KR20080104986A - 도포·현상 장치 및 도포·현상 장치의 운전 방법 및 기억매체 - Google Patents

Abstract

액침 노광에 적용되는 도포·현상 장치에 있어서, 적정하게 보호막이 도포되어 있지 않은 기판에 대해 정상적인 기판의 처리 효율에 악영향을 미치는 일 없이 회수할 수 있고, 또한 보호막의 제거 작업의 간편화를 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 도포·현상 장치에서는, 액침 노광에 대한 보호막의 도포가 적정하게 행해지지 않은 이상 기판에 대해서는, 노광부로 반입시키지 않고 대기 모듈에서 대기시키고, 순번이 하나 앞인 기판이 노광부로부터 반출되어 지정 모듈, 예를 들어 현상 전의 가열 모듈로 반입된 후, 상기 이상 기판을 상기 지정 모듈로 반입하도록 하여, 이른바 스케줄 반송에는 영향을 미치지 않도록 하는 동시에, 이상 기판에 대해서도 보호막 제거 유닛에 있어서의 처리를 실행하도록 제어한다.

가열 모듈, 보호막, 기판, 현상 장치, 웨이퍼

Description

도포·현상 장치 및 도포·현상 장치의 운전 방법 및 기억 매체 {COATING-DEVELOPING APPARATUS, OPERATIONAL METHOD FOR COATING-DEVELOPING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판의 표면에 레지스트액을 도포하고, 액침 노광 후의 기판을 현상하여 레지스트 패턴을 얻는 기술 분야에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 LCD 제조 프로세스에 있어서의 레지스트 패턴의 형성은, 일반적으로 레지스트액의 도포 및 현상을 행하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다. 이 시스템에 있어서 이용되는 노광 기술로서, 기판의 표면에 광을 투과시키는 액층을 형성한 상태에서 노광하는 방법(이하, 「액침 노광」이라 함)이 있다. 이 액침 노광에 있어서는, 도10에 도시하는 바와 같이 주위에 공급구(11) 및 흡인구(12)를 갖고, 중앙부에 렌즈(10)를 구비한 노광 수단(1)을 이용하여 공급구(11)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 공급하고, 이 순수를 흡인구(12)에 의해 회수함으로써 렌즈(10)와 웨이퍼(W)의 표면 사이에 액막(순수막)을 형성한 상태에서 광을 조사하고, 노광 수단(1)을 횡방향으로 슬라이드 이동시킴으로써 웨이퍼(W)의 표면에 소정의 회로 패턴을 순차 전사(轉寫)시키고 있 다.

상술한 액침 노광을 행함에 있어서, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포한 후 액침 노광을 행하기 전에, 레지스트의 용출을 억제하는 동시에 액침 노광시의 레지스트를 웨이퍼(W) 표면에 거의 남기지 않도록 하기 위해 도포·현상 장치에 내장된 보호막 도포 모듈에서 웨이퍼(W)의 표면에 발수성 보호막을 형성하고 있다. 또한, 이 보호막은 액침 노광이 종료된 후 레지스트액의 현상을 행하기 전에 도포·현상 장치에 내장된 보호막 제거 모듈에서 제거된다(특허 문헌 1).

그런데, 상기 시스템에서는 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성한 후 액침 노광을 행하기 전에, 웨이퍼의 표면 전체에 보호막이 적정하게 도포되어 있는지를 검사하기 위한 검사 모듈이 도포·현상 장치에 내장되어 있다. 이 검사 모듈에서 웨이퍼의 표면을 검사한 결과, 웨이퍼의 표면에 보호막이 적정하게 도포되어 있지 않은 경우, 예를 들어 웨이퍼의 전체면에 보호막이 형성되어 있지만 웨이퍼의 에지까지 보호막이 말려 들어가 버리는 경우나 웨이퍼의 표면에 있어서 보호막이 도포되어 있지 않은 부위가 있는 경우 등에 있어서는, 이 웨이퍼(이하,「트러블 웨이퍼」라 함)를 액침 노광을 행하지 않고 캐리어로 복귀시키는 것이 필요해진다.

즉, 트러블 웨이퍼에 대해 액침 노광을 행한 경우, 웨이퍼의 에지까지 보호막이 부착되어 있으면 당해 웨이퍼를 반송 아암에 보유 지지하였을 때에 접촉면에서 에지부의 막의 박리가 발생되고, 이 막 박리에 의해 이물질이 확산되어 웨이퍼 및 렌즈 등을 오염시켜 버린다고 하는 문제가 있고, 또한 웨이퍼의 표면에 있어서 보호막이 도포되어 있지 않은 부위에서는 레지스트가 용출되어, 이 레지스트가 도 10에 도시하는 노광 수단(1)의 렌즈(10)의 표면에 부착되므로 이 부착된 레지스트에 의해 렌즈(10)가 손상을 받아, 노광 장치의 사용 수명이 짧아져 버린다.

한편, 특허 문헌 2에는 레지스트의 도포 처리를 실패한 등의 이상 기판에 대해서는, 인터페이스부의 버퍼에 대기시키고, 이상 기판의 하나 앞의 기판이 노광 장치로부터 반출된 후, 정상적인 기판과 마찬가지로 소정의 모듈로 반송되는 것이 기재되고, 또한 이상 기판에 대해서는 모듈로 반송되어도 당해 모듈에서는 처리가 행해지지 않는 것이 기재되어 있다.

그러나 이 이상 기판이 트러블 웨이퍼에 해당되는 경우, 캐리어로 복귀된 트러블 웨이퍼의 표면에는 보호막이 형성되어 있으므로, 이 웨이퍼를 재이용하기 위해서는 웨이퍼의 표면에 형성된 보호막을 제거할 필요가 있다. 이 보호막의 제거는 도포·현상 장치와는 별개로 설치된 보호막 제거 장치에서 행해지므로, 트러블 웨이퍼에 대해서만 전용으로 보호막 제거 장치까지 반송해야 해, 후공정의 작업이 번거로운 등의 문제가 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2006-229183호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2005-32770호 공보(단락 0121, 0167, 0168, 0171, 0172 및 도22)

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 액침 노광에 적용되는 도포·현상 장치에 있어서 적정하게 보호막이 도포되어 있지 않은 기판에 대해 정상적인 기판의 처리 효율에 악영향을 미치는 일 없이 회수할 수 있고, 또한 보호막의 제거 작업의 간편화를 도모할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.

본 발명의 도포·현상 장치는, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 모듈과, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 현상 모듈과, 기판을 가열 처리하기 위한 가열 모듈과, 기판을 냉각하기 위한 냉각 모듈을 포함하는 동시에 기판의 반송 순번이 정해져 있는 모듈군과, 상기 모듈군의 모듈 사이에 있어서의 기판의 반송을 행하는 기판 반송 수단을 구비하고,

상기 기판 반송 수단에 의해, 상기 모듈군의 각 모듈에 적재된 기판을 한 순번 뒤인 모듈로 옮기는 동작을 행함으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 그 후 이후의 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순번이 작은 모듈로부터 순번이 큰 모듈로 순차 기판을 반송하는 도포·현상 장치에 있어서,

레지스트막 상에, 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 보호막용 약액을 도포하고, 상기 모듈군 중 하나의 모듈인 보호막 도포 모듈과,

이 보호막 도포 모듈에 있어서의 도포 상태를 검사하는 검사 모듈과,

노광 후 또한 현상 전의 기판에 대해 상기 보호막을 제거하기 위한 보호막 제거 모듈과,

상기 검사 모듈보다도 순번이 큰, 기판을 대기시키기 위한 대기 모듈과,

상기 검사 모듈에서 이상이라고 판단된 이상 기판이 상기 대기 모듈까지 반송된 후에 이 이상 기판을 대기 모듈에 대기시키고, 당해 이상 기판보다도 순번이 하나 앞인 기판이 노광부에서 반출되어, 보호막 제거 모듈로부터 상류측의 미리 지정된 지정 모듈로 반입된 후에, 당해 이상 기판을 상기 대기 모듈로부터 상기 지정 모듈로 반송하고, 이후는 상기 하나 앞의 기판과 상기 이상 기판의 반송 순서를 유지하는 동시에 상기 이상 기판에 대해서도 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 도포·현상 장치에 있어서, 상기 제어부는 상기 이상 기판에 대해서는, 상기 검사 모듈보다도 하류측의 모듈에 있어서는 상기 보호막 제거 모듈을 제외하고 처리를 행하지 않도록 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 도포·현상 장치는 도포·현상 장치를 노광부에 접속하기 위한 인터페이스부를 구비하고, 이 경우 상기 대기 모듈은 처리부의 기판 처리 속도와 노광부의 기판 처리 속도의 차를 흡수하기 위해 상기 인터페이스부에 설치된 버퍼부이다.

또한, 상기 도포·현상 장치에 있어서, 상기 지정 모듈은 현상 전의 가열 처리를 행하기 위한 가열 모듈인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제어부는, 상기 보호막 도포 모듈에 있어서의 처리가 이상인 것을 나타내는 경보가 출력된 이상 기판에 대해서는, 보호막을 가열 처리하기 위한 가열 모듈에서 가열 처리를 행하지 않도록 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제어부는, 상기 검사부에서 보호막이 전혀 도포되어 있지 않다고 판단된 이상 기판에 대해서는, 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하지 않도록 제어하는 것이 바람직하다.

본 발명의 도포·현상 장치의 운전 방법은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 모듈과, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 현상 모듈과, 기판을 가열 처리하기 위한 가열 모듈과, 기판을 냉각하기 위한 냉각 모듈을 포함하는 동시에 기판의 반송 순번이 정해져 있는 모듈군과, 상기 모듈군의 모듈 사이에 있어서의 기판의 반송을 행하는 기판 반송 수단을 구비하고,

상기 기판 반송 수단에 의해, 상기 모듈군의 각 모듈에 적재된 기판을 한 순번 뒤인 모듈로 옮기는 동작을 행함으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 그 후 이후의 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순번이 작은 모듈로부터 순번이 큰 모듈로 순차 기판을 반송하는 도포·현상 장치를 운전하는 방법에 있어서,

보호막 도포 모듈에서, 레지스트막 상에 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 보호막용 약액을 도포하는 공정과,

이 보호막 도포 모듈에 있어서의 도포 상태를 검사 모듈에서 검사하는 공정과,

노광 후 또한 현상 전의 기판에 대해 가열 모듈에서 가열 처리를 행하는 공정과, 이 공정 후, 보호막 제거 모듈에서 기판 상의 상기 보호막을 제거하는 공정 과,

상기 검사 모듈에서 이상이라고 판단된 이상 기판이 대기 모듈까지 반송된 후에 이 이상 기판을 대기 모듈에 대기시키는 공정과,

당해 이상 기판보다도 순번이 하나 앞인 기판이 노광부에서 반출되어, 보호막 제거 모듈로부터 상류측의 미리 지정된 지정 모듈로 반입된 후에, 당해 이상 기판을 상기 대기 모듈로부터 상기 지정 모듈로 반송하고, 이후는 상기 하나 앞의 기판과 상기 이상 기판의 반송 순서를 유지하는 동시에 상기 이상 기판에 대해서도 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하고, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 도포·현상 장치에 이용되는 프로그램을 저장하는 기억 매체이며, 상기 프로그램은 상술한 도포·현상 장치의 운전 방법을 실시하도록 단계군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 액침 노광에 대한 보호막의 도포가 적정하게 행해지지 않는 이상 기판에 대해서는, 노광부에 반입시키지 않고 대기 모듈에서 대기시키고, 순번이 하나 앞인 기판이 노광부에서 반출되어 지정 모듈, 예를 들어 현상 전의 가열 모듈로 반입된 후, 상기 이상 기판을 상기 지정 모듈로 반입하도록 하여, 이른바 스케줄 반송에는 영향을 미치게 하지 않도록 하는 동시에, 이상 기판에 대해서 도 보호막 제거 유닛에 있어서의 처리를 실행하도록 하고 있으므로 캐리어로 회수된 이후에 보호막의 제거 공정을 행하지 않고 완료된다.

본 발명의 실시 형태에 관한 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템의 전체 구성에 대해 도1 및 도2를 참조하면서 설명한다. 도1은 본 실시 형태의 도포·현상 장치를 도시하는 평면도이고, 도2는 본 실시 형태의 도포·현상 장치를 도시하는 사시도이다. 도1 및 도2 중 부호 B1은 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 13매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 적재부로, 캐리어(C)를 복수개 적재 가능한 적재대(21)와, 이 적재대(21)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 당해 개폐부(22)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 트랜스퍼 아암(23)이 설치되어 있다.

캐리어 적재부(B1)의 안쪽측에는 하우징(24)으로 주위가 둘러싸이는 처리 블록(B2)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(B2)에는 전방측으로부터 차례로 가열·냉각계의 모듈을 다단화한 3개의 선반 모듈(U1, U2, U3)과, 후술하는 그 밖의 각종 모듈을 포함하는 각 모듈 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 진퇴 및 승강 가능하고 또한 연직축 주위로 회전 가능한 반송 수단인 메인 반송 기구(25A, 25B)가 교대로 배열되어 설치되어 있다. 즉, 선반 모듈(U1, U2, U3) 및 메인 반송 기구(25A, 25B)는 캐리어 적재부(B1)측으로부터 보아 전후 1열로 배열되어 있고, 각각의 접속 부위에는 도시하지 않은 웨이퍼 반송용 개구부가 형성되어 있어, 웨이퍼(W)는 처리 블록(B2) 내를 일단부측의 선반 모듈(U1)로부터 타단부측의 선반 모듈(U3)까지 자 유롭게 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 메인 반송 기구(25A, 25B)는 후술하는 제어부로부터의 지령을 기초로 하여 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다.

또한, 메인 반송 기구(25A, 25B)는 캐리어 적재부(B1)로부터 보아 전후 방향으로 배치되는 선반부(U1, U2, U3)측의 일면측과, 우측의 액 처리부(U4, U5)측의 일면측과, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(26)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 배치되어 있고, 승강 가능 및 수평 방향으로 회전 가능한 아암 기구에 복수의 아암, 예를 들어 3개의 아암을 구비하고 있고, 이들 복수의 아암은 독립적으로 진퇴할 수 있도록 구성되어 있다. 도2 중 부호 27, 28은 각 모듈에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도(溫濕度) 조절용 덕트 등을 구비한 온습도 조절 모듈이다.

액 처리부(U4, U5)는, 예를 들어 도2에 도시하는 바와 같이 도포액(레지스트액), 현상액, 보호막 형성용 약액 및 보호막 박리용 박리액 등의 약액 공급용 공간을 이루는 수납부(29) 상에, 예를 들어 도포 모듈(COT), 현상 모듈(DEV), 보호막 도포 모듈(ITC) 및 보호막 제거 모듈(ITR)을 복수단 예를 들어 5단으로 적층한 구성으로 되어 있다. 상기 보호막 도포 모듈(ITC)은 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면에 발수성 재료, 예를 들어 불소계 용제를 포함하는 보호막 형성용 도포액을 도포하는 모듈이고, 상기 보호막 제거 모듈(ITR)은 웨이퍼(W)의 표면에 형성되어 있는 보호막을 제거하기 위한 모듈이다. 또한, 이미 서술한 선반부(U1, U2, U3)는 액 처리부(U4, U5)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 모듈을 복수단, 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있다.

상술한 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 모듈 중에는, 예를 들어 도3에 도시하는 바와 같이 레지스트액의 도포 후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 모듈 등이라 불리워지는 가열 모듈(PAB), 보호막의 도포 후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하기 위한 가열 모듈(BAKE), 웨이퍼(W)의 표면에 보호막이 도포되어 있는지를 검사하기 위한 검사 모듈(WIS), 노광 전에 소정의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈(CPL1), 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포저 베이킹 모듈 등이라 불리워지는 가열 모듈(PEB), 현상 처리 전에 소정의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈(CPL2), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 모듈 등이라 불리워지는 가열 모듈(POST), 이 가열 모듈(POST)에서 가열된 웨이퍼(W)를 냉각하는 온도 조절 모듈(CPL3) 등이 포함되어 있다. 도3은 이들 모듈의 레이아웃의 일례를 나타내는 것이며, 이 레이아웃은 편의상의 것이고, 실제 장치에서는 각 모듈의 처리 시간 등을 고려하여 모듈의 배치수가 정해진다. 또한, 선반부(U1, U2, U3)는 예를 들어 도3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달대를 갖는 전달 모듈(TRS1, TRS2)을 각각 구비하고 있다.

또한, 상기 처리 블록(B2)에 있어서의 선반부(U3)의 안쪽측에는, 인터페이스부(B3)를 통해 노광 장치(B4)가 접속되어 있다. 도4에 도시하는 바와 같이 인터페이스부(B3)는 처리 블록(B2)과 노광 장치(B4) 사이의 전후에 설치되는 제1 반송실(28a), 제2 반송실(28b)로 구성되어 있고, 각각에 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)가 설치되어 있다. 이들 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)는 기판 반송 수단을 이루는 것이다. 상기 주 반송부(31A)는 승강 가능하고 또한 연직축 주위로 회전 가능한 베이스(32)와, 이 베이스(32) 상에 설치되는 진퇴 가능한 아암(33)으로 구성되어 있다. 상기 보조 반송부(31B)는 승강 가능하고 또한 연직축 주위로 회전 가능한 베이스(34)가 가이드 기구(35)의 움직임에 의해 좌우 방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있고, 또한 이 베이스(34) 상에 진퇴 가능한 아암(36)이 설치되어 있다. 이들 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)는 후술하는 제어부로부터의 지령을 기초로 하여 구동 제어된다. 또한, 제1 반송실(28a)에는 주 반송부(31A)를 사이에 두고 캐리어 스테이션(B1)측으로부터 본 좌측에, 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주연 노광 장치(WEE)와, 복수매 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 1차적으로 수납하는 버퍼 카세트(BUF)가 설치되어 있다. 동일하게 우측에는 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달대를 갖는 전달 모듈(TRS3)과, 이 전달 모듈(TRS3) 상에 배치되고 예를 들어 냉각 플레이트를 갖는 고정밀도 온도 조절 모듈(ICPL)이 설치되어 있다.

계속해서 상기 보호막 도포 모듈(ITC) 및 보호막 제거 모듈(ITR)의 구조에 대해 간단히 설명하는데, 이들은 대략 동일한 구조이므로 우선 보호막 제거 모듈(6)을 예로 하여 설명한다. 도5 중 부호 51은 기판 보유 지지부를 이루는 스핀 척으로, 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 이 스핀 척(51)은 구동부(52)에 의해 연직축 주위로 회전할 수 있고, 또한 승강할 수 있도록 되어 있다. 또한, 스핀 척(51)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 스핀 척(51)에 걸친 측방 부분을 둘러싸는 컵(53)이 설치되고, 당해 컵(53)의 저면(底面)에는 배 기관(54)이나 드레인관(55) 등을 포함하는 배출부가 설치되어 있다.

또한, 도5 중 부호 56은 웨이퍼(W)의 대략 회전 중앙에 보호막을 박리하기 위한 박리액을 공급하기 위한 약액 노즐로, 이 약액 노즐(56)은 이동 기구(57)에 의해 처리 용기(58)의 길이 방향(Y방향)을 따라 설치된 가이드 레일(59)을 따라, 컵(53)의 일단부측의 외방측에 마련된 대기 영역(60)과 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 약액을 공급하는 위치 사이에서 이동 가능하고, 또한 승강 가능하게 구성되어 있다.

또한, 도5 중 부호 61은 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 세정액을 공급하기 위한 세정 노즐로, 이 세정 노즐(61)은 이동 기구(62)에 의해 상기 가이드 레일(59)을 따라, 컵(53)의 타단부측의 외방측에 마련된 대기 영역(63)과 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 세정액을 공급하는 위치 사이에서 이동 가능하고, 또한 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 도5 중 부호 64는 처리 용기(58)의 메인 반송 기구(25B)의 반송 영역에 임하는 면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구로, 개폐 셔터(65)가 설치되어 있다.

그리고, 이 보호막 제거 모듈(6)에서는 웨이퍼(W)는 메인 반송 기구(25B)에 의해 반입출구(64)를 통해 처리 용기(58) 내에 반입되어, 스핀 척(51)으로 전달된다. 그리고 약액 노즐(56)로부터 당해 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 보호막 제거용 박리액을 공급하는 동시에, 스핀 척(51)을 회전시켜 상기 박리액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 넓히고, 이와 같이 하여 상기 박리액을 웨이퍼(W) 표면에 형성된 보호막 상부 전체에 공급하고, 이에 의해 보호막을 웨이퍼(W) 표면 으로부터 박리시킨다.

이후, 약액 노즐(56)을 대기 영역(60)으로 이동시키는 한편, 세정 노즐(61)을 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 세정액을 공급하는 위치로 이동시켜 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 세정액을 공급하는 동시에, 스핀 척(51)을 회전시킨다. 이와 같이 하여 상기 세정액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 넓히고, 이에 의해 웨이퍼(W) 표면으로부터 박리된 보호막을 세정액에 의해 씻어내어 제거한다. 계속해서 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시켜 웨이퍼(W) 표면의 세정액을 건조시킨 후, 웨이퍼(W)를 반입출구(64)를 통해 메인 반송 기구(25B)에 의해 보호막 제거 모듈(6)의 외부로 반송시키도록 되어 있다.

또한, 보호막 도포 모듈(5)에 있어서는, 약액 노즐(56)로부터 웨이퍼(W) 표면에 보호막 형성용 약액을 공급하는 동시에, 세정 노즐(61)이 설치되어 있지 않은 점을 제외하고 보호막 제거 모듈(6)과 동일하게 구성된다. 그리고 약액 노즐(56)로부터 당해 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심으로 보호막 형성용 약액을 공급하는 동시에, 스핀 척(51)을 회전시켜 상기 약액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 넓혀, 웨이퍼(W) 표면에 약액의 액막을 형성하여 보호막을 형성하도록 되어 있다.

또한, 상기 도포·현상 장치는, 도6에 도시하는 바와 같이 이미 서술한 메인 반송 기구(25A, 25B), 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)의 구동 제어나 각 처리 모듈의 제어를 행하는 제어부(4)를 구비하고 있다. 이 제어부(4)에 대해 상세하게 서술한다. 도6 중 부호 40은 버스로, 이 버스(40)에 반송 레시피 설정부(41), 스 케줄 반송 프로그램(42), 트러블 웨이퍼의 처리 모드 설정부(43), 트러블 웨이퍼 처리 프로그램(44), 표시부(45), 경보부(46) 및 도시하지 않은 CPU 등이 접속되어 있는데, 도6에서는 이들을 기능적으로 표현하기 위해 블록화하여 나타내고 있다.

