KR20080102277A - 타겟 배치 장치 - Google Patents

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KR20080102277A
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Abstract

본 발명은 튜브형 캐리어 부재 및 공동의 원통형 타겟(hollow cylindrical target)을 포함하는 타겟 배치 장치에 관한 것으로, 공동의 원통형 타겟은 하나 이상의 타겟 재료를 가지며, 적어도 부분적으로는 캐리어 부재를 둘러싸는 하나 이상의 1피스형 튜브 세그먼트를 포함한다. 캐리어 부재와 튜브 세그먼트는 플라스틱 처럼 변형이 가능한 2개 이상의 보상 수단에 의해 재료 끼워맞춤으로 부분적으로 서로 연결된다. 본 발명은 또한 상기한 유형의 타겟 배치 장치를 제조하는 방법 및 튜브 세그먼트를 제공한다.

Description

타겟 배치 장치{TARGET ARRANGEMENT}
본 발명은 튜브형 캐리어 부재 및 공동의 원통형 타겟(hollow cylindrical target)을 포함하는 타겟 배치 장치에 관한 것으로, 공동의 원통형 타겟은 하나 이상의 타겟 재료를 가지며, 하나의 피스(piece)로 이루어지고 적어도 단편적으로 캐리어 부재를 둘러싸는 하나 이상의 튜브 세그먼트를 포함한다.
이러한 유형의 타겟 배치 장치는 아토마이제이션 타겟(atomization target) 또는 스퍼터 타겟(sputter target)으로도 지칭되며, 전반적으로 알려져 있다. 이들은 예컨대 캐소드 아토마이제이션 또는 스퍼터링을 통한 대형 기판의 박막 코팅 시의 재료 소스로서 사용된다. 이러한 타겟 배치 장치를 통한 박막 코팅은 예컨대 유리 또는 플라스틱 포일(foil) 상의 열보호 필름 또는 태양광 보호 필름의 제조를 위해 사용된다.
타겟을 캐리어 부재에 대해 고정하는 것은 전술한 명칭의 종류의 타겟 배치 장치에서는 곤란하다. 예컨대, 타겟 재료가 주물 또는 열주입 시에 승화할 것이기 때문에, 타겟을 캐리어 부재에 대해 고정하는 것은 특히 주물 공정 또는 열주입 몰딩 공정에 의해 타겟이 캐리어 부재에 직접 가해지지 않는 타겟 배치 장치에 적용된다.
탄성 클램핑 부재의 지원으로 타겟이 캐리어 부재에 힘전달 방식(force-transmitting manner)으로 고정되는 타겟 배치 장치가 알려져 있다. 그러나, 이러한 열전달 연결을 통해서는 타겟과 캐리어 부재 간의 완만한 열소산만이 달성된다.
향상된 열소산은 타겟과 캐리어 부재 간의 재료 연속성(material continuity)을 갖는 전체 영역 접속에 의해 달성될 수 있다. 이러한 유형의 재료 연속성을 갖는 전체 영역 연결은 예컨대 평면형의 타겟 세그먼트가 전체적인 납땜층을 통해 지지판에 고정되는 평면형 타겟에서 이용된다. 따라서, 반원통형 타겟 세그먼트는 이러한 방식으로 튜브형 캐리어 부재에 부착될 수 있다.
그러나, 전체 영역 납땜 연결은 타겟이 적어도 하나의 튜브 세그먼트로 구성되는 타겟 배치 장치에는 적합하지 않다. 튜브형 타겟 배치 장치의 캐리어 부재가 예컨대 금속재를 함유하고, 튜브형 타겟 세그먼트가 세라믹 재료를 포함하기 때문에, 캐리어 부재와 튜브 세그먼트는 서로 상당히 상이한 열팽창율을 갖는다. 캐리어 부재와 튜브 세그먼트의 열팽창율차로 인해 또한 세라믹 재료의 연약함에 의해 캐리어 부재와 튜브 세그먼트 간의 연결이 이루어지지 않을 위험뿐만 아니라 튜브 세그먼트에 대한 손상의 위험이 있다.
금속재와 세라믹 재료 간의 상이한 팽창율을 보상하기 위해, 플라스틱과 같이 변형 가능한 접착제(plastically deformable adhesive)를 통한 캐리어 부재와 튜브 세그먼트의 접착제 접합이 고려되고 있다. 그러나, 이러한 유형의 접착제가 충분히 높은 열전도 특성을 갖지 못한다는 것과 별도로, 2개의 조인트 파트너의 신뢰적인 접착제 접합은 조인트 파트너에 대한 특정한 압력을 필요로 한다. 따라서, 평면형 또는 반원통형 타겟 세그먼트를 갖는 타겟 배치 장치를 위해 캐리어 부재와 타겟 세그먼트의 접착제 접합이 고려될 수 있다. 그러나, 튜브 세그먼트와 캐리어 부재 양자의 견고성(stiffness) 및 캐리어 부재와 튜브 세그먼트의 동축 배열로 인해, 캐리어 부재와 튜브 세그먼트 사이에 유입된 접착제는 방사상의 방향에서 볼 때에 작용하지 않을 수 있다. 캐리어 부재와 타겟 세그먼트의 접착제 접합은 튜브형 타겟 세그먼트를 갖는 타겟 배치 장치에서는 실제로 거의 실현될 수 없다.
본 발명의 목적은 캐리어 부재와 타겟이 간편하고 신뢰적인 방식으로 서로 연결되는 동시에 타겟과 캐리어 부재 간에 향상된 열전달이 보장되는 전술한 종류의 타겟 배치 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 상기한 목적은 청구항 1의 특징을 갖고, 구체적으로는 캐리어 부재와 각각의 튜브형 세그먼트가 플라스틱 처럼 변형 가능한 2개 이상의 보상 수단에 의해 재료 연속성으로 서로 부분적으로 연결되는 타겟 배치 장치에 의해 달성된다.
