KR20090032832A - 방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지 - Google Patents

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Abstract

방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지가 개시된다. 표면에 회로패턴이 형성되는 절연층과, 절연층에 적층되는 솔더 레지스트를 포함하되, 솔더 레지스트에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판은, 반도체 칩에서 발생하는 열을 기판 또는 패키지의 여러 방향에서 확산되도록 하여 방열성능을 향상시킬 수 있다.
탄소나노튜브, carbon nano tube, 방열, 솔더 레지스트, 절연층, 몰딩재, 언더필

Description

방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지{Heat radiating printed circuit board and semiconductor chip package}
본 발명은 방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.
최근 인쇄회로기판에 요구되는 사항은 전자산업 시장에서의 고속화, 고밀도화와 밀접하게 연관되어 있으며, 이 사항들을 만족시키기 위해서는 인쇄회로기판의 미세 회로화, 우수한 전기적 특성, 고신뢰성, 고속 신호 전달구조, 고기능화 등 많은 문제점들을 해결해야 한다.
특히. 고속화, 고전력 소비와 동시에 고밀도, 소형화되는 휴대폰, 서버, 네트워크 등의 세트에서 제품의 신뢰성향상과 오작동을 방지하기 위해 효율적인 방열은 매우 중요한 이슈가 되고 있다. 반도체 칩의 높은 발열온도는 세트의 오작동, 멈춤 등 오류의 중요한 원인이 된다.
이러한 반도체 칩의 온도를 낮추기 위해 지금까지 제품에 적용되는 기술은 고열에 발생하는 반도체 칩 위에 방열판(heat sink)를 설치하거나, 냉각팬(cooling fan)을 구동시켜 칩에서 발생하는 고열을 강제 배기하는 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 칩 패키지의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 인쇄회로기판(102) 상에 반도체 칩(104)을 솔더 범프(106) 등에 의해 실장하고 반도체 칩(104)과 인쇄회로기판(102) 사이에 언더필을 주입하여 반도체 칩(104)과 인쇄회로기판(102)의 접합을 강화한다. 반도체 칩(104)이 인쇄회로기판(102)에 실장되면 반도체 칩(104)을 인캡슐레이팅(encapsulating)하는 몰딩재(108)를 도포한다. 한편, 이러한 반도체 칩(104) 패키지를 주기판(main board)에 실장하기 위해 솔더 볼(110)을 결합하고 플립 칩 등의 방식으로 주기판에 반도체 칩(104)을 실장하게 된다.
종래 기술에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서 반도체 칩으로부터 발생한 열의 이동 경로를 살펴 보면, 반도체 칩 패키지가 장착된 전자제품의 작동에 의해 반도체 칩에서 열이 발생하고 이러한 열은 솔더 범프 및 기판의 회로를 통해 주기판에 연결되는 솔더 볼로 이동하게 된다. 이러한 열의 경로는 반도체 칩 및 기판에서 발생하는 고온의 열을 효율적으로 방출하지 못한다. 따라서, 종래에는 반도체 칩과 인쇄회로기판의 조인트 부분에 인쇄회로기판을 관통하는 방열용 비아(thermal via)를 형성하여 열의 경로를 단축하거나, 인쇄회로기판의 내부에 메탈 코어(metal core)를 삽입하여 열을 인쇄회로기판의 측면으로 방열하는 방식을 사용하였다.
그러나, 인쇄회로기판의 절연기재는 열전도성이 매우 낮아 열의 이동에 큰 저항으로 작용하여 효율적으로 방열(放熱)이 이루어질 수 없다는 문제점이 있다.
또한, 효과적인 방열을 위해서 인쇄회로기판의 모든 방향에서 열의 방출이 필요한데, 인쇄회로기판의 최외층에 도포되는 솔더 레지스트 또한 열전도성이 낮아 기판 내에서 발생하는 열을 효율적으로 방출할 수 없게 한다는 문제점이 있다.
