KR20080110887A - 3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체광원 - Google Patents

3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체광원 Download PDF

Info

Publication number
KR20080110887A
KR20080110887A KR1020087026982A KR20087026982A KR20080110887A KR 20080110887 A KR20080110887 A KR 20080110887A KR 1020087026982 A KR1020087026982 A KR 1020087026982A KR 20087026982 A KR20087026982 A KR 20087026982A KR 20080110887 A KR20080110887 A KR 20080110887A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
light source
chip
semiconductor
cross
Prior art date
Application number
KR1020087026982A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101389196B1 (ko
Inventor
덴슨 카오
Original Assignee
카오 그룹, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 카오 그룹, 인코포레이티드 filed Critical 카오 그룹, 인코포레이티드
Publication of KR20080110887A publication Critical patent/KR20080110887A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101389196B1 publication Critical patent/KR101389196B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/02—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by the shape
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/30—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on the outer surface of cylindrical surfaces, e.g. rod-shaped supports having a circular or a polygonal cross section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

물리적 공간을 조명하기 위한 반도체 광원(100)은 다중 단면(104)을 가지는 리드 프레임(101)을 포함할 수 있다. 각 단면은 단면상에 하나 이상의 발광 반도체 장치(108)를 포함한다.

Description

3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체 광원{Semiconductor Light Source For Illuminating A Physical Space Including A 3-dimensional Lead Frame}
본 발명은 전기 조명 분야에 관한 것이며, 더 구체적으로는 조명을 제공하기 위한 3차원 내부 리드 프레임상의 발광 다이오드(LED)를 사용하는 광원에 관한 것이다.
본 출원은 2006년 4월 4일 선 출원된 미국 실용 특허 출원 번호 제11/397,323호의 CIP(Continuing-In-Part, 일부 계속) 출원이다. 이러한 모 출원은 2004년 2월 5일 출원된 미국 실용 특허 출원 제10/777,123호의 CIP이며, 현재 이는 2001년 8월 24일에 출원된 미국 특허 출원 제09/938,875호(현재 미국 특허 제6,746,885호로 특허됨)의 계속 출원이다. 이러한 특허 출원 각각은 참조문헌으로 이 명세서에 포함된다.
이 명세서에는, 물리적 공간을 조명하기 위한 광원(예를 들면 백열 전구)에 관한 내용이 포함된다. 구체적으로, 발광 다이오드(LED) 광원으로 물리적 공간을 조명하기에 충분한 빛을 발생시키는 어려움에 대해 논한다. 과거에 종종 LED 조명은, 불충분한 광 출력 때문에 액센트 조명으로서의 역할이 제한되었다. LED 출력을 증가시키는 데에는 여러 방법이 있다. 하나는 칩의 크기를 증가시키는 것이다. 다른 하나는 광원에 칩을 더 많이 사용하는 것이다.
칩 크기의 증가는 여러 문제점을 발생한다. 첫 째, 비용을 증가시키는데, 생산 프로세스가 칩 크기 증가에 따라 더 정밀해져야 하기 때문이다. 둘째로, 칩이 열 무제 때문에 낮은 발광 효율을 나타낸다. LED 칩이 확장될 때, 열 또한 비례적으로 증가한다. 많은 양의 열은 칩으로부터 쉽게 제거되지 않아, 칩의 전체 온도가 상승하고, 발광 효율이 감소한다.
종래 기술에서, 다중 LED 칩이 2 차원 플레이트 폼에 함께 집적되어 전력이 증가된다. 2 차원 어레이 내의 다중 칩 집적은 또한 큰 풋 프린트과 복잡한 생산 프로세스와 같은 문제점을 나타낸다.
이러한 설명은 소형이며 효율적인 광원을 생성하기 위해 3차원 다중-단면 리드 프레임을 사용하여 LED 광원을 만들기 위한 구조 및 프로세스에 관한 것이다.
3차원 다중-단면 리드 프레임이 소형의 효율적인 광원을 만드는데 사용된다. 이러한 또는 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 표준 나사산(screw thread) 또는 전기 패널 배선과 같은, 샤프트(shaft) 및 배선 구조를 가지는 3차원 리드 프레임을 포함한다. 나사산 구조에서, 광원이 종래 기술의 백열 전구를 대체하도록 전통적인 조명 소켓에 비틀려 끼워질 수 있다. 면 또는 단면이 그 상부에 장착된 LED에 대해 그 자체로 양극(cathode)의 역할을 하는 리드 프레임에 제공된다. 음극(anode) 캡에 확장 핀이 제공되고, 절연막에 의해 양극으로부터 분리된다. 하나 이상의 LED 칩이 리드 프레임의 선택된 단면에 배치되어 조명 호(lighting arc)를 형성한다. 조명 호는 360도까지 측정된다. 와이어는 칩의 음극을 리드 프레임(lead frame)의 음극 중심체에 연결한다. 복수의 칩이 어레이 또는 모듈에 배열될 수 있으며, 여기서 복수의 칩은 모두 개별적으로 베이스 유닛에 연결되고, 베이스 유닛은 후에 차례로 리드 프레임에 연결된다(현재 상세한 설명 및 첨부된 청구항에 사용된 "어레이"라는 용어는 복수의 어레이 및 복수의 모듈 모두를 내포한다). 리드 프레임 및 칩이 에폭시, 실리콘, 플라스틱 또는 칩으로부터 방출된 빛에 대해 광학 렌즈로 작용하는 유사한 물질로 만들어진 인캡슐화 구조물에 의해 덮인다. 이 구조물은 또한 칩과 리드 프레임에 대한 보호막의 역할을 하며, 이상적으로는 광원에 방수처리를 한다. 전체 디자인은 광원에 대한 다음과 같은 효과를 나타낸다. 즉, 360에 이르는 그리고 360도를 포함하는 호(arc) 형성하도록 빛을 방출하고, 광원이 쉽게 대체될 수 있으며 광원이 완전히 밀봉되고 방수된다.
출원인은 부피(volume)를 갖는 모든 형태가 기술적으로 3차원이며, 이는 LED로 이루어진 2차원 어레이가 장착된 플레이트를 포함할 수 있다는 것을 인식한다. 그러나, 이 출원의 목적을 위해, "3차원 리드 프레임"은 음극이 장착되는 표면을 배제한 리드 프레임의 각 표면이 본 발명의 수행시, LED 장착에 이용될 수 있는 리드 프레임을 의미하는 것으로 해석되며, 이로써 가용 표면의 입체성(3차원)을 표현한다. 포함된 모양은 대부분 원통형(원형 또는 다각형), 반구형, 구형 또는 돔형 모양이다. 플레이트가, 기술적으로 3차원이라도, 포함되지 않을 수 있다. 왜냐하면 이들이 2차원에 유용한 LED 장착 표면을 나타내기 때문이다(양쪽 표면이 사용되는 경우에도, 플레이트가 두 개의 평행한 면이다).