본 발명에 따라 캐리어 부재와 타겟의 튜브 세그먼트가 서로 직접 연결되지 않고, 플라스틱과 같이 변형 가능한 보상 수단에 의해 서로 연결되기 때문에, 조인트 파트너, 즉 캐리어 부재와 타겟은 예컨대 타겟 재료의 균열과 같은 타겟에 대한 손상을 초래할 수 있는 응력(strain)이 타겟 재료에서 야기되지 않고서도 예컨대 스퍼터링 동안의 가열의 경우에 상이한 열팽창율에 따라 상이한 정도로 팽창할 수 있다. 캐리어 부재와 타겟의 상이한 열팽창은 플라스틱과 같이 변형 가능한 보상 수단에 의해 보상되거나 또는 균형이 맞추어진다.
이와 동시에, 타겟과 캐리어 부재 양자에 대한 보상 수단의 재료 연속성을 갖는 연결에 의하여, 힘전달 조인트 변형예에 비해 향상된 타겟과 캐리어 부재 간의 열전달이 달성된다. 따라서, 스퍼터링 공정 동안 타겟에 유입되는 열은, 열전달 연결에 의한 것보다 재료 연속성을 갖는 연결을 통해 최대 10배 정도 높게 캐리어 부재에 소산될 수 있다.
이로써 소위 중대한(heavy-duty) 스퍼터링 공정에서의 타겟 배치 장치의 사용, 즉 전력 밀도 및 특히 전압이 증가된 스퍼터링에서의 타겟 배치 장치의 사용이 가능하게 된다. 또한, 재료 연속성을 갖는 연결은 너무 낮은 잔여 밀도 시에 이에 의해 야기되는 장애로 인해 타겟의 일부분이 스퍼터링 장비에 진입되는 위험이 없기 때문에 최대 80%의 증가된 타겟 활용을 가능하게 한다. 이러한 두 가지 활용으로 인하여, 결국은 스퍼터링 공정의 경제성을 향상시키게 된다.
"서로 부분적으로 연결된"이라는 표현은 캐리어 부재와 튜브 세그먼트가 전체 영역에 걸쳐 서로 연결되지 않고 지역적으로만 연결된다는 것으로 이해하여야 한다. 따라서, 튜브 세그먼트와 캐리어 부재 사이에 위치된 갭은 보상 수단에 의해 완전하게 채워지지 않는다. 이 경우, 보상 수단이 캐리어 부재와 타겟 간의 부분적인 연결을 구축한다. 즉, 보상 수단이 조인트 파트너 사이에 서로 분리된 국부적으로 제한된 브리지(bridge)를 형성한다. 보상 수단의 변형성이 이에 의해 실제적으로 증가되며, 타겟과 캐리어 부재의 상이한 열팽창이 특히 효과적으로 보상될 수 있다.
본 발명의 이로운 실시예는 첨부된 청구항, 상세한 설명 및 도면으로부터 확인할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 보상 수단은 용제(flux)를 필요로 하지 않는다. 이에 의해, 타겟 배치 장치는 일반적으로 용제와 같은 휘발성 물질(volatile substance)의 기화의 위험이 있는 진공 장비에 사용하기에 특히 적합하게 된다.
보상 수단은 땜납 및 구체적으로 연납을 포함할 때에 특히 이롭다. 땜납은 특정하게 높은 열전도율을 갖을뿐만 아니라, 또한 플라스틱과 같은 변형이 매우 용이하다. 또한, 예컨대, Sn 땜납은 대략 24×10-6K-1의 열팽창율을 갖는 반면, ZnO는 대략 5.3×10-6K-1의 열팽창율을 가지며, 스테인레스 스틸은 대략 16×10-6K-1의 열팽창율을 갖는다. 그 결과, Sn 땜납을 함유하는 보상 수단은 ZnO 타겟과 스테인레스 스틸 캐리어 부재의 상이한 열팽창을 효과적으로 보상할 수 있다. 또한, 땜납은 특히 용이하게 가공될 수 있으며, 이에 의해 타겟 배치 장치의 제조가 전체적으로 간편하게 된다.
또한, 땜납은 해당하는 열의 공급 하에 다시 액화될 수 있으며, 이에 의해 조인트 파트너들 간의 연결을 분리하고 또한 캐리어 부재로부터 타겟을 떨어뜨릴 수 있다. 그러므로, 손상된 튜브 세그먼트는 간편한 방식으로 손상되지 않은 튜브 세그먼트로 교체될 수 있다. 타겟과 캐리어 부재의 분리는 스퍼터링 공정 또는 복수의 스퍼터링 공정에서 타겟 재료가 전부 사용된 후에 캐리어 부재의 재사용을 가능하게 한다.
바람직한 실시예에 따라, 타겟과 캐리어 부재 사이에 제공되고 서로 떨어져 이격되어 있는 갭의 영역이 땜납으로 채워진다. 따라서, 이 경우에 보상 수단은, 서로 분리되고 또한 타겟과 캐리어 부재를 서로 부분적으로 연결시키는 국부적으로 제한된 땜납 브리지에 의해 형성된다. 땜납 브리지는 특별히 우수한 변형성을 가지며, 이에 의해 타겟과 캐리어 부재 간의 열적으로 유기된 응력이 더욱 우수하게 보상될 수 있다.
캐리어 부재의 돌출부와 타겟 사이에 땜납이 제공되는 것이 특히 이롭다. 땜납에 의해 조인트 파트너들이 서로 연결되는 영역은 돌출부에 의해 사전 설정된다.
돌출부는 축방향 또는 방사상 방향에서 볼 때 서로 떨어져 분리되고, 특히 실질적으로 타겟의 전체 길이에 걸쳐 분포되어 배치되는 것이 바람직하다. 한편으로, 이에 의해 축방향에서의 조인트 파트너의 상이한 열팽창이 특히 용이하게 보상될 수 있다. 다른 한편으로, 캐리어 부재에 대한 타겟의 열적 결합이 타겟의 전체 길이에 걸쳐 보장될 수 있다.
돌출부는 캐리어 부재의 둘레 방향으로 실질적으로 연장하는 얇은 금속판(web)을 포함한다. 이러한 유형의 돌출부는 예컨대 밀링 또는 커팅에 의해 가늘고 긴 절결부 또는 홈을 캐리어 부재 내에 제공함으로써 특히 간편하게 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 복수의 얇은 금속판형(web-like)의 돌출부가 캐리어 부재의 길이 방향 축까지 직각으로 연장한다. 돌출부는 캐리어 부재의 전체 둘레에 걸쳐 링과 같은 방식으로 연장하는 것이 바람직하다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 얇은 금속판형의 돌출부는 캐리어 부재를 나선형의 형태로 연장할 수 있다. 이러한 유형의 돌출부는 예컨대 나선형 절결부가 나사선형의 홈의 방식으로 캐리어 부재 내로 파여짐으로써 형성될 수 있다. 링형 돌출부 및 나선형 돌출부 양자는 임의의 요구된 길이의 타겟 배치 장치의 제조를 간편한 방식으로 가능하게 한다.
돌출부에 의해 구분되는 캐리어 부재의 절결부는 타겟 배치 장치의 조립전 상태에서 땜납을 위한 수용 공간을 형성하는 것이 바람직하다. 타겟 배치 장치의 조립 시, 땜납은 돌출부에 직접 가해지지 않고, 예컨대 절반 높이의 적층(half-stock)의 형태로 절결부에 배치될 수 있다. 따라서, 절결부는 땜납을 위한 저장부를 형성한다고 할 수 있다. 그러므로, 타겟 배치 장치의 제조는 훨씬 더 간략화된다.
튜브 세그먼트와 캐리어 부재 사이에는, 조립전 상태에서 타겟을 캐리어 부재에 대하여 고정시키고 중심 맞춤하기 위해 고정 수단이 배치되는 것이 바람직하다. 타겟과 캐리어 부재가 땜납에 의해 재료 연속성으로 서로 연결되기 전에도, 조인트 파트너의 서로에 대한 정확한 포지셔닝이 고정 수단에 의해 보장된다. 이것은 한편으로는 타겟 배치 장치의 제조를 용이하게 하고, 다른 한편으로는 캐리어 부재 상의 타겟의 정확한 자리잡음을 보장한다.
이와 달리, 타겟은 또한 타겟과 캐리어 부재의 상이한 열팽창을 활용하면서 고정 수단없이 캐리어 부재에 대하여 중심 맞춤될 수 있다.
다른 실시예에 따라, 각각의 보상 수단은 스프링 부재를 포함한다. 따라서, 캐리어 부재와 타겟의 연결은 이러한 조인트 변형예에서 땜납 브리지를 통해 발생하지 않고, 캐리어 부재와 타겟에 대해 재료 연속성으로 연결된 스프링 부재를 통해 발생한다. 이러한 조인트 변형예는 힘전달 연결의 이점과 재료 연속성을 갖는 이러한 연결을 조합한다. 그러므로, 캐리어 부재와 타겟의 상이한 열팽창율의 차이가 있어도 스프링 부재의 탄성 복원력에 의해 특히 우수한 보상이 달성되며, 캐리어 부재와 타겟 양자에 대한 스프링 부재의 재료 연속성을 갖는 연결에 의해 타겟에서 캐리어 부재로의 특히 효과적인 열소산이 달성된다.
각각의 스프링 부재는 땜납, 구체적으로는 연납을 통해 재료 연속성으로 캐리어 부재와 튜브 세그먼트에 연결되는 것이 이롭다. 전술한 바와 같이, 땜납은 특히 우수한 열소산 특성을 가지므로, 캐리어 부재에 대한 타겟의 열결합이 더욱 향상된다.
캐리어 부재의 외측면에에 스프링 부재를 위한 절결부가 제공될 수 있다. 스프링 부재는 절결부를 통해 조립전 상태에서 캐리어 부재에 이미 고정되고, 캐리어 부재에 대한 축방향의 변위에 대해 고정된다. 이로써, 캐리어 부재 상으로의 튜브 세그먼트의 푸싱이 용이하게 된다.
다른 실시예에 따라, 타겟이 그 내측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화되거나 및/또는 캐리어 부재가 그 외측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화된다. 이러한 유형의 금속화는, 특히 용제를 필요로 하지 않는 연납이 타겟과 캐리어 부재에 대한 스프링 부재의 연결을 위한 보상 수단 또는 연결 수단으로서 사용되는 때에 및 타겟이 ZnO 등의 세라믹 재료를 포함할 때에, 조인트 파트너 간의 재료 연속성을 갖는 신뢰 가능한 연결을 보장한다. 타겟은 그 내측면이 전기도금 등으로 코팅되며, 캐리어 부재는 그 외측면에 땜납이 가해질 수 있다.
용융된 땜납이 타겟과 캐리어 부재의 재료 연속성을 갖는 연결부의 제조 시에 타겟의 외측면에 침투하는 것을 방지하기 위해, 각각의 밀봉재, 구체적으로 실리콘 재료 등의 열저항성 밀봉재가 2개의 인접 튜브 세그먼트 사이에 제공될 수 있다.
본 발명은 또한 청구항 17의 특징을 갖는 방법을 제공한다. 상기한 장점은 본 발명에 따른 방법에 의해 제공된다.
본 발명에 따른 방법의 실시예에 의하면, 캐리어 부재와 튜브 세그먼트는 땜납 구체적으로는 연납을 통해, 바람직하게는 용제를 필요로 하지 않는 연납을 통해 서로 연결된다.
