KR20080094177A - 발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지구비한 면 발광 장치 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지구비한 면 발광 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지를 구비한 면 발광 장치에 관한 것이다.
본 발명 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 캐비티가 형성된 패키지 본체; 상기 캐비티 내부에 ∪자 형상으로 형성된 반사판; 상기 반사판에 탑재된 발광 다이오드를 포함한다.
LED, 패키지, 캐비티, ∪자형 반사판

Description

발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지 구비한 면 발광 장치{Light emitting diode package and manufacturing method thereof, surface lighting apparatus having thereof}
도 1은 종래 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 정면도.
도 3은 도 2의 장축 단면도.
도 4는 도 2의 단축 단면도.
도 5의 (a)(b)는 본 발명 실시 예에 따른 캐비티 내부의 ∪자형 반사판의 변형 예를 나타낸 도면.
도 6의 (a)(b)(c)는 본 발명 실시 예에 따른 캐비티 내부의 ∪자형 반사판의 변형 예를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서, 반사판의 각도 및 후 도금에 따른 광도를 측정한 도면.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지에 있어서, 반사판의 각도 및 후 도금에 따른 광속을 측정한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 발광 다이오드 패키지 110 : 패키지 본체
112,114 : ∪자형 반사판 113 : 외부 전극
116 : 반사판 분리 영역 117 : 캐비티
120 : 발광 다이오드
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지를 구비한 면 발광 장치에 관한 것이다.
오늘날, 발광 소자나 수광 소자로 대표되는 반도체 소자와, 상기 발광 소자나 수광 소자를 외부 환경으로부터 보호하여, 이들의 전극과 접속하는 리드 프레임을 구비한 지지체를 갖는 발광 장치가 제공되어 있다.
특히 발광 장치로서, 상기 발광 소자와 그 발광 소자로부터의 빛을 흡수하여 서로 다른 파장을 갖는 빛을 발광하는 형광체를 조합하여 백색계의 혼색광을 고휘도로 발광하는 것이 가능한 발광 다이오드가 개발되었다. 이러한 발광 다이오드를 이용한 광원이 여러 가지의 분야에서 이용되고 있다.
또한 발광 다이오드가 패키지(package)라고 불리는 지지체에 고정되어, 발광 장치로 사용되고 있다. 예를 들면, 발광 장치의 소자 실장 영역에 거의 평행한 방향으로 빛을 조사하는 것이 가능한 표면 실장형 발광 장치를 들 수 있다.
도 1은 종래 발광 다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(11)의 양측 방향에는 은 도금된 리드 프레임(31)이 돌출되고, 사출 성형에 의하여 좁고 긴 길이의 홈으로 이루어지는 캐비티(12)가 형성된다.
그리고 상기 캐비티(12)의 내부에 발광 다이오드(20)가 칩 형태로 부착되고 와이어(21)로 본딩된 후, 액상의 투명 수지를 충진하고 경화함으로써 몰드부재(16)가 형성한다. 이러한 몰드부재(16)는 에폭시나 실리콘 재료를 주로 쓰며 경우에 따라 형광체 분말을 첨가하기도 한다.
그리고 상기 몰드부재(16) 내 형광체의 양과 분포는 백색광의 색 좌표를 결정하며, 사출 성형된 캐비티(12)는 기본적으로 발광 다이오드(20)로부터 방출되는 광을 얇고 넓게 퍼지도록 하는 형태이다. 이러한 발광 다이오드 패키지는 측면 실장형 패키지로서, 백 라이트 유닛에 표면 실장형으로 결합된다.
그러나, PPA 재질의 패키지 본체(11)가 점차 얇아(약 70um 이하)지게 됨에 따라 발광 다이오드에서 발생되는 광의 일부가 PPA 재질로 이루어진 패키지 본체의 측면을 통해 투과하게 됨으로써, 광 손실이 발생된다.
