KR20090087899A - 광원 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제1 방사선원 및 발광체를 포함하는 광원, 및 이러한 광원의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 구체적으로, 가시 스펙트럼 범위에서 발산하는 1종 이상의 발광체, 및 바람직하게는 UV 범위에서 발산하고 전적으로는 아니지만, 바람직하게는 LED인 적어도 1종의 제1 방사선원을 사용하는 전기 광원의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 제1 방사선원(primary radiation source) 및 발광체(luminophore)를 포함하는 광원, 및 상기 광원의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 가시 스펙트럼 영역에서 발산하는 1종 이상의 발광체, 및 바람직하게는 UV에서 발산하고 전적으로는 아니지만, 바람직하게는 LED인 적어도 1종의 제1 방사선원을 사용하는 전기 광원의 제조 방법에 관한 것이다.
적어도 1종의 LED에 기반한 광원은 UV에서 발산하는 제1 광원 및 제1 광원의 UV 광에 의해 여기되고 가시 스펙트럼 영역에서 발산하는 1 종이상의 발광체의 조합을 통하여 구현된다. 예시적인 구현예에서, 약 460 nm에서 발산하는 Ga(In)N LED 및 황색 발산 YAG: Ce3+ 발광체 (WO 98/12757)가 사용된다. 목표가 순수한 백색 광원인 경우, 복수의 상이한 발광체가 사용되어야 하고, 일반적으로 하나의 물질은 각각 적색, 녹색 및 청색으로 발산한다. 선행 기술에 따르면, 이들은 각 경우에 최적의 입자 크기로 조절되고, 일반적으로 투명 보호층에 제공되어야 한다. 최종적으로, 이들은 혼합물로서 또는 폴리머 매트릭스 내로 각각 매설되어, 제1 소스(source) (예를 들어 Ga(In)N LED)에 도포된다(WO 2006/061778 A1 및 U.S. 2003/0052595 A1). 이러한 공정은 수개의 독립적인 단계를 포함하고, 명백하게 매우 복잡하다. 게다가, 발광체(illuminants)의 긴 수명을 위하여, 보호층 및 폴리머 매트릭스의 UV 및 열 안정성과 광학 투명성에 대한 높은 요구가 있다. 특히, 신규한 LED계 광원이 대중 시장 제품(mass-market products)이 될 수 있다는 사실을 참조하면, 제조 공정은 자동화되고 그 결과 저렴한 생산을 위한 높은 잠재력을 가져야 한다.
따라서, 본 발명의 일 목적은 선행 기술의 전술한 단점을 극복하고, 더 구체적으로는 단순한 방식으로 제조될 수 있고, 백색 발광을 가능케 하는 광원을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따르면, (i) 제1 방사선원 및 (ii) 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크에 기초한 발광체층(luminophore layer) 또는 발광체로서, 상기 네트워크가 P, Si, B 및 Al로부터 선택되는 적어도 2종의 원소 및 질소(N)을 포함하고, 적어도 1종의 활성화제가 상기 네트워크 중에 혼입되어 있는 발광체층 또는 발광체를 포함하는 광원에 의해 달성된다.
본 발명의 광원은, 성분 (i)로서 제1 방사선원을 포함한다. 이러한 제1 방사선원은 대체로 임의의 원하는 파장 범위에서 발광할 수 있다. 이는 바람직하게는, 특히 250 내지 450 nm, 더 바람직하게는 300 내지 430 nm의 파장 범위 내의 UV 방사선을 제공한다. 더 바람직하게는, 상기 제1 방사선원의 발산의 최대 피크는 전술한 범위 내에 있다. 상기 제1 방사선원은 더 바람직하게는 LED(발광 다이오드), 특히 GaN 또는 Ga(In)N LED이다. 상기 제1 방사선원에 의해 발산되는 광은 또한 본 명세서에서는 제1 방사선으로 본 명세서에서 칭해진다.
