KR20090086312A - 유기 ｅｌ 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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슈이치 다케이
아츠시 기타바야시
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 유기 평탄화층으로부터 발생하는 가스에 의한 표시 품질의 저하를 방지할 수 있는 유기 EL 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 무기 격벽(12, 12A)에는, 무기 격벽(12, 12A)을 관통하여 유기 평탄화층(10)에 도달하는 무기 격벽 관통공(12b)이 형성되어 있다.
무기 격벽, 관통공, 평탄화층

Description

유기 ＥＬ 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC EL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 유기 EL 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 기판 상에 다수의 유기 EL(일렉트로루미네센스) 소자를 구비한 유기 EL 장치가 알려져 있다. 유기 EL 소자는, 기판 상에 형성된 TFT(박막 트랜지스터)나 배선 등을 덮는 평탄화층과, 그 평탄화층 상에 형성된 전극(양극)과, 그 전극을 구획(define)하는 개구부를 갖는 격벽(partition wall)과, 그 격벽의 개구부 내에 형성된 기능층과, 그 기능층을 덮어 형성된 전극(음극)을 구비하고 있다. 특히, 유기 발광층 등의 기능층을 액상 재료에 의해 형성하는 경우에는, 격벽의 개구부(opening) 내에 기능층의 액상 재료를 배치한 후, 건조시켜 형성한다.
이러한 유기 EL 장치로서, 특성이 다른 박막을 동일 기판 상에 패터닝 성막하는 경우, 박막 재료 액체가 뱅크(bank)를 넘어 흘러나오는 사태를 방지하고, 평탄하고 그리고 균일한 두께의 얼룩 등이 없는 안정된 특성의 박막층을 확실하게 고정밀도(high precision)로 비교적 간단히 수율 좋게 형성할 수 있어, 고정세(high-definition)한 미세 패터닝을 가능하게 하는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 또한, 수평 방향으로 전류가 흐를 때의 전압 강하를 작게 함으로써 균일한 발광을 실현함과 함께, TFT 등 액티브 소자를 이용해도 개구율 및 광투과율을 저하시키는 일이 없는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
[특허문헌 1] 일본특허 제3328297호
[특허문헌 2] 일본공개특허공보 2003-123988호
그러나, 상기 종래의 유기 EL 소자는, 제조 공정에 있어서, 유기 재료에 의해 형성된 유기 평탄화층이, 포토리소그래피법에 이용되는 레지스트 박리액 등의 처리액에 노출(expose)된다. 또한, 유기 평탄화층은, 내부에 잔류한 용매 등, 가스를 발생시키는 불순물을 많이 포함하고 있다. 그 때문에, 처리액에 포함되는 물질이 유기 평탄화층 중의 불순물에 작용하여 가스를 발생시킨다. 이러한 가스는, 유기 평탄화층 상에 기밀성이 높은 층, 예를 들면, 무기 재료 등에 의해 형성된 양극이나 무기 격벽 등을 형성한 후에 있어서도 발생한다. 그 때문에, 발생한 가스가 유기 EL 장치의 외부로 배출되지 않고 축적되어, 다크 스폿(dark spot)을 발생시키는 원인이 되어, 표시 품질을 저하시킨다는 과제가 있다.
이러한 다크 스폿은, 유기 EL 장치의 제조 후에도 시간과 함께 성장하여, 복수의 화소를 포함하는 영역이 비(非)발광 영역으로 되어 버린다.
그래서, 본 발명은, 유기 평탄화층으로부터 발생하는 가스에 의한 표시 품질의 저하를 방지할 수 있는 유기 EL 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 유기 EL 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 유기 평탄화층과, 상기 유기 평탄화층 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극을 구획하고 그리고 그 상부를 노출시키는 개구부가 형성된 격벽과, 상기 격벽의 개구부 내에 형성된 기능층과, 상기 기능 층을 덮어 형성된 제2 전극을 구비하고, 상기 격벽은, 적어도 무기 격벽을 구비하고, 상기 무기 격벽에는, 상기 무기 격벽을 관통하여 상기 유기 평탄화층에 도달하는 무기 격벽 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 무기 격벽의 형성시에는, 유기 평탄화층에 있어서 가스가 발생해도, 무기 격벽 관통공을 통해 유기 평탄화층의 외부로 배출된다. 또한, 무기 격벽을 형성한 후의 제조 공정에 있어서는, 기판이 가열되어, 유기 평탄화층의 온도가 상승됨으로써, 무기 격벽 관통공으로부터의 불순물의 배출이 촉진된다. 이에 따라, 유기 평탄화층 중의 불순물이 감소되어 가스의 발생이 방지된다.
따라서, 유기 평탄화층으로부터 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 발생한 가스를 외부로 배출할 수 있어, 가스의 축적에 의한 유기 EL 장치의 표시 품질의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치는, 상기 격벽은, 친액성(lyophilicity)을 갖는 상기 무기 격벽과, 발액성(liquid-repellency)을 갖는 유기 격벽을 구비하고, 상기 유기 격벽은, 상기 무기 격벽 상에 형성되고, 상기 유기 격벽의 단부(end)는 상기 무기 격벽의 단부보다도 상기 무기 격벽에 형성된 상기 무기 격벽 관통공측에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 격벽의 개구부 내에 액상 재료를 배치하고, 건조시켜 기능층을 형성할 때에, 유기 격벽에 의해 개구부 외부로의 액상 재료의 유출이 방지된다. 또한, 개구부 내의 유기 격벽과 무기 격벽과의 경계에 무기 격벽이 단차(step) 형상으로 노출되기 때문에, 개구부의 유기 격벽과 무기 격벽과의 경계 부 근에 있어서의 습윤성(wettability)이 향상된다. 그 때문에, 액상 재료가 건조되어 체적이 감소하고, 액면이 유기 격벽과 무기 격벽과의 경계에 가까워지면, 무기 격벽에 의해 액상 재료의 두께가 균일화되어, 기능층을 평탄하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치는, 상기 무기 격벽은, 상기 유기 평탄화층측에 형성된 제1 무기 격벽과, 상기 유기 격벽측에 형성된 제2 무기 격벽을 구비하고, 상기 제2 무기 격벽의 단부는, 상기 제1 무기 격벽의 단부보다도 상기 무기 격벽에 형성된 상기 무기 격벽 관통공측에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 개구부에 있어서의 무기 격벽의 표면적이 보다 확대되어, 기능층의 액상 재료에 대한 습윤성이 보다 향상된다. 따라서, 기능층을 보다 평탄하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치는, 상기 유기 격벽에는, 상기 유기 격벽을 관통하여 상기 무기 격벽 관통공에 연통(communicate)하거나, 또는, 상기 무기 격벽 관통공을 통해 상기 유기 평탄화층에 도달하는 유기 격벽 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 유기 평탄화층 중의 가스를 발생시키는 불순물을, 유기 격벽 관통공을 통해, 유기 격벽의 외부로 배출할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치는, 상기 무기 격벽 관통공은, 그 개구가 상기 개구부의 주위에 점재(點在)하고 있거나, 또는, 상기 개구부의 주위에 홈(groove) 형상으로 연속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 무기 격벽 관통공의 개구 면적을 증가시키고, 보다 효과적으로 유기 평탄화층의 불순물을 배출시켜, 기능층의 근방에 가스가 축적되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 장치의 제조 방법은, 기판 상에 형성된 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 기능층을 구비한 유기 EL 장치의 제조 방법으로서, 상기 기판 상에, 유기 평탄화층을 형성하는 공정과, 상기 유기 평탄화층 상에, 상기 제1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제1 전극 상에, 무기 재료층을 형성하는 공정과, 상기 무기 재료층에, 상기 제1 전극을 구획하고 그리고 그 상부를 노출시키는 개구부를 형성하여 무기 격벽을 형성하고, 상기 무기 격벽을 관통하여 상기 유기 평탄화층에 도달하는 무기 격벽 관통공을 형성하는 공정과, 상기 개구부 내에 기능층을 형성하는 공정과, 상기 기능층을 덮어 제2 전극을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 제조함으로써, 무기 격벽의 형성시에는, 유기 평탄화층에 포함되는 가스를 발생시키는 불순물이 무기 격벽 관통공을 통해 유기 평탄화층의 외부(기판의 반대측)로 배출된다. 또한, 무기 격벽을 형성한 후의 제조 공정에 있어서는, 기판이 가열되어, 유기 평탄화층의 온도가 상승함으로써, 무기 격벽 관통공으로부터의 불순물의 배출이 촉진된다. 이에 따라, 유기 평탄화층 중의 불순물이 감소하여 가스의 발생이 방지된다. 또한, 유기 평탄화층에 있어서 가스가 발생한 경우라도, 무기 격벽 관통공을 통해 가스를 유기 평탄화층의 외부로 배출할 수 있다.
따라서, 유기 평탄화층으로부터 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 발생한 가스를 외부로 배출할 수 있어, 가스의 축적에 의한 유기 EL 장치 의 표시 품질의 저하를 방지할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
<제1 실시 형태>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 각 도면에서는, 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 때문에, 각 층이나 각 부재마다 축척을 적절히 변경하고 있다.
(유기 EL 장치)
도1 은 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)는, 기판(2) 상에 형성된 다수의 유기 EL 소자(30)의 기능층(15)으로부터 사출된 빛을, 유기 EL 소자(30)가 형성된 기판(2)과는 반대측의 봉지(sealing) 기판(20)으로부터 취출하는 톱 이미션(top emission) 방식의 유기 EL 장치이다.
기판(2)은, 예를 들면, Si(실리콘) 등에 의해 형성되고, 기판(2) 상에는, 예를 들면, Si02(실리콘 산화물) 등에 의해 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3) 상에는, 개개의 유기 EL 소자(30)에 대응하여 구동용 TFT(박막 트랜지스터)(4)가 형성되어 있다. 구동용 TFT(4)는, 절연막(3) 상에 형성된 반도체층(5)과, 반도체층(5)의 채널 영역에 게이트 절연막(도시 생략)을 통하여 대향 배치된 게이트 전 극(6)을 구비하고 있다. 그리고, 게이트 절연막 및 게이트 전극(6)을 덮어, 층간 절연막(7)이 형성되어 있다. 층간 절연막(7) 상에는 소스 전극(8) 및 드레인 전극(9)이 형성되고, 각각, 콘택트홀(7a, 7b)을 통하여 반도체층(5)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접속되어 있다. 소스 전극(8)은, 층간 절연막(7) 상에 형성된 전원선(103)에 접속되어 있다.
이들 구동용 TFT(4) 및 전원선(103)을 덮고, 기판(2) 상을 평탄화하는 평탄화층(유기 평탄화층)(10)이 형성되어 있다. 평탄화층(10)은, 예를 들면, 아크릴계나 폴리이미드계 등의 내열성 및 절연성을 갖는 유기 재료에 의해 형성되어 있다. 평탄화층(10) 상에는, 유기 EL 소자(30)의 양극인 화소 전극(제1 전극)(11)이 형성되어 있다. 화소 전극(11)은, 예를 들면, Al(알루미늄) 등의 반사성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되어 있다. 화소 전극(11)은, 평탄화층(10)을 관통하여 드레인 전극(9)에 도달하는 콘택트홀(10a)을 통하여 드레인 전극(9)에 접속되어 있다. 또한, 구동용 TFT(4)의 게이트 전극(6)은, 후술하는 스위칭용 TFT(112)에 접속되어 화소 신호를 유지하는 유지 용량(cap)과 전기적으로 접속되어 있다.
화소 전극(11) 상에는, 무기 격벽(12)과, 무기 격벽(12) 상에 형성된 유기 격벽(13)으로 이루어지는 격벽(14)이 형성되어 있다. 격벽(14)에는, 화소 전극(11)을 유기 EL 소자(30)마다 구획하고, 그리고 화소 전극(11)의 상부(기판(2)과 반대측의 면)를 노출시키는 개구부(14a)가 형성되어 있다. 또한, 유기 격벽(13)의 단부(개구부(14a)를 규정하는 부분)는 무기 격벽(12)의 단부(개구부(14a)를 규정하는 부분)보다도 격벽(14)에 형성된 관통공(12b)측에 형성되고, 개구부(14a) 내에 노출된 무기 격벽(12)의 일부에 의해, 개구부(14a) 내의 유기 격벽(13)과 무기 격벽(12)과의 경계에 계단 형상으로 단차가 형성되어 있다.
무기 격벽(12)은, 예를 들면, SiO2 등의 절연성의 무기 재료에 의해 형성되어 있다. 그리고, 표면에는 친액화 처리가 행해지고, 습윤성이 향상되어 친액성을 갖고 있다. 유기 격벽(13)은, 예를 들면, 평탄화층(10)과 동일한 유기 재료에 의해 형성되어 있다. 그리고, 표면에는 발액화 처리가 행해져 발액성을 갖고 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 무기 격벽(12)에는, 무기 격벽(12)을 관통하여 평탄화층(10)에 도달하는 관통공(무기 격벽 관통공)(12b)이 형성되어 있다. 유기 격벽(13)은 관통공(12b)을 통하여 유기 평탄화층(10)과 접하고 있다. 또한, 관통공(12b)은, 도2(a) 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보아 그 개구가 개구부(14a)의 주위에 점재되어 있거나, 또는, 도2(b) 에 나타내는 바와 같이, 개구부(14a)의 주위에 홈 형상으로 연속하여 형성되어 있다. 또한, 도2(c) 에 나타내는 바와 같이, 개구부(14a)의 주위에 홈 형상의 관통공(12b)을 연속하여 격자 형상으로 형성해도 좋다.
개구부(14a)의 내부에는, 도1 에 나타내는 바와 같이 기능층(15)이 형성되어 있다. 기능층(15)은, 화소 전극(11)측에 형성된 정공 주입·수송층(16)과, 그 위에 적층되어 형성된 발광층(17)을 구비하고 있다. 정공 주입·수송층(16)은, 예를 들면, 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜-폴리스틸렌술폰산(PEDOT-PSS)의 분산액, 즉, 폴리스틸렌술폰산을 분산매로 하여, 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜을 분산시키고, 나아 가 이것을 물에 분산시킨 분산액 등의 액상 재료를 건조시킴으로써 형성되어 있다. 또한, 발광층(17)은, 형광 혹은 인광을 발광하는 것이 가능한 공지의 발광 재료에 의해 형성되어 있다. 특히 풀 컬러 표시를 행하는 경우에는, 적색, 녹색, 청색의 각 파장역에 대응하는 빛을 발광하는 재료가 이용된다.
여기서, 발광층(17)의 형성 재료로서는, 예를 들면, (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 매우 적합하게 사용된다. 또한, 이들의 고분자 재료에, 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 고분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도프하여 이용할 수도 있다. 또한, Ir(ppy)3 등의 인광 재료를 사용할 수도 있다.
기능층(15) 상에는, 기능층(15) 및 격벽(14)을 덮고, 유기 EL 소자(30)의 음극인 공통 전극(제2 전극)(18)이 형성되어 있다. 공통 전극(18)은, 예를 들면, ITO(인듐 주석 산화물) 등의 광투과성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되어 있다.
공통 전극(18) 상에는, 광투과성을 갖는 접착층(19)을 통하여, 예를 들면, 유리나 석영 등의 투명한 재료에 의해 형성된 봉지 기판(20)이 점착(attach)되어 있다.
도3 은, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)의 배선 구조를 나타내는 개략도이 다. 도3 에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 장치(1)는, 복수의 주사선(101)과, 주사선(101)에 대하여 교차하는 방향으로 연재(extend)하는 복수의 신호선(102)과, 신호선(102)에 병렬로 연재하는 복수의 전원선(103)이 각각 배선된 구성을 가짐과 함께, 주사선(101) 및 신호선(102)의 각 교점 부근에, 화소 영역(A)을 형성한 것이다.
신호선(102)에는, 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비하는 데이터측 구동 회로(104)가 접속되어 있다. 주사선(101)에는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사측 구동 회로(105)가 접속되어 있다. 또한, 화소 영역(A)의 각각에는, 주사선(101)을 통하여 주사 신호가 게이트 전극(6)(도1 참조)에 공급되는 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 통하여 신호선(102)으로부터 공급되는 화소 신호를 유지하는 유지 용량(cap)과, 이 유지 용량(cap)에 의해 유지된 화소 신호가 게이트 전극(6)에 공급되는 구동용 TFT(4)와, 이 구동용 TFT(4)를 통하여 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때에, 전원선(103)으로부터 구동 전류가 흘러들어오는 화소 전극(11)과, 이 화소 전극(11)과 공통 전극(18)과의 사이에 끼워넣어진 기능층(15)이 형성되어 있다.
또한, 화소 전극(11)과 공통 전극(18)과 기능층(15)에 의해, 유기 EL 소자(30)가 구성되어 있다.
이러한 구성에 의하면, 주사선(101)이 구동되어 스위칭용 TFT(112)가 온(on)이 되면, 그때의 신호선(102)의 전위가 유지 용량(cap)에 유지되고, 유지 용량(cap)의 상태에 따라, 구동용 TFT(4)의 온·오프 상태가 결정된다. 그리고, 구 동용 TFT(4)의 채널을 통하여, 전원선(103)으로부터 화소 전극(11)에 전류가 흐르고, 추가로 기능층(15)을 통하여 공통 전극(18)에 전류가 흐른다. 그러면, 기능층(15)은 이것을 흐르는 전류량에 따라 발광한다.
(유기 EL 장치의 제조 방법)
다음으로, 유기 EL 장치(1)의 제조 방법을 설명하고, 본 실시 형태의 작용에 대하여 설명한다.
우선, 기판(2) 상에 절연막(3)을 형성하여, 절연막(3) 상에 구동용 TFT(4), 스위칭용 TFT(112) 및 전술의 배선이나 회로 등을 형성한다. 도4(a) 에 나타내는 바와 같이, 절연막(3) 상에 반도체층(5)과, 반도체층(5)을 덮는 게이트 절연막(도시 생략)을 형성하고, 그 위에 게이트 전극(6)을 형성한다. 그리고, 반도체층(5)에 불순물을 도프하여 소스 영역, 드레인 전극 및, 채널 영역을 형성한다. 그리고, 이들을 덮도록 층간 절연막(7)을 형성하고, 포토리소그래피법에 의해, 층간 절연막(7)을 관통하여, 반도체층(5)의 소스 영역 및 드레인 영역에 도달하는 콘택트홀(7a, 7b)을 형성한다.
다음으로, 도4(b) 에 나타내는 바와 같이, 층간 절연막(7) 상에 전원선(103)을 형성한다. 이어서, 층간 절연막(7) 상에 소스 전극(8) 및 드레인 전극(9)을 형성한다.
이어서, 도4(c) 에 나타내는 바와 같이, 이들을 덮도록 평탄화층(10)을 형성한다. 이어서 포토리소그래피법에 의해, 평탄화층(10)을 관통하여, 드레인 전극(9)에 도달하는 콘택트홀(10a)을 형성한다.
다음으로, 도5(a) 에 나타내는 바와 같이, 평탄화층(10) 상에 화소 전극(11)을 형성하고, 콘택트홀(10a)을 통하여 드레인 전극(9)에 접속한다.
이어서, 도5(b) 에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(11) 및 평탄화층(10)을 덮도록 빈틈없는 형상(solid pattern)의 무기 재료층(120)을 형성한다. 그리고, 포토리소그래피법에 의해, 무기 재료층(120)에 화소 전극(11)을 구획함과 함께 화소 전극(11)의 상부를 노출시키는 개구부(12a)와, 무기 재료층(120)을 관통하여 평탄화층(10)에 도달하는 관통공(12b)을 형성하여, 무기 격벽(12)을 형성한다. 이때, 평탄화층(10)의 내부에는, 가스를 발생시키는 불순물이 잔류된 상태로 되어 있다. 또한, 평탄화층(10)은, 포토리소그래피법에 있어서 이용되는 레지스트 박리액에 노출된다.
다음으로, 도5(c) 에 나타내는 바와 같이, 평탄화층(10), 화소 전극(11) 및, 무기 격벽(12)을 덮어 유기 재료층(130)을 형성하고, 포토리소그래피법에 의해 유기 재료층(130)에 개구부(13a)를 형성하여 유기 격벽(13)을 형성한다. 이때, 유기 격벽(13)의 개구부(13a)는, 무기 격벽(12)의 개구부(12a)보다도 1둘레 크게 형성한다. 이에 따라, 무기 격벽(12)과 유기 격벽(13)을 구비하고, 무기 격벽(12)의 개구부(12a)와 유기 격벽(13)의 개구부(13a)로 이루어지는 개구부(14a)가 형성된 격벽(14)이 형성된다.
다음으로, 화소 전극(11)의 표면을 세정 처리하고, 계속해서, 화소 전극(11)과 무기 격벽(12)과 유기 격벽(13)을 형성한 측의 면 산소 플라즈마 처리를 행한다. 이에 따라, 표면에 부착한 유기물 등의 오염물을 제거하여 습윤성을 향상시킨 다. 구체적으로는, 기판(2)을 소정 온도, 예를 들면 70∼80℃ 정도로 가열하고, 계속해서 대기압 하에서 산소를 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(02 플라즈마 처리)를 행한다.
이어서, 발액화 처리를 행함으로써, 특히 유기 격벽(13)의 상면 및 측면의 습윤성을 저하시킨다. 구체적으로는, 대기압 하에서 4불화 메탄(tetrafluoromethane)을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(CF4 플라즈마 처리)를 행하고, 그 후, 플라즈마 처리를 위해 가열된 기판(2)을 실온까지 냉각함으로써, 유기 격벽(13)의 상면 및 측면을 발액화하여, 그 습윤성을 저하시킨다.
또한, 이 CF4 플라즈마 처리에 있어서는, 화소 전극(11)의 노출면 및 무기 격벽(12)에 대해서도 다소의 영향을 받지만, 화소 전극(11)의 재료인 ITO 및 무기 격벽(12)의 구성 재료인 SiO2 등은 불소에 대한 친화성이 결여되기 때문에, 산소 플라즈마 처리로 습윤성이 향상된 면은 습윤성이 그대로 유지된다.
다음으로, 기판(2)을, 예를 들면, 200℃ 정도의 온도로 가열하여 어닐 처리를 행한다.
이어서, 도1 에 나타내는 바와 같이, 격벽(14)에 둘러싸인 개구부(14a) 내에 정공 주입·수송층(16)을 형성한다. 이 정공 주입·수송층(16)의 형성 공정에서는, 스핀코트법이나 액적 토출법이 채용되지만, 본 실시 형태에서는, 개구부(14a) 내에 정공 주입·수송층(16)의 형성 재료를 선택적으로 배치하는 필요상, 특히 액적 토출법인 잉크젯법이 매우 적합하게 채용된다. 이 잉크젯법에 의해, 정공 주입 ·수송층(16)의 형성 재료인 PEDOT-PSS의 분산액을 화소 전극(11)의 노출면 상에 배치하고, 그 후, 열처리(건조·소성 처리)를, 예를 들면, 200℃로 10분간 정도 행함으로써, 두께 20nm∼100nm 정도의 정공 주입·수송층(16)을 형성한다. 또한, 이 정공 주입·수송층(16)의 형성 방법에 대해서는, 특히 무기 격벽(12)이나 유기 격벽(13)에 의해 화소 영역(A)을 구획하지 않는 경우, 상기한 바와 같이 스핀코트법을 채용할 수도 있다.
이어서, 이 정공 주입·수송층(16) 상에, 발광층(17)을 형성한다. 이 발광층(17)의 형성 공정에서도, 상기의 정공 주입·수송층(16)의 형성과 동일하게, 액적 토출법인 잉크젯법이 매우 적합하게 채용된다. 즉, 잉크젯법에 의해, 발광층(17)의 형성 재료를 정공 주입·수송층(16) 상에 토출하고, 그 후, 질소 분위기 중에서 130℃로 30분간 정도 열처리를 행하여, 격벽(14)에 형성된 개구부(14a) 내, 즉 화소 영역(A) 상에 두께 50nm∼200nm 정도의 발광층(17)을 형성한다. 또한, 발광층(17)의 형성 재료 중에 사용하는 용매로서는, 정공 주입·수송층(16)을 재용해시키지 않는 것, 예를 들면, 크실렌 등이 매우 적합하게 사용된다. 또한, 이 발광층(17)의 형성 방법에 대해서는, 특히 무기 격벽(12)이나 유기 격벽(13)에 의해 화소 영역(A)을 구획하지 않는 경우, 정공 주입·수송층(16)의 형성의 경우와 동일하게, 스핀코트법을 채용할 수도 있다.
이어서, 발광층(17) 및 유기 격벽(13)을 덮어 ITO에 의해 공통 전극(18)을 형성한다. 이 공통 전극(18)의 형성에서는, 정공 주입·수송층(16)이나 발광층(17)의 형성과는 다르며, 증착법이나 스패터법 등으로 행함으로써, 화소 영역(A) 에만 선택적으로 형성하는 것이 아니고, 기판(2)의 거의 전면(全面)에 공통 전극(18)을 형성한다.
그 후, 공통 전극(18) 상에 접착제(흡착제)를 이용하여 접착층(19)을 형성하고, 또한 이 접착층(19)에 의해 봉지 기판(20)을 접착하여, 봉지를 행한다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(1)에서는, 전술한 바와 같이, 무기 격벽(12)에 평탄화층(10)에 도달하는 관통공(12b)이 형성되어 있다. 그 때문에, 무기 격벽(12)의 형성시에 평탄화층(10)이 레지스트 박리액에 노출되어, 레지스트 박리액에 포함되는 화학 물질이 평탄화층(10) 중의 불순물에 작용하여 가스가 발생했다고 해도, 발생한 가스는 관통공(12b)을 통해 평탄화층(10)의 외부로 배출된다. 따라서, 평탄화층(10)의 내부나, 평탄화층(10)과 화소 전극(11) 및 무기 격벽(12)과의 사이에 가스가 축적되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 격벽(14)의 개구부(14a) 내에 액상 재료를 배치하고, 건조시켜 기능층(15)을 형성할 때에, 격벽(14)에 의해 개구부(14a) 외부로의 액상 재료의 유출이 방지된다. 또한, 개구부(14a) 내의 유기 격벽(13)과 무기 격벽(12)과의 경계에 무기 격벽(12)이 단차 형상으로 노출되기 때문에, 그 경계 부근에 있어서의 무기 격벽(12)의 표면적이 확대되어 습윤성이 향상된다. 그 때문에, 액상 재료가 건조되어 체적이 감소하고, 액면이 유기 격벽(13)과 무기 격벽(12)과의 경계에 가까워지면, 무기 격벽(12)의 습윤성에 의해 액상 재료의 두께가 균일화되어, 기능층(15)을 평탄하게 형성할 수 있다.
또한, 관통공(12b)을 갖는 무기 격벽(12)을 형성한 후에, 플라즈마 처리나 어닐 처리 등에 의해 기판(2)을 가열함으로써, 평탄화층(10)의 온도가 상승하여, 관통공(12b)으로부터의 불순물의 배출이 촉진된다. 이에 따라, 평탄화층(10) 중의 불순물이 감소된다. 따라서, 유기 EL 소자(30)를 봉지 기판(20)에 의해 봉지한 후, 평탄화층(10)으로부터의 가스의 발생이 방지되어, 유기 EL 장치(1)의 내부에 가스가 축적되는 것이 방지된다.
또한, 관통공(12b)은, 그 개구가 개구부(14a)의 주위에 점재하고 있거나, 또는, 개구부(14a)의 주위에 홈 형상으로 연속하여 형성되어 있다. 그 때문에, 관통공(12b)의 개구 면적을 증가시켜, 보다 효과적으로 평탄화층(10)의 불순물이나 가스를 배출시킬 수 있어, 기능층(15)의 근방에 가스가 축적되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1) 및 그 제조 방법에 의하면, 평탄화층(10)으로부터 가스가 발생하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 제조 공정에 있어서 평탄화층(10)으로부터 발생한 가스를 외부로 배출할 수 있어, 가스의 축적에 의한 유기 EL 장치(1)의 표시 품질의 저하를 방지할 수 있다.
<제2 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여, 도1∼도5 를 원용하고, 도6(a) 및 도6(b) 를 이용하여 설명한다. 도6(b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1A)에서는, 도6(a) 에 나타내는 제1 실시 형태에서 설명한 유기 EL 장치(1)의, 무기 격벽(12)이 제1 무기 격벽(121) 및 제2 무기 격벽(122)의 2층 구조로 이루어지는 무기 격벽(12A)으로 되어 있는 점에서 다르다. 그 외의 점 은 제1 실시 형태와 동일하기 때문에, 동일의 부분에는 동일의 부호를 붙여 설명은 생략한다.
도6(a) 는, 도1 에 나타내는 유기 EL 장치(1)를 간략화하여 나타낸 단면도이며, 도6(b) 는 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1A)를 도6(a) 에 나타내는 유기 EL 장치(1)와 동일하게 간략화하여 나타낸 단면도이다. 도6(a) 및 도6(b) 에서는, 기판(2), 구동용 TFT(4), 전원선(103), 기능층(15), 공통 전극(18), 접착층(19), 봉지 기판(20) 등의 도시를 생략하고, 격벽(14) 및 평탄화층(10)을 중심으로 나타내고 있다.
도6(b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1A)에서는, 무기 격벽(12A)이 평탄화층(10)측에 형성된 제1 무기 격벽(121)과, 유기 격벽(13)측에 형성된 제2 무기 격벽(122)에 의해 구성되어 있다. 제1 무기 격벽(121)은, 예를 들면, 제1 실시 형태와 동일하게 SiO2 등에 의해 형성되고, 제2 무기 격벽(122)은, 예를 들면, SiN(실리콘 질화물) 등에 의해 형성되어 있다. 제2 무기 격벽(122)의 단부(개구부(121b)를 규정하는 부분)는, 제1 무기 격벽(121)의 단부(개구부(121a)를 규정하는 부분)보다도 격벽(14A)에 형성된 관통공(12b)측에 형성되고, 개구부(14a) 내에 제1 무기 격벽(121)의 일부가 계단 형상으로 노출되어 있다.