본 발명의 이러한 그리고 다른 특징 및 효과가 설명되거나, 이하의 상세한 설명 및 첨부된 청구항에서 더 명확해질 것이다. 이러한 특징 및 효과는 첨부된 청구항에 구체적으로 나타낸 도구 및 이들의 조합을 이용하여 구현 및 획득될 수 있다. 나아가, 본 발명의 특징 및 효과를 본 발명의 실시에 의해 알 수 있으며, 또는 이하에 설명된 바와 같이 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 본 발명의 많은 목적은, 이 명세서의 일부를 이루는 첨부된 도면을 참조하여, 다음의 상세한 설명 및 첨부된 청구항으로부터 파악할 수 있으며, 도면에서 동일한 참조 부호는 여러 도면에서 대응하는 부분을 나타낸다.
본 발명의 하나 이상의 실시예를 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 설명되거나 도면에 도시된 구성의 세부 사항 및 구성요소의 배열에 본 발명이 제한되는 것이 아님을 이해할 필요가 있다. 본 발명은 다른 실시예 및 다양한 방식으로 실시 및 수행될 수 있다. 또한, 이 명세서에 사용된 어법 및 용어는 설명을 위한 것이며, 본 발명을 제한하는 것으로 간주하여서는 안 된다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 분야의 기술자는 이 명세서의 내용이 기반한 개념이 본 발명이 여러 목적을 수행하기 위한 다른 구조, 방법 및 시스템의 디자인에 기초하여 이용될 수 있다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한, 청구항이 이러한 균등한 구성을 포함하는 것으로 간주한다.
본 발명이 온전히 이해되고 실질적인 효과를 내기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예(이에 제한되는 것은 아님)를 첨부된 도면을 참조하여, 이하에서 설명한다.
도 1은 3차원 다면 리드 프레임을 사용하여 물리적 공간을 나타내는 광원의 투시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 리드 프레임에 대한 몇몇 예시적인 모양을 나타내는 도면이다.
도 4는 3차원 다면 리드 프레임을 사용하여 선택적인 광원을 나타내는 투시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 3차원 다면 리드 프레임을 사용하여 다른 선택적인 광원을 나타내는 투시도이다.
도 7은 3차원 다면 리드 프레임을 사용하여 또 다른 선택적인 광원을 나타내는 투시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 장치를 나타내는 단면도이다.
이하에서, 첨부된 도면 및 실시예와 함께 본 발명을 상세히 설명한다.
지금부터 도면을 참조하여, 본 출원 발명의 바람직한 실시예를 이하에서 설명한다. 또한 이 명세서에 언급된 물질은 예시적이며, 모두 본 발명의 실시시 유사하게 수행될 종래 기술에 알려진 대용물을 포함한다. 이와 같이, 이하의 상세한 설명은 설명을 위한 것이며 제한을 위한 것이 아니다.
도 1은 다중 LED 칩을 수용하기 위한 다중 다면 또는 면을 가지는 3차원 리 드 프레임을 포함하는 광원(100)을 나타낸다. 3차원 리드 프레임(101)에는 샤프트(102)와 표준 나사산(103, standard screw thread)이 제공된다. 나사산 구조(threaded structure)에서, 광원이 전형적인 광 소켓으로 비틀려 삽입되어 종래 기술의 백열 전구를 대체할 수 있다. 면 또는 단면(104)이 리드 프레임(101)에 제공된다. 리드 프레임(101)은 자체적으로 LED(100)에 대한 양극(cathode)으로 작용한다. 음극의 캡(105)에는 확장 핀(106)이 제공된다. 양극 및 음극은 절연막(107)에 의해 분리된다. LED 칩108)은 리드 프레임(10)의 각 단면 상에 배치된다. 단면 또는 면마다 하나 이상의 칩이 사용될 수 있다. 와이어(109)는 칩(108)의 음극을 리드 프레임의 음극(105)에 연결하고, 와이어는 칩의 양극을 리드 프레임의 메인 몸체에 연결한다. 칩을 포함하는 리드 프레임이 에폭시 캡(120)으로 덮인다. 에폭시 캡(120, epoxy cap)은 칩으로부터 방출된 빛에 대한 광학 렌즈로 동작하고, 칩 및 리드 프레임에 대한 보호막으로 작용한다. 전체 디자인은 광원에 대해 다음과 같은 특징을 가진다. 360도에 이르며 이를 포함하는 호(arc)로 빛을 방출하며, 광원은 쉽게 대체될 수 있으며, 그리고 광원이 완전치 밀봉 및 방수된다.
도 2는 도 1에 도시된 광원의 단면(200)을 나타낸다. 리드 프레임(201)이 단면에 도시된다. 베이스(202)는 LED의 양극이고, 양극의 샤프트(203)는 나사산 연결구(threaded fitting, 204)를 연결한다. 이 실시예에서 양극의 단면 부분(205)은 베이스(202)에 거의 수직이다. 디자인 요구 사항에 근거하여, 단면이 베이스에 수직이거나 수직이 아닐 수 있다. 리드 프레임의 음의 캡(206)은 리드 프레임의 양극을 통해 확장하는 핀(207)을 가진다. 음극 및 양극이 절연 물질(208)에 의해 격리 된다. 절연 물질은 에폭시, ATO, 또는 절연 속성을 가지는 다른 물질일 수 있다. 절연막은 전기적으로 음극과 양극을 절연한다. 209와 같은 칩은 리드 프레임의 단면에 부착된다. 칩(209)이 음극(206)에 와이어(210a)를 사용하여 연결되고, 금 또는 Al 와이어(210b)를 이용하여 양극(210)에 연결된다. 칩(209)의 상부에 코팅된 광 변환 막(211)이 존재하여, 이러한 변환이 필요한 때 칩으로부터 방출된 것을 다른 색으로 변환하며, 필요하지않은 경우에는 생략된다. 리드 프레임, 음극, 양극 및 칩이 에폭시 캡(212)으로 덮인다. 에폭시 캡(212)은 광학 렌드 그리고 리드 프레임 및 칩에 대한 보호 막으로 모두 작용한다. 이러한 도면에 도시되지는 않았지만, LED 칩의 리드 프레임에 대한 연결은 서로에 대해 전기적으로 직렬 또는 병렬일 수 있으며, LED 칩이 도시된 바와 같이, 어레이 구조로 조립되거나, 이후에 리드 프레임 음극 및 양극에 부착되는 모듈로 사전-조립될 수 있다. 이러한 변형 예모두는 본 발명의 실시예로 간주한다.
