KR101363077B1 - 발광 장치 - Google Patents

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KR101363077B1
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Abstract

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 바람직한 실시 형태는, 제1 및 제2 배선 구조를 구비하는 기판과, 일면에 형성된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 상에 각각 형성된 제1 및 제2 도전성 범프와, 상기 전극형성 면과 대향 하는 면에 형성된 투명 수지층을 구비하며, 상기 제1 및 제2 도전성 범프가 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 전극형성 면이 상기 기판을 향하도록 상기 기판에 탑재된 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 적어도 상기 기판과 상기 발광 다이오드 칩 사이 공간에 충진된 언더필 수지부를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 얻을 수 있다.
Figure R1020070099694
패키지, 발광 다이오드, 백색, 사이드 뷰, 선 광원, 발광 장치

Description

발광 장치 {Light emitting device}
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 발광 다이오드 칩을 구비하여 사이드뷰(side view) 형 백라이트 유닛에 사용될 수 있는 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 다이오드 칩을 구비한 발광 장치는 리드프레임에 백색 수지를 사출 성형한 케이스를 갖는 발광 장치 구조가 널리 사용되고 있다. 이러한 발광 장치는 케이스의 홈부에 리드프레임과 연결되도록 LED 칩을 실장한 후에, 그 홈부를 수지로 충전시킨다. 특히, 백색 발광 장치를 제조하기 위해서, 홈부에 충전된 수지에 형광체 분말을 함유시키는 방법이 사용될 수 있다.
하지만, 종래의 발광 장치 구조는 소형화와 수율측면에서 몇가지 단점을 갖고 있다.
예를 들어, 휴대전화의 디스플레이부의 백라이트용 광원으로서 주로 사용되는 표면실장이 가능한 측면 방출(side view)형 발광 장치의 경우에, 휴대전화의 박형화에 따라서 측면방출형 발광 장치의 박형화도 크게 요구되고 있다. 그러나, 종 래의 발광 장치구조에서는 LED 칩의 실장을 위해 홈부가 마련되어야 하므로, 이를 구비한 케이스를 충분히 소형화하여 제조하는데 어려움이 있다.
또한, 리드프레임과 함께 케이스를 사출 성형한 후에, LED 칩을 실장하고 홈부에 수지포장부를 제공하는 복잡한 공정이 진행되므로, 수율이 저하되고 공정비용이 증가되는 문제가 있다.
특히, 종래의 백색 발광 장치에서는, 홈부에 형광체 분말이 함유된 액상 수지를 디스페이싱하는 과정에서 디스펜서에 의한 형광체 충진량의 산포로 인해 색도 산포가 불균일해지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시 형태는,
제1 및 제2 배선 구조를 구비하는 기판과, 일면에 형성된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 상에 각각 형성된 제1 및 제2 도전성 범프와, 상기 전극형성 면과 대향 하는 면에 형성된 투명 수지층을 구비하며, 상기 제1 및 제2 도전성 범프가 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 전극형성 면이 상기 기판을 향하도록 상기 기판에 탑재된 하나 이상의 발광 다이오드 칩 및 적어도 상기 기판과 상기 발광 다이오드 칩 사이 공간에 충진된 언더필 수지부를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
이 경우, 상기 기판 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩은 복수 개이며, 상기 복수 개의 발광 다이오드 칩은 서로 소정 거리 이격 되어 상기 기판의 길이 방향으로 배치된 것일 수 있다. 특히, 상기 복수 개의 발광 다이오드 칩은 서로 인접한 발광 다이오드 칩 간의 거리가 0.1 ~ 0.5㎜인 것이 바람직하다.
상기 제1 및 제2 배선 구조는 상기 기판의 상기 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면에 형성된 전극 패턴과 상기 전극 패턴에 전기적으로 연결된 도전성 스루홀 또는 도전성 비아를 포함하여 구성될 수 있으며, 이 경우, 상기 도전성 스루홀 또는 상기 도전성 비아는 4분원 형상을 갖는 것이 공정의 효율성 측면에서 바람직하다.
