KR20090057450A - 실록산-기재 조성물 및 이의 유도체를 제조하는 방법 - Google Patents

실록산-기재 조성물 및 이의 유도체를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090057450A
KR20090057450A KR1020097008037A KR20097008037A KR20090057450A KR 20090057450 A KR20090057450 A KR 20090057450A KR 1020097008037 A KR1020097008037 A KR 1020097008037A KR 20097008037 A KR20097008037 A KR 20097008037A KR 20090057450 A KR20090057450 A KR 20090057450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
siloxane
obtained according
silicon
based resin
hydrogen
Prior art date
Application number
KR1020097008037A
Other languages
English (en)
Inventor
퀴앙후아 셴
왈터 제이. 주니어 셰어우드
크리스토퍼 케이. 화이트마시
Original Assignee
스타파이어 시스템즈, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스타파이어 시스템즈, 인크. filed Critical 스타파이어 시스템즈, 인크.
Publication of KR20090057450A publication Critical patent/KR20090057450A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/06Preparatory processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/44Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing only polysiloxane sequences
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/14Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 일단계 공가수분해에 의한 새로운 군의 실록산-기재 조성물을 형성하는 방법 및 이로부터 형성된 조성물에 관한 것이다. 이 실록산-기재 조성물은 탄소-탄소 이중(C=C) 결합 및 실리콘-수소(Si-H) 결합으로 기능화(functionalized) 있다. 이 C=C 결합 및 수소(H) 각각은 실록산-기재 조성물의 실리콘-산소 (Si-O) 백본의 실리콘 (Si) 원자에 직접 부착되어 있다. C=C 결합은 페닐 치환체와 같은 방향족 라디칼 또는 비닐로부터일 수 있다. C=C 결합 치환체는 알킬 또는 아릴 작용기를 함유하는 실록산 유체 또는 유기 화합물에 대한 필요성 없이 표준 탈히드로커플링 촉매를 통해 가교를 형성하기 위해 필요한 작용성을 제공한다. 이 방법은 실록산-기재 조성물 또는 수지에 요구되는 실리콘, 탄소, 수소 및 산소 비율을 맞추도록 출발 물질로서 실란의 비율을 바꾸기 위해 제공된다. 이 실록산-기재 조성물은 다른 물질의 제조에 있어서 전구체 또는 대체(replacement) 수지로서 사용될 수 있다.

Description

실록산-기재 조성물 및 이의 유도체를 제조하는 방법{PROCESS FOR PREPARING SILOXANE-BASED COMPOSITIONS AND DERIVATIVE COMPOSITIONS THEREOF}
관련 출원
본 출원은 2006년 9월 18일에 출원된 가특허 출원 제 60/845,353호 및 2007년 1월 24일에 출원된 가출원 제 60/886,444호로서, 본원에 통합되어 있는, 가출원의 이익을 청구한다. 본 발명은 또한 대응 PCT 출원으로서, "Process For Preparing Silicone Oxycarbide Compositions And Derivative Compositions Thereof"의 발명의 명칭을 가지고, 변호사 도켓 번호 STAR-0015PCT로 지정되어 있는, PCT 출원에 관한 것이다.
배경기술
1. 기술 분야
본 문헌은 실록산-기재 조성물에 관한 것이고, 더욱 특별하게는 실록산-기재 조성물을 제조하여 중간 온도(intermediated temperature) 플라스틱-유사 물질(실온 내지 500℃)을 형성하는 방법에 관한 것이며, 경화시 고온 세라믹 및 열분해시 유리를 형성하기 위한 전구체 폴리머로서의 조성물의 용도에 관한 것이다.
2. 관련 기술
당업에서, 실록산-기재 조성물은 예비-세리믹(pre-ceramic) 폴리머 조성물을 제조하기 위해 사용되며, 이 조성물은 세리믹과 유리의 제조에서 전구체 수지로서 사용된다. 대부분 전구체 수지는 두 분류 중 하나로 분류될 수 있다. 분류 1은 주로 실리콘-유사 실록산, 예컨데 메틸실록산을 포함한다. 분류 2는 주로 유기 화합물의 탄소-탄소 이중(C=C) 결합 또는 탄소-탄소 삼중(C≡C) 결합에 커플링되어 있는 실리콘-수소(Si-H) 결합을 가지는 실록산을 포함한다. 이 전구체 수지가 우수한 고온 세라믹 물질을 생산하지만, 이들은 전구체로서 많은 영역에서 단점을 가진다.
예를 들어, 분류 1의 전구체 수지로서 메틸실록산은 열분해되어 요구되는 특성을 가진 수지를 형성하고, 그 후에 이들은 세라믹 또는 유리의 제조에서 사용될 수 있다. 일반적으로 고체인 메틸실록산은 이들이 예비-세라믹 폴리머의 제조에서 사용될 수 있기 전에, 용매를 요구한다. 이는 제조 공정 중 정당한 용매에서 메틸실록산을 용해하는 추가 공정 단계를 제공한다. 추가로, 메틸실록산은 열분해 온도 미만에서 경화되는 경우에 열악한 인열강도(tear strength)을 가지는 낮은 강도, 낮은 탄성계수(modulus) 물질을 만든다.
분류 2 전구체 수지, 예를 들어 화학식 SiCxOy를 가지는 수지는 상대적으로 비싼 출발 물질을 요구한다. C=C 결합, 예를 들어, 디비닐 벤젠, 디시클로펜타디엔 및 부타디엔을 가진 출발 물질은 환경에 위험할 수 있다. 추가로, 이 출발 물질의 사용은 안정적인 저장 기간을 보장하기 위해 주의 깊은 저장을 요구하는, 전구체 수지를 제공하며, 이는 추가 저장 비용을 발생시킨다. 이러한 출발 물질을 사용하는 추가 제한은 임의의 제조 공정에서 잔여물로서 이 출발 물질을 가지는 것이고, 이는 열린 제품 환경에서 이 물질의 사용을 막는다.
추가로, 분류 2 전구체 수지는 이의 조성물이 변경될 수 있는 정도에서 제한된다. 이는 단지 기껏해야 세라믹 형성 폴리머로 이의 용도를 제한하게 된다.
실록산-기재 조성물은 종이를 코팅하기 위해 UV 경화성 수지를 생산하기 위해 사용될 수 있다. 일부 전구체 수지는 최종 세라믹이 탄소-산소(C-O) 결합이 없는, 고온에서 열분해되는 경우에 안정한 유리를 생산하는 방식으로 포뮬레이션(fomulation)될 수 있다.
실록산 올리고머는 와이어 및 케이블 코팅 및 접착제로서, 충전된 또는 충전되지 않은 유기 폴리머에서 커플링제, 접착 증진제 및 접착제로서 사용될 수 있다.
요약
일면에서, 본 발명은 일단계(one step) 공가수분해(co-hydrolysis)에 의해 실록산-기재 조성물의 새로운 군을 형성하기 위한 공정 및 이에 의해 형성된 조성물을 포함한다. 실록산-기재 조성물은 탄소-탄소 이중(C=C) 결합 및 실리콘-수소(Si-H) 결합으로 작용기화된다. C=C 결합 및 수소(H)는 각각 실록산-기재 조성물의 실리콘-산소(Si-O) 백본의 실리콘(Si) 원자에 직접 부착되어 있다. C=C 결합은 비닐 또는 페닐 치환기와 같은 방향족 라디칼로부터의 결합 일 수 있다. C=C 결합 치환체는 알킬 또는 아릴 작용기를 함유하는 유기 화합물 또는 실록산 유체에 대한 필요성 없이 표준 탈히드로커플링(dehydrocoupling) 촉매를 통해 가교를 형성하는데 필요한 작용성을 제공한다. 이 방법은 실록산-기재 조성물 또는 수지에 요구되는 실리콘, 탄소, 수소 및 산소 비율을 맞추도록 출발 단량체로서 실란의 비율을 변경하기 위해 제공된다. 실록산-기재 조성물은 다른 물질의 제조에서 전구체 또는 보충 수지로서 사용될 수 있다.
본 발명의 제 1 측면은 둘 이상의 공단량체의 공중합체를 포함하는 조성물을 가지는 실록산-기재 수지를 제공하며, 여기서 둘 이상의 공단량체의 각각은 실리콘-산소(Si-O) 결합을 포함하고, 둘 이상의 공단량체의 각각은 실리콘-탄소(Si-C) 결합을 포함하며; 둘 이상의 공단량체는 가변적 비례 관계를 공유하고; 둘 이상의 공단량체의 각각은 페닐, 비닐, 메틸 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고; 작용기는 Si-O 결합의 실리콘(Si) 원자에 직접 부착되어 있다.
본 발명의 두 번째 측면은 실록산-기재 조성물를 제조하는 방법을 제공하며: 물-용매 혼합물의 존재에서 일단계 공-가수분해 반응에서 세 가지 타입의 디할로실란을 혼합하고, 상기 용매가 헥산, 테트라히드로푸란(THF), 톨루엔, 자일렌 및 이의 둘 이상의 임의의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 디할로실란의 세 타입의 각각은 Si-O 백본을 그들 사이에 형성하기 위해 실리콘-산소 (Si-O) 결합을 포함하고; 여기서 각 세 타입의 디할로실란은 하나 이상의 실리콘-탄소 (Si-C) 결합을 포함하고; 세 타입의 디할로실란 중 하나는 Si-O 결합 중 Si 원자에 직접 부착되어 있는 비닐을 포함하며; 디할로실란의 세 타입 중 하나는 Si-O 결합의 Si 원자에 직접 부착되어 있는 수소 (H)를 포함하고; 디할로실란의 세 타입 중 하나는 Si-O 결합의 Si 원자에 직접 부착되어 있는 페닐(Ph)을 포함하고; 디할로실란의 세 타입은 가변적 비례 관계, x + y + z = 1, 0 ≤ x 1 , 0 y 1, 0 z 1를 공유하고; 여기서 x는 페닐을 가지는 디할로실란의 타입의 비율을 나타내고; 여기서 y는 비닐을 가진 디할로실란의 타입의 비율을 나타내며; 여기서 z는 수소를 가지는 디할로실란의 타입의 비율을 나타낸다.