도 3a-3f는 리드 프레임에 대한 예시적인 프로파일을 나타낸다. 리드 프레임의 주요 모양이 양극의 모양으로 정의된다. 음극은 양극과 동일한 모양을 가지며, 이들 모두는 바람직한 다른 모양을 가질 수 있다.
도 4는 표면 장착형 패키지(400)를 포함하는 다중 단면 광원을 나타낸다. 베이스(401)가 제공되어 열 전도체로 작용한다. 이는 전기적인 절연 물질(예를 들면, 세라믹, 플라스틱 등)로 만들어질 수 있다. 베이스(401)에 대해, 전극(402, 403)이 베이스의 일 측면에 놓이고, 전극(404, 405)은 베이스의 다른 측면에 놓인다. 음극(402, 404)은 또한 양극(403, 405)으로 회로를 완성하도록 제공될 수 있다. 전극 은 Al 또는 Au 또는 다른 합금과 같은 금속 막을 세라믹 베이스의 상부에 코팅함으로써 만들어진다. 베이스(401)의 상부에, 리드 프레임(406)의 양극(407)이 존재한다. 리드 프레임(406)의 양극(407)은 베이스(401)에 연결된다. 베이스(407)에 연결된 다중 수직 단면(408)이 존재한다. 음극 캡(409)이 절연막(410)을 사이에 두고, 양극 리드 프레임의 상부에 배치된다. 도시된 바와 같이, 칩 어레이(411)는 단면 중 하나에 놓인다. 칩 어레이는 와이어(412, 423)을 통해 양극과 음극에 연결된다. 리드 프레임 및 입이 에폭시 막(414)으로 씌워지며, 이는 캡으로 그리고 또한 광학 렌즈로 작용한다. "표면 장착되는" 점에서, 이 애플리케이션은 광원이 평평한 표면상에 장착되는 구성을 의미한다. 다양한 표면 장착 구성이 존재하며, 인쇄 회로 기판상에 광원을 배치하는 것 또는 전기 패널에 광원을 장착하는 것을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 광원이 평평한 표면에 장착될 수 있는 모든 이러한 구성이 이 용어에 포함되는 것으로 간주한다. 또한, 이러한 도시된 실시예에서, 칩 어레이(411)가 사용된다. 개별적인 칩과 어레이의 사용될 수 있다.
도 5는 도 4에 관하여 이미 논의된 바와 같은 광원(500)의 단면도를 나타낸다. 리드 프레임 양극(501)에는 베이스(502)가 제공된다. 캡(504)은 음극 핀(505)과 마찬가지로 제공된다. 절연막(506)이 양극과 음극 사이에 배치된다. LED 칩 어레이(507)는 503과 같은 프레임 단면 중 하나에 위치한다. 광학 인광 코팅막(508)이 빛의 색 변환에 사용될 수 있다. 와이어(509, 510)가 음극과 양극에 칩을 연결한다. 엑폭시 캡(511)은 전체 리드 프레임을 덮는다. LED의 기본 프로파인이 512에 도시딘다. 베이스(512)에 대한 물질이 열 전도성 및 전기 절연성을 위한 속성을 가 진다. 전극은 양극 및 음극 각각에 대해 금속 코팅막(513, 514)을 사용하여 배치된다. 리드 프레임의 양극(503)이 배선(515)을 통해 베이스의 양극(513)에 연결되고, 리드 프레임의 음극(505)이 배선(516)을 통해 베이스(514)의 음극에 연결된다.
도 6은 일 방향으로만 방출된, 즉 360도 미만의 조명 호(lighting arc)를 가지는 빛을 이용하는 다른 패키지 스타일을 나타낸다. 프레임에 소수의 단면이 존재한다. LED(600)는 베이스(601)와, 전극(602, 603, 604, 605)을 각각 가진다. 리드 프레임(606)은 일 방향으로 여러 단면으로 가지며, 칩이 이러한 단면에 배치된다. 조명되기에 바람직하기 않은 방향을 향하는 일 단면이, 이러한 구성에서 사용되지 않는다. 그러나, 리드 프레임의 모양에 따라, 상당히 많은 단면이 360도보다 작게 조명 호를 제한하도록 단면상에 장착된 LED 칩을 포함하지 않을 수 있다. 리드 프레임 및 LED 칩을 보호하기 위한 에폭시 캡(607)이 존재한다. 빛이 한 방향으로 방출될 것이다. 이러한 빛은 서로 다른 후방 조명(backlight) 애플리케이션에 대해 사용될 수 있다.
도 7은 서로 연결된 두 개의 다면 리드 프레임으로 구성된 원주 또는 바, 스타일 광원을 나타낸다. 광원(700)은 다중 단면을 가지는 두 개의 양극 리드 프레임(701, 702)을 포함한다. 하나의 음극(703)이 절연막(704)을 포함하는 양극(701)의 바로 옆에 배치된다. 칩(705)은 와이어 배선에 의해 음극 및 양극에 연결된 단면 중 하나 상에 배치된다. 이는 두 개의 절연막(708, 709)에 의해 샌드위치 된 다른 음극(706)이 프레임(701, 702) 사이에 배치된다. LED 칩(709)은 프레임(702) 내의 면 중 하나의 상부에 위치한다. 에폭시 캡(711)이 전체 리드 프레임 및 구성요 소를 덮도록 주조된다. 전극(712, 713)은 각각 음극 및 양극에 대한 리드에 따라 설정된다.
도 8은 도 7에 도시된 LED의 단면도를 나타낸다. 이 도면은 음극과 양극 사이의 장치를 보여준다. 음극에, 콘택트(801)가 존재한다. 플랫폼(802, 803)은 로드(804)에 의해 연결된다. 두 개의 접착 단면(805, 806)이 플랫폼(802, 803) 상에 각각 존재한다. 다중 단면을 가지는 두 개의 양극(807) 및 음극(808)이 배선 로드(809)를 통해 연결된다. 절연 막(810, 811)은 음극과 양극 사이의 공간을 채우는 데 사용된다. 양극에 대한 콘택트가 '812'로 표시된다. 칩(813)은 리드 프레임의 단면상에 장착된다. 선택적인 인광 코팅(814)이 파장 변환을 제공할 수 있다. 와이어(815, 816)는 칩을 음극과 양극에 연결한다. 위에 도시된 구조물 및 조립체는, 구조물 내의 셋, 넷, 다섯 또는 그 이상의 리드 프레임을 통합시킴으로써 더 긴 바 광원(bar light source)을 만드는 데 사용될 수 있다. 마찬가지로, 프레임은 이 명세서에 이전에 설명된 바와 같이, 한 방향만을 향할 수 있다.
