TW201725742A - 太陽能電池及製造太陽能電池的方法 - Google Patents

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Abstract

一種太陽能電池包含矽基板，在基板的至少一個表面上設置有覆蓋介電層以及金屬導電圖案。 所述金屬導電圖案包含經圖案化鋁類糊層。經圖案化鋁類糊層藉由沿著邊緣中的每一者延伸的限界元件而在所述邊緣處接界。介電層具有在彼此面對的兩個限界元件的邊緣中間的開口。分層結構配置於開口中，其中包含Al以及Si的合金與經圖案化鋁類糊層接觸，且p+摻雜層在一個側上與所述合金層接界且在另一側上與所述矽基板的基質接界。

Description

矽太陽能電池之增強金屬化
本發明是關於一種包括矽基板（silicon substrate）的太陽能電池，在基板的至少一個表面上設置有覆蓋介電層（covering dielectric layer）以及金屬導電圖案（metallic conductive pattern）。
再者，本發明是關於一種用於製造此類太陽能電池的方法。
在J.克勞斯（J. Krause）等人的「太陽能材料以及太陽能電池（Solar Energy Materials & Solar Cells）」（95（2011年），第2151頁至第2160頁）中揭露了可藉由將鋁糊（aluminium paste）印刷於太陽能電池基板的後表面上且隨後使太陽能電池基板退火而在矽太陽能電池中形成後表面接觸以及金屬化。鋁糊印刷於矽基板的後表面上。通常，後表面具備介電層。在退火程序（annealing process）期間，來自Al糊的蝕刻組分（例如，玻璃料）打開介電層。此後，Al熔融，且隨後，Al使Si溶解，此後，矽擴散至Al中且Al擴散至矽中，從而得到Al-Si液體，且在冷卻期間，使矽與熔體隔離，藉此藉由磊晶成長（epitaxial growth）來形成摻雜p+層且在低於共晶溫度（eutectic temperature）的情況下形成Al-Si合金層。可自Al-Si相圖（phase diagram）理解形成程序。
Al-Si合金層在p型Al摻雜矽層與基板的後表面上的Al糊之間。Al糊亦可含有硼。因而，p+層除了含有Al原子以外亦可含有硼原子。
在太陽能電池中，p型摻雜矽層充當背表面場（back surface field；BSF）層。
已觀測到，後表面接觸以及金屬化的此類形成可具有可在分層結構（layered structure）的邊緣處造成接觸重組效應（contact recombination effect）的問題。參見I.塞薩爾（I. Cesar）等人的公開案：「具有未封端Al2 O3 以及局域燒穿Al-BSF的雙面多晶態太陽能電池的效率增益（Efficiency Gain For Bi-Facial Multi-Crystalline Solar Cell With Uncapped Al2 O3 And Local Firing-Through Al-BSF）」，第39屆IEEE 光伏打專家會議（39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference），2013年6月16日至21日，美國佛羅里達州坦帕市（Tampa, Florida, USA）。
一種接觸重組效應是在鋁類糊（aluminium based paste）並未被分層結構屏蔽免於基板而是遍及矽基板上的介電層側向地延伸時發生。鋁糊可使介電層的鈍化性質降級。
另一接觸重組效應是在鋁糊的邊緣處發生，在邊緣處，Al-Si合金層或Al糊未被p+摻雜劑層屏蔽或被p+摻雜劑層不充分地屏蔽，使得Al-Si合金層或Al糊與矽基板的基質進行直接接觸。
克勞斯展示出，每單位接觸面積的Al糊質量是用於判定p+摻雜劑層的厚度且藉此判定背表面場層的屏蔽性質的重要參數。一般而言，較厚的背表面場層會導致較低的接觸重組。再者，當每單位接觸面積的Al糊質量較高時，可在較低的最大退火溫度下獲得特定背表面場厚度。
本發明的目標是提供一種用於製造太陽能電池的方法以及一種太陽能電池，此方法以及此太陽能電池克服先前技術的缺點。
本發明的目標亦是提供一種相較於先前技術允許每單位接觸面積沈積相對高的Al糊質量的結構。
本發明的目標進一步是提供一種產生相對較不易遭受未對準的金屬化結構（metallisation structure）的方法。
此目標是由一種包括矽基板的太陽能電池達成，在基板的至少一個表面上設置有覆蓋介電層以及金屬導電圖案；
