等的各种各样的方法。
这样，通过对由NiW合金所构成的第2底层4的结晶组织进行改善，可进一步地提高其上所积层的中间层5及垂直磁记录层6的结晶粒的微细化、粒度分布的均质化及取向性，并可获得电磁转换特性较优且可与高记录密度化相对应的垂直磁记录介质。
第1底层3的膜厚优选在0.2nm～5nm的范围内。如果第1底层3的膜厚小于0.2nm，则本发明的效果不明显，第2底层的NiW合金层的结晶粒径的微细化和均匀化的效果均较差。另一方面，如果第1底层3的膜厚超过5nm，则第2底层4的结晶尺寸会变大，所以并非优选。
在本发明中，第2底层4由NiW合金构成。该NiW合金中的W的含有量优选在3原子％～10原子％的范围内。如果NiW合金中的W的含有量小于3原子％或超过10原子％，则垂直磁记录介质的取向和结晶尺寸的控制效果均下降，所以并非优选。
第2底层4的膜厚优选在2～20nm的范围内。如果第2底层4的膜厚小于2nm，则效果不明显，难以获得结晶粒径的微细化效果，并且取向也会恶化，所以并非优选。另一方面，如果第2底层4的膜厚超过20nm，则结晶尺寸会变大，所以也不是优选。
中间层5是用于使垂直磁记录层成为c轴取向的柱状晶的层，其成长面具有圆顶状的形状。这样的中间层5可由Ru或Ru合金形成。作为Ru合金，例如可为RuCo、RuAl、RuMn、RuMo、RuFe合金。Ru合金中的Ru含量可为50原子％以上、90原子％以下。
另外，中间层5的膜厚优选为30nm以下，较佳为16nm以下，并且优选为5nm以上。通过使中间层5变得较薄，磁头和背衬层2之间的距离变小，可使来自磁头的磁束变得较为陡削。所以可使背衬层2的膜厚更薄，并可提高生产性。
垂直磁记录层6由易磁化轴朝向与基板面垂直的方向的磁性膜构成。该垂直磁记录层6至少含有Co和Pt，另外，为了改善SNR特性等，还可添加氧化物、Cr、B、Cu、Ta、Zr等。作为氧化物可列举出SiO2、SiO、Cr2O3、CoO、Ta2O3、TiO2等。
垂直磁记录层6中的氧化物的体积率优选为15～40体积％，较佳为25～35体积％。如果该氧化物的体积率小于15体积％，则SNR特性不佳，并非优选。另一方面，如果该氧化物的体积率超过40体积％，则难以获得可与高记录密度相对应的保磁力，也不是优选。
垂直磁记录层6的膜厚优选在6～20nm的范围内。例如，如果氧化物粒状层的膜厚在该范围内，则可获得良好的输出，OW特性也不会恶化，所以为优选。
需要说明的是，垂直磁记录层6也可为单层结构，还可为由组成成分不同的材料所构成的两层以上的结构。
保护层7可防止垂直磁记录层6的腐食，还可防止磁头与介质接触时介质表面产生损伤，其可使用现有技术中公知的材料，例如可使用包括C、SiO2、ZrO2的材料。就保护层7的膜厚而言，从可使磁头和介质表面之间的距离变小进而实现高记录密度的观点来看，最好在1～5nm的范围内。
最上层所涂敷的润滑膜可使用公知的材料，例如可使用全氟聚醚(perfluoropolyether)、氟醇(fluorinated alcohol)、含氟羧酸(fluorinatedcarboxylic acid)等。
(磁记录再生装置)
图2表示应用了本发明的磁记录再生装置的一个例子。
该磁记录再生装置包括：具有上述图1所示结构的垂直磁记录介质50；对垂直磁记录介质50进行旋转驱动的介质驱动部51；在垂直磁记录介质50上对信息进行记录并对其进行再生(reproduce)(即，读写操作)的磁头52；使磁头52相对于垂直磁记录介质50可进行相对运动的头驱动部53；及信号处理部54。信号处理部54可对从外部所输入的数据进行处理并将记录信号发送至磁头52，还可对来自磁头52的再生信号进行处理并将数据发送至外部。
在应用了本发明的磁记录再生装置中，为了满足上述垂直磁记录介质的更高的记录密度化的要求，磁头52使用了读写能力相对于垂直磁记录层6较优的单磁极头。另外，在上述垂直磁记录介质中，与这样的单磁极头相对应地，在非磁性基板1和垂直磁记录层6之间还设置了背衬层2，以用于提高单磁极头和垂直磁记录层6之间的磁束的出入效率。
另外，在磁记录再生装置中，作为再生元件，可使用具有GMR元件等更适于高记录密度化的磁头52，其中，该GMR元件可利用巨磁电阻效应(GMR)。
需要说明的是，本发明并不限定于上述实施方式，在可发挥本发明效果的范围内，还可进行各种各样的变更。
例如，本发明也可应用于具有与上述垂直磁记录层6进行了磁分离的磁记录图案的垂直磁记录介质。具体而言，作为具有磁记录图案的磁记录介质，可列举出例如磁记录图案按每一比特具有一定的规则性的所谓的图案化介质(patterned media)、磁记录图案为轨道状的介质、伺服信号图案介质等。
基于上述，提供了一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层的顺序进行了积层。
所述TiV合金中的V的含有量在10原子％～80原子％的范围内。
所述NiW合金中的所述至少一种元素的添加量在1原子％～20原子％的范围内。
所述第1底层的膜厚在0.2nm～5nm的范围内。
还提供了一种磁记录再生装置，包括：如上所述垂直磁记录介质；及磁头，其相对于所述垂直磁记录介质进行信息的读写操作，该磁头优选为单磁极头。
[实施例]
以下，可藉由实施例使本发明的效果更加清楚。需要说明的是，本发明并不限定于以下的实施例，在不对其要旨进行变更的范围内还可对其进行各种各样的变更。
在本实施例中，首先，将作为非磁性基板的玻璃基板(直径为2.5英寸)放在DC磁控管溅射装置(ANELVA公司制C－3010)的成膜腔内，并对成膜腔进行排气，以到达极限真空度1×10－5Pa为止。然后，在该玻璃基板上进行了10nm厚的由50Cr－50Ti(Cr含有量为50原子％，Ti含有量为50原子％)构成的密着层、20nm厚的由47Fe－35Co－9W－9Nb(Fe含有量为47原子％，Co含有量为35原子％，W含有量为9原子％，Nb含有量为9原子％)构成的第1软磁性膜、0.8nm厚的Ru膜、及20nm厚的由47Fe－35Co－9W－9Nb构成的第2软磁性膜的成膜，以形成背衬层。需要说明的是，由XRD可确认到这些软磁性膜的结晶结构均为非晶体结构。
接下来，在其上进行了1nm厚的具有表1所示的组成成分和结晶结构的第1底层的成膜，并继续在其上进行了3nm厚的由具有表1所示的组成成分和结晶结构的NiW合金所构成的第2底层的成膜。需要说明的是，在比较例1、13、14中，通过在进行第1底层的溅射成膜时向基板施加150V的偏压，可使第1底层进行结晶化。
接下来，在其上进行了12nm厚的由Ru构成的中间层的成膜，作为垂直磁记录层，并进行了10nm厚的69Co－5Cr－16Pt－10SiO2、6nm厚的53Co－10Cr―23Pt－14B的成膜。然后，在其上采用离子束法形成了由4nm厚的碳所构成的保护层之后，再采用浸渍法形成了由全氟聚醚所构成的润滑膜，据此，获得了比较例1～14、实施例1～14的垂直磁记录介质。
另外，为了对这些垂直磁记录介质的电磁转换特性进行调查，还对其分别进行了信噪比(SNR)的评价。其评价结果示于表1。
另外，将各比较例、实施例中的进行了由Ru所构成的中间层的成膜的基板从成膜装置中取出后，还对Ru的垂直取向性(Δθ50)也进行了调查和评价。其评价结果也示于表1。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但是，上述实施方式并非用于对本发明进行限定，只要不脱离本发明的技术范围，还可进行各种各样的変形和改良。
表1