땜납은 서로 분리되어 배치되고 구체적으로는 타겟 배치 장치의 조립전 상태에서 얇은 금속판의 방식으로 형성된 캐리어의 돌출부들 사이에 배치되는 것이 바람직하다. 이로써, 캐리어에 땜납을 가하는 방법이 특히 간편하게 된다. 땜납은 예컨대 절반 높이의 적층과 같은 돌출부들 사이에 형성된 절결부 내에 삽입될 수 있다.
땜납은 캐리어 부재와 타겟 사이에 재료 연속성을 갖는 연결을 구축할 수 있도록 액화되어야 한다. 타겟과 캐리어 부재에 대한 이러한 연결이 회전되어, 액화된 땜납이 원심력 및 모세관힘의 영향 하에서 타겟과 캐리어 부재의 돌출부 사이에 형성된 갭 내로 이동하여 타겟과 캐리어 부재를 연결하도록 하는 것이 바람직하다.
따라서, 액화된 땜납은 조립전 위치에서 벗어나 타겟과 캐리어 부재의 회전에 의해 최종 위치로, 즉 절결부에서 벗어나 돌출부와 타겟 사이에 형성된 갭 내로 이동한다. 다수의 땜납이 돌출부 상으로 이동하여 돌출부와 타겟 사이의 갭이 땜납으로 완전히 채워지는 즉시, 땜납이 냉각되어 땜납이 타겟과 캐리어 부재의 돌출부의 양자에 재료 연속성으로 연결될 수 있도록 타겟 배치 장치의 열 입력 및 회전이 종료될 수 있다.
땜납이 원심력과 모세관힘에 의해 돌출부와 타겟 사이의 갭 내로 이동하기 때문에, 타겟과 캐리어 부재의 재료 연속성을 갖는 연결을 위해 제공된 영역 내의 땜납의 정확한 포지셔닝이 자동적으로달성된다. 이것은 타겟 배치 장치의 제조를 간략화하며, 어떠한 요구된 높이의 타겟 배치 장치의 제조도 가능하게 한다. 이러한 구조에서는, 타겟 배치 장치의 전체 길이에 걸쳐 동시에 땜납을 용융시키거나 경화시킬 필요가 없고, 땜납의 액화를 위해 대응하여 구성된 열원, 예컨대 연속 용광로에 타겟 배치 장치를 통과시킬 수 있다.
본 발명의 방법에 따른 다른 실시예에서, 각각의 보상 수단은 땜납에 의해 캐리어 부재와 튜브 세그먼트에 연결되는 스프링 부재를 포함한다. 대응하는 열 입력에 의하여, 스프링 부재와 캐리어 부재 사이에 위치된 땜납 및 스프링 부재와 타겟 사이에 위치된 땜납을 동시에 용융시켜, 캐리어 부재와 타겟에 대한 스프링 부재의 재료 연속성을 갖는 연결을 동시에 구축하는 것이 가능하다.
이와 달리 또는 이에 추가하여, 스프링 부재는 튜브 세그먼트를 캐리어 부재 상으로 푸싱하기 전에 캐리어 부재에 미리 재료 연속성으로 연결될 수 있다. 이로써, 스프링 부재는 캐리어 부재에 고정되며, 튜브 세그먼트의 캐리어 부재 상으로의 푸싱 시에 축방향으로 변위될 수 없게 된다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 캐리어 부재에 스프링 부재를 위한 수용부가 제공되면, 동일한 효과가 얻어질 수 있다.
전술한 바와 같이 타겟 및 캐리어 부재에 대한 땜납의 접착을 향상시키기 위해, 튜브 세그먼트가 그 내측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화될 수 있거나 및/또는 캐리어 부재가 땜납이 가해지기 전에 그 외측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화될 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 튜브 세그먼트의 내측면에서 전체 영역에 걸쳐 세라믹 재료 및 금속 코팅을 포함하는 공동의 원통형 타겟의 튜브 세그먼트를 제공하는 것이다.
금속 코팅은 예컨대 Ni를 함유하는 층, Cu를 함유하는 층, 및 SnPb를 함유하는 층을 포함한다. Ni층은 ZnO를 함유하는 세라믹 재료에 대하여 특히 우수한 접착 강도를 갖는 한편, Cu층은 Ni층을 부식으로부터 보호하고, SnPb층의 다공성(porosity)을 감소시킨다. Cu층은 생략될 수도 있다. SnPb층은 용제를 필요로하지 않는 땜납의 튜브 세그먼트에 대한 최적의 접합을 제공하는 실질적인 기능층이다.
튜브 세그먼트의 세라믹 재료는 ITO(인듐 주석 산화물)를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 타겟 배치 장치의 조립 전 상태에서의 길이 방향 단면도이다.
도 2는 땜납 액화(solder liquefaction) 동안의 도 1의 타겟 배치 장치의 길이 방향 단면도이다.
도 3은 도 1의 타겟 배치 장치의 최종 조립 상태에서의 길이 방향 단면도이다.
도 4는 도 1의 타겟 배치 장치의 타겟 튜브 세그먼트의 횡단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 타겟 배치 장치의 제2 실시예의 최종 조립 상태에서의 길이 방향 단면도이다.
이하에서는 본 발명의 이점을 갖는 실시예 및 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 예시하여 설명할 것이다.
도 1에 도시된 본 발명에 따른 타겟 배치 장치는 티타늄, 특히 스테인리스 스틸 등의 스틸, 또는 구리와 같은 금속 재료를 함유하는 튜브형 캐리어 부재(10)를 포함한다. 일점 쇄선(12)은 캐리어 부재(10)의 길이 방향의 중심축을 나타낸다. 캐리어 부재(10)는 그 외측면에 예컨대 납땜 주석의 층인 납땜층이 제공된다.
또한, 캐리어 부재(10)의 외측면에는, 캐리어 부재(10) 안쪽으로 밀링되거나 절단된 홈형(groove-like) 절결부(14)가 제공된다. 도시된 실시예에서, 절결부(14)는 둥글고 구체적으로는 대략 반원형의 횡단면을 갖지만, 일반적으로는 부분 적인 원의 형태를 갖지 않는 둥근 단면을 갖거나 또는 심지어는 각을 이루는 횡단면을 가질 수 있다.
또한, 도시된 실시예에서의 절결부(14)는 길이 방향의 중심축(12)을 가로질러, 즉 캐리어 부재(10)의 둘레 방향으로 연장하며, 실제로 각각의 경우에 캐리어 부재(10)의 전체 둘레를 따라 연장한다. 즉, 절결부(14)는 링 모양의 홈(ring groove)의 방식으로 이루어진다. 이와달리, 절결부는 캐리어 부재 주변에 나선형, 즉 나사산 모양의 홈의 방식으로 이루어진다. 축방향으로 볼 때, 복수의 절결부(14)가 링 모양의 홈의 형태로 국부적으로 제공되거나 또는 나사산 모양의 홈의 방식의 절결부가 제공되는 혼합된 형태도 고려될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 절결부(14)는 돌출부(16)가 각각의 경우에 2개의 인접 절결부(14)에 의해 형성되어 그 사이에 놓여지도록 서로 이격된다. 절결부(14)의 구성에 따라, 돌출부(16)는 또한 캐리어 부재(10)의 전체 둘레를 따라 둘레 방향, 즉 길이 방향의 중심축(12)을 가로질러 연장한다. 나사선 모양의 홈의 방식의 절결부의 경우, 돌출부는 그에 대응하여 캐리어 부재의 주변을 나선형의 방식으로 연장한다.
인접한 절결부(14)들 간의 간격은, 돌출부(16)가 외측을 향하는 상단면(18)에 각각의 경우에서 평탄화된 고원 영역(flattened plateau region)(18)을 갖도록 선택된다. 고원 영역(18)의 폭은 절결부(14) 폭의 대략 절반이 될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 타겟 배치 장치는 하나 이상의 튜브 세그먼트(21)를 포함하는 공동의 원통 타겟(20)을 더 구비하며, 튜브 세그먼트(21)는 하나의 피 스(piece)로 이루어지고, 특히 ZnO 등의 세라믹 재료와 같은 타겟 재료를 함유한다.
각각의 튜브 세그먼트(21)는 그 내측면에 예컨대 전기도금 코팅(19)과 같은 금속 코팅을 갖는다(도 4). 코팅은 순차적인 3개의 층, 즉 Ni로 이루어진 내부층(19a), Cu로 이루어진 중간층(19b), 및 SnPb로 이루어진 외부층(19c)을 포함하며, Cu로 이루어진 중간층(19b)은 생략될 수 있다.
각각의 튜브 세그먼트(21)는 캐리어 부재(10)를 적어도 단편적으로 둘러싼다. 타겟(20)이 복수의 튜브 세그먼트(21)로 구성되면, 인접한 2개의 튜브 세그먼트(21) 사이에는 예컨대 실리콘 재료와 같은 각각의 열저항성 밀봉재(도시하지 않음)가 제공된다.
각각의 튜브 세그먼트(21)의 내경은, 각각의 돌출부(16)의 고원 영역(18)과 튜브 세그먼트(21)의 내측면 사이에 갭(22)이 형성되도록 돌출부(16)의 영역에서의 캐리어 부재(20)의 외경에 부합된다. 타겟 배치 장치의 가열이 이루어지지 않은 상태에서, 즉 예컨대 실온에서, 갭(22)은 수 십 밀리미터 범위에 놓여있는 갭을 가질 수 있다.
캐리어 부재(10)과 타겟(20)의 접속을 위해 플라스틱과 같이 변형 가능한 복수의 보상 수단이 제공되며, 이 보상 수단은 용제를 필요로 하지 않으며, 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에서는 예컨대 SnIn 또는 SnPb를 함유하는 연납(24)에 의해 형성된다.
연납(24)은 타겟 배치 장치의 조립을 위해 절반의 적층 높이로 절결부(14) 내에 제공 또는 삽입된다. 이에 후속하여, 튜브 세그먼트(21)는 캐리어 부재(10) 상으로 푸시되고, 연납(24)을 수용하고 있는 절결부(14) 위에 위치된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 축방향에서 본 절결부(14)는 실질적으로 타겟(20)의 전체 길이에 걸쳐 분포되어 배치된다. 예컨대 스프링 부재와 같은 도시하지 않은 고정 수단이 도 1에 도시된 조립전 상태에서 캐리어 부재(10)에 대하여 타겟(20)의 고정 및 중심 맞춤을 위하여 그 튜브 세그먼트(21) 또는 각각의 튜브 세그먼트(21)의 축방향의 끝단의 영역에 위치되는 이들 절결부(14)에 배치된다.
절결부(14) 내의 절반 정도의 적층 높이로 제공된 연납(24)은 도 2에 도시된 바와 같이 캐리어 부재(10)에 대한 타겟(20)의 재료 연속성을 갖는 접속을 위해 직접적인 열 입력(26)의 수단에 의해 액화된다. 연납(24)의 가열은 예컨대 연속 용광로에서 타겟(20)을 관통하여 외부로부터 발생할 수 있거나 및/또는 캐리어 부재(10) 내에 유입 가능한 열원 수단에 의해 캐리어 부재(10)를 관통하여 내부로부터 발생할 수 있다.
연납(24)의 용융 시에, 캐리어 부재(10와 타겟(20) 또한 가열된다. 캐리어 부재(10)와 타겟(20)은 이러한 가열로 인해 상이한 정도로 팽창하며, 이에 의해 캐리어 부재(10)의 돌출부(16)와 튜브 세그먼트(21) 사이의 갭(22)의 폭이 예컨대 0.05㎜ 내지 0.1㎜의 갭폭으로 감소된다.
연납(24)의 액화에 추가하여, 캐리어 부재(10) 및 타겟(20)은 길이 방향의 중심축(12) 둘레를 함께 회전하도록 설정된다. 액화된 연납(24)이 절결부(14)에서 벗어나 돌출부(16)의 고원 영역(18) 상으로 이동하고, 원심력 및 모세관힘에 의해 갭 안쪽에서와 갭에서 수축하도록, 타겟 배치 장치의 회전이 선택된다. 용융된 납(24)이 타겟(20)의 외측면에 도달하는 것은 인접한 튜브 세그먼트(21) 사이의 밀봉재에 의해 방지된다.
타겟 배치 장치의 가열 및 회전은 많은 용융된 연납(24)이 이러한 연납(24)으로 완전히 채워지는 갭(22)에 모아질 때까지 오래 동안 유지된다. 용융된 연납(24)은 캐리어 부재(10)의 돌출부(16)의 고원 영역(18) 및 타겟(20) 양자와 접촉하게 되고, 타겟(20)과 캐리어 부재(10) 사이의 중간 공간을 브리지한다.
그 후에, 열 공급원(26)이 종료되어, 타겟 배치 장치가 바람직하게는 연속된 회전 하에서 냉각될 수 있다. 연납(24)은 이러한 냉각에 의해 고체화되며, 그와 동시에 재료 연속성으로 타겟(20)과 캐리어 부재(10)를 연결한다.
타겟(20)과 캐리어 부재(10) 사이의 공간은 타겟(20)과 캐리어 부재(10)의 상이한 열팽창의 결과로 타겟 배치 장치를 다시 냉각할 때에 더 커지게 된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 갭(22)에 위치된 연납(24)은 분리되어 솔더 브리지 또는 솔더 필릿(solder fillet)(28)을 형성한다. 조인트 파트너, 즉 캐리어 부재(10)와 타겟(20)의 상이한 열팽창으로 인해 냉각 동안 타겟(20)에서 발생하여 타겟(20)에 손상을 야기할 수 있는 타겟(20)의 응력(strain)은 솔더 필릿(28)의 플라스틱 변형성에 의해 방지된다.
그 결과, 타겟(20)이 연납(24)의 플라스틱과 같이 변형 가능한 솔더 필릿(28)을 통해 캐리어 부재(10)에 재료 연속성으로 연결되는 타겟 배치 장치가 얻어진다. 이에 의해, 한편으로는 캐리어 부재(10)에 대한 타겟(20)의 특히 우수한 열적 결합이 달성되며, 다른 한편으로는 조인트 파트너의 상이한 열팽창에 기인될 수 있는 변형으로 인한 타겟(20)에 대한 손상의 위험없이 캐리어 부재(10)에의 타겟(20)의 신뢰적인 기계적 조임이 얻어진다.
도 5에 도시된 제2 실시예에서, 하나 이상의 튜브 세그먼트(21)로 이루어진 타겟(20)과 캐리어 부재(10)는 솔더 필릿(24)에 의해 서로 연결되지 않는다. 그 대신, 예컨대 스퍼터링 공정과 같은 타겟 배치 장치의 가열 시에 캐리어 부재(10)와 타겟(20)의 상이한 정도의 팽창은, 캐리어 부재(10)와 튜브 세그먼트(21) 사이에 배치되는 스프링 부재(30)에 의해 보상된다. 스프링 부재(30)는 타겟 배치 장치의 가열 시에 압박하고 타겟 배치 장치의 냉각 시에 다시 확장한다는 점에서 본 실시예의 보상 수단을 형성한다.
타겟(20)으로부터 스프링 부재(30)를 경유하여 캐리어 부재(10)로의 특히 우수한 열전달을 보장하기 위해, 스프링 부재(30)는 튜브 세그먼트(21)와 캐리어 부재(10) 양자에 대해 재료 연속성으로 연결된다.
연납이 연결 수단으로서 제공되며, 스프링 부재(30)와 튜브 세그먼트(21) 사이 및 스프링 부재(30)와 캐리어 부재(10) 사이에 유입된다. 재료 연속성을 갖는 연결은 각각의 경우에 대응하는 용융 및 냉각 과정에 의해 스프링 부재(30)와 캐리어 부재(10) 또는 타겟(20) 사이에 구축된다.
전술한 제1 실시예와 같이, Ni층(19a), 옵션의 Cu층(19b) 및 SnPb층(19c)을 포함하는 금속 코팅(19)이 또한 제2 실시예(도 4) 내의 각각의 튜브 세그먼트(21)의 내측에 제공되어, 연납과 타겟(20)의 재료 연속성으로 연결을 향상시킨다. 이 에 따라, 캐리어 부재(10)는 예컨대 납땜 주석으로 이루어진 층과 같은 납땜층이 그 외측면에 제공된다.
캐리어 부재(10)에 대해 스프링 부재(30)를 조임으로써 그와 동시에 스프링 부재(30)를 타겟(20)에 조일 수 있다.
이와 달리 또는 이에 추가하여, 스프링 부재(30)는 또한 튜브 세그먼트(21)를 캐리어 부재(10) 상으로 푸시하기 전에 재료 연속성으로 캐리어 부재(10)에 연결될 수 있다. 이러한 방식으로, 스프링 부재(30)는 타겟(20)의 조립 시에 캐리어 부재(10)에 이미 고정되고, 튜브 세그먼트(21)에 의한 축방향의 변위에 대해 안정화된다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 스프링 부재(30)는 또한 이러한 용도의 캐리어 부재(10)의 절결부(도시하지 않음)에 지지될 수 있다.
도면 부호 목록
10 : 캐리어 부재
12 : 길이 방향 중심축
14 : 절결부
16 : 돌출부
18 : 고원 영역
19 : 코팅
20 : 타겟
22 : 갭
24 : 연납
26 : 열 입력
28 : 솔더 필릿
30 : 스프링 부재

Claims (28)

  1. 튜브형 캐리어 부재(10) 및 공동의 원통형 타겟(hollow cylinderical target)(20)을 포함하며, 상기 타겟(20)은 하나 이상의 타겟 재료를 함유하며, 또한 하나의 피스(piece)로 이루어지고 적어도 단편적으로 상기 캐리어 부재(10)를 둘러싸는 하나 이상의 튜브 세그먼트(21)를 포함하며, 상기 캐리어 부재(10)와 상기 튜브 세그먼트(21)는 플라스틱 처럼 변형 가능한 2개 이상의 보상 수단(24, 30)에 의해 재료 연속성(material continuity)으로 서로 부분적으로 연결되는,
    타겟 배치 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보상 수단(24, 30)은 상기 튜브 세그먼트(21)와 상기 캐리어 부재(10) 사이에 축방향으로 서로 떨어져 이격되어 있는 영역(22)에 배치되는, 타겟 배치 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보상 수단(24, 30)은 용제(flux)를 필요로 하지 않는, 타겟 배치 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 수단은 땜납(24) 및 구체적으로는 연납을 포함하는, 타겟 배치 장 치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟(20)과 캐리어 부재(10) 사이에 제공된 중간 공간의 상호 이격된 분리 영역(22)은 땜납(24)으로 채워지는, 타겟 배치 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납(24)은 상기 타겟(20)과 상기 캐리어 부재(10)의 돌출부(16) 사이에 제공되는, 타겟 배치 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 돌출부(16)는 축방향 또는 방사상 방향에서 볼 때 서로 떨어져 이격되어 있으며, 구체적으로는 상기 축방향 또는 방사상 방향에서 볼 때 실질적으로 상기 타겟(20)의 전체 길이에 걸쳐 분포되어 배치되는, 타겟 배치 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 돌출부(16)는 실질적으로 상기 캐리어 부재(10)의 둘레 방향으로 연장하는 얇은 금속판(web)을 포함하는, 타겟 배치 장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    얇은 금속판 형태의 복수의 상기 돌출부(16)는 상기 캐리어 부재(10)의 길이 방향의 축(12)을 따라 직각으로 연장하며, 및/또는 얇은 금속판 형태의 상기 돌출부는 상기 캐리어 부재(10)의 주변을 나선형 방식으로 연장하는, 타겟 배치 장치.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌출부(16)에 의해 구분되는 상기 캐리어 부재(10)의 절결부(14)는 상기 타겟 배치 장치의 조립전 상태에서 상기 땜납(24)을 위한 수용 공간을 형성하는, 타겟 배치 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟(20)을 조립전 상태에서 상기 캐리어 부재(10)에 대하여 고정 및 구체적으로 중심을 맞추기 위하여 상기 튜브 세그먼트(21)와 상기 캐리어 부재(10) 사이에 고정 수단이 배치되는, 타겟 배치 장치.
  12. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 수단은 각각 스프링 부재(30)를 포함하는, 타겟 배치 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    각각의 상기 스프링 부재(30)는 납땜, 구체적으로는 연납을 통해 재료 연속성으로 상기 캐리어 부재(10) 및 상기 튜브 세그먼트(2)에 연결되는, 타겟 배치 장 치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 캐리어 부재(10)의 외측면에 스프링 부재를 위하여 절결부가 제공되는, 타겟 배치 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 튜브 세그먼트(21)는 그 내측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화 또는 납땜 코팅되거나 및/또는 상기 캐리어 부재(10)는 그 외측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화 또는 납땜 코팅되는, 타겟 배치 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 밀봉재, 구체적으로 실리콘 재료 등의 열저항성 밀봉재가 인접한 2개의 상기 튜브 세그먼트(21) 사이에 제공되는, 타겟 배치 장치.
  17. 타겟 배치 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 타겟 부재는 튜브형 캐리어 부재(10) 및 공동의 원통형 타겟(hollow cylinderical target)(20)을 포함하며, 상기 타겟(20)은 하나 이상의 타겟 재료를 함유하며, 또한 하나의 피스(piece)로 이루어지고 적어도 단편적으로 상기 캐리어 부재(10)를 둘러싸는 하나 이상의 튜브 세그먼트(21)를 포함하며, 상기 캐리어 부재(10)와 상기 튜브 세그먼트(21)는 플라스틱 처럼 변형 가능한 2개 이상의 보상 수단(24, 30)에 의해 재료 연속성(material continuity)으로 서로 부분적으로 연결되는,
    타겟 배치 장치 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 캐리어 부재(10)와 각각의 상기 튜브 세그먼트(21)는 땜납(24), 구체적으로는 연납, 바람직하게는 용제를 필요로 하지 않는 연납을 통해 서로 연결되는, 타겟 배치 장치 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 땜납(24)은 서로 떨어져 이격되어 있는 상기 캐리어 부재(10)의 돌출부(16) 사이에 배치되고, 구체적으로 상기 타겟 배치 장치의 조립전 상태에서 얇은 금속판(web)의 방식으로 구성되는, 타겟 배치 장치 제조 방법.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 땜납(24)은 직접적인 열 입력(26)에 의해 액화되며, 상기 타겟(20) 및 상기 캐리어 부재(10)는 액화된 상기 땜납(24)이 원심력 및 모세관힘의 영향으로 상기 타겟(20)과 상기 캐리어 부재(10)의 돌출부(16) 사이에 형성된 갭(22) 내로 이동하여, 상기 타겟(20)과 상기 캐리어 부재(10)를 접촉시키는, 타겟 배치 장치 제조 방법.
  21. 제17항에 있어서,
    각각의 상기 보상 수단은 상기 땜납에 의해 상기 캐리어 부재(10) 및 상기 타겟(20)에 재료 연속성으로 연결되는 스프링 부재(30)를 포함하는, 타겟 배치 장치 제조 방법.