金屬導電圖案包括經圖案化鋁類糊層（patterned aluminium based paste layer）；經圖案化鋁類糊層藉由沿著邊緣中的每一者延伸的限界元件（bounding element）而在所述邊緣處接界；介電層具有在彼此面對的兩個限界元件的邊緣中間的開口；分層結構配置於開口中，其中包括Al以及Si的合金與經圖案化鋁類糊層接觸，且p+摻雜層在一個側上與所述合金層接界且在另一側上與所述矽基板的基質接界。有利地，沿著鋁金屬化圖案的邊緣使用限界元件會提供相對小的孔隙以用於在矽基板中產生p+摻雜矽子層以及Al-Si合金子層。此孔隙控制如在如上文所描述的退火步驟期間所產生的那些子層的形狀。
因為Al與矽基板的反應是通過小孔隙而發生，所以所形成的含鋁子層（aluminium containing sub layer）在限界元件之間是圓形，亦即，弓狀，使得p+摻雜矽（或背表面場）層在Al-Si合金層與矽基板的基質之間。因此，Al-Si合金與矽基質之間的接觸重組會歸因於中間存在摻雜p+層而縮減。另外，限界元件亦防止鋁類糊材料與介電層的表面接觸。此會避免介電層的鈍化降級且因此防止接觸重組。此在Al糊是具有蝕刻劑粒子（例如，玻璃料）的燒穿糊（firing-through paste）的情況下尤其重要。
因為限界元件的材料是惰性的，亦即，在退火溫度下不會與介電層或矽基板反應，所以限界元件在退火步驟期間充當惰性模板（inert template）。通常，在約660℃與約900℃之間進行退火步驟。
另外，因為孔隙（亦即，限界元件之間的寬度）判定Al與Si反應所處的表面積，所以限界元件並不需要高縱橫比且可具有圓形橫截面或傾斜側壁，比如隆起（mound）或堤防（embankment）。限界元件可以與鋁類糊相似的方式（例如，藉由絲網印刷（screen printing））予以印刷。
此外，限界元件藉由遮蔽Al糊金屬化圖案的邊緣而在鋁類糊材料的印刷中提供某一公差。在絲網印刷中，絲網的大小以及絲網圖案的位置可能歸因於施加於絲網上的力的變化而稍微變化。限界元件可輔助防止鋁類糊材料印錯。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中具有圓形形狀的所述分層結構自表面突出至矽基板中，而p+摻雜劑矽層的至少側向末端在限界元件處接界且至少部分地在限界元件下方延伸。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件由非接觸性的非燒穿糊組成。非燒穿性質規定糊材料將不會使下伏介電層溶解。糊亦為非接觸性的，亦即，不提供與下伏層的電接觸。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件的材料被定性為相對於介電層材料以及鋁為惰性的材料。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件的材料包括氧化鋁粒子或塗佈有氧化鋁的鋁粒子。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件包括氧化鋁類材料或氮化鋁類材料。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中鋁類糊材料是燒穿鋁糊。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中鋁類糊材料另外包括硼。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件具有傾斜側壁。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件的側壁部分地在經圖案化鋁類糊材料層下方延伸。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中限界元件的材料一直到合金化溫度是至少惰性的，以用於由具有矽的Al類糊材料形成包括Al以及Si的合金。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中包括Al以及Si的合金另外包括硼。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的太陽能電池，其中合金化溫度介於約660℃與約900℃之間。
