KR20090057921A - 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

처리 용기 및 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090057921A
KR20090057921A KR1020080120942A KR20080120942A KR20090057921A KR 20090057921 A KR20090057921 A KR 20090057921A KR 1020080120942 A KR1020080120942 A KR 1020080120942A KR 20080120942 A KR20080120942 A KR 20080120942A KR 20090057921 A KR20090057921 A KR 20090057921A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective member
liner
processing container
plasma
opening
Prior art date
Application number
KR1020080120942A
Other languages
English (en)
Inventor
도시히로 도조
세이지 다나카
신고 데구치
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090057921A publication Critical patent/KR20090057921A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 있어서 처리 용기의 내면을 보호하는 보호 부재의 교환 작업이 용이해서, 부품 비용도 억제할 수 있는 처리 용기를 제공한다. 플라즈마 처리 장치의 처리 용기(101)에 있어서, 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(201a, 201b, 201c, 201d)에 의해 덮여 있다. 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에는 플라즈마가 집중하기 쉬워 소모가 심하기 때문에, 그 주위의 라이너(201a, 201c)를, 이것들에 비교해서 소모가 느린 라이너(201b, 201d)와 별도의 부재로 분리 가능하게 구성했다.

Description

처리 용기 및 플라즈마 처리 장치{PROCESSING CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 예를 들면 평판 디스플레이(FPD)용의 유리 기판 등의 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실행할 때에 피처리체를 수용하는 처리 용기 및 상기 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD)로 대표되는 FPD의 제조 과정에 있어서는, 진공하에서 유리 기판 등의 피처리체에 에칭, 성막 등의 각종 처리가 실시된다. 플라즈마를 이용해서 상기 처리를 실행하기 위해서, 진공 흡인 가능한 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치가 사용된다.
플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마나 부식성 가스의 작용에 의해 금속제의 처리 용기의 내면이 손상을 받을 가능성이 있다. 이 때문에, 예를 들면 알루미늄제의 처리 용기 본체에는 양극 산화 처리(알루마이트 처리)가 실시되어 있다. 또한, 처리 용기 본체의 손상을 막기 위해서, 처리 용기의 내벽면에 보호 부재(라이너를 배치하는 것도 행하여지고 있다. 라이너에 관한 기술로서, 예를 들면 특허문헌 1에서는, 처리 용기에 형성된 반송구의 내벽면에 따라 착탈 가능한 라이너 부재 를 배치하는 것이 제안되어 있다.
그러나, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내부에 있어서는, 플라즈마의 분포나 가스류가 편재한다. 이 때문에, 처리 용기 내부로 플라즈마나 가스 흐름이 집중하기 쉬운 장소에서는, 플라즈마나 부식성 가스의 작용에 의해 라이너가 국소적으로 격렬하게 소모한다. 이러한 국소적인 소모가 일어나면, 라이너의 수명이 줄어들고, 단기간에 라이너를 교환하지 않으면 안되었다.
[특허문헌 1] 국제 공개 제 WO2002/29877 호
최근, FPD용의 기판에 대해 대형화의 요구가 강해지고 있고, 한 변이 2m를 초과하는 거대한 기판을 처리 대상으로 하는 경우도 있다. 기판의 대형화에 대응해서 처리 용기도 대형화하고 있다. 이렇게 대형의 처리 용기를 보호하기 위해서, 라이너도 대형화하고 있다. 대형의 라이너에 국소적인 소모가 진행했을 경우, 짧은 사이클에 라이너 전체를 교환할 필요가 있었다. 이 때문에, 작업 시간과 라이너에 따른 부품 비용이 증대하고, 큰 부담이 되고 있다.
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이뤄진 것으로서, 플라즈마 처리 장치에 있어서 처리 용기의 내면을 보호하는 보호 부재의 교환 작업이 용이해서, 부품 비용도 억제할 수 있는 처리 용기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 따른 처리 용기는, 피처리체를 내부에 수용해서 플라즈마 처리를 실행하는 처리 용기에 있어서,
개구 부분을 갖는 용기 본체와,
상기 용기 본체를 플라즈마 및/또는 부식성 가스에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재를 구비하고,
상기 보호 부재는 상기 용기 본체의 내벽면에 따라 배설된 제 1 보호 부재와, 상기 개구 부분의 주위에 있어서, 상기 제 1 보호 부재와 분리해서 착탈 가능하게 배설된 제 2 보호 부재를 구비하고 있다.
본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 1 보호 부재는 상기 용기 본체의 개구 부분에 대응한 크기의 개구를 구비하여 상기 용기 본체에 직접 장착되어 있고,
상기 제 2 보호 부재는 상기 제 1 보호 부재보다 작은 조각으로 형성되어, 상기 제 1 보호 부재에 중첩되어 장착되어 있다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 2 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련하여도 좋다. 이 경우, 상기 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막이어도 좋다. 또한, 상기 제 1 보호 부재의 표면에, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막 또는 Al2O3 용사막을 마련하여도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 개구 부분의 내벽면에 따라 배설된 통형상의 제 3 보호 부재를 더 구비하고 있고,
상기 제 3 보호 부재의 단부와 상기 제 1 보호 부재의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성된 끼워맞춤 구조를 이뤄서 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 개구 부분의 내벽면에 따라 배설된 통형상의 제 3 보호 부재를 더 구비하고 있고,
상기 제 3 보호 부재는 그 일 단부에 있어서 외측으로 돌출한 플랜지부를 구비하고,
상기 제 1 보호 부재는 그 개구단에 있어서 단부를 구비하고,
상기 제 3 보호 부재와 상기 제 1 보호 부재는 상기 플랜지부와 상기 단부가 끼워맞춤에 의해 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮어도 좋다. 이 경우, 상기 제 3 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이어도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막이어도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 2 보호 부재는 단면 L자형을 이루고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 제 2 보호 부재상에 중첩되어 배설된 제 4 보호 부재를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제 4 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이어도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막인 것이라도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 용기 본체의 개구 부분이 기판을 반입·반출하는 폭이 넓은 반입·반출구이며, 상기 제 2 보호 부재가 상기 반입·반출구의 양 단부의 주위에 배설되어 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 용기 본체의 개구 부분이 도어용의 개구이라도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기는, 상기 용기 본체에 배설된 배기구와,
상기 배기구에의 가스 흐름을 조정하는 정류판과,
상기 정류판의 단부에 연설되어, 상기 배기구를 향하는 가스류에 의한 손상으로부터 상기 정류판을 보호하는 정류판 보호 부재를 더 구비하여도 좋다. 이 경 우, 상기 정류판 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이라도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막이어도 좋다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는 상기 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치이다.
본 발명의 처리 용기에 의하면, 용기 본체를 플라즈마 및/또는 부식성 가스에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재로서, 상기 용기 본체의 내벽면에 따라 배설된 제 1 보호 부재와, 플라즈마나 가스 흐름이 집중하기 쉬운 용기 본체의 개구 부분의 주위에 있어서, 제 1 보호 부재와 분리해서 착탈 가능하게 배설된 제 2 보호 부재를 구비한 구성으로 하였다. 이에 의해, 제 2 보호 부재에 국소적인 소모가 생겼을 경우라도, 제 2 보호 부재만을 교환하면 좋다. 따라서, 종래의 큰 부담으로 되었던 보호 부재의 교환 작업을 단시간에 용이하게 실행할 수 있는 동시에, 교환 빈도와 교환 부품의 비용을 억제할 수 있다고 하는 효과를 거둘 수 있다.