Claims (6)

1.一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：
所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜，
所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间，
所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成，
所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素，
所述中间层包括Ru或Ru合金，
所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层的顺序进行了积层。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中：
所述TiV合金中的V的含有量在10原子％～80原子％的范围内。
3.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其中：
所述NiW合金中的所述至少一种元素的添加量在1原子％～20原子％的范围内。
4.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其中：
所述第1底层的膜厚在0.2nm～5nm的范围内。
5.如权利要求3所述的垂直磁记录介质，其中：
所述第1底层的膜厚在0.2nm～5nm的范围内。
6.一种磁记录再生装置，包括：
如权利要求1至5的任一项所述的垂直磁记录介质；及
磁头，其相对于所述垂直磁记录介质进行信息的读写操作。
CN201610307404.4A 2015-05-29 2016-05-11 垂直磁记录介质及磁记录再生装置 Active CN106205644B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-109506 2015-05-29
JP2015109506A JP6416041B2 (ja) 2015-05-29 2015-05-29 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106205644A CN106205644A (zh) 2016-12-07
CN106205644B true CN106205644B (zh) 2019-05-28

Family

ID=57398897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610307404.4A Active CN106205644B (zh) 2015-05-29 2016-05-11 垂直磁记录介质及磁记录再生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10127932B2 (zh)
JP (1) JP6416041B2 (zh)
CN (1) CN106205644B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6914663B2 (ja) * 2017-02-07 2021-08-04 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
CN115142028B (zh) * 2022-08-25 2023-06-30 西安稀有金属材料研究院有限公司 一种耐磨耐腐蚀Fe-Cr-Al复合涂层的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101162587A (zh) * 2006-10-12 2008-04-16 富士电机电子技术株式会社 垂直磁记录介质
CN101351842A (zh) * 2005-12-27 2009-01-21 昭和电工株式会社 磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2669529B2 (ja) 1988-04-13 1997-10-29 株式会社日立製作所 垂直磁気記録媒体および磁気ディスク装置
JPH07244831A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Akita Pref Gov 磁気記録媒体の製造法
US7173013B2 (en) 2001-06-08 2007-02-06 Sciclone Pharmaceuticals, Inc. Treatment of tuberculosis using immunomodulator compounds
JP3755449B2 (ja) 2001-10-05 2006-03-15 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体
JP2003346317A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Fuji Photo Film Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JP2004227717A (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
JP4499044B2 (ja) * 2006-01-04 2010-07-07 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置
JP2007272990A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法
JP5397926B2 (ja) * 2007-08-31 2014-01-22 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
JP5524464B2 (ja) 2008-10-06 2014-06-18 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気記録媒体
JP2010129115A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Showa Denko Kk 磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置
JP5616606B2 (ja) * 2009-10-19 2014-10-29 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP5325945B2 (ja) 2010-08-26 2013-10-23 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US8592060B2 (en) * 2010-12-21 2013-11-26 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording media having low medium noise and systems using the same
JP6307879B2 (ja) * 2013-05-17 2018-04-11 ソニー株式会社 磁気記録媒体およびその製造方法
JP6145350B2 (ja) * 2013-07-31 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP6451011B2 (ja) * 2015-04-13 2019-01-16 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101351842A (zh) * 2005-12-27 2009-01-21 昭和电工株式会社 磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置
CN101162587A (zh) * 2006-10-12 2008-04-16 富士电机电子技术株式会社 垂直磁记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
US10127932B2 (en) 2018-11-13
JP2016225002A (ja) 2016-12-28
US20160351223A1 (en) 2016-12-01
JP6416041B2 (ja) 2018-10-31
CN106205644A (zh) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8530065B1 (en) Composite magnetic recording medium
JP4222965B2 (ja) 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録装置
JP5670638B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP4741685B2 (ja) 垂直磁気記録媒体
CN104303230B (zh) 磁记录介质和磁记录再生装置
CN100533555C (zh) 磁记录介质和磁存储单元
JP2003016620A (ja) 磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録方法
JP2008176858A (ja) 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いたハードディスクドライブ
JP2008084413A (ja) 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置
JP2006155861A (ja) 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置
JP2009093780A (ja) 磁気記録媒体
CN101809659A (zh) 垂直磁记录介质和磁记录再生装置
CN102227771A (zh) 磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置
JP2009289360A (ja) 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN108573715B (zh) 辅助磁记录介质和磁存储装置
KR20080029813A (ko) 자기 기록 매체 및 자기 기록 장치
CN104240730B (zh) 垂直记录介质及垂直记录再生装置
CN106205644B (zh) 垂直磁记录介质及磁记录再生装置
KR101797605B1 (ko) 신뢰성 있는 기입성 및 삭제성을 가진 자기 기록 매체
JP5923152B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN102385870B (zh) 垂直磁记录介质和磁记录再生装置
JP5112533B2 (ja) 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置
JP5616606B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN106057217B (zh) 垂直磁记录介质和磁记录再现装置
JP5267938B2 (ja) 磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230621

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha