KR20090068256A

KR20090068256A - 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체 및 가요성 배선 기판

Info

Publication number: KR20090068256A
Application number: KR1020097007765A
Authority: KR
Inventors: 테츠로 사토; 마코토 야마가타; 노리아키 이와타; 토시아키 오노; 야스오 코모다; 타츠오 카타오카; 슈지 치쿠죠; 나오아키 오가와
Original assignee: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2006-09-15
Filing date: 2007-09-13
Publication date: 2009-06-25
Also published as: WO2008032770A1; JPWO2008032770A1; TW200833195A; US20090317591A1

Abstract

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는, 가요성을 가지는 절연성 수지층의 표면에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층 및 이 절연성 수지층의 이면에 지지체가 되는 지지체 금속층이 적층되어 있고, 이 금속 복합 적층체의 합계 두께(W_t)가 35 ~ 130㎛, 절연성 수지층의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛이고, 이 절연성 수지층의 표면에 대면하는 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛, 이 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛, 또한 배선 형성 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%, 그리고 상기 배선 형성 금속층에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 4:1 ~ 1:12인 것을 특징으로 하며, 본 발명의 배선 기판은 상기 적층체로부터 제조할 수 있다. 본 발명에 따르면, 가요성을 가져 절곡하여 사용 가능한 배선 기판을 제조할 수 있다.

Description

가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체 및 가요성 배선 기판{METAL COMPOSITE LAMINATE FOR MANUFACTURING FLEXIBLE WIRING BOARD AND FLEXIBLE WIRING BOARD}

본 발명은 방열성, 절곡성, 절연 신뢰성 및 치수 정확도가 뛰어난 가요성 배선 기판을 제조하는데 적합한 금속 복합 적층체 및 이 금속 복합 적층체를 이용하여 형성된 가요성을 가지는 배선 기판에 관한 것이다.

집적 회로를 전자 기기에 장착하기 위하여 필름 캐리어가 사용되고 있다. 이 필름 캐리어는 일반적으로 폴리이미드 필름 등의 절연성 필름 기재의 표면에 동 등의 금속박을 배치하고, 이 금속박을 선택적으로 에칭하여 배선 패턴을 형성함으로써 형성된다.

그렇지만, 이와 같은 필름 캐리어의 절연성 필름 기재로서 사용되고 있는 폴리이미드 필름 등의 수지 필름은 흡수성이 있어 필름 캐리어를 제조하는 공정에서 물을 흡수함으로써 필름 캐리어 테이프가 치수 변화를 받기 쉬워진다. 최근의 미세 피치화의 요청하에, 허용되는 치수 정확도의 편차를 0.01% 이하로 할 필요가 있어, 상기와 같은 수지 필름을 사용해서는 한층 더한 미세 피치화에 대응하기 어려워지고 있다.

또한, 상기와 같은 필름 캐리어는 표면에 형성되어 있는 배선 패턴의 표면에 솔더 레지스트층 혹은 커버레이층을 형성하여 사용되는데, 솔더 레지스트층 혹은 커버레이층을 형성할 때의 경화 수축 등에 의해 휨 변형이 발생하는 경우가 있으며, 수지 필름으로 이루어지는 절연성 필름 기재로는 이러한 휨 변형의 발생을 방지하는 것이 어렵다.

또한, 상기와 같은 필름 캐리어는 반도체를 실장한 후 절곡하여 사용하는 경우가 많으며, 이러한 경우에 절곡 부분의 필름 캐리어를 타발하여 사용하는 방법이 채용되고 있는데, 이와 같은 절곡 부분의 강도가 현저하게 낮아진다는 문제가 있다.

또한, 상기와 같은 필름 캐리어에 실장되는 반도체는 소형·고밀도화되어 있어 이러한 반도체로부터 발생하는 열을 효율적으로 방열하지 않으면 고성능 반도체를 효과적으로 이용할 수 없는데, 필름 캐리어를 형성하는 수지 필름으로 이루어지는 절연성 필름 기재는 열전도율이 낮기 때문에 반도체에서 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 없다는 문제가 있다.

이와 같은 수지 필름 등의 절연성 필름 기재를 이용한 필름 캐리어 테이프의 과제를 해결하기 위하여, 예를 들어, 일본 특허 공개 소54-99563호 공보(특허 문헌 1), 일본 특허 공개 소62-186588호 공보(특허 문헌 2), 일본 특허 공개 평6-168986호 공보(특허 문헌 3), 일본 특허 공개 평8-55880호 공보(특허 문헌 4), 일본 특허 공개 평8-204301호 공보(특허 문헌 5), 일본 특허 공개 제2004-134781호 공보(특허 문헌 6) 등에는 상술한 절연성 필름 기재 대신에 금속 기재를 사용하는 것이 제안 되어 있다.

상기 특허 문헌 1 내지 5에는 금속제 지지체의 표면에 절연층을 개재하여 배선 기판을 형성하는 것이 기재되어 있지만, 이와 같은 배선 기판은 절곡 등에 대응할 수 없다.

또한, 특허 문헌 6의 단락 [0051], [0053]에는, 폭 600㎜, 두께 35㎛(표면 거칠기 Rz=4㎛)로 이루어진 동박을 연속적으로 공급하여 상기 박 위에 절연 접착제 조성물을 100㎛가 되도록 도포하고, 절연 접착 조성물과 접하는 면이 조화(粗化)(Rz=4㎛)된 폭 600㎜, 두께 35㎛의 전해 동박을 적층하고 라미네이터에 의해 가열 접합한 후 열풍 건조기로 절연 접착제 조성물을 경화시키고, 그 후 권취기에 의해 롤 형상으로 하여 폭 600㎜, 두께 170㎛, 길이 250m의 금속박 복합체를 제작한 것이 기재되어 있다.

그렇지만, 이 공보에 기재되어 있는 금속 복합체는 절연 접착 조성물의 층이 두꺼워 가요성을 가지지 않기 때문에, 절곡하여 사용하는 배선 기판을 제조하는 것은 불가능하다.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 소54-99563호 공보

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 소62-186588호 공보

특허 문헌 3: 일본 특허 공개 평6-168986호 공보

특허 문헌 4: 일본 특허 공개 평8-55880호 공보

특허 문헌 5: 일본 특허 공개 평8-204301호 공보

특허 문헌 6: 일본 특허 공개 제2004-134781호 공보

발명이 해결하고자 하는 과제

본 발명은 절연성 수지층을 개재하여 지지체 금속층과 배선 형성 금속층이 적층되고, 지지체 금속층과 배선 형성 금속층 사이의 절연 신뢰성이 높은 가요성을 가지는 배선 기판을 형성 가능한 금속 복합 적층체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 절연 신뢰성이 높음과 함께 절연성 수지층에 대한 밀착성이 높고, 또한 뛰어난 가요성을 가지는 배선 기판을 형성 가능한 금속 복합 적층체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 IC 반도체 장치로부터의 열을 효율적으로 제거할 수 있는 가요성 배선 기판을 형성 가능한 금속 복합 적층체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 절연성 수지층 표면에 형성된 배선 패턴과, 이 절연성 수지층의 이면 측에 적층된 지지체 금속층 사이의 절연 신뢰성이 높은 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 상기와 같이 절연 신뢰성이 높음과 함께 절연성 수지층에 대한 밀착성이 높고, 또한 뛰어난 가요성을 가지는 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 IC 반도체 장치로부터의 열을 효율적으로 제거할 수 있는 가요성 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

또한, 본 발명은 고성능 IC 반도체 장치를 고밀도로 실장해도 고성능 IC 반도체 장치로부터의 열에 의해 오작동 등의 불량이 생기기 어려운 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는, 가요성을 가지는 절연성 수지층의 표면에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층 및 이 절연성 수지층의 이면에 지지체가 되는 지지체 금속층이 적층된 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체로서,

이 금속 복합 적층체의 합계 두께(W₀)가 35 ~ 130㎛의 범위 내, 절연성 수지층의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있고,

이 절연성 수지층의 표면에 대면하는 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛, 바람직하게 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고, 이 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고,

또한 배선 형성 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내에 있음과 함께,

상기 배선 형성 금속층에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 4:1 ~ 1:12, 바람직하게 2:1 ~ 1:12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하고 있다.

또한, 본 발명의 가요성 배선 기판은, 가요성을 가지는 절연성 수지층의 표면에 배선 형성 금속층 및 이면에 지지체 금속층이 적층된 금속 복합 적층체의 배선 형성 금속층이 원하는 패턴으로 에칭된 가요성 배선 기판으로서,

이 금속 복합 적층체의 합계 두께(W_t)가 35 ~ 130㎛의 범위 내, 절연성 수지층의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있고,

이 절연성 수지층의 표면에 있는 배선 패턴의 절연성 수지층에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛, 바람직하게 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고, 이 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 절연성 수지층에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고,

또한, 이 배선 패턴에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내에 있음과 함께,

상기 배선 패턴에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 4:1 ~ 1:12, 바람직하게 2:1 ~ 1:12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하고 있다.

발명의 효과

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에서는, 절연성 수지층의 표면 및 이면에 소정의 평균 표면 조도를 가지는 금속층이 형성되어 있고, 절연성 수지층과 금속층이 높은 강도로 접합되어 있지만, 금속층의 표면의 거칠기와 절연성 수지층의 두께를 소정의 비율로 하고 있기 때문에, 절연성 수지층의 표면 측에 있는 금속층과 이면 측에 있는 금속층 사이에서 단락이 발생하지 않고, 또한 이 절연성 수지층이 열전도성을 방해하지 않는다. 따라서, 이 금속 복합 적층체를 이용하여 형성된 배선 기판은 절곡한 경우에도 배선 패턴이 절연성 수지층으로부터 박리되지 않고, 또한 배선 패턴 측에서 발생한 열이 절연성 수지층을 개재하여 이면 측의 금속층에 양호하게 전달되므로, 실장된 반도체에서 발생한 열을 이면 측에 배치된 금속층으로부터 효율적으로 제거할 수 있다.

또한 본 발명에서는, 지지체 금속층의 접착면의 평균 표면 조도와 배선 형성 금속층의 접착면이, 지지체 금속층에 가해지는 응력, 및, 배선 형성 금속층으로부터 형성된 배선 패턴에 가해지는 응력에 따라 나뉘어 있다. 즉, 이렇게 형성된 배선 기판은 뛰어난 가요성을 가지고 있으며, 절곡하여 사용해도 절곡 부분에 발생하는 응력에 대응한 접착 강도가 발현되도록 지지체 금속층, 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도가 미리 나뉘어 있다. 따라서, 본 발명의 배선 기판은 절곡하여 사용하는 등 여러가지 사용 방법에 의해서도 배선 패턴 및 지지체 금속층이 절연성 수지층으로부터 박리되지 않는다.

도 1은 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 단면의 예를 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 절연성 수지 층 부근을 확대하여 나타내는 단면도이다.

도 3은 본 발명의 가요성 배선 기판의 단면의 예를 나타내는 단면도이다.

도 4는 본 발명의 가요성 배선 기판을 제조하는 과정에 있어서의 기판의 단면의 예를 나타내는 단면도이다.

도 5는 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 다른 예를 나타내는 단면도이다.

도 6은 지지체 수지층을 배치한 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 예를 나타내는 단면도이다.

도 7은 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에서 지지체 금속층에 사용할 수 있는 양극(陽極) 산화된 알루미늄박의 표면 상태의 예를 나타내는 전자현미경사진이다.

[부호의 설명]

10…지지체 금속층

12…지지체 금속층의 표면

13…오목부

14…볼록부

15…지지체 금속층의 이면

20…절연성 수지층

22…절연성 수지층의 이면

24…절연성 수지층의 표면

25…절연성 접착 수지층

30…배선 형성 금속층

32…배선 형성 금속층의 표면

33…오목부

34…볼록부

35…배선 형성 금속층의 이면

45…지지체 수지층

이어서 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체 및 이것을 이용하여 제조되는 가요성 배선 기판에 대하여 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.

도 1은 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 단면을 모식적으로 나타내는 단면도 및 그 확대 단면도이다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는 절연성 수지층(20)의 이면 측에 지지체가 되는 지지체 금속층(10)이 형성되어 있고, 절연성 수지층(20)의 표면 측에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층(30)이 형성되어 있다.

여기서 절연성 수지층(20)을 형성하는 수지로서는, 가요성이 있고 또한 절연성인 수지를 사용할 수 있다. 이와 같은 수지의 예로서, 예를 들어 비닐아세탈 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰, 용제 가용형(可溶型) 폴리이미드 수지 등의 용제 가용인 선상(線狀) 폴리머, 에폭시 수지와 경화제 및 경화 촉진제로 이루어지는 에폭시 수지 배합물, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도 2장의 금속박을 양호하게 접착하기 위하여, 상기의 용제 가용 선상 폴리머 중에서 적어도 1종류의 수지를 선택하고, 이 선상 폴리머와 에폭시 수지와 경화제 및 경화 촉진제로 이루어지는 에폭시 수지 배합물을 사용할 수 있다.

여기서 사용하는 경화제의 예로서는, 페놀노볼락 수지와 같은 페놀계 에폭시 경화제나 디아미노디페닐설폰과 같은 아민계 에폭시 수지 경화제를 들 수 있고, 또한 경화 촉진제의 예로서는, 트리페닐포스핀, 이미다졸류, 디메틸 요소 등의 요소 유도체를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 혹은 조합하여 사용할 수 있다.

또한, 이 에폭시 수지 배합물 중에 있어서의 에폭시 수지와 용제 가용 선상 폴리머의 배합 중량비는 적절히 설정할 수 있다. 한편, 본 발명에서는 이 절연성 수지층(20)이 난연성인 것이 바람직하고, 상기와 같은 수지 배합물에 브롬계 난연제, 인계 난연제 등의 난연제를 배합하는 것이 바람직하다. 이와 같은 난연제의 배합량은 수지 성분 100중량부에 대하여, 브롬계 난연제이면 브롬으로서 통상 10 ~ 20중량부, 바람직하게 12 ~ 18중량부이고, 인계 난연제이면 인으로서 통상 0.5 ~ 3중량부, 바람직하게 1 ~ 2중량부이다.

본 발명에 있어서, 절연성 수지층(20)은 통상 단층이지만 복수의 수지의 적층체여도 된다.

이와 같은 절연성 수지층(20)의 이면 측에는 이 가요성 배선 기판 제조용 금 속 복합 적층체의 지지체가 되는 지지체 금속층(10)이 배치되어 있고, 표면 측에는 배선 패턴을 형성하는 배선 형성 금속층(30)이 배치되어 있다. 이들 배선 형성 금속층(30) 및 지지체 금속층(10)은 통상 금속박을 사용하여 형성되고, 이 절연성 수지층(20)은 배선 형성 금속층(30) 혹은 지지체 금속층(10) 중 어느 일방을 형성하는 금속박의 표면에 절연성 수지를 함유하는 도포액을 도포하고, 반경화 상태의 절연성 수지의 도포층에 타방의 금속박을 배치하여 가열하에 가압함으로써 형성할 수 있다.

상기와 같이 하여 절연성 수지층(20)을 형성하면, 지지체가 되는 지지체 금속층(10)과의 계면은 도 1에 참조부호 10-1로 나타내는 바와 같이, 지지체 금속층(10)의 표면(12) 상태가 절연성 수지층(20)의 이면(22)에 전사되어 지지체 금속층(10)의 표면(12) 상태와 같은 상태가 된다. 또한, 마찬가지로 도 1에 참조부호 30-1로 나타내는 바와 같이, 절연성 수지층(20)의 표면(24)은 배선 형성 금속층(30)의 표면(32) 상태가 전사된 상태가 된다.

이와 같이 하여 절연성 수지층(20)의 표리면의 상태는 지지체 금속층(10)과 배선 형성 금속층(30)에 의해 사이에 끼워짐으로써 각각의 금속층의 표면 상태가 전사된다.

본 발명에서는 도 1의 참조부호 10-1로 나타내는 바와 같이, 지지체 금속층(10)은 평균 표면 조도(Rz-2)가 통상 0.5 ~ 10㎛, 바람직하게 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고, 또한 배선 형성 금속층(30)은 도 1의 참조부호 30-1로 나타내는 바와 같이, 평균 표면 조도(Rz-1)가 통상 0.1 ~ 10㎛, 바람직하게 0.5 ~ 6.0㎛의 범 위 내에 있고, 절연성 수지층(20)의 이면(22)의 표면은 지지체 금속층(10)의 평균 표면 조도(Rz-2)에 대응한 표면 상태가 되고, 절연성 수지층(20)의 표면은 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대응한 표면 상태가 된다.

이와 같이 절연성 수지층(20)의 표면을 협지되는 금속층의 표면 상태와 같은 상태로 하기 위해서는 상기 예시한 용제 가용 선상 폴리머와 에폭시 수지와 경화제 및 경화 촉진제로 이루어지는 수지 배합제를 사용하는 것이 바람직하다. 절연성 수지로서 이와 같은 수지 배합제를 사용하는 경우, 절연성 수지의 표면 형상 전사성이 높은 것이 바람직하며, 수지 배합제의 도포액은 용제를 가하여 적절한 점도로 조정한다. 또한, 절연성 수지의 도포층을 반경화 상태에서 금속박을 사이에 두고 가열하에 가압함으로써 적층체를 형성하기 때문에, 반경화 상태의 수지층에 금속층이 패여 그 표면 상태가 전사되도록 어느 정도의 유연성을 가지고 있는 것이 바람직하고, 상기와 같은 수지 배합물을 금속박 표면에 도포하고 용제를 제거하여 수지 배합물을 반경화 상태까지 경화시킨 후 이 반경화 상태의 절연성 수지층의 표면에 다른 금속박을 접촉하여 가열하에 가압함으로써, 접촉한 금속의 표면 상태가 반경화 상태의 절연성 수지층에 전사되고, 지지체인 지지체 금속층(10), 절연성 수지층(20), 그리고 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층(30)이 이 순서로 적층된 금속 복합 적층체가 얻어진다. 특히 본 발명에서는, 상기와 같은 수지 배합물을 사용함으로써, MIL-P-13949G에 준거하여 측정한 레지스트 플로우가 5 ~ 50%, 바람직하게 10 ~ 40% 정도가 되고, 가열하에 가압하여 금속박을 압착할 때에 적층체의 측단부로부터 수지가 비어져 나오는 것을 방지할 수 있다.

한편 상기 설명은 일방의 금속박 표면에 상기 성분의 도포액을 도포하여 반경화시킨 후 타방의 금속을 가열·압착하는 방법을 예로 하여 설명하고 있지만, 절연성 수지층(20)의 형성 방법으로서는 그 밖에, 박리성 기재의 표면에 상기 도포액을 도포하여 반경화시킨 후 박리성 기재로부터 절연성 수지층을 금속박 표면에 전사하여 이 전사된 반경화된 절연성 수지층의 양면에 금속박을 배치하여 가열·압착하는 방법, 각각의 금속박의 표면에 절연성 수지층을 형성하여 이 절연성 수지층이 대면하도록 금속박을 배치하여 가열·압착하는 방법 등이 있다.

상기와 같이 하여 형성되는 절연성 수지층(20)의 두께(W₀)는 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 또한, 적층되는 배선 형성 금속층(30)의 절연성 수지층(20)에 대면하는 표면(32)의 평균 표면 조도(Rz-1)와, 지지체 금속층(10)의 절연성 수지층(20)에 대면하는 표면(12)의 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 상기 절연성 수지층(20)의 두께(W₀)의 3 ~ 60%, 바람직하게 2 ~ 50%의 범위 내가 되도록 절연성 수지층(20)의 두께를 설정한다.

즉, 도 2에 나타내는 바와 같이, 이 절연성 수지층(20)의 표리면에 적층되는 배선 형성 금속층(30) 및 지지체 금속층(10)의 표면은 다수의 요철이 형성되어 있는 것이 일반적이며, 배선 패턴을 형성하는 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)는 0.5 ~ 6.0㎛의 범위 내에 있고, 지지체를 형성하는 지지체 금속층(10)의 평균 표면 조도(Rz-2)는 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있다. 본 발명에서는 금속층의 평균 표면 조도는 금속층 표면의 임의의 10점에 대하여 조사한 값의 평균값이 며, 도 2에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 금속층(30)에 관하여 보면, 본 발명에서 허용할 수 있는 평균 표면 조도의 폭은 도 2 중에 Rz-1으로 나타내는 범위에 있고, 마찬가지로 지지체 금속층(10)에 관하여 보면, 본 발명에서 허용할 수 있는 평균 표면 조도의 폭은 도 2 중에 Rz-2로 나타내는 범위이다. 그런데, 예를 들어 배선 형성 금속층(30)에 대하여 보면, 평균 표면 조도(Rz-1)는 도 2 중에 Rz-1으로 나타낸 폭 중에 있지만, 이 배선 형성 금속층(30)의 표면에는 평균 표면 조도(Rz-1)의 폭을 크게 벗어나 높은 볼록부(34)가 있고, 이 볼록부(34)가 배선 형성 금속층(30)에 있어서의 Rz_max-1이다. 또한, 반대로 평균 표면 조도(Rz-1)의 폭을 크게 벗어나 깊은 오목부(33)가 이 배선 형성 금속층(30)에 있어서의 Rz_min-1이다.

마찬가지로 지지체 금속층(10)에 대하여 보면, 평균 표면 조도(Rz-2)는 도 2 중에 Rz-2로 나타낸 폭 중에 있지만, 이 지지체 금속층(10)의 표면에는 평균 표면 조도(Rz-2)의 폭을 크게 벗어나 높은 볼록부(14)가 있고, 이 볼록부(14)가 지지체 금속층(10)에 있어서의 Rz_max-2이다. 또한, 반대로 평균 표면 조도(Rz-2)의 폭을 크게 벗어나 깊은 오목부(13)가 이 배선 형성 금속층(10)에 있어서의 Rz_min-2이다.

따라서, 이 절연성 수지층(20)의 평균 두께를 W₀으로 하면, 만일 배선 형성 금속층(30)에 있어서의 Rz_max-1인 이 볼록부(34)와, 지지체 금속층(10)에 있어서의 Rz_max-2인 이 볼록부(14)가 같은 위치에 있으면, 이 볼록부(34)와 볼록부(14)의 합계가 W₀을 넘고 있어 볼록부(34)와 볼록부(14) 사이에서 단락이 형성된다. 반대로, 가령 볼록부(14)와 오목부(34)에서는 단락이 발생하지 않는다.

절연성 수지층(20)의 두께를 두껍게 하면 이러한 문제는 발새하지 않지만, 절연성 수지층(20)을 두껍게 하면 이 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 강성이 높아져 가요성을 잃기 쉽다. 이 때문에 절연성 수지층(20)의 두께에는 가요성과 절연성을 고려하여 제한이 있다. 본 발명에서는 금속박의 표면 상태를 다양하게 검토한 결과, 이러한 금속층(10, 30)의 평균 표면 조도(Rz-1, Rz-2)와 절연성 수지층(20)의 평균 두께(W₀)를 특정한 범위로 함으로써, 상기와 같은 배선 형성 금속층의 볼록부와 지지체 금속층의 볼록부가 근접함에 따른 배선 형성 금속층과 지지체 금속층 사이에서 단락이 발생하지 않는 범위를 구한 것이다.

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서, 배선 형성 금속층(30)의 면의 표면 조도의 최대값(Rz_max-1)은 상기 절연성 수지층(10)의 평균 두께(W₀)에 대하여 통상 1 ~ 55%의 범위 내에 있다. 또한, 지지체 금속층(10)의 면의 표면 조도의 최대값(Rz_max-2)은 상기 절연성 수지층(10)의 평균 두께(W₀)에 대하여 통상 1 ~ 55%의 범위 내에 있다. 이와 같이 금속층의 표면 조도의 최대값에 대하여 절연성 수지층(10)의 평균 두께(W₀)를 상기 범위 내로 설정함으로써 절연성 수지층에서 단락이 발생하지 않는다.

상술한 바와 같이 배선 형성 금속층(30)의 표면 상태 및 지지체 금속층(10)의 표면 상태는 각각의 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1) 및 평균 표면 조도(Rz-2)를 측정함으로써 대체로 파악할 수 있지만, 이 측정에 의해 구해지는 값은 그 금속박의 전체상으로서, 금속층을 형성하는 금속박의 전체 면을 검사하여 존재하는 볼록부를 모두 파악하는 것은 현존하는 배선 기판의 제조 방법에서는 불가능하다.

그렇지만, 본 발명에 따르면 측정 가능한 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층(10)의 평균 표면 조도(Rz-2)와, 또한 절연성 수지층(10)의 평균 두께(W₀)를 측정함으로써, 평균 표면 조도의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지의 평균 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내, 바람직하게 2 ~ 50%가 되는 평균 두께(W₀)로 절연성 수지층(20)을 형성함으로써, 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층(10) 사이에서 단락을 거의 완전히 방지할 수 있다. 또한, 절연성 수지층(29)으로 배선 기판을 형성하면, 이 배선 기판이 매우 양호한 가요성을 가지고 있어 절곡 사용 등에 의해서도 배선 패턴의 박리 혹은 단선 등이 발생하지 않는다.

또한, 지지체 금속층(10)은 지지체가 되는 금속층인데 대해, 배선 형성 금속층(30)은 배선 패턴을 형성하기 위한 금속층이기 때문에, 지지체 금속층(10)은 전체 면에서 절연성 수지층(20)의 표면과 접합된 상태가 최종적인 형태이다. 이러한 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층의 최종적인 사용 형태로부터, 세선화되어 배선 패턴(37)의 절연성 수지층(20)에 대한 접착 강도를 보다 높게 할 필요가 있는데 대해, 지지체인 지지체 금속층은 절연성 수지층(20)과 전체 면에서 접합되므로, 배선 형성 금속층(30)보다 절연성 수지층(20)에 대한 접합 강도는 낮아도 충분히 지지체로서 기능한다.

본 발명에서는, 배선 형성 금속층에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]를 4:1 ~ 1:12의 범위 내, 바람직하게 1:1 ~ 1:10, 특히 바람직하게 0.8:1 ~ 1:6의 범위 내로 하여, 배선 기판이 되었을 때의 배선 패턴(37)의 접착 강도와 지지체 금속층(10)의 접착 강도를 조정하고 있다.

본 발명에서는, 상술한 바와 같이 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층(10)의 평균 표면 조도(Rz-2)의 평균 표면 조도의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]와, 절연성 수지층(10)의 평균 두께(W₀)를 규정하여 단락의 방지 및 가요성을 확보하고 있지만, 평균 표면 조도의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)] 중, 절연성 수지층(20)과 보다 높은 밀착성을 필요로 하는 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)의 비율을 크게 함으로써 형성되는 배선 패턴의 밀착성이 매우 양호해지고, 또한 전체 면에서 절연성 수지층(10)과 접합되는 지지체 금속층(10)에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)의 비율을 작게 해도, 본 발명의 금속 복합 적층체로부터 얻어지는 가요성 배선 기판의 지지체인 지지체 금속층(10)이 박리되지는 않는다. 그리고, 본 발명에서는, 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층(10)의 평균 표면 조도(Rz-2)의 평균 표면 조도의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]를, 배선 형성 금속층(30) 및 지지체 금속층(10)의 기능에 맞추어 나누어 설정함으로써, 단락이 발생하지 않고 가요성이고 또한 절곡 강도도 높은 배선 기판의 형성이 가능해진다.

이와 같이 제조 공정에 있어서 일반적으로 측정 가능한 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1), 지지체 금속층의 평균 표면 조도(Rz-2) 및 절연성 수지층의 평균 두께(W₀)에 의해, 단락의 발생, 가요성, 절곡 강도를 조정하는 기술적 사상은 지금까지의 배선 기판에서는 알려지지 않았다.

상기와 같은 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서, 절연성 수지층(20)의 표면에 적층되는 배선 형성 금속층(30)은 에칭 등에 의해 반도체를 실장하기 위한 배선 패턴을 형성하기 위한 층이다. 이와 같이 배선 패턴을 형성하기 위한 금속박의 예로서, 동박, 알루미늄박, 니켈박, 스테인리스박을 들 수 있다. 본 발명에서는 전기 저항 및 가공의 용이함 면에서 동박을 사용하는 것이 바람직하다.

여기서 배선 형성 금속층(30)을 동박으로 형성하는 경우, 전해 동박, 압연 동박 중 어느 동박도 사용할 수 있다. 이와 같은 배선 형성 금속층(30)의 두께(W_m1)는 통상 5 ~ 35㎛, 바람직하게 8 ~ 30㎛의 범위 내에 있다. 이와 같은 두께의 동박을 사용함으로써 두께가 5 ~ 35㎛, 바람직하게 5 ~ 30㎛인 배선 패턴을 형성할 수 있다.

이 배선 형성 금속층(30)을 동박으로 형성하는 경우, 절연성 수지층(20)의 표면에 대면하는 면의 평균 표면 조도(Rz-1)는 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있다. 이 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5㎛에 못 미치는 경우에는 절연성 수지층(20)과의 사이에 충분한 밀착 강도가 발현되지 않기 때문에 형성된 배선 패턴의 박리가 발생한 다. 또한, 평균 표면 조도(Rz-1)가 6.0㎛를 넘으면 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층(10)과의 사이에 발생하는 단락이 형성될 가능성이 높아져 유효한 배선 기판을 안정적으로 형성할 수 없다. 특히 본 발명에서는 배선 형성 금속층(30)의 평균 표면 조도(Rz-1)를 상기 범위 내에서 바람직한 값으로 설정함으로써, 형성된 배선 패턴의 박리가 없고 또한 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층(10) 사이에 단락이 발생하지 않는다.

이 배선 형성 금속층(30)을 구성하는 동박의 절연성 수지층(20)에 대면하는 면(32)에는 절연성 수지층(20)과의 접착성을 높이기 위하여 Ni, Cr, Zn, Sn, Co 등의 금속을 이용하여 표면 처리되어 있어도 된다. 이들 금속은 단독으로 혹은 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 이 면에는 필요에 따라 돌기 처리, 실란 커플링 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 된다.

이 배선 형성 금속층(30)을 압연 동박을 사용하여 형성하는 경우, 압연 동박은 표리면에서 표면 조도에 차이가 없는 것이 일반적이므로, 평균 표면 조도(Rz-1)를 상기 범위 내로 조정하면 어느 면도 이용할 수 있다.

그런데, 이 배선 형성 금속층(30)을 전해 동박을 사용하여 형성하는 경우, 전해 동박에는 석출 개시면(S면)과 석출 종료면(M면)이 있고, 일반적으로는 S면이 M면보다 표면 조도가 낮다. 본 발명에서 이 배선 형성 금속층(30)을 전해 동박을 이용하여 형성하는 경우에는 S면을 절연성 수지층 (30)에 대면하는 면에 배치하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 배선 형성 금속층(30)의 S면을 접착제로 절연성 수지층에 점착하는 경우에는 그 평균 표면 조도(Rz-1)를 상기 범위 내로 조정한다. 그리고, 상기의 절연성 수지층을 이용함으로써 상기와 같은 평균 표면 조도(Rz-1)의 S면을 접착에 이용해도 매우 높은 접착 강도가 발현된다.

오히려 M면을 이용하면 그 평균 표면 조도(Rz-1)가 상기 범위의 상한을 넘는 경우가 많아지므로, M면을 사용하고자 하는 경우에는 에칭 등에 의해 표면을 정면(整面)할 필요가 있다.

한편, 배선 형성 금속층(10)의 절연성 수지층(20)과 대면하고 있지 않은 이면(35)의 평균 표면 조도는 통상 0.01 ~ 10㎛, 바람직하게 0.1 ~ 8㎛의 범위 내에 있고, 이와 같은 평균 표면 조도는 전해 동박의 M면의 표면 조도와 대략 동등하다.

또한, 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서, 지지체 금속층(10)은 지지체가 되는 금속층이고, 이와 같은 지지체 금속층(10)을 형성하는 금속박의 예로서는 동박, 알루미늄박, 니켈박, 스테인리스박, 인바(invar)박 등을 들 수 있다.

즉, 이 지지체 금속층(10)은 금속 적층 복합체의 지지체가 되는 층이며, 상기 배선 형성 금속층(30)과 동일한 금속을 이용하여 형성되어 있어도 되고, 상이한 금속으로 형성되어도 된다. 단, 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층(10)이 동일한 금속으로 형성되어 있는 경우, 배선 형성 금속층(30)과 지지체 금속층(10)의 열 팽창계수가 같아지기 때문에, 본 발명의 금속 복합 적층체를 가열·냉각을 반복해도 형성된 배선 기판에 있어서의 휨 변형의 발생을 예방할 수 있다. 또한, 인바박은 열에 의한 팽창·수축이 거의 없기 때문에, 이것을 이용함으로써 치수 안정성이 매우 높은 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 형성할 수 있다. 또한, 동 박은 배선 형성 금속층(30)을 동박을 이용하여 형성한 경우에는 동일한 금속박이 되어, 열팽창률이 배선 형성 금속층(30) 및 지지체 금속층(10)이 같아지기 때문에, 온도 변화에 의해서도 본 발명의 금속 적층 복합체에 휨 변형 등이 생기기 어려워진다. 또한, 이 지지체 금속층을 알루미늄박으로 형성할 수도 있다. 알루미늄박은 예를 들어 양극 산화 등에 의한 표면 처리를 용이하게 행할 수 있다.

이 지지체 금속층은 본 발명의 가요성 배선 기판에 있어서 지지체가 되는 층이고, 이 금속 지지체층은 방열부로서도 기능하는 층이며, 방열 효율을 보다 높게 하기 위해서는 이 지지체 금속층(10)의 절연성 수지층(20)과 접하지 않는 이면(15)에 대하여 다음 식 (1)로 나타내어지는 표면적비가 1 ~ 250,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 또한 300 ~ 200,000의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다.

표면적비=(금속층의 실제 표면적)/(금속층의 이상적인 평활 표면적) … (1)

지지체 금속층의 이면(15)의 표면적비가 상기와 같은 값을 가지는 지지체 금속층은 공기와의 접촉 면적이 커지므로 매우 뛰어난 방열성을 나타낸다.

상기와 같은 표면적비를 가지는 금속박은, 예를 들어 금속박이 전해 동박인 경우 M면을 사용함으로써, 또한 필요에 따라 대응면을 조면화 처리함으로써 달성할 수 있다. 이 지지체 금속층의 이면(15)의 평균 표면 조도는 통상 0.01 ~ 10㎛, 바람직하게 0.1 ~ 5㎛의 범위 내에 있다. 또한, 금속박이 알루미늄박인 경우에는 양극 산화에 의해 상기와 같은 표면 상태를 가지는 알루미늄박을 용이하게 형성할 수 있다.

특히 본 발명에서는, 양극 산화의 전 처리로서, 애노드 전극으로 하는 알루미늄박을, 통상 사포를 이용하여 연마하고, 알루미나 분말을 이용하여 버프(buff) 연마하고, 이어서 초음파 세정을 행한다. 또한 이리하여 초음파 세정한 알루미늄박을 인산, 황산, 크롬산 등의 알루미늄의 전해 연마액을 이용해 10 ~ 90V의 전압을 인가하여 전해 연마한다

이리하여 전해 연마한 알루미늄박을 애노드, Pt을 캐소드로하여 10 ~ 20% 정도 농도의 황산 중에서 인가 전압 10 ~ 30V 정도, 양극 산화 시간 0.1 ~ 5분 정도로 설정하여 1 ~ 25℃ 정도의 온도로 양극 산화함으로써, 본 발명의 지지체 금속층으로서 바람직하게 사용할 수 있는 양극 산화 알루미늄박을 제조할 수 있다. 이리하여 얻어진 양극 산화 알루미늄박의 예를 도 7에 나타낸다. 도 7은 양극 산화 알루미늄박의 전자 현미경 사진이다. 도 7에 나타내는 양극 산화 알루미늄박은 양극 산화에 의한 홀과 양극 산화시의 공식(孔蝕)에 의한 홀이 형성된 표면 형상을 가지고 있고, 상기 식 (1)로 나타내어지는 표면적비가 매우 커져 매우 뛰어난 방열성을 나타낸다.

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서는, 지지체 금속층(10)은 상기와 같은 금속박으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 특히, 동박, 알루미늄박, 양극 산화 알루미늄박, 인바박인 것이 특히 바람직하다.

이와 같은 지지체 금속층(10)의 두께(W_m2)는 통상 12 ~ 75㎛의 범위 내에 있다. 이 지지체 금속층(10)의 두께가 12㎛에 못 미치면 절연성 수지층(20) 등이 흡 습함에 따른 배선 기판의 치수 변화를 방지하는 효과가 충분히 발현되지 않는 경우가 있고, 또한 75㎛를 넘으면 본 발명의 가요성 배선 기판을 절곡하여 사용하는 것이 곤란해진다.

또한, 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서, 배선 형성 금속층(30)의 두께(W_m1)와 지지체 금속층(10)의 두께(W_m2)의 비(W_m1/W_m2)는 통상 3/35 ~ 35/12의 범위 내에 있다. 이와 같이 배선 형성 금속층(30)의 두께와 지지체 금속층(10)의 두께를 상기와 같이 함으로써 양호한 가요성을 가지면서 양호한 절곡성을 가지는 배선 기판을 형성할 수 있다.

이 지지체 금속층(10)이 절연성 수지층(20)과 대면하는 표면(12)의 평균 표면 조도(Rz-2)는 상술한 바와 같이 0.5 ~ 3.0㎛ 범위 내에 있고, 상기의 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1)와의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 평균 두께(W₀)의 3 ~ 60%의 범위 내에 있는 것이 필요하지만, 이 지지체 금속층(10)은 지지체로서 절연성 수지층(20)에 전체 면에 점착되어 있기 때문에, 절곡 시에 배선 형성 금속층(10)보다 박리되기 어렵다. 이 때문에 상기 배선 형성 금속층에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]를 4:1 ~ 1:12의 범위 내, 바람직하게 1:1 ~ 1:10의 범위 내, 특히 바람직하게 0.8:1 ~ 1:6의 범위 내로 함으로써, 절연성과 접착 강도의 균형을 취할 수 있다. 또한, 과도하게 절연성 수지층(20)을 두껍게 하지 않아도 단락이 발생하지 않기 때문에 배선 기판의 가요성이 손상되지 않는다.

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는, 상기와 같이 절연성 수지층(20)의 일방면에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층(30)을, 타방면에 지지체로서의 지지체 금속층(10)을 가지고 있으면 되지만, 도 4에 나타내는 바와 같이, 배선 형성 금속층(30)의 표면에 감광성 수지층을 형성하여 이 감광성 수지층을 노광·현상하여 원하는 패턴(52)을 형성하고, 이 패턴(52)을 마스킹재로서 배선 형성 금속층(30)을 선택적으로 에칭하여 배선 패턴(37)을 형성하는 경우, 절연성 수지층(20)의 타방면에 지지체를 형성하기 위하여 배치되어 있는 지지체 금속층(10)이 에칭제와 접촉하여 용해되는 것을 방지하고, 또한 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 보강하기 위하여, 도 6에 나타내는 바와 같이 지지체 금속층(10)의 표면에 지지체 수지층(45)을 형성할 수 있다. 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에서는 상기와 같은 지지체 수지층(45)을 배치한 상태로 취급하는 것이 바람직하다.

이 지지체 수지층(45)은 내(耐)약품성이 좋은 수지를 도포하여 형성할 수도 있고, 별도로 준비한 필름을 점착하여 형성할 수도 있다. 이 지지체 수지층(45)의 두께는 에칭 시의 지지체 금속층(10)의 보호를 위해서이면 그다지 두껍게 할 필요가 없어 통상 1 ~ 100㎛이고, 이 지지체 수지층(45)을 에칭 후에도 지지체로서 남기는 경우에는 통상 2 ~ 50000㎛, 바람직하게 2 ~ 10000㎛ 정도로 한다.

또한, 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는, 상기와 같이 절연성 수지층(20)의 일방면에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층(30)을, 타방면에 지지체로서의 지지체 금속층(10)을 가지고 있으면 되지만, 지지체인 지지체 금속층(10)을 더욱 두껍게 형성하는 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 지지체 금속층(10)의 이면(15)에 절연성 접착 수지층(25)을 마련하고 또한 이 절연성 접착 수지층(25)을 접착제층으로서 지지 금속층(40)을 배치할 수 있다. 여기서 절연성 접착 수지층(25)으로서는 절연성 및 접착성을 가지는 수지를 사용할 수 있지만, 예를 들어 본 발명의 금속 복합 적층체의 절연성 수지층(20)을 형성한 수지를 사용할 수도 있다. 또한, 이 절연성 접착 수지층(25)의 두께는 통상 0.5 ~ 100㎛, 바람직하게 3 ~ 80㎛의 범위 내에 있다. 또, 지지 금속층(40)의 두께는 통상 1 ~ 75㎛, 바람직하게 1 ~ 35㎛이다.

또한, 마찬가지로 상기 절연성 접착제층(25) 및 지지 금속층(40)을 더 적층할 수 있다.

상기와 같은 금속 복합 적층체로부터 형성되는 본 발명의 가요성 배선 기판은 도 3에 나타내는 바와 같이, 가요성을 가지는 절연성 수지층(20)의 표면에 배선 형성 금속층(30) 및 이면에 지지체 금속층(10)이 적층된 금속 복합 적층체의 배선 형성 금속층이 원하는 패턴으로 에칭된 가요성 배선 기판이다.

본 발명의 가요성 배선 기판의 제조에 이용되는 금속 복합 적층체는 합계의 두께(W_t)가 35 ~ 130㎛의 범위 내, 절연성 수지층(20)의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있다.

또한, 절연성 수지층(20)의 표면에 있는 배선 패턴(37)의 절연성 수지층(20)에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛의 범위 내에 있다. 또 한, 이 절연성 수지층(20)의 이면에 대면하는 지지체 금속층(10)의 절연성 수지층(20)에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있다.

그리고, 배선 패턴(37)에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층(10)에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층(20)의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내에 있음과 함께, 상기 배선 패턴(37)에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층(10)에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 0.8:1 ~ 1:12의 범위 내, 바람직하게 4:1 ~ 1:10의 범위 내에 있다.

또한, 본 발명의 가요성 배선 기판은 지지체 금속층(10)의 절연성 수지층(20)에 대면하고 있지 않은 면에 대하여 다음 식 (1)로 나타내어지는 표면적비가 1 ~ 250,000의 범위 내, 바람직하게 300 ~ 200,000의 범위 내에 있다.

이와 같은 본 발명의 가요성 배선 기판은, 상술한 바와 같이 배선 패턴은 동박, 알루미늄박, 니켈박, 및, 스테인리스박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 이루어지는 배선 형성 금속층을 에칭함으로써 형성할 수 있다.

또한, 지지체 금속층은 동박, 알루미늄박, 니켈박, 스테인리스박, 및, 인바박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 지지체 금속층을 전해 동박, 알루미늄박, 양극 산화 알루미늄박, 인바박으로 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 절연성 수지층은 상기와 마찬가지로 폴리비닐아세탈 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰, 및, 용제 가용형 폴리이미드 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 용제 가용성 세정 폴리머; 에폭시 수지 전구체, 경화체 및 경화 촉진제로 이루어지는 에폭시 수지 배합물, 및, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 수지를 함유하는 접착성 수지 조성물을 도포함으로써 형성된 것인 것이 바람직하다.

상기 금속 복합 적층체의 지지체 금속층(10)의 절연성 수지층(20)과 대면하지 않는 면에 지지체 수지층(45)이 배치될 수 있다. 본 발명의 배선 기판에는 상기와 같은 지지체 수지층(45)이 배치된 상태로 취급하는 것이 바람직하다.

본 발명의 가요성 배선 기판을 이용하여 원판 권회 릴에 권회된 테이프 형상의 금속 복합 적층체를 권출하여 이 금속 복합 적층체의 테이프를 권취 릴로 권취하는 동안에 금속 복합 적층체의 표면에 다수의 배선 기판을 연속적으로 형성함으로써 제조할 수 있다.

[실시예]

이어서 본 발명의 실시예를 제시하여 더욱 상세하게 설명하지만 본 발명은 이것들에 의해 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

지지체 금속층을 형성하는 두께 35㎛의 전해 동박(3EC-Ⅲ박; 두께 35㎛)의 M 면(Rz=5.5㎛)에 지지체 수지층이 되는 에폭시 수지 조성물을 건조 두께가 35㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=1.1㎛)에 절연성 수지층이 되는 에폭시 수지 조성물을 건조 두께가 12㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 이리하여 형성된 3층 적층체(베이스 테이프)에 베이스 테이프 반송용의 스프로킷 홀, IC 접합용의 디바이스 홀 및 배선 기판을 절곡하여 사용하기 위한 굴곡부의 홀을 형성하고, 이어서 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(FQ-VLP박; 두께 25㎛)의 S면(Rz=1. 2㎛)을 상기의 3층 적층체의 12㎛의 에폭시 수지 조성물 도포층 위에 배치해 롤 라미네이트로 온도 140℃, 압력 0.3MPa의 조건에서 접착하여 두께 107㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

이어서, 이 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체의 배선 형성 금속층의 표면에 포토레지스트를 도포하고 건조한 후 노광·현상함으로써 패턴을 형성하였다. 이 패턴을 마스킹재로서 배선 형성 금속층을 에칭한 후 포토레지스트를 박리하여 배선 패턴을 형성하였다. 이리하여 형성된 배선 패턴 위에 단자 부분이 노출되도록 솔더 레지스트를 도포하여 경화시키고, 노출된 단자 부분에 주석 도금을 하여 배선 기판을 형성하였다.

이리하여 얻어진 재료의 베이스 테이프의 흡습 팽창계수는 Oppm/%RH이고, 아우터 리드부의 누적 치수 편차는 ±0.01% 이하였다.

덧붙여서, 전해 동박과 폴리이미드 필름으로 이루어지는 종래의 COF(Chip on Film)의 베이스 테이프, 전해 동박, 접착제, 폴리이미드 필름으로 이루어지는 종래의 TAB 테이프의 베이스 필름인 폴리이미드 필름의 흡습 팽창계수는 9 ~ 15ppm/%RH 정도이고, 아우터 리드부의 누적 치수 편차는 통상 ±0.05%이다.

상기와 같이 하여 형성된 배선 패턴에 단락은 발생하지 않으며, 배선 패턴과 지지체 금속층 사이가 지지체 수지층인 에폭시 수지층에 의해 전기 절연 상태에 있음이 확인되었다.

실시예 2

지지체 금속층을 형성하는 두께 18㎛의 전해 동박(DFF박; 두께 18㎛)의 M면(Rz=1.1㎛)에 지지체 수지층이 되는 에폭시 수지 조성물을 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=0.5㎛)에 절연성 수지층이 되는 폴리아미드이미드 수지(PAI 수지)를 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이리하여 형성된 3층 적층체(베이스 테이프)에 베이스 테이프 반송용의 스프로킷 홀, IC 접합용의 디바이스 홀 및 배선 기판을 절곡하여 사용하기 위한 굴곡부의 홀을 형성하였다.

이어서, 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(3EC-Ⅲ박; 두께 35㎛)의 M면(Rz=5.8㎛)을 상기의 3층 적층체의 20㎛의 PAI 수지 도포층 위에 배치하여 롤 라미네이트로 온도 200℃, 압력 0.9MPa의 조건에서 접착하여 두께 93㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

이어서, 이 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 배선 기판을 형성하였다.

실시예 3

지지체 금속층을 형성하는 두께 18㎛의 전해 동박(3EC-VLP 박; 두께 18㎛)의 M면(Rz=3.3㎛)에 지지체 수지층이 되는 두께 43㎛의 커버레이(폴리이미드로 이루어지는 접착성 필름(PI 두께 25㎛, 접착제 두께 18㎛)을 점착하였다.

이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=1.1㎛)에 절연성 수지층이 되는 에폭시 수지 조성물을 건조 두께가 12㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이어서, 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(두께 25㎛, FQ-VLP박)의 M면(Rz=5.8㎛)을 상기의 3층 적층체의 12㎛의 에폭시 수지 조성물 도포층 위에 배치하여 롤 라미네이트로 온도 140℃, 압력 0.3MPa의 조건에서 접착하여 두께 98㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

[비교예 1]

지지체 금속층을 형성하는 두께 18㎛의 전해 동박(DFF박)의 M면(Rz=1.1㎛)에 지지체 수지층이 되는 에폭시 수지 조성을 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하 였다. 이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=0.5㎛)에 절연성 수지층이 되는 폴리아미드이미드 수지(PAI 수지)를 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이어서, 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(3EC-Ⅲ박; 두께 35㎛,)의 M면(Rz=6.7㎛)을 상기의 3층 적층체의 20㎛의 PAI 수지 도포층 위에 배치하여 롤 라미네이트로 온도 200℃, 압력 0.9MPa의 조건에서 접착하여 두께 93㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

상기와 같이 하여 형성된 배선 패턴에는 단락이 발생하여, 지지체 금속층과 배선 형성용 금속층 사이에 있는 절연성 수지층에 의해 이 지지체 금속층과 배선 형성용 금속층을 완전한 절연 상태로 할 수 없었다.

[비교예 2]

지지체 금속층을 형성하는 두께 35㎛의 전해 동박의 M면(Rz=5.5㎛)에 지지체 수지층이 되는 에폭시 수지 조성을 건조 두께가 35㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=2.2)에 절연성 수지층이 되는 에폭시 수지를 건조 두께가 7㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이리하여 형성된 3층 적층체(베이스 테이프)에 베이스 테이프 반송용의 스프 로킷 홀, IC 접합용의 디바이스 홀 및 배선 기판을 절곡하여 사용하기 위한 굴곡부의 홀을 형성하였다.

이어서, 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(FQ-VLP박, 두께 25㎛)의 S면(Rz=2.4㎛)을 상기의 3층 적층체의 7㎛의 에폭시 수지층 위에 배치하여 롤 라미네이트로 온도 140℃, 압력 0.3MPa의 조건에서 접착하여 두께 102㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

[비교예 3]

지지체 금속층을 형성하는 두께 18㎛의 전해 동박(DFF박)의 M면(Rz=1.1㎛)에 지지체 수지층이 되는 에폭시 수지 조성을 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 이어서 이 전해 동박의 S면(Rz=2.2㎛)에 절연성 수지층이 되는 폴리아미드이미드 수지(PAI 수지)를 건조 두께가 20㎛ 두께가 되도록 도포하였다.

이어서, 배선 형성 금속층이 되는 전해 동박(3EC-Ⅲ박; 두께 35㎛)의 M 면(Rz=11.6㎛)을 상기의 3층 적층체의 20㎛의 PAI 수지 도포층 위에 배치하여 롤 라미네이트로 온도 200℃, 압력 0.9MPa의 조건에서 접착하여 두께 93㎛의 본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체를 제조하였다.

상기와 같이 하여 형성된 배선 패턴에는 단락의 발생이 있어, 지지체 금속층과 배선 형성용 금속층 사이에 있는 절연성 수지층에 의해 이 지지체 금속층과 배선 형성용 금속층을 완전한 절연 상태로 할 수 없었다.

상기 실시예 및 비교예의 결과를 표 1 에 나타낸다.

	실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3
지지체 수지층	에폭시 수지 35㎛	에폭시 수지 20㎛	PI 커버레이 25+18	에폭시 수지 20㎛	에폭시 수지 35㎛	에폭시 수지 20㎛
Rz	M-5.5㎛	M-1.1㎛	M-3.3㎛	M-1.1㎛	M-5.5㎛	M-1.1㎛
지지체 금속층(W_m2)	3EC-Ⅲ 35㎛	DFF 18㎛	3EC-VLP 18㎛	DFF 18㎛	3EC-Ⅲ 35㎛	DFF 18㎛
Rz-2	S-1.1㎛	S-0.5㎛	S-1.1㎛	S-0.5㎛	S-2.2㎛	S-2.2㎛
절연성 수지층(W₀)	에폭시 수지 12㎛	PAI 수지 20㎛	에폭시 수지 12㎛	PAI 수지 20㎛	에폭시 수지 7㎛	PAI 수지 20㎛
Rz-1	S-1.2㎛	M-5.8㎛	M-5.8㎛	M-6.7㎛	S-2.4㎛	M-11.6㎛
배선 형성 금속층(W_m1)	FQ-VLP 25㎛	3EC-Ⅲ 35㎛	FQ-VLP 25㎛	3EC-Ⅲ 35㎛	FQ-VLP 25㎛	3EC-Ⅲ 35㎛
총 두께	107㎛	93㎛	98㎛	93㎛	102㎛	93㎛
[(Rz-1)+(Rz-2)]	1.3	6.3	6.9	7.3	4.6	13.8
[(Rz-1)+(Rz-2)]/W₀×100	10.83%	31.50%	57.50%	36.5%	65.71%	69.00%
(Rz-2):(Rz-1)	1.1:1.2	0.5:5.8	1.1:5.8	0.5:6.7	2.2:2.4	2.2:11.6
W_m1/W_m2	25/35	35/18	25/18	35/18	25/35	35/18
라미네이트 조건	140℃	200℃	140℃	200℃	140℃	200℃
압력	0.3MPa	0.9MPa	0.3MPa	0.9MPa	0.3MPa	0.9MPa
배선 단락 유무	단락 없음	단락 없음	단락 없음	단락 발생	단락 발생	단락 발생

주) 사용된 3EC-Ⅲ박, DFF박, 3EC-VLP박, FQ-VLP박 등은 모두 MITSUI 금속 광업(주) 제품이다. 또한, 사용된 동박에 대하여 그 표면 상태를 정밀 조사한 결과, Rz_max-1 및 Rz_max-2는 모두 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 1 ~ 55%의 범위 내에 있었다.