[제 1 실시형태]
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 여기에서는, 본 발명의 제 1 실시형태의 처리 용기를 구비한 기판 처리 시스템을 예에 들어서 설명을 행한다. 도 1은 기판 처리 시스템으로서의 진공 처리 시스 템(100)을 개략적으로 도시하는 사시도이며, 도 2는 각 챔버의 덮개(도시 생략)를 개방한 상태에서 내부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 이 진공 처리 시스템(100)은 복수의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)를 갖는 멀티 챔버 구조를 이루고 있다. 진공 처리 시스템(100)은, 예를 들면 FPD용의 유리 기판(이하, 간단히 "기판"이라고 한다)(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하기 위한 처리 시스템으로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전기 발광(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.
진공 처리 시스템(100)에서는 복수의 대형 챔버가 십자형으로 연결되어 있다. 중앙부에는 반송실(3)이 배치되고, 그 3방향의 측면에 인접해서 기판(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하는 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)가 배설되어 있다. 또한, 반송실(3)의 나머지의 한쪽의 측면에 인접해서 로드록실(5)이 배설되어 있다. 이들 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c), 반송실(3) 및 로드록실(5)은 어느 것이나 진공 챔버로서 구성되어 있다. 반송실(3)과 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)와의 사이에는 도시하지 않는 개구부가 마련되어 있고, 상기 개구부에는 개폐 기능을 갖는 게이트 밸브(7a)가 각각 배설되어 있다. 또한, 반송실(3)과 로드록실(5)과의 사이에는 게이트 밸브(7b)가 배설되어 있다. 게이트 밸브(7a, 7b)는 폐쇄 상태에서 각 챔버의 사이를 기밀하게 밀봉하는 동시에, 개방 상태에서 챔버 사이를 연통시켜서 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다. 또한, 로드록실(5)과 외부의 대기 분위기와의 사이에도 게이트 밸브(7c)가 배치되어 있고, 폐쇄 상태에서 로드록실(5)의 기밀성을 유지하는 동시에 개방 상태에서 로드록실(5) 내부와 외부와의 사이에서 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다.
로드록실(5)의 외측에는 2개의 카세트 인덱서(9a, 9b)가 마련되어 있다. 각 카세트 인덱서(9a, 9b)상에는 각각 기판(S)을 수용하는 카세트(11a, 11b)가 탑재되어 있다. 각 카세트(11a, 11b)내에는 기판(S)이 상하에 간격을 두고서 다단으로 배치되어 있다. 또한, 각 카세트(11a, 11b)는 승강 기구부(13a, 13b)에 의해 각각 승강 가능하게 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 카세트(11a)에는 미처리 기판을 수용하고, 다른쪽의 카세트(11b)에는 처리완료 기판을 수용할 수 있게 구성되어 있다.
이들 2개의 카세트(11a, 11b)의 사이에는 기판(S)을 반송하기 위한 반송 장치(15)가 마련되어 있다. 이 반송 장치(15)는 상하 2단에 마련된 기판 유지구로서의 포크(17a) 및 포크(17b)와, 이들 포크(17a), 포크(17b)를 진출, 퇴피 및 선회 가능하게 지지하는 구동부(19)와, 이 구동부(19)를 지지하는 지지대(21)를 구비하고 있다.
프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)는 그 내부 공간을 소정의 감압 분위기(진공 상태)에 유지할 수 있게 구성되어 있다. 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)내에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(S)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(105)가 배치되어 있다. 그리고, 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서는, 기판(S)을 서셉터(105)에 탑재한 상태에서, 기판(S)에 대하여, 예를 들면 진공 조건에서의 에칭 처리, 애싱 처리, 성막 처리 등의 플라즈마 처리가 행하여진다.
본 실시형태에서는, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서 동종의 처리를 행 하여도 좋고, 프로세스 챔버마다 다른 종류의 처리를 행하여도 좋다. 또한, 프로세스 챔버의 수는 3개로 한정되지 않고, 4개 이상이라도 좋다.
반송실(3)은 진공 처리실인 프로세스 챔버(1a 내지 1c)와 같이 소정의 감압 분위기로 유지할 수 있게 구성되어 있다. 반송실(3)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반송 장치(23)가 배설되어 있다. 반송 장치(23)는 회전 가능하게 구성되어 있고, 진출·퇴피해서 기판(S)을 반송하는 빗살 형상의 포크(25)를 구비하고 있다. 그리고, 반송 장치(23)에 의해, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)와 로드록실(5)의 사이에서 기판(S)의 반송이 행하여진다.
반송 장치(23)는 상하 2단에 마련된 반송 기구를 구비하고, 각각 독립해서 기판(S)의 출납을 실행할 수 있게 구성되어 있다.
로드록실(5)은 프로세스 챔버(1a 내지 1c) 및 반송실(3)과 마찬가지로 소정의 감압 분위기로 유지할 수 있게 구성되어 있다. 로드록실(5)은, 대기 분위기에 있는 카세트(11a, 11b)와 감압 분위기의 반송실(3)과의 사이에서 기판(S)의 주고받음을 실행하기 위한 것이다. 로드록실(5)은 대기 분위기와 감압 분위기를 되풀이하는 관계상 극히 그 내용적이 작게 구성되어 있다. 로드록실(5)에는 기판 수용부(27)가 상하 2단에 마련되어 있고(도 2에서는 상단만 도시), 각 기판 수용부(27)에는 기판(S)을 지지하는 복수의 버퍼(28)가 간격을 두고 마련되어 있다. 이들 버퍼(28)끼리의 간극은 빗살 형상의 포크(예를 들면 포크(25))의 틈새 홈으로 되어 있다. 또한, 로드록실(5)내에는 직사각형 형상의 기판(S)의 서로 대향하는 각부(角部) 부근에 접촉해서 위치 맞춤을 실행하는 포지셔너(29)가 마련되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 진공 처리 시스템(100)의 각 구성부는 제어부(30)에 접속되어서 제어되는 구성으로 되어 있다(도 1에서는 도시를 생략). 제어부(30)는 CPU를 구비한 컨트롤러(31)와, 유저 인터페이스(32)와, 기억부(33)를 구비하고 있다. 컨트롤러(31)는 진공 처리 시스템(100)에 있어서, 예를 들면 프로세스 챔버(1a 내지 1c), 반송 장치(15), 반송 장치(23) 등의 각 구성부를 통괄해서 제어한다. 유저 인터페이스(32)는 공정 관리자가 진공 처리 시스템(100)을 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 진공 처리 시스템(100)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 구성된다. 기억부(33)에는, 진공 처리 시스템(100)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(31)의 제어로서 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(32) 및 기억부(33)는 컨트롤러(31)에 접속되어 있다.
그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(32)로부터의 지시 등에서 임의의 레시피를 기억부(33)로부터 호출해서 컨트롤러(31)에 실행시키는 것에 의해, 컨트롤러(31)의 제어하에서, 진공 처리 시스템(100)에서의 원하는 처리가 행하여진다.
상기 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플랙시블 디스크, 플래시 메모리 등에 기억된 상태의 것을 이용할 수 있다. 또는, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 온 라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
다음에, 이상과 같이 구성된 진공 처리 시스템(100)의 동작에 대해서 설명한다.