본 발명의 제 3 측면은 하이브리드 공중합체를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 하이브리드 공중합체는 실리콘-탄소(Si-C) 백본 폴리카르보실란 폴리머와 가교되어 있는 실리콘-산소(Si-O) 백본 실록산-기재 폴리머를 포함하고, 상기 방법은 실록산-기재 폴리머에 고도로 분지된 폴리카르보실란을 첨가하는 것을 포함하며, 상기 폴리카르보실란은 하나 이상의 실리콘-수소(Si-H) 치환체를 포함하고, 여기서 수소는 폴리카르보실란의 Si-C 백본의 실리콘(Si) 원자에 직접 결합되어 있는 일가 수소이고; 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합(C=C) 치환체를 포함하며, 상기 실록산-기재 폴리머는 조성물을 포함하는데, 상기 조성물은 둘 이상의 공단량체를 포함하고, 여기서 둘 이상의 공단량체 중 하나는 비닐 치환체를 포함하고, 여기서 둘 이상의 공단량체 중 하나는 Si-O 백본의 실리콘(Si) 원자에 직접 결합되어 있는 일가 수소를 포함하고, 여기서 둘 이상의 공단량체 중 하나는 페닐 치환체를 포함하며; 실록산-기재 폴리머의 비닐 치환체를 폴리카르보실란에 Si-H 결합에 일가 수소 원자와 반응하여 중간 혼성 공중합체를 형성하는 것을 포함하며; 실록산-기재 폴리머에 일가 수소와 폴리카르보실란에 C=C 치환체를 반응시키기 위한 중간 혼성 공중합체를 가열함에 의해 중간 혼성 공중합체를 경화하는 것을 포함한다.
상세한 설명
대안적으로 그리고 이후부터는 실록산-기재 수지로 지칭되는, 실록산-기재 폴리머를 형성하는 방법, 일단계 공-가수분해 반응을 사용하는 것을 기재하고 있다. 실록산-기재 수지는 최소의 두 개의 별도의 공단량체 또는 단량체 종을 포함하는 공중합체일 수 있다. 공단량체는 실록산-기재 수지의 실리콘-수소(Si-O) 백본을 형성하기 위해 연결(link-up)된다. Si-O 백본은 예를 들어, 제한됨 없이, 비닐로부터의 탄소-탄소 이중(C=C) 결합, 페닐 또는 둘 모두로부터의 방향족 고리; 및 실리콘-수소(Si-H) 결합으로부터의 일가 수소를 포함하는 작용성 치환체를 포함할 수 있다. 각 작용성 치환체는 각 작용성 치환체는 실록산-기재 수지의 실리콘-산소(Si-O) 백본에 별도의 실리콘(Si) 원자에 직접 부착되어 있다. C=C 결합은 또한 예를 들어 제한 없이 아릴 기의 일부일 수 있다. C=C 결합 및 방향족 고리 치환체는 표준 탈히드로커플링 촉매를 통해 가교를 형성하기 위한 작용성을 제공한다.
단순한 단일 공-가수분해는 예를 들어, 제한됨 없이, 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지를 생산하기 위한 비닐-메틸디클로로실란 및 메틸디클로로실란; 또는 3개의 공단량체 실록산-기재 수지를 생산하기 위한 디페닐디클로로실란, 비닐-메틸디클로로실란 및 메틸디클로로실란인, 쉽게 얻을 수 있는 낮은 비용의 출발 물질 사이에서의 반응일 수 있다. 실록산-기재 수지는 낮은 비용의 상업적으로 입수가능한 벌크 클로로실란 화합물을 사용하여 합성된다. 이 실록산-기재 수지는 낮은 내지 중간 점성 액체이며, 이들은 가연성이 없고, 타지 않거나 160℃ 초과에서 경화 후 연소를 지지하지 않을 것이다. 추가로, 실록산-기재 수지는 낮은 증기압을 가지고 실온에서 거의 냄새가 없다. 본 방법은 제조된 실록산-기재 수지의 조성물, 및 그 결과 반응물의 비율을 간단히 바꿈에 의해, 실록산-기재 수지의 특성에 대한 대조군을 제공한다.
기초 공중합체 단위를 가지는 실록산-기재 수지는 화학식 I에 의해 나타내어질 수 있다:
Figure 112009023699002-PCT00001
상기 식에서, x + y + z = 1, 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1;
R, R'및 R" 동일하거나 상이하며 수소(H), 메틸, 비닐 또는 페닐이고;
n은 실록산-기재 수지에 기초 공중합체 단위의 수를 나타내며;
1 ≤ n ≤ 600이고,
그러나,
Figure 112009023699002-PCT00002
Figure 112009023699002-PCT00003
, 및
Figure 112009023699002-PCT00004
의 단량체 단위가 임의의 순소로 배열될 수 있다. 예를 들어, x-y-x-z-z-y-z-x-z, x-y-y-y-z-y-x-y-y-z-x, y-y-z-z-x-x-y-y, 등이 될 수 있다. 실록산-기재 수지는 고리형 또는 비고리형일 수 있다. 비고리형 실록산-기재 수지는 말단으로서 히드록실 기를 포함한다. 고리형 실록산-기재 수지는 가교 중에 열려 있다. 가변적인, x, y 및 z로 표현되는, 각 세 개의 공단량체의 비율에 대해, 실록산-기재 수지는 2-공단량체 실록산-기재 수지 또는 3-공단량체 실록산-기재 수지를 포함할 수 있다. 실록산-기재 수지는 약 450 내지 약 250,000의 범위의 분자량을 가질 수 있다. 두 개의 공-단량체 및 세 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 여러 구체예는 하기에서 논의된다.
세 개의 공단량체 실록산-기재 수지
하나의 구체예에서, 세 개의 공단량체를 가지는 실록산-기재 수지의 패밀리는 화학식 I에 의해 표현된다:
Figure 112009023699002-PCT00005
여기서, R은 페닐, 메틸, 수소, 또는 비닐, 바람직하게, 페닐 또는 메틸 중 하나를 포함할 수 있다;
R'은 메틸, 비닐, 페닐, 또는 수소, 바람직하게, 비닐 또는 메틸 중 하나를 포함할 수 있다;
R"은 메틸, 페닐, 비닐, 또는 수소, 바람직하게, 수소 또는 메틸 중 하나를 포함할 수 있다; 그리고
x+y+z = 약 1 (또는 약 100%)이다.
x는 약 0.05 내지 약 0.80 (또는 약 5% 내지 약 80%)의 범위일 수 있다;
y는 약 0.05 내지 약 0.50 (또는 약 5% 내지 약 50%)의 범위일 수 있다;
z는 약 0.05 내지 약 0.80 (또는 약 5% 내지 약 80%)의 범위일 수 있다.
예를 들어, x, y 및 z의 각 값은 제한 없이 아래 표에 기재된 값일 수 있다.
Figure 112009023699002-PCT00006
상기 표에서의 각 값에 추가하여, 상기 기재된 범위 내의 x:y:z의 여러 비율 또는 다른 구조/조성물은 또한 세 개의 공단량체 실록산-기재 수지를 위한 본 발명의 일부로 간주된다.
세 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 실리콘-산소(Si-O) 백본을 가진다. 세 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 예를 들어, 제한 없이, 아래 식 1에 도시된 바와 같이, 디페닐디클로로실란, 비닐메틸디클로로실란 및 메틸디클로로실란의 공-가수분해에 의해 제조될 수 있다.
Figure 112009023699002-PCT00007
이 세 개의 공단량체 실록산 기재 수지의 제조의 추가 논의는 본 발명의 합성 실시예 5에서 추후에 논의된다.
두 개의 공단량체 실록산-기재 수지
실록산-기재 수지의 또 다른 구체예에서, 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 페밀리는 화학식 I로부터 유도될 수 있으며, x, y 또는 z 중 하나는 0이다. x=0인 경우에, 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 화학식 II에 의해 표현될 수 있다:
Figure 112009023699002-PCT00008
상기 식에서, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1이다. 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 비닐 디할로 오가노실란 및 디할로 오가노실란의 공가수분해에 의할 수 있다.
y=0인 경우에, 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 화학식 III에 의해 표현될 수 있다:
Figure 112009023699002-PCT00009
상기 식에서, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1이다. 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 페닐 디할로 오가노실란 및 디할로 오가노실란의 공가수분해에 의할 수 있다.
z = 0의 경우에, 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 화학식 IV에 의해 표현될 수 있다:
Figure 112009023699002-PCT00010
상기 식에서, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1이다. 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 페닐 디할로 오가노실란 및 비닐 디할로 오가노실란의 공가수분해에 의할 수 있다.
일 구체예에서, 화학식 II의 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 알킬디할로실란 및 비닐 알킬디할로실란의 공가수분해에 의해 제조될 수 있다.