여기서 제어부(4)의 각 부를 설명하기 전에 모듈군 사이의 웨이퍼의 반송에 대해 언급해 둔다. 즉, 상기 도포·현상 장치에서는, 도포 모듈(COT), 현상 모듈(DEV), 가열 모듈(PAB, PEB, POST, BAKE), 온도 조절 모듈(CPL1, CPL2, CPL3, ICPL), 전달 모듈(TRS1, TRS2, TRS3), 보호막 도포 모듈(ITC), 검사 모듈(WIS), 보호막 제거 모듈(ITR), 주연 노광 장치(WEE), 버퍼 카세트(BUF) 등에 각각 웨이퍼(W)가 적재되고, 이들 모듈은 반송 순번이 정해져 있는 모듈군에 상당한다. 그리고, 이 모듈군에 대해 트랜스퍼 아암(23) 및 메인 반송 기구(25A, 25B), 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)는 반입된 캐리어(C) 내로부터 웨이퍼(W)를 1매 취출하고, 순번이 하나 뒤인 모듈의 웨이퍼(W)를 수취한 후 뒤의 모듈에 앞의 웨이퍼(W)를 전달하고, 이와 같이 하여 예를 들어 캐리어(C)로부터 개시하여 순차 웨이퍼(W)를 순번이 하나 뒤인 모듈로 옮김으로써 하나의 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순번이 작은 모듈로부터 순번이 큰 모듈로 웨이퍼(W)가 순차 반송되도록 되어 있다.

도6의 제어부(4)의 설명으로 돌아가, 상기 반송 레시피 설정부(41)는 로트의 모든 웨이퍼(W)에 대해 반입할 모듈과 그들 모듈로의 반송 순번을 설정하는 기능을 갖는다. 상기 스케줄 반송 프로그램(42)은 반송 레시피 설정부(41)에서 작성된 반송 레시피를 기초로 하여 웨이퍼(W)의 반송 스케줄(도7 참조)을 작성하는 것이다. 상기 트러블 웨이퍼의 처리 모드 설정부(43)는,

(A) 보호막 도포 모듈(ITC)로부터 이상 신호가 출력되었을 때에, 당해 보호막 도포 모듈(ITC)에 있는 웨이퍼(W)를 다음의 가열 모듈(BAKE)로 반송하였을 때에 가열 처리를 행할 것인지 여부를 설정하는 기능

(B) 검사 모듈(WIS)에서 이상이라고 판단된 웨이퍼(W)에 대해 보호막 제거 모듈(ITR)에 있어서, 웨이퍼(W)의 불량 상태에 관계없이 이상이라고 판단된 웨이퍼(W)에 대해서는 모두 보호막의 제거 처리를 행하는 모드와, 이상이라고 판단된 것 중에서 웨이퍼(W) 표면에 보호막이 전혀 도포되어 있지 않은 것에 대해서는 보호막의 제거 처리를 행하지 않는다고 하는 모드 중 한쪽을 선택 설정하는 기능을 갖는다.

상기 트러블 웨이퍼 처리 프로그램(44)은, 후술하는 도8 및 도9에 나타내는 흐름을 실행하도록 단계군이 짜여져 있다. 이 트러블 웨이퍼 처리 프로그램(44)은 기억 매체, 예를 들어 가요성 디스크(FD), 메모리 카드, 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티칼 디스크(MO) 등에 저장되어, 제어부(4)인 컴퓨터에 설치된다.

상기 표시부(45)는, 예를 들어 액정 화면 또는 CRT 화면 등의 소프트 스위치와의 조합으로 이루어져 각종 표시를 행하는 부위이다. 상기 경보부(46)는 보호막 도포 모듈(ITC)에서 이상이 발생한 것을 작업자에게 알리기 위한 알람을 발생시키는 부위이다.

다음에 본 실시 형태의 작용에 대해 설명을 행한다. 우선 작업자가 반송 레시피의 설정을 행하고, 이것을 기초로 하여 반송 스케줄(도7 참조)이 설정된다. 그리고 도6에 도시하는 바와 같이 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)가 트랜스퍼 아암(23)에 의해 차례로 취출된다. 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS1)을 통해 메인 반송 기구(25A)로 전달되고, 선반부(U1 내지 U3) 중 하나의 선반에서 도포 처리의 전처리로서 예를 들어 소수화 처리, 냉각 처리가 행해진다. 그런 연후에, 도포 모듈(COT)에서 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막이 형성되고, 이어서 웨이퍼(W)는 가열 모듈(PAB)로 반송되어 가열 처리(베이크 처리)가 행해진다. 가열 처리 후의 웨이퍼(W)는 보호막 도포 모듈(ITC)로 반송되지만, 보호막 도포 모듈(ITC) 이후의 웨이퍼(W)의 처리에 대해서는, 도7에 나타내는 반송 스케줄과 도8 및 도9에 나타내는 흐름도를 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면에 기재한 모듈은, 실제 장치에 내장되어 있는 모듈의 일부를 생략하고 기재되어 있다.

여기서 도7에 나타내는 반송 스케줄은, 본 예에서는 25매의 웨이퍼(1 내지 25)가 어느 시점에서 어느 모듈에 적재되어 있는지를 나타내고 있고, 가로 1열은 반송 사이클의 1사이클 분에 상당하고, 그 반송 사이클이 시계열(時系列)로 세로로 나열되어 있다. 가로 1열은 페이즈 등이라 불리워지고, 메인 반송 기구(25A, 25B), 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)에 의해 상류측의 모듈(본 예에서는 TRS1)로부터 웨이퍼(1 내지 25)를 순차 하나씩 순번이 큰 모듈로 반송해 간 것에 의해, 웨이퍼(1 내지 25)가 어느 모듈에 적재되게 되었는지를 나타내고 있다. 또한, 도7에 나타내는 반송 스케줄표의 가로란의 모듈은 지면(紙面) 사정상 도6에 도시하는 모듈 중으로부터 본 발명의 설명에 필요한 모듈만을 예로 들어 기재하고 있다.

우선, 웨이퍼 1 내지 웨이퍼 25가 보호막 도포 모듈(ITC)로 반송된 후, 당해 보호막 도포 모듈(ITC)로부터 이상 신호가 출력되었는지 여부를 판단한다(단계 S1). 보호막 도포 모듈(ITC)이 통상의 운전 상태에 있으면 이상 신호가 출력되는 일은 없으므로 보호막 도포 모듈(ITC)에 적재되어 있는 웨이퍼 1 내지 웨이퍼 25는 메인 반송 기구(25A)에 의해 가열 모듈(BAKE)로 반송되고, 당해 모듈(BAKE)에서 가열 처리가 행해진다(단계 S2). 가열 처리가 종료된 웨이퍼 1 내지 웨이퍼 25는 메인 반송 기구(25A)에 의해 검사 모듈(WIS)로 반송되고, 당해 모듈(WIS)에서 웨이퍼 1 내지 웨이퍼 25의 검사가 행해진다(단계 S3). 여기서 웨이퍼 1 내지 웨이퍼 25의 표면 전체에 보호막이 적정하게 도포되어 있는지 여부를 판단하여(단계 S4), 보호막이 적정하게 도포되어 있는 정상적인 웨이퍼이면 통상의 반송 스케줄로 반송이 행해지고, 반송된 각 모듈에 있어서 소정의 처리가 행해진다(단계 S5). 이 반송의 흐름은 도6에 화살표로 나타낸 바와 같다.

다음에, 단계 S1에 있어서 보호막 도포 모듈(ITC)로부터 이상 신호가 출력된 경우에 행해지는 처리에 대해 웨이퍼 7을 예로 들어 설명한다. 우선, 웨이퍼(W7)가 보호막 도포 모듈(ITC)로 반송된 후, 당해 보호막 도포 모듈(ITC)로부터 이상 신호가 출력되면 경보부(46)로부터는 알람이 발생한다. 도7에서는 알람이 발생하고 있으므로 웨이퍼 7을 원으로 두르고 있다. 그리고 가열 모듈(BAKE)에 있어서 가열 처리 있음의 설정으로 되어 있는지 여부를 판단한다(단계 S7). 가열 처리 있음의 설정으로 되어 있지 않으면 가열 모듈(BAKE)에서는 가열 처리가 행해지지 않고, 그 후 웨이퍼 7이 메인 반송 기구(25A)에 의해 검사 모듈(WIS)로 반송되고 당 해 모듈(WIS)에서 웨이퍼 7의 검사가 행해진다(단계 S3). 가열 처리 있음의 설정으로 되어 있으면 가열 모듈(BAKE)에서는 웨이퍼 7에 대해 가열 처리가 행해지고(단계 S2), 가열 처리를 종료한 웨이퍼 7은 메인 반송 기구(25A)에 의해 검사 모듈(WIS)로 반송되고, 당해 모듈(WIS)에서 웨이퍼 7의 검사가 행해진다(단계 S3).

다음에 검사 모듈(WIS)에서 웨이퍼 7의 표면 전체에 보호막이 적정하게 도포되어 있는지 여부가 판단되는데, 웨이퍼 7은 표면에 보호막이 적정하게 도포되어 있지 않고, 예를 들어 웨이퍼 7의 전체면에 보호막이 형성되어 있으나 웨이퍼 7의 에지까지 보호막이 말려 들어가 있거나, 혹은 웨이퍼 7의 표면에 있어서 보호막이 도포되어 있지 않은 부위가 있는 등의 트러블 웨이퍼이므로 이상이라고 판단된다(단계 S4). 그런 연후에, 검사 모듈(WIS)에 있는 웨이퍼 7은 도7에 나타내는 반송 스케줄에 따라서 하류측의 모듈로 차례로 반송되어 가는데, 트러블 웨이퍼이기 때문에 온도 조절 모듈(CPL1) 및 주연 노광 장치(WEE) 등에 있어서는 처리가 행해지지 않도록 제어된다(단계 S8).

그리고 주연 노광 장치(WEE)에 있는 웨이퍼 7은 주 반송부(31A)에 의해 대기 모듈인 버퍼(BUF)로 반송된다. 당해 버퍼(BUF)로 반송된 웨이퍼 7은 트러블 웨이퍼이기 때문에, 도7에 나타내는 바와 같이 버퍼(BUF)보다도 하류측에 있는 온도 조절 모듈(ICPL), 노광 장치(EXP) 및 전달 모듈(TRS3)로는 반송하지 않고, 버퍼(BUF)에서 대기시켜 둔다(단계 S9). 이 웨이퍼 7은 도7에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 7의 하나 앞의 웨이퍼 6이 노광 장치(EXP)에서 노광 처리를 종료하고 전달 모듈(TRS3)로 반송되고, 그리고 전달 모듈(TRS3)로부터 가열 모듈(PEB)로 반송될 때 까지 버퍼(BUF)에서 대기한다(단계 S10).

이와 같이 버퍼(BUF)에서 웨이퍼 7을 대기시켜 두는 이유는, 버퍼(BUF)로 반송된 웨이퍼 7을 바로 노광 장치(EXP) 및 전달 모듈(TRS3)을 건너뛰고 가열 모듈(PEB)로 반송하면, 웨이퍼 7이 웨이퍼 6보다도 먼저 가열 모듈(PEB)로 반입되어 버려 반송 순번이 반대가 되어, 그 결과 웨이퍼의 반송 제어가 복잡해지기 때문이다. 웨이퍼 7의 하나 앞인 웨이퍼 6이 가열 모듈(PEB)로 반송되면, 단계 S10에서「예」가 되므로 버퍼(BUF)에 있는 웨이퍼 7은 주 반송부(31A)에 의해 가열 모듈(PEB)로 반송되지만, 웨이퍼 7은 트러블 웨이퍼이기 때문에 가열 모듈(PEB)에서는 가열 처리를 행하지 않도록 제어된다(단계 S11). 본 예에서는, 버퍼(BUF)에 대기하고 있던 트러블 웨이퍼의 다음의 반송처의 지정 모듈로서 가열 모듈(PEB)을 설정하고 있으므로 이와 같은 반송이 행해진다.

다음에 가열 모듈(PEB)에 있는 웨이퍼 7은 메인 반송 기구(25B)에 의해 보호막 제거 모듈(ITR)로 반송된다(단계 S12). 이어서 상기 검사 모듈(WIS)에 있어서 웨이퍼 표면에 보호막이 없다고 판단된 경우에는, 보호막의 제거 처리는 행하지 않는다고 하는 설정으로 되어 있는지 여부를 판단한다(단계 S13). 보호막의 제거 처리를 행하지 않는다고 하는 설정으로 되어 있는 경우에는, 웨이퍼 7의 표면에 보호막이 있는지 없는지의 판단이 행해진다(단계 S14). 웨이퍼 7의 표면에 보호막이 있는 경우에는 보호막의 제거 처리가 행해지고(단계 S15), 웨이퍼 7의 표면에 보호막이 없는 경우에는 보호막의 제거 처리는 행해지지 않는다. 본 예에서는 웨이퍼 7의 표면에 보호막이 도포되어 있으므로 보호막의 제거 처리가 행해진다.

또한, 보호막의 제거 처리를 행하지 않는다고 하는 설정으로 되어 있지 않은 경우에는, 웨이퍼(W)의 불량 상태에 관계없이 이상이라고 판단된 웨이퍼(W)에 대해서는 모두 보호막의 제거 처리가 행해진다. 그런 연후에, 보호막 제거 모듈(ITR)에 있는 웨이퍼 7은 도7에 나타내는 반송 스케줄에 따라서 하류측의 모듈로 차례로 반송되어 가는데, 웨이퍼 7은 트러블 웨이퍼이기 때문에 보호막 제거 모듈(ITR)의 하류측의 모듈에 있어서는 처리가 행해지지 않도록 제어된다(단계 S16).

다음에 보호막 도포 모듈(ITC)로부터는 이상 신호가 출력되지 않고, 검사 모듈(WIS)에서 트러블 웨이퍼를 발견한 경우에 행해지는 처리에 대해 웨이퍼 16을 예로 들어 설명한다. 이 웨이퍼 16은 상술한 단계 S1 내지 단계 S3을 거쳐서 검사 모듈(WIS)에서 검사가 행해진다. 그리고 이 검사 모듈(WIS)에서 검사한 결과, 웨이퍼 16의 표면에 보호막이 적정하게 도포되어 있지 않다고 판단된다. 이 검사 결과에 의해 웨이퍼 16은 트러블 웨이퍼라고 인식되어, 이 웨이퍼 16에 대해서도 상술한 처리(단계 S8 내지 단계 S16)가 행해지게 된다.

상술한 실시 형태에 따르면, 검사 모듈(WIS)에서 이상이라고 판단된 웨이퍼 7(16)이 버퍼(BUF)까지 반송된 후에 이 웨이퍼 7(16)을 버퍼(BUF)에 대기시키고, 당해 웨이퍼 7(16)보다도 순서가 하나 앞인 웨이퍼 6(15)이 노광 장치(EXP)로부터 반출되어 가열 모듈(PEB)로 반입된 후에, 당해 웨이퍼 7(16)을 버퍼(BUF)로부터 상기 가열 모듈(PEB)로 반송하고, 이후에는 하나 앞인 웨이퍼 6(15)과 웨이퍼 7(16)의 반송 순번을 유지하는 동시에, 웨이퍼 7(16)에 대해서도 다른 모듈에서는 처리를 행하지 않지만, 보호막 제거 모듈(ITR)에 있어서는 보호막의 제거 처리를 행하 도록 되어 있다. 이로 인해 이상이라고 판단된 웨이퍼 7(16)에 대해 보호막의 제거 처리가 장치 내에서 행해지므로, 캐리어(C)로 회수된 트러블 웨이퍼에 대해 보호막의 제거 처리 작업을 행하지 않아도 된다. 또한, 정상적인 웨이퍼 1 내지 6, 웨이퍼 8 내지 15, 웨이퍼 17 내지 25의 처리에 악영향을 미치는 일 없이 순번이 작은 웨이퍼로부터 차례로 캐리어(C)로 회수할 수 있다.

또한, 웨이퍼의 표면에 보호막이 도포되어 있지 않은 경우에는, 보호막의 제거 처리를 행하지 않도록 함으로써 고가의 박리액(보호막의 제거액)을 절약할 수 있다.

또한, 트러블 웨이퍼의 대기 위치는 인터페이스부(B3)에 설치된 버퍼(BUF)에 한정되지 않고, 도6에 도시하는 바와 같이 처리 블록(B2)에 설치된 전달 유닛(TRS2) 등이라도 좋다. 또한, 트러블 웨이퍼에 대해 버퍼(BUF)로부터의 반송처인 지정 모듈로서는, 가열 모듈(PEB)에 한정되는 것은 아니다.

도1은 본 발명에 관한 도포·현상 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도.

도2는 상기 도포·현상 장치를 도시하는 사시도.

도3은 상기 도포·현상 장치에 있어서의 선반부의 구조를 도시하는 측면도.

도4는 상기 도포·현상 장치에 있어서의 인터페이스부를 도시하는 개략 사시도.

도5는 상기 도포·현상 장치에 있어서의 보호막 제거 모듈의 일례를 도시하는 종단면도 및 평면도.

도6은 상기 도포·현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로 및 제어부의 일례를 도시하는 평면도.

도7은 본 발명의 실시 형태에 관한 반송 스케줄의 일례를 나타내는 설명도.

도8은 본 발명의 실시 형태의 작용을 나타내는 흐름도.

도9는 본 발명의 실시 형태의 작용을 나타내는 흐름도.