此外，本發明是關於一種用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，包括 --在矽基板上產生一或多個摻雜半導體結構（doped semiconductor structure）； --在矽基板的表面上產生介電質； --在介電層上產生金屬導電圖案，包括印刷經圖案化鋁類糊層， 其中金屬化圖案的產生包括： ---在經圖案化鋁類糊層的印刷之前，產生沿著待產生的經圖案化鋁類糊層的邊緣平行地延伸的限界元件； ---接著將鋁類糊材料印刷於限界元件之間以形成經圖案化鋁類糊層，使得鋁類糊材料與限界元件之間的介電層接觸。
在矽基板上產生太陽能電池結構（包含（例如）產生發射極層、抗反射層及/或前側金屬化圖案）之後，本發明的方法提供基於鋁類糊材料來產生金屬化圖案的步驟。應理解，本發明的方法提供基於鋁類糊材料來產生金屬化圖案的步驟作為後段步驟（back-end step）。
有利地，此方法規定藉由印刷程序來產生金屬化圖案，而不需要專用經圖案化遮蔽層。
在一實施例中，印刷程序是絲網印刷程序。
在本領域具有知識者應瞭解，因為本發明的方法是「後段」程序，所以此方法可用於製造各種類型的太陽能電池，諸如具有前表面發射極的p型太陽能電池、具有在後側上的n+發射極以及與Al-Si合金及Al糊金屬化結構接界的p+背表面場層的p型交叉梳狀背接觸太陽能電池（interdigitated back contact solar cell）。
有利地，此方法亦提供在不需要首先選擇性地移除n+區的部分的情況下形成交替的p+摻雜劑層結構及n+摻雜劑層結構，例如，藉由選擇性蝕刻或藉由局域地防止形成n+層（例如，藉由使用擴散障壁（diffusion barrier））。合金化程序包括將矽溶解至鋁中，使得n+層的摻雜劑原子亦溶解。因為這些原子自小（通常為次微米）層遷移至厚（通常大於十微米）Al-Si熔體層，所以n+摻雜劑的濃度會縮減。在矽與熔體隔離時的退火程序中的冷卻期間，新p+摻雜矽層磊晶地成長。在此層中，相較於在退火之前構成n+層的摻雜原子，Al摻雜原子具有較高濃度，從而得到淨p+摻雜層。相同情形對於亦具有硼化合物的鋁類糊亦成立。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的方法，更包括： 使具有經產生的金屬化圖案的矽基板退火，使得在加熱期間，視情況包括硼的鋁類糊材料打開經接觸的介電層，其中鋁使來自矽基板的矽溶解，從而形成Al-Si熔體，視情況為Al-Si-B熔體，Al擴散至所述熔體中，且矽擴散至所述熔體中，視情況B擴散至所述熔體中，以及 在冷卻之後得到分層結構，分層結構包括：p+摻雜矽層的下部子層，包括Al且視情況包括硼作為摻雜劑，其中使矽與熔體隔離；以及Al-Si合金的上部子層，視情況為Al-Si-B合金的上部子層，且經圖案化鋁類糊材料層在上部子層上接界，其中限界元件由相對於介電層材料以及鋁為惰性的材料組成。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的方法，其中以平方公分為單位的每接觸面積印刷至少10毫克的鋁類糊材料；接觸面積是由每長度的經圖案化層的在經圖案化鋁類糊層的邊緣處的限界元件之間的距離定義。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的方法，其中在介於約660℃與約900℃之間的溫度下進行退火。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的方法，使p型太陽能電池在至少一個表面上具有n+發射極，在至少一個表面處，p+接點是藉由鋁類糊材料的退火而形成，其中Al熔融且Al使包含n+發射極的矽溶解，從而形成Al-Si熔體，其中Al擴散至Si中且Si擴散至Al中，且在冷卻期間，矽與Al-Si熔體隔離且留下p+摻雜矽層與Al-Si合金層的分層結構，從而在表面處得到p+/n+接面。
根據一態樣，本發明提供一種如上文所描述的方法，其中鋁類糊材料、p+摻雜矽層以及Al-Si合金層另外含有硼。
有利實施例進一步由附屬申請專利範圍定義。
圖1展示根據本發明的實施例的p型前發射極太陽能電池10的橫截面。
圖1的太陽能電池包括p型矽基板100，亦即，矽基板具有基極p導電型。n+型層112配置於基板100的第一表面A上。在與表面A相對的表面B上，基板的表面是由介電層102覆蓋。在表面B上，一對限界元件104在介電層102中定界開口C。在一實施例中，限界元件104在其沿著表面B延伸時為線狀。在表面B上形成金屬化線（metallisation line）的線性鋁類糊材料本體106存在於限界元件104中間。