R' 및 R"이 메틸 기인, 이러한 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 실시예의 제조는 아래 공식 2에 도시되어 있다.
Figure 112009023699002-PCT00011
비닐메틸디클로로실란 및 메틸디클로로실란은 물 및 헥산의 존재에서 혼합된다. 공식 2에 의해 얻어지는 실란-기재 수지는 투명한 액체이고 거의 분별할 수 없는 냄새를 가지며, 약 80cps 내지 약 300cps 범위의 낮은 점도를 가진다. 이 폴리머는 약 1ppm 내지 약 20ppm 범위의 농도에서 플래티늄 착물의 첨가로 24시간 내 약 21℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도에서 경화될 수 있다. 대안적으로 실록산-기재 수지는 약 10ppm 내지 약 50ppm 범위의 농도에서 착물-타입 플래티늄 촉매의 첨가로 약 10분에서 약 155℃에서 경화될 수 있다.
두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 유용한 포뮬레이션은 구별되는 공단량체 사이에 비율 관계(즉, x:y, y:z 또는 x:z의 비율)를 변화시킴에 의해 제조될 수 있다. 상기 공식 2로부터의 예에서, 두 개의 공단량체의 각각은 치환체:비닐 또는 -H 중 하나를 가진다. 폴리머 내 비닐:-H의 상이한 비율은 단단히 경화된(일반적으로 약 500℃) 또는 열분해된 세라믹의 기계적, 열적 및 산화적 안정성에 추가하여 경화 및 열분해 특성을 변경시킨다. 비닐 치환체 또는 -H 치환체를 가지는 각각의 두 개의 별도의 공단량체 사이의 비율 관계는 비율 y:z에 의해 표현될 수 있으며, 이는 약 1:1 내지 약 1:10의 범위일 수 있다. 이 비율 범위 내에서 제조되는 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지는 약 500℃ 내지 약 1200℃ 범위의 온도에서 불활성 가스 하에서 열분해될 수 있다. 아래에서는 화학식 II에 의해 표현되는 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지를 제조하기 위한 출발 공단량체의 비율을 바꿈에 의해 얻어지는 포뮬레이션의 일부 예를 논의한다.
y:z = 1:1인 비닐:-H의 비율에서, 단지 약 160℃의 온도로 경화 후 매우 단단(stiff)하지만 거친(tough) Lexan-유사 플라스틱은 얻어진다. 이 포뮬레이션으로부터 수득된 실록산-기재 수지는 서킷 보드(circuit board)를 위한 라미네이팅(laminating) 수지 및 아라미드 또는 다른 유기 섬유 물질의 사용 때문에 더 낮은 경화 온도를 요구하는 패키징 용도로서 사용될 수 있다. 이러한 F81로서 지정되는, 비율의 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 아래의 합성 실시예 1에서 논의된다.
y:z = 1:4의 비율에서의 Si-H 및 비닐 사이의 비율 관계에 대해, 94% 수율의 예비-세라믹 폴리머는 약 1℃/분에서 약 510℃로 직접 가열되고 약 4시간 동안 방치되는 경우에 얻어진다. 대안적으로, 예비-세리믹 폴리머의 약 85% 초과의 수율은 약 900℃에서 가열되는 경우에 얻어진다. 이 열분해된 세라믹은 가장 강열한 온도, 또한 공기 내 약 800℃에서 실리카 형성 세라믹을 위한 "페스팅 온도(pesting temperature)"로서 알려져 있는 온도가 약 100시간 동안 적용되는 경우에 약 1% 미만의 질량 손실을 보여준다. 이 예비-세라믹은 종래 기술에 기재되어 있는 결정성 실리콘 카바이드 및 또한 블랙 유리에 비교될 수 있다. F82으로 지정되어 있는 이러한 비율의 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 아래의 대응하는 합성 실시예 2에서 논의된다.
y:z = 1:3의 비닐:-H 비율을 사용하여, 예비-세라믹 수지가 수득된다. 이 예비-세라믹 수지는 약 155℃에서 수분 내에 경화되고 추가로 약 510℃에서 경화되어 단단한(stiff) Lexan-유사 "플라스틱"을 95% 초과의 수율로 형성한다. 이 포뮬레이션은 F83로 지정되어 있는, 일부 용도에서 폴리이미드를 대체하기 위한 고온 수지로서 사용될 수 있다. 이러한 비율의 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 아래 합성 실시예 3에서 논의된다.
y:z = 1:2의 비닐:-H 비율을 위해, 매우 단단하지만 거친 Lexan-유사 "플라스틱"은 약 350℃의 단단한 경화 온도로 약 1℃/분에서 가열 후 제조된다. 약 4시간 동안 약 510℃로 Lexan-유사 "플라스틱"의 추가 가열 후에, 97질량% 초과의 수율을 가진 매우 단단하지만 거친 수지는 얻어진다. 이 포뮬레이션은 일부 용도에서 폴리이미드를 대체하기 위해 고온 수지로서 사용될 수 있다. F84로 지정되어 있는 이러한 비율의 두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 제조는 아래 합성 실시예 4에서 논의된다.
상기 포뮬레이션에 추가하여, 비닐:-H의 다른 비율 기는 상이한 특성의 실록산-기재 수지를 제조하기 위해 본 발명의 범위 내에서 포뮬레이션될 수 있다. 예를 들어, 1:2.5 초과(즉, 1:3 및 1:4)의 비닐:-H 비율은 실록산 또는 실리콘과 더욱 유사한 특성을 가진 수지/물질을 제조한다. 이 수지/물질은 낮은 경화 온도에서 더 낮은 강도를 보여주지만 약 500℃ 이상의 온도에서 진행되는 경우에 매우 단단한, 산화 저항성 유리/세라믹을 생산한다. 이 폴리머는 실험식 SiCxOy를 가지는 현재 알려진 더욱 비싼 블랙-유리-타입 폴리머를 대체하기 위해 사용될 수 있다.
1:2.5 미만(즉, 1:2 및 1:1)의 비닐:-H 비율로부터 얻어지는 수지/물질은 일반적으로 플라스틱-유사 또는 유기-유사 특성을 보여준다. 약 160℃ 내지 500℃의 범위의 온도에서의 경화는 높은 단단함, 높은 거침 및 중간 내지 높은 강도를 가진 수지/물질을 생산한다. 이 물질은 매우 비싼 고운 유기 수지 예컨데 PMR-15, 폴리아미드/이미드 예를 들어 Torlon®, 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 물질을 위한 잠재적 대체물이다.
높은 비닐 함량 수지/물질(즉, 비닐:-H이 1:3 미만)은 기능적으로 가교 첨가제 예컨데 디비닐 벤젠 및 4-비닐-1 시클로헥산을 함유하는 유기 비닐을 대체하는 것으로 증명되어오고 있다. 이 수지/물질은 완전히 비가연성/비연소성, 또는 비닐 에스테르와 같은 유기 물질과는 같지 않은 가연성을 가지기 때문에, 이들은 다른 현재의 사용되는 가연 저항성 유기 물질을 뛰어 넘는 이점이 있다.
두 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 합성 실시예
합성 실시예 1 - 1:1의 비율을 가진 공단량체(F81)
600g의 물을 자기 교반기 및 추가 깔데기가 구비된 삼목 둥근 바닥 플라스크에 채웠다. 약 120g의 메틸디클로로실란, 약 141g의 비닐메틸디클로로실란, 및 약 120g의 헥산을 추가 깔데기에서 혼합하였다. 이 실란 혼합물을 천천히 교반된 물에 첨가하였다. 물 용액은 클로로실란의 가수분해 때문에 산성이 되었다. 물의 온도는 실란의 첨가와 함께 점차 증가하였다. 실란을 한 시간 내에 첨가하였다. 그 결과 반응 혼합물을 약 2시간 동안 교반하였다. 그 다음에 유기상을 분리하였고, 물로 세척하였고, 소듐 설페이트(Na2SO4) 위에서 건조하였다. 용매 헥산을 증류에 의해 제거하였다. 약 139g의 오일 생성물을 수득하였다. 젤 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC) 분석은 결과 폴리머가 분자량(Mw)이 약 72684 및 분자수(Mn)가 약 24469인 바이모달(bi-modal) 분배 패턴을 보이는 것을 보여주었다.
합성 실시예 2 - 1:4 비율을 가지는 공단량체(F82)
약 600g의 물을 자기 교반기 및 추가 깔데기가 구비된 삼목 둥근 바닥 플라스크에 채웠다. 약 230g의 메틸디클로로실란, 약 70.5g의 비닐메틸디클로로실란, 약 40g의 테트라히드로푸란(THF), 및 약 120g의 헥산을 추가 깔데기에서 혼합하였다. 이 실란 혼합물을 천천히 교반된 물에 첨가하였다. 물 용액은 클로로실란의 가수분해 때문에 산성이 되었다. 물의 온도는 실란의 첨가와 함께 점차 증가하였다. 실란을 한 시간 내에 첨가하였다. 그 결과 반응 혼합물을 약 2시간 동안 교반하였다. 그 다음에 유기상을 분리하였고, 물로 세척하였고, 소듐 설페이트(Na2SO4) 위에서 건조하였다. 용매 헥산을 증류에 의해 제거하였다. 약 141g의 오일 생성물을 수득하였다. 젤 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC) 분석은 결과 폴리머가 분자수(Mn)가 약 18670인 바이모달(bi-modal) 분배 패턴을 보이는 것을 보여주었다.