  22. 제17항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 튜브 세그먼트(21)는 그 내측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화 또는 납땜 도금되거나 및/또는 상기 캐리어 부재(10)는 땜납이 가해지기 전에 그 외측면에서 전체 영역에 걸쳐 금속화 또는 납땜 도금되는, 타겟 배치 장치 제조 방법.
  23. 공동의 원통형 타겟(20)의 튜브 세그먼트(21)로서, 상기 튜브 세그먼트는 상기 튜브 세그먼트(21)의 내측면에 세라믹 재료 및 금속 코팅(19), 구체적으로는 전체 영역 금속 코팅을 포함하는, 튜브 세그먼트.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 금속 코팅(19)은 상이한 금속재로 이루어진 2개 이상의 층(19a, 19c)의 순차적인 층을 포함하는, 튜브 세그먼트.
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서,
    상기 금속 코팅(19)은 상이한 금속재로 이루어진 3개의 층(19a, 19b, 19c)의 순차적인 층을 포함하는, 튜브 세그먼트.
  26. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(19)은 Ni를 함유한 층(19a) 및 SnPb를 함유한 층(19c)을 포함하는, 튜브 세그먼트.
  27. 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(19)은 Ni를 함유한 층(19a), Cu를 함유한 층(19b) 및 SnPb를 함유한 층(19c)을 포함하는, 튜브 세그먼트.
  28. 제23항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 재료는 ZnO 및/또는 ITO를 포함하는, 튜브 세그먼트.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8394275B2 (en) * 2008-01-02 2013-03-12 Waters Technologies Corporation Liquid-chromatography conduit assemblies having high-pressure seals
US8500972B2 (en) * 2008-04-14 2013-08-06 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical magnetron
JP5387118B2 (ja) 2008-06-10 2014-01-15 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
DE202009014959U1 (de) * 2009-10-23 2010-10-21 Sindlhauser Materials Gmbh Sputtertargetanordnung
TWI544099B (zh) 2010-05-21 2016-08-01 烏明克公司 濺鍍標靶對支撐材料的非連續性接合
BR112013000785A2 (pt) * 2010-07-12 2016-05-24 Materion Advanced Materials Technologies And Services Inc conjunto de união de tubo de apoio de alvo giratório
EP2420589B1 (en) 2010-08-19 2013-03-20 Solar Applied Materials Technology Corp. Hollow target assembly
JP5291679B2 (ja) * 2010-08-30 2013-09-18 光洋應用材料科技股▲ふん▼有限公司 中空ターゲット組立体
DE102011055314B4 (de) 2011-11-14 2017-03-16 Sindlhauser Materials Gmbh Sputtertargetanordnung und Bond-Verfahren zu deren Herstellung
AT13609U1 (de) * 2012-09-17 2014-04-15 Plansee Se Rohrförmiges Target
DE102013100383B4 (de) * 2013-01-15 2019-12-05 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Magnetronanordnung
CN115302031A (zh) * 2022-08-16 2022-11-08 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种微带板与腔体的变形补偿焊接方法及焊接工件

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3233215C1 (de) * 1982-09-07 1984-04-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kuehlteller fuer Aufstaeubanlagen
JPS63270460A (ja) * 1987-04-27 1988-11-08 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパツタリング・タ−ゲツト
US5354446A (en) * 1988-03-03 1994-10-11 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production
US4820397A (en) 1988-04-04 1989-04-11 Tosoh Smd, Inc. Quick change sputter target assembly
JPH0539566A (ja) * 1991-02-19 1993-02-19 Mitsubishi Materials Corp スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法
US5147521A (en) 1991-05-20 1992-09-15 Tosoh Smd, Inc. Quick change sputter target assembly
FR2689885B1 (fr) 1992-04-14 1994-10-21 Atochem North America Elf Procédé pour inhiber la décomposition du 1,1-dichloro-1-fluoréthane.
US5286361A (en) * 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets
DE4414470A1 (de) 1994-04-26 1995-11-02 Leybold Ag Zerstäuberkathode
JP3618005B2 (ja) * 1994-08-23 2005-02-09 三井金属鉱業株式会社 回転カソード用スパッタリングターゲットの製造方法
WO1996015283A1 (en) * 1994-11-15 1996-05-23 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding targets to backing plate member
JP3076311B2 (ja) * 1998-10-06 2000-08-14 株式会社日鉱マテリアルズ 酸化物焼結体スパッタリングターゲット組立体
US6774339B1 (en) * 1999-11-09 2004-08-10 Tosoh Smd, Inc. Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin
CA2418807A1 (en) 2000-09-08 2003-02-05 Asahi Glass Company, Limited Cylindrical target and its production method
US6409897B1 (en) * 2000-09-20 2002-06-25 Poco Graphite, Inc. Rotatable sputter target
DE10063383C1 (de) * 2000-12-19 2002-03-14 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung
DE10231203B4 (de) * 2002-07-10 2009-09-10 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Targetträgeranordnung
DE10252577B4 (de) 2002-11-12 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen einer Lotverbindung durch kapillaren Lotfluß
DE10253319B3 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets
JP2006514160A (ja) * 2003-02-20 2006-04-27 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム スパッタターゲットの製造方法
DE102004031161A1 (de) 2003-06-27 2005-01-27 Zentrum für Material- und Umwelttechnik GmbH Targetanordnung
DE102004005663A1 (de) 2004-02-05 2005-09-01 Zentrum für Material- und Umwelttechnik GmbH Verfahren zum Herstellen einer Targetanordnung
US20060065524A1 (en) 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
DE102004060423B4 (de) * 2004-12-14 2016-10-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Rohrtarget und dessen Verwendung
DE102005020250B4 (de) * 2005-04-28 2007-07-19 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget
KR101456718B1 (ko) * 2005-10-03 2014-10-31 플란제 에스이 기다란 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법

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