KR20080114555A - 가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법 - Google Patents

가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법 Download PDF

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도시미쓰 미야타
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겐지 다나카
준이치 니시하라
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
데이또꾸샤 가부시키가이샤
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Abstract

[과제]
처리되는 기판의 면내 편차를 더욱 저감시키는 것.
[해결 수단]
가열 공간을 둘러싸는 벽체와, 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와, 발열체로부터의 열선을 반사하는 복수의 반사체를 갖는다. 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 복수의 반사체를 가동시키는 가동부를 갖는다. 적어도 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 가동부가 동작할 때에 반사체의 움직임을 지축으로 하여 규제하는 복수의 지축체를 구비한다.
Figure P1020080059568
가열 장치, 기판처리장치

Description

가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법{HEATING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES}
본 발명은, 반도체제조 기술, 특히, 피처리 기판을 처리실에 수용해서 발열체에 의해 가열한 상태로 처리를 실시하는 열처리 기술에 관한 것으로서, 가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법에 관한다.
도 1에 종래의 가열장치를 사용한 처리로(500)의 개략 단면도를 나타낸다. 가열장치는, 대략 원통형상으로 상단이 덮힌 금속제의 케이징(501)과, 이 케이징(501)의 내측에 설치한 대략 원통형상의 단열재(502)와, 이 단열재(502)의 내벽에 설치된 발열선(503)을 갖는다. 이 가열장치의 내측에, 균열관(504) 및 처리실을 형성하는 반응관(505)이 설치되고, 이 반응관(505) 중에서 웨이퍼(506)에 소망의 열처리가 행해진다.
최근, 금속 배선 프로세스(Cu 어닐링 등)로, 프로세스 온도의 저온화(300℃ 이하)와, 한층 더 쓰루풋 향상이 요구되어 있다. 따라서, 웨이퍼의 상승온도 시간의 단축이 중요한 것으로 되었다. 따라서, 웨이퍼의 상승 시간의 단축이 중요하게 되었다. 그렇지만, 그러한 요청에 도 1에 기재된 바와 같은 가열장치를 사용하면, 현재의 히터는 중고온 영역에서 사용할 수 있도록 대용량의 단열재를 가지고 있기 때문에, 상승온도 특성이 나쁘고, 쓰루풋의 향상이 어려웠다. 그리하여, 열용량이 작고, 고응답성인 가열장치가 필요하게 되었다.
또한, 특허문헌 1에 관한 기판처리장치에서는, 발열체에 복수의 핀을 관통시켜, 이 핀으로부터 가열공간으로 냉각 가스를 보내어 넣는 것으로, 급격한 냉각을 가능하게 한다. 그리하여, 냉각특성에 착안하여, 가열장치의 응답성을 향상시키고 있다.
최근, 웨이퍼 처리의 미세화에 따라, 웨이퍼의 면내 편차(웨이퍼 면내에 있어서의 온도 편차나 막두께 편차 등)를 더욱 적게 할 필요가 있다. 그리하여, 특허문헌 2에서는, 처리실의 상단부에 반사경을 설치하고, 주부(周部) 히터의 복사 열선을 웨이퍼의 중앙부에 집광하는 것으로써 면내 편차를 저감시켜 있다.
그러나, 반사경의 자세가 고정되어 있고, 웨이퍼 중앙부의 온도조정은 웨이퍼 주부와 독립적으로 조정할 수 없고, 면내 편차의 문제는 해소되지 않고 있다.
특허문헌 3에 영향을 미치는 열처리 장치로는, 기판보다 윗쪽에 기판가장자리부분에 설치한 히터로부터의 방사열을 기판을 향해서 반사시키는 반사체를 이동할 수 있게 설치하고 있다. 그러나, 반사체를 기판에 대하여 상하로 움직여서 열처리 온도를 조절하고 있는 것에 지나지 않고, 면내 편차의 문제를 해소하는 것이 아니다.
특허문헌 4에 기재된 열처리 장치로는, 기판과 대향하는 위치에 자외선램프 를 설치하고, 기판과 상기 램프(lamp)와의 사이에 반사체를 이동 또는 반사면의 각도를 변경 가능하게 복수 설치하고, 기판상에의 자외선을 균일하게 조사하고 있다. 그러나, 면내 편차에 관해서 개시도 시사도 되지 않고 있다.
또한 특허문헌 5에 기재된 열처리 장치로는, 최상단의 기판의 가장자리부분과 기판의 중심부의 온도를 측정가능한 온도센서를 설치하고, 이 온도센서의 정보에 의해 다른 위치에 복수의 가열 수단을 제어하고 있다. 그러나, 복수의 가열 수단의 제어는 번잡하게 되고, 면내 편차를 충분하게 해소시키는 것에 이르지 않고 있다.
[특허문헌 1] WO2007/023855
[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 특개 2005-32883호
[특허문헌 3] 일본 공개특허공보 특개평 7-321059호
[특허문헌 4] 일본 공개특허공보 특개 2006-114848호
[특허문헌 5] 일본 공개특허공보 특개 2004-119510호
이러한 종래의 실상을 감안하여, 본 발명은, 처리되는 기판의 면내 편차를 더욱 저감시키는 것을 목적이라고 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본발명에 따른 가열 장치는, 가열 공간을 둘러싸는 벽체와, 상기 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와, 상기 발열체로부터의 열 선을 반사하는 복수의 반사체와, 상기 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 상기 복수의 반사체를 가동시키는 가동부와, 적어도 상기 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 상기 가동부가 동작할 때에 상기 반사체의 움직임을 지축으로 하여 규제하는 복수의 지축체를 구비한 것에 있다.
본 발명의 다른 목적, 구성 및 효과에 대해서는, 이하의 발명의 실시예의 항으로부터 밝혀질 것이다.
다음에, 첨부된 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명을 더욱 자세하게 설명한다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태로서의 제 1 실시예를 설명한다.
도 2 내지 7에 나타나 있는 바와 같이 기판처리장치(1)는, 대략, 처리실(308)을 형성하는 반응 용기(309)와, 이 반응 용기의 외주에 배치된 가열 장치(3)와, 주 제어장치(4)를 구비하고 있다.
가열 장치(3)는, 대략, 천정부(10), 원통 모양의 중간부(11), 하부(12) 및 단자 케이스(13)를 갖고, 중간부(11)에는 발열체(20)가 지지되어 있다. 천정부(10)에는 밑면과 측면에 개구하는 엘보우(elbow) 상의 배기로(81)가 형성되고, 더욱 그 하부에 반사 장치(90)를 갖고 있다. 중간부(11)는, 발열체(20)를 지지하는 인너 셀(shell)(50)을 절연 상태에서 아우터 셀(shell)(60)에 의해 포위하고, 더욱 외주를 화장 패널(70)로 포위하고 있다. 인너 셀(shell)(50)과 아우터 셀(shell)(60)과는 도전성의 재료로 구성되어 있고, 예를 들면 스테인레스 재 등의 금속재로 구성되어 있다.
중간부(11)의 상부와 흡기 어태치먼트(7x)와의 사이에는 냉각 가스 도입 덕트(duct)(7y)가 취부된다. 흡기 어태치먼트(7x)의 개구에는 개폐 밸브((7a))로서 예를 들면 나비 밸브가 장착되고, 유로를 개폐할 수 있게 되어 있다. 흡기 어태치먼트(7x)는 냉각 가스 공급 라인(7)에 접속된다. 인너 셀(shell)(50) 및 아우터 셀(shell)(60)의 사이에 원통 모양의 냉각매체 유통통로로서의 기도(14)가 형성된다. 냉각 가스 도입 덕트(duct)(7y)는 환상으로 대략 균등하게 배치된 복수의 파이프(61)에 의해 기도(14)와 연통된다. 한편, 배기로(81)에는 강제 배기를 행하는 배기 블로어(8a)를 구비한 강제 배기 라인(8)이 접속되고, 가열 장치(3)의 내부공간인 가열 공간의 강제 배기가 행하여진다. 그리고, 냉각 가스 공급 라인(7)으로부터 도입된 공기 혹은 불활성가스 등 가스는 기도(14) 및 후술의 복수의 애자공으로부터 가열 공간(18)에 냉각 가스로서 공급되고, 강제 배기 라인(8)으로부터 배기된다.