도10은 웨이퍼를 액침 노광하기 위한 노광 수단을 도시하는 설명도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

W : 반도체 웨이퍼, C : 캐리어, B1 : 캐리어 적재부, B2 : 처리 블록, B3 : 인터페이스부, B4 : 노광 장치, 4 : 제어부, 6 보호막 제거 모듈, 25A, 25B : 메인 반송 기구, 31A : 주 반송부, 31B : 보조 반송부, 41 : 반송 레시피 설정부, 42 : 스케줄 반송 프로그램, 43 : 트러블 웨이퍼의 처리 모드 설정부, 44 : 트러블 웨이퍼 처리 프로그램, 45 : 표시부, 46 : 경보부

Claims (13)

1. 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 모듈과, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 현상 모듈과, 기판을 가열 처리하기 위한 가열 모듈과, 기판을 냉각하기 위한 냉각 모듈을 포함하는 동시에 기판의 반송 순번이 정해져 있는 모듈군과, 상기 모듈군의 모듈 사이에 있어서의 기판의 반송을 행하는 기판 반송 수단을 구비하고,

   상기 기판 반송 수단에 의해, 상기 모듈군의 각 모듈에 적재된 기판을 한 순번 뒤의 모듈로 옮기는 동작을 행함으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 그 후 이후의 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순번이 작은 모듈로부터 순번이 큰 모듈로 순차 기판을 반송하는 도포·현상 장치에 있어서,

   레지스트막 상에, 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 보호막용 약액을 도포하고, 상기 모듈군 중 하나의 모듈인 보호막 도포 모듈과,

   이 보호막 도포 모듈에 있어서의 도포의 상태를 검사하는 검사 모듈과,

   노광 후 또한 현상 전의 기판에 대해 상기 보호막을 제거하기 위한 보호막 제거 모듈과,

   상기 검사 모듈보다도 순번이 큰, 기판을 대기시키기 위한 대기 모듈과,

   상기 검사 모듈에서 이상이라고 판단된 이상 기판이 상기 대기 모듈까지 반송된 후에 이 이상 기판을 대기 모듈에 대기시키고, 당해 이상 기판보다도 순번이 하나 앞인 기판이 노광부로부터 반출되어, 보호막 제거 모듈로부터 상류측의 미리 지정된 지정 모듈로 반입된 후에, 당해 이상 기판을 상기 대기 모듈로부터 상기 지정 모듈로 반송하고, 이후는 상기 하나 앞의 기판과 상기 이상 기판의 반송의 순번을 유지하는 동시에 상기 이상 기판에 대해서도 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 이상 기판에 대해서는, 상기 검사 모듈보다도 하류측의 모듈에 있어서는 상기 보호막 제거 모듈을 제외하고 처리를 행하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포·현상 장치를 노광부에 접속하기 위한 인터페이스부를 구비하고,

   상기 대기 모듈은 처리부의 기판 처리 속도와 노광부의 기판 처리 속도의 차를 흡수하기 위해 상기 인터페이스부에 설치된 버퍼부인 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지정 모듈은 현상 전의 가열 처리를 행하기 위한 가열 모듈인 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 보호막 도포 모듈에 있어 서의 처리가 이상인 것을 나타내는 경보가 출력된 이상 기판에 대해서는, 보호막을 가열 처리하기 위한 가열 모듈에서 가열 처리를 행하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 검사부에서 보호막이 전혀 도포되어 있지 않다고 판단된 이상 기판에 대해서는, 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
7. 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 모듈과, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 현상 모듈과, 기판을 가열 처리하기 위한 가열 모듈과, 기판을 냉각하기 위한 냉각 모듈을 포함하는 동시에 기판의 반송 순번이 정해져 있는 모듈군과, 상기 모듈군의 모듈 사이에 있어서의 기판의 반송을 행하는 기판 반송 수단을 구비하고,

   상기 기판 반송 수단에 의해, 상기 모듈군의 각 모듈에 적재된 기판을 한 순번 뒤의 모듈로 옮기는 동작을 행함으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 그 후 이후의 반송 사이클을 순차 실행함으로써 상기 모듈군 중 순번이 작은 모듈로부터 순번이 큰 모듈로 순차 기판을 반송하는 도포·현상 장치를 운전하는 방법에 있어서,

   보호막 도포 모듈에서, 레지스트막 상에 액침 노광시에 기판의 표면을 보호 하기 위한 보호막용 약액을 도포하는 공정과,

   이 보호막 도포 모듈에 있어서의 도포의 상태를 검사 모듈에서 검사하는 공정과,

   노광 후 또한 현상 전의 기판에 대해 가열 모듈에서 가열 처리를 행하는 공정과, 이 공정 후, 보호막 제거 모듈에서 기판 상의 상기 보호막을 제거하는 공정과,

   상기 검사 모듈에서 이상이라고 판단된 이상 기판이 대기 모듈까지 반송된 후에 이 이상 기판을 대기 모듈에 대기시키는 공정과,

   당해 이상 기판보다도 순번이 하나 앞인 기판이 노광부로부터 반출되어, 보호막 제거 모듈로부터 상류측의 미리 지정된 지정 모듈로 반입된 후에, 당해 이상 기판을 상기 대기 모듈로부터 상기 지정 모듈로 반송하고, 이후는 상기 하나 앞의 기판과 상기 이상 기판의 반송 순번을 유지하는 동시에 상기 이상 기판에 대해서도 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 이상 기판에 대해서는, 상기 검사 모듈보다도 하류측의 모듈에 있어서는 상기 보호막 제거 모듈을 제외하고 처리를 행하지 않는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 도포·현상 장치를 노광부에 접속하기 위한 인 터페이스부를 구비하고,

   상기 대기 모듈은, 처리부의 기판 처리 속도와 노광부의 기판 처리 속도의 차를 흡수하기 위해 상기 인터페이스부에 설치된 버퍼부인 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
10. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 지정 모듈은 현상 전의 가열 처리를 행하기 위한 가열 모듈인 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
11. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 보호막 도포 모듈에 있어서의 처리가 이상인 것을 나타내는 경보가 출력된 이상 기판에 대해서는, 보호막을 가열 처리하기 위한 가열 모듈에서 가열 처리를 행하지 않는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
12. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 검사부에서 보호막이 전혀 도포되어 있지 않다고 판단된 이상 기판에 대해서는, 상기 보호막 제거 모듈에서 보호막의 제거 처리를 행하지 않는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치의 운전 방법.
13. 기판의 표면에 레지스트를 도포하고, 노광부에서 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광된 후의 기판을 현상액을 공급하여 현상하는 도포·현상 장치에 이용되는 프로그램을 저장하는 기억 매체이며,

    상기 프로그램은 제7항 또는 제8항에 기재된 도포·현상 장치의 운전 방법을 실시하도록 단계군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.

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