介電層可為選自（例如）Al2 O3 以及SiNx 的單一層或多個子層堆疊。
自表面B延伸至矽基板100中的分層結構108、110或雙層存在於限界元件104之間的矽基板中。雙層包括接近於表面B的Al-Si合金（包括Al以及Si的合金）的上部層108，以及在矽基板中較深的p+型鋁摻雜矽的下部層110。
上部層108以及下部層110兩者皆具有以下部層110使上部層與矽基板基質分離的方式延伸至矽基板中的圓形橫截面，此方式防止上部層與矽基板基質之間的接觸重組。p+摻雜矽層110的側向末端在限界元件104與矽基板之間的界面上接界。
在一實施例中，p+摻雜矽層部分地在限界元件104下方延伸。
鋁類糊材料本體106與Al-Si合金的上部層接觸，且可充當金屬化線。
限界元件可具有傾斜側壁且部分地在鋁類糊本體106下方延伸。接著鋁類糊材料本體106的邊緣與表面B成直角或斜角（£ 90°）。
在一實施例中，限界元件的高度為至少一微米。
如下形成分層結構：
在矽基板中產生半導體結構（亦即，前側n+層112以及後側介電層）之後，金屬化程序包括由鋁類糊形成金屬化線圖案（metallisation line pattern）106。作為第一步驟，產生線狀限界元件104的圖案，其中線狀元件104定位於介電層102上作為金屬化線圖案隨後將被產生的輪廓。在一實施例中，線狀限界元件104是藉由糊印刷程序而產生。
在下一步驟中，在線狀限界元件104中間，藉由糊印刷程序將鋁類糊材料本體施加於介電層102上。
隨後，使具備與線狀限界元件104接界的鋁類糊本體106的基板經受退火程序。退火是在高於Al-Si的共晶溫度的高溫下發生，通常在介於約660℃與約900℃之間的溫度下發生。
鋁類糊材料具有在高溫下允許糊材料打開介電層102使得鋁類糊接觸矽基板的矽基質的組成物。
有利地，使用燒穿Al類糊（亦即，具有蝕刻劑組分（例如，玻璃料）的Al類糊）可在退火程序中打開介電層，例如，氧化鋁，或氧化鋁與氮化矽的堆疊層。此會防止需要藉由其他方式（比如局域蝕刻或藉由雷射鑽孔）來打開介電層。
接下來，來自鋁類糊的Al與來自矽基板基質的矽反應，此在冷卻之後引起p+型Al摻雜矽的下部層110（背表面場層）與Al-Si合金的上部層108的分層結構嵌入於矽基板中。p+型Al摻雜矽的下部層110在限界元件104下方延伸。若Al類糊亦含有硼，則p+摻雜矽層110亦含有硼原子。
因為限界元件由在退火程序期間不會與介電層102或矽基板100反應的相對惰性材料組成，所以限界元件104充當用於鋁類糊的遮罩或模板，且允許以很好界定的方式來形成分層結構108、110，此是因為Al與矽的反應受到圓形元件104之間的孔隙或寬度控制。
再者，限界元件規定金屬化結構的產生變得較不易遭受鋁類糊材料的低黏度，且避免糊材料的不良流動。
在後表面B的金屬化步驟之後，可在n+型前側發射極層112上產生前側接點114。或者與後側金屬化的退火步驟同時地產生前側接點（「共燒（co-firing）」）。
亦可在其他類型的矽類太陽能電池中應用上文所描述的金屬化結構，包括p+型Al及/或硼摻雜矽的下部層110、Al-Si合金的上部層108、鋁類糊材料本體106，以及相對惰性材料的限界元件104，其中鋁類糊材料本體106與Al-Si合金的上部層接觸且與限界元件104接界。
本發明提供一種可在不需要圖案化諸如Al2 O3 -SiNx 層的介電層的情況下藉由印刷程序或藉由圖案化Al2 O3 介電層與矽氧烷罩蓋層（其是藉由蝕刻或雷射鑽孔而圖案化）的堆疊來產生金屬化圖案的方法。在一實施例中，糊的印刷程序是絲網印刷程序。
下文參考圖2至圖7來描述根據本發明的此類太陽能電池的實例。
應注意，以下實例是關於本發明的一些實施例。在本領域具有知識者應瞭解，本發明並不限於此處所呈現的實例。
在圖2至圖7中，參考編號與圖1所展示的參考編號相同的實體指代相同或對應實體。
圖2展示根據本發明的實施例的p型交叉梳狀背接觸（IBC）太陽能電池的橫截面。
在p型交叉梳狀背接觸太陽能電池20中產生金屬化結構104、106、108、110。
交叉梳狀背接觸太陽能電池20包括在表面B處覆蓋有介電層102的p型矽基板100。在使用期間，表面B將充當用於與諸如太陽電池板（solar panel）（未圖示）的導電背薄片的某一外部終端結構接觸的背表面。
金屬化結構104、106、108、110定位於介電層中的開口C處且與上文參考圖1所描述的金屬化結構相似。
在鄰近於金屬化結構104、106、108、110的基板的表面B中，存在由介電層102覆蓋的n+摻雜層116，其可充當用於金屬化結構的相對電極（counter electrode）。
基極p導電型矽的間隙120配置於n+摻雜層116與p+ Al摻雜矽的下部層110之間。
另外，n+摻雜矽層116具備藉由介電層102中的開口D而連接至n+摻雜矽層116的接點118。
在本領域具有知識者應瞭解，與表面B相對的表面A可由諸如以下各者的其他層覆蓋：n+摻雜層或p+摻雜層，或交替的n+/p+摻雜層，及/或介電層，例如，SiNx 或Al2 O3 ，視情況包括電表面電荷（electrical surface charge），其會造成矽基質中的電荷載流子的反轉或累積層及/或抗反射塗佈層。
可在形成半導體結構（n+摻雜層116、介電層102以及表面A上的任何層）之後藉由如上文參考圖1所描述的方法來製造金屬化結構104、106、108、110。
圖3展示根據本發明的實施例的p型交叉梳狀背接觸太陽能電池30的橫截面。
在p型交叉梳狀背接觸太陽能電池30中產生金屬化結構104、106、108、110。
交叉梳狀背接觸太陽能電池30包括在表面B處覆蓋有介電層102的p型矽基板100。
金屬化結構104、106、108、110定位於介電層中的開口C處且與上文參考圖1所描述的金屬化結構相似。
在鄰近於金屬化結構104、106、108、110的基板的表面B中，存在由介電層102覆蓋的n+摻雜層116。
在此實施例中，n+摻雜層116直接在p+ Al摻雜矽下部層110上接界而無間隙。在n+摻雜層116與Al摻雜矽層110之間的邊界處，可存在清晰的p/n過渡區。
應注意，可藉由首先在基板的表面B中產生n+摻雜層116且將表面B覆蓋有介電層102而以相對簡單的方式形成交叉梳狀背接觸太陽能電池30的結構。在這些步驟之後，根據所要金屬化圖案來印刷平行線狀限界元件104。接下來，將鋁類糊材料本體106印刷於平行線狀限界元件104中間的介電層102上。
藉由使用被組態為燒穿糊（例如，含有玻璃料）的鋁類糊材料，在後續退火步驟中形成金屬化結構104、106、108、110。線狀限界元件104的材料被組態為非燒穿糊。
在此實施例中，不需要發射極（層116）的部分的移除步驟。
圖4展示根據本發明的實施例的n型交叉梳狀背接觸太陽能電池40的橫截面。
在p型交叉梳狀背接觸太陽能電池40中產生金屬化結構104、106、108、110。
交叉梳狀背接觸太陽能電池40包括在表面B處覆蓋有介電層102的n型矽基板101。在使用期間，表面B將充當用於與（例如）太陽電池板（未圖示）的導電背薄片接觸的背表面。
金屬化結構104、106、108、110定位於介電層中的開口C處且與上文參考圖1所描述的金屬化結構相似。
在鄰近於金屬化結構104、106、108、110的基板的表面B中，存在由介電層102覆蓋的n+摻雜層116，其可充當用於金屬化結構的相對電極。
間隙124存在於n+摻雜層116與p+ Al摻雜矽的下部層110之間。
在此實施例中，需要（例如）藉由額外選擇性蝕刻步驟或藉由遮蔽擴散步驟而在金屬化結構104、106、108、110的位置處中斷n+摻雜層116。在此步驟之後，根據所要金屬化圖案來印刷平行線狀限界元件104。接下來，將鋁類糊材料本體106印刷於平行線狀圓形元件104中間。
藉由使用被組態為燒穿糊的鋁類糊材料，在後續退火步驟中形成金屬化結構104、106、108、110。線狀限界元件104的材料被組態為非燒穿糊。
圖5展示根據本發明的實施例的n型交叉梳狀背接觸太陽能電池50的橫截面。
n型交叉梳狀背接觸太陽能電池50相似於如上文參考圖4所描述的n型交叉梳狀背接觸太陽能電池40，惟如下情形除外：在圖5所展示的實施例中，n+摻雜層116直接在p+ Al摻雜矽的下部層110上接界。
在此實施例中，可藉由使用接觸的燒穿鋁類糊材料來形成p+摻雜矽層與Al-Si合金層的分層結構108、110。可省略n+摻雜層116的圖案化（例如，藉由選擇性蝕刻或藉由遮蔽擴散）。
應注意，歸功於線狀限界元件104（在線狀限界元件104之間將鋁類糊材料本體印刷於介電層上）的產生，或在之前移除介電層的情況下，相較於來自先前技術的方法，金屬化結構以及製造方法允許在基板的表面上每單位接觸面積印刷相對較多的鋁。此具有如下益處：在特定溫度下產生較厚的背表面場；或可在較低的最大退火溫度下獲得相同的背表面場厚度。較低的最大退火溫度可具有用於維持介電層的鈍化性質的益處，此是因為鈍化性質可隨著退火溫度增加而惡化。
根據一實施例，此方法在以平方公分為單位的每接觸面積提供至少10毫克的印刷質量的鋁類糊材料。