반응 용기(309)는, 가열 공간(18)에 순차 동심으로 배치되는 균열관(315) 및 반응관(310)을 구비하고, 이 반응관(310) 안에 처리실(308)이 형성된다.
이 처리실(308)에는 웨이퍼(305)를 수평 다단으로 유지하는 보트(300)가 수납된다.
이 보트(300)는 도면에 나타나 있지 않은 보트 엘리베이터에 의해, 처리실 내(308)에 장입, 인출가능하다.
반응관(310) 안에는 반응 가스 도입관(5x) 및 배기관(6x)이 연통된다.
반응 가스 도입관(5x)에는 유량제어기(5a)가 설치되어지고, 배기관(6x)에는 압력제어기(6a)가 설치되어진다. 반응 가스가 소정 유량으로 도입됨과 동시에 상기 반응관(310) 안이 소정 압력으로 유지되도록, 배출구(6y)로부터 내부 가스가 배기되고, 배기관(6x)을 통해서 처리실 외부로 배출된다.
다른 냉각 가스 공급 라인(5y)은, 균열관(315)과 반응관(310)과의 사이에 형성되는 균열관내 공간(317)에 연통된다. 상기 냉각 가스 공급 라인(5y)에는 유량제어기(5b)가 설치되어진다. 또한 흡기 어태치먼트(7x)에는 개폐 밸브((7a))가 설치되어진다. 강제 배기 라인(8)에는 배기장치로서의 배기 블로어(8a)가 설치되어진다. 즉, 균열관내 공간(317)과 가열 공간(18)의 쌍방에 대하여 냉각 가스를 적당하게 도입·조정하는 것이 가능하다.
발열체(20)는 중간부(11)의 원통의 축중심 방향에 대하여, 필요한 존(Z1 내지 Z5)에 복수단계로 구분되고, 존 제어가 가능하게 되어 있다. 각 존에는 각 존의 가열온도를 검출하는 온도검출기가 설치되어져 있다. 또한, 발열체(20)는 각 존 각각의 성형 패턴(pattern)을 같게 하는 것에 의해, 발열량을 각 존과도 균일하게 하도록 하여도 좋다.
기판처리장치(1)의 각 부분은 주 제어장치(4)에 의해 제어되고, 예를 들면 반응관(310) 안에서 처리되는 웨이퍼(305)의 처리 상태는, 주 제어장치(4)에 의해 제어된다. 이 주 제어장치(4)는, 온도 모니터부(4a), 가열 제어부(가열 제어장치) (4b), 반사 제어부(4c), 제 1 유량제어부(4d), 반응관(310) 안의 압력을 제어하는 압력제어부(4e), 제 2 유량제어부(4f), 배기 제어부(4g) 및 상기 보트 엘리베이터 등의 기구부를 제어하는 구동 제어부(4h)를 구비하고 있다.
온도 모니터부(4a)는 제 1 내지 제 3 온도검출기(TC1 내지 TC3)의 온도를 검출한다. 여기에서, 제 1 온도검출기(TC1)는 발열체(20) 근방으로 각 존(Z1 내지 Z5) 마다 설치되어진다. 제 2 온도검출기(TC2)는 반응관(310) 안의 주부(周部)에 있어서의 상기 각 존(Z1 내지 Z5)마다 설치되어진다. 또한, 제 3 온도검출기(TC3)는 반응관(310)보다 위쪽 혹은 반응관(310)의 상부 중앙을 포함하는 범위에 설치되어져 있다.
가열 제어부(4b)는, 온도 모니터부(4a)의 검출 결과에 근거해 각 존(Z1 내지 Z5)의 발열체(20)의 발열량을 제어한다. 또한 반사 제어부(4c)는, 온도 모니터부(4a)의 검출 결과에 근거해 반사 장치(90)의 구동장치로서의 액추에이터(99)를 제어한다. 그리고, 밑면이 경면 처리된 반사체(리플렉터)(91)를 적당하게 경사시켜서 발열체(20)로부터 반응관(310)의 상부중앙에 대한 집광도를 변경하고, 이 부분의 온도제어를 행한다.
제 1 유량제어부(4d)는 유량제어기(5a)를 제어하고, 압력제어부(4e)는 압력제어기(6a)를 제어하고, 반응 가스의 도입과 압력을 제어한다.
또한 제 2 유량제어부(4f)는 유량제어기(5b)를 제어하고, 배기 제어부(4g)는 개폐 밸브(7a) 및 배기 블로어(8a)를 제어하고, 냉각 가스의 도입과 배출을 제어한다.
도 4에 도 2 중의 Ａ부의 확대도를 나타낸다. 발열체(히터 소선(素線))(20)는, 알루미나 등의 절연 소재로서의 현수 애자(30)에 의해 인너 셀(shell)(50)에 고정되어 있다. 상기 발열체(20)에는 급속가열이 가능한 발열 재료, 예를 들면 Fe-Al-Cr 합금을 채용할 수 있고, 발열 표면적이 커지게 되도록, 단면은 평판 형상 등의 형상이 채용되고, 면상 발열체로서 구성되어 있다. 발열체(20)는 상하에 사행(蛇行) 상의 절반부(21,22)를 갖고 있고, 중간부는 상 절반부(21)와 하 절반부(22)를 각각 반 피치(pitch) 비켜 놓아서 접속하는 소선부(23)과, 각 소선부(23) 사이에 위치하는 간극(24)으로부터 구성되어 있다. 또한 발열체(20)의 상부는 현수 애자(30)에 유지되는 절곡부(20a)로서 절곡 가공이 되어 있다. 인너 셀(shell)(50) 내면은 경면 처리되어 있고, 발열체의 소선부(23) 이면에서 복사되는 열선을 상기 내면에서 반사시켜, 간극(24)으로부터 가열 공간(18)을 향해서 방사한다.
절연재료로서의 현수 애자(30)는 알루미나 등의 내열절연재료로 이루어지는상 애자(31) 및 하 애자(32)로부터 이루어지고, 상 금구(33)와 하 금구(34)로 발열체(20)의 상부에 있어서의 절곡부(20a)를 끼고, 핀(35)으로 용착고정되어 있다. 하 금구(34)는 두군데의 절곡부에 있어서 볼트(36)에 의해 인너 셀(shell)(50)에 취부된다.
인너 셀(shell)(50)에는 중앙에 관통공(40a)를 가져 기도(14) 안의 냉각 가스를 인너 셀(shell)(50) 내부에 공급하는 복수의 급냉 파이프(40)가 인너 셀(shell)(50)의 내벽으로부터 가열 공간(18)측을 향해서 돌출하도록 설치되어져 있다. 급냉 파이프(40)는 알루미나 등의 절연 내열재료에 의해 형성되어 있다. 이 급냉 파이프(40)는, 간극(24)에 있어서 발열체(20)를 관통하는 관통부 (40d)와, 이 관통부(40d)가 발열체(20)를 관통하는 관통 방향(V)에 교차하는 방향으로 이 관통부(40d)보다도 돌출하는 돌출부로서의 대략 원형의 날밑(40b, 40c)에 의해 발열체(20)의 중턱의 움직임을 제한한다. 즉, 한 쌍의 날밑(40b, 40ｃ) 간의 관통부(40d)에 홈을 형성한다. 또한, 발열체(20)의 하단을 하단의 현수 애자(30)의 상단 위치에 겹치는 위치에 설치하고, 발열체(20)의 하단의 급냉 파이프(40)의 관통 방향에 대한 움직임을 제한한다.
인너 셀(shell)(50)의 이면에는 냉각매체 유통통로로서의 수냉관(59)이 설치되어져 있다. 이 수냉관(59)은, 인너 셀(shell)(50)의 외면에 축중심 방향에 나선 모양으로 둘러 감아서 용착된다. 예를 들면 급·배수 경로(59a, 59b)를 거쳐서 냉각수 등의 냉각 매체를 흘려보내는 것에 의해 인너 셀(shell)(50)의 온도상승을 막고, 거의 일정하게 유지한다.
인너 셀(shell)(50)의 외측에는 복수의 접속 애자(51)를 통해 절연 상태에서 아우터 셀(shell)(60)이 취부된다. 접속 애자(51)는 절연성과 내열성을 갖는 알루미나 재로 제작되어 있기 때문에, 예기치 못하게 발열체(20)와 인너 셀(shell)(50)이 접촉하고, 인너 셀(shell)(50)에 전류가 전해지는 등에 의해 예를 들면 단락해도, 접속 애자(51)에 의해 전류가 아우터 셀(shell)(60)에 전해질 일은 없다.