또한, 반도체 칩을 인캡슐레이팅하는 몰딩재의 열전도성이 낮아 반도체 칩에서 발생하는 열이 인쇄회로기판을 통해서만 방출되어 열의 방출이 효율적이지 못하다는 문제점이 있다.
본 발명은 반도체 칩에서 발생하는 열을 기판 및 패키지의 여러 방향에서 확산되도록 하여 방열성능을 향상시키는 방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 표면에 회로패턴이 형성되는 절연층과, 절연층에 적층되는 솔더 레지스트를 포함하되, 솔더 레지스트에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판이 제공된다.
절연층은 복수 개로 적층될 수 있으며, 솔더 레지스트는 복수의 절연층의 최외층에 적층될 수 있다.
솔더레지스트에는, 솔더 레지스트의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
절연층에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침될 수 있다. 이 경우 절 연층에는, 절연층의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 칩과, 반도체 칩이 실장되며, 표면에 회로패턴이 형성되는 절연층과, 절연층에 적층되는 솔더 레지스트를 더 포함하되, 솔더 레지스트에는 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지가 제공된다.
절연층은 복수 개로 적층될 수 있으며, 솔더 레지스트는 복수의 절연층의 최외층에 적층될 수 있다.
솔더레지스트에는, 솔더 레지스트의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
절연층에는, 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침될 수 있다. 이 경우 절연층에는, 절연층의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
반도체 칩과 절연층 사이에는 언더필이 더 개재될 수 있으며, 언더필에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침될 수 있다. 이 경우 언더필에는, 언더필의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
한편, 본 발명의 반도체 칩 패키지에는 반도체 칩을 인캡슐레이팅(encapsulating)하는 몰딩재를 더 포함하되, 몰딩재에는 탄소나노튜브가 함침될 수 있다. 이 경우 몰딩재에는, 몰딩재의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침될 수 있다.
반도체 칩에서 발생하는 열을 기판 또는 패키지의 여러 방향에서 확산되도록 하여 방열성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 인쇄회로기판을 구성하는 절연기재, 솔더 레지스트 등의 열팽창률의 차이로 인해 기판의 제조 공정 및 사용상 발생하는 휨(warpage)을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것 으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 방열 인쇄회로기판 및 반도체 칩 패키지의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 방열 인쇄회로기판의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 절연층(12), 회로패턴(14), 솔더 레지스트(16)가 도시되어 있다.
본 실시예는 표면에 회로패턴(14)이 형성되는 절연층(12)과, 절연층(12)에 적층되는 솔더 레지스트(16)를 포함하되, 솔더 레지스트(16)에 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 함침시켜, 반도체 칩에서 발생하는 열을 기판의 여러 방향에서 확산되도록 하여 방열성능을 향상시킬 수 있다.
반도체 칩 패키지에 있어서, 전자제품의 작동에 의해 반도체 칩에서 발생한 열은 전도성의 솔더 범프 및 회로패턴(14)을 통해 기판으로 이동된다. 이렇게 기판에 도달한 열은 기판의 넓은 면적을 통해 외부환경으로 방출되게 된다.
한편, 인쇄회로기판의 절연층(12)의 최외층에는 기판의 회로패턴(14)을 외부환경으로부터 보호하고, 전자부품의 실장 시 접속이 일어나는 방지하는 솔더 레지스트(16)가 도포되어 있다. 이러한 솔더 레지스트(16)는 열전도율이 0.23W/mK로 매우 낮고, 전기 저항이 4E12Ωcm로 매우 높은 에폭시 계열의 폴리머 소재이다. 따라서 반도체 칩으로부터 전달되는 고온의 열이 기판을 통해서 용이하게 방출되지 못하게 하는 가장 큰 열 전달의 장애가 되는 재료이다.
따라서, 본 실시예에서는 솔더 레지스트(16)에 탄소원자의 체인으로 이루어진 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 함침시켜 기판 내의 열을 여러 방향으로 방출될 수 있도록 한다. 탄소나토튜브는 탄소 6개로 이루어진 육각형모양이 서로 연결되어 관 모양을 이루는 튜브형태의 신소재로서, 열전도율이 3,000 내지 6,000W/mK로서, 열전도성이 우수한 구리와 알루미늄의 열전도율이 각각 350, 210W/mK임을 감안하면 매우 큰 열전도율을 가지고 있다. 특히, 탄소나노튜브는 체인의 구조에 따라 열이 전달되는 방향성을 가지고 있기 때문에 패키지와 같이 좁은 영역에서 발생하는 열의 방출이 매우 유리하다.
인쇄회로기판에 있어 열 전달의 가장 큰 장애가 되는 솔더 레지스트(16)에 대해, 솔더 레지스트(16)의 절연성이 유지되도록 전기저항이 크게 변화되지 않는 범위에서 탄소나노튜브의 함유량을 최소화하여 인쇄회로기판의 열 확산 성능을 개선시킬 수 있다.
탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)의 제조는 솔더 레지스트(16)의 전 기저항을 크게 변화되지 않도록 솔더 레지스트(16)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침시키되 초음파 처리(ultrasonication), ball milling, high speed shearing, 화학적 개질법 등의 방법으로 솔더 레지스트(16) 내에서 탄소나노튜브가 균일하게 분산되도록 한다.
탄소나노튜브가 함침되지 않은 일반적인 솔더 레지스트(16)가 도포된 기판 상에 반도체 칩 15개를 실장하고 열의 확산을 해석한 결과, 반도체 칩 주변의 최대 온도가 섭씨 113.6도이고, 주변 솔더 레지스트(16)의 온도는 섭씨 20.2도이었다. 이는 반도체 칩에서 발생한 고온의 열이 솔더 레지스트(16)의 낮은 열전도율에 의해 주변으로 확산되지 않았음을 알 수 있다.
반면, 솔더 레지스트(16)의 중량에 대해 0.2 중량%로 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)가 도포된 기판 상에 상기와 동일하게 반도체 칩 15개를 실장하여 열의 확산을 해석한 결과, 반도체 칩의 주변의 온도가 섭씨 39.2도이고 주변의 솔더 레지스트(16)의 온도는 섭씨 30.1도로써 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)로 열이 급속히 확산됨을 알 수 있었다. 이와 같이, 전기저항의 변화가 거의 없는 소량의 탄소나노튜브의 함침만으로 우수한 방열효과를 얻을 수 있다.
절연층(12)은 복수 개로 적층될 수 있으며, 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)는 복수의 절연층(12)의 최외층에 적층될 수 있다. 즉, 다층인쇄회로기판의 최외층에 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)를 적층하여 기판의 방열특성을 개선할 수 있다.
한편, 기판의 방열특성을 보다 더 개선하기 위해 솔더 레지스트(16)뿐만 아 니라 절연층(12)에 탄소나노튜브를 함침하는 것도 가능하다. 이 경우 탄소나노튜브는 절연층(12)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%로 절연층(12)에 함침시킬 수 있다. 탄소나노튜브를 이용하여 절연층(12)의 방열특성을 개선하기 위해서는 탄소나노튜브의 분산도가 중요하므로 상술한 방법에 따라 탄소나노튜브를 절연층(12)에 분산시키도록 한다.
절연층(12) 또는 솔더 레지스트(16)에 탄소나노튜브를 함침하면 기판의 방열특성이 개선되므로, 제조공정 또는 사용상 기판의 휨(warpage)를 개선할 수 있다. 즉, 기판이 박판화될수록 휨이 증가되므로 이를 개선하기 위해 종래에는 코어의 강성도를 향상시키는 방향으로 개발이 진행되었으나, 본 발명의 사상에 따라 솔더 레지스트(16)나 절연층(12)에 소량의 탄소나노튜브를 함침하게 되면 홀 가공성의 저하없이 휨을 크게 감소시킬 수 있다. 이는 휨을 줄이기 위해 코어를 사용하지 않아도 휨을 제어할 수 있으므로 최근 이슈가 되는 코어리스(coreless) 구조에도 적용이 가능한 것이다.
또한, 솔더 레지스트(16) 또는 절연층(12)에 소량의 탄소나노튜브를 함침시키므로써 열팽창계수의 변화가 거의 없는 상태에서 열전도율이 크게 증가하므로 짧은 시간에 고온이 열이 확산되면서 솔더 레지스트(16) 또는 절연층(12)의 경화시간을 단축시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 칩 패키지의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 절연층(12), 회로패턴(14), 솔더 레지스트(16), 언더필(18), 몰딩재(20)가 도시되어 있다.
반도체 칩 패키지는 인쇄회로기판 상에 반도체 칩을 솔더 범프 등을 매개로 실장하고 반도체 칩과 인쇄회로기판 사이에 접착필름(attach film)이나, 언더필(18)을 주입하여 반도체 칩과 인쇄회로기판의 접합을 강화하게 된다. 반도체 칩이 인쇄회로기판에 실장되면 반도체 칩을 인캡슐레이팅(encapsulating)하는 몰딩재(20)가 도포된다. 한편, 이러한 반도체 칩 패키지를 주기판(main board)에 실장하기 위해 솔더 볼을 결합하고 플립 칩 등의 방식으로 주기판에 반도체 칩을 실장하게 된다.
반도체 칩 패키지에 있어서 반도체 칩으로부터 발생하는 열의 이동 경로를 살펴 보면, 반도체 칩에서 발생한 열은 솔더 범프와 기판의 회로패턴(14)를 통해 주기판에 연결되는 솔더 볼로 이동하게 된다. 이와 같이 열의 이동 경로가 매우 제한되어 고온의 열이 반도체 칩이나 기판에 발생하여 오작동이나, 작동의 멈춤 등의 불량이 발생하게 된다.
본 실시예는 반도체 칩과, 반도체 칩이 실장되며, 표면에 회로패턴(14)이 형성되는 절연층(12)과, 절연층(12)에 적층되는 솔더 레지스트(16)를 더 포함하되, 솔더 레지스트(16)에 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 함침시켜, 반도체 칩에서 발생하는 열을 기판의 여러 방향에서 확산되도록 하여 방열성능을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 반도체 칩 패키지에 있어 열 전달의 큰 장애가 되는 솔더 레지스트(16)에 대해, 솔더 레지스트(16)의 전기저항을 크게 변화시키는 않는 범위에서 탄소나노튜브의 함유량을 최소화하여 인쇄회로기판의 열 확산 성능을 개선시 키는 것이다.
탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)의 제조는 솔더 레지스트(16)의 전기저항을 크게 변화되지 않도록 솔더 레지스트(16)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침시키되 초음파 처리(ultrasonication), ball milling, high speed shearing, 화학적 개질법 등의 방법으로 솔더 레지스트(16) 내에서 탄소나노튜브가 균일하게 분산되도록 한다.
절연층(12)은 복수 개로 적층될 수 있으며, 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)는 복수의 절연층(12)의 최외층에 적층될 수 있다. 즉, 다층인쇄회로기판의 최외층에 탄소나노튜브가 함침된 솔더 레지스트(16)를 적층하여 기판의 방열특성을 개선할 수 있다.
기판의 방열특성을 보다 더 개선하기 위해 솔더 레지스트(16)뿐만 아니라 절연층(12)에 탄소나노튜브를 함침하는 것도 가능하다. 이 경우 탄소나노튜브는 절연층(12)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%로 절연층(12)에 함침시킬 수 있다. 탄소나노튜브를 이용하여 절연층(12)의 방열특성을 개선하기 위해서는 탄소나노튜브의 분산도가 중요하므로 상술한 방법에 따라 탄소나노튜브를 절연층(12)에 분산시키도록 한다.
한편, 반도체 칩과 절연층(12) 사이에는 언더필(18)이 더 개재되며, 언더필(18)에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침될 수 있다. 반도체 칩과 기판과의 접합의 신뢰성을 확보하기 위해 액상의 언더필(18)을 주입하거나, 필름형태의 언더필(18)을 이용하여 반도체 칩과 기판을 접합을 강화한다. 이 경우 액상의 언더 필(18)이나 필름형태에 언더필(18)에 탄소나노튜브를 배합하여 반도체 칩으로부터 발생한 열이 용이하게 기판에 전달되도록 한다. 이 경우 탄소나노튜브는 언더필(18)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%로 언더필(18)에 함침시킬 수 있다. 탄소나노튜브를 이용하여 언더필(18)의 방열특성을 개선하기 위해서는 탄소나노튜브의 분산도가 중요하므로 상술한 방법에 따라 탄소나노튜브를 언더필(18)에 분산시키도록 한다.
또 다른 한편으로, 반도체 칩을 기판에 실장한 후 반도체 칩을 인캡슐레이팅(encapsulating)하는 몰딩재(20)를 도포할 수 있는데, 이러한 몰딩재(20)에도 탄소나노튜브를 함침시켜 반도체 칩 패키지의 방열특성을 개선할 수 있다. 이 경우 또한 탄소나노튜브는 몰딩재(20)의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%로 몰딩재(20)에 함침시킬 수 있다. 탄소나노튜브를 이용하여 몰딩재(20)의 방열특성을 개선하기 위해서는 탄소나노튜브의 분산도가 중요하므로 상술한 방법에 따라 탄소나노튜브를 몰딩재(20)에 분산시키도록 한다.
통상 반도체 칩에서 발생한 열은 기판에 전달되고 기판을 통해 외부환경으로 방출되는데 탄소나노튜브를 몰딩재(20)에 함침시킴으로써 기판뿐만 아니라 몰딩재(20)를 통해서도 열이 방출되므로 반도체 칩에서 발생한 고온의 열을 여러 방면으로 외부환경에 방출시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 반도체 칩에서 발생하는 열 전달에 장애가 되는 솔더 레지스트(16), 절연층(12), 언더필(18) 또는 몰딩재(20)에 탄소나노튜브를 함침시켜 반도체 칩 패키지에서 발생하는 열을 여러 방면으로 방출시켜 패키지의 방열특성을 개선할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 칩 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 방열 인쇄회로기판의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 칩 패키지의 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
12 : 절연층 14 : 회로패턴
16 : 솔더 레지스트 18 : 언더필
20 : 몰딩재

Claims (14)

  1. 표면에 회로패턴이 형성되는 절연층과;
    상기 절연층에 적층되는 솔더 레지스트를 포함하되,
    상기 솔더 레지스트에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 복수 개로 적층되며, 상기 솔더 레지스트는 상기 복수의 절연층의 최외층에 적층되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 솔더레지스트에는, 상기 솔더 레지스트의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연층에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 절연층에는, 상기 절연층의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 방열 인쇄회로기판.
  6. 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩이 실장되며, 표면에 회로패턴이 형성되는 절연층과;
    상기 절연층에 적층되는 솔더 레지스트를 더 포함하되,
    상기 솔더 레지스트에는 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 절연층은 복수 개로 적층되며, 상기 솔더 레지스트는 상기 복수의 절연층의 최외층에 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 솔더레지스트에는, 상기 솔더 레지스트의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 절연층에는, 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연층에는, 상기 절연층의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 칩과 상기 절연층 사이에는 언더필이 더 개재되며,
    상기 언더필에는 탄소나노튜브(carbon nano tube)가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 언더필에는, 상기 언더필의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 칩을 인캡슐레이팅(encapsulating)하는 몰딩재를 더 포함하되,
    상기 몰딩재에는 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 몰딩재에는, 상기 몰딩재의 중량에 대해 0.1 내지 1 중량%의 탄소나노튜브가 함침되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
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