본 발명의 실시 예는 발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지를 구비한 면 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 예는 캐비티 내부에 ∪자형 반사판을 형성하여, 반사 및 전극 역할을 할 수 있도록 한 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 캐비티 내부에 고반사 금속이 도금된 ∪자형 반사판을 형성하여, 열 저항 값 및 열 특성 개선효과를 제공할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 고반사 금속이 도금된 반사판을 갖는 발광 다이오드 패키지를 구비한 면 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 캐비티가 형성된 패키지 본체; 상기 캐비티 내부에 ∪자 형상으로 형성된 반사판; 상기 반사판에 탑재된 발광 다이오드를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법은, 적어도 한 측면이 경사진 ∪자 형상의 반사판을 형성하는 단계; 상기 형성된 반사판을 캐비티 내부에 배치한 후 패키지 본체를 사출 성형하는 단계; 상기 반사판에 적어도 하나의 발광 다이오드를 탑재하는 단계; 상기 캐비티를 몰딩하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 면 발광 장치는 캐비티가 형성된 패키지 본체; 상기 캐비티 내부에 ∪자 형상으로 형성된 반사판; 상기 반사판에 탑재된 발광 다이오드를 포함하는 하나 이상의 발광 다이오드 패키지; 상기 발광 다이오드 패키지의 출사 영역에 배치된 도광판을 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하 여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 정면도이고, 도 3 및 도 4는 도 2의 장/단축 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 측면 발광형 또는 상면 발광형 패키지 제품으로 직육면체 또는 정육면체 형상으로 형성되며, 액정표시장치의 백 라이트용 광원, 조명 분야 등의 면 발광 장치로서 다양하게 적용될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 측면 발광형 발광 다이오드 패키지에 대해 설명하기로 한다.
상기 발광 다이오드 패키지(100)는 캐비티(117)를 갖는 패키지 본체(110), 반도체 소자로서 발광 다이오드(120), ∪자형 반사판(112,114)를 포함한다.
상기 패키지 본체(110)는 폴리프탈아미드(PPA), 액정폴리머(LCP), 신지오택틱폴리스티렌(SPS) 중 어느 하나의 재질을 이용하여 다면체 형상으로 형성될 수 있으며, 상면에 캐비티(117)가 일정 깊이로 형성된다. 여기서 패키지 본체(110)는 길이가 긴 방향의 대칭축을 장축이라 하고, 길이가 짧은 방향의 대칭축을 단축이라고 한다.
상기 ∪자형 반사판(112,114)은 알루미늄, 은, 금, 구리, 포라듐, 이리듐, 로듐 및 이들의 합금 형태의 조합으로 이루어진 고반사 금속 중에서 어느 하나로 이루어진다.
또한 상기 ∪자형 반사판(112,114)은 다른 예로서, 구리(Cu)와 같은 금속판의 표면에 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 주 성분으로 하는 고반사 물질 을 도금할 수도 있다. 여기서, 구리(Cu) 위에 고반사 물질을 직접 도금하거나, 니켈(Ni)을 이용하여 하지도금한 후 고반사 물질을 도금할 수도 있다. 또한 상기 상기 ∪자형 반사판(112,114)은 금속판에 대해 먼저 도금(선 도금)한 후 반사판 형상으로 벤딩 및 펀칭할 수도 있고, 또는 금속판에 대해 벤딩 및 펀칭하여 반사판 형상으로 제조한 후 고반사 물질로 도금(후 도금)할 수도 있다.
상기 ∪자형 반사판(112,114)은 적어도 한 측면이 소정 각도로 경사져 있으며, 반사판 분리막(116)을 기준으로 두 개의 전극 영역으로 구분되며, 내부에서의 광 반사 및 두 전극 역할을 수행한다. 여기서, ∪자형은 바닥면과 양 측면을 가지고, 바닥면에 대해 적어도 한 측면이 적어도 90°이상의 각도로 벤딩된 것을 포함하며, 벤딩 부위가 완만한 곡선 또는 꺾여진 형상으로 형성될 수 있다.
상기 ∪자형 반사판(112,114)은 캐비티 내부에서 반사판 바닥면(112a,114a) 및 앞/뒤 측면(112b,114b)으로 절곡되며, 앞 또는/및 뒤 측면(112b,114b)은 바닥면(112a,114a)을 기준으로 소정 각도로 경사지게 형성된다. 또한 상기 ∪자형 반사판(112,114)의 바닥면(112a,114a)은 도 3에 도시된 바와 같이 패키지 본체(110)를 관통하여 외부 전극(113)으로 구성된다.