본 발명의 광원은, 각각, 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크에 기초한 발광체층 및 발광체로서, 상기 네트워크가 P, Si, B 및 Al로부터 선택되는 적어도 2종의 원소 및 N을 포함하고, 적어도 1종의 활성화제가 상기 네트워크 중에 혼입되어 있는 발광체층 및 발광체를 또한 포함한다.
본 발명에 따라서 사용되는 발광체는, 결정질의 네트워크에 기초한 물질이 아니고, 오히려 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크에 기초한 물질이라는 점에서 특히 주목할 만하다. 상기 발광체를 형성하기 위해 사용되는 베이스 물질(base materials)은 특히 X-선 비정질인 네트워크를 가지는데, 즉 상기 베이스 물질은 300 nm 이상의 직경을 갖는 결정, 특히 200 nm 이상의 직경을 갖는 결정, 및 더욱 더 바람직하게는 100 nm 이상의 직경을 갖는 결정을 가지지 않는다. 따라서, 상기 발광체의 베이스 물질은 특히 어떠한 장범위 격자 대칭(ling-range lattice symmetry)도 가지지 않는다. 적어도 1 종의 활성화제가 상기 발광체 중의 베이스 물질의 네트워크 중에 추가적으로 혼입된다. 종래의 결정질의 발광체와 달리, 활성화제를 위하여 베이스 물질 내에 사전에 존재하는 이온의 교환은 없고, 상기 활성화제는 대신에 추가적으로 혼입된다. 이는 임의의 원하는 활성화제가 동일한 매트릭스로 혼입될 수 있고, 따라서 상이한 활성화제를 포함하는 발광체를 제공하는 것이 가능하다는 상당한 잇점을 가져다 준다.
비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크를 포함하는, 본 발명의 발광체의 베이스 물질은 P, Si, B 및 Al로부터 선택되는 적어도 2종의 원소 및 또한, 이들과 독립적으로 항상 N을 포함한다. 특히, 상기 네트워크는 원소 P, Si, B, Al 및 N으로 이루어지거나, 또는 P, Si, B 및 N; P, Si, Al 및 N; Si, B, Al 및 N; P, B, Al 및 N; P, Si 및 N; P, B 및 N; P, Al 및 N; Si, B 및 N; Si Al 및 N; 또는 B, Al 및 N의 특정한 서브시스템으로 이루어진다. 적합한 활성화제는 이러한 네트워크로 혼입된다. 무기 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크로 혼입된 활성화제는 특히 임의의 원하는 금속 이온일 수 있다. 바람직한 활성화제 원소는 Ba, Zn, Mn, Eu, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Sn, Sb, Pb 또는 Bi이다. 상기 활성화제는 바람직하게는 Mn2+, Zn2+, Ba2+, Ce3+, Nd3+, Eu2+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Sn2+, Sb3+, Pb2+ 또는 Bi3+이다. 상기 발광체 중의 활성화제의 함량은 바람직하게는 0.1 중량% 이상, 특히 0.5 중량% 이상, 및 바람직하게는 14 중량% 이하, 특히 5 중량% 이하이다. 상기 활성화제는 또한 증감제(sensitizer) 작용을 가질 수 있다.
상기 발광체는 바람직하게는 480 내지 740 nm의 파장에서 발광한다. 상기 발광체는 바람직하게는 매우 실질적으로 완전히 제1 방사선을 흡수한다. 게다가 바람직하게는 상기 발광체에 의해 발산되는 광은 흡수되는 광과 상이한 파장을 가진다. 본 발명에 따르면, 활성화제 원소의 도입을 제외하고 일절 교환이 없기 때문에, 활성화제 원소의 임의의 원하는 조합이 발광체로 도입되는 것이 또한 가능하고, 따라서, 더 구체적으로는 발산색(emission color)이 원하는 바에 따라서 조절되는 것이 가능하다. 더 바람직하게는, 상기 활성화제들은 백색광이 발산되도록 조합된다.