따라서 각 단면에 부착된 LED 칩을 가지는 다중 단면 리드 프레임을 포함하는 광원이 하나의 작은 풋 프린트 패키지에 여러 칩을 집적하기 위해 제공될 수 있다. 리드 프레임에 대한 단면의 수가, 필요에 따라 무한히 'I'일 수 있다. 리드 프레임은 바람직한 방향으로 각을 이루는 단면을 포함하는 3차원 장치이다. 리드 프레임의 양극 및 음극이 절연 물질로 격리된다. 하나 이상의 LED 칩은 각 면에 부착될 수 있다. 광 변환 막이 LED 칩의 상부에 코팅되어 칩에 의해 방출된 빛의 색을 변환할 수 있다. 리드 프레임은 보호 및 광학 렌즈 모두로서, 에폭시 또는 유사한 물질로 만들어진 캡슐로 덮인다. 리드 프레임은 베이스 상의 나사산(thread)을 가지는 다이오드 타입이거나 또는 베이스 상의 전극을 포함하는 표면 장착 타입일 수 있다. 다중 단면 리드 프레임은 바 타입 광원을 형성하는 하나의 섹션 또는 여러 섹션일 수 있다. 다중 단면 리드 프레임을 가지는 백색 광원은 청색 칩의 상부에 인광을 적용함으로써 제조된다. 리드 프레임은, 칩으로부터 열을 방출시키기고 열 효과에 따른 루멘 출력의 손실을 방지하기 위해, 열 전도성 물질로 제조된다.
본 발명이 복수의 구체적인 실시예와 함께 설명 및 묘사되었으나, 본 발명이 속하는 분야의 기술자라면, 이하에 묘사, 설명 및 청구된 본 발명의 원리를 벗어나지 않는 한, 변형 및 변경을 할 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명은 발명의 사상 또는 주요한 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구현될 수 있다. 설명된 실시예는 단지 도시를 위한 것이며 제한하기 위한 것이 아니다. 청구항과 균등한 의미 및 범위 내에서 이루어진 모든 변경이 청구항의 범위에 포용된다. 이 명세서에 게시된 구체적인 실시예에 대하여 제한하고자 하거나 이를 의미하는 것이 아니다.
본 발명은 고체 기술 및 향상된 기하학을 이용하여 소형이며 효율적인 광원을 제공한다. 제조 기술은, LED를 장착하기 위해 구성된 다중 단면 리드 프렘을 제외하고, 유사한 광원을 제조하는데 현재 사용되는 기술과 유사하다. 이와 같이, 더 많은 LED가 종래 기술에 따른 장치에 비해 더 작은 부피에 장착될 수 있고, 이에 따라 더 많은 조명을 제공할 수 있다.

Claims (24)

  1. 물리적 공간을 조명하는 반도체 광원에 있어서, 상기 반도체 광원은:
    a. 3차원 리드 프레임;
    b. 상기 3차원 리드 프레임은, 상기 3차원 리드 프레임에 장착된 반도체 칩으로부터 열을 방출하기 위해 열 전도성 물질로 만들어지는 것이 특징이며;
    c. 상기 리드 프레임 상에 배치된 복수의 단면으로서, 상기 단면은 서로 다른 방향으로 배치되고 그리고 그 상부에 위치한 발광 반도체 칩의 장치를 수용하는 것이 특징인 상기 복수의 단면;
    d.상기 단면에 장착되는 복수의 발광 반도체 칩
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 상에, 음극으로 작용하는 캡을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 상에, 양극으로 작용하는 베이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 음극과 양극 사이에 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 칩을 음극과 양극에 연결하는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 및 칩을 덮는 인캡슐화 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인캡슐화 구조물은 상기 칩에 의해 방출된 빛에 대해 광학 렌즈로 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 인캡슐화 구조물은 실리콘, 에폭시 및 플라스틱으로 구성된 물질 중에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 인캡슐화 구조물은 상기 칩에 의해 방출된 빛에 대해 광학 렌즈로 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩에 의해 방출된 빛을 백색광으로 변환하기 위한 광 변환 막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 광 변환 막은 인광 막인 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 하나 이상의 단면에 장착된 하나 이상의 발광 반도체 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩 중 둘 이상이, 상기 리드 프레임에 연결된 반도체 칩의 어레이에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원이 360도의 호를 가로질러 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 360도보다 작은 호를 가로질러 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 호는 상기 광원이 한 방향으로 빛을 방출하도록 정의되는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  17. 제 1 항에 있어서,
    전원을 연결하기 위한 구조물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 전원을 연결하기 위한 구조물이 광 소켓에 부착하기 위한 기계적 수단을 포함하는 베이스인 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 전원을 연결하기 위한 구조물이 상기 광원을 표면에 장착하기 위한 구조물인 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  20. 물리적 공간을 조명하기 위한 반도체 광원에 있어서, 상기 광원은 :
    a. 3차원 리드 프레임
    b. 상기 3차원 리드 프레임에 부착된 제 2 리드 프레임;
    c. 상기 3차원 리드 프레임은 상기 3차원 리드 프레임에 장착된 반도체 칩으로부터 열을 방출하기 위해 열 전도성 물질로 만들어지는 것이 특징이고;
    d. 상기 3차원 리드 프레임에 위치한 복수의 단면으로서, 상기 단면은 그 상부에 발광 반도체 칩의 장치를 수용하도록 구성되는 것이 특징인 상기 복수의 단면; 그리고
    e. 상기 리드 프레임의 상기 복수의 단면상에 각각 장착된 하나 이상의 복수의 발광 반도체 칩
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 서로에 대해 바 조명(bar light)을 형성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 바 조명 상부로 인캡슐화 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 구조물에 연결된 복수의 단면을 포함하고, 일 단면상의 하나 이상의 LED 칩을 가지는 하나 이상의 다른 리드 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 둘 이상의 반도체 칩은 상기 리드 프레임에 부착된 반도체 칩의 어레이에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 광원.