우선, 반송 장치(15)의 2개의 포크(17a, 17b)를 진퇴 구동시켜서, 미처리 기판을 수용한 카세트(11a)로부터 기판(S)을 수취하고, 로드록실(5)의 상하 2단의 기판 수용부(27)의 버퍼(28)에 각각 탑재한다.
포크(17a, 17b)를 퇴피시킨 후, 로드록실(5)의 대기측의 게이트 밸브(7c)를 폐쇄한다. 그 후, 로드록실(5)내를 배기하고, 내부를 소정의 진공도까지 감압한다. 다음에, 반송실(3)과 로드록실(5)과의 사이의 게이트 밸브(7b)를 개방하고, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해, 로드록실(5)의 기판 수용부(27)에 수용된 기판(S)을 수취한다.
다음에, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)중 어느 하나에 기판(S)을 반입하고, 서셉터(105)에 주고 받는다. 그리고, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)내에서 기판(S)에 대하여 에칭 등의 소정의 처리가 실시된다. 다음에, 처리완료의 기판(S)은 서셉터(105)로부터 반송 장치(23)의 포크(25)에 주고 받아서, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)로부터 반출된다.
그리고, 기판(S)은 상기와는 역의 경로에서 로드록실(5)을 거쳐서, 반송 장치(15)에 의해 카세트(11b)에 수용된다. 또한, 처리완료의 기판(S)을 원래의 카세트(11a)에 복귀시켜도 좋다.
다음에, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 처리 용기, 및 이 처리 용기를 구비한 본 발명의 이 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치에 대해서 설명을 실행한다. 도 3은 프로세스 챔버(1a, 1b 또는 1c)로서 적용 가능한 플라즈마 에칭 장치(200)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 도 4는 플라즈마 에칭 장 치(200)의 처리 용기(101)의 내부의 구성을 도시한 도면이다. 도 5는 처리 용기(101)의 내부의 구성을 도시하는 수평 단면도이다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)는 직사각형을 이룬 기판(S)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다.
이 플라즈마 에칭 장치(200)는 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통(角筒) 형상으로 성형된 처리 용기(101)를 구비하고 있다. 처리 용기(101)의 본체(용기 본체)는 저벽(101a), 4방향의 측벽(101b, 101c, 101d, 101e) 및 덮개(101f)에 의해 구성되어 있다. 벽(101b)의 내면에는 판형상을 이룬 보호 부재로서의 라이너(201a 내지 201d)가, 벽(101c)의 내면에는 동일 라이너(203a 내지 203c)가 벽(101d)의 내면에는 동일 라이너(205a 내지 205c)가, 벽(101e)의 내면에는 동일 라이너(207a 내지 207c)가, 각각 배설되어 있다 (도 5 참조)
덮개(101f)는 도시하지 않는 개폐 기구에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개(101f)를 폐쇄한 상태에서 덮개(101f)와 측벽(101b, 101c, 101d, 101e)과의 접합 부분은 시일 부재(102)에 의해 시일되어, 처리 용기(101)내의 기밀성이 유지되어 있다.
처리 용기(101)내의 바닥부에는 프레임 형상의 절연 부재(103)가 배치되어 있다. 절연 부재(103)의 위에는 기판(S)을 탑재 가능한 탑재대인 서셉터(105)가 마련되어 있다.
하부 전극이기도 하는 서셉터(105)는 기재(107)를 구비하고 있다. 기재(107)는 예를 들면 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(107)는 절연 부재(103) 상에 배치되어, 양 부재의 접합 부분에는 O링 등의 시일 부재(113)가 배치되어서 기밀성이 유지되어 있다. 절연 부재(103)와 처리 용기(101)의 저벽(101a)의 사이도 시일 부재(114)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(107)의 측부 외주는 절연 부재(117)에 의해 둘러싸여져 있다. 이것에 의해, 서셉터(105)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리의 때의 이상 방전이 방지되고 있다.
서셉터(105)의 상방에는, 이 서셉터(105)와 평행하게, 또한 대향해서 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(131)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(131)는 처리 용기(101)의 상부의 덮개(101f)에 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)는 중공형상을 이루고, 그 내부에는 가스 확산 공간(133)이 마련되어 있다. 또한, 샤워 헤드(131)의 하면(서셉터(105)와의 대향면)에는 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(135)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(131)는 접지되어 있고, 서셉터(105)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
샤워 헤드(131)의 상부 중앙 부근에는 가스 도입구(137)가 마련되어 있다. 이 가스 도입구(137)에는 처리 가스 공급관(139)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(139)에는, 2개의 밸브(141, 141) 및 매스 플로우 컨트롤러(143)를 거쳐서, 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(145)이 접속되어 있다. 처리 가스 로서는, 예를 들면 할로겐계 가스나 O2 가스 외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 이용하나는 것이 가능하다.
상기 처리 용기(101)의 바닥부의 4 모서리에는 배기구(151)가 4개소에 형성되어 있다. 배기구(151)에는 배기관(153)이 접속되어 있고, 이 배기관(153)은 배기 장치(155)에 접속되어 있다. 배기 장치(155)는, 예를 들면 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 의해 처리 용기(101)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
또한, 처리 용기(101)의 측벽(101b)에는, 상기 측벽(101b)에 관통 형성된 개구부로서의 기판 반송용 개구(161)가 마련되어 있다. 이 기판 반송용 개구(161)는 게이트 밸브(7a)에 의해 개폐된다(도 1 및 도 2 참조). 그리고, 이 게이트 밸브(7a)를 개방한 상태에서 기판(S)이 인접하는 반송실(3)과의 사이에서 반송되게 되어 있다(도 1 및 도 2 참조). 또한, 처리 용기(101)의 측벽(101c 내지 101e)에는, 이들의 측벽(101c 내지 101e)을 관통 형성된 개구부로서의 도어용 개구(163)가 마련되어 있다. 각 도어용 개구(163)에는 투명한 석영판(165)이 장착되어 있다.
서셉터(105)의 기재(107)에는 급전선(171)이 접속되어 있다. 이 급전선(171)에는 매칭 박스(M.B.)(173)를 거쳐서 고주파 전원(175)이 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전원(175)으로부터 예를 들면 13.56㎒의 고주파 전력이 하부 전극으로서의 서셉터(105)에 공급된다. 또한, 급전선(171)은 저벽(101a)에 형성된 개구(177)를 거쳐서 처리 용기내에 도입되어 있다.
또한, 서셉터(105)의 측방에는, 처리 용기(101)내의 가스 흐름을 컨트롤하는 정류판으로서의 배플판(181)이 마련되어 있다. 배플판(181)은 평면 4각형의 서셉터(105)의 4변에 대응해서 4장 마련되어 있다. 각 배플판(181)은 처리 용기(101)의 저벽(101a)으로부터 입설된 절연벽(183) 및 절연벽(185)에 의해 대략 수평으로 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)의 가스 토출 구멍(135)으로부터 서셉터(105)상의 기판(S)으로 향해서 공급된 처리 가스는 기판(S)의 표면에서 사방으로 확산하고, 배플판(181)의 정류 작용에 의해, 처리 용기(101)의 바닥부 4개소에 마련된 배기구(151)에 향해서 가스류를 형성하면서 배기되는 구성으로 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(200)에 있어서의 처리 동작에 대해서 설명한다. 우선, 게이트 밸브(7a)가 개방된 상태에서, 피처리체인 기판(S)이, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해 반송실(3)로부터 기판 반송용 개구(161)를 거쳐서 처리 용기(101)내에 반입된다. 기판(S)은 반송 장치(23)의 포크(25)에 지지된 상태에서 이송된다. 그리고, 포크(25)로부터 서셉터(105)에 기판(S)의 주고 받음이 행해진다. 그 후, 게이트 밸브(7a)를 폐쇄할 수 있어, 배기 장치(155)에 의해, 처리 용기(101)내가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다.
다음에, 밸브(141)를 개방하고, 처리 가스를 가스 공급원(145)으로부터 처리 가스 공급관(139), 가스 도입구(137)를 거쳐서 샤워 헤드(131)의 가스 확산 공간(133)에 도입한다. 이 때, 매스 플로우 컨트롤러(143)에 의해 처리 가스의 유량 제어가 행하여진다. 가스 확산 공간(133)에 도입된 처리 가스는, 또한 복수의 토출 구멍(135)을 거쳐서 서셉터(105) 상에 탑재된 기판(S)에 대하여 균일하게 토출 되고, 처리 용기(101)내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.
이 상태에서 고주파 전원(175)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(173)를 거쳐서 서셉터(105)에 인가된다. 이에 의해, 하부 전극으로서의 서셉터(105)와 상부전극으로서의 샤워 헤드(131)와의 사이에 고주파 전계가 발생하고, 처리 가스가 분해해서 플라즈마화한다. 이 플라즈마에 의해, 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.
에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(175)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(101)내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브(7a)를 개방하고, 서셉터(105)로부터 반송 장치(23)의 포크(25)에 기판(S)을 주고 받고, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)로부터 반송실(3)에 반출한다. 이상의 조작에 의해, 기판(S)에 대하는 에칭 처리가 종료한다.
도 4는 제 1 실시형태에 따른 처리 용기(101)의 내부를 도시한 도면이다. 여기에서는, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)과, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)과의 내면을 도시하고 있다.
기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(201a, 201b, 201c, 201d)에 의해 덮여 있다. 제 2 보호 부재로서의 라이너(201a 및 201c)는 횡 길이(폭 넓이)로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 양단의 코너부(161a)의 주위의 내벽면을 각각 보호하고 있다. 제 1 보호 부재로서의 라이너(201b, 201d)는 횡 길이로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 중앙 부근의 직선 부분(161b)의 주위의 내벽면을 보호하고 있다.
플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는, 횡 길이로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 직선 부분(161b)보다도, 양단 부근의 코너부(161a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 측벽(101b)을 한장의 대형의 라이너로 보호했을 경우, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위에서 소모가 격렬하고, 직선 부분(161b)의 주위에서는 소모의 진행이 늦어진다. 그리고, 코너부(161a)의 주위의 소모에 합쳐서 라이너의 교환을 실행한다고 하면, 교환 빈도가 많아지고, 교환 부품의 비용도 증대해 버린다.
여기에서, 본 실시형태에서는, 측판(101b)에 배치되는 보호 부재를, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위를 덮는 라이너(201a), 라이너(201c)와, 기판 반송용 개구(161)의 직선 부분(161b)을 덮는 라이너(201b), 라이너(201d)로 4분할했다. 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)를 덮는 라이너(201a, 201c)와, 직선 부분(161b)을 덮는 라이너(201b, 201d)를 비교하면, 라이너(201a, 201c)쪽이 손상을 받기 쉽고, 교환 사이클이 짧다. 이러한 분할 구조에 의해, 소모가 심한 라이너(201a, 201c)만을, 이것들에 비교해서 소모의 진행이 느린 라이너(201b, 201d)와는 별도로 교환할 수 있다.
라이너(201a 내지 201d)의 두께는 예를 들면 3 내지 5㎜의 범위내로 할 수 있다. 또한, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 라이너(201a, 201c)의 두께를 라이너(201b, 201d)의 두께보다도 크게 해도 좋다.
라이너(201a 내지 201d)로서는, 예를 들면 처리 용기(101)를 구성하는 측벽(101b 내지 101e)과 마찬가지의 재질, 예를 들면 알루미늄 등의 기재 표면에 알 루마이트 처리(양극 산화 처리)를 실시한 것을 이용할 수 있다. 또한, 라이너(201a 내지 201d)로서, 알루미늄 등의 기재 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것도 바람직하다. 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로서는, 예를 들면 Y2O3 용사막, YF3 용사막, Al2O3 용사막, B4C 용사막 등을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 우수한 플라즈마 부식 내성을 가지는 Y2O3 용사막 또는 YF3 용사막이 보다 바람직하다.
본 실시형태에서는, 라이너마다 그 표면을 피복하는 보호막(예컨대, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막이나, 세라믹스 용사막 등)의 종류를 바꿀 수도 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 코너부(161a)의 주위의 라이너(201a, 201c)에 대해서는, Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등이 높은 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로 표면을 피복하고, 다른 부분, 예를 들면 라이너(201b, 201d)에 대해서는, Al2O3 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막으로 표면을 피복해 둘 수 있다. 이와 같이, 플라즈마가 집중하기 쉬운 코너부(161a)의 주위에, 높은 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로 피복된 라이너(201a, 201c)를 이용하는 것에 의해, 소분할된 라이너(201a, 201c)로 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 산화 환원 반응이 심한 BCl3 가스 분위기에 노출되는 부위에는, 표면에 산화 피막을 갖는 금속이나 스테인리스 등의 합금을 이용하는 것도 가능하다.
상기 세라믹스 용사막은 그 막 두께가 지나치게 두껍게 되면 벗겨지기 쉽기 때문에, 예를 들면 50㎛ 내지 200㎛의 범위내의 막 두께로 하는 것이 가능하다.
라이너(201a 내지 201d)는 측벽(101b)에 착탈 가능하게 장착되어 있다. 라이너(201a 내지 201d)를 측벽(101b)에 장착하는 방법은 특히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101b)에 라이너(201d 내지 201d)를 접합하면 좋다. 또한, 전기적으로 접지된 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d)의 도통이 얻어지지 않고, 라이너(201a 내지 201d)가 전기적으로 플로팅 상태로 되면, 이들에 전하가 축적해서 이상 방전의 원인이 되고, 또한 처리 용기(101)내로 생성하는 플라즈마의 안정성이 손상될 경우가 있다. 따라서, 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d)와의 사이의 도통을 확보해 두는 것이 바람직하다. 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d)와의 도통을 확보하기 위해서, 측벽(101b)과 각 라이너(201a 내지 201d)와의 사이에, 예를 들면 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 각각 배치해도 좋다.
처리 용기(101)에 있어서, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(203a, 203b, 203c)로 덮여 있다. 제 2 보호 부재로서의 라이너(203b)는 측벽(101c)의 도어용 개구(163)의 주위의 내벽면을 보호하고 있다. 제 1 보호 부재로서의 라이너(203a, 203b)는 도어용 개구(163)가 형성되어 있지 않은 부분의 측벽(101c)의 내벽면을 보호하고 있다.
플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는 각을 가진 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 측벽(101c)을 한장의 대형의 라이너로 보호했을 경우, 도어용 개구(163)의 주위에서 소모가 격렬하고, 도어 용 개구(163)로부터 벗어난 부위에서는 소모의 진행이 늦어진다. 그리고, 도어용 개구(163)의 주위의 소모에 맞춰서 라이너의 교환을 실행한다고 하면, 교환 빈도가 많아지고, 교환 부품의 비용도 증대해 버린다.