더 바람직하게는 본 발명에 따르면, 적합한 활성화제는 Si/B/N 조성물의 비정질 3차원 네트워크 중에 혼입된다. 이러한 호스트 물질은 어떠한 주기적인 격자 대칭도 가지지 않는다.
상기 활성화제를 위한 결정장 강도(crystal field strength)에 대한 유리한 효과 때문에, 또한 높은 열적 및 기계적 안정성을 얻기 위하여, 베이스 물질 구조는 바람직하게는 질화물 성질(nitridic nature)인데, 이는 임의로 산화물적으로(oxidically) 도핑될 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광체 또는 발광체층은 충전제를 더 포함할 수 있다. 충전제로서 고형 입자가 선호되는데, 이는 동시에 광산란 작용을 가진다. 상기 고형 입자는, 예를 들면, SiO2, TiO2, SnO2, ZrO2, HfO2 및/또는 Ta2O5이다. 고형 입자는 바람직하게는 폭이 좁은 입자 크기 분포를 가지고, 상기 입자 크기 분포의 평균은, 특정 물질의 굴절률에 의존하고, 바람직하게는 백색광이 최적으로 산란되도록 선택된다.
상기 발광체 또는 발광체층의 층 두께는 바람직하게는 200 내지 3000 nm, 특히 300 내지 2000 nm이다.
본 발명에 따르면, 상기 발광체층은 제1 방사선원과 직접 접촉할 수 있고, 즉 제1 방사선원에 직접적으로 도포될 수 있다. 하지만, 또한 제1 방사선원과 간접적으로 접촉하도록 발광체층을 배열할 수 있고, 이는 제1 방사선원과 발광체층 사이에 추가적인 물질 또는 층이 배열된다는 것을 의미한다. 제1 방사선원을 위한 중간층 또는 중간 물질은 바람직하게는 완전히 투명하다.
본 발명은 또한 본 명세서에서 기술된 바와 같이, 발광체 전구체가 제1 방사선원에 액체 형태 또는 현탁액으로 직접적으로 또는 간접적으로 도포되고 이후 경화되는 것을 특징으로 하는 광원의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 더 구체적으로는, 가시 스펙트럼 영역에서 발광하는 발광체를 이용한 제1 소스의 액상 코팅 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 방법은 비정질 매트릭스로 이루어진 신규한 일 군의 발광체에 기반하고, 모든 고려할 수 있는 활성화제가 매우 가변적인 농도로 상기 매트릭스 내로 도입될 수 있다. 이러한 매우 유리한 특징은 활성화제가 치환적으로, 즉 매트릭스 원자를 대체하여 혼입되지 않고, 오히려 추가적으로 혼입된다는 사실 때문에 생기게 된다.
이러한 신규한 발광체의 종류는 분자 전구체로부터 시작하여 올리고머성 또는 폴리머성 중간체 및 열분해의 최종 단계를 거쳐서 얻어진다. 그 안에 용해된 활성화제를 갖는 분자 전구체 또는 부분적으로 가교된 프리세라믹 올리고머가 액체인 경우, 이들은, 예를 들면 딥 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 도포되고, 이후 암모니아 분위기에서 가열함으로써 완전히 가교되고, 열분해에 의해 단단하게 부착된 세라믹층으로 전환된다.
제1 바람직한 구현예에서, 적어도 1종의 분자 전구체, 적어도 1종의 활성화제 및 임의의 충전제의 혼합물이 형성되고 제1 소스에 도포된다. 이후 경화, 특히 가암모니아분해(ammonolysis) 및 연속적인 열분해가 이어진다. 상기 제1 소스에 도포되는 혼합물의 점도는 충전제의 형태 및 함량에 의해 조절될 수 있다.