KR1020087026982A 2006-04-04 2007-04-04 3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체광원 KR101389196B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/397,323 US7728345B2 (en) 2001-08-24 2006-04-04 Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
US11/397,323 2006-04-04
PCT/US2007/065995 WO2007115322A2 (en) 2006-04-04 2007-04-04 Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080110887A true KR20080110887A (ko) 2008-12-19
KR101389196B1 KR101389196B1 (ko) 2014-04-24

Family

ID=38564323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087026982A KR101389196B1 (ko) 2006-04-04 2007-04-04 3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체광원

Country Status (7)

Country Link
US (6) US7728345B2 (ko)
EP (1) EP2005490B1 (ko)
JP (1) JP5520426B2 (ko)
KR (1) KR101389196B1 (ko)
CN (1) CN101454910B (ko)
AU (1) AU2007234351B2 (ko)
WO (1) WO2007115322A2 (ko)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
US7728345B2 (en) 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
US7182597B2 (en) 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
US8113830B2 (en) 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
EP1977456A4 (en) * 2005-12-29 2014-03-05 Lam Chiang Lim HIGH POWER LIGHT EMITTING DIODE HOUSING FIXED REMOVABLE TO A HEAT SINK
KR100799864B1 (ko) * 2006-04-21 2008-01-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7600890B2 (en) * 2006-09-12 2009-10-13 Osram Sylvania Inc. Illuminated sign and light source for use with said sign
TWM310457U (en) * 2006-10-25 2007-04-21 Polytronics Technology Corp Light emitting diode module and apparatus thereof
DE102006061020B3 (de) * 2006-12-22 2008-05-21 KÜGLER, Christoph LED-Leuchtmittel mit omnidirektionaler Lichtabstrahlung und optimierter Wärmeableitung
TWM320034U (en) * 2007-05-04 2007-10-01 Polytronics Technology Corp LED apparatus
EP2077414A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-08 Albert Stekelenburg LED bulb with an enlarged irradiation range by arranging LED elements in three-dimension
DE102008019612A1 (de) * 2008-04-18 2009-10-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
GB2462815A (en) * 2008-08-18 2010-02-24 Sensitive Electronic Co Ltd Light emitting diode lamp
US8143769B2 (en) * 2008-09-08 2012-03-27 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) lighting device
CN201319376Y (zh) * 2008-12-12 2009-09-30 鑫谷光电股份有限公司 一种功率型发光二极管
JP5266075B2 (ja) * 2009-01-26 2013-08-21 パナソニック株式会社 電球形照明装置
KR20110117090A (ko) * 2009-02-17 2011-10-26 카오 그룹, 인코포레이티드 공간 조명을 위한 ｌｅｄ 광 전구
KR101072143B1 (ko) * 2009-02-20 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20110131280A (ko) * 2009-03-12 2011-12-06 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치 및 조명기구
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US20110110071A1 (en) * 2009-09-03 2011-05-12 The Brinkman Corporation Radial light-emitting diode lamp in flat printed circuit board form factor
CN101691912A (zh) * 2009-09-14 2010-04-07 重庆耀辉电工电器有限责任公司 一种立体发光的led光源以及封装方法
CN101707197B (zh) * 2009-09-23 2013-09-18 东莞市莱硕光电科技有限公司 全方位发光led器件
US20130223082A1 (en) * 2009-09-27 2013-08-29 Dongguan Light Source Opto Tech Co., Ltd. Led device for three-dimensional illumination
US20110073886A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Han-Ming Lee LED multi-side light source bracket
CN101832482A (zh) * 2009-12-16 2010-09-15 张旭 大角度led光源和大角度高散热led照明灯
KR101039881B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
CN101813267B (zh) * 2009-12-23 2015-10-07 深圳市汇能环保科技有限公司 一种led路灯和led路灯显示系统
CN102668338A (zh) * 2010-01-28 2012-09-12 株式会社安川电机 旋转电机
JP5327096B2 (ja) * 2010-02-23 2013-10-30 東芝ライテック株式会社 口金付ランプおよび照明器具
JP5719614B2 (ja) * 2010-03-08 2015-05-20 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明装置
WO2011109948A1 (zh) * 2010-03-12 2011-09-15 浙江金谷包装印刷有限公司 一种功率型发光二极管
CN101839410B (zh) * 2010-04-15 2012-05-09 北京朗波尔光电股份有限公司 空间全方位发光led
JP2011228300A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Chang Wook 大角度ｌｅｄ光源及び大角度高放熱性ｌｅｄ照明灯
KR101073927B1 (ko) * 2010-06-23 2011-10-17 엘지전자 주식회사 조명장치
CN101943340A (zh) * 2010-08-01 2011-01-12 苏州佳世达电通有限公司 照明装置
TWI469404B (zh) * 2010-11-17 2015-01-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體模組
TWI422776B (zh) * 2010-12-15 2014-01-11 Cal Comp Electronics & Comm Co 發光裝置
CN102096275A (zh) * 2010-12-21 2011-06-15 周志坚 一种多面体红外、紫外发射led夜视摄像头
JP5281665B2 (ja) * 2011-02-28 2013-09-04 株式会社東芝 照明装置
US20120224371A1 (en) * 2011-03-02 2012-09-06 Kinpo Electronics, Inc. Lighting apparatus
US8888331B2 (en) 2011-05-09 2014-11-18 Microsoft Corporation Low inductance light source module
JP5551322B2 (ja) * 2011-09-20 2014-07-16 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
KR20130058350A (ko) * 2011-11-25 2013-06-04 삼성전자주식회사 자동차 램프용 발광소자 모듈
US20150276198A1 (en) * 2012-10-19 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and structure for attaching light-emitting apparatus to heat sink
CN103855141A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管元件、发光二极管模块及发光二极管元件的制作方法
US8882310B2 (en) 2012-12-10 2014-11-11 Microsoft Corporation Laser die light source module with low inductance
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102325502B1 (ko) * 2013-06-28 2021-11-15 서울반도체 주식회사 조명 장치
WO2014209055A1 (ko) * 2013-06-28 2014-12-31 서울반도체 주식회사 조명 장치
EP3014657B1 (en) * 2013-06-28 2018-04-25 Lumileds Holding B.V. Led dies bonded to lead frame strips
TWM473612U (zh) * 2013-10-25 2014-03-01 Unity Opto Technology Co Ltd 發光二極體支架及其泡燈
JP2016534816A (ja) 2013-11-01 2016-11-10 レンスゲン、インコーポレイテッド ２部分調節性眼内レンズデバイス
EP3101337A4 (en) * 2014-01-27 2016-12-28 Shanghai Sansi Electr Eng Co Ltd LED LIGHTING APPARATUS
CN103791439B (zh) * 2014-01-27 2015-05-06 上海三思电子工程有限公司 新型led照明装置
TW201600790A (zh) * 2014-06-27 2016-01-01 Formosa Optronics Co Ltd 全周光球泡型燈具
JP6839701B2 (ja) * 2015-09-04 2021-03-10 シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． 可撓性回路ストリップを支持体に巻き付けた照明装置
RU187099U1 (ru) * 2018-11-06 2019-02-19 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения" Широкоугольный светодиодный светильник
CN110931621B (zh) * 2019-12-06 2020-10-30 马鞍山三投光电科技有限公司 一种用于交通信号灯上的发光二极管
CN111370554A (zh) * 2020-04-03 2020-07-03 唐丙旭 一种发光二极管及其制造方法
EP4295405A1 (en) * 2021-02-16 2023-12-27 Lumileds LLC Method for manufacturing light emitting elements, light emitting element, lighting device and automotive headlamp
US20240130022A1 (en) * 2021-09-29 2024-04-18 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Led filament and light bulb using led filament

Family Cites Families (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1151377A (en) 1915-03-24 1915-08-24 Arthur Douglas Nash Light unit.