또한 캐비티(117) 내부에서 장축 방향으로 ∪자형 반사판(112,114)이 개방된 측면인 좌/우 경사면(118)과, 상기 반사판 분리막(116)은 패키지 본체(110)에 의해 형성되는 것으로, 캐비티 성형시 형성되며, 복수개의 반사판(112,114)을 지지해 준다. 여기서, 좌/우 경사면(118)은 다른 예로서, ∪자형 반사판(112,114)의 적어도 한 측면을 더 연장한 후 벤딩함으로써 형성할 수도 있다.
본 발명은 ∪자형 반사판(112,114)을 배치한 후 패키지 본체(110)를 사출 성형하여, 캐비티 내부에 ∪자형 반사판(112,114)이 일체화된다. 여기서 상기 ∪자형 반사판(112,114)은 길이만 다르고 동일한 형상으로 형성된다.
여기서, 상기 반사판(112,114)은 20~300um의 두께로 형성되며, 반사판(112,114)의 깊이는 250 ~ 600um로 형성될 수 있다. 여기서 반사판 깊이는 캐비티 깊이와 같을 수도 있다.
상기 ∪자형 반사판(112,114) 중에서 어느 한 반사판에는 반도체 소자로서 발광 다이오드가 접착되고, ∪자형 반사판(112,114)의 바닥면(112a,114a)에 와이어(122)를 이용한 본딩(wire bonding) 또는 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 등의 방식으로 실장될 수 있으며, pn 또는 npn 접합 구조를 포함하고, AlGaN 계열, GaN 계열, InGaAlp 계열, GaAs 계열의 반도체 발광소자 중 어느 하나를 하나 이상 포함할 수 있다. 또한 발광 다이오드(120)의 보호를 위해 제너 다이오드와 같은 보호 소자가 탑재될 수도 있다.
상기 발광 다이오드 패키지는 구현하는 형태에 따라 청색 LED 칩과 형광체(예: 실리케이트계 형광체)를 이용한 백색 발광 다이오드로 구현할 수 있다. 또한 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 청색 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩으로 각각 구현하거나 이들을 하나 이상 조합한 광원으로 구현할 수도 있다.
그리고, 상기 캐비티(117)의 내부에는 발광 다이오드(120)가 탑재된 후 그 실장 영역으로 몰드 부재(미도시)가 몰딩되는데, 상기 몰드 부재는 투명한 재질의 에폭시 또는 실리콘 등을 이용할 수 있으며, 필요에 따라 형광체 분말이 혼합되어 몰딩될 수도 있다. 상기 몰딩 부재는 몰딩액 또는 첨가물을 사용 목적, 사용 환경, 제품의 특성에 따라 선택적으로 사용할 수 있다.
또한 상기 몰드 부재는 표면이 캐비티의 상단과 동일한 높이로 몰딩되는 플랫(flat) 형태, 캐비티 상단에 대해 오목한 오목 렌즈 형태, 또는 캐비티 상단에 대해 볼록한 볼록 렌즈 형태 중 어느 한 형태로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 패키지 본체(110)의 높이(H)는 최대 1mm로 형성될 수 있으며, ∪자형 반사판(112)의 내부 경사 각도(θ1)는 30°로 할 수 있다. 즉, ∪자형 반사판(112)의 바닥면(112a)에 대해 수직한 축을 기준으로 각 경사면(112b)이 15° 정도로 경사진다. 그리고 ∪자형 반사판(112)의 바닥면 폭(w)은 310um로 형성될 수 있다.
도 5의 (a)(b)는 참조하면, 패키지 본체(110)의 높이(H) 및 바닥면 폭(w)은 도 4와 동일하게 하고, ∪자형 반사판(112)의 내부 경사 각도를 45°(도 5a) 또는 60°도 5b)로 변경한 구조이다.
도 6은 본 발명 실시 예에 따른 ∪자형 반사판의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 6의 (a)는 ∪자형 반사판은 양 측면이 바닥면에 대해 직각으로 절곡된 구조이다. 이러한 ∪자형 반사판은 바닥면 폭(w11)은 420um이고, 반사판 깊이(또는 캐비티 깊이)(h11)는 350 ~ 400um로 형성될 수 있다. 이러한 구조에서는 발광 다이오드(LED)에서 발생되는 광이 ∪자형 반사판에서 산란 손실이 발생되고, 결과적으 로 발광 효율이 감소될 수 있다.
도 6의 (b)는 ∪자형 반사판의 바닥면과 한쪽 측면의 경사 각도(θ11)가 15°일 때, 반사판 깊이(h12)는 386um ~ 338um이고, 양쪽 측면 사이의 폭(w22)은 600 ~ 626um로 형성될 수 있다. 여기서, 바닥면 폭(w21)은 420um로 동일하게 구성할 수 있다.
도 6의 (c)는 ∪자형 반사판의 바닥면과 한쪽 측면의 경사 각도(θ12)가 30°일 때, 반사판 깊이(h13)는 303~346um이고, 양 측면 사이의 폭(w32)은 770~820um로 형성될 수 있다. 여기서 바닥면 폭(w31)은 420um로 동일하다.
본 발명은 ∪자형 반사판의 바닥면과 한쪽 측면의 경사 각도는 15~30°, 반사판 깊이는 303~386um, 반사판의 양 측면 사이의 폭은 600~820um로 형성할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, ∪자형 반사판의 각도 및 후 도금에 따른 광도(즉, 빛의 세기) 및 광속 효과를 비교한 박스 플롯(box plot)을 나타낸 도면이다. 여기서, 실험을 위해 발광 다이오드 패키지에는 동일한 스펙(spec)의 청색 LED 칩(동일 광도, 동일 광속)을 사용한 것으로서, 도 7 및 도 8에서의 광도 및 광속 측정 시료는 동일한 시료를 적용한다.
도 7은 발광 다이오드 패키지에서 반사판의 내부 경사 각도에 따른 광도를 측정한 도면으로서, 반사판의 내부 경사 각도(도 4의 θ1) 가 0°(#1), 30°(#2), 45°(#3), 55°(#4,#5)일 때 광도를 각각 측정한 것이며, 도 8은 발광 다이오드 패키지에서 반사판의 내부 경사 각도에 따른 광속(또는 광량) 측정한 도면으로서, 반 사판의 내부 경사 각도(도 4의 θ1)가 0°(#1), 30°(#2), 45°(#3), 55°(#4,#5) 일 때 광속을 각각 측정한 것이다.
상기 내부 경사 각도 55°(선)인 샘플(#4)은 선 도금에 의한 패키지의 예이며, 반사판의 내부 경사 각도를 55°로 벤딩하기 전에 Ag 도금하고 펀칭한 반사판을 적용한 것이다. 그리고 내부 경사 각도 0°(후), 30°(후), 45°(후), 55°(후)인 샘플(#1,#2,#3,#5)은 후 도금에 의한 패키지로서, 반사판의 내부 경사 각도를 55°로 벤딩 및 펀칭한 후 Ag 도금한 반사판을 적용한 것이다.
도 7은 반사판의 각도에 따른 발광 다이오드 패키지의 광도를 비교한 도면이며, 그 결과는 표 1과 같다.
[표 1]
Lv(mcd) #1 #2 #3 #4 #5
AVG 138.9 197.0 202.2 166.5 216.3
MIN 114.0 177.9 168.1 143.4 190.8
MAX 154.1 215.4 221.5 183.1 243.6
이의 표 1에서 도시된 바와 같이, 반사판의 각도와 선 도금 또는 후 도금에 따라 광도(1cd = 1000mcd)의 차이가 발생된다.
도 8은 반사판의 각도에 따른 발광다이오드 패키지의 광속(Lumen)을 비교한 도면이며, 그 결과는 표 2과 같다.
[표 2]
Lm #1 #2 #3 #4 #5
AVG 0.389 0.482 0.495 0.431 0.503
MIN 0.360 0.410 0.440 0.400 0.460
MAX 0.420 0.510 0.520 0.460 0.540
이의 표 2에서 도시된 바와 같이 반사판의 각도와 선 도금 또는 후 도금에 따라 광량(Lm)의 차이가 발생된다.
상기 도 7 및 도 8에서 샘플 4 및 5(#4: 선 도금, #5 : 후 도금)와 같이, 반사판이 동일한 내부 경사 각도일 때, 반사판이 선 도금되는 경우, 반사판의 벤딩시 도금(Ag)면이 손상을 받아 광 효율이 떨어짐을 알 수 있다.
이에 따라 발광 다이오드 패키지에 있어서, ∪자형 반사판의 내부 경사 각도가 30°~ 55°에서 최적 광도 구현을 나타내고 있으며, 또한 도금의 경우, 프레스 후 도금하는 후 도금 방식이 선 도금 방식보다 광 효율면에서 더 나은 특성을 나타내고 있다.
본 발명은 고반사 금속 또는 고반사 물질이 도금된 ∪자형 반사판에 의해 95% 이상의 반사율을 가질 수 있고, 측면이 경사진 ∪자형 반사판에 의해 중심 광도 및 열 방출 효율 효과를 개선시켜 줄 수 있다.
이러한 발광 다이오드 패키지는 사이드 방식의 광원으로 사용할 때, 하나 이상을 이용하며 광 출사 방향에 광 가이드 부재로서 PMMA, PC 재질의 도광판을 배치하여 면 광원으로 출사하게 된다. 또한 상기 도광판 및 발광 다이오드 패키지의 하부에 반사 시트를 구비하여, 누설되는 광을 재 반사시켜 준다. 또한 상기 도광판 위에는 한 장 이상의 광학 시트(예: 확산 시트, 프리즘 시트 등)을 배치할 수 있다.
본 발명의 면 발광 장치를 이용하여 휴대 단말기 등의 액정 표시 장치의 프론트 라이트 또는/및 백 라이트 등의 광원, 조명 분야 등의 발광장치로서 구성할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 및 제조방법, 발광 다이오드 패키지를구비한 면 발광 장치에 의하면, 패키지 본체의 캐비티에 ∪자형 반사판을 형성해 줌으로써, 캐비티 내부에서의 광 손실을 줄이고 중심 광도를 개선시켜 줄 수 있는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 캐비티가 형성된 패키지 본체;
    상기 캐비티 내부에 ∪자 형상으로 형성된 반사판;
    상기 반사판에 탑재된 발광 다이오드;
    를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 본체는 폴리프탈아미드(PPA), 액정폴리머(LCP), 신지오택틱폴리스티렌(SPS) 중 어느 하나의 재질로 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판은 복수개의 반사판으로 이루어지며,
    상기 복수개의 반사판이 캐비티 내부에서 전기적으로 분리되고 패키지 본체를 관통하여 외부 전극을 각각 형성하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 외부 전극은 반사판의 바닥면이 연장되어 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판은 고반사 금속으로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 1항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 반사판은 알루미늄, 은, 금, 구리, 포라듐, 이리듐, 로듐 및 이들의 합금 형태의 금속 중에서 어느 하나의 금속을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판은 금속판의 표면에 고반사 물질이 도금된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 금속판은 구리 재질이며,
    상기 고반사 물질은 Ag 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판은 반사판 바닥면과 수직한 축을 기준으로 어느 한쪽 측면의 각도가 15~30°범위로 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판의 양쪽 측면의 사이의 폭이 600~820um로 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판의 깊이는 250~600um로 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판의 바닥면 폭은 310~420um로 형성되는 발광 다이오드 패키지.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 반사판은 20~300um의 두께를 갖는 발광 다이오드패키지.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 AlGaN, GaN, InGaAlp, GaAs 계열의 발광 다이오드 중에서 적어도 하나를 하나 이상 탑재하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 캐비티에는 형광체를 함유한 몰드 부재 또는 투명한 몰드 부재를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 본체는 캐비티 내부에서 복수개의 반사판을 분리하는 반사판 분리막과, 상기 반사판의 개방된 측면에 경사면을 형성하는 발광 다이오드 패키지.
  17. 적어도 한 측면이 경사진 ∪자 형상의 반사판을 형성하는 단계;
    상기 형성된 반사판을 캐비티 내부에 배치한 후 패키지 본체를 사출 성형하는 단계;
    상기 반사판에 적어도 하나의 발광 다이오드를 탑재하는 단계;
    상기 캐비티를 몰딩하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 반사판은 복수개의 고반사 금속 또는 고반사 물질이 도금된 금속을 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 고반사 물질은 반사판의 표면에 선 도금 또는 후 도금되는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  20. 캐비티가 형성된 패키지 본체, 상기 캐비티 내부에 ∪자 형상으로 형성된 반 사판, 상기 반사판에 탑재된 발광 다이오드를 포함하는 하나 이상의 발광 다이오드 패키지;
    상기 발광 다이오드 패키지의 출사 영역에 배치된 도광판을 포함하는 면 발광 장치.
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