합성 실시예 3 - 1:3의 비율을 가진 공단량체(F83)
약 600g의 물을 자기 교반기 및 추가 깔데기가 구비된 삼목 둥근 바닥 플라스크에 채웠다. 약 207g의 메틸디클로로실란, 약 84.6g의 비닐메틸디클로로실란, 약 30g의 테트라히드로푸란(THF), 및 약 120g의 헥산을 추가 깔데기에서 혼합하였다. 이 실란 혼합물을 천천히 교반된 물에 첨가하였다. 물 용액은 클로로실란의 가수분해 때문에 산성이 되었다. 물의 온도는 실란의 첨가와 함께 점차 증가하였다. 실란을 한 시간 내에 첨가하였다. 그 결과 반응 혼합물을 약 2시간 동안 교반하였다. 그 다음에 유기상을 분리하였고, 물로 세척하였고, 소듐 설페이트(Na2SO4) 위에서 건조하였다. 용매 헥산을 증류에 의해 제거하였다. 약 128g의 오일 생성물을 수득하였다. 젤 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC) 분석은 결과 폴리머가 분자수(Mn)가 약 24670인 바이모달(bi-modal) 분배 패턴을 보이는 것을 보여주었다.
합성 실시예 4 - 1:2 의 비율을 가진 공단량체(F84)
약 600g의 물을 자기 교반기 및 추가 깔데기가 구비된 삼목 둥근 바닥 플라스크에 채웠다. 약 230g의 메틸디클로로실란, 약 141g의 비닐메틸디클로로실란, 약 30g의 테트라히드로푸란(THF), 및 약 140g의 헥산을 추가 깔데기에서 혼합하였다. 이 실란 혼합물을 천천히 교반된 물에 첨가하였다. 물 용액은 클로로실란의 가수분해 때문에 산성이 되었다. 물의 온도는 실란의 첨가와 함께 점차 증가하였다. 실란을 한 시간 내에 첨가하였다. 그 결과 반응 혼합물을 약 2시간 동안 교반하였다. 그 다음에 유기상을 분리하였고, 물로 세척하였고, 소듐 설페이트(Na2SO4) 위에서 건조하였다. 용매 헥산을 증류에 의해 제거하였다. 약 151g의 오일 생성물을 수득하였다. 젤 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC) 분석은 결과 폴리머가 분자량(Mw)이 약 65532이고 분자수(Mn)가 약 24469인 바이모달(bi-modal) 분배 패턴을 보이는 것을 보여주었다.
세 개의 공단량체 실록산-기재 수지의 합성 실시예
합성 실시예 5 - 디페닐비닐메틸 폴리실록산의 합성 과정
약 50g의 테트라히드로푸란 및 약 400g의 물의 혼합물을 자기 교반기 및 추가 깔데기가 구비된 삼목 둥근 바닥 플라스크에 채웠다. 약 126g의 디페닐디클로로실란, 약 38g의 메틸디클로로실란, 약 47g의 비닐메틸디클로로실란, 및 약 100g의 톨루엔을 추가 깔데기에서 혼합하였다. 이 실란 혼합물을 천천히 교반된 물에 첨가하였다. 물 용액은 클로로실란의 가수분해 때문에 산성이 되었다. 물의 온도는 실란의 첨가와 함께 점차 증가하였다. 실란을 한 시간 내에 첨가하였다. 그 결과 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 그 다음에 유기상을 분리하였고, 물로 세척하였고, 소듐 설페이트(Na2SO4) 위에서 건조하였다. 용매 헥산을 증류에 의해 제거하였다. 약 139g의 점착성(viscous) 액체를 수득하였다. 젤 투과 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC) 분석은 결과 폴리머가 분자량(Mw)이 약 1590이고 분자수(Mn)가 약 820임을 보이는 것을 보여주었다.
두 개 및 세 개 공단량체 실록산-기재 수지의 예
적용 실시예 1 - 높은 단단함(stiffness) 패키징 및 서킷 보드 물질
톨루엔 내 약 0.5 g의 플래티늄 촉매 착물 용액을 합성 실시예 4의 약 150g의 수지에 첨가하였고, 이 용액을 약 10분 동안 교반하였다. 촉매화된 수지를 적용하였고 12.5 x 12.5 인치 크기의 Style 2113 E-유리 천(cloth)의 8개의 시트 위에 분배되었다. 이 시트를 쌓아 8개 층의 플레이트를 만들었다. 이 플레이트를 폴리테트라플루오로에틸렌 코팅된 종이 시트인, 테플론®(테플론은 미국 및/또는 다른 나라에서, E. I. Du Pont De Nemours and Company Corp의 상표이다) 위에 두었고, 또 다른 시트를 마지막 층의 천 위에 적용하였다. 이 어셈블리를 약 160℃로 설정되어 있는 가열된 압반(platen) 프레스 세트에 두었고, 약 1℃/분에서 약 250℃로 약 1시간 동안 가열하였다. 냉각되자마자, 이 플레이트를 프레스로부터 제거하였고, 종이를 제거하여 약 0.5mm 두께의 유리/복합물(composite) 플레이트를 남겼다. 그 다음에 이 플레이트를 불활성 가스 화로 오븐에 두었다. 이 오븐을 약 1℃/분에서 약 350℃로 가열하였고, 약 0.5시간 동안 유지하였다. 냉각하자마자, 이 플레이트를 동일 수지로 진공 하에서 재침윤(reinfiltrate)시켰고, 약 350℃로 오븐에서 다시 가열하였다. 약 3의 유전 상수 및 0.002 또는 그 미만의 유전손실인자(dielectric loss factor)를 가진 조밀하고, 가벼운 무게의 유리/수지 플레이트를 얻었다.
발연된(Fumed) 실리카 또는 1마이크론미만의(submicron) 실리카 파우더는 단단함을 증가시키고 열적 팽창 계수를 감소시키며 재침윤 및 열분해의 필요성을 잠재적으로 제거하기 위해, 상기 예의 수지에 첨가될 수 있다.
적용 실시예 2-미리-형성된 마찰 물질 또는 브레이크(brake) 패드 물질을 위한 마찰 변경 수지
통상적 높은 성능의 디스크 브레이크 패드를 구조를 안정화시키기 위해 약 800℃ 내지 약 850℃의 온도로 가열하였다. 냉각하자마자, 이 패드를 약 ½시간 동안 진공 하에서 수지 내 패드를 담금(immersing)에 의해 헥산과 같은 비극성 용매에서 합성 실시예 3에 기재되어 있는 수지의 약 80%의 용액으로 침윤하였다. 그 다음에 이 패드를 불활성 가스 화로에 부었고, 약 1℃/분에서 약 750℃ 내지 약 850℃로, 요구되는 경도(hardness)에 의존하여 가열하였다. 미리-침윤된 질량에 비해 패드의 질량 수득률이, 요구되는 성능에 의존하여 약 2% 내지 약 5%의 백분율에 이를 때까지 이 과정을 반복하였다. 그 다음에 처리된 이 브레이크 패드는 과도한 소음 또는 로터(rotor) 마모를 만듬없이 세라믹 및 세라믹 복합(composite) 로터로 사용될 수 있다.
합성 실시예 2에 기재되어 있는 수지는 또한 더 단단한 패드 물질이 더 단단한 세라믹 로터에 대항한 패드 마모를 줄이도록 요구된다면, 사용될 수 있다.
대안적으로, 합성 실시예 2 또는 3에 기재되어 있는 수지는 패드를 형성하기 전에 브레이크 패드 포뮬레이션에 직접 혼합될 수 있고 통상의 공정을 사용하여 브레이크 패드로 압착될 수 있다.
적용 실시예 3 - 세라믹 및 복합물 기판을 위한 낮은 K, 낮은 손실, 표면 매끄러운 코팅(Smoothing Coating)
합성 실시예 5에 기재되어 있는 약 95g의 중간 수지를 합성 실시예 1에 기재되어 있는 5g의 폴리머와 혼합하였고 약 10분 동안 자기 교반기를 사용하여 교반하였다. 디쿠밀 퍼옥시드((Dicumyl peroxide)를 전체 수지 질량 또는 약 100g의 1.5%의 농도에서 첨가하였다. 촉매화된 수지를 약 10분 동안 추가로 교반하였다. 그 다음에 이 수지를 착색하거나 전자 보드(electronic board) 또는 다른 기판으로서 사용을 위한, 세라믹(알루미나) 매트릭스 또는 복합물(유리/세라믹 또는 탄소/세라믹) 보드 위에서 스핀 코팅하였다. 이 보드를 약 300℃의 온도에 도달될 때까지 약 ½℃/분의 속도로 온도가 약 21℃ 로부터 증가되면서 질소의 존재에서 천천히 코팅하였다. 대안적으로, 이 보드를 천천히 공기에서 약 150℃의 온도에서 코팅하였고 약 1시간 동안 유지하였다. 이 코팅된 보드를 그 다음에 약 1℃/분에서 약 300℃ 내지 약 350℃로 질소에서 가열하였고 약 ½시간 내지 약 1시간 동안 유지하여 경화되도록 하였다. 이 기판은 필요하다면 또는 거울 마무리(mirror finish)를 달성하도록 간단히 광택화하려면, 재코팅될 수 있다.
강화제/충전제 예를 들어 (마이크론/1마이크론 미만 범위의 미세함을 가진) 세라믹 파우더 또는 유리 섬유 종이는 필요하다면 더 두꺼운 코팅물을 형성함을 보조하는데 사용될 수 있다. 수지 고체 농도의 증가는 더 두꺼운 코팅을 또한 제공할 것이다.
적용 실시예 4 - 낮은 비용, 열적 안정성 고온 세라믹 매트릭스 복합물
톨루엔 내 약 5g의 0.1% 플래티늄 착물 촉매를 합성 실시예 2로부터 얻어지는 약 1000g의 폴리머를 함유하는 플라스크에 첨가하였고 약 15분 동안 자기 교반기를 가지고 혼합하였다. 그 다음에 약 0.5㎛ 내지 약 4㎛ 크기 범위를 가지는 약 1300g의 실리콘 카르바이드 파우더와 촉매화된 폴리머를 10리터 볼 밀(ball mill)에 지르코니아 밀링 매체로 채웠고 약 4시간 동안 밀링(milling)하여 수지와 파우더를 혼합하였다. 약 4시간 후, 약 5g의 디쿠밀 퍼옥시드 촉매를 슬러리에 첨가하였고 또 다른 시간 동안 밀링하여 촉매에서 혼합하였다. 혼합되자마자, 이 슬러리를 롤러를 사용하여 13인치×13인치 크기의 9겹(pile)의 탄소 섬유 파이버 위에서 코팅하여 완전히 이를 포화시켰다. 각 겹이 코팅된 후에, 이전 겹에 쌓여지고 이 싸여진 것을 롤링하여 우수한 내부-겹 접착을 보장하도록 하였다. 모든 9개의 층이 코팅되고 싸여지자, 라미네이트를 균일한 두께를 보장하도록 플레이트의 4코너에서 0.220인치 스페이서를 가진 흑연 플레이트 위에 두었고, 제 2 흑연 플레이트를 더미의 상부에 두었다. 플레이트/더미를 그 다음에 불활성 가스 뜨거운 프레스 위에 두었다. 그 더미를 약 100psi로 로딩하였고 약 1℃/분에서 약 850℃ 내지 약 900℃로 가열하였고, 약 1시간 동안 유지하였다. 냉각 후, 플레이트를 상기 촉매화된 합성 실시예 2 플래티늄으로부터의 수지로 진공 침윤하였다. 이 플레이트를 그 다음에 불활성 가스 화로에 두었고 약 1℃/분에서 약 850℃ 내지 약 1150℃로 요구되는 경도에 따라 가열하였다. 사전에 침윤된 질량에 비해 플레이트 질량 수득율이 요구되는 성능에 따라 약 2% 내지 약 5%가 될 때까지, 이 공정을 약 4회 내지 약 6회 반복하였다. 이 플레이트를 자동차를 위한 복합 브레이크 로터와 같은 이의 요구되는 형태로 규격화할 수 있다.
수지의 경도 및 내마모성을 증가시키기 위한 대안적 공정은 재침윤 및 열분해 순환 중 하나 이상 중 Si-C 형성 예비-세라믹 폴리머를 첨가함에 의해 사용될 수 있다.
액체 수지의 밀도는 페닐 함량에 의존하여 약 1.02 내지 약 1.3g/cc의 범위이다.
순수한(neat) 수지의 점도는 조성물에 의존하여 약 50cps 내지 약 10,000cps의 범위일 수 있다. 수지는 플래티늄 착물, 예를 들어, 제한됨 없이 전형적 "제로-스테이트(zero-state)" 플래티늄 촉매; 또는 과산화물 촉매, 예를 들어 제한됨 없이 디쿠밀 퍼옥시드로 경화된다.
세 개의 단량체 실록산-기재 수지의 고도로 분지된 폴리카르보실란과의 가교
본 발명의 추가 구체예는 고도로 분지된 카르보실란폴리머를 두 개 또는 세 개의 공단량체 실록산 기재 수지에 첨가하여 개선된 접착력, 단단함, 및 거침을 물질에 제공하는 방법을 제공한다. 이 고도로 분지된 카르보실란폴리머는 알릴기, 페닐기, 아세틸기, 프로파르길 기 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 이러한 카르보실란의 사용은 이중 단계의 경화 메커니즘을 가능하게 한다, 우선적으로 비닐 기를 수소(H)와 "B-단계" 수지로 반응시키고(즉 중간 수지를 형성), 다음에 더 높은 온도에서 수소를 가진 아릴기를 경화시켜 낮은 경화 온도에서 매우 단단한, 거친 "플라스틱"을 만든다.
실리콘-산소(Si-O) 백본을 가진 [세 개의 공단량체] 실록산-기재 수지에 대한, 대안적으로 폴리카르보실란으로 지칭되는 실리콘-탄소(Si-C) 백본 폴리머의 일반적 비율은 약 1:20 내지 약 20:1의 범위이다. 관심있는 특성은 이 비율 범위를 통해 증명된다. 합성 실시예 5로부터의 세 개의 공단량체 실록산 기재 수지에 비닐 기는 카르보실란에 실리콘 결합된 수소 원자와 반응하여 초기 "점착성" 단계를 약 40℃ 내지 약 150℃의 온도에서 형성하며, 한편 카르보실란에 아릴기는 실리콘-산소(Si-O) 폴리머에 있는 남아있는 수소와 반응하여 단단한 "플라스틱"과 같은 고체를 만드는 약 250℃ 만큼 낮은 온도에서 가교를 만든다.
Si-O 백본 수지로 페닐, 아릴, 아세틸 및/또는 프로파르길을 포함하는, 고도로 분지된 폴리카르보실란의 첨가는 가교된 혼성 공중합체 시스템/물질을 제공한다. 혼성 공중합체 시스템/물질은 상이한 온도에서 경화되는 경우에 일정 범위의 거침 및 고온 강도를 제공할 수 있다. 이 온도 범위는 일정 기간에 걸쳐, 예를 들어 제한 없이 약 4시간에 걸쳐, 제한됨 없이 약 180℃ 내지 약 500℃를 포함할 수 있다. 고도로 분지된 폴리카르보실란의 사용은 또한 혼성 공중합체 시스템/물질을 위한 실제 유리 전이 온도(Tg)를 제공할 수 있다. 화학식 I에 의해 표현되는 예를 들어, 제한 없이 3-공단량체 실록산-기재 수지를 포함하는 비닐 가교를 가지는 Si-O 백본을 가진 실록산-기재 폴리머 조성물은 실제로 순수한 열경화성 수지이다.
고도로 분지된 폴리카르보실란의 예는 아래에 제공된다.
Figure 112009023699002-PCT00012
여기서: ~는 분지된 사슬을 나타내고;
"n" 옆의 계수는 필요에 따라 변할 수 있다.
더구나, 전형적 폴리카르보실란은 예를 들어 제한 없이,
Figure 112009023699002-PCT00013
여기서, ~는 분지된 사슬을 나타내고;
"n" 옆의 계수는 필요에 따라 변할 수 있으며, 이 폴리카르보실란은 약 250℃ 내지 약 350℃의 범위의 낮은 온도에서 단단함 및 거침을 개선하고, 제한 없이 알루미늄 및 구리와 같은 금속에 접착력을 조절하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 상업적으로 입수가능한 폴리카르보실란, 예를 들어, 제한 없이 대표적 식이 [SiH2CH2]0.9n[SiH(CH2CH=CH2)CH2]0.1n인 SMP-10 및 대표적 식이 [SiH2CH2]0.25n[SiH(CH2CH=CH2)CH2]0.75n인 SMP-75 (둘 모두는 STARFIRE 시스템으로부터) 및 상업적으로 입수 가능한 폴리실라잔 예컨데 KiON® HTT 1800 (KiON Corporation, Huntingdon Valley, PA))은 또한 동일 목적/결과를 얻기 위해 사용될 수 있다.
두 개의 공단량체 및 세 개의 공단량체 실록산 기재 수지를 제조하는 방법은 요구되는 강도, 거침도 또는 가요성을 가진 폴리머 네트워크를 만들기 위한 가교 속도 및 양의 조절을 제공한다. 이는 하기의 양을 조절함에 의해 상기 실시예에서 예시된 시스템을 통해 달성될 수 있다:
- 페닐로서, 이는 경도 및 거침도를 제공하고, 너무 많은 것은 너무 낮은 Tg를 제공하게 되고, 순수한 수지의 점도를 너무 높게 올리게 되는, 페닐
- 수소로서, 너무 많은 것은 가열되는 때 수축되고 최소 강도를 가지는 연성 수지를 제공하며, 너무 적은 것은 매우 높은 경화 온도를 제공하는, 수소
- 비닐기로서, 너무 많은 것은 연성 수지를 제공하고, 너무 많은 것은 단단하고 깨지기 쉬운 수지를 제공하는 비닐기. 높은 비닐 함량은 또한 과도한 열을 가교 중에 만든다.
- 아릴기로서, 이는 단단함 및 부차적인 경도(hardening) 메커니즘을 비닐 경화 메커니즘에 추가하여 제공하며, 너무 많은 아릴은 너무 높은 단단함 및 깨지기 쉬움을 제공할 것인, 아릴기.
상기 시스템은 플래티늄(Pt) 또는 퍼옥시드 촉매, 예를 들어 제한 없이, 디쿠밀 퍼옥시드를 사용하여 경화될 수 있다. 상기 시스템에 따라 제조된, 일부 폴리머는 약 500℃ 초과의 온도에서 약 94% 내지 약 97.5%를 수율을 제공한다. 현재 알려진 시스템에 의해 필적할 수 있는 온도에서 약 90% 미만의 세라믹 수율에 비교하여, 이러한 폴리머는 매우 높은 세라믹 수율을 가진다. 이는 주로, 종래 기술에 비교하여 본 발명의 여러 측면 또는 여러 방법에 의해 제조된 제품에서 C=C 결합의 최소 양 때문이다.
세 개의 단량체 성분 수지와 가교된 카르보실란 폴리머를 함유하는 아릴 또는 아릴/페닐의 적용 실시예
적용 실시예 5 - 고온 가능한, 거친, 투명한 혼성 무기/유기 플라스틱 유사 물질
합성 실시예 5로부터 수득되는 약 87g의 폴리머를 자기 교반기를 사용하여 200ml 플라스크에서 약 13g의 073 분지된 폴리가르보실란과 혼합하였다. 이 혼합물을 약 1g의 디쿠밀 퍼옥시드를 첨가하고 추가 약 10분 동안 교반하기 전에 약 10분 동안 교반하였다. 제조되자마자, 약 45g의 폴리머를 13mm 깊이 100mm x 100mm PTFE 트레이(tray)에 부었다. PTFE 트레이를 오븐에 두었고 약 0.5℃/분의 온도 증가에서 약 200℃의 온도로 가열하였고, 약 1시간 동안 유지하였다. 가교된 폴리머 및 팬(pan)을 그 다음에 불활성 화로에 두었고 약 21℃로부터 약 1℃/분의 온도 증가에서 약 250℃의 온도로 가열하였고 약 4시간 동안 유지하였다. 이 온도 증가를 또한 모든 후속 단계를 위해 사용하였다. 트레이로부터의 고체화된 수지를 제거하였고 약 400℃로 가열하였고 약 2시간 동안 유지하였고 최종적으로 약 500℃로 가열하였고 약 1시간 동안 유지하였다. 백분율 질량 수율은 약 78% 내지 약 84%이었다. 결과로 얻은 고체의 크랙되지 않은(uncracked) 디스크는 오랜지/브라운 색이었고, 투명이고, 합리적인 거침을 가진 높은 경도를 가지며, 약 1.15 내지 약 1.20g/cc의 밀도를 가졌다.
적용 실시예 6 - 예비-프레그(Pre-Preg) 또는 라미네이트 시트의 제조
20g의 0.2% 플래티늄을 합성 실시예 5로부터의 1000g의 수지에 첨가하였고, 촉매화된 수지를 15분 동안 교반하였다. 400g의 1마이크론미만의 실리카 파우더 및 150g의 자일렌을 밀링 매체(milling media)를 함유하는 4리터의 밀링 자르(jar)에 첨가하였다. 촉매화된 수지를 그 다음에 자르에 첨가하였고, 전체 혼합물을 1시간 동안 볼 밀링(ball milling) 하였다. 그 결과 얻은 페이트-유사 유체를 12" x 4" 트레이에 부었다. 10"×10" Style 2116 E-유리의 6개의 시트를 그 다음에 딥핑(dipping)하였고 완전히 유체로 코팅하였다. 그 다음에 이 시트를 오븐에 매달았고 3-5분 동안 약 160℃ 내지 약 170℃의 온도 범위에서 B-스테이지(B-staged)하였다. 그 결과 코팅된 유리 시트는 다소 "점착성"이 있었다. 6개의 코팅된 그리고 B-스테이지된 시트를 그 다음에 사용하여 PTFE 코팅된 스틸 시트 위에 이 시트를 놓고 약 150℃에서 설정된 압반(platen) 프레스에서 프레싱하고 약 2℃/분 내지 약 5℃/분의 온도 증가에서 약 20psi 내지 약 50psi의 압력 하에서 약 280℃의 온도로 가열하고, 약 1시간 동안 유지함에 의해 라미네이트를 만들었다. 불활성 가스에서 약 300℃ 내지 약 350℃의 더 높은 온도 범위로 가열함은 더욱 단단하지만 여전히 강하고 거친 라미네이트를 제공할 것이다.
적용 실시예 7 - 라미네이트의 구리 클래딩(Copper Cladding)
합성 실시예 5로부터의 약 25g의 폴리머를 폴리머/자일렌 용액을 형성하기 위해 40ml 비알(vial)에서 약 5g의 자일레과 혼합하였다. 두 층의 라미네이트를 단지 불활성 가스에서 약 170℃로 가열하는 것을 제외하고, 적용 실시예 6에서의 방법에 따라 얻었다. 라미네이트가 실론으로 냉각되자마자, 폴리머/자일렌 용액의 얇은 층을 라미네이트의 한 면에 페이트하였고 약 100℃에서 공기 건조하도록 하였고, 라미네이트의 반대 면을 동일 방식으로 코팅하였고 동일 방식으로 건조하였다. ½온스 구리 포일의 두 조각, 각각은 한면에 처리되었고, 이 조각은 라미네이트의 크기로 절단되었다. 포일의 한 조각을 처리된 면이 위로 가도록 단단하고, 평평한 표면에 두었다. 코팅된 라미네이트를 포일 시트 위에 주름 또는 버블이 형성되지 않도록, 주위 깊게 두었다. 포일의 두 번째 조각을 그 다음에 처리된 면을 아래로 라미네이트 위에 두어서 구리-라미네이트-구리 "클래드 라미네이트(clad laminate)"를 만들었다.
롤러를 사용하여 버블이 그 사이에 형성되지 않도록 하였고 라미네이트와 포일 시트의 접촉이 완전하게 이루어 지도록 하였다. 이 어셈블리를 그 다음에 압반 프레스에 두었고, 약 50psi의 압력을 약 1℃/분의 속도에서 약 275℃로 가열하였고 약 2시간 동안 유지하였다. 이 유지 후, 라미네이트를 약 5℃/분 미만의 냉각 속도에서 실온으로 천천히 냉각하였다. 그 결과는 약 0.006인치 두께의 구리 클래드 라미네이트였고, 우수한 단단함 및 훌륭한 전기 특성을 가졌다.
본 발명의 여러 측면의 상기 기재는 예시 및 기재의 목적을 위해 제공되었다. 기재된 특정 형태로 본 발명을 제한하거나 다른 것을 배타하는 것으로 의도되지 않고, 명백하게 많은 변경 등은 가능하다. 당업자에 명백할 수 있는 이러한 변경 등은 첨부된 청구 범위에 의해 정의되는 본 발명의 범위 내로 의도된다.

Claims (42)

  1. 둘 이상의 공단량체의 공중합체를 포함하는 조성물을 가지는 실록산-기재 수지로서,
    상기 둘 이상의 공단량체의 각각이 실리콘-산소(Si-O) 결합을 포함하고;
    상기 둘 이상의 공단량체의 각각이 실리콘-탄소(Si-C) 결합을 포함하고;
    상기 둘 이상의 공단량체가 가변적 비례 관계를 공유하며;
    상기 둘 이상의 공단량체의 각각이 페닐, 비닐, 메틸 및 수소로 구성되는 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고;
    여기서, 상기 작용기가 Si-O 결합의 실리콘(Si) 원자에 직접 부착되어 있는, 실록산-기재 수지.
  2. 제 1 항에 있어서, 화학식 I를 가짐을 특징으로 하는 실록산-기재 수지:
    Figure 112009023699002-PCT00014
    여기서, 상기 가변적 비례 관계가
    x + y + z = 1,
    0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1에 의해 나타내어지며;
    여기서, n은 실록산-기재 수지에 기초 공중합체 단위의 수를 가리키고,
    1 ≤ n ≤ 600이며;
    여기서 각 R, R' 및 R"은 독립적으로 수소(H), 메틸, 비닐 및 페닐로 구성되는 기로부터 선택되는 작용기이다.
  3. 제 2 항에 있어서, x는 약 0.05 내지 약 0.80의 범위이며; y는 약 0.05 내지 약 0.50의 범위이고, z는 약 0.05 내지 약 0.80의 범위임을 특징으로 하는 실록산-기재 수지.
  4. 제 3 항에 있어서, R이 페닐 및 메틸로 구성되는 군으로부터 선택되며; R'은 비닐 및 메틸로 구성되는 군으로부터 선택되고; R"는 수소 및 메틸로 구성되는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 실록산-기재 수지.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 실록산 기재 수지가 x 및 y 단량체, y 및 z 단량체, 또는 x 및 z 단량체를 포함함을 특징으로 하는 실록산-기재 수지.
  6. 제 5 항에 있어서, y:z가 약 1:1 내지 약 1:10인 비례 관계를 y 및 z가 가짐을 특징으로 하는 실록산-기재 수지.
  7. 물-용매 혼합물의 존재에서 일단계 공-가수분해 반응에서 세 타입의 디할로 실란을 혼합하는 단계로서, 상기 용매가 헥산, 테트라히드로푸란(THF), 톨루엔, 자일렌 및 이들 중 둘 또는 그 초과의 임의의 조합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 단계를 포함하는 실록산-기재 조성물을 제조하는 방법으로서,
    여기서, 각 세 타입의 디할로실란이 이들 사이에 Si-O 백본을 형성하기 위해 실리콘-산소(Si-O) 결합을 포함하고;
    여기서, 각 세 타입의 디할로실란이 하나 이상의 실리콘-탄소(Si-C) 결합을 포함하며;
    여기서, 세 타입의 디할로실란 중 하나가 Si-O 결합 중 Si 원자에 직접 부착되어 있는 비닐을 포함하고;
    여기서, 세 타입의 디할로실란 중 하나가 Si-O 결합 중 Si 원자에 직접 부착되어 있는 수소(H)를 포함하며;
    여기서, 세 타입의 디할로실란 중 하나가 Si-O 결합 중 Si 원자에 직접 부착되어 있는 페닐(Ph)을 포함하고;
    여기서, 세 타입의 디할로실란이 하기 가변 비례 관계를 공유하며,
    x + y + z = 1,
    0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1;
    여기서, x는 페닐을 가진 디할로실란의 타입의 비율을 나타내고;
    y는 비닐을 가진 디할로실란의 타입의 비율을 나타내며;
    z는 수소를 가진 디할로실란의 타입의 비율을 나타내는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, x는 0이고; y 및 z가 약 1:1 내지 약 1:10의 범위의 y:z의 비율 비례 관계로 표현됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 약 500℃ 내지 약 1200℃의 온도 범위에서 불활성 가스 하에서 열분해하는 것을 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9 항의 방법에 따라 수득되는 조성물.
  11. 제 7 항에 있어서, 약 1ppm 내지 약 20ppm 범위의 농도의 플래티늄 착물, 약 0.1% 내지 약 1% 범위의 농도의 과산화물 및 이들의 조합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 촉매와 약 21℃ 내지 약 300℃의 온도에서 조성물을 경화하는 것을 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 과산화물이 디쿠밀 과산화물(dicumyl peroxide)임을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 7 항에 있어서, 페닐을 가진 디할로실란이 디클로로디페닐실란임을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13 항의 방법에 따라 수득되는 조성물.
  15. 혼성 공중합체를 제조하는 방법으로서, 상기 혼성 공중합체가 실리콘-탄소(Si-C) 백본 폴리카르보실란 폴리머와 가교되어 있는 실리콘-산소(Si-O) 백본 실록산-기재 폴리머를 포함하며, 상기 방법이:
    고도로 분지된 폴리카르보실란을 실록산-기재 폴리머를 첨가하는 단계로서,
    상기 폴리카르보실란이:
    하나 이상의 실리콘-수소(Si-H) 치환체(여기서, 수소는 폴리카르보실란의 Si-C 백본의 실리콘(Si) 원자에 직접적으로 결합되어 있는 일가 수소이다); 및
    하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합(C=C) 치환체를 포함하고;
    상기 실록산-기재 폴리머가 둘 이상의 공단량체를 포함하는 조성물을 가지며;
    여기서, 둘 이상의 공단량체 중 하나가 비닐 치환체를 포함하고;
    여기서, 둘 이상의 공단량체 중 하나가 Si-O 백본 중 실리콘 (Si) 원자에 직접 결합되어 있는 일가 수소를 포함하며;
    여기서, 둘 이상의 공단량체 중 하나가 페닐 치환체를 포함하는, 단계;
    실록산-기재 폴리머의 비닐 치환체를 폴리카로보실란 내의 Si-H 결합에 있는 일가 수소 원자와 반응하여 중간 혼성 공중합체를 형성하는 단계; 및
    상기 실록산-기재 폴리머에서의 일가 수소와 폴리카르보실란에 C=C 치환체와 반응시키기 위해 상기 중간 혼성 공중합체를 가열함에 의해 상기 중간 혼성 공중합체를 경화하는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 고도로 분지된 폴리카르보실란의 상기 하나 이상의 C=C 치환체가 알릴, 아세틸, 프로파르길, 페닐 또는 이의 조합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 혼성 공중합체의 상기 Si-O 백본 실록산-기재 폴리머 및 실리콘-탄소 Si-C 백본 폴리카르보실란이 약 1:20 내지 약 20:1 범위의 비율의 비례 관계를 가짐을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 반응이 약 40℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 경화가 약 180℃ 내지 250℃에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19 항의 방법에 따라 수득되는 혼성 공중합체.
  21. 제 15 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 조성물.
  22. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지로부터 유도되는 수지를 포함하는 조성물.
  23. 조성물을 제조하는 방법으로서, 상기 방법이 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는, 방법.
  24. 조성물을 제조하는 방법으로서, 상기 방법이 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지로부터 조성물을 유도하는 것을 포함하는 방법.
  25. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 습윤 레이업 라미네이팅(wet lay-up laminating) 수지.
  26. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 "B-스테이징(B-staging)" 수지.
  27. 전자 패키징, 서킷 보드 및 히트 싱크로서 사용을 위한 물질의 제조를 위한 방법으로서, 상기 방법이 출발 물질, 중간 물질 및 이의 조합물로 구성되는 군으로부터의 하나에 제 7 항에 따른 방법으로부터 수득되는 조성물을 첨가하는 것을 포 함하는 방법.
  28. 유리, 유기, 세라믹 또는 금속 충전제를 가진 폴리머를 제조하는 방법으로서, 상기 방법이 출발 물질, 중간 물질 및 이의 조합물로 구성되는 군으로부터의 하나에 제 7 항에 따른 방법으로부터 수득되는 조성물을 첨가하는 것을 포함하는 방법.
  29. 기판 표면 코팅, 유전 코팅, 봉지제(encapsulant), 및 밀봉제의 제조를 위한 방법으로서, 상기 방법이 출발 물질, 중간 물질 및 이의 조합물로 구성되는 군으로부터의 하나에 제 7 항에 따른 방법으로부터 수득되는 조성물을 첨가하는 것을 포함하는 방법.
  30. 제 5 항에서의 임의의 섬유/패브릭(fabric)으로부터의 복합물을 만들기 위한 매트릭스 물질.
  31. 매트릭스를 섬유에 결합하는 것을 조절하고, 섬유를 보호하며 섬유의 열 저항성을 개선하는 섬유 코팅으로서, 상기 섬유 코팅이 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 조성물을 포함하는 섬유 코팅.
  32. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 패브릭 상의 코팅물.
  33. 내마모성 물질을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방법이 중간 온도 수지를 탄소, 세라믹, 유리 섬유 및 파우더 충전제로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나로 강화시키는 것으로 포함하며; 여기서 상기 중간 온도 수지가 제 7 항에 따라 수득되는 방법.
  34. 코팅물을 위한 포뮬레이션(formulation)으로서, 상기 포뮬레이션이 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하고, 여기서 상기 코팅물이 단단한면(hardface) 코팅, 마모 코팅(wear coating), 밀봉 코팅, 부식 저항성 보호 코팅 및 유전 코팅으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나로서 사용됨을 특징으로 하는 포뮬레이션.
  35. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 현존하는 유기 수지에 대한 난연 첨가제(flame retardant additive).
  36. 유리, 유기 섬유, 무기 섬유, 종이 및 천(cloth)에 침착을 위한 코팅물로서, 상기 코팅물이 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지로부터 형성되는 매트릭스를 포함하며, 여기서 상기 매트릭스가 내열성 또는 난연성인 코팅물.
  37. 현존하는 유기 수지에 임의의 브롬화된(brominated) 화합물을 대체하고 이의 열 및 연소 저항 특성을 개선하기 위한 첨가제로서, 상기 첨가제가 제 7 항의 방법에 따라 수득된 실록산-기재 수지를 포함하는 첨가제.
  38. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 내열 패널.
  39. 제 7 항의 방법에 따라 수득되는 실록산-기재 수지를 포함하는 유전 용도를 위한 낮은 유전 상수 물질.
  40. 라미네이트, 무기 복합물, 세라믹 복합물 및 구조 물질로 구성되는 군 중 하나를 포함하는 서킷 보드에서 전도체를 결합하기 위한 유리, 금속 및 세라믹에 코팅된 폴리머 물질로서, 상기 폴리머 물질이 제 1 항의 실록산-기재 수지 또는 이의 유도체를 포함하는, 폴리머 물질.
  41. 가교 첨가제, 성질 변경 첨가제(property modification additive) 및 유기 및 무기 유체, 수지 및 폴리머 내 작용제에서 크로스 비닐 타입 유기 물질을 대체하기 위한 첨가제로서, 상기 첨가제가 제 7 항의 방법에 따라 수득된 실록산-기재 수지를 포함하는 첨가제.
  42. 제 7 항의 방법에 따라 수득된 실록산-기재 수지를 포함하는 고온 수지를 대 체하기 위한 포뮬레이션.
KR1020097008037A 2006-09-18 2007-09-18 실록산-기재 조성물 및 이의 유도체를 제조하는 방법 KR20090057450A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84535306P 2006-09-18 2006-09-18
US60/845,353 2006-09-18
US88644407P 2007-01-24 2007-01-24
US60/886,444 2007-01-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090057450A true KR20090057450A (ko) 2009-06-05

Family

ID=39133691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097008037A KR20090057450A (ko) 2006-09-18 2007-09-18 실록산-기재 조성물 및 이의 유도체를 제조하는 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8742008B2 (ko)
EP (1) EP2074161A2 (ko)
JP (1) JP2010503763A (ko)
KR (1) KR20090057450A (ko)
WO (2) WO2008036657A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9574108B2 (en) 2013-08-08 2017-02-21 Cheil Industries, Inc. Composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006030003A1 (de) * 2006-05-11 2007-11-15 Wacker Chemie Ag Siliconharzbeschichtung für elektronische Bauteile
WO2009055371A2 (en) * 2007-10-25 2009-04-30 Borgwarner Inc. Friction material coated with particles and saturated with elastic resin
US8349460B2 (en) 2008-10-16 2013-01-08 World Properties, Inc. Organosilicon copolymer composites, method of manufacture, and articles formed therefrom
KR20100071650A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 가스차단성박막, 이를 포함하는 전자소자 및 이의 제조방법
JP2012526178A (ja) * 2009-05-06 2012-10-25 ダウ コーニング コーポレーション ビニル水素ポリシロキサン接着剤組成物
WO2010141432A1 (en) 2009-06-02 2010-12-09 Rogers Corporation Thermally conductive circuit subassemblies, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
JP5463586B2 (ja) * 2009-12-21 2014-04-09 利昌工業株式会社 プリプレグ、積層板、及び金属箔張り積層板
CN102417363B (zh) * 2011-08-02 2013-05-01 中国科学院化学研究所 一种微纳米多孔复合材料及其制备方法
CN102417365B (zh) * 2011-08-02 2013-06-26 中国科学院化学研究所 一种微纳米多孔陶瓷复合材料及其制备方法
CN102417364B (zh) * 2011-08-02 2013-07-17 中国科学院化学研究所 一种微纳米多孔材料及其制备方法
DE102012015571B4 (de) * 2011-08-12 2017-01-26 Gelest Technologies, Inc. Dual funktionelle lineare Siloxane, durch stufenweise ansteigendes Polymerisationswachstum entstehende Polymere, und Verfahren zum Herstellen dieser Polymere
DE102012202521A1 (de) 2012-02-20 2013-08-22 Evonik Goldschmidt Gmbh Verzweigte Polysiloxane und deren Verwendung
US10000663B1 (en) 2012-05-28 2018-06-19 L-M-J Nation Security Llc Protective flowable or spreadable composition, articles of manufacture, an apparatus for manufacture and a process for manufacture thereof
US11091370B2 (en) 2013-05-02 2021-08-17 Pallidus, Inc. Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices
US9657409B2 (en) 2013-05-02 2017-05-23 Melior Innovations, Inc. High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications
US11014819B2 (en) 2013-05-02 2021-05-25 Pallidus, Inc. Methods of providing high purity SiOC and SiC materials
US10322936B2 (en) 2013-05-02 2019-06-18 Pallidus, Inc. High purity polysilocarb materials, applications and processes
US9919972B2 (en) 2013-05-02 2018-03-20 Melior Innovations, Inc. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices
CN103352396B (zh) * 2013-06-09 2015-10-28 华东理工大学 一种通过有机/无机复合包覆改性制备石膏晶须的方法
CN104232015B (zh) * 2014-09-16 2016-08-24 上海应用技术学院 一种大功率型白光led用的单包装有机硅橡胶封装胶及制备方法
US10472976B2 (en) * 2015-06-05 2019-11-12 Rolls-Royce Corporation Machinable CMC insert
US10465534B2 (en) 2015-06-05 2019-11-05 Rolls-Royce North American Technologies, Inc. Machinable CMC insert
US10458653B2 (en) * 2015-06-05 2019-10-29 Rolls-Royce Corporation Machinable CMC insert
JP7427860B2 (ja) 2017-03-29 2024-02-06 パリデュス インク SiC体積形状物およびブール(BOULE)の形成方法
CN108676166B (zh) * 2018-07-04 2021-02-19 西北工业大学 用于增材制造技术制造陶瓷产品的光敏陶瓷前驱体制备方法
GB2589800B (en) 2018-10-02 2022-10-26 Rogers Corp Printed circuit board substrate comprising a coated boron nitride
US11078334B1 (en) 2018-11-07 2021-08-03 United States of Americas as represented by the Secretary of the Air Force Ceramic nanostructures and process for making same
US11499015B1 (en) 2019-01-15 2022-11-15 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Macromolecular networks and process for making same
CN110483783B (zh) * 2019-08-16 2021-08-31 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种苯基乙烯基硅树脂制备方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2870120A (en) * 1956-05-31 1959-01-20 Yusem Milton Production of vinyl siloxane potting compounds
US3146218A (en) * 1960-07-25 1964-08-25 Dow Corning Siloxane copolymers containing ethylene links
NL133317C (ko) * 1966-06-24 1900-01-01
US3706775A (en) * 1970-12-17 1972-12-19 Wacker Chemie Gmbh Method of preparing high molecular weight linear organopolysiloxanes
US4172101A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Sws Silicones Corporation Modified organopolysiloxane compositions
US4358556A (en) * 1980-12-08 1982-11-09 General Electric Company High impact, high modulus fiber reinforced aromatic carbonate polymers
JPS5818606A (ja) * 1981-07-27 1983-02-03 Toshiba Silicone Co Ltd オプテイカルフアイバ−芯線の被覆材
US4426480A (en) * 1982-03-26 1984-01-17 Union Carbide Corporation Organo siloxanes, method for the preparation thereof and polymeric compositions containing same
JPH0692524B2 (ja) * 1985-02-22 1994-11-16 信越化学工業株式会社 摩擦材料用結合剤
US4929573A (en) 1988-09-26 1990-05-29 Dow Corning Corporation Highly densified bodies from organopolysiloxanes filled with silicon carbide powders
US4888376A (en) 1988-09-26 1989-12-19 Dow Corning Corporation Curable organopolysiloxanes filled with silicon carbide powders and highly densified sintered bodies therefrom
WO1990010035A1 (en) * 1989-03-01 1990-09-07 Raychem Corporation Method of curing organopolysiloxane compositions and compositions and articles therefrom
JP3499032B2 (ja) * 1995-02-02 2004-02-23 ダウ コーニング アジア株式会社 放射線硬化性組成物、その硬化方法及びパターン形成方法
US5635240A (en) * 1995-06-19 1997-06-03 Dow Corning Corporation Electronic coating materials using mixed polymers
US5753751A (en) 1996-10-24 1998-05-19 General Electric Company Process for preparing self-curable alkenyl hydride siloxane copolymers and coating composition
GB9724125D0 (en) * 1997-11-15 1998-01-14 Dow Corning Curable compositions
JP3604007B2 (ja) 2000-03-29 2004-12-22 富士通株式会社 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置の製造方法
DE10141599B4 (de) * 2000-08-31 2004-08-05 Arteva Technologies S.A.R.L. Permanente, antimikrobielle Beschichtung für Kunststoffasern und entsprechendes Beschichtungsverfahren
US20020086598A1 (en) * 2000-09-18 2002-07-04 Vedagiri Velpari Fabrics comprising resin compatible yarn with defined shape factor
US6384172B1 (en) * 2001-01-02 2002-05-07 Michigan Molecular Institute Hyperbranched polycarbosilanes, polycarbosiloxanes, polycarbosilazenes and copolymers thereof
JP4360595B2 (ja) 2002-10-18 2009-11-11 ペルノックス株式会社 光電変換装置
US6822066B2 (en) * 2002-11-18 2004-11-23 Dow Corning Corporation Organosiloxane resin-polyene materials
DE10359705A1 (de) 2003-12-18 2005-07-14 Wacker-Chemie Gmbh Additionsvernetzende Siliconharzzusammensetzungen
JP5138158B2 (ja) * 2005-05-23 2013-02-06 信越化学工業株式会社 Led発光装置用シリコーンレンズ成形材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9574108B2 (en) 2013-08-08 2017-02-21 Cheil Industries, Inc. Composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Also Published As

Publication number Publication date
EP2074161A2 (en) 2009-07-01
WO2008036662A3 (en) 2009-05-22
US8742008B2 (en) 2014-06-03
JP2010503763A (ja) 2010-02-04
WO2008036657A1 (en) 2008-03-27
US20090275695A1 (en) 2009-11-05
WO2008036662A2 (en) 2008-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8742008B2 (en) Process for preparing siloxane-based compositions and derivative compositions thereof
US4952658A (en) Process for preparing organopolysilanes
KR101502312B1 (ko) 실리콘 조성물, 실리콘 접착제, 피복된 기판 및 적층 기판
US5614603A (en) Thermosetting silicone resins
US7425351B2 (en) Silicone resins
KR101176581B1 (ko) 광가교성 실리콘 혼합물로부터 실리콘 코팅 및 실리콘 몰딩을 제조하는 방법
EP0850998B1 (en) Method for making rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom
EP1065248B1 (en) Silsesquioxane resin of high strength and fracture toughness and method for the preparation thereof
US6403750B1 (en) Apparatus and process for making ceramic composites from photo-curable pre-ceramic polymers
EP0423688B1 (en) Organosilicon materials
CA2035964A1 (en) Solventless silicon release coating
US5348917A (en) Ceramics formed by pyrolysis of either linear or thermosetting carborane (siloxane or silane) acetylene based precursor polymers
CA2178840A1 (en) Silicone composite materials having high temperature resistance
JP2001507084A (ja) 複合物
EP0423689A2 (en) Organosilicon materials
US8455561B2 (en) Method for the production of foams on silicone basis
US5166287A (en) Process for the preparation of organopolysilanes
JP2008520803A (ja) オルガノハイドロジェンポリシロキサン樹脂及びシリコーン組成物
EP1058707A1 (en) Silyl and siloxyl substituted carborane compositions with unsaturated organic end groups
US4556526A (en) Process for production of sintered ceramic body
US5629249A (en) Silicon carboxide fibers from gel spinning cyclosiloxane polymer precursors
EP0994158B1 (en) Process for forming fired film using an organopolysiloxane composition
KR20140097272A (ko) 고 유리 전이 온도 수지 제형
JP2004514005A (ja) ポリ(エチニレンフェニレンエチニレン)ポリシロキセン(シリレン)およびその調製方法
JP2597474B2 (ja) ブラックガラスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application