KR20090060296A - 반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용 - Google Patents

반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용 Download PDF

Info

Publication number
KR20090060296A
KR20090060296A KR1020097005351A KR20097005351A KR20090060296A KR 20090060296 A KR20090060296 A KR 20090060296A KR 1020097005351 A KR1020097005351 A KR 1020097005351A KR 20097005351 A KR20097005351 A KR 20097005351A KR 20090060296 A KR20090060296 A KR 20090060296A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
coating
laser
metal powder
mixtures
Prior art date
Application number
KR1020097005351A
Other languages
English (en)
Inventor
모니카 알레만
앙스가 메테
스테판 굴른즈
랄프 프레우
Original Assignee
프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우
알베르트-루드빅스-유니베르지텟 푸라이부르그
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우, 알베르트-루드빅스-유니베르지텟 푸라이부르그 filed Critical 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우
Publication of KR20090060296A publication Critical patent/KR20090060296A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저 소결법에 의하여 반도체 기판, 특히 태양 전지 상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방식으로 생산된 반도체 기판, 특히 태양 전지에 관한 것이고, 그 방법의 사용에 관한 것이다.

Description

반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용{METHOD FOR APPLYING ELECTRIC CONTACTS TO SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATES, SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATE AND USE OF SAID METHOD}
본 발명은 레이저 소결법(sintering method)에 의하여 반도체 기판, 특히 태양 전지 상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 방식으로 생성된 반도체 기판, 특히 태양 전지에 관한 것이고, 그리고 그 방법의 사용에 관한 것이다.
태양 전지의 전기 접점은 조명(illuminatin) 하에서 태양 전지로부터 생성된 전하 운반자(charge carriers)를 전도하는 목적을 수행한다. 이 목적을 위하여, 상기 전기 접점은 반도체/실리콘에 대한 양호한 접촉, 양호한 전도도 및 충분히 높은 기계적 접착을 가져야 한다.
상기 접점은 일반적으로 스크린 프린팅(screen printing) 방법을 이용하여 금속성 페이스트(pastes)로 공업적으로 생산된다. 금속 라인(lines)은 구성된 스크린(structured screen)을 통하여 태양 전지의 전면상에 프린트된다. 소위 소성 (firing) 단계에서, 페이스트에 존재하는 유리 프릿(glass frit)은 고온에서 태양 전지의 반사장지 코팅(SiO2, SiNx, SiC)을 통하여 에칭된다. 그 결과, 반도체와 금속 사이의 실제 접점이 생성된다[J. Nijs, E. Demesmaeker, J. Szlufcik, J. Poortmans, L. Frisson, K. De Clercq, M. Ghannam, R. Mertens, R. Van Overstraeten, 1st WCPEC, p. 1242, Hawaii, 1994].
상기 페이스트 내에서 필요한 불순물 및 방법의 기술적 한계로 인하여(예를 들어, 프린팅 이후 페이스트의 러닝(running) 또는 약 60-100 ㎛ 범위의 최소 가능 구조 폭), 스크린 프린팅된 접점의 전기적 특성 및 종횡비(높이 대 폭) 양쪽 모두가 최적은 아니다.
독일특허 번호 DE 100 46 170 A1 호는 RTP에 의한 반사방지 코팅층(ARC layers)을 통한 각인된(imprinted) AL 페이스트의 소결 및 레이저 제거(ablation)에 의한 반사방지 코팅층에 홈(groove)의 도입을 개시한다. 따라서, 순수한 AL 금속층(11)은 레이저 펄스(10)에 의하여 반사방지 코팅층(12)을 통하여 소결되고, 또한 순수한 AL 금속층 대신에 페이스트를 사용하는 것이 아닌 목적으로 페이스트를 사용하는 대조가 이루어졌다.