US3581162A (en) * 1969-07-01 1971-05-25 Rca Corp Optical semiconductor device
JPS54102886A (en) * 1978-01-31 1979-08-13 Futaba Denshi Kogyo Kk Light emitting diode indicator
US4240090A (en) * 1978-06-14 1980-12-16 Rca Corporation Electroluminescent semiconductor device with fiber-optic face plate
US4394679A (en) * 1980-09-15 1983-07-19 Rca Corporation Light emitting device with a continuous layer of copper covering the entire header
US4675575A (en) * 1984-07-13 1987-06-23 E & G Enterprises Light-emitting diode assemblies and systems therefore
JPS6132483A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Kimura Denki Kk Ｌｅｄを用いた球状発光体
JPH0416447Y2 (ko) * 1985-07-22 1992-04-13
US4674011A (en) * 1986-09-10 1987-06-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Alignment reference device
JPS63198086A (ja) * 1987-02-13 1988-08-16 Minolta Camera Co Ltd 現像装置
JPH0779161B2 (ja) * 1987-11-17 1995-08-23 三洋電機株式会社 電荷転送レジスタ
US5055892A (en) * 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
US5204871A (en) * 1990-03-29 1993-04-20 Larkins Eric C Bistable optical laser based on a heterostructure pnpn thyristor
US5174646A (en) * 1990-12-06 1992-12-29 The Regents Of The University Of California Heat transfer assembly for a fluorescent lamp and fixture
US5160200A (en) * 1991-03-06 1992-11-03 R & D Molded Products, Inc. Wedge-base LED bulb housing
GB2270199B (en) * 1992-08-25 1995-05-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd Semiconductor light emitting element
US5655830A (en) * 1993-12-01 1997-08-12 General Signal Corporation Lighting device
US5463280A (en) * 1994-03-03 1995-10-31 National Service Industries, Inc. Light emitting diode retrofit lamp
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
US5595438A (en) * 1995-03-16 1997-01-21 Burd David M Reflective hybrid lamp assembly
US5721430A (en) * 1995-04-13 1998-02-24 Engelhard Sensor Technologies Inc. Passive and active infrared analysis gas sensors and applicable multichannel detector assembles
US5575459A (en) * 1995-04-27 1996-11-19 Uniglo Canada Inc. Light emitting diode lamp
US5765940A (en) * 1995-10-31 1998-06-16 Dialight Corporation LED-illuminated stop/tail lamp assembly
US5707139A (en) * 1995-11-01 1998-01-13 Hewlett-Packard Company Vertical cavity surface emitting laser arrays for illumination
US5688042A (en) * 1995-11-17 1997-11-18 Lumacell, Inc. LED lamp
US6238077B1 (en) 1996-01-23 2001-05-29 Advanced Optical Technologies, L.L.C. Apparatus for projecting electromagnetic radiation with a tailored intensity distribution
US5806965A (en) * 1996-01-30 1998-09-15 R&M Deese, Inc. LED beacon light
US5890794A (en) * 1996-04-03 1999-04-06 Abtahi; Homayoon Lighting units
JP2909023B2 (ja) * 1996-05-01 1999-06-23 日吉電子株式会社 長尺発光装置
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6045240A (en) * 1996-06-27 2000-04-04 Relume Corporation LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US6015979A (en) * 1997-08-29 2000-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same
US5947588A (en) 1997-10-06 1999-09-07 Grand General Accessories Manufacturing Inc. Light fixture with an LED light bulb having a conventional connection post
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6036336A (en) * 1998-05-08 2000-03-14 Wu; Chen H. Light emitting diode retrofitting lamps for illuminated traffic signs
US6504180B1 (en) * 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
DE69936375T2 (de) * 1998-09-17 2008-02-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-leuchte
US5941631A (en) * 1998-10-29 1999-08-24 Bright Yin Huey Co., Ltd. Pendent lamp structure
US6149283A (en) * 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
JP2000183407A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP2000277844A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電気光変換装置
JP3458823B2 (ja) * 1999-05-11 2003-10-20 日亜化学工業株式会社 面発光装置
US6786625B2 (en) 1999-05-24 2004-09-07 Jam Strait, Inc. LED light module for vehicles
US6502952B1 (en) * 1999-06-23 2003-01-07 Fred Jack Hartley Light emitting diode assembly for flashlights
US6953340B2 (en) 1999-09-24 2005-10-11 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having a detachable light module containing a heat sink and a semiconductor chip
US7077648B2 (en) 1999-09-24 2006-07-18 Cao Group, Inc. Curing light
US6755649B2 (en) 1999-09-24 2004-06-29 Cao Group, Inc. Curing light
US20040120146A1 (en) 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc Forensic light kit using semiconductor light source
US6971875B2 (en) 1999-09-24 2005-12-06 Cao Group, Inc. Dental curing light
US6988891B2 (en) 1999-09-24 2006-01-24 Cao Group, Inc. Curing light
US6824294B2 (en) 1999-09-24 2004-11-30 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of chips mounted in a gross well of a heat sink, and a dome covering the chips
US6755648B2 (en) 1999-09-24 2004-06-29 Cao Group, Inc. Curing light
US6719559B2 (en) 1999-09-24 2004-04-13 Densen Cao Curing light
US7094054B2 (en) 1999-09-24 2006-08-22 Cao Group, Inc. Dental curing light
US7066732B2 (en) 1999-09-24 2006-06-27 Cao Group, Inc. Method for curing light-curable materials
US6974319B2 (en) 1999-09-24 2005-12-13 Cao Group, Inc. Curing light
US6979193B2 (en) 1999-09-24 2005-12-27 Cao Group, Inc. Curing light
US7252678B2 (en) 1999-09-24 2007-08-07 Ostler Calvin D Forensic light using semiconductor light source
US6910886B2 (en) 1999-09-24 2005-06-28 Cao Group, Inc. Curing light
US7086858B2 (en) 1999-09-24 2006-08-08 Cao Group, Inc. Semiconductor curing light system useful for curing light activated composite materials
US7267457B2 (en) 1999-09-24 2007-09-11 Cao Group, Inc. Method for detecting forensic evidence
US7294364B2 (en) 1999-09-24 2007-11-13 Cao Group, Inc. Method for curing composite materials
US20030060013A1 (en) 1999-09-24 2003-03-27 Bruce D. Marchant Method of manufacturing trench field effect transistors with trenched heavy body
US6981867B2 (en) 1999-09-24 2006-01-03 Cao Group, Inc. Curing light
US7283230B2 (en) 1999-09-24 2007-10-16 Cao Group, Inc Semiconductor forensic light kit
US6954270B2 (en) 2002-12-20 2005-10-11 Cao Group, Inc. Method for detecting forensic evidence
US6783362B2 (en) 1999-09-24 2004-08-31 Cao Group, Inc. Dental curing light using primary and secondary heat sink combination
US6971876B2 (en) 1999-09-24 2005-12-06 Cao Group, Inc. Curing light
US6932600B2 (en) 1999-09-24 2005-08-23 Cao Group, Inc. Curing light
US6719558B2 (en) 1999-09-24 2004-04-13 Densen Cao Curing light
US6929472B2 (en) 1999-09-24 2005-08-16 Cao Group, Inc. Curing light
US6926524B2 (en) 1999-09-24 2005-08-09 Cao Group, Inc. Curing light
US6331111B1 (en) 1999-09-24 2001-12-18 Cao Group, Inc. Curing light system useful for curing light activated composite materials
US6780010B2 (en) 1999-09-24 2004-08-24 Cao Group, Inc. Curing light
US6988890B2 (en) 1999-09-24 2006-01-24 Cao Group, Inc. Curing light
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
TW512214B (en) * 2000-01-07 2002-12-01 Koninkl Philips Electronics Nv Luminaire
US6492725B1 (en) * 2000-02-04 2002-12-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Concentrically leaded power semiconductor device package
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6700158B1 (en) 2000-08-18 2004-03-02 Fairchild Semiconductor Corporation Trench corner protection for trench MOSFET
US6580228B1 (en) * 2000-08-22 2003-06-17 Light Sciences Corporation Flexible substrate mounted solid-state light sources for use in line current lamp sockets
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US6561680B1 (en) * 2000-11-14 2003-05-13 Kelvin Shih Light emitting diode with thermally conductive structure
JP2002208736A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 発光装置
US6498108B2 (en) 2001-02-12 2002-12-24 Fairchild Semiconductor Corporation Method for removing surface contamination on semiconductor substrates
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
US6402338B1 (en) 2001-04-05 2002-06-11 Mitzel Machining Inc. Enclosure illumination system
US6799967B2 (en) 2001-07-10 2004-10-05 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of light emitting single chip arrays
US7108504B2 (en) 2001-07-10 2006-09-19 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having insulators and an air jacket
US6558021B2 (en) * 2001-08-10 2003-05-06 Leotek Electronics Corporation Light emitting diode modules for illuminated signs
JP4076329B2 (ja) * 2001-08-13 2008-04-16 エイテックス株式会社 Ｌｅｄ電球
US7224001B2 (en) 2001-08-24 2007-05-29 Densen Cao Semiconductor light source
US20040256630A1 (en) 2001-08-24 2004-12-23 Densen Cao Illuminating light
US8569785B2 (en) 2001-08-24 2013-10-29 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
US7976211B2 (en) 2001-08-24 2011-07-12 Densen Cao Light bulb utilizing a replaceable LED light source
US6634770B2 (en) 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Light source using semiconductor devices mounted on a heat sink
US6719446B2 (en) 2001-08-24 2004-04-13 Densen Cao Semiconductor light source for providing visible light to illuminate a physical space
US6634771B2 (en) * 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Semiconductor light source using a primary and secondary heat sink combination
US6465961B1 (en) 2001-08-24 2002-10-15 Cao Group, Inc. Semiconductor light source using a heat sink with a plurality of panels
US7728345B2 (en) 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
US6746885B2 (en) 2001-08-24 2004-06-08 Densen Cao Method for making a semiconductor light source
US8201985B2 (en) 2001-08-24 2012-06-19 Cao Group, Inc. Light bulb utilizing a replaceable LED light source
US6866401B2 (en) * 2001-12-21 2005-03-15 General Electric Company Zoomable spot module
US6682211B2 (en) * 2001-09-28 2004-01-27 Osram Sylvania Inc. Replaceable LED lamp capsule
US6715900B2 (en) * 2002-05-17 2004-04-06 A L Lightech, Inc. Light source arrangement
US6815241B2 (en) 2002-09-25 2004-11-09 Cao Group, Inc. GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture
JP4360595B2 (ja) * 2002-10-18 2009-11-11 ペルノックス株式会社 光電変換装置
US20040095738A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Der-Ming Juang Base plate for a light emitting diode chip
US6840654B2 (en) 2002-11-20 2005-01-11 Acolyte Technologies Corp. LED light and reflector
US20040120151A1 (en) 2002-12-20 2004-06-24 Cao Group, Inc. Forensic light using semiconductor light source
US20090155740A1 (en) 2004-08-06 2009-06-18 Cao Group, Inc. Ultrasonic Dental Treatment System
US20080311545A1 (en) 2004-08-06 2008-12-18 Cao Group, Inc. Systems and Methods for Utilizing Ultrasonic Energy to Activate Tooth Whitening Substances
US20050074723A1 (en) 2003-03-10 2005-04-07 Ostler Calvin D. Systems and methods for utilizing ultrasonic energy to activate tooth whitening substances
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
US6974233B1 (en) * 2003-05-29 2005-12-13 Truman Aubrey Fluorescent lighting fixture assemblies
US20050002975A1 (en) 2003-06-06 2005-01-06 Densen Cao Structures and methods for delivering topical compositions
US20040264196A1 (en) * 2003-06-30 2004-12-30 Kuo-Fen Shu LED spotlight (type I)
US6921181B2 (en) * 2003-07-07 2005-07-26 Mei-Feng Yen Flashlight with heat-dissipation device
US6982518B2 (en) * 2003-10-01 2006-01-03 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light
US6948829B2 (en) * 2004-01-28 2005-09-27 Dialight Corporation Light emitting diode (LED) light bulbs
US20050174801A1 (en) 2004-02-05 2005-08-11 Densen Cao Backlight
US20050174753A1 (en) 2004-02-06 2005-08-11 Densen Cao Mining light
KR200350484Y1 (ko) * 2004-02-06 2004-05-13 주식회사 대진디엠피 콘상 엘이디 조명등
US7530808B2 (en) 2004-03-10 2009-05-12 Cao Group, Inc Binary dental bleaching using switch-closable double barrel syringe
US20050243550A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Albert Stekelenburg LED bulb
TWI257991B (en) * 2004-05-12 2006-07-11 Kun-Lieh Huang Lighting device with auxiliary heat dissipation functions
KR100593919B1 (ko) * 2004-07-01 2006-06-30 삼성전기주식회사 차량 전조등용 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 차량전조등
US7271420B2 (en) 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
US20070170444A1 (en) 2004-07-07 2007-07-26 Cao Group, Inc. Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same