본 발명의 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체는 지지체 금속층, 절연성 수지층, 배선 형성 금속층이 이 순서로 적층된 합계의 두께가 35 ~ 130㎛의 구성을 가지고 있고, 예를 들어 지지체 금속층의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3㎛로 조정된 표면에서 절연성 수지층과 접합되고, 또한 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛로 조정된 통상 S면과 절연성 수지층을 접합시킬 수 있다. 또한, 상기의 지지체 금속층의 평균 표면 조도와 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도의 합계가 절연성 수지층의 두께의 3 ~ 60%의 범위 내에 있으므로, 지지체 금속층과 배선 형성 금속층 사이에 단락은 일어나지 않고, 또한 지지체 금속층과 절연성 수지층과 배선 형성 금속층이 강고하게 결합된 금속 복합 적층체이며 가요성을 가진다.

따라서, 본 발명의 금속 복합 적층체를 이용하여 제조된 배선 기판은 절곡하여 사용해도 절곡 부분에 형성된 배선 패턴이 박리되지 않아 매우 뛰어난 가요성을 가지고 있다. 또한, 이 배선 기판은 흡습 팽창계수가 실질적으로 제로이기 때문에, 흡습에 의한 치수 변화가 매우 작아서 흡습에 의한 형성된 리드의 누적 치수 편차가 거의 발생하지 않는다.

또한, 절연성 수지층에 접합되는 금속박의 평균 표면 조도가 지지체 금속층과 배선 형성 금속층 사이에서 필요한 접합 강도에 따라 나뉘어 있으며, 배선 기판을 절곡하여 사용한 경우와 같이 응력이 편재해도 이에 대응한 접합력을 부여할 수 있어, 배선 패턴의 박리, 지지체 금속층의 박리가 발생하지 않는다.

또한, 본 발명의 배선 기판에서는 배선 패턴이 매우 얇은 절연성 수지층을 개재하여 금속박 위에 형성되어 있어, 실장된 IC 반도체 장치로부터의 열은 절연성 수지층에 의해 차단되지 않고 신속히 지지체인 금속박으로 전달되어 방출된다. 따라서, 고성능의 IC 반도체 장치를 실장해도 IC 반도체 장치의 열을 효율적으로 외부로 방출할 수 있어, 고성능의 IC 반도체 장치를 고밀도로 탑재할 수 있다.

Claims

가요성을 가지는 절연성 수지층의 표면에 배선 패턴을 형성하기 위한 배선 형성 금속층 및 이 절연성 수지층의 이면에 지지체가 되는 지지체 금속층이 적층된 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체로서,

이 금속 복합 적층체의 합계 두께(W_t)가 35 ~ 130㎛의 범위 내, 절연성 수지층의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있고,

이 절연성 수지층의 표면에 대면하는 배선 형성 금속층의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛의 범위 내에 있고, 이 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고,

또한 배선 형성 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내에 있음과 함께,

상기 배선 형성 금속층에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 4:1 ~ 1:12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항에 있어서,

상기 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서의 배선 형성 금속 층의 두께(W_m1)와 지지체 금속층의 두께(W_m2)의 비(W_m1/W_m2)가 3/35 ~ 35/12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항에 있어서,

상기 절연성 수지층의 표면에 대면하는 배선 형성 금속층의 면의 표면 조도의 최대값(Rz_max-1)이 상기 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 1 ~ 55% 범위 내에 있고, 상기 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 면에 있어서의 표면 조도의 최대값(Rz_max-2)이 상기 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 1 ~ 55% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항에 있어서,

상기 지지체 금속층의 절연성 수지층에 대면하고 있지 않은 면에 대하여 다음 식 (1)로 나타내어지는 표면적비가 1 ~ 1,600,000의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체:

[수학식 3]

표면적비=(금속층의 실제 표면적)/(금속층의 이상적인 평활 표면적) … (1)
제1항에 있어서,

상기 배선 형성 금속층이 동박, 알루미늄박, 니켈박, 및, 스테인리스박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항에 있어서,

상기 지지체 금속층이 동박, 알루미늄박, 니켈박, 스테인리스박, 및, 인바박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항에 있어서,

상기 절연성 수지층이 폴리비닐아세탈 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰, 용제 가용형 폴리이미드 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 용제 가용성 세정 폴리머; 에폭시 수지 전구체, 경화체 및 경화 촉진제로 이루어지는 에폭시 수지 배합물, 및, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 수지를 함유하는 접착성 수지 조성물을 도포함으로써 형성된 것인 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 금속 복합 적층체의 지지체 금속층의 절연성 수지층과 대면하지 않는 면에 지지체 수지층이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
제8항에 있어서,

상기 지지체 수지층의 지지체 금속층이 배치되어 있지 않은 면의 표면에 제3의 금속층을 더 가지는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체.
가요성을 가지는 절연성 수지층의 표면에 배선 형성 금속층 및 이면에 지지체 금속층이 적층된 금속 복합 적층체의 배선 형성 금속층이 원하는 패턴으로 에칭된 가요성 배선 기판으로서,

이 금속 복합 적층체의 합계 두께(W_t)가 35 ~ 130㎛의 범위 내, 절연성 수지층의 두께(W₀)가 10 ~ 30㎛의 범위 내에 있고,

이 절연성 수지층의 표면에 있는 배선 패턴의 절연성 수지층에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-1)가 0.5 ~ 6.0㎛의 범위 내에 있고, 이 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 절연성 수지층에 접촉하고 있는 면의 평균 표면 조도(Rz-2)가 0.5 ~ 3.0㎛의 범위 내에 있고,

또한 이 배선 패턴에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-1)와 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 합계 [(Rz-1)+(Rz-2)]가 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 3 ~ 60%의 범위 내에 있음과 함께,

상기 배선 패턴에 있어서의 평균 표면 조도(Rz-1)에 대한 지지체 금속층에 있어서의 상기 평균 표면 조도(Rz-2)의 비 [(Rz-2):(Rz-1)]이 4:1 ~ 1:12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 가요성 배선 기판 제조용 금속 복합 적층체에 있어서의 배선 패턴의 두께(W_m1)와 지지체 금속층의 두께(W_m2)의 비(W_m1/W_m2)가 3/35 ~ 35/12의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 절연성 수지층의 표면에 대면하는 배선 패턴의 면의 표면 조도의 최대값(Rz_max-1)이 상기 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 1 ~ 55% 범위 내에 있고, 상기 절연성 수지층의 이면에 대면하는 지지체 금속층의 면에 있어서의 표면 조도의 최대값(Rz_max-2)이 상기 절연성 수지층의 두께(W₀)에 대하여 1 ~ 55% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 지지체 금속층의 절연성 수지층에 대면하고 있지 않은 면에 대하여 다음 식 (1)로 나타내어지는 표면적비가 1 ~ 250,000의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판:

[수학식 4]

표면적비=(금속층의 실제 표면적)/(금속층의 이상적인 평활 표면적) … (1)
제10항에 있어서,

상기 배선 패턴이 동박, 알루미늄박, 니켈박, 및, 스테인리스박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 이루어지는 배선 형성 금속층을 에칭함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 지지체 금속층이 동박, 알루미늄박, 니켈박, 스테인리스박, 및, 인바박으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류의 금속박으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 절연성 수지층이 폴리비닐아세탈 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰, 용제 가용형 폴리이미드 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 용제 가용성 세정 폴리머; 에폭시 수지 전구체, 경화체 및 경화 촉진제로 이루어지는 에폭시 수지 배합물, 및, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 수지를 함유하는 접착성 수지 조성물을 도포함으로써 형성된 것인 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 금속 복합 적층체의 지지체 금속층의 절연성 수지층과 대면하지 않는 면에 지지체 수지층이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 배선 패턴이 금속 복합 적층체의 지지체 금속층의 금속 노출면에 보호층을 형성한 후 배선 형성 금속층을 선택적으로 에칭함으로써 형성된 것인 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.
제10항에 있어서,

상기 가요성 배선 기판이 원판 권회 릴에 권회된 테이프 형상의 금속 복합 적층체를 권출하여 이 테이프를 권취 릴로 권취하는 동안에 이 금속 복합 적층체의 표면에 다수의 배선 기판을 연속적으로 형성함으로써 형성된 것인 것을 특징으로 하는 가요성 배선 기판.