여기에서, 본 실시형태에서는, 측벽(101c)에 배치되는 보호 부재를, 도어용 개구(163)의 주위를 덮는 라이너(203b)와, 도어용 개구(163)로부터 벗어난 부위를 덮는 라이너(203a, 203c)로 3분할했다. 도어용 개구(163)의 주위를 덮는 라이너(203b)와, 그 양측의 라이너(203a, 203c)를 비교하면, 라이너(203b)쪽이 손상을 받기 쉽고, 교환 사이클이 짧다. 이러한 분할 구조에 의해, 소모가 심한 라이너(203b)만을, 이들에 비교해서 소모의 진행이 느린 라이너(203a, 203c)와는 별도로 교환하는 것이 가능하다.
라이너(203a 내지 203c)로서는, 상기 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질, 구성의 것을 이용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 주위에 배치되는 라이너(203b)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 라이너(203b)에 비교해서 플라즈마의 집중이 생기기 어려운 위치에 배치된 라이너(203a, 203c)에 대해서는, Al2O3 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막에서 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 라이너(203a 내지 203c)에 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일한 재질의 세라믹스 용사막을 형성 해 두어도 좋다. 또한, 라이너(203a, 203b, 203c)와 측벽(101c)과의 사이는, 예를 들면 실드 스파이럴 등의 도통 부재에 의해 도통을 도모해 두는 것이 바람직하다.
또한, 설명은 생략하지만, 측벽(101c)과 마찬가지로, 처리 용기(101)의 측벽(101d)에는 보호 부재로서의 라이너(205a, 205b, 205c)가 배치되어 있고, 측벽(101e)에는 라이너(207a, 207b, 207c)가 배치되어 있다. 그리고, 도어용 개구(163)의 주위의 라이너(205b) 및 라이너(207b)는 다른 부분과는 분할 가능하게 형성되어 있다.
또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 처리 용기(101)에서는, 서셉터(105)의 주위에 배치된 배플판(181)의 양단에 정류판 보호 부재로서의 연결판(209)이 마련되어 있다. 샤워 헤드(131)로부터 기판(S)에 향해서 공급된 가스류는, 기판(S)에 충돌해서 일단 기판(S)과 평행한 방향으로 흐름의 방향을 바꾼 후, 또한 배플판(181)의 단부 부근에 있어서 하방의 배기구(151)에 향해서 흐름의 방향을 바꾼다. 이 때문에, 배플판(181)의 양 단부에는 가스류가 집중하는 결과가 된다. 따라서, 배플판(181)의 양 단부는 다른 부위에 비교해서 부식성 가스 등에 의한 소모가 심하다.
여기에서, 본 실시형태에서는, 배플판(181)의 양 단부에 연결판(209)을 마련했다. 연결판(209)은 평판 형상을 이루고, 배플판(181)의 양단에 예를 들면 나사 등의 고정 수단으로 연결되어 있다. 이와 같이, 배플판(181)의 양단에 연결판(209)을 연장하여 설치한 것에 의해, 배플판(181) 본체의 열화 스피드를 늦출 수 있다. 또한, 연결판(209)이 열화했을 경우에는, 연결판(209)만을 교환하면 좋기 때문에, 배플판(181)의 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 작업이 용이해서 부품비용도 대폭 억제할 수 있다.
배플판(181) 및 연결판(209)으로서는, 상기 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 가스류가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 연결판(209)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 배플판(181)에 대해서는, Al2O3 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막에서 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 배플판(181) 및 연결판(209)에, 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일한 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.
이상과 같이 , 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 플라즈마가 집중하기 쉬운 개구 부분의 주위에 있어서, 제 2 보호 부재로서의 라이너(201a, 201c) 및 라이너(203b, 205b, 207b)를, 다른 부분과는 분리해서 착탈 가능하게 배설하는 구성을 채용했다. 이러한 구성에 의해, 작은 조각으로 형성된 라이너(201a, 201c) 또는 라이너(203b, 205b, 207b)에 국소적인 손상이 생겼을 경우에는, 라이너(201a, 201c) 또는 라이너(203b, 205b, 207b)만을 교환하면 좋다. 따라서, 종래의 큰 부담으로 되고 있던 라이너의 교환 작업을 단시간에 용이하게 실행할 수 있는 동시에, 교환 빈도와 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 가스류가 집중하기 쉬운 배플 판(181)의 양단에 착탈 가능한 연결판(209)을 마련했다. 이에 의해, 배플판(181)을 보호해서 부품 수명을 장기화할 수 있는 동시에, 연결판(209)이 소모했을 경우에는 연결판(209)만을 교환하면 좋다. 작은 조각의 연결판(209)의 교환 작업은 용이하기 때문에, 교환 작업 시간이 짧게 종료하고, 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.
[제 2 실시형태]
다음에, 도 6 내지 도 11을 참조하면서, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 2 실시형태 에 따른 처리 용기의 내부를 도시한 도면이다. 여기에서는, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)과, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)과의 내벽면을 도시하고 있다.
기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은, 제 1 보호 부재로서의 판 형상의 주 라이너(211)에 의해 피복되어 플라즈마나 부식성 가스로부터 보호되어 있다. 주 라이너(211)는 기판 반송용 개구(161)에 대응한 크기의 개구를 갖고 있다.
기판 반송용 개구(161)의 양단의 코너부(161a)의 주위에 있어서는, 주 라이너(211)상에 중첩되고, 주 라이너(211)보다 작은 조각으로 형성된 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(301a, 301b)가 2중으로 배치되어 있다. 즉, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위는 주 라이너(211)와 보조 라이너(301a 또는 301b)에 의한 2중 접합 구조로 되어 있다.
보조 라이너(301a, 301b)는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 형상 에 맞춰서 ⊃자형(U자형)을 이루고 있고, 측벽(101b)에 착탈 가능하게 마련되어 있다.
도 7에 보조 라이너(301a(301b))가 배치된 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a) 부근의 단면 구조를 도시했다. 기판 반송용 개구(161)의 내면에는 제 3 보호 부재로서, 가로에 폭이 넓은 통형상을 이룬 각통 라이너(213)가 삽입되어 있다. 각통 라이너(213)는 주 라이너(211)에 대하여 대략 수직하게 배치되어 있다. 각통 라이너(213)는 도시하지 않은 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101b)에 고정되어 있다.
각통 라이너(213)의 단부에는 외측으로 향해서 돌출한 소형 플랜지부(213a)가 형성되어 있다. 한편, 주 라이너(211)의 개구의 연부(개구 단부)에는 노치 단부(211a)가 형성되어 있다. 그리고, 각통 라이너(213)의 소형 플랜지부(213a)가 주 라이너(211)의 노치 단부(211a)와 끼워맞춤될 수 있도록 해서, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)가 접합되어 있다. 즉, 주 라이너(211)의 단부와 각통 라이너(213)의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성되도록 끼워맞춤 구조를 해서 접합되어 있다.
보조 라이너(301a(301b))는 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 주 라이너(211)에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(301a(301b))는 주 라이너(211)를 관통하는 나사(401)에 의해 측벽(101b)에 고정되어 있다. 이 나사(401)에 의해, 보조 라이너(301a(301b))와 주 라이너(211)와 측벽(101b)의 도통이 확보된다. 따라서, 보조 라이너(301a(301b))와 주 라이 너(211)는 접지 전위로 유지된다. 또한, 측벽(101b)과 주 라이너(211)와 보조 라이너(301a(301b)) 사이의 도통을 확보할 목적으로, 이들의 사이에 예컨대 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 배치해도 좋다.
상기와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는, 기판 반송용 개구(161)의 중앙의 직선 부분(161b)보다도 양단의 코너부(161a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에 본 실시형태에서는, 측벽(101b)의 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위에 있어서, 주 라이너(211)상에 중첩되어 보조 라이너(301a(301b))를 배치했다. 이와 같이, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 개소의 라이너를 이중 구조로 하는 것에 의해, 코너부(161a)의 주위의 주 라이너(211)의 소모를 막고, 주 라이너(211)의 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 손상을 받기 쉬운 부분에 배치된 보조 라이너(301a, 301b)는 주 라이너(211)에 비교해서 작은 조각이기 때문에, 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(211) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.
또한, 보조 라이너(301a, 301b) 뿐만 아니라, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)에 대해서도, 일체 성형하지 않고 별도의 부재에 의해 분할 형성했으므로, 가공이 용이해져서 제조 비용을 억제할 수 있는 것 외에, 각 부재의 교환 작업도 용이하게 실행할 수 있다. 본 실시형태에서는, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 부분을 주 라이너(211)의 노치 단부(211a)와 각통 라이너(213)의 소형 플랜지부(213a)의 끼워맞춤 구조로 했다. 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)를 분할 형성했을 경우, 부품 가공 정밀도나 조립 정밀도의 부족, 또는 플 라즈마 에칭 처리중의 열팽창 등이 원인이 되어서 접합 부분에 간극이 생기면, 상기 접합 부분에서 이상 방전이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 접합 부분의 구조를 상기와 같은 끼워맞춤 구조로 하는 것에 의해, 접합 부분에서의 이상 방전을 생기기 어렵게 하고 있다. 그리고, 또한 접합 부분의 위로부터 보조 라이너(301a(301b))를 장착 함으로써, 접합 부분에서의 이상 방전의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.
주 라이너(211)나 보조 라이너(301a, 301b)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 기판 반송용 개구(161)의 내주면을 덮는 각통 라이너(213)나, 동일 코너부(161a)의 주위를 덮는 보조 라이너(301a, 301b)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 도 7의 A부분의 확대도에, 보조 라이너(301a(301b))로서, 알루미늄 기재(501)의 표면에 Y2O3 용사막(503)을 형성한 상태를 예시했다. 한편, 각통 라이너(213)나 보조 라이너(301a, 301b)에 비교해서 플라즈마의 영향을 직접 받기 어려운 주 라이너(211)에 대해서는, Al2O3 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막에서 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 주 라이너(211), 각통 라이너(213) 및 보조 라이너(301a, 301b)에 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.
도 8은 본 실시형태의 변형예에 있어서의 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a) 부근의 확대도이다. 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선 단면 구조를 도시하고 있다. 이 변형예에서는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 양단(한 단만을 도시함)에 있어서, 개구의 연부를 덮도록 주 라이너(211)에 중첩해서 ⊃자형(U자형)을 이룬 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(303)를 배치했다. 또한, 주 라이너(211)의 구성은 상기로 마찬가지다.
기판 반송용 개구(161)의 내면에는, 주 라이너(211)와 직교하고, 제 3 보호 부재로서의 가로로 폭이 넓은 통형상을 이룬 각통 라이너(213)가 배치되어 있다. 이 각통 라이너(213)의 구성 및 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 구조 및 그 작용은 전술한 바와 같다.
단면 L자형의 보조 라이너(303)는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에 있어서, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 각부에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(303)는 나사(402)에 의해 각통 라이너(213)에 고정되어 있다. 보조 라이너(303)의 단면 형상을 L자형으로 하는 것에 따라, 기판 반송용 개구(161)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다고 하는 이점이 있다.
본 변형예에서는, 플라즈마가 집중하기 쉬운 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에 보조 라이너(303)가 배치되어 있다. 이러한 구조에 의해, 주 라이너(211) 및 각통 라이너(213)의 소모를 막는 동시에, 양쪽 부재의 접합 부분으로부 터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 보조 라이너(303)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 보조 라이너(303)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 주 라이너(211) 및 각통 라이너(213)에 대해서는 상기와 마찬가지의 구성의 것을 사용할 수 있다.
다시 도 6을 참조한다. 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내면은, 제 1 보호 부재로서의 판형상의 주 라이너(215)에 피복되어 플라즈마나 부식성 가스로부터 보호되어 있다. 주 라이너(215)는 도어용 개구(163)에 대응한 크기의 개구를 갖고 있다.
도어용 개구(163)의 주위에 있어서는, 주 라이너(215)상에 중첩되어 제 2 보호 부재로서의 작은 조각의 보조 라이너(305)가 2중으로 배치되어 있다. 즉, 도어용 개구(163)의 주위는 주 라이너(215)와 보조 라이너(305)에 의한 2중 접착 구조로 되어 있다.
보조 라이너(305)는 도어용 개구(163)에 대응한 크기의 개구를 구비하여 전체로서 액자형(프레임 형상)을 이루고 있고, 측벽(101c)에 착탈 가능하게 마련되어 있다.
도 10에, 보조 라이너(305)가 배치된 도어용 개구(163) 부근의 단면 구조를 도시했다. 도어용 개구(163)의 내면에는, 제 3 보호 부재로서의 각통 형상을 이룬 각통 라이너(217)가 삽입되어 있다. 각통 라이너(217)는 주 라이너(215)에 대하여 대략 수직하게 배치되어 있다. 각통 라이너(217)는 도시하지 않은 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101c)에 고정되어 있다.
각통 라이너(217)의 단부에는, 외측에 향해서 돌출한 소형 플랜지부(217a)가 형성되어 있다. 한편, 주 라이너(215)의 개구의 연부(개구 단부)에는 노치 단부(215a)가 형성되어 있다. 그리고, 각통 라이너(217)의 소형 플랜지부(217a)가 주 라이너(215)의 노치 단부(215a)와 끼워맞춰질 수 있도록 하고, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)가 접합되어 있다. 즉, 주 라이너(215)의 단부와 각통 라이너(217)의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성되도록 끼워맞춤 구조를 해서 접합되어 있다.
단면 L자형을 이루는 보조 라이너(305)는 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 주 라이너(215)에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(305)의 단면을 L자형으로 하는 것에 의해, 도어용 개구(163)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)와의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다는 이점이 있다. 보조 라이너(305)는 주 라이너(215)를 관통하는 나사(403)에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 이 나사(403)에 의해, 보조 라이너(305)와 주 라이너(215)와 측벽(101c)의 도통이 확보된다. 따라서, 보조 라이너(305)와 주 라이너(215)는 접지 전위로 유지된다. 또한, 측벽(101c)과 주 라이너(215)와 보조 라이너(305)와의 사이의 도통을 확보할 목적으로, 이들의 사이에 예컨대 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 배치해도 좋다.
상기와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 도어용 개구(163)의 주위에, 주 라이너(215)상에 중첩되어 보조 라이너(305)를 배치했다. 이와 같이, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 개소의 라이너를 이중 구조로 하는 것에 의해, 도어용 개구(163)의 주위에서 주 라이너(215)의 소모를 막고, 주 라이너(215)의 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 손상을 받기 쉬운 부분에 배치된 보조 라이너(305)는, 주 라이너(215)에 비교해서 소형이기 때문에, 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(215) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.
또한, 보조 라이너(305) 뿐만 아니라, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)에 있어도, 일체 성형하지 않고 별도의 부재에 의해 분할 형성했으므로, 가공이 용이해져서 제조 비용을 억제할 수 있는 것 외에, 각 부재의 교환 작업도 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 접합 부분을, 주 라이너(215)의 노치 단부(215a)와 각통 라이너(217)의 소형 플랜지부(217a)의 끼워맞춤 구조로 하고, 그 위에 보조 라이너(305)를 장착했다. 이에 의해, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)를 분할 형성한 것에 의해 발생하기 쉬워지는 접합 부분으로부터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다.
주 라이너(215), 각통 라이너(217)나 보조 라이너(305)로서는, 제 1 실시형 태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 내주면을 덮는 각통 라이너(217)나 동일 연부(163a)를 덮는 보조 라이너(305)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 각통 라이너(217)나 보조 라이너(305)에 비교해서 플라즈마의 영향을 직접 받기 어려운 주 라이너(215)에 대해서는, Al2O3 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막으로 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 주 라이너(215), 각통 라이너(217) 및 보조 라이너(305)에, 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.
도 11은 본 실시형태의 변형예에 있어서의 도어용 개구(163) 부근의 단면 구조를 도시하고 있다. 본 변형예에서는, 제 1 보호 부재로서의 주 라이너(215)상에, 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(307)가 배치되고, 또한 그 위에 중첩해서 제 4 보호 부재로서의 보조 라이너(309)가 배치된 3중 구조를 이루고 있다. 또한, 주 라이너(215)의 구성은 상기와 동일하다.
도어용 개구(163)의 내면에는, 주 라이너(215)와 직교하고, 제 3 보호 부재로서의 각통 형상을 이룬 각통 라이너(217)가 배치되어 있다. 각통 라이너(217)는 도시하지 않은 나사에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 접합 구조 및 그 작용은 상술한 바와 같다.
도어용 개구(163)의 주위에는, 개구를 갖는 평판상의 보조 라이너(307)가 주 라이너(215)에 중첩되어 배치되어 있다. 그리고, 단면 L자형을 이룬 액자 형상(프레임 형상)의 보조 라이너(309)는 주 라이너(215)와 보조 라이너(307)와 각통 라이너(217)를 덮도록 배치되어 있다. 보조 라이너(309)는 보조 라이너(307) 및 주 라이너(215)를 관통하는 도시하지 않는 나사에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 보조 라이너(309)의 단면을 L자형으로 이룬 것에 의해, 도어용 개구(163)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)와 보조 라이너(309)의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다고 하는 이점이 있다.
주 라이너(215)와 각통 라이너(217) 사이에는, 도통을 확보할 목적으로 도통 부재로서의 실드 스파이럴(404)이 개재 배치되어 있다. 또한, 주 라이너(215)와 보조 라이너(307) 사이에도, 동일한 목적으로 실드 스파이럴(405)이 개재 배치되어 있다. 또한, 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309) 사이에도 동일 목적으로 실드 스파이럴(406)이 개재 배치되어 있다. 실드 스파이럴(404 내지 406)에 의해, 각통 라이너(217)와 주 라이너(215)와 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)의 도통이 확보되어 있다. 또한, 상기와 같이, 각통 라이너(217)는 측벽(101c)에 나사 고정되어 있기 때문에, 이 나사(도시 생략)를 거쳐서, 각통 라이너(217), 주 라이너(215), 보조 라이너(307, 309)가 접지 전위로 되어서 이상 방전이 방지되어 있다.
본 변형예에서는, 주 라이너(215)상에 보조 라이너(307)가 배치되고, 또한 그 위에 중첩되어 보조 라이너(309)가 배치된 3중 구조를 이루고 있다. 이러한 3 중 구조에 의해, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 있어서, 주 라이너(215) 및 각통 라이너(217)의 소모를 막는 동시에, 양쪽 부재의 접합 부분으로부터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 주 라이너(215)의 교환 회수를 저감할 수 있다.
또한, 도어용 개구(163)의 주위에 있어서, 교환 부품인 보조 라이너를 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)로 세분화해서 배치했기 때문, 이들의 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(215) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.
보조 라이너(307), 보조 라이너(309)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 보조 라이너(307) 및 보조 라이너(309)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y2O3 용사막이나 YF3 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)에 각각 다른 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두는 것도 가능하다. 주 라이너(215) 및 각통 라이너(217)에 대해서는 상기로 같은 구성의 것을 사용할 수 있다.
또한, 도시 및 설명은 생략하지만, 처리 용기(101)의 측벽(101d 및 101e)에 관해서도, 도어용 개구(163)의 주위에 측벽(101c)과 마찬가지의 라이너 구조를 갖고 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 플라즈마나 가스류가 집중하기 쉬운 부분에 있어서, 보호 부재로서의 라이너를 주 라이너(주 라이너(211, 215))와 보조 라이너(보조 라이너(301a, 301b, 303, 305, 307, 309))의 2층 이상의 다중 구조로 하고, 또한 보조 라이너를 작은 조각으로 형성했다. 이러한 구성에 의해, 주 라이너의 교환 빈도를 저감하고, 보조 라이너의 교환 작업을 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는 제 1 실시형태와 동일하다.
이상, 본 발명의 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되는 일은 없고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는, 하부 전극(기재(107))에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치를 예시해서 설명했지만, 상부 전극에 고주파 전력을 공급하는 타입이여도 좋고, 용량 결합형에 한정되지 않고 유도 결합형이여도 좋다.
또한, 본 발명의 처리 용기는, FPD용 기판을 처리 대상으로 하는 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 반도체 웨이퍼를 대상으로 하는 것이라도 좋고, 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 플라즈마 애싱 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 다른 플라즈마 처리 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서 도시한 보호 부재로서의 라이너(주 라이너, 각통 라이너 및 보조 라이너)의 형상이나, 측벽에의 고정 방법, 및 라이너끼리의 접합 구조는 어디까지나 예시이며, 수많은 변형예가 존재할 수 있지만, 그것들도 본 발 명의 기술적 범위에 속한다.