US20090011385A1 (en) 2004-08-06 2009-01-08 Cao Group, Inc. Non-invasive method for treating periodontal disease
US7658510B2 (en) * 2004-08-18 2010-02-09 Remco Solid State Lighting Inc. System and method for power control in a LED luminaire
JP2006080391A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Koha Co Ltd 発光装置
US7485116B2 (en) 2004-09-22 2009-02-03 Densen Cao Laser systems, with a fiber storage and dispensing unit, useful in medicine and dentistry
US8834457B2 (en) 2004-09-22 2014-09-16 Cao Group, Inc. Modular surgical laser systems
US20080086117A1 (en) 2004-09-22 2008-04-10 Cao Group, Inc. Modular Surgical Laser Systems
US8337097B2 (en) 2004-09-22 2012-12-25 Densen Cao Modular surgical laser systems
DE102005028748A1 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
US20060092637A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Peter Yeh LED illumination module
US20060095095A1 (en) 2004-11-03 2006-05-04 Cao Group, Inc. Cancer treatment using laser
JP2006186158A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Sharp Corp 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
US7226189B2 (en) 2005-04-15 2007-06-05 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Light emitting diode illumination apparatus
US20060271068A1 (en) 2005-04-25 2006-11-30 Cao Group, Inc. Flexible tips for delivering materials and guiding fibers
US20060274529A1 (en) 2005-06-01 2006-12-07 Cao Group, Inc. LED light bulb
US20060275733A1 (en) 2005-06-01 2006-12-07 Cao Group, Inc. Three-dimensional curing light
US20060275732A1 (en) 2005-06-01 2006-12-07 Cao Group, Inc. Curing light
US8998616B2 (en) 2005-06-10 2015-04-07 Cao Group, Inc. Laser curettage
US20070265607A1 (en) 2005-08-23 2007-11-15 Densen Cao Cancer treatment using low energy lasers
US20100004640A1 (en) 2005-08-23 2010-01-07 Cao Group, Inc. Cancer Treatment Using Lasers
US20080071256A1 (en) 2005-08-23 2008-03-20 Densen Cao Cancer treatment using low energy lasers
JP4582791B2 (ja) * 2005-08-24 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ光源前照灯
TWI266428B (en) * 2005-08-30 2006-11-11 Quarton Inc Semiconductor chip package and application device thereof
US7196358B1 (en) * 2005-11-25 2007-03-27 Solidlite Corporation Light emitting diode module with high heat dissipation
JP2007165803A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Sharp Corp 発光装置
US20070159828A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Ceramate Technical Co., Ltd. Vertical LED lamp with a 360-degree radiation and a high cooling efficiency
US9295619B2 (en) 2006-02-08 2016-03-29 Cao Group, Inc. Dental treatment compositions and conformable dental treatment trays using the same
US20070225658A1 (en) 2006-03-21 2007-09-27 Jensen Steven D Unit Dose Delivery Systems
US7549772B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-23 Pyroswift Holding Co., Limited LED lamp conducting structure with plate-type heat pipe
US20070253202A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Chaun-Choung Technology Corp. LED lamp and heat-dissipating structure thereof
US20080080184A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 Cao Group Inc. Pixilated LED Light Source for Channel Letter Illumination
US7645086B2 (en) 2006-12-06 2010-01-12 Cao Group, Inc. Delivery tip for flowable materials
US20080197374A1 (en) * 2007-02-15 2008-08-21 Wen-Kung Sung High-power light-emitting diode
US7588351B2 (en) * 2007-09-27 2009-09-15 Osram Sylvania Inc. LED lamp with heat sink optic
US20090227875A1 (en) 2008-03-04 2009-09-10 Cao Group, Inc. Three-dimensional Imaging System
US20100173267A1 (en) 2009-01-06 2010-07-08 Cao Group, Inc. Method for producing restorative tooth preparation and treatment compositions and product
KR20110117090A (ko) 2009-02-17 2011-10-26 카오 그룹, 인코포레이티드 공간 조명을 위한 ｌｅｄ 광 전구
US8220115B2 (en) 2009-04-01 2012-07-17 Nichols Jack R Holder for handpiece devices
US20100254657A1 (en) 2009-04-01 2010-10-07 Cao Group, Inc. Attenuator coupling for laser systems
BR112012005879B1 (pt) 2009-09-18 2020-01-14 Cao Group Inc sistema e método de embalagem
US20110111373A1 (en) 2009-11-12 2011-05-12 Cao Group, Inc. Full Arch Dental Treatment Devices and Systems
US20110236322A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Cao Group, Inc. Oral ph and buffering capacity modifiers
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
US20140043814A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and lighting system
KR20140100325A (ko) * 2013-02-06 2014-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
US7728345B2 (en) 2010-06-01
US7786499B2 (en) 2010-08-31
EP2005490B1 (en) 2013-12-04
US20100224905A1 (en) 2010-09-09
US8723212B2 (en) 2014-05-13
US20130234174A1 (en) 2013-09-12
WO2007115322A3 (en) 2008-09-25
AU2007234351B2 (en) 2010-03-25
EP2005490A2 (en) 2008-12-24
JP2009545861A (ja) 2009-12-24
KR101389196B1 (ko) 2014-04-24
US20170352792A1 (en) 2017-12-07
US20180375006A1 (en) 2018-12-27
US10096759B2 (en) 2018-10-09
EP2005490A4 (en) 2012-01-25
US20080111150A1 (en) 2008-05-15
AU2007234351A1 (en) 2007-10-11
CN101454910A (zh) 2009-06-10
WO2007115322A2 (en) 2007-10-11
US20060214179A1 (en) 2006-09-28
US9761775B2 (en) 2017-09-12
CN101454910B (zh) 2013-05-01
US10516086B2 (en) 2019-12-24
JP5520426B2 (ja) 2014-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101389196B1 (ko) 3차원 리드 프레임을 포함하는, 물리적 공간 조명용 반도체광원
US7736020B2 (en) Illumination device and method of making the device
US8569785B2 (en) Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
EP3152477B1 (en) Leds mounted on curved lead frame
US9964283B2 (en) LED module having a lens with a hollow and light fixture with the same
US20240167640A1 (en) Lighting apparatus
JP2007214522A (ja) 光源装置及びこれを用いた照明装置
JP2008118115A (ja) コンパクトな高輝度ｌｅｄ系光源および当該光源を作製するための方法
US20090321768A1 (en) Led
US9269875B2 (en) Light emitter
US8791482B2 (en) Light emitting device package
KR101091394B1 (ko) 조명 장치
KR20080082295A (ko) Ｌｅｄ 소자를 금속 기판에 실장하는 방법 및 실장한 금속기판
KR20070096466A (ko) 파워 ｌｅｄ 모듈 및 그 제조방법
KR20130094973A (ko) 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170317

Year of fee payment: 4