접속 애자(51)의 안쪽은 인너 셀(shell)(50)에 대하여 제 1 볼트(52)로 고정된다. 한편, 접속 애자(51)의 외측은 아우터 셀(shell)(60)에 대하여 절연 내열재 료로서의 환상 중공 형상의 칼라(53)을 통해 제 2 볼트(54)로 고정된다. 칼라(53)는 아우터 셀(shell)의 취부공을 관통해서 설치되어져, 아우터 셀(shell)(60)의 두께보다도 두텁게 형성되고, 제 2 볼트(54)의 두부 밑면과 접속 애자(51) 외면과의 사이에 클리어런스(간극)을 설치하고 있다. 인너 셀(shell)(50)이 열팽창에 의해 부풀어 올라도, 그 변형만큼을 이 클리어런스에 의해 흡수하고, 아우터 셀(shell)(60)에 열응력이 작용하는 것을 막고, 아우터 셀(shell)(60)의 변형을 방지하고 있다.
아우터 셀(shell)(60)의 더욱 외측에는 기둥(62)을 통해 최외곽인 측벽 외층으로서의 화장 패널(70)이 설치되어져 있다. 이 화장 패널(70)은 플랜지를 갖는 틀(62)을 통해 아우터 셀(shell)(60)과 예를 들면 금속제의 리벳(62a)에 의해 고정 아우터 셀(shell)(60)의 상부에는 원통 모양의 상기 기도(14)에 연통하는 개구(61a)가 설치되어져, 이 개구(61a)에 파이프(61)의 일단이 용접된다. 파이프(61)는 화장 패널(70)을 관통하고, 그 다른 말단이 냉각 가스 도입 덕트(duct)(7y)에 연통되어 있다. 또한, 기둥(62), 화장 패널(70)은 도전성을 갖는 재료로 구성되어 있고, 예를 들면 스테인레스 재료 등의 금속재료로 구성되어 있다. 이 때문에, 화장 패널(70)과 아우터 셀(shell)(60)과는 기둥(62)을 통해 도전하는 상태로 접속되어 있다. 또한, 아우터 셀(shell)(60)이나 화장 패널(70)에 대한 도전을 전술한 바와 같이 막는 것으로 기판처리 장치 전체에의 도전을 방지하고, 작업시의 감전 등이나 기판처리 장치 내의 전장품이 파손하는 것을 막고 있다.
도 4에 나타나 있는 바와 같이 인너 셀(shell)(50)은 상하에 복수분할되어 있다. 분할된 상측의 셀(shell)과 이것에 인접하는 하측의 셀(shell)과의 사이에는 간극(50s)이 설치되어져 있다. 그리고, 인너 셀(shell)(50)의 중 상측의 셀(shell)인 상측 셀(shell)에 설치되어진 제 1 플랜지(50t)와 하측 셀(shell)의 수냉관(59)과의 사이에 세라믹(ceramic) 파이버(fiber) 등의 단열부재로 이루어지는 단열 블랭킷(50a)를 개재시켜, 간극(50s)으로부터의 열도주(도망침)을 막고, 열에 대하여 상하의 셀(shell)을 분단하고 있다.
도 7에 나타나 있는 바와 같이 중간부(11)의 하부에서는, 인너 셀(shell)(50)의 외측에 게시한 제 2 플랜지(50x)와 아우터 셀(shell)(60)의 안쪽에 게시한 제 3 플랜지 (60x)와의 사이에 단열 및 절연부재로서의 단열 블랭킷(50y)를 개재시켜 있다. 이에 따라 인너 셀(shell)(50)과 아우터 셀(shell)(60)과의 사이는 절연됨과 동시에 단열 블랭킷(50y)에 의해 기밀상태가 유지된다. 또한 제 3 플랜지 (60x)와 밑바닥 뚜껑(72a)과의 사이에 단열부재로서의 단열 블랭킷(60y)을 설치하고, 인너 셀(shell)(50) 내부공간의 기밀을 유지하고 있다. 중간부(11)와 천정부(10)의 사이에도 같은 취지의 구조가 채용되고, 절연 상태와 기밀상태가 유지된다. 최하단의 발열체(20)의 하부는 발열체(20)의 중턱의 움직임을 제한하는 급냉 파이프(40)와는 별도로 설치되어진 급냉 파이프(42)에 의해 지지되어 있다.
최근, 웨이퍼 처리의 미세화가 진행하고, 웨이퍼의 면내 편차를 더욱 저감시킬 필요가 생겼다. 특히, 보트(300)의 상부에 위치하는 웨이퍼(305)는, 천정 유닛(10)으로부터의 방열의 영향으로, 웨이퍼(305) 중심부의 온도가 가장자리부분과 비교해서 낮아지기 쉽다. 이래서는, 웨이퍼의 중심부와 가장자리부분에서의 균일한 열처리가 행할 수 없다. 또한 CVD 처리에서는, 처리 가스는 보트의 가장자리부분으로부터 공급되기 때문에, 보트 중심부에서의 처리 가스 농도가 저하하고, 웨이퍼 중심부의 막두께가 가장자리부분과 비교해서 더욱 희미해지는 문제를 보이고 있었다.
이 때문에, CVD 처리에서는, 처리 가스 농도의 저하에 따르는 반응속도의 저하를 보충하기 위해서, 웨이퍼 중심부의 온도를 가장자리부분과 비교해서 높게 하는 요청이 있었다. 그리고, 이 문제를 해결하기 위해서, 상기 종래 기술과 같이 반사체를 고정적으로 설치, 주부 발열체의 열선을 보트 중심부에 집광해, 웨이퍼 중심부의 가열량을 늘리는 것으로써 웨이퍼 면내의 온도편차를 조정한다고 하는 수법도 생각된다.
그러나, 히터의 승온시와 안정시에서는 히터 출력이 다르기 때문에, 단일인 반사체 각도에서는, 웨이퍼 면내 편차를 적절하게 제어할 수 없다. 승온시는 안정시와 비교해서 큰 출력을 내기 때문에, 반사체의 각도를 안정시의 상태에서 조정하면, 온도상승 때에는 중앙부가 주부에서도 고온이 된다. 반대로, 반사체의 각도를 승온시의 상태에서 조정하면, 안정시(아닐링 처리, 성막 처리)에 중앙부가 주부에서도 저온이 된다.
또한 프로세스(process)·시퀸스(order)에 따라서는, 프로세스(process) 시간의 삭감 때문에 온도상승종반으로부터 웨이퍼 처리를 시작하는 것도 있다. 따라서, 웨이퍼의 면내 편차를 수시 컨트롤(control) 할 필요가 있다.
도 8, 9에 나타나 있는 바와 같이 천정부(10)에 있어서의 본 발명의 반사 장치(90)는, 웨이퍼 면내온도에 따라 이 반사체(91)를 이동 기구(92)에 의해 이동시킴으로써 반사체(91)의 각도를 조정하고, 웨이퍼 면내 편차를 저감시킨다.
천정 유닛(10)은 가열 공간(18)의 분위기를 배출하기 위한 배기 도로(81)를 갖는다. 천정 유닛(10)도 하부(12)의 구조와 같이, 플랜지와 단열 쿠션(cushion)(단열 블랭킷)과의 조합으로, 인너 셀(shell)(50)과의 절연성·기밀성을 확보함과 동시에, 인너 셀(shell)(50)의 팽창 수축을 흡수하는 구조로 하고 있다.
천정 유닛(10)의 하부에는 발열체(20)로부터 복사되는 열선(광)을 반사하는 반사 장치(90)가 설치되어져 있다. 이 반사 장치(90)는, 열선을 반사하는 복수의 만곡한 판자 모양의 반사체(리플렉터)(91)를 이동 기구(92)와 액추에이터(99)에 의해 경사시켜, 반사 방향을 변경하는 것으로 온도제어를 행한다.
반사체(91)는 저면에서 봤을 때 삼각형을 나타냄과 동시에, 측면에서 봤을 때 대략 원호상의 형상을 나타내고, 도 8 및 9에 나타나 있는 바와 같이, 웨이퍼(305)의 중심부에서 가장자리부분을 넘는 크기로 만곡하고 있다. 즉, 반사체(91)는 가열 공간(18)의 중심부에서 가열 공간(18)의 가장자리부분근방까지를 덮도록 설치되어진다. 바람직하게는, 도 8 및 9에 나타나 있는 바와 같이, 웨이퍼(305)의 중심부에서 가장자리부분을 초과하는 크기로 천정 벽체측에 볼록이 되도록 만곡하고 있으면 좋다. 이에 따라 반사체(91)의 첨단부와 가장자리부분과의 사이의 거의 전면에서 열선의 반사에 이용할 수 있고, 열선의 반사 효과를 증대시켜, 열선의 집광 상태를 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 열선의 반사 효과에 의 해, 천정부(10)의 단열효과도 향상시킬 수 있다. 또한, 바람직하게는, 반사체(91)를 웨이퍼(305)의 중심부에서 발열체(20)가 유지되는 원주 위치에 직교하는 연직 방향 위치까지 연장되면 좋다. 이렇게 구성하는 것에 의해, 반사면이 증대하고, 더한층 반사 효과를 증대시켜, 열선의 집광상태를 향상시켜, 더욱 천정부(10)의 단열효과도 향상시킬 수 있다.
이 복수의 반사체(91)를 간극(91a)을 사이에 두고 환상으로 배치하고 있다. 전술한 바와 같이, 반사체(91)는, 삼각형상(부채상)으로 형성하고 있으므로, 복수의 반사체(91)를 환상으로 용이하게 배치할 수 있다. 또한, 바람직하게는, 복수의 반사체(91)를 동일형상으로 형성하고, 실질적으로 원주방향으로 균등배치하면 좋다. 이에 따라 간극(91a)에 의해, 가열 공간(18)으로부터의 배기의 흐름을 원주방향으로서 균등하게 나눌 수 있고, 원주방향으로서의 웨이퍼 면내에서의 온도차이를 감소시키는 것이 가능해진다. 또한, 바람직하게는, 간극(91a)의 원주방향의 폭도 균등한 크기로 하면 더한층 균등하게 배기의 흐름을 원주방향으로서 나눌 수 있고, 웨이퍼 면내의 온도차이를 감소시키는 것이 가능해진다.
이동 기구(92)는, 가동부로서의 샤프트(shaft)(93)로 상하 이동할 수 있게 지지되어 있는 중앙판(94)에 각 반사체(91)의 일단이 되는 정점을 지지하고, 각 반사체(91)의 타단이 되는 주부를 지축체로서의 2개의 볼트(95)에 의해 지지하여 이루어진다. 이에 따라 샤프트(shaft)(93)로 환상으로 배치된 복수의 반사체(91)의 각도를 동시에 조정하는 것이 가능해지고, 어느 쪽의 각도로 조정해도 가열 공간(18)의 주위 방향으로 균일한 반사 상태로 할 수 있다. 또한, 각도조정은 샤프 트(shaft)(93)를 구동시키면 좋고, 이동 기구(92)의 구조가 간소하게 된다. 또한 샤프트(shaft)(93)를 중심으로 웨이퍼(305)에 대하여 점대칭으로 열선의 반사를 행할 수 있고, 웨이퍼 전체를 균일하게 가열할 수 있다.
액추에이터(99)는 반사 제어부(4c)로부터의 신호에 근거해 샤프트(shaft)(93)를 상하 이동시키고, 샤프트(shaft)(93)의 위치에서 반사체(91)의 각도를 조정하는 것에 의해, 반사체(91)에 의한 반사 상태를 제어할 수 있다. 또한, 바람직하게는, 복수의 반사체(91)의 일단이 접속되는 중앙판(94)은, 가장 하방으로 이동했을 때에, 복수의 반사체(91)의 타단이 접속되는 볼트(95)보다 연직방향 하방으로 위치가능하도록 설치하면 좋다. 이에 따라 천정부(10)가 연직방향으로 커지지 않고 마치기 때문에, 가열 장치에 기판처리장치의 연직방향의 크기를 증대시키지 않고 마친다.
가열 공간(18) 안의 분위기는, 이전의 간극(91a) 또는 반사체(91)의 가장자리를 통해, 히터의 주변에 균등분배되어 있는 4개의 제 1 개구(82)로부터 흡기 된다. 그리고, 히터의 중심축선 상에 있는 제 2 개구(83)로 정리된 후, 배기구(81a)로부터 가열 장치(3)의 외부로 배출된다. 또한, 바람직하게는, 간극(91a)의 폭은, 제 1 개구(82)에 있어서의 개구면의 지름보다 작아지고, 즉 간극(91)쪽이 협소로 하면 좋다. 이에 따라 제 1 개구(82)는, 도 9에 나타나 있는 바와 같이 상기의 복수의 간극(91a)의 일부에 대향하여 설치되어 있는 개소이어도, 간극(91a)으로부터의 배기량을 억제할 수 있고, 가열 공간(18)으로부터의 배기의 흐름을 원주방향으로 균등하게 분배할 수 있다.
반응 용기(309)에는, SiC이나 석영재로부터 이루어지는 균열관(315), SiC이나 석영재로부터 이루어지는 반응 용기로서의 반응관(310)이 설치된다. 이 반응관(310) 안에 기판유지 도구로서의 보트(300)에 탑재된 기판인 웨이퍼(305)가 배치된다.
반응관(310) 안의 가장자리부분에는 이전의 제 2 온도검출기(TC2)로서의 온도센서(330)가 설치되고, 온도검출체로서의 열전대의 접점이 상기 각 존(Z1∼Z5) 마다 설치된다. 또한 반응관(310) 안에는, 첨단이 L형으로 구부러진 이전의 제 3 온도검출기(TC3)로서의 L형 온도센서가 설치된다. L형 온도센서(320)는, 반응관(310) 안의 보트(300)보다 윗쪽에서 L형으로 굴곡되어 있다. L형 온도센서(320)는, 웨이퍼(보트 천판)의 중심에 위치하는 부분에 온도검출체로서의 열전대 접점(321)이 배치되고, 가장자리에 위치하는 부분에 온도검출체로서의 열전대 접점(322)이 설치되어져, 웨이퍼(보트 천판)의 중심부와 가장자리부분의 온도를 검출할 수 있다.
온도센서(330)에 의해 검지된 온도에 근거하고, 발열체 제어부(4b)가 발열체출력을 각 존마다 제어한다. 또한 L형 온도센서(320)에 의해 검지된 중심부와 가장자리부분의 온도 데이타(data)는, 온도 모니터부(4a)에 송신된다. 반사 제어부(제어장치)(4c)는, 이 중심부와 가장자리부분의 온도 데이타(data)로 현재의 웨이퍼의 면내 편차(온도편차)를 계산하고, 목표치의 면내 편차와의 차이에 따라 액추에이터(99)에 신호를 보내고, 샤프트(shaft)(93)를 동작시켜서 반사체(91)의 각도를 변경하고, 피드백제어를 행한다. 또한, 바람직하게는, L형 온도센서(320)에 의 해 검지된 중심부와 가장자리부분의 온도와의 편차가 미리 설정된 면내 편차의 허용범위 내보다 클 경우에, 면내 편차를 작게 하도록 샤프트(shaft)(93)를 동작시켜서 반사체(91)의 각도를 변경하고, 피드백제어를 하도록 하면 좋다. 이에 따라 웨이퍼의 중심부에의 집광 상태를 자동으로 변화시킬 수 있고, 웨이퍼의 면내 편차를 최적으로 제어할 수 있다.
다음에 상기 기판처리장치(1)의 동작에 관하여 설명한다.
웨이퍼(305)의 처리는, 이 웨이퍼(305)가 장전된 상기 보트(300)가 보트 엘리베이터에 의해 상기 반응관(310)에 장입되고, 상기 가열 장치(3)의 가열에 의해 소정 온도까지 급속가열된다.
이 가열 장치(3)에 의해 상기 웨이퍼(305)를 소정 온도로 가열한 상태에서 상기 반응 가스 도입관(5x)으로부터 반응 가스가 도입되고, 상기 배기관(6x)을 거쳐서 배기 가스가 배출되고, 상기 웨이퍼(305)에 필요한 열처리가 행해진다.
보통, 상기 보트(300)의 장입전은 필요한 온도, 예를 들면 550℃에 보온해 두고, 이 보트(300)가 장입된 후는 웨이퍼 처리 온도, 예를 들면 850℃까지 온도상승이 유지된다.
한편, 장입전의 온도, 처리 온도는 기판처리장치에서의 처리 내용에 따라 적절한 온도가 선택된다.
상기 발열체(20)의 각 단계의 발열체(20)는 온도 모니터부(4a)에 의해 독립한 존마다 측정되고, 발열체(20) 및 반사 장치(90)에 의해 온도제어된다. 각 존의 발열체(20)는 연속한 한 개의 발열체이므로, 이 발열체(20)에 이상이 있었을 경우, 예를 들면 단선이 있었을 경우도 즉시 발견할 수 있고, 각 단계의 발열체의 열화 상태도 용이하게 파악할 수 있다.
처리가 완료하면, 웨이퍼 출로 온도, 예를 들면 550℃까지 급속냉각된다. 이 웨이퍼(305) 처리 후의 냉각은, 상기 유량제어기(5a) 및 에어벨브(7a)가 열려, 공기 혹은 질소 가스 등 불활성가스가 냉각 가스로서 상기 냉각 가스 공급 라인(5y, 7)으로부터 공급된다. 상기 냉각 가스 공급 라인으로부터 공급된 냉각 가스는 급냉 파이프(40)의 관통공(40a)을 통해서 가열 공간(18)에 유입하고, 발열체(20)를 외면, 내면의 양측에서 급속하게 냉각한다.
이러한 냉각 파이프(40)를 채용한 구성에서는, 히터의 냉각 속도, 나아가서는 웨이퍼의 냉각 속도를 향상시킬 수 있고, 웨이퍼 처리의 스루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다. 또한, 냉각 파이프(40)는 발열체 누름과 냉각 가스 공급 관를 겸하고 있기 때문에, 별도 히터 냉각용의 가스관을 설치할 필요가 없고, 그 때문에, 히터 내벽에 있어서의 발열체 면적을 향상시킬 수 있다. 또한, 냉각 파이프(40)의 관통공(40a)의 개구부는 발열체(20)보다도 안쪽에서 개구하고 있으므로, 냉각 가스에 의해 발열체(20)가 국소적으로 냉각되는 것을 방지한다. 그 결과, 발열체(20)의 국소적인 변형, 비틀어짐, 균열을 억제하고, 나아가서는, 발열체(20)의 단선, 반응관(310)과의 접촉을 방지할 수 있다.
원통 모양의 기도(14)에 도입되는 냉각 가스는, 용적이 큰 냉각 가스 도입 덕트(duct)(7y)를 통해 분산되어지는 것으로써 기도(14)에 균일하게 냉각 가스가 유입하고, 냉각 편차의 발생이 방지된다. 그 후에 냉각 가스는, 복수의 파이 프(61), 기도(14), 복수의 급냉 파이프(40)를 통해 가열 공간(18)에 불어 들어와져, 가열 공간(18)을 상승해서 배기도로(81)로부터 배기된다. 인너 셀(shell)(50) 내면은 가열 공간(18)을 상승하는 냉각 가스에 의해 냉각되고, 균열관(315) 및 반응관(310)은 가열 공간(18) 및 균열관 내 공간(317)을 상승하는 냉각 가스에 의해 급속하게 냉각된다. 이들에 의해 반응관(310) 안의 웨이퍼(305)는 급속냉각된다. 발열체(20)에 Fe-Cr-Al이나 카본(carbon), SiC 등의 발열체를 채용하는 것으로써 급속가열, 고온가열이 가능해지고, 더욱 냉각 가스에 의한 가열 장치(3)의 냉각에 의해 급속냉각이 가능하게 된다.
냉각이 완료하면, 보트 엘리베이터에 의해 보트(300)가 강하되고, 이 보트(300)로부터 처리가 끝난 웨이퍼(305)가 불출(拂出)된다. 한편, 감압 처리의 경우에는, 반응실을 대기압까지 복귀시킨 후, 보트(300)가 강하된다.
본 명세서는 이하의 발명도 포함하는 것으로 한다.
1) 상기 제어장치는, 상기 반응 용기 내의 기판의 가장자리부분(가장자리)의 온도를 검출하는 제 1 온도검출체와 상기 반응 용기 내의 기판의 중심부(중심)의 온도를 검출하는 제 2 온도검출체의 검출 결과에 근거해 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 온도편차를 구하고, 이 구한 온도편차에 근거해 상기 이동 기구를 제어하는 것인 기판처리장치.
2) 상기 반사체는 이 가열 장치 내의 상부에 설치되어 있는 상기 기판처리장치.
3) 반응 용기 내에 기판을 반입하는 기판반입 공정과, 이 반응 용기 내를 가 열 장치에 의해 가열해서 기판을 처리하는 기판처리 공정과, 기판을 상기 반응 용기 내에서 반출하는 기판반출 공정을 구비하고, 상기 기판처리 공정에 있어서, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 면내 편차에 근거해 제어장치가 이동 기구를 제어해 상기 반응 용기 내의 열선을 반사하는 반사체를 이동시켜서 상기 열선의 반사 상태를 변경하는 반도체장치의 제조 방법.
4) 상기 기판처리 공정에 있어서, 상기 제어장치는, 상기 반응 용기 내의 기판의 가장자리부분의 온도를 검출하는 제 1 온도검출체와 상기 반응 용기 내의 기판의 중심부의 온도를 검출하는 제 2 온도검출체의 검출 결과에 근거해 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 온도편차를 구하고, 이 구한 온도편차에 근거해 상기 이동 기구를 제어하는 반도체장치의 제조 방법.
5) 통 모양으로 형성된 측벽과, 복수의 간극을 갖는 판자 모양의 발열체를 구비하고, 측벽의 내면은 열선을 반사 가능하게 마무리할 수 있고, 상기 측벽의 통 모양의 내면을 따라 발열체를 설치하고, 발열체의 소선부 표면은 가열 공간을 향해서 열선을 복사하고, 상기 소선부 이면에서 복사되는 열선은 상기 내면에 의해 반사되어 상기 간극을 통과해서 상기 가열 공간에 복사되는 가열 장치, 기판처리장치 및 발열체의 유지 구조. 이 구조에서는, 소선부(23)의 폭과 비교해서 간극(24)의 폭을 충분하게 잡고, 내면에서의 반사에 의한 열선을 유효하게 활용할 수 있는 폭으로 하고 있다. 이 통 모양의 중심축을 따라 간극을 형성하고, 중심축 상측을 상기 유지 부재에 의해 지지하면, 복사열을 매우 뛰어나면서도 유효하게 활용함과 동시에 발열체의 면밀도를 향상시킬 수 있고, 발열체의 선량을 감소시켜서 열응답성 을 향상시킬 수 있다. 또한 통 모양의 내면을 오목곡면으로 하는 것으로써 반사된 열선이 간극을 통과해서 가열 공간 내에 복사되는 효율을 향상시킬 수 있고, 이 오목곡면은 원호면인 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 개변이 가능하다.
상기 실시예에 있어서, 반사체의 제어는, L형 온도센서(320)에 의해 검지된 중심부와 가장자리부분의 온도 데이타(data)를 채용하고, 웨이퍼의 면내 편차를 계산하고, 목표치의 면내 편차와의 차이에 따라 반사체(91)의 각도를 변경하는 피드백 제어를 행하고 있었다. 그러나, 반사체의 제어는, 피드백 제어에 한정되는 것 이 아니고, 프로그램(program)에 의해 제어하는 것도 가능하다.
웨이퍼 처리(온도의 승강이나 가스의 제어 등)는, 레시피라고 불리는 프로그램(program)에 의해 제어된다. 이 레시피는, 온도상승, 안정, 강온 등의 복수의 이벤트(event)로 이루어지고, 각 이벤트(event)는 「실행 시간」 「히터 온도」 「밸브(valve) 개폐 시간」 「가스 유량」등의 프로세스(process) 조건으로 구성되어 있다.
이 프로세스(process) 조건에 반사체의 각도를 조정하는 「반사체 각도정보」를 추가하여, 프로그램제어를 행하여도 좋다. 예를 들면 「온도상승 이벤트(event) 때에는, 리플렉터 각도를 A 상태」, 「안정(처리, 성막)이벤트(event) 때에는, 리플렉터 각도를 B 상태」가 되도록 설정한다.
상기한 바와 같이, 히터의 승온시와 안정시에서는 히터 출력이 다르고, 승온 시는 웨이퍼 전체를 균일하게 재빠르게 가열하기 위해서 안정시와 비교해서 큰 출력이 필요가 된다. 안정시는, 승온시와 비교해서 작은 출력이 되기 때문에, 천정부(10)의 배기 도로(81)에 의해 웨이퍼 중앙부의 온도가 웨이퍼 주부에서 저온이 되기 쉽게, 웨이퍼의 면내 편차가 생기기 쉽다. 그리하여, 온도상승 이벤트(event) 때에는, 도 10에 나타나 있는 바와 같이 샤프트(shaft)(93)를 웨이퍼 전체를 재빠르게 가열하는 각도로 설정하고, 웨이퍼 전체를 균일하게 가열한다. 한편, 안정 이벤트(event) 때에는, 도 11에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼 중앙부에 열선을 집중하는 각도로 설정한다. 승온시는 열복사량이 많으므로, 복사열을 분산시켰다해도, 웨이퍼 중앙부의 면내 편차는 생기기 어려워져 웨이퍼 전체를 가열하는 것에 의해 가열 속도를 촉진시킨다. 한편, 안정시는 열복사량이 적으므로, 복사열을 웨이퍼 중앙부에 집광해, 면내 편차를 생기기 어렵게 시킨다. 이와 같이, 이벤트(event)에 따른 반사체 각도를 설정하는 것으로써 면내 편차를 저감할 수 있다.
또한 이벤트(event)에 있어서, 반사체 각도는 1의 상태에 한정되지 않고, 복수의 상태가 되도록 설정하는 것도 가능하다. 예를 들면 온도상승 이벤트(event)의 전반(前半)시는, 도 10에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼 전체를 널리 균일하게 재빠르게 가열하도록 복사열을 분산시키는 각도로 설정한다. 또한 후반(後半)시는, 도 11에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼 중앙근방에 집광하도록 각도를 설정한다. 이와 같이, 보다 치밀한 각도조정도 가능하다.
이러한 각도의 조건설정은, 제품 웨이퍼를 처리하기 전의 기판처리장치의 가 동 초기 단계(상승 때)나 기판처리장치의 유지(maintenance) 후(직후)에 L형 온도센서(320)를 채용하여 행해도 된다. 또한 시험용 웨이퍼에서 성막(아닐링)테스트(test)를 행하고, 성막 상태(아닐링 상태)를 기초로, 각도조건을 설정해도 개의치 않는다. 또한, 온도상승 이벤트(event)를 예로 들어 설명하였지만, 안정시나 강온시 등의 이벤트(event)에 있어서도, 각 이벤트(event)에 따라 전술한 바와 같이 설정하면 좋다.
상기 실시예에서는 웨이퍼 면내 편차를 계산하기 때문에, 2개의 온도검출체로서의 열전대 접점(접점(321)과 접점(322))을 썼지만, 온도검출체는 여러 가지 개변이 가능하다. 예를 들면 온도센서(330)의 존(Z1)의 온도검출체와 L형 온도센서(320)(예를 들면 접점(321)등을 포함한다)를 사용해도 된다. 또한 3점 이상의 온도검출체를 이용해서 웨이퍼 면내 편차를 산출해도 좋다.
또한 상기 실시예에서는 보트(300) 위에 웨이퍼 면내를 측정하기 위한 열전대 접점을 설치했지만, 그 위치도 여러 가지 개변이 가능하다. 예를 들면 보트(300)의 천판에 열전대 접점을 붙여도 좋고, 천판 내에 메워넣어도 좋다. 또한, 보트(300)와 웨이퍼(305)의 사이에 열전대 접점을 형성하여도 좋고, 웨이퍼에 열전대 접점을 붙여도 좋다.
예를 들면 제어장치가, 미리 웨이퍼 면내에 있어서의 중심부와 가장자리부분과의 막두께 편차를 구한 결과를 기억하고, 이 막두께 편차에 근거하고, 반사체를 이동시켜서 발열체의 열선의 반사 상태를 조정하고, 막두께 편차를 없애도록 이동 기구를 제어해도 좋다. 또한, 바람직하게는, 미리 웨이퍼에 성막한 결과, 웨이퍼 면내에 있어서의 중심부와 가장자리부분과의 막두께의 편차를 계산하고, 미리 설정된 면내 편차의 허용범위 내보다 클 경우에 내면 편차를 작게 하도록 샤프트(shaft)(93)를 동작시키면 좋다.
상기 실시예에서는 제 2, 제 3 온도검출기(TC2, TC3)로서 온도센서(320, 330)를 설치했다. 그러나, 이들 제 2, 제 3 온도검출기(TC2, TC3)로서는, 온도검출체로서의 각 열전대 접점이 독립의 온도센서를 써도 개의치 않는다.
온도검출체는 열전대의 접점뿐만 아니라, 방사온도계 등이어도 좋고, 온도를 검출할 수 있는 것이면 그 형식이나 구성은 묻지 않는다.
반사체(91)의 형상이나 이동 기구(92)는 여러 가지 개변이 가능하다. 예를 들면 반사체(91)의 가장자리측을 상하 이동시키거나, 반사체(91)의 수평위치를 변경 하는 것에 의해, 반사체(91)에 의한 반사 상태를 변경하는 것이 가능하다. 단, 반사체(91)의 중앙을 중간부(11)의 축중심을 따라 이동시키는 상기 실시예는, 기구가 간소하게 되는 점, 가장자리부분의 발열체(20)로부터의 열선을 웨이퍼 중앙부에 집광하기 위한 반사체(91) 첨단부와 가장자리부분과의 사이를 반사에 이용할 수 있는 점, 반사를 샤프트(shaft)(93)를 중심으로 하는 점대칭적으로 행할 수 있는 점에서 뛰어나고 있다.
반사체의 형상은, 예를 들면 도 12에 나타나 있는 바와 같이, 반사체(91')는 평탄면을 형성함과 동시에 굴곡시켜서 일부에 경사면을 형성하고 있다. 또한 굴곡은 한군데에 한정되지 않고 복수 개소에 설치해도 개의치 않는다. 또한, 반사체의 일단을 유지하는 중앙판의 형상 등도 반사체의 형상 등에 맞춰서 개변가능하다.
반사 장치(90)는, 통 모양으로 배치된 발열체(20)의 통 모양단부에 배치하면 되고, 가열 장치(3)의 상부뿐만 아니라 하부에 형성해도 된다. 단, 하부는 보트를 이동시키기 위해서 개구하는 것이 필요하고, 또한 상부에는 배기구가 설치되어져서 온도가 저하하기 쉬운 것으로부터, 상부에 설치하는 것이 바람직하다.
반응 용기는, 균열관 및 반응관의 쌍방을 구비하는 것과 같이 설명했지만, 균열관을 구비하지 않고 반응관뿐이라도 된다. 그 외, 이중관뿐만 아니라, 1관이나 3중관 이상의 관수로 구성되어 있어도 된다.
상기 열처리는 산화 처리나 확산 처리 및 확산뿐만 아니라 이온주입 후의 캐리어 활성화나 평탄화를 위한 리플로 및 아닐링 처리 등에 한하지 않고, 성막 처리 등의 열처리라도 된다. 기판은 웨이퍼에 한하지 않고, 포토마스크나 프린트 배선기판, 액정 패널, 광디스크 및 자기디스크 등이라도 된다. 일괄식 열처리 장치 및 매엽식 열처리 장치에 한하지 않고, 히터 유닛을 구비한 반도체 제조 장치 전반에 적용할 수 있다. 상기 인너 셀(shell)(50) 및 반사체(91)의 경면처리부는, 스테인레스강의 연마에 의해 경면으로 하는 것 외에, 금, 백금 등의 귀금속에 의한 도금을 시행해도 개의치 않는다.
본 발명의 실시예는 상기한 바와 같이 구성되지만, 더욱 포괄적으로는 다음에 열거하는 것 같은 구성을 갖춰도 좋다.
본발명에 따른 가열 장치는, 가열 공간을 둘러싸는 벽체와, 상기 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와, 상기 발열체로부터의 열선을 반사하는 복수의 반사체와, 상기 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 상기 복수의 반사체를 가동시키는 가동부와, 적어도 상기 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 상기 가동부가 동작할 때에 상기 반사체의 움직임을 지축으로 하여 규제하는 복수의 지축체를 구비한다. 관계될 경우, 상기 복수의 반사체는 환상으로 배치되어 있고, 상기 가동부는 상기 환상의 중앙에서 상기 복수의 반사체에 접속되고, 상기 가동부의 동작에 의해, 상기 지축체를 지축으로 하여 상기 복수의 반사체의 가동을 조정 가능하게 구성하면 좋다.
또한 상기 복수의 반사체 간에는 간극을 형성하면 좋다. 상기 반사체는, 상기 환상의 중앙을 기초부로 한 삼각형 모양으로 형성해도 개의치 않는다. 상기 복수의 반사체는 실질적으로 원주방향으로 균등배치되어 있다.
상기 벽체는 통 모양의 측벽체와 상기 측벽체의 상단측에 배치되는 천정 벽체로 적어도 형성되어 있고, 상기 발열체는 상기 측벽체에 유지되고, 상기 가동부는 상기 천정 벽체에 유지해도 개의치 않는다. 관계될 경우, 상기 천정 벽체에는, 상기 가열 공간 내를 배기하는 배기구에 연통하는 개구가 설치되어 있고, 상기 복수의 반사체 간에 형성되어 있는 간극 중의 적어도 하나는 상기 개구에 있어서의 개구면의 지름보다 협소하다면 좋다. 상기 벽체에는, 상기 가열 공간 내를 배기하는 배기구가 설치되어 있고, 이 배기구는 상기 가동부를 중심으로 해서 원주방향으로 배치된 복수의 개구와 연통하고 있고, 상기 반사체는 삼각형모양으로 형성되어 있고, 상기삼각형상의 기초부를 중앙으로서 상기 복수의 반사체가 환상으로 간극을 형성해서 배치되어 있고, 상기 간극 중의 적어도 하나는 상기 개구에 있어서의 개구면의 지름보다 협소하다. 상기 가동부의 동작에 의해 상기 지축체를 지축으로 하여 상기 발열체에 대한 상기 복수의 반사체에 있어서의 반사면의 각도를 변화시키는 것으로 상기 열선의 반사 상태를 변화시키는 이동 기구를 구비하면 좋다. 상기 반사체는 상기 가열 공간의 중심부에서 상기 가열 공간의 가장자리부분근방까지를 덮는 크기로 만곡해서 형성되어 있으면 좋다.
또한 상기 복수의 반사체는, 상기 측벽체의 축중심 위치부터 상기 발열체가 유지되는 원주 위치에 직교하는 연직 방향 위치까지 각각 연장시켜도 개의치 않는다. 상기 반사체는, 상기 천정 벽체측이 볼록이 되도록 만곡시키면 좋다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 태양의 상기 가열 장치의 내부의 가열 공간에 내부에서 기판을 처리하는 반응 용기를 설치하고 있다. 관계될 경우, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 온도 혹은 막두께의 편차가 소정의 편차보다 클 경우에 상기 가동부를 동작시키는 제어부를 추가로 구비하여도 좋고, 상기 반응 용기 내의 기판의 가장자리부분의 온도를 검출하는 제 1 온도검출체와 상기 반응 용기 내의 기판의 중심부의 온도를 검출하는 제 2 온도검출체와의 검출 결과에 근거하여, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부의 온도편차를 구하고, 이 구한 온도편차가 소정의 편차보다 클 경우에 상기 가동부를 동작시키는 제어부를 추가로 구비해도 개의치 않는다.
또한 상기 반사체는 상기 기판의 중심부에서 상기 기판의 가장자리부분을 초과하는 크기로 만곡해서 형성하는 것이 바람직하다. 본 발명의 기판처리장치의 다른 태양은, 기판을 처리하는 반응 용기와, 이 반응 용기의 외주에 배치되어 반응 용기 내의 기판을 가열하는 가열 장치를 구비하고, 이 가열 장치는, 발열체와, 이 발열체의 열선을 반사하는 반사체를 구비하고, 이 반사체를 이동시켜서 상기 열선의 반사 상태를 변경시키기 위한 이동 기구와, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 면내 편차에 근거해 이 이동 기구를 제어하는 제어장치를 구비하는 것에 있다.
본발명에 따른 반도체장치의 제조 방법은, 가열 장치의 내부의 가열 공간에 설치되어지는 반응 용기 내에 기판을 반입하는 공정과, 상기 가열 장치는, 상기 가열 공간을 둘러싸는 벽체와, 상기 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와, 상기 발열체로부터의 열선을 반사하는 복수의 반사체와, 상기 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 상기 복수의 반사체를 가동시키는 가동부와, 적어도 상기 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 상기 가동부가 동작할 때에 상기 반사체의 움직임을 지축으로 하여 규제하는 복수의 지축체를 구비하고, 상기 발열체와 상기 복수의 반사체로부터 반사되는 열선과로 상기 반응 용기 내를 가열해 상기 기판을 처리하는 공정을 갖는다.
본 발명은, 예를 들면 반도체집적회로장치(반도체 소자)가 만들어져 넣어지는 반도체 웨이퍼에 산화 처리나 확산 처리, 이온주입 후의 캐리어 활성화나 평탄화를 위한 리플로 또는 아닐링 및 열 CVD 반응에 의한 성막 처리 등에 사용되는 기판처리장치에 이용할 수 있다.
본 발명은, 이러한 기판처리장치 중, 특히 저온영역에서의 프로세스(process)에 대하여 유효한 것이다.
도 1은 종래의 가열 장치를 채용한 처리로의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 기판처리장치의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 3은 도 2의 천정부 근방에 있어서의 횡단면도이다.
도 4는 도 2에 있어서의 A부 확대도이다.
도 5는 도 3에 있어서의 B부 확대도이다.
도 6은 도 2에 있어서의 C부 확대도이다.
도 7은 도 2에 있어서의 D부 확대도이다.
도 8은 도 2에 있어서의 천정부의 확대도이다.
도 9는 도 8에 있어서의 Ｅ-E단면도이다.
도 10은 온도상승개시 당초의 반사체의 상태의 일례를 도시한 도 2에 있어서의 Ｄ부 확대도이다.
도 11은 온도상승완료 직전의 반사체의 상태의 일례를 도시한 도 2에 있어서의 Ｄ부 확대도이다.
도 12는 본발명에 따른 기타의 실시예의 반사체형상을 도시한 도 8에 있어서의 Ｅ-E단면도이다.
[부호의 설명]
1: 기판처리장치, 3: 가열장치, 4: 주제어장치, 4a: 온도모니터부, 4b: 가열제어부, 4c: 반사제어부, 4d: 제 1 유량제어부, 4e: 압력제어부, 4f: 제이 유량제어부, 4g: 배기제어부, 4h: 구동제어부, 5a: 유량 제어기, 5b: 유량 제어기, 5x: 반응가스 도입관, (5y): 냉각가스공급라인, 6a: 압력제어기, 6x: 반응가스 배기관, 7: 냉각가스공급라인, (7a): 개폐밸브, 7b: 급냉 파이프, ７x: 흡기 어태치먼트, ７y: 냉각가스 도입 덕트, 8: 강제 배기 라인, 8a: 배기 블로고, 10: 천정부, 11: 중간부, 12: 하부, 13: 단자케이스, 14: 기도(냉각매체 유통 통로), 18: 가열공간, 20: 발열체, 20a: 절곡부, 21: 상 절반부, 22: 하 절반부, 23: 소선부, 24: 간극, 30: 현수 애자, 31: 상 애자, 32: 하 애자, 33: 상 금구, 34: 하 금구, 34a: 간극, 35: 핀, 36: 볼트, 40: 급냉 파이프, 40a: 관통공, 40b: 날밑, 40c: 날밑, 40d: 관통부, 42: 급냉 파이프, 50: 인너 셀(측벽내층), 50s: 간극, 50t: 제 1 플랜지, 50u: 단열 블랭킷, 50x: 제이 플랜지, 50y: 단열 블랭킷, 51: 접속 애자, 52: 제 1 볼트, 53: 칼라, 54: 제이 볼트, 55a: 개구(제 1 개구), 55b: 상자(격벽체), 55c: 날밑, 55x: 나사, 59: 수냉관, 60: 아우터 셀(측벽중층), 60x: 제3 플랜지, 60y: 단열 블랭킷, 61: 파이프, 61a: 개구, 62: 기둥, 62a: 리벳, 65: 개구(제이 개구), 65a: 간극, 70: 화장 패널(측벽외층), 71: 나사, 72a: 밑바닥 뚜껑, 72b: 코일 받침대, 81: 배기 도로, 81a: 배기구, 82: 제 1 개구, 83: 제이 개구, 90: 반사장치, 91: 반사체, 91a: 간극, 92: 이동 기구, 93: 축, 94: 중앙판, 95: 볼트, 99: 액추에이터, 100: 취부 구조, 101: 온도센서(온도검출기), 102: 열전대 접점(온도 검출체), 103: 보호관, 103x: 간극, 103y: 간극, 104: 애자관, 105: 안쪽 날밑, 106: 바깥쪽 날밑, 107: 애자, 108: 단자, 109a: 금속관, 109b: 고정 나사, 111: 제 1 패킷, 111a: 공, 112: 제이 패킷, 112a: 공, 120a 내지 c: 나사, 121: 온도센서(온도검출기), 125: 안쪽 날밑, 126: 바깥쪽 날밑, 127: 안쪽 상자, 128: 바깥쪽 상 자, 129: 패킷, 131: 온도센서(온도검출기), 132: 온도센서(온도검출기), 133: 보호관, 135a 내지 ｃ: 날밑, 300: 보트, 305: 웨이퍼, 308: 처리실, 309: 반응용기, 310: 반응관, 315: 균열관, 317: 균열관 안쪽 공간, 320: L형 온도센서(온도검출기), 321: 접점(온도검출체), 322: 접점(온도검출체), 330: 온도센서(온도검출기), Z1 내지 Z5: 존, H１ 내지 H3: 관통공, R: 원호 방향, V: 관통방향

Claims (18)

  1. 가열 공간을 둘러싸는 벽체와,
    상기 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와,
    상기 발열체로부터의 열선을 반사하는 복수의 반사체와,
    상기 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 상기 복수의 반사체를 가동시키는 가동부와,
    적어도 전기 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 전기 가동부가 동작할 때에 전기 반사체의 움직임을 지축으로서 규제하는 복수의 지축체
    를 구비하는 가열 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반사체는 환상으로 배치되어 있고, 상기 가동부는 상기 환상의 중앙에서 상기 복수의 반사체에 접속되고, 상기 가동부의 동작에 의해, 상기 지축체를 지축으로 하여 상기 복수의 반사체의 가동을 조정 가능하게 구성되어 있는 가열 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반사체 간에는, 간극이 형성되어 있는 가열 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 반사체는, 상기 환상의 중앙을 기초부로 한 삼각형모 양으로 형성되어 있는 가열 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 복수의 반사체는 실질적으로 원주방향으로 균등배치되어 있는 가열 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 벽체는 통 모양의 측벽체와 상기 측벽체의 상단측에 배치되는 천정 벽체로 적어도 형성되어 있고, 상기 발열체는 상기 측벽체에 유지되고, 상기 가동부는 상기 천정 벽체에 유지되어 있는 가열 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 천정 벽체에는, 상기 가열 공간 내를 배기하는 배기구에 연통하는 개구가 설치되어 있고, 상기 복수의 반사체 간에 형성되어 있는 간극 중의 적어도 하나는 상기 개구에 있어서의 개구면의 지름보다 협소한 가열 장치.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 벽체에는, 상기 가열 공간 내를 배기하는 배기구가 설치되어 있고, 이 배기구는 상기 가동부를 중심으로 해서 원주방향으로 배치된 복수의 개구와 연통하고 있고, 상기 반사체는 삼각형모양으로 형성되어 있고, 상기 삼각형상의 기초부를 중앙으로서 상기 복수의 반사체가 환상으로 간극을 형성해서 배치되어 있고, 상기간극 중의 적어도 하나는 상기 개구에 있어서의 개구면의 지름보다 협소한 가열 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 가동부의 동작에 의해 상기 지축체를 지축으로 하여 상기 발열체에 대한 상기 복수의 반사체에 있어서의 반사면의 각도를 변화시키는 것으로 상기 열선의 반사 상태를 변화시키는 이동 기구를 구비하는 가열 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 반사체는 상기 가열 공간의 중심부에서 상기 가열 공간의 가장자리부분 근방까지를 덮는 크기로 만곡해서 형성되어 있는 가열 장치.
  11. 제 6항에 있어서, 상기 복수의 반사체는, 상기 측벽체의 축중심 위치부터 상기 발열체가 유지되는 원주 위치에 직교하는 연직 방향 위치까지 각각 연장되어 있는 가열 장치.
  12. 제 6항에 있어서, 상기 반사체는, 상기 천정 벽체측이 볼록이 되도록 만곡하고 있는 가열 장치.
  13. 청구항 1 기재의 상기 가열 장치의 내부의 가열 공간에 내부에서 기판을 처리하는 반응 용기를 설치한 기판처리장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 온도 혹은 막두께의 편차가 소정의 편차보다 클 경우에 상기 가동부를 동작시키는 제어부를 추가 로 구비한 기판처리장치.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 반응 용기 내의 기판의 가장자리부분의 온도를 검출하는 제 1 온도검출체와 상기 반응 용기 내의 기판의 중심부의 온도를 검출하는 제 2 온도검출체의 검출 결과에 근거하고, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부의 온도편차를 구하고, 이 구한 온도편차가 소정의 편차보다 클 경우에 상기 가동부를 동작시키는 제어부를 추가로 구비한 기판처리장치.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 반사체는 상기 기판의 중심부에서 상기 기판의 가장자리부분을 초과하는 크기로 만곡해서 형성되어 있는 기판처리장치.
  17. 기판을 처리하는 반응 용기와, 이 반응 용기의 외주에 배치되어 반응 용기 내의 기판을 가열하는 가열 장치를 구비하고, 이 가열 장치는, 발열체와, 이 발열체의 열선을 반사하는 반사체를 구비하고, 이 반사체를 이동시켜서 상기 열선의 반사 상태를 변경시키기 위한 이동 기구와, 상기 기판의 가장자리부분과 중심부와의 면내 편차에 근거해 이 이동 기구를 제어하는 제어장치를 구비하는 기판처리장치.
  18. 가열 장치의 내부의 가열 공간에 설치되어지는 반응 용기 내에 기판을 반입하는 공정과,
    상기 가열 장치는, 상기 가열 공간을 둘러싸는 벽체와,
    상기 벽체 내부에 설치되어지는 발열체와,
    상기 발열체로부터의 열선을 반사하는 복수의 반사체와,
    상기 복수의 반사체 각각의 일단에 접속되어 상기 복수의 반사체를 가동시키는 가동부와,
    적어도 상기 복수의 반사체 각각의 일단으로부터 타단에 접속되고, 상기 가동부가 동작할 때에 상기 반사체의 움직임을 지축으로 하여 규제하는 복수의 지축체를 구비하고,
    상기 발열체와 상기 복수의 반사체로부터 반사되는 열선으로 상기 반응 용기 내를 가열해 상기 기판을 처리하는 공정
    를 갖는 반도체장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120168143A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Poole Ventura, Inc. Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger
US9296275B2 (en) * 2013-01-04 2016-03-29 Denso International America, Inc. Multi-function infrared heating device
US10375901B2 (en) 2014-12-09 2019-08-13 Mtd Products Inc Blower/vacuum
JP2021197448A (ja) * 2020-06-15 2021-12-27 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975561A (en) * 1987-06-18 1990-12-04 Epsilon Technology Inc. Heating system for substrates
JPH07321059A (ja) 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11121391A (ja) 1997-10-13 1999-04-30 Toshiba Corp 半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法
JP2002050583A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 基板加熱方法及び基板加熱装置
JP3888617B2 (ja) * 2001-11-05 2007-03-07 助川電気工業株式会社 加熱装置
JP4523225B2 (ja) 2002-09-24 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2005032883A (ja) 2003-07-09 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2006114848A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Apex Corp 紫外線照射処理装置、紫外線照射処理方法及び半導体製造装置
JP4707185B2 (ja) * 2004-12-09 2011-06-22 株式会社小糸製作所 溶着装置及び溶着方法
JP5049128B2 (ja) 2005-08-24 2012-10-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置並びにこれらを利用した半導体の製造方法及び発熱体の保持構造
US7184657B1 (en) * 2005-09-17 2007-02-27 Mattson Technology, Inc. Enhanced rapid thermal processing apparatus and method

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