因此，可在給定退火溫度下形成p+ Al摻雜矽的相對較厚下部層108以及Al-Si合金的相對較厚上部層110。替代地，相較於先前技術，可藉由較低退火溫度來形成如在先前技術中所觀測的相當厚度的下部層108以及上部層110。
後一效應的另外結果是：因為（退火步驟的）燒成溫度（firing temperature）可較低，所以歸因於介電層102的較佳表面鈍化及/或前表面上的介電層的較佳表面鈍化而獲得較高Voc。
用來產生線狀限界元件104的材料可為氧化鋁類糊。
鋁類糊材料可為含有直徑為大約1微米至10微米的鋁小球體（aluminium globule）的糊，其中鋁小球體塗佈有氧化鋁塗層。
另外，鋁類糊可含有比如硼的添加劑，此可增強p+摻雜矽下部層110的p型摻雜程度。硼可在單獨的小球體中，或混雜於鋁中。
圖6示意性地展示根據本發明的實施例的金屬化結構的俯視圖。
在太陽能電池的矽基板的表面B上，在介電層102上產生匯流條（busbar）以及指狀物型金屬化結構（fingers type metallisation structure）200。在金屬化結構中，數個匯流條210平行於第一方向Y（被展示為垂直地）延伸。數個指狀物220在垂直於第一方向Y的第二方向X上（被展示為水平地）延伸。指狀物220連接至匯流條210以形成金屬化網狀物（metallisation network）。根據一實施例，匯流條210由出於焊接目的而印刷於介電層上的Ag類導電糊（較佳地為非燒穿糊）組成。
指狀物220由鋁類糊材料本體106組成，鋁類糊材料本體106在其邊緣上與限界元件104接界。鋁類糊材料本體通過介電層中的開口（此處未圖示）而接觸Al-Si合金上部層108與p+摻雜矽下部層110的分層結構。
根據一實施例，藉由首先印刷Ag類匯流條220、接著印刷限界元件104作為用於鋁類糊本體的輪廓且最後將鋁類糊本體印刷於由限界元件104形成的輪廓內部來產生金屬化結構。展示出，指狀物210（亦即，限界元件以及鋁糊本體兩者）至少部分地與匯流條220重疊。
圖7示意性地展示根據本發明的實施例的金屬化結構230的俯視圖。
在太陽能電池的矽基板的表面B上，在介電層102上產生匯流條以及指狀物型金屬化結構230。金屬化結構230極相似於圖6的金屬化結構200，惟如下情形除外：在此實施例中，匯流條240現在是出於焊接目的而僅部分地由Ag類糊部分250形成。對於剩餘部分，匯流條240是由圍封Ag類糊部分250的鋁類糊部分255形成。匯流條中以及指狀物中的鋁類糊的邊緣與如上文更詳細地所描述的限界元件104接界。
以與參考圖6所解釋的次序相同的次序來印刷Ag類部分、限界元件以及鋁類糊本體及部分。
包括匯流條以及指狀物的H圖案是一實例。匯流條亦可僅僅由盤碟狀Ag糊類區域（「墊」）替換，Al糊類引線自這些區域（「墊」）延伸為在每一側上與限界元件接界。
根據一實施例，限界元件的材料被定性為相對於介電層材料以及鋁為惰性的材料。在另外實施例中，限界元件的材料包括氧化鋁粒子（或塗佈有氧化鋁的鋁粒子）。
根據一實施例，限界元件的材料是呈至少兩種大小範圍的粒子的混合物（例如，氧化鋁或塗佈有氧化鋁的鋁或氮化鋁的混合物）。
混合物包括：第一大小範圍的相對大粒子，其中大小為大約一微米；以及第二範圍的相對較小粒子，其中大小為大約一百奈米或更小。
在氧化鋁粒子的狀況下，這些氧化鋁粒子可被分類為煙霧狀氧化鋁粒子（fumed alumina particle）。
在不限制於任何特定理論的情況下，在退火程序中，此類混合物提供粒子的增強接合，亦即，與燒結相當，此是因為較小氧化鋁粒子藉助於「頸縮（necking）」而提供較大粒子之間的鏈接。詳言之，在介於約700℃與約900℃之間的燒成溫度（其中較大粒子不會接合或不充分地接合）下，將較小粒子添加至限界元件的材料會改良內部黏著性且增強固態燒結。此程序可在比氧化鋁必須藉由液態燒結而自熔融相變成固相時將需要的溫度低得多的溫度下發生，此溫度通常在約2072℃下。視情況，可將MgO粒子添加至大氧化鋁粒子或添加至大氧化鋁粒子與小氧化鋁粒子的混合物以增強固態燒結。
已參考較佳實施例而描述本發明。在本領域具有知識者在閱讀且理解前述詳細描述後就將想到明顯修改以及變更。在所有此類修改以及變更屬於所附申請專利範圍的範疇的限度內希望本發明被認作包含所有此類修改以及變更。
10‧‧‧p型前發射極太陽能電池
20、30‧‧‧p型交叉梳狀背接觸（IBC）太陽能電池
40‧‧‧n型交叉梳狀背接觸（IBC）太陽能電池
100‧‧‧p型矽基板