도 1은 진공 처리 시스템을 개략적으로 도시하는 사시도,
도 2는 도 1의 진공 처리 시스템의 평면도,
도 3은 플라즈마 에칭 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 도면,
도 5는 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 수평 단면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 도면,
도 7은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 8은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 확대도,
도 9는 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 10은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 11은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1a, 1b, 1c : 프로세스 챔버 3 : 반송실
5 : 로드록실 100 : 진공 처리 시스템
101 : 처리 용기 101a : 저벽
101b 내지 101d : 측벽 101f : 덮개
105 : 서셉터 151 : 배기구
161 : 기판 반송용 개구 161a : 코너부
163 : 도어용 개구 163a : 연부
201a 내지 201d : 라이너 203a 내지 203c : 라이너

Claims (19)

  1. 피처리체를 내부에 수용해서 플라즈마 처리를 실행하는 처리 용기에 있어서,
    개구 부분을 갖는 용기 본체와,
    상기 용기 본체를 플라즈마 및/또는 부식성 가스에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재를 구비하고,
    상기 보호 부재는 상기 용기 본체의 내벽면에 따라 배설된 제 1 보호 부재와, 상기 개구 부분의 주위에 있어서, 상기 제 1 보호 부재와 분리해서 착탈 가능하게 배설된 제 2 보호 부재를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보호 부재는 상기 용기 본체의 개구 부분에 대응한 크기의 개구를 구비하여 상기 용기 본체에 직접 장착되어 있고,
    상기 제 2 보호 부재는 상기 제 1 보호 부재보다 작은 조각으로 형성되어, 상기 제 1 보호 부재에 중첩되어 장착되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막 을 마련한 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막인 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 보호 부재의 표면에, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막 또는 Al2O3 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 부재는 상기 개구 부분의 내벽면에 따라 배설된 통형상의 제 3 보호 부재를 더 구비하고 있고,
    상기 제 3 보호 부재의 단부와 상기 제 1 보호 부재의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성된 끼워맞춤 구조를 이뤄서 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮고 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 부재는 상기 개구 부분의 내벽면에 따라 배설된 통형상의 제 3 보호 부재를 더 구비하고 있고,
    상기 제 3 보호 부재는 그 일 단부에 있어서 외측으로 돌출한 플랜지부를 구비하고,
    상기 제 1 보호 부재는 그 개구단에 있어서 단부를 구비하고,
    상기 제 3 보호 부재와 상기 제 1 보호 부재는 상기 플랜지부와 상기 단부가 끼워맞춤에 의해 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮고 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막인 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 보호 부재는 단면 L자형을 이루고 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호 부재는 상기 제 2 보호 부재상에 중첩되어 배설된 제 4 보호 부재를 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 4 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막인 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  14. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용기 본체의 개구 부분이 기판을 반입·반출하는 폭이 넓은 반입·반출구이며, 상기 제 2 보호 부재가 상기 반입·반출구의 양 단부의 주위에 배설되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  15. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용기 본체의 개구 부분이 도어용의 개구인 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  16. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용기 본체에 배설된 배기구와,
    상기 배기구에의 가스 흐름을 조정하는 정류판과,
    상기 정류판의 단부에 연설되어, 상기 배기구를 향하는 가스류에 의한 손상으로부터 상기 정류판을 보호하는 정류판 보호 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 정류판 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 세라믹스 용사막이 Y2O3 또는 YF3의 용사막인 것을 특징으로 하는
    처리 용기.
  19. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 기재의 처리 용기를 구비한
    플라즈마 처리 장치.
KR1020080120942A 2007-12-03 2008-12-02 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치 KR20090057921A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007312160A JP5329072B2 (ja) 2007-12-03 2007-12-03 処理容器およびプラズマ処理装置
JPJP-P-2007-312160 2007-12-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110004189A Division KR101467618B1 (ko) 2007-12-03 2011-01-14 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090057921A true KR20090057921A (ko) 2009-06-08

Family

ID=40734975

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080120942A KR20090057921A (ko) 2007-12-03 2008-12-02 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치
KR1020110004189A KR101467618B1 (ko) 2007-12-03 2011-01-14 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110004189A KR101467618B1 (ko) 2007-12-03 2011-01-14 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5329072B2 (ko)
KR (2) KR20090057921A (ko)
CN (1) CN101452805B (ko)
TW (1) TWI442500B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157790B1 (ko) * 2009-12-31 2012-06-20 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
KR20130037195A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
KR101322729B1 (ko) * 2011-01-27 2013-10-29 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마를 이용한 기판처리장치
KR20180030729A (ko) * 2010-07-21 2018-03-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱 장치와, 전기적 스큐들을 조정하기 위한 라이너 어셈블리
CN113521539A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 汪嵘 一种便携式等离子体伤口治疗仪及其使用方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5517372B2 (ja) * 2010-09-17 2014-06-11 株式会社アルバック 真空処理装置
JP6307825B2 (ja) * 2013-09-25 2018-04-11 日新イオン機器株式会社 防着板支持部材、プラズマ源およびイオンビーム照射装置
JP6435090B2 (ja) * 2013-10-03 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9925639B2 (en) * 2014-07-18 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Cleaning of chamber components with solid carbon dioxide particles
JP7105629B2 (ja) * 2018-06-20 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 自動教示方法及び制御装置
JP7089987B2 (ja) * 2018-08-22 2022-06-23 株式会社日本製鋼所 原子層堆積装置
CN112447548A (zh) * 2019-09-03 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理设备及腔室间传送口结构
JP2022118626A (ja) 2021-02-02 2022-08-15 東京エレクトロン株式会社 処理容器とプラズマ処理装置、及び処理容器の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
JP3113836B2 (ja) * 1997-03-17 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4426343B2 (ja) * 2004-03-08 2010-03-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR100476588B1 (ko) * 2004-10-20 2005-03-17 주식회사 래디언테크 반도체 식각장치의 프로세스 챔버
JP4856978B2 (ja) * 2006-02-21 2012-01-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び処理室の内壁の形成方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157790B1 (ko) * 2009-12-31 2012-06-20 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
KR20180030729A (ko) * 2010-07-21 2018-03-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱 장치와, 전기적 스큐들을 조정하기 위한 라이너 어셈블리
US10242847B2 (en) 2010-07-21 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus and liner assembly for tuning electrical skews
KR101322729B1 (ko) * 2011-01-27 2013-10-29 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마를 이용한 기판처리장치
US10453656B2 (en) 2011-10-05 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
KR20130037197A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
KR20130037195A (ko) * 2011-10-05 2013-04-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
US10535502B2 (en) 2011-10-05 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10546728B2 (en) 2011-10-05 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10580620B2 (en) 2011-10-05 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10615006B2 (en) 2011-10-05 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
KR20210100056A (ko) * 2011-10-05 2021-08-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
US11315760B2 (en) 2011-10-05 2022-04-26 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US20220254606A1 (en) * 2011-10-05 2022-08-11 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
CN113521539A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 汪嵘 一种便携式等离子体伤口治疗仪及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI442500B (zh) 2014-06-21
KR20110011727A (ko) 2011-02-08
CN101452805A (zh) 2009-06-10
JP5329072B2 (ja) 2013-10-30
JP2009140939A (ja) 2009-06-25
TW200939378A (en) 2009-09-16
KR101467618B1 (ko) 2014-12-04
CN101452805B (zh) 2011-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090057921A (ko) 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치
JP5593418B2 (ja) 処理容器およびプラズマ処理装置
KR101119646B1 (ko) 탑재대 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치
JP5227197B2 (ja) フォーカスリング及びプラズマ処理装置
KR101406524B1 (ko) 플라즈마 생성용 전극 및 플라즈마 처리 장치
KR20090021097A (ko) 처리 장치
KR101133880B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN112652514A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TWI720204B (zh) 補強構造體、真空腔室及電漿處理裝置
TWI442502B (zh) Plasma processing containers and plasma processing devices
KR20160084807A (ko) 실드 링 및 기판 탑재대
TWI759470B (zh) 閘閥裝置及基板處理系統
CN113644021B (zh) 基板载置方法和基板载置机构
KR101114654B1 (ko) 플라즈마 처리 용기의 양극 산화 처리 방법
CN110648890B (zh) 等离子体处理装置
JP5377781B2 (ja) 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置
KR20090107942A (ko) 플라즈마 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20111228

Effective date: 20130531