2006.05.07-12, Waikoloa, 광전지 에너지 변환에 관한 2006년 IEEE 4차 세계 컨퍼런스의 컨퍼런스 기록, ISBN 1 4244 0016 3, (Cat 번호. 06CH37747), 2006, pp. 1032-1035 에서의 Grohe 등의 "LFC 전지의 산업적 생산을 위한 경계 조건" 및 2002.05.19-24, New Orleans, 제29차 IEEE 광전지 전문가 컨퍼런스 2002의 컨퍼런 스 기록, ISBN 0 7803 7471 1, 2002, pp. 300-303 에서의 Schneiderlochner 등의 "불활성화된(passivated) 후면 태양 전지용 레이저-소결 접점에 관한 조사"는 각각 태양 전지의 생산을 다루고, 모든 경우에서 후면 접점의 생산을 위하여 "레이저-소결된 접점(Laser-Fired contact: LFC)" 방법이 이용되었고, 상기 목적을 위하여 알루미늄으로 제작된 순수한 금속층이 생성되었다. 또한, Schneiderlochner 등은 상기 목적을 위하여 LFC에 대한 대안으로 AL 페이스트가 각인되는 AL-BSF를 언급하였다.
미국특허 번호 US 5,468,652 호는 하기의 특징을 갖는 접점(26, 28)의 생산 방법을 개시한다: 열 도입의 유형을 밝히지 않으면서 SiN 또는 SiO로 만들어진 유전층(dielectric layer)을 통한 각인된 AL 페이스트 및 이 페이스트의 소결.
미국특허 번호 US 6,429,037 B1 호는 레이저에 의하여 한 층으로부터 도핑제를 가하여 태양 전지의 도핑 영역을 형성하고, 또한 상기 층은 복수의 층으로 구성될 수 있고, 이러한 층의 최상층만이 도핑제를 이동시킬 수 있고, 하부 층은 "관통 소결(fired through)" 된다. 이후, 조사된(irradiated) 위치에서 금속 전극이 전류 없이 갈바니 전기적으로(galvanically) 생성된다.
미국특허 번호 US 4,931,323 호는 표면에 각인된 구리 페이스트 및 레이저 소결에 의하여 기판상에 구리 전도체를 형성한다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점으로부터 시작하여, 반도체 기판상에 금속 접점의 경제적 생성을 가능하게 하여 종래 기술에 기술된 문제점을 회피하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 이러한 목적은 청구항 1항의 특징을 갖는 방법에 의하여 달성된다. 청구항 32항은 본 발명에 따라 생산될 수 있는 반도체 기판을 나타낸다. 본 발명의 가능한 사용 목적은 청구항 34항에 기술되어 있다. 종속항은 유리한 발전을 나타낸다.
본 발명에 따라, 하기 단계가 순차적으로 수행되는, 반도체 기판상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하는 방법이 제공된다:
a) 기판상에 금속 분말층을 생성하는 단계,
b) 상기 금속 분말의 국소 소결 및/또는 용융을 위하여 기판상에 레이저 빔을 유도하는 단계,
c) 소결되지 않고 그리고/또는 용융되지 않은 금속 분말을 제거하는 단계.
본 발명에 따라 금속 분말이라는 용어는 각각의 금속 및 일부 금속을 포함하는 합금 모두를 지칭하는 것으로 이해된다.
본 발명은 특히 태양 전지상에 전기 접점을 생성하기에 적당하다.
본 발명의 유리한 일 실시예에서, 본 발명에 따라 기판상에 생성된 접점은 10 ㎚ 내지 20 ㎛, 바람직하게는 10 ㎚ 내지 3 ㎛ 및 특히 바람직하게는 80 ㎚에서 200 ㎚의 두께를 갖는다.
소결하는 동안에 금속 분말의 산화 또는 과열을 피하기 위하여, 본 발명의 방법은 불활성(inert) 분위기 또는 진공에서 조작하는 것이 바람직하다. 이 목적을 위하여 불활성 기체는 질소, 아르곤, N2H2(형성 가스) 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에서, 코팅되는 기판은 전기 접점을 생성하기 전에 이미 코팅된다. 특히, 태양 전지의 경우 기판의 코팅은 예를 들어, 절연층 또는 반사방지 코팅일 수 있다.
물론, 기판 자체의 코팅은 소위 층 시퀀스(layer sequence)라는 복수개의 층 시퀀스로부터 구성되는 것도 가능하다. 상기 코팅 물질 및/또는 코팅의 개별 층 시퀀스의 물질은 바람직하게는 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트리드, 실리콘 카바이드 및/또는 그 혼합물을 포함하는 물질의 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 방법의 필수적 장점은, 이미 코팅된 기판을 사용하는 경우, 단계 b)에서 코팅이 금속 분말의 소결 및/또는 용융 동안에 천공되고, 따라서 전기 접점이 반도체 기판상에 생성될 수 있는 가능성이 제공된다는 점에 있다. 따라서, 하나의 방법 단계(단계 b)에서 폐쇄(closed) 전기 접점의 생산 및 절연 또는 반사방지 코팅의 천공이 동시에 제공된다.
상기 금속 분말은 바람직하게는 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 마그네슘, 은, 코발트, 카드뮴, 티타늄, 팔라듐 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함한다.
상기 금속 분말의 입자 크기는 바람직하게는 1 ㎚ 내지 100 ㎛, 더 바람직하게는 100 ㎚ 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 500 ㎚ 내지 2 ㎛이다.
본 발명의 다른 유리한 일 실시예에서, 상기 금속 분말 층은 단계 a)에서 1 ㎛ 내지 1 ㎜, 바람직하게는 200 ㎛ 내지 800 ㎛, 특히 바람직하게는 500 ㎛ 내지 800 ㎛ 사이의 두께로 생성된다.
또한, 적어도 하나의 보충제(supplement)가 상기 금속 분말에 첨가되는 것이 더 유리하다.
합금 과정은 순차적으로 보조된다. 이는 상기 보충제가 코팅의 용해 및/또는 금속 접점의 접착에서 개선을 일으킨다는 사실에 기인한 것이다.
바람직하게는, 상기 보충제는 예를 들어 붕규산납(lead borosilicate) 또는 유리와 같은 유리 프릿; 유기 화합물; 예를 들어, 인 또는 붕소 분말과 같은 n-형 도핑 또는 p-형 도핑 영역에 대한 도핑제 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따라 사용되는 레이저는 임의의 특별한 제한을 받지 않지만, 레이저 방사에 의한 금속 분말의 소결 및/또는 용융이 보장되어야 한다는 것이 중요하다. 상기 레이저는 일반적으로 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시광선 및/또는 자외선 범위에서 방출할 수 있다.
그러나, 고체 레이저, 특히 Nd : YAG 레이저가 사용될 수 있다. 물론, 사용된 레이저는 펄스로 연속적으로 조작될 수 있다.
상기 레이저는 바람직하게는 1 W 내지 60 W, 바람직하게는 1 W 내지 20 W, 특히 바람직하게는 2 W 내지 6 W 범위의 전력으로 작동될 수 있다.
상기 레이저 빔은 10 ㎜/s 내지 10 m/s, 바람직하게는 100 ㎜/s 내지 2 m/s, 특히 바람직하게는 200 ㎜/s 내지 600 ㎜/s의 속도로 기판상에 유도되는 것이 바람직하다.
레이저 에너지는 선택되어 기판상에 레이저 빔의 속도로 결합되어야 하고, 한편으로는 상기 분말은 충분한 접점이 생성되도록 충분히 소결되어야 하고, 다른 한편으로는 하부에 위치한 태양 전지 구조에 상당한 손상이 발생하지 않아야 한다.