본 실시 형태에서는, 도6(b) 에 나타내는 바와 같이, 무기 격벽이 제1 무기 격벽(121)과 제2 무기 격벽(122)의 2층에 의해 구성되고, 제2 무기 격벽(122)의 단부는 제1 무기 격벽(121)의 단부보다도 격벽(14A)에 형성된 관통공(12b)측에 형성 되고, 개구부(14a) 내에 제1 무기 격벽(121)의 일부가 계단 형상으로 노출되어 있기 때문에, 개구부(14a) 내의 무기 격벽(12A)의 표면적이 확대된다. 그 때문에, 전술의 제1 실시 형태와 동일하게 기능층(15)을 액상 재료로 형성할 때에, 기능층(15)의 액상 재료에 대한 습윤성이 보다 향상된다. 따라서, 기능층(15)을 보다 평탄하게 형성할 수 있다.
또한, 전술의 제1 실시 형태와 동일하게, 무기 격벽(12A)에 관통공(12b)이 형성되어 있기 때문에, 제1 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
<제3 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여, 도1∼도6 을 원용하고, 도7 을 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에서는 전술의 제1, 제2 실시 형태에서 설명한 유기 EL 장치(1, 1A)와, 유기 격벽(13)에 관통공(13b)이 형성되어 있는 점에서 다르다. 그 외의 점은 제1, 제2 실시 형태와 동일하기 때문에, 동일한 부분에는 동일의 부호를 붙여 설명은 생략한다.
도7(a) 및 도7(b) 는, 본 실시 형태의 유기 EL 장치(1B, 1C)를 도6(a) 및 도6(b) 와 동일하게 간략화하여 나타낸 단면도이다.
본 실시 형태의 유기 EL 장치(1B, 1C)는, 도7(a) 및 도7(b) 에 나타내는 바와 같이, 유기 격벽(13)에, 유기 격벽(13)을 관통하고, 무기 격벽(12 또는 12A)에 형성된 관통공(12b)을 지나 평탄화층(10)에 도달하는 관통공(유기 격벽 관통공)(13b)이 형성되어 있다. 관통공(13b)은, 어닐 공정전에, 예를 들면, 포토리소그래피법 등에 의해 형성한다.
본 실시 형태에서는, 제조 공정에 있어서 유기 격벽(13)이 형성된 후도, 평탄화층(10) 중의 가스를 발생시키는 불순물을, 관통공(13b)을 통해 유기 격벽(13)의 외부로 배출할 수 있다. 즉, 평탄화층(10) 중의 불순물이나 평탄화층(10)에 있어서 발생한 가스를, 유기 격벽(13)을 통과시키는 일 없이, 직접, 평탄화층(10)의 외부로 배출할 수 있다.
따라서, 제1, 제2 실시 형태의 유기 EL 장치(1, 1A)와 동일한 효과가 얻어질 뿐만 아니라, 더욱, 가스의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있고, 제조 공정에 있어서 평탄화층(10)으로부터 발생한 가스를 외부에 의해 확실하게 배출할 수 있어, 가스의 축적에 의한 유기 EL 장치(1B, 1C)의 표시 품질의 저하를 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변형하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 광투과성을 갖는 공통 전극의 재료로서는, ITO의 외에도, Pt, Ir, Ni, 혹은 Pd를 사용할 수 있다. 막두께로서는, 투명성을 확보한 다음에, 75nm 정도로 하는 것이 바람직하고, 또한 이 막두께보다 얇게 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 전술의 실시 형태에서는 톱 이미션 방식의 유기 EL 장치에 대하여 설명했지만, 본 발명을 전술의 실시 형태와는 반대측으로부터 빛을 취출하는 보텀 이미션(bottom emission) 방식의 유기 EL 장치에 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
또한, TFT 등을 이용하는 액티브 매트릭스가 아니고, 단순 매트릭스용의 소 자 기판을 이용하여 본 발명을 실시하여, 단순 매트릭스 구동해도 완전히 동일한 효과가 저비용으로 얻어진다.
또한, 전술의 제2 실시 형태에 있어서, 제1 무기 격벽과 제2 무기 격벽에 포토리소그래피에 의해 일괄하여 관통공과 개구부를 형성해도 좋다. 이에 따라, 제조 공정을 간략화하여, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 전술의 제3 실시 형태에 있어서, 유기 격벽에 형성된 관통공(유기 격벽 관통공)과 무기 격벽에 형성된 관통공(무기 격벽 관통공)을 대략 동일한 지름으로 하여, 서로 연통하도록 형성해도 좋다.
도1 은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도2 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 관통공의 개구(開口)의 배치를 나타내는 개략 평면도이다.
도3 은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 배선 구조를 나타내는 개략도이다.
도4(a)∼(c) 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도5(a)∼(c) 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도6(a) 는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 구성을 간략화하여 나타낸 단면도이며, 도6(b) 는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 동(同)단면도이다.
도7(a) 및 도7(b) 는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 장치의 구성을 간략화하여 나타낸 단면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1, 1A, 1B, 1C : 유기 EL 장치
2 : 기판
10 : 평탄화층(유기 평탄화층)
11 : 화소 전극(제1 전극)
12, 12A : 무기 격벽
12a : 개구부
12b : 관통공(무기 격벽 관통공)
121 : 제1 무기 격벽
122 : 제2 무기 격벽
13 : 유기 격벽
13b : 관통공(유기 격벽 관통공)
14, 14A : 격벽
14a : 개구부
15 : 기능층
18 : 공통 전극(제2 전극)
120 : 무기 재료층

Claims (6)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 형성된 유기 평탄화층과, 상기 유기 평탄화층 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극을 구획하고 그리고 그 상부를 노출시키는 개구부가 형성된 격벽과, 상기 격벽의 개구부 내에 형성된 기능층과, 상기 기능층을 덮어 형성된 제2 전극을 구비하고,
    상기 격벽은, 적어도 무기 격벽을 구비하고,
    상기 무기 격벽에는, 상기 무기 격벽을 관통하여 상기 유기 평탄화층에 도달하는 무기 격벽 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격벽은, 친액성(lyophilicity)을 갖는 상기 무기 격벽과, 발액성(liquid-repellency)을 갖는 유기 격벽을 구비하고,
    상기 유기 격벽은, 상기 무기 격벽 상에 형성되고, 상기 유기 격벽의 단부(end)는 상기 무기 격벽의 단부보다도 상기 무기 격벽에 형성된 상기 무기 격벽 관통공측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 무기 격벽은, 상기 유기 평탄화층측에 형성된 제1 무기 격벽과, 상기 유기 격벽측에 형성된 제2 무기 격벽을 구비하고,
    상기 제2 무기 격벽의 단부는, 상기 제1 무기 격벽의 단부보다도 상기 무기 격벽에 형성된 상기 무기 격벽 관통공측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 유기 격벽에는, 상기 유기 격벽을 관통하여 상기 무기 격벽 관통공에 연통(communicate)하거나, 또는, 상기 무기 격벽 관통공을 통해 상기 유기 평탄화층에 도달하는 유기 격벽 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 격벽 관통공은, 그 개구가 상기 개구부의 주위에 점재하고 있거나, 또는, 상기 개구부의 주위에 홈(groove) 형상으로 연속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.
  6. 기판 상에 형성된 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 기능층을 구비한 유기 EL 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판 상에, 유기 평탄화층을 형성하는 공정과,
    상기 유기 평탄화층 상에, 상기 제1 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제1 전극 상에, 무기 재료층을 형성하는 공정과,
    상기 무기 재료층에, 상기 제1 전극을 구획하고 그리고 그 상부를 노출시키는 개구부를 형성하여 무기 격벽을 형성하고, 상기 무기 격벽을 관통하여 상기 유기 평탄화층에 도달하는 무기 격벽 관통공을 형성하는 공정과,
    상기 개구부 내에 기능층을 형성하는 공정과,
    상기 기능층을 덮어 제2 전극을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치의 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160125883A (ko) * 2015-04-22 2016-11-01 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시장치 및 그 제조 방법
KR20170136146A (ko) * 2016-05-31 2017-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170142145A (ko) * 2017-12-13 2017-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2107133A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-07 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for treating a metal oxide layer
KR101348408B1 (ko) * 2008-12-02 2014-01-07 엘지디스플레이 주식회사 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
JP5330541B2 (ja) * 2009-11-26 2013-10-30 シャープ株式会社 有機ｅｌデバイス
KR20120078954A (ko) * 2011-01-03 2012-07-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20120105254A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN102705790B (zh) 2012-03-16 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示背板及其制造方法、显示装置
JP6083122B2 (ja) * 2012-03-27 2017-02-22 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN102945855B (zh) * 2012-11-13 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 发光显示背板、显示装置和像素界定层的制备方法
KR102000932B1 (ko) * 2012-12-18 2019-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN103915580B (zh) * 2014-03-31 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种woled背板及其制作方法
CN104538423B (zh) * 2014-12-22 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件及其制造方法
KR102512725B1 (ko) * 2018-02-28 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111341849B (zh) * 2020-03-05 2022-04-12 合肥京东方光电科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100550472C (zh) * 1998-03-17 2009-10-14 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JP4170700B2 (ja) * 2002-07-31 2008-10-22 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法
GB2391686B (en) * 2002-07-31 2006-03-22 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display and process for producing the same
US20040263072A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Joon-Young Park Flat panel display
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR100552973B1 (ko) * 2003-11-17 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4608921B2 (ja) * 2004-03-22 2011-01-12 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
US7791270B2 (en) * 2004-09-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device with reduced deterioration of periphery
US8569948B2 (en) * 2004-12-28 2013-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer
JP2006196298A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US7351656B2 (en) * 2005-01-21 2008-04-01 Kabushiki Kaihsa Toshiba Semiconductor device having oxidized metal film and manufacture method of the same
JP2007294413A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Canon Inc 有機ｅｌパネル及びその製造方法
US8221177B2 (en) * 2007-02-28 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL panel including an element substrate dehydrated in a shorter time and method for manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160125883A (ko) * 2015-04-22 2016-11-01 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시장치 및 그 제조 방법
KR20170136146A (ko) * 2016-05-31 2017-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170142145A (ko) * 2017-12-13 2017-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

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