더 바람직한 구현예에서, 적어도 1종의 분자 전구체, 적어도 1종의 활성화제 및 임의의 충전제의 혼합물은 또한 제1 소스에 도포되나, 원하는 값으로 점도를 조절하기 위하여, 이러한 혼합물은 먼저 부분적 경화, 예를 들면 부분적 가암모니아분해를 거친다. 제1 소스에의 도포, 및 이후 예를 들면 가암모니아분해 및 열분해에 의한 완전한 경화가 이어진다.
더 바람직한 구현예에서, 분자 전구체, 활성화제 및 임의의 충전제는 먼저 프리세라믹 폴리머를 형성하기 위해 사용된다. 이러한 프리세라믹 폴리머는, 예를 들면 완전한 가암모니아분해에 의해 얻어진다. 이러한 프리세라믹 폴리머는 이후 제1 소스에 도포된다. 액체 프리세라믹 폴리머는 직접적으로 도포될 수 있다. 프리세라믹 폴리머가 수지성이거나 고형인 경우, 용제 중의 프리세라믹 폴리머의 미세한 현탁액이 유리하게는 형성되고, 이러한 현탁액이 제1 소스에 도포된다. 상기 용제는 이후 증발되고 발광체층은 예를 들면 열분해에 의해 이후 경화된다.
또한 본 발명에 따르면 종래의 고형 분말 발광체를 발광체층용 출발 물질에 첨가하는 것이 가능하다. 상기 첨가는 발산의 미세한 조절을 낳을 수 있다.
본 발명에 따라서 사용되는 발광체의 베이스 물질은 열분해에 의해 최종 세라믹 상태로 전환되는 프리세라믹 물질로 처리되는 분자 전구체를 통하여 특히 얻어질 수 있다. 상기 발광체는 분자 전구체의 형태로 방사선원에 도포되거나 분자 전구체로부터 형성될 수 있다.
이를 위하여, 1종 이상의 분자 전구체가 먼저 제공된다. 상기 분자 전구체는 베이스 물질의 원소, 즉 더 구체적으로는, P, Si, B 및 Al로부터 선택된, 2종 이상의 원소, 바람직하게는 3종 이상의 원소를 포함한다. P, Si, B 및 Al의 농도는 바람직하게는 각각의 경우에 0 내지 100 원자%, 더 바람직하게는 10 내지 80 원자%로 조절된다. 분자 전구체는 더 바람직하게는 할로겐화물, 바람직하게는 염화물이다.
출발 물질로서의 수개의 분자 전구체, 특히 이후 공동-가암모니아분해(co-ammonolysis)를 거치게 되는 분자 전구체의 혼합물을 사용하는 것이 가능하다. 분자 전구체의 혼합물은, 예를 들면 실라잔 및 할로겐화 붕소 화합물(boron halide) 및/또는 할로겐화 인 화합물(phosphorus halide)을 혼합함으로써 얻어질 수 있다.
다른 구현예에서, 일성분 전구체인 분자 전구체가 사용된다. 상기 일성분 전구체는 생성물의 모든 원소를 이미 포함한다. 제조의 출발점에서, 최종 생성물에서 원하는 Si-N-B 연결을 이미 함유하는 분자 화합물 C13Si(NH)BCl2 (TADB)를 사용하는 것이 특히 선호된다.
더 바람직한 분자 일성분 전구체는 Cl4P(N)(BCl2)SiCl3, Cl3PNSiCl3, (Cl3Si)2NBCl2, Cl3SiN(BCl2)2, (H3Si)2NBCl2, Cl3Si(NH)(BCl)(NH)SiCl3, Cl3Si(NH)(AlCl)(NH)SiCl3, [(Cl3Si)(NH)(BNH)]3, (Cl3Si(NH)AlCl2)2 또는 [Cl3PN(PCl2)2N]+[AlCl4]- 이다.
이후 전구체 물질은 경화되어서 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크를 포함하는 발광체를 제공한다. 상기 경화는 바람직하게는 프리세라믹 물질의 중간체를 통하여 이루어진다. 발광체 전구체는 질소에 의해 서로 결합되는 대응하는 원소들로 이루어진 비정질 네트워크로 가암모니아분해, 축중합 및 열분해에 의해 전환될 수 있다. 질소는 산화물 도핑(oxidic doping)을 제공하는 산소에 의해 부분적으로 대체될 수 있다.
활성화제는 발광체층 중에 혼입되고, 바람직하게는 하기 경로를 통하여 주입된다.
유로퓸 또는 바륨과 같이, 액체 암모니아에 용해하는 금속은, 액체 암모니아에 용해되어 처음에 충전되고, 분자 전구체, 예를 들어 TADB가 적가된다. 반대로, 상기 금속의 암모니아 용액은 또한 처음에 충전된 전구체, 예를 들어 TADB에 적가될 수 있다. 형성된 폴리머성 이미드 아미드는, 베이스 물질 원소뿐만 아니라, 예를 들어 규소 및 붕소뿐만 아니라, 또한 균질하게 분산된 활성화제 원소(들)을 포함한다. 세라믹 발광체는 열분해에 의해 이로부터 얻어질 수 있다.
원소 형태로 액체 암모니아에 용해하지 않는 활성화제는 분자 착화합물(complex molecular compounds)의 형태로 도입될 수 있다. 사용되는 리간드는 바람직하게는 할로겐화물(염화물), 수소, 규소 또는 붕소와 같은, 시스템에 고유한 원소만을 포함해야한다.
모든 다른 원소는 존재한다 하더라도 단지, 추가적인 복잡함만으로 최종 생성물로부터 제거될 수 있다. 특히, 상기 시스템과 친화성이 있는 적합한 금속 착물은, 예를 들면, 리간드로서 [Cl3Si(N)SiCl3]- 및 염화물을 갖는 금속 착염이다. 활성화제로서 가능한 모든 금속이 이성분 염화물을 형성하고, 이때 원하는 착물이 Li[Cl3Si(N)SiCl3]과 반응함으로써 상기 이성분 염화물로부터 제조될 수 있기 때문에, 이러한 경로는 일반적이다. 상기 활성화제의 착물은 분자 전구체, 예를 들면 TADB에서 용해되고, 또는 임의로 적합한 용제에서 분자 전구체, 예를 들면 TADB와 함께 용해된다. 이러한 혼합물 또는 용액은 가암모니아분해를 위하여 액체 암모니아에 적가되거나, 또는 그 반대이다.
폴리머/올리고머층의 두께는 용액의 점도 및 코팅 공정의 파라미터를 통해 조절될 수 있다. 상기 점도는 축중합도를 매개로 한 제어된 방식, 즉 올리고머의 평균 분자량, 용제의 첨가, 충전제의 첨가 및/또는 온도를 통하여 차례로 조절될 수 있다. 사용되는 충전제는 바람직하게는 광산란 작용을 동시에 갖는 물질이다. 유용한 예로는, 사용되는 물질의 계산 지수(calculation index)에 따라서, 최적으로 백색광을 산란하는 값 근처의 폭이 좁은 입자 크기 분포를 갖는 SiO2, TiO2, SnO2 또는 Ta2O5를 포함한다. 상기 층 두께는 바람직하게는 200 내지 3000 nm, 더 바람직하게는 300 내지 2000 nm이다. 상기 층 두께는 열분해가 크랙이 없는 세라믹층을 낳도록 조절된다. 코팅 작업에서 얻어질 수 있는 층 두께는 본래 도포되는 혼합물의 점도 및 도포 공정에 달려있다. LED계 광원의 최적의 광학 성능을 위하여 요구되는 경우, 전체 코팅 공정은 원하는 층 두께를 얻기 위하여 일회 보다 많이 되풀이될 수 있다.
발광체를 제공하거나 발광체층을 제공하기 위한 최종 경화(curing) 단계는 바람직하게는 열분해에 의해 실시되어서 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크를 형성한다. 열분해에 있어서, 가암모니아분해에서 중간체로 얻어진 프리세라믹 이미드 아미드는 600℃ 내지 1500℃, 바람직하게는 1000℃ 내지 1300℃의 온도에서 최종 생성물로 전환된다. 열분해는 바람직하게는 질소, 아르곤, 암모니아 및 이들의 혼합물을 포함하는 분위기에서 일어난다.
바람직한 구현예에서, 도포된 층은 상온 내지 200℃에서 암모니아 분위기에서 경화된다. 따라서, 상기 온도는 단계적으로, 예를 들면 620℃ 까지 증가되고, 이 온도에서 유지된다. 이어서 예를 들면 1050℃에서, 열분해가 이어진다. 사용되는 가열 요소는 전기 저항 가열 오븐 또는 바람직하게는 적외선 히터, 미러 오븐(mirror oven) 또는 레이저일 수 있다. 전체 코팅 공정은 병렬로 또는 연속적으로(컨베이어 벨트 유사 방식으로) 수행될 수 있다. 예를 들어, 코팅되는 LED는 100× 80 매트릭스 배열에서 동시에 처리될 수 있다. 각각의 공정 단계의 상이한 시간은 동일한 운행 속도에서 더 길거나 또는 동일한 운행 길이에 의해 상쇄된다.
Claims (20)
- (i) 제1 방사선원 및(ii) 비정질 또는 부분적으로 결정질의 네트워크에 기초한 발광체층(luminophore layer)으로서, 상기 네트워크가 P, Si 및 Al로부터 선택되는 적어도 2종의 원소 및 N을 포함하고, 적어도 1종의 활성화제가 상기 네트워크 중에 혼입되어 있는 발광체층을 포함하는 광원.
- 제1항에 있어서, 상기 활성화제가 Ba, Zn, Mn, Eu, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Sn, Sb, Pb 또는/및 Bi로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 또는 제2항에서, 상기 발광체층이 Si3B3N7 조성물의 네트워크에 기초한 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 방사선원이 250 내지 450 nm의 파장 범위에서 발광하는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 방사선원이 LED인 것을 특징으로 하는 광원.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 방사선원이 GaN- 또는 Ga(In)N LED인 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체층이 제1 방사선원과 직접적으로 또는 간접적으로 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체층이 480 내지 740 nm의 파장에서 발광하는 발광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체층이 고형 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제9항에 있어서, 상기 고형 입자가 SiO2, TiO2, SnO2, ZrO2, HfO2 또는/및 Ta2O5 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체층이 200 내지 3000 nm의 층 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광원.
- 발광체 전구체가 제1 방사선원에 액체 형태 또는 현탁액으로 직접적으로 또는 간접적으로 도포되고 이후 경화되는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 광원의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 발광체가 프리세라믹(preceramic) 물질로서, 특히 프리세라믹 올리고머로서 도포되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 발광체가 분자 전구체(molecular precursor)로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 분자 전구체가 특히 Cl3Si(NH)BCl2(TABD), Cl3PNSiCl3, Cl4P(N)(BCl2)SiCl3, (Cl3Si)2NBCl2, Cl3SiN(BCl2)2, (H3Si)2NBCl2, Cl3Si(NH)(BCl)(NH)SiCl3, [(Cl3Si)(NH)(BNH)]3, Cl3Si(NH)(AlCl)(NH)SiCl3, (Cl3Si(NH)AlCl2)2 또는 [Cl3PN(PCl2)2N]+[AlCl4]- 로부터 선택되는 일성분 전구체인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체 전구체가 딥 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체 전구체의 점도가 0.01 내지 10 Pa·s로 조절되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체가 복수의 층으로 도포되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광체 전구체가 열분해에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에서 정의된 발광체층을 포함하는 파장 전환 물질(wavelength-converting material).
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