101‧‧‧n型矽基板
102‧‧‧介電層
104‧‧‧限界元件
106‧‧‧本體
108、110、112、113、116‧‧‧層
114、118‧‧‧前側接點
120、124‧‧‧間隙
200‧‧‧指狀物型金屬化結構
210‧‧‧匯流條
220‧‧‧指狀物
230‧‧‧指狀物型金屬化結構
240‧‧‧匯流條
250‧‧‧Ag類糊部分
A‧‧‧表面
B‧‧‧表面
C、D‧‧‧開口
X‧‧‧第二方向
Y‧‧‧第一方向
下文將參考圖式來更詳細地解釋本發明，在圖式中展示本發明的說明性實施例。圖式僅僅意欲用於說明性目的而並不限定本發明的概念。本發明的範疇僅由所附申請專利範圍中所呈現的定義限制。 在圖式中 圖1展示根據本發明的實施例的p型前發射極太陽能電池的橫截面。 圖2展示根據本發明的實施例的在p+區與n+區之間具有間隙的p型交叉梳狀背接觸太陽能電池的橫截面。 圖3展示根據本發明的實施例的在p+區與n+區之間不具有間隙的p型交叉梳狀背接觸太陽能電池的橫截面。 圖4展示根據本發明的實施例的n型交叉梳狀背接觸太陽能電池的橫截面。 圖5展示根據本發明的實施例的n型交叉梳狀背接觸太陽能電池的橫截面。 圖6以及圖7示意性地展示根據本發明的各別實施例的金屬化結構的俯視圖。
10‧‧‧p型前發射極太陽能電池
100‧‧‧p型矽基板
102‧‧‧介電層
104‧‧‧限界元件
106‧‧‧本體
108、110、112‧‧‧層
114‧‧‧前側接點
A‧‧‧表面
B‧‧‧表面
C‧‧‧開口

Claims (22)

  1. 一種太陽能電池，其包括矽基板，在所述基板的至少一個表面上設置有覆蓋介電層以及金屬導電圖案； 所述金屬導電圖案包括經圖案化鋁類糊層；所述經圖案化鋁類糊層藉由沿著邊緣中的每一者延伸的限界元件而在所述邊緣處接界；所述介電層具有在彼此面對的兩個所述限界元件的邊緣中間的開口；分層結構配置於所述開口中，其中包括Al以及Si的合金與所述經圖案化鋁類糊層接觸，且p+摻雜層在一個側上與所述合金層接界，且在另一側上與所述矽基板的基質接界。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的太陽能電池，其中具有圓形形狀的所述分層結構自所述表面突出至所述矽基板中，而所述p+摻雜劑矽層的至少側向末端在所述限界元件處接界且至少部分地在所述限界元件下方延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的太陽能電池，其中所述限界元件由非接觸性的非燒穿糊組成。
  4. 如前述申請專利範圍中任一項所述的太陽能電池，其中所述限界元件的材料被定性為相對於所述介電層的材料以及鋁為惰性的材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的太陽能電池，其中所述限界元件的所述材料包括氧化鋁粒子或塗佈有氧化鋁的鋁粒子。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的太陽能電池，其中所述限界元件包括氧化鋁類材料或氮化鋁類材料。
  7. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項所述的太陽能電池，其中所述限界元件的所述材料是呈至少兩種大小範圍的粒子的混合物，所述混合物包括：第一大小範圍的相對大粒子，其中大小為約一微米；以及第二範圍的相對較小粒子，其中大小為約一百奈米或更小。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的太陽能電池，其中所述鋁類糊的材料是燒穿鋁糊。
  9. 如前述申請專利範圍中任一項所述的太陽能電池，其中所述鋁類糊的材料另外包括硼。
  10. 如前述申請專利範圍中任一項所述的太陽能電池，其中所述限界元件具有傾斜側壁。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的太陽能電池，其中所述限界元件的側壁部分地在所述經圖案化鋁類糊材料層下方延伸。
  12. 如申請專利範圍第5項所述的太陽能電池，其中所述限界元件的所述材料一直到合金化溫度是至少惰性的，以用於由具有矽的Al類糊材料形成包括Al以及Si的所述合金。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的太陽能電池，其中包括Al以及Si的所述合金另外包括硼。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的太陽能電池，其中所述合金化溫度介於約660℃與約900℃之間。
  15. 一種用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，包括： 在所述矽基板上產生一或多個摻雜半導體結構； 在所述矽基板的表面上產生介電質； 在所述介電層上產生金屬導電圖案，包括印刷經圖案化鋁類糊層， 其中所述金屬化圖案的產生包括： 在所述經圖案化鋁類糊層的印刷之前，產生沿著待產生的所述經圖案化鋁類糊層的邊緣平行地延伸的限界元件； 接著將鋁類糊材料印刷於所述限界元件之間以形成所述經圖案化鋁類糊層，使得所述鋁類糊材料與多個所述限界元件之間的所述介電層接觸。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，更包括： 使具有經產生的所述金屬化圖案的所述矽基板退火，使得在加熱期間，視情況包括硼的所述鋁類糊的材料打開經接觸的所述介電層，其中鋁使來自所述矽基板的矽溶解，從而形成Al-Si熔體，視情況為Al-Si-B熔體，Al擴散至所述熔體中，且矽擴散至所述熔體中，且視情況B擴散至所述熔體中，以及 在冷卻之後得到分層結構，所述分層結構包括：p+摻雜矽層的下部子層，其包括Al且視情況包括硼作為摻雜劑，其中使矽與所述熔體隔離；以及Al-Si合金的上部子層，視情況為Al-Si-B合金的上部子層，且所述經圖案化鋁類糊材料層在所述上部子層上接界，其中所述限界元件由相對於所述介電層的材料以及鋁為惰性的材料組成。
  17. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，其中以平方公分為單位的每接觸面積印刷至少10毫克的所述鋁類糊材料；所述接觸面積是由每長度的經圖案化層的在所述經圖案化鋁類糊層的所述邊緣處的所述限界元件之間的距離定義。
  18. 如前述申請專利範圍第16項至第17項中任一項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，其中在介於約660℃與約900℃之間的溫度下進行所述退火。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，使p型太陽能電池在至少一個表面上具有n+發射極，在所述至少一個表面處，p+接點是藉由所述鋁類糊材料的退火而形成，其中Al熔融且Al使包含所述n+發射極的矽溶解，從而形成Al-Si熔體，其中Al擴散至Si中且Si擴散至Al中，且在冷卻期間，矽與所述Al-Si熔體隔離且留下所述p+摻雜矽層與所述Al-Si合金層的所述分層結構，從而在所述表面處得到p+/n+接面。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，其中所述鋁類糊材料、所述p+摻雜矽層以及所述Al-Si合金層另外含有硼。
  21. 如前述申請專利範圍第14項至第20項中任一項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，其中所述限界元件的材料包括氧化鋁粒子或塗佈有氧化鋁的鋁粒子。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的用於基於矽基板來製造太陽能電池的方法，其中所述限界元件的所述材料是呈至少兩種大小範圍的粒子的混合物，所述混合物包括：第一大小範圍的相對大氧化鋁粒子，所述相對大氧化鋁粒子的大小為約一微米；以及第二範圍的相對較小粒子，所述相對較小粒子的大小為約數十奈米或更小。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120037224A1 (en) * 2009-04-29 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery cell and method of manufacturing the same
DE112010005921T5 (de) * 2010-10-05 2013-09-26 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaische Vorrichtung und Herstellungsverfahren derselben

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