또한, 상기 도전성 비아는 Ag을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 언더필 수지부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면까지 덮도록 형성된 것일 수 있다.
추가적으로, 상기 발광 다이오드 칩의 측면을 덮도록 형성된 수지막을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 수지막은 상기 발광 다이오드 칩의 상기 전극형성 면 중 상기 제1 및 제2 전극이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역까지 덮도록 형성된 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 언더필 수지부는 상기 수지막까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 발광 장치.
나아가, 상기 수지막은 상기 언더필 수지부와 같은 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 투명 수지층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면까지 덮도 록 형성된 것일 수 있다.
상기 투명 수지층은 형광체 입자를 포함할 수 있으며, 특히, 백색 발광을 위한 측면에서, 상기 발광 다이오드 칩은 청색광을 발광하며, 상기 형광체 입자는 황색 형광 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 언더필 수지부는 백색 수지로 이루어지는 것이 발광 효율 측면에서 바람직하며, 구체적으로, 상기 언더필 수지부는 TiO2를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 도전성 범프 높이는 20 ~ 60㎛인 것이 바람직하다.
또한, 상기 기판 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩은 복수 개이며, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 서로 병렬로 연결된 것이 바람직하다.
발광 다이오드 칩의 탑재에 사용되는 상기 기판은 세라믹 기판인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 리드 프레임 타입 발광 장치에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 소형화된 발광 장치를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 도 1은 측 방향에서 바라본 형상을, 도 2는 윗 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 장치는 세라믹 기판(11), 발광 다이오드 칩(12) 및 언더필 수지부(15)를 갖추어 구성된다. 여기서, 상기 세라믹 기판(11)은 배선구조(17a, 17b)를 포함하며, 상기 발광 다이오드 칩(12)은 그 외면에 형성된 투명 수지층(13), 수지막(14) 및 도전성 범프(16a, 16b)를 포함한다.
상기 발광 장치는 세라믹 기판(11)의 일면에 하나의 발광 다이오드 칩(12)이 탑재된 구조이다.
이 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 세라믹 기판(11)에는 상기 발광 다이오드 칩(12)의 전기적 연결을 위해 배선구조(17a, 17b)가 구비되며, 상기 배선구조는 상기 발광 다이오드 칩(12)이 탑재되는 면에 형성된 제1 및 제2 전극패턴(17a, 17b)과 이들에 각각 전기적으로 연결된 도전성 스루홀을 포함한다.
본 실시 형태의 경우, 상기 도전성 스루홀은 4분원(quadrant)에 가까운 형상을 갖는다. 이는 다수의 발광 장치를 한번에 제조하는 경우, 인접한 4개의 발광 장치는 서로 공유하고 있는 하나의 원형 도전성 스루홀을 4등분하여 사용함으로써 공정의 편의성을 도모하기 위한 것이다. 다만, 공정의 정밀성에 따라, 상기 도전성 스루홀의 형상은 정확히 4분원이 아닌 경우도 있을 수 있으며, 예를 들어, 타원형의 도전성 스루홀이 4등분 된 형상도 가능하다. 또한, 도전성 스루홀 대신 내부가 Ag 등의 물질로 채워진 도전성 비아를 사용할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 전극패턴(17a, 17b)은 상기 세라믹 기판(11)의 일 영역에 Au 등을 도금하여 형성할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩(12)이 상기 세라믹 기판(11)에 탑재되는 면은 전극이 형성된 면이다. 즉, 상기 발광 다이오드 칩(12)은 제1 및 제2 전극을 포함하며, 이들은 상기 발광 다이오드 칩(12)의 일면 상에 형성되는데, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 발광 다이오드 칩(12)은 상기 제1 및 제2 전극이 형성된 면이 상기 세라믹 기판(11)을 향하도록 상기 세라믹 기판(11) 상에 탑재된다.
한편, 본 실시 형태의 경우, 제조의 용이성과 열 전도성 등을 고려하여 발광 다이오드 칩이 탑재되는 기판으로 세라믹을 사용하였으나, 이에 제한되지 않으며, PCB 기판으로 일반적으로 사용될 수 있는 다른 기판도 가능하다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩(12)은 플립칩 구조 등, 두 개의 전극이 동일한 방향으로 형성된 어떠한 구조도 가능하며, 나아가, 백라이트 유닛의 경박 단소화를 위한 측면에서 발광 다이오드가 가장 바람직하나, 실시 형태에 따라 다른 발광 소자로 대체될 수도 있다.
상기 세라믹 기판(11)의 상기 배선구조(17a, 17b)와의 전기적 연결을 위해 상기 발광 다이오드 칩(12)은 상기 제1 및 제2 전극에 각각 형성된 제1 및 제2 도전성 범프(16a, 16b)를 구비한다. 상기 제1 및 제2 도전성 범프(16a, 16b)의 높이는 20 ~ 60㎛인 것이 바람직하며, 본 실시 형태에서는 40㎛가 되도록 하였다.
상기 발광 다이오드 칩(12)의 광 추출 면에는 투명 수지층(13)이 형성된다.
본 명세서에서, '광 추출 면'이라 함은 상기 발광 다이오드 칩(12)에서 주요하게 광이 방출되는 방향으로서 상기 제1 및 제2 전극이 형성된 면에 대향 하는 면으로 이해될 수 있다.
여기서, 상기 투명 수지층(13)은 발광 다이오드 칩(12)을 보호하는 기능을 수행함과 더불어 그 내부에 형광체 입자가 분산되어 백색광을 발광할 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 발광 다이오드 칩(12)이 청색광을 발광하고 상기 형광체 입자가 황색 형광 물질을 포함하는 경우를 들 수 있다. 이 경우, 실시 형태에 따라, 상 기 발광 다이오드 칩(12)의 발광 파장과 상기 형광 물질을 적절히 조절하여 백색 발광이 가능함은 당업자에게 자명한 사항으로 이해될 수 있을 것이다.
상기 발광 다이오드 칩(12)의 측면, 즉, 상기 전극형성 면과 광 추출 면 사이의 면에는 칩의 보호를 위해 수지막(14)이 형성된다. 이 경우, 후술할 바와 같이, 상기 수지막(14)은 언더필 수지(15)와 같은 백색 수지로 이루어져 광 반사 기능을 수행할 수 있다.
나아가, 본 실시 형태의 경우, 상기 발광 다이오드 칩(12)에서 상기 제1 및 제2 전극이 형성된 면, 즉, 상기 광 추출 면에 대향 하는 면 중에서 상기 제1 및 제2 전극이 형성되지 않은 영역에까지 상기 수지막(14)이 형성된다. 이와 같이, 수지막(14)을 상기 제1 및 제2 도전성 범프(16a, 16b) 주변 영역까지 형성함으로써, 상기 발광 다이오드 칩(12)을 세라믹 기판(11)에 탑재하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전성 범프(16a, 16b)의 높이가 다소 높더라도 탑재 안정성을 제고할 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 실시 형태에 따라서는 도 7 및 도 8에 도시된 것과 같이, 상기 수지막(14)은 불투명 수지가 아닌 투명한 물질로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우에는 상기 수지막(14)을 통해서도 광이 외부로 방출될 수 있어 지향각 향상 효과를 기대할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(12)와 상기 세라믹 기판(11) 사이의 공간에는 언더필 수지부(15)가 충진 되어 있다.
구체적으로, 상기 언더필 수지부(15)가 우선적으로 형성되는 영역은 상기 발광 다이오드 칩(12)의 전극형성 면에서 제1 및 제2 도전성 범프(16a, 16b)과 상기 세라믹 기판(11)의 다이패드(die-pad)에 마련된 영역이며, 상기 언더필 수지부(15)는 상기 발광 다이오드 칩(12)과 세라믹 기판(11)의 서로 간의 접착력을 보강하기 위해 제공되는 것이다.
나아가, 본 실시 형태의 경우, 상기 언더필 수지부(15)는 상기 수지막(14)까지 덮도록 형성된다. 다만, 언더필 수지부(15)의 형성 영역은 필요에 따라 적절히 변화될 수 있으며, 상기 수지막(14)을 덮지 않을 수도 있다.
한편, 상기 언더필 수지부(15) 구성하는 물질은 상기 발광 다이오드 칩(12)과 세라믹 기판(11)의 사이 공간을 보강하여 이들을 결합할 수 있는 어떠한 물질도 사용될 수 있으며, 이러한 목적상 투명 수지도 사용이 가능하다.
그러나, 더욱 바람직한 실시 형태는 상기 언더필 수지부(15)가 백색 수지로 이루어지는 경우이다. 이는, 발광 효율의 향상을 위해서는 상기 발광 다이오드 칩(12)의 전극형성 면, 즉, 상기 세라믹 기판(11) 방향으로 방출되는 빛의 양을 줄이는 것이 중요하기 때문이다.
따라서, 상기 언더필 수지부(15)가 백색 수지로 이루어진다면, 상기 발광 다이오드 칩(12)에서 방출되어 상기 언더필 수지부(15)로 향하는 대부분의 빛이 반사되어 상기 광 추출 면 방향으로 유도될 수 있으므로 발광 효율의 향상을 기대할 수 있다.
한편, 본 발명은 이에 제한되지는 않으나, 본 실시 형태에서는 상기 언더필 수지부(15)를 이루는 백색 수지로서 TiO2를 포함하는 실리콘 수지를 채용하였으며, 높은 광 반사율을 갖는 다른 물질도 채용이 가능하다. 또한, 상술한 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩(12)의 측 방향으로 방출되는 빛을 반사시켜 상기 광 추출 면 방향으로 유도하기 위해 상기 수지막(14) 역시 TiO2를 포함하는 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다.
도 3, 도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 이 경우, 도 3은 측 방향에서 바라본 형상, 도 4는 윗 방향에서 바라본 형상, 도 5는 아래 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 3, 도 4 및 도 5를 함께 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 장치는 이전 실시 형태와 같이, 세라믹 기판(31), 복수의 발광 다이오드 칩(32) 및 언더필 수지부(35)를 갖추어 구성된다. 마찬가지로, 상기 세라믹 기판(31)은 배선구조(37a, 37b)를 포함하며, 상기 복수의 발광 다이오드 칩(32)은 그 외면에 형성된 투명 수지층(33), 수지막(34) 및 도전성 범프(36a, 36b)를 포함한다.
본 실시 형태는 도 1 및 도 2의 실시 형태에서 발광 다이오드 칩의 개수가 복수(2개)인 경우를 나타내며, 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 세라믹 기판(31)의 길이 방향으로 배열되어 있다.
본 실시 형태와 관련하여 동일한 명칭을 사용한 구성요소는 서로 동일한 것으로 이해될 수 있으며, 이하에서는 이전에서 설명하지 않은 사항을 중심으로 설명하기로 한다.
본 실시 형태에 따른 발광 장치의 경우, 세라믹 기판(31) 상에 2개의 발광 다이오드 칩(32)이 탑재된다. 이 경우, 서로 인접한 발광 다이오드 칩(32) 간의 간격(p)은 0.1~ 0.5㎜인 것이 바람직하며, 본 실시 형태의 경우는 0.3가 되도록 하였다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 발광 장치는 2개의 발광 다이오드 칩(32)을 구비하며, 본 실시 형태의 경우, 발광 다이오드 칩(32)을 포함한 크기는 3.0㎜×0.6×0.4㎜가 되도록 하였다. 여기서, 상기 수치는 각각, 길이(l), 두께(d) 및 높이(h)에 해당한다. 또한, 상기 발광 장치에 탑재되는 발광 다이오드 칩(32) 하나의 크기는 길이, 두께, 높이를 기준으로 0.69㎜×0.5㎜×0.08㎜이며, 수지막(14)의 두께는 40 ~ 100㎛, 투명 수지층(15)의 두께는 50 ~100㎛가 되도록 하였다. 제1 및 제2 도전성 범프(36a, 36b)의 높이는 20 ~ 60㎛, 지름은 0.08 ~ 0.1㎜로 채용하였다.
이와 같이, 상기 발광 장치는 사이드 뷰 형태의 백라이트에 사용되는 경우, 높이가 0.4㎜ 정도로서 종래의 리드 프레임 타입의 발광 장치에 비하여 백라이트의 박형화에 기여할 수 있다.
한편, 도 3, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 발광 장치의 배선 구조를 살펴보면 병렬로 연결된다. 즉, 도 3을 기준으로 왼쪽에 배치된 발광 다이오드 칩의 제1 도전성 범프(36a)와 오른쪽에 배치된 발광 다이오드 칩의 제1 도전성 범프는 서로 동일한 극성의 전극과 연결된 것을 볼 수 있으며, 나머지 도전성 범프들도 마찬가지이다.
이와 같이, 상기 복수의 발광 다이오드 칩(32)은 병렬로 연결되는 것이 전력 효율 측면에서 바람직하다. 이 경우, 전기적 연결을 위해 제1 및 제2 전극 패턴(37a, 37b)은 도전성 스루홀을 통해 상기 세라믹 기판(31)의 하면에 형성된 전극 패턴과 전기적으로 연결될 수 있다.
다만, 상술한 상기 발광 장치의 배선 구조는 가장 효율인 경우를 나타낸 것으로서 도 3, 도 4 및 도 5에 도시된 형태에만 제한되는 것은 아니며, 전기적 연결구조는 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 상술한 전기적 병렬 연결 구조 외에도 필요에 따라서는 복수의 발광 다이오드 칩들이 서로 직렬로 연결되는 구조가 사용될 수도 있을 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 발광 장치가 채용된 백라이트 유닛을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
상기 백라이트 유닛에 채용된 발광 장치(100)는 전술한 실시 형태에서 설명한 발광 장치와 유사한 것으로서, 다만 발광 다이오드 칩이 5개 포함된 것이다. 이 경우, 백라이트 유닛은 LCD 패널 등의 백라이트로 사용될 수 있으며, 나아가, 백색 조명 장치 등으로도 사용될 수 있다.
한편, 도 6을 참조하면, 상기 발광 장치(100)는 사이드 뷰(side view) 타입이 되도록 상기 백라이트 유닛에 장착된다.
또한, 상기 백라이트 유닛은 상기 발광 장치(100)에서 방출된 빛의 경로 상에 배치된 도광판(61)과 상기 발광 장치(100)의 배선구조와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 배선구조(62a, 62b)를 포함한다.
한편, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 장치는 정전기 방전을 방지하기 위한 목적으로 제공되는 제너 다이오드를 더 포함할 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 발광 장치(100)에서 복수의 발광 다이오드 칩 중 하나는 제너 다이오드가 될 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 측 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
우선, 도 7의 실시 형태는, 발광 다이오드 칩(72)에서 전극형성 면을 제외한 나머지 면, 즉, 광 추출 면과 측면에 투명수지층(73)이 형성된다. 이 경우, 상기 투명 수지층(73)에는 이전 실시 형태와 마찬가지로 형광체 입자가 포함되어 백색 발광이 가능하도록 할 수 있다.
본 실시 형태와 같이 발광 다이오드 칩(72)의 측면까지 투명 수지층(73)이 형성되는 경우에는, 이에 제한되지는 않으나, 도 7에 도시된 바와 같이 언더필 수지부(75)는 상기 발광 다이오드 칩(72)과 세라믹 기판(71)의 사이 공간에만 충진 되는 것이 제조 공정의 효율성 측면에서 바람직하다.
상술한 도 7의 실시 형태에 따른 발광 장치의 경우, 발광 다이오드 칩(72)에서 발생 된 빛이 측면을 통해서도 외부로 방출될 수 있어 지향각 향상 효과를 기대할 수 있다.
도 8의 실시 형태는 도 1에 도시된 것에서 다소 변형된 것으로 이해될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(82)의 측면을 덮도록 형성된 수지부를 포함하지 않는 구조이다. 본 실시 형태의 경우, 상기 수지부 대신 언더필 수지부(85)가 상기 발광 다이오드 칩(82)의 측면까지 덮도록 형성되어 있는 구조이다. 이러한 차이 외의 다른 사항은 도 1의 실시 형태와 동일하다. 본 실시 형태의 경우, 상기 발광 다이오드 칩(82) 측면에 따로 수지막을 형성할 필요가 없으며, 상기 언더필 수지(85)로 수지막을 대신할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 도 1은 측 방향에서 바라본 형상을, 도 2는 윗 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 3, 도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 도 3은 측 방향에서 바라본 형상, 도 4는 윗 방향에서 바라본 형상, 도 5는 아래 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
도 6은 본 발명에 따른 발광 장치가 채용된 백라이트 유닛을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 장치를 나타내며, 측 방향에서 바라본 형상에 해당한다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 세라믹 기판 12: 발광 다이오드 칩
13: 투명 수지층 14: 수지막
15: 언더필 수지부 16a, 16b: 제1 및 제2 도전성 범프
17a, 17b: 제1 및 제2 전극 패턴 61: 도광판
100: 발광 장치 62a, 62b: 제1 및 제2 배선 구조

Claims (19)

  1. 제1 및 제2 배선 구조를 구비하는 기판;
    일면에 형성된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 상에 각각 형성된 제1 및 제2 도전성 범프와, 상기 전극형성 면과 대향 하는 면에 형성된 투명 수지층을 구비하며, 상기 제1 및 제2 도전성 범프가 각각 상기 제1 및 제2 배선 구조에 전기적으로 연결되고, 상기 전극형성 면이 상기 기판을 향하도록 상기 기판에 탑재된 2 이상의 발광 다이오드 칩; 및
    적어도 상기 기판과 상기 발광 다이오드 칩 사이 공간에 충진된 언더필 수지부;
    를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 배선 구조는,
    상기 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면에 형성된 전극 패턴과, 그에 대향하는 면에 형성되되 상기 기판의 길이방향으로 연장된 전극 패턴; 및
    상기 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면에 형성된 전극 패턴 및 그에 대향하는 면에 형성된 전극 패턴과 전기적으로 연결된 도전성 스루홀 또는 도전성 비아를 포함하고,
    상기 2 이상의 발광 다이오드 칩은 상기 기판의 상기 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면의 대향하는 면에 형성된 전극 패턴에 의해 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 탑재되는 발광 다이오드 칩은 복수 개이며,
    상기 복수 개의 발광 다이오드 칩은 서로 소정 거리 이격 되어 상기 기판의 길이 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 스루홀 또는 상기 도전성 비아는 4분원 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 언더필 수지부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩의 측면을 덮도록 형성된 수지막을 더 포함하는 것을 특징으로 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 수지막은 상기 발광 다이오드 칩의 상기 전극형성 면 중 상기 제1 및 제2 전극이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 발광 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 언더필 수지부는 상기 수지막까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투명 수지층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 언더필 수지부는 TiO2를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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