본 발명의 다른 장점은 비소결 물질이 단계 c)에서 예를 들어, 흡입 (suctioning off), 회수(gathering in), 헹구거나(rinsing off) 진동시켜(shaking off) 다시 수집될 수 있다는 사실에서 볼 수 있다. 따라서, 본 방법은 높은 물질 효율성 및 사용되지 않은 임의의 물질의 재생(recycling)을 가능하게 한다. 이는 환경 및 경제적 측면 양쪽 모두로 보아 유리하다.
더 나은 전도도를 달성하기 위하여, 단계 c) 이후에, 상기 전기 접점의 보강이 금속의 추가 생성으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 생성은 갈바닉 전기 방법(galvanic method)에 의하여 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 갈바닉 전기적으로(glvanically) 생성된 금속은 구리, 은 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 특히 유리하다.
이와 같이, 예를 들어 실리콘과 같은 각각의 반도체 구성요소에 대하여 양호한 전기 접점을 갖지만, 그다지 높은 전도도를 갖지 않는 전기 접점을 반도체 기판상에 생성하는 가능성이 발생한다. 따라서, 접점 저항 및 접착력에 대하여 레이저에 의하여 소결된 전기 접점을 최적화하고, 그 위에 갈바닉 통전된(ganvanised) 층이 높은 전도도를 확보하도록 하는 것도 가능하다. 바람직하게는, 갈바닉 통전된 접점은 이후 접점 저항을 더 낮추기 위하여 예를 들어 250 내지 400 ℃의 온도에서 소결된다.
또한, 전기 접점의 생성이 완료된 이후에, 상기 접점상에 다른 금속의 갈바닉 생성을 포함하려면, 반도체 기판은 코팅으로 덮히는 것이 바람직하다.
상기 코팅은 바람직하게는 반사방지 코팅이다. 물론 상기 코팅은 개별 층 시퀀스로부터 순차적으로 구성될 수 있다.
실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트리드, 실리콘 카바이드 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 물질이 바람직한 코팅 물질로서 사용가능하다.
본 발명에 따르면, 앞에 기술된 본 발명에 따른 방법에 따라서 생산될 수 있는 기판이 마찬가지로 제공된다.
특히, 상기 기판은 태양 전지일 수 있다.
본 발명에 따라 기판상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하는 방법이 마찬가지로 생성될 수 있다.
이하 본 발명의 방법을 도 1 내지 4를 참조하여 설명하고, 본 발명의 방법은 제시된 특정한 실시예에 따른 방법에 한정된지 않는다.
도 1은 단계 a)를 수행한 후에 생성된 분말 층(4)을 갖는 태양 전지를 나타내고,
도 2는 단계 b)를 수행한 후에 소결된 접점(5)을 갖는 태양 전지를 나타내고,
도 3은 단계 c)를 수행한 후에 소결된 접점을 갖는 태양 전지를 나타내고, 그리고
도 4는 납땜된(soldered) 접점(5) 및 갈바닉 통전된 접점(6)을 갖는 태양 전지를 나타낸다.
태양 전지가 도 1에 도시되어 있고, 태양 전지는 양으로 도핑된 실리콘층 (p-층)(1), 음으로 도핑된 실리콘층(n-층)(2) 및 반사방지 코팅(3)으로 구성된다. 금속 분말(4)이 그 위에 생성된다. 따라서, 이 도면은 본 발명에 따른 방법의 단계 a) 이후에 존재하는 상태에 해당한다.
동일한 태양 전지가 도 2에 도시되어 있고, 이 도면은 금속 접점(5)을 형성하기 위한 금속 분말(4)의 레이저 소결 및/또는 용융이 이루어지는 단계 b) 이후의 상태에 해당한다. 레이저 빔을 사용하여, 금속 분말의 극도로 정밀한 소결 또는 용융이 가능하다.
도 2에서, 단계 b)를 수행하는 경우에, 레이저 소결은 반사방지 코팅(3)의 동시적인 천공을 달성하고, 이 방법 단계에서 전기 접점의 소결과 태양 전지의 음으로 도핑된 층(2)과의 접촉이 동시에 가능하다는 것을 마찬가지로 알수 있다. 따라서, 아래에 위치된 태양 전지의 전기적 전도층과 접촉될 수 있는 매우 효율적이 고 국소 제한적이며 임의로 구성된 전도층이 이미 연속적으로 예비 코팅된 기판상에 순차적으로 생성될 수 있다.
도 3은 단계 c)를 수행한 후, 여분의 금속 분말이 태양 전지로부터 다시 제거되어 있는 태양 전지의 상태를 도시한다.
도 4는 이 실시예에서, 레이저 소결법, 이 경우 갈바나이징(galvanising)에 의하여 생성된 금속 접점(5) 상에 둘러싸여 생성되어 있는 다른 금속 접점(6)을 도시한다.

Claims (34)

  1. a) 기판상에 금속 분말층을 생성하는 단계,
    b) 상기 금속 분말의 국소 소결 및/또는 용융을 위하여 기판상에 레이저 빔을 유도하는 단계,
    c) 소결되지 않고 그리고/또는 용융되지 않은 금속 분말을 제거하는 단계를 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 반도체 기판상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 태양 전지인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 생성된 접점은 10 ㎚ 내지 20 ㎛, 바람직하게는 10 ㎚ 내지 3 ㎛, 특히 바람직하게는 80 ㎚ 내지 200 ㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 단계 b)는 불활성 분위기 또는 진공에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 불활성 분위기는 질소, 아르곤, N2H2(형성 가스) 및/ 또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 조작이 코팅된 기판을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 코팅은 반사방지 코팅인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 코팅은 개별 층 시퀀스로부터 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코팅 및/또는 코팅의 개별 층 시퀀스는 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트리드, 실리콘 카바이드 및/또는 그 혼합물을 포함하는 물질을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 b)에서, 코팅은 금속 분말의 소결 및/또는 용융 도중에 천공되고, 전기 접점은 반도체 기판상에 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 분말은 니켈, 텅스 텐, 크롬, 몰리브덴, 마그네슘, 은, 코발트, 카드뮴, 티타늄, 팔라듐 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분말 입자의 크기는 1 ㎚ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 100 ㎚ 내지 10 ㎛, 특히 바람직하게는 500 ㎚ 내지 2 ㎛인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a)의 분말 층의 두께는 1 ㎛ 내지 1 ㎜, 바람직하게는 200 ㎛ 내지 800 ㎛, 특히 바람직하게는 500 ㎛내지 800 ㎛인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 보충제가 금속 분말에 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 보충제는 예를 들어, 붕규산납 또는 유리와 같은 유리 프릿; 유기 화합물; 예를 들어, 인 또는 붕소 분말과 같은 n-형 도핑 또는 p-형 도핑 영역에 대한 도핑제 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저는 전자기 스펙트럼 의 적외선, 가시광선 및/ 자외선 범위에서 방출하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저는 고체 레이저인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 고체 레이저는 Nd : YAG 레이저인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저는 1 W 내지 60 W, 바람직하게는 1 W 내지 20 W, 특히 바람직하게는 2 W 내지 6 W 범위의 전력으로 작동되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 10 ㎜/s 내지 10 m/s, 바람직하게는 100 ㎜/s 내지 2 m/s, 특히 바람직하게는 200 ㎜/s 내지 600 ㎜/s의 속도로 유도되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 레이저 전력 및/또는 레이저 빔의 속도는 소결 및/또는 용융 동안에 기판의 손상되지 않도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분말의 제거는 흡입, 회수, 헹구거나 진동시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 이후에 전기 접점의 보강이 금속의 추가 생성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 생성은 갈바닉 전기적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 금속은 구리, 은 및/또는 그 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속은 생성 이후에 소결되는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 소결은 250 ℃ 내지 400 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 c) 후에, 기판의 코팅이 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 코팅은 반사방지 코팅인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제28항 또는 제29항에 있어서, 상기 코팅은 개별 층 시퀀스로부터 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코팅은 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트리드, 실리콘 카바이드 및/또는 그 혼합물을 포함하는 물질의 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항의 방법에 따라 생산된, 적어도 하나의 전기 접점을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기판.
  33. 제32항에 있어서, 상기 기판은 태양 전지인 것을 특징으로 하는 기판.
  34. 기판상에 적어도 하나의 전기 접점을 생성하기 위한 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 따른 방법의 사용.
KR1020097005351A 2006-08-29 2007-06-26 반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용 KR20090060296A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006040352.5 2006-08-29
DE102006040352A DE102006040352B3 (de) 2006-08-29 2006-08-29 Verfahren zum Aufbringen von elektrischen Kontakten auf halbleitende Substrate, halbleitendes Substrat und Verwendung des Verfahrens

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090060296A true KR20090060296A (ko) 2009-06-11

Family

ID=38514933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097005351A KR20090060296A (ko) 2006-08-29 2007-06-26 반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20100267194A1 (ko)
EP (1) EP2062299A1 (ko)
JP (1) JP2010502021A (ko)
KR (1) KR20090060296A (ko)
DE (1) DE102006040352B3 (ko)
WO (1) WO2008025392A1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080202577A1 (en) 2007-02-16 2008-08-28 Henry Hieslmair Dynamic design of solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
US7833808B2 (en) * 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
US8362617B2 (en) 2008-05-01 2013-01-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
DE102008044882A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur lokalen Kontaktierung und lokalen Dotierung einer Halbleiterschicht
TWI366919B (en) * 2008-09-19 2012-06-21 Gintech Energy Corp Structure of solar cell and its production method
KR101000067B1 (ko) * 2008-12-30 2010-12-10 엘지전자 주식회사 고효율 태양전지용 레이저 소성장치 및 고효율 태양전지 제조방법
US8722453B2 (en) 2009-04-14 2014-05-13 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaic device and method for manufacturing the same
DE102009020774B4 (de) 2009-05-05 2011-01-05 Universität Stuttgart Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates
US20100294352A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
DE102009044038A1 (de) 2009-09-17 2011-03-31 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils
FR2957479B1 (fr) * 2010-03-12 2012-04-27 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'un contact metallique realise sur un substrat
DE102010021144A1 (de) * 2010-05-21 2011-11-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
DE102011085714A1 (de) * 2011-11-03 2013-05-08 Boraident Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer lasergestützten elektrisch leitfähigen Kontaktierung einer Objektoberfläche
TWI615986B (zh) 2012-01-23 2018-02-21 四次太陽能公司 自金屬層選擇性移除塗層及其之太陽能電池應用
FR2989520B1 (fr) 2012-04-11 2014-04-04 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une cellule photovoltaique a heterojonction
DE102012214254A1 (de) 2012-08-10 2014-05-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements
EP2905812B1 (en) * 2012-10-04 2021-07-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell manufacturing method
US20150064060A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Travis McCaughey Scented windshield washer fluid
US9437756B2 (en) 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
FR3011982B1 (fr) * 2013-10-15 2017-05-12 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une cellule photovoltaique
US9673341B2 (en) 2015-05-08 2017-06-06 Tetrasun, Inc. Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture
CN106356412A (zh) * 2015-07-17 2017-01-25 杨振民 一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺
DE102017219435A1 (de) * 2017-10-30 2019-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Beschichtung einer metallischen Oberfläche mit einem metallischen Material
DE102018217970A1 (de) 2018-10-19 2020-04-23 Hegla Boraident Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Struktur auf einer Glasscheibe sowie Glastafel mit mindestens einer derartigen Glasscheibe
CN112216766A (zh) * 2019-06-24 2021-01-12 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 晶体硅太阳能电池的制作方法及晶体硅太阳能电池
DE202020102626U1 (de) 2020-05-11 2021-07-23 Ralf M. Kronenberg Erfassungsmodul

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH645208A5 (de) * 1978-10-31 1984-09-14 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an halbleiterbauelementen.
DE2856143A1 (de) * 1978-12-27 1980-07-17 Hoechst Ag Scheibenreinigungsmittel
NL7905817A (nl) * 1979-07-27 1981-01-29 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.
DE3005662C2 (de) * 1980-02-15 1983-10-27 G. Rau GmbH & Co, 7530 Pforzheim Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelementes
US4931323A (en) * 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
JPH04214675A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JPH05335725A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Kusuo Sato レーザ光線照射による電気回路形成方法
US5468652A (en) * 1993-07-14 1995-11-21 Sandia Corporation Method of making a back contacted solar cell
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
US6361615B1 (en) * 1999-03-04 2002-03-26 Michael L. Callahan Cleaning compound additive and method
GB9929843D0 (en) * 1999-12-16 2000-02-09 Unilever Plc Process for preparing granular detergent compositions
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
US6451746B1 (en) * 2000-11-03 2002-09-17 Chemlink Laboratories, Llc Carrier for liquid ingredients to be used in effervescent products
US7148125B2 (en) * 2001-12-12 2006-12-12 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor power device
JP2006038999A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ照射を用いた導電性回路形成方法と導電性回路
US7435361B2 (en) * 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
US20100069278A1 (en) 2010-03-18
US20100267194A1 (en) 2010-10-21
JP2010502021A (ja) 2010-01-21
EP2062299A1 (de) 2009-05-27
DE102006040352B3 (de) 2007-10-18
WO2008025392A1 (de) 2008-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090060296A (ko) 반도체 기판상에 전기 접점을 생성하는 방법, 반도체 기판 및 그 방법의 사용
KR101484355B1 (ko) 단결정 태양 전지의 제조 방법
US8481419B2 (en) Method for producing a metal contact on a coated semiconductor substrate
KR20060125887A (ko) 자기 도핑 접점을 구비한 매몰층 접점 태양 전지
US8722453B2 (en) Photovoltaic device and method for manufacturing the same
JPH04504033A (ja) 点接続型太陽電池素子およびその製造方法
US20060162766A1 (en) Back-contacted solar cells with integral conductive vias and method of making
JP2008512858A (ja) エミッタラップスルーバックコンタクト太陽電池の製造プロセス及び製法
JP2015035624A (ja) 太陽電池内の機能膜の局所的レーザ転化による局所的金属接触子
JP2009533864A (ja) 太陽電池およびそれを製造するための方法
JP2007527622A (ja) 裏面電極型シリコン太陽電池を覆うエミッターの電極構成
TW201424011A (zh) 太陽能電池及背接觸式太陽能電池
CN102365751A (zh) 具有金属触点的硅太阳能电池
JP2007134387A (ja) 光電変換素子およびその電極形成方法
CN105637593A (zh) 用于太阳能电池导电触点的晶种层
Röder et al. 30 µm wide contacts on silicon cells by laser transfer
WO2012031649A1 (en) Method for the production of a rear side contacted solar cell
TW201725742A (zh) 太陽能電池及製造太陽能電池的方法
MX2012001900A (es) Metodo para producir electrodos emisores para una celda solar de silicio cristalino y la correspondiente celda solar de silicio.
JP5168506B2 (ja) 電極、太陽電池セル及びその製造方法
Hoffmann et al. Two step process for optimized laser transferred contacts
KR20150089592A (ko) 태양전지의 도핑 및 전극 형성방법과 그 태양전지
Hsiao Eutectic Sn-Bi alloy for interconnection of silicon solar cells
TW201924073A (zh) 具p-型導電性的指叉式背接觸式太陽能電池
CN102856428B (zh) 具有活性焊料涂层的导线及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid