KR20090032668A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090032668A
KR20090032668A KR20070098099A KR20070098099A KR20090032668A KR 20090032668 A KR20090032668 A KR 20090032668A KR 20070098099 A KR20070098099 A KR 20070098099A KR 20070098099 A KR20070098099 A KR 20070098099A KR 20090032668 A KR20090032668 A KR 20090032668A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
diode chip
substrates
emitting device
Prior art date
Application number
KR20070098099A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101370791B1 (ko
Inventor
이정상
윤재준
신옥희
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020070098099A priority Critical patent/KR101370791B1/ko
Publication of KR20090032668A publication Critical patent/KR20090032668A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101370791B1 publication Critical patent/KR101370791B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 바람직한 실시 형태는, 서로 평행하게 배치되며, 제1 및 제2 배선구조를 각각 구비하는 제1 및 제2 기판과, 제1 및 제2 전극을 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극이 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조와 연결되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치된 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 상기 발광 다이오드 칩이 상기 제1 및 제2 기판 사이에 고정되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이 공간에 충진된 수지부를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
n본 발명에 따르면, 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 제공할 수 있다.
패키지, 발광 다이오드, 백색, 선광원, 발광 장치

Description

발광 장치 {Light emitting device}
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 발광다이오드 칩을 구비하여 사이드뷰(side view) 형 백라이트 유닛에 사용될 수 있는 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드 칩을 구비한 발광 장치는 리드프레임에 백색 수지를 사출 성형한 케이스를 갖는 발광 장치 구조가 널리 사용되고 있다. 이러한 발광 장치는 케이스의 홈부에 리드프레임과 연결되도록 LED 칩을 실장한 후에, 그 홈부를 수지로 충전시킨다. 특히, 백색 발광 장치를 제조하기 위해서, 홈부에 충전된 수지에 형광체 분말을 함유시키는 방법이 사용될 수 있다.
하지만, 종래의 발광 장치 구조는 소형화와 수율측면에서 몇가지 단점을 갖고 있다.
예를 들어, 휴대전화의 디스플레이부의 백라이트용 광원으로서 주로 사용되는 표면실장이 가능한 측면 방출(side view)형 발광 장치의 경우에, 휴대전화의 박형화에 따라서 측면방출형 발광 장치의 박형화도 크게 요구되고 있다. 그러나, 종 래의 발광 장치구조에서는 LED 칩의 실장을 위해 홈부가 마련되어야 하므로, 이를 구비한 케이스를 충분히 소형화하여 제조하는데 어려움이 있다.
또한, 리드프레임과 함께 케이스를 사출 성형한 후에, LED 칩을 실장하고 홈부에 수지포장부를 제공하는 복잡한 공정이 진행되므로, 수율이 저하되고 공정비용이 증가되는 문제가 있다.
특히, 종래의 백색 발광 장치에서는, 홈부에 형광체 분말이 함유된 액상 수지를 디스페이싱하는 과정에서 디스펜서에 의한 형광체 충진량의 산포로 인해 색도 산포가 불균일해지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시 형태는,
서로 평행하게 배치되며, 제1 및 제2 배선구조를 각각 구비하는 제1 및 제2 기판과, 제1 및 제2 전극을 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극이 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조와 연결되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치된 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 상기 발광 다이오드 칩이 상기 제1 및 제2 기판 사이에 고정되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이 공간에 충진된 수지부를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 발광 다이오드 칩은 복수 개일 수 있다.
이 경우, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 제1 및 제2 기판의 길이 방향으로 서로 소정 거리 이격 되어 배치된 것일 수 있다.
또한, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 일 직선상에 배치된 것이 바람직하다.
또한, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 서로 병렬로 연결된 것이 전력 효율 측면에서 바람직하다.
이 경우, 상기 제1 및 제2 기판은 가요성 기판일 수 있으며, 구체적으로, 상기 제1 및 제2 기판은 액정 폴리머(LCP) 기판인 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 일 직선 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 발광 다이오드 칩의 일면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 배선 구조는 각각 상기 제1 및 제2 기판의 상기 발광 다이오드 칩의 전극형성 면과 같은 방향 면에 형성된 것일 수 있다.
이 경우, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 전극형성 면이 상기 제1 및 제2 기판의 두께 방향을 향하도록 배치된 것이 바람직하다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩의 전극형성 면에 대향 하는 면은 상기 제1 및 제2 기판에서 상기 제1 및 제2 배선 구조 형성 면에 대향 하는 면과 동일한 평면 상에 놓이도록 형성되는 것이 휘도 분포의 균일성 측면에서 바람직하다.
또한, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 제1 및 제2 배선구조는 각각 와이어 본딩에 의해 연결될 수 있으며, 이 경우, 상기 수지부는 상기 와이어 본딩 구조를 덮도록 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기 수지부는 상기 발광 다이오드 칩의 상기 전극형성 면과 상기 제1 및 제2 배선 구조가 각각 형성된 상기 제1 및 제2 기판의 면을 덮도록 형성된 것일 수 있다.
이 경우, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 전극형성 면을 제외한 나머지 면을 덮도록 형성된 형광체막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 형광체막에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면을 제외한 나머지 면 및 상기 수지부의 면 중 상기 발광 다이오드 칩이 배치된 방향 면을 덮도록 형성된 투명 수지층을 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 투명 수지층은 상기 형광체막 중 상기 전극형성 면에 대향 하는 면과 동일한 평면 상에 놓이도록 형성된 것이 바람직하다.
본 발명의 변형 예로서, 상기 수지부는 상기 발광 다이오드 칩에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면을 제외한 나머지 면을 덮도록 형성된 것일 수 있다.
이 경우, 상기 발광 다이오드 칩에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면 상에 형성된 형광체층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
백색 발광을 위해, 상기 발광 다이오드 칩은 청색광을 발광하며, 상기 형광체막 또는 상기 형광체층은 황색 형광 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 수지부는 백색 수지로 이루어진 것일 수 있으며, 이 경우, 더욱 바람직하게는, 상기 수지부는 TiO2를 포함한 실리콘 수지로 이루어진 것일 수 있다.
바람직하게는, 상기 수지부의 면 중 상기 발광 다이오드 칩이 배치된 방향 면은 서로 인접한 2개의 발광 다이오드 칩 사이 영역이 볼록한 형상을 갖는 것일 수 있다.
마지막으로, 상기 제1 및 제2 배선구조에 연결된 하나 이상의 제너 다이오드를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 도 1a는 윗 방향에서 바라본 형상을, 도 1b는 측 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 1a, 도 1b를 함께 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 장치는 제1 및 제2 액정 폴리머(Liquid Crystal Polymer, 이하, LCP) 기판, 복수의 발광 다이오드 칩(L), 수지부, 형광체 입자가 포함된 투명수지층 및 제너 다이오드(Z)를 갖추어 구성된다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 LCP 기판은 길이(l) 방향으로 서로 평행하게 배치되며, 각각 제1 및 제2 배선 구조를 구비한다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(L)은 광 추출 면과 전극형성 면이 상기 제1 및 제2 LCP 기판의 두께 방향을 향하도록 상기 제1 및 제2 LCP 기판 사이 공간에 배치되며, 후술할 바와 같이 상기 공간에 충전된 수지부에 의해 보호될 수 있다. 이에 대한 보다 상세한 사항은 후술하기로 한다.
본 실시 형태의 경우, 상기 발광 장치에 사용되는 기판을 가요성(flexible) 기판, 특히, LCP 기판으로 사용한 것은 일 방향으로 길이가 긴 발광 장치에서 안정성과 유연성을 제고하기 위함이다. 즉, 발광 다이오드 칩의 실장을 위해 일반적으로 사용되는 세라믹 기판 등은 가늘고 긴 형상으로 제조하는데 한계가 있으므로, 본 실시 형태와 같이, 발광 장치에 사용 시에는 LCP 기판 등과 같이 가요성 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, LCP는 전기적 특성이 우수하고 흡습성과 치수변화율이 낮다는 점 등에서 PCB 소재로 적합하다. 특히, LCP는 280℃ 정도의 내열성을 가져 약 300℃의 내열성을 갖는 폴리이미드(PI)에 비해 내열성은 다소 떨어지나 강직한 분자고리의 배향에 따라 자기 강화 효과가 발생해 높은 기계적 강도를 보이고 선팽창률이 낮다.
이러한 장점 외에도 LCP는 전기 절연성이 우수하며 산과 알카리 등의 용제에 비교적 안정하고 용융점도가 낮아 성형이 용이하며 얇은 두께의 성형이 가능하다.
다만, 실시 형태에 따라, LCP 외에도 가요성을 갖는 다른 물질, 예를 들면, FR-4, BT 레진 등을 기판으로 사용할 수 있을 것이다. 또한, 상술한 바와 같이 가요성 기판을 사용하는 것이 바람직하나, 다른 실시 형태에서는 가요성 기판이 아닌 일반적인 PCB 기판을 사용할 수도 있을 것이다.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 발광 장치는 2개의 봉 형상 기판 사이에 복수의 발광 다이오드 칩(L)이 실장된 구조로서, 사이드 뷰 형태의 백라이트에 용이하게 사용될 수 있다. 즉, 후술할 바와 같이, 종래의 사이드 뷰 형태의 백라이트에서 각각의 발광 패키지를 실장 하는 경우에 비해 간단하게 제조될 수 있고, 나아가, 발광 다이오드 칩의 광 추출 면 높이를 균일하게 할 수 있어 휘도 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바처럼, 상기 제1 및 제2 LCP 기판은 봉 형상인 것이 바람직할 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 발광 장치의 기판으로 사용될 수 있는 다른 형상도 가능하다.
상기 제너 다이오드(Z)는 정전기 방전을 방지하기 위하여 제공될 수 있으며, 후술할 바와 같이, 다른 발광 다이오드 칩들과 병렬 연결된다. 다만, 실시 형태에 따라서는 상기 제너 다이오드(Z)는 상기 발광 장치에 포함되지 않을 수도 있다.
한편, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 발광 장치는 4개의 발광 다이오드 칩(L)과 1개의 제너 다이오드(Z)를 구비하며, 그 길이(l)는 약 30㎜이다.
또한, 상기 발광 장치는 사이드 뷰 형태의 백라이트에 탑재되어 사용되는 경우, 높이가 약 0.6㎜ 정도로서 종래의 리드 프레임 타입의 발광 장치에 비하여 백라이트의 박형화에 기여할 수 있다.
상기 발광 장치는 상기 제1 및 제2 LCP 기판 사이 공간에 발광 다이오드 칩(L)을 동일 평면 상에 배치한 후, 상기 공간을 백색 수지로 충전하는 방식으로 제조할 수 있다. 따라서, 복수의 발광 다이오드 칩의 광 추출 면의 높이가 서로 균일해질 수 있으며, 이에 따라, 상기 발광 장치를 채용한 백라이트 유닛의 경우, 휘도 분포의 균일성의 향상을 기대할 수 있다.
본 실시 형태의 경우, 4개의 발광 다이오드 칩으로 이루어진 발광 장치를 예로 설명하였으나, 필요에 따라 발광 다이오드 칩의 개수는 적절히 조절될 수 있으며, 따로 도시하지는 않았으나, 발광 다이오드 칩이 하나만 포함된 발광 장치도 구 현될 수 있다.
나아가, 발광 장치의 형상도 도 1a 및 도 1b에 도시된 형태와 같이 바 타입(Bar Type)이 아닌 사각형이나 원형 등으로 필요에 따라 변형될 수 있다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 도 1의 실시 형태에 따른 발광 장치를 구성하는 요소들을 더욱 상세히 설명한다.
도 2는 도 1a에서 발광 다이오드 칩 주위 영역(A1)을 확대하여 나타낸 것이며, 우측에 도시된 것은 측면에서 바라본 형상을 나타낸다. 또한, 도 3은 도 1b에서 발광 다이오드 칩 주위 영역(A2)을 확대하여 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 발광 장치에서, 상기 발광 다이오드 칩(11)은 제1 및 제2 전극(11a, 11b)를 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극(11a, 11b)이 형성된 전극형성 면이 수지부(14)를 향하도록 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b) 사이에 배치된다.
이 경우, 상기 발광 다이오드 칩(11)은 상기 전극형성 면과 대향 하는 면이 주된 광 추출 면에 해당한다. 본 명세서에서, '광 추출 면'이라 함은 상기 발광 다이오드 칩(12)에서 주요하게 광이 방출되는 방향으로서 상기 제1 및 제2 전극(11a, 11b)이 형성된 면에 대향 하는 면으로 이해될 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서 채용된 상기 발광 다이오드 칩(11)은 제1 및 제2 전극(11a, 11b)이 동일한 면 상에 형성되고, 그 맞은편 면으로 활성층에서 방출된 빛이 주요하게 방출된다.
이러한 점을 고려하여, 본 실시 형태의 경우, 상기 발광 다이오드 칩(11)은 상기 전극형성 면을 제외한 나머지 면 상 형성된 형광체막(15)을 포함할 수 있으며, 이는 백색광의 발광을 위해 채용된 것이다. 이 경우, 상기 형광체막(15)은 형광체 입자가 분산되어 있는 투명수지로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 다이오드 칩(11)이 청색광을 발광하고 상기 형광체막(15)이 황색 형광 물질을 포함한다면, 상기 발광 장치는 백색광을 발광할 수 있을 것이다. 이 경우, 실시 형태에 따라, 상기 발광 다이오드 칩(11)의 발광 파장과 상기 형광 물질을 적절히 조절하여 백색광의 발광이 가능함은 당업자에게 자명한 사항으로 이해될 수 있다.
본 실시 형태에서는, 상기 형광체막(15)을 Si와 형광체의 혼합물을 사용하였으며, Si와 형광체의 비율이 1:1에서 1:3 정도가 되도록 하였다. 또한, 상기 형광체막(15)은 상기 발광 다이오드 칩(11)의 광 추출 면으로부터의 두께는 약 30 ~ 300㎛가 되도록 하였으며, 측면의 두께는 약 20 ~ 80㎛가 되도록 하였다.
상기 수지부(14)는 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b) 사이의 공간을 충진하여 상기 발광 다이오드 칩(11)이 상기 공간에 고정되도록 하며, 나아가, 상기 발광 다이오드 칩(11)과 상기 공간에 포함된 다른 구성 요소들을 보호하는 기능을 수행한다.
본 실시 형태의 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 수지부(14)는 상기 발 광 다이오드 칩(11)의 상기 전극형성 면만을 덮도록 형성되어 있으며, 상술한 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩(11)의 상기 전극형성 면을 제외한 나머지 면 상에는 형광체막(15)이 형성된다.
한편, 일반적으로 채용될 수 있는 투명 수지로 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b) 사이의 공간을 충진할 수도 있으나, 상기 수지부(14)는 백색 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 발광 효율의 향상을 위해서는 상기 발광 다이오드 칩(11)의 상기 전극형성 면 방향으로 방출되는 빛의 양을 줄이는 것이 중요하기 때문이다.
따라서, 상기 수지부(14)가 백색 수지로 이루어진다면, 상기 발광 다이오드 칩(11)에서 방출되어 상기 수지부(14)로 향하는 대부분의 빛이 반사되어 광 추출 면 방향으로 유도될 수 있으므로 발광 효율의 향상을 기대할 수 있다.
이 경우, 상기 수지부(14)의 두께는 반사 기능과 백라이트에 배치되는 공간 등을 감안하여 적절히 조절될 수 있다.
본 발명이 이에 제한되지는 않으나, 본 실시 형태에서는 상기 수지부(14)를 이루는 백색 수지로서 TiO2를 포함하는 실리콘 수지를 채용하였으며, 높은 광 반사율을 갖는 다른 물질도 채용이 가능하다.
상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)에 각각 배치되는 제1 및 제2 배선 구 조(13a, 13b)는 상기 기판 들(12a, 12b)에 각각 형성된 전극 패턴으로서 상기 발광 다이오드 칩(11)의 전극들(11a, 11b)과 전기적으로 연결되어 상기 발광 다이오드 칩(11)에 전력을 공급한다.
이 경우, 상기 제1 및 제2 배선 구조(13a, 13b)는 각각 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)의 일면 상에 형성되며, Au 등을 도금하여 얻어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(11a, 11b)과의 효율적인 연결 구조를 얻기 위해, 상기 제1 및 제2 배선 구조(13a, 13b)는 상기 발광 다이오드 칩(11)의 전극형성 면과 같은 방향에 놓인 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)의 면에 각각 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 도 2에 점선으로 도시된 것과 같이, 상기 제1 및 제2 배선 구조(13a, 13b)는 각각 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)의 하면에 형성된다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 배선 구조(13a, 31b)는 Au 등으로 이루어진 와이어에 의해 상기 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이 경우, 상기 수지부(14)는 이러한 와이어 본딩 구조 및 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)의 상기 제1 및 제2 배선 구조(13a, 13b) 형성 면까지 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 도 3에서 상기 제1 및 제2 LCP 기판(12a, 12b)과 상기 수지부(14)의 경계 면(S)을 표시하였다.
한편, 본 실시 형태의 경우, 상기 형광체막(15)이 형성된 측의 상기 수지부(14) 상에는 투명수지층(16)이 형성된다. 상기 투명수지층(16)은 형광체막(15)이 일체로 형성되어 있는 발광 다이오드 칩(11)을 보호하기 위한 것으로 실리콘 수지 등과 같이 투명한 수지는 어느 것이나 사용될 수 있다.
다만, 상기 투명수지층(16)은 본 발명에서 선택적인 구성 요소로서 실시 형태에 따라서는 제외될 수 있다.
이러한 구조를 갖는 상기 발광 장치는 상술한 바와 같이 발광 다이오드 칩(11)의 광 추출 면의 높이를 균일하게 할 수 있어, 이를 채용한 백라이트 유닛의 휘도 분포 균일성을 향상시킬 수 있다. 즉, 일괄적으로 동일한 형태의 형광체막이 형성된 발광 다이오드 칩(11)을 사용함으로써 광 추출 면 높이의 균일성을 향상시킬 수 있다.
나아가, 상기 발광 장치의 경우, 발광 다이오드 칩에서 방출된 빛의 진행을 방해하는 구조물이 없어 종래의 리드 프레임 타입의 발광 패키지에 비하여 지향각을 높일 수 있는 장점을 제공한다.
도 4는 상술한 실시 형태에 따른 발광 장치에서 발광 다이오드 칩과 제너 다이오드의 연결 상태를 나타내는 등가 회로도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 발광 장치에서는 각각의 발광 다이오드 칩(L)이 서로 병렬로 연결된 것을 볼 수 있으며, 제너 다이오드(Z) 역시 상기 발광 다이오드 칩들과 병렬로 연결되어 있다. 이와 같이, 상기 다이오드들(L, Z)을 병렬로 연결하는 것이 직렬로 연결하는 경우에 비하여 전력을 효율적으로 공급할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치에서 발광 다이오드 칩 주위 영역을 측 방향에서 바라본 것이며, 이전 실시 형태 중, 도 3에 대응하는 것으로 이해될 수 있다.
우선, 도 5에 도시된 실시 형태에 따른 발광 장치의 경우, 이전 실시 형태와 마찬가지로 발광 다이오드 칩(21), 수지부(24) 등을 포함한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 이전 실시 형태와 마찬가지로 제1 및 제2 LCP 기판을 포함한다.
이전 실시 형태와 다른 점으로서 상기 발광 다이오드 칩(21)은 형광체막을 포함하지 않으며, 대신, 상기 발광 다이오드 칩(21)의 광 추출 면 상에 형성된 형광체층(25)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 형광체층(25)은 이전 실시 형태의 발광 다이오드 칩에 포함된 형광체막과 같이 상기 발광 다이오드 칩(21)에서 방출된 청색광을 변환하여 백색광을 방출하기 위해 제공된다.
도 6은 도 3의 실시 형태에서 다소 변형된 실시 형태이다. 도 6에 도시된 발광 장치의 경우, 도 3과 마찬가지로 형광체막(35)을 갖는 발광 다이오드 칩(31), 제1 및 제2 LCP 기판, 수지부(34) 및 투명수지층(36)을 포함하며, 상기 발광 다이오드 칩(31)은 상기 형광체막(35)이 형성되지 않은 면 상에 형성된 제1 및 제2 전극(31a, 31b)을 갖는다.
특히, 본 실시 형태의 경우, 상기 수지부(34)의 면 중 상기 발광 다이오드 칩(31)이 배치된 방향 면은 서로 인접한 2개의 발광 다이오드 칩 사이 영역이 볼록 한 형상을 갖는다.
즉, 상기 수지부(34)는 상기 투명수지층(36)과 접하는 계면의 높이가 변화할 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 수지부(34)는 상기 투명수지층(36)과 접하는 계면의 높이가 상기 발광 다이오드 칩(31)의 전극형성 면을 기준으로 인접한 2개의 발광 다이오드 칩(31)에서 그 사이로 갈수록 높이가 높아지는 형상을 갖는다. 이와 같이 반사 기능을 수행할 수 있는 상기 수지부(34)에 경사지게 함으로써 외부로 방출되는 빛의 지향각을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 장치가 채용된 백라이트 유닛을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
상기 백라이트 유닛에 채용된 발광 장치는 전술한 실시 형태 중, 도 1에서 설명한 발광 장치에 해당한다. 이 경우, 상기 백라이트 유닛은 LCD 패널 등의 백라이트로 사용될 수 있으며, 나아가, 백색 조명 장치 등으로도 사용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 발광 장치는 사이드 뷰(side view) 타입이 되도록 상기 백라이트 유닛에 장착된다.
또한, 상기 백라이트 유닛은 상기 발광 장치에서 방출된 빛의 경로 상에 배치된 도광판(101)과 상기 발광 장치의 배선구조와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 배선구조(102a, 102b)를 포함한다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 도 1a는 윗 방향에서 바라본 형상을, 도 1b는 측 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 2는 도 1a에서 발광 다이오드 칩 주위 영역(A1)을 확대하여 나타낸 것이며, 우측에 도시된 것은 측면에서 바라본 형상을 나타낸다.
도 3은 도 1b에서 발광 다이오드 칩 주위 영역(A2)을 확대하여 나타낸 것이다.
도 4는 도 1의 실시 형태에 따른 발광 장치에서 발광 다이오드 칩과 제너 다이오드의 연결 상태를 나타내는 등가 회로도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치에서 발광 다이오드 칩 주위 영역을 측 방향에서 바라본 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 장치가 채용된 백라이트 유닛을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 발광 다이오드 칩 11a, 11b: 제1 및 제2 전극
12a, 12b: 제1 및 제2 LCP 기판 13a, 13b: 제1 및 제2 배선 구조
14: 수지부 15: 형광체막
16: 투명수지층 W: 윈도우
Z: 제너 다이오드

Claims (23)

  1. 서로 평행하게 배치되며, 제1 및 제2 배선구조를 각각 구비하는 제1 및 제2 기판;
    제1 및 제2 전극을 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극이 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조와 연결되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치된 하나 이상의 발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩이 상기 제1 및 제2 기판 사이에 고정되도록 상기 제1 및 제2 기판 사이 공간에 충진된 수지부;
    를 포함하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 복수 개인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 제1 및 제2 기판의 길이 방향으로 서로 소정 거리 이격 되어 배치된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩은 일 직선 상에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩은 서로 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 기판은 가요성 기판인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 기판은 액정 폴리머(LCP) 기판인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 발광 다이오드 칩의 일면에 형성되며,
    상기 제1 및 제2 배선 구조는 각각 상기 제1 및 제2 기판의 상기 발광 다이오드 칩의 전극형성 면과 같은 방향 면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 상기 전극형성 면이 상기 제1 및 제2 기판의 두께 방향을 향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩의 전극형성 면에 대향 하는 면은 상기 제1 및 제2 기판에서 상기 제1 및 제2 배선 구조 형성 면에 대향 하는 면과 동일한 평면 상에 놓이도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극과 상기 제1 및 제2 배선구조는 각각 와이어 본딩에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수지부는 상기 와이어 본딩 구조를 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 수지부는 상기 발광 다이오드 칩의 상기 전극형성 면과 상기 제1 및 제2 배선 구조가 각각 형성된 상기 제1 및 제2 기판의 면을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 상기 전극형성 면을 제외한 나머지 면을 덮도록 형성된 형광체막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 형광체막에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면을 제외한 나머지 면 및 상기 수지부의 면 중 상기 발광 다이오드 칩이 배치된 방향 면을 덮도록 형성된 투명 수지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 투명 수지층은 상기 형광체막 중 상기 전극형성 면에 대향 하는 면과 동일한 평면 상에 놓이도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 수지부는 상기 발광 다이오드 칩에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면을 제외한 나머지 면을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩에서 상기 전극형성 면에 대향 하는 면 상에 형성된 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  19. 제14항 또는 제18항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 청색광을 발광하며, 상기 형광체막 또는 상기 형광체층은 황색 형광 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 수지부는 백색 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 수지부는 TiO2를 포함한 실리콘 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 수지부의 면 중 상기 발광 다이오드 칩이 배치된 방향 면은 서로 인접한 2개의 발광 다이오드 칩 사이 영역이 볼록한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배선구조에 연결된 하나 이상의 제너 다이오드를 더 포함하 는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
KR1020070098099A 2007-09-28 2007-09-28 발광 장치 KR101370791B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070098099A KR101370791B1 (ko) 2007-09-28 2007-09-28 발광 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070098099A KR101370791B1 (ko) 2007-09-28 2007-09-28 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090032668A true KR20090032668A (ko) 2009-04-01
KR101370791B1 KR101370791B1 (ko) 2014-03-10

Family

ID=40759439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070098099A KR101370791B1 (ko) 2007-09-28 2007-09-28 발광 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101370791B1 (ko)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124705A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
JP2005056653A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置
JP3978456B2 (ja) * 2005-11-02 2007-09-19 株式会社トリオン 発光ダイオード実装基板
JP2007214472A (ja) 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッジライトとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101370791B1 (ko) 2014-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10541235B2 (en) Light emitting device package
US10128423B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus having the same
US9059382B2 (en) Light source circuit unit, illuminator, and display
KR101283129B1 (ko) 도광판, 면 광원 장치 및 이를 갖는 표시 장치
EP2249407B1 (en) Light emitting device package, manufacturing method thereof, and lighting apparatus
JP2012134531A (ja) 発光装置
JP5810302B2 (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JPWO2012001938A1 (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
TWI784376B (zh) 發光裝置以及液晶顯示裝置
JP2011211196A (ja) 発光素子及びこれを備えたライトユニット
US8476662B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
US8174180B2 (en) Light-emitting device having scattering reflector with preset square average inclination
KR101381762B1 (ko) 발광 장치
EP2458655A2 (en) Light emitting device package
US20090189171A1 (en) Light emitting diode package
KR101370790B1 (ko) 발광 장치
KR101370791B1 (ko) 발광 장치
KR20090102121A (ko) 발광 장치 제조방법
KR100795178B1 (ko) 백라이트 유니트용 ｌｅｄ 패키지
KR102423437B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛과 표시장치
KR101363077B1 (ko) 발광 장치
US20240329461A1 (en) Planar light source and liquid crystal display device
KR20080025715A (ko) 백라이트용 ｌｅｄ 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR20070120705A (ko) 백라이트용 ｌｅｄ 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR20140075392A (ko) 발광소자 패키지 및 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee