KR20080078335A - 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 - Google Patents

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080078335A
KR20080078335A KR1020070018299A KR20070018299A KR20080078335A KR 20080078335 A KR20080078335 A KR 20080078335A KR 1020070018299 A KR1020070018299 A KR 1020070018299A KR 20070018299 A KR20070018299 A KR 20070018299A KR 20080078335 A KR20080078335 A KR 20080078335A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
drying
chamber
unit
Prior art date
Application number
KR1020070018299A
Other languages
English (en)
Inventor
강인식
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070018299A priority Critical patent/KR20080078335A/ko
Publication of KR20080078335A publication Critical patent/KR20080078335A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 세정 방법 및 세정 장치가 개시된다. 기판 세정 방법 및 세정 장치에 있어서, 세정 영역으로 반입된 기판 상에 세정액을 분사한 후, 상기 기판을 건조 영역으로 이동시킨다. 상기 건조 영역 내로 이동된 상기 기판 상에 건조 가스를 분사한 후, 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단한다.

Description

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치{Method and Apparatus for Cleaning A Substrate}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 사용한 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 사용한 기판 세정 방법을 나타내는 개략적인 도면들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 기판 100 : 기판 세정 장치
102 : 입구 104 : 출구
110 : 챔버 120 : 약액 처리 챔버
150 : 기판 이송부 152 : 샤프트
154 : 롤러 200 : 세정부
201 : 세정 영역 210 : 제1 분사 노즐
220 : 미스트 배출부 222 : 제1 배기구
224 : 제2 배기구 300 : 건조부
301 : 건조 영역 310 : 제2 분사 노즐
315 : 건조 가스 제공부 400 : 확산 차단부
410 : 제3 분사 노즐 450 : 차단 플레이트
본 발명은 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 디스플레이 장치 등과 같은 평판 디스플레이 장치의 제조를 위한 평판형 기판을 세정하기 위한 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 디스플레이 장치는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 사용이 급격히 증대하고 있다.
일반적으로 표시장치용 유리 기판들은 주처리 공정에서 포토레지스트 도포액이나 감광성 폴리아미드 수지, 컬러 필터용 염색체 등으로 이루어지는 박막층이 기판의 주면에 형성되고, 이 기판들은 기판반송장치에 로딩되어 일방향으로 이동되면서 후처리 공정 예를 들면, 약액 도포 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등을 거치게 된다.
약액 도포공정을 위한 장치는 박막층이 형성된 기판의 표면에 소정의 약액을 도포하여 표면 처리를 행할 수 있도록 한 것으로서, 기판 이송을 위한 기판 반송장치와 연계되어 밀폐된 구조의 베스 내부에 기판을 통과시키면서 소정의 약액을 도포하여 표면 처리를 행하게된다.
세정 공정은 기판 위의 이물질 및 입자들을 제거하는 공정으로서 유리 기판 상에 형성된 소자들의 손실을 최소화하여 수율을 향상시키기 위한 것이다. 세정 공정에는 탈이온수와 같은 세정액을 기판의 표면에 공급하는 수세 공정과, 수세 후에 기판의 표면으로부터 탈이온수를 제거하기 위하여 건조 가스를 분사하는 건조 공정으로 이루어진다.
또한, 상술한 공정들을 수행하는 챔버들은 병렬로 배치될 수 있으며, 상기 챔버에 형성된 개구부를 통해 기판은 순차적으로 이동되어 약액 도포 공정, 세정 고정, 건조 공정 등과 같은 공정들이 수행될 수 있다.
예를 들면, 약액 처리를 위한 챔버에서는 현상액, 에칭액 등의 약액을 기판에 공급하여 기판을 처리한 후, 약액 처리된 기판을 세정 챔버로 이송하여 수세 처리 및 건조 처리를 수행한다.
그러나, 기판 상에 현상액과 같은 약액을 처리한 후 상기 기판은 세정 챔버로 이송되고, 이송된 기판에 대하여 세정액을 이용하여 수세 처리를 하는 경우에 있어서 세정액으로부터 발생하는 미스트(mist)가 다시 현상 공정을 수행하는 챔버로 전이되거나, 수세 처리후 건조 처리가 수행될 때 건조 가스등이 현상 공정을 수행하는 챔버로 전이되어 후속하는 현상 공정에 불량을 초래하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 공정 불량을 감소시킬 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 방법을 수행하기 위한 기판 세정 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 세정 방법에 있어서, 세정 영역으로 반입된 기판 상에 세정액을 분사한 후, 상기 기판을 건조 영역으로 이동시킨다. 상기 건조 영역 내로 이동된 상기 기판 상에 건조 가스를 분사한 후, 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단한다.
본 발명의 일실시에에 따르면, 상기 건조 영역과 상기 세정 영역 사이에 유체의 흐름을 형성하여 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 상에 세정액을 분사한 이후에, 상기 분사된 세정액으로부터 발생되는 미스트(mist)를 배출시킬 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 세정 장치는 기판이 반입되는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판에 세정액을 분사하기 위한 세정부, 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판에 건조 가스를 분사하기 위한 건조부 및 상기 세정부와 상기 건조부 사이에 배치되어 상기 건조부로부터 상기 세정부로의 상기 건조 가스의 확산을 차단하기 위한 확산 차단부를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 세정부는 상기 세정액을 분사하는 제 1 분사 노즐 및 상기 분사된 세정액으로부터 발생된 미스트(mist)를 배출하기 위한 미스트 배출부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 건조부는 상기 건조 가스를 분사하는 제2 분사 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 확산 차단부는 상기 챔버 하부로 유체를 분사하는 제3 분사 노즐을 포함할 수 있다. 상기 유체는 탈이온수를 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 세정 영역으로부터 건조 영역으로 이동된 기판 상에 건조 가스를 분사하고, 상기 건조 영역과 상기 세정 영역 사이에 유체의 흐름을 형성하여 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단한다.
이리하여, 상기 유체는 상기 건조 영역에서의 건조 가스가 상기 세정 영역으로 전이되는 것을 차단하는 수막 커튼(water curtain)을 형성한다. 따라서, 상기 수막 커튼은 상기 건조 가스가 상기 세정 영역으로 이동하는 것을 차단하여 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부 호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 기판(10)이 반입되는 챔버(110), 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판에 세정액을 분사하기 위한 세정부(200), 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판에 건조 가스를 분사하기 위한 건조부(300) 및 세정부(200)와 건조부(300) 사이에 배치되어 상기 건조부로부터 상기 세정부로의 상기 건조 가스의 확산을 차단하기 위한 확산 차단부(400)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 유리 기판과 같은 평판형 기판을 처리하기 위한 챔버 내에서 상기 기판을 일 방향으로 이송하기 위하여 기판 이송부(150)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 평판형 기판은 액정 디스플레이(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 디스플레이(plasma display: PDP), 진공 형광 디스플레이(vacuum fluorescent display: VFD), 전계 형광 디스플레이(field emission display: FED) 또는 전계 방출 디스플레이(electro luminescence display: ELD)를 제조하기 위한 기판일 수 있다.
상기 기판이 반입되는 챔버(110)의 일측벽에는 기판(10)의 유입 통로인 입구(102)가 형성되고, 이와 마주보는 타측벽에는 기판(10)의 유출 통로인 출구(104)가 형성될 수 있다. 또한, 챔버(110)의 하부벽에는 배출구(160)가 형성되어 기판(10) 상에 공급된 유체를 외부로 배출할 수 있다.
또한, 상기 챔버의 일측벽에는 상기 기판에 약액을 처리하기 위한 약액 처리 챔버(120)가 배치될 수 있다. 상기 약액 처리 챔버(120)는, 예를 들면, 기판 상에 현상액을 이용하여 현상 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 상기 약액 처리 챔버 내에는 이송되는 기판(10)의 전면 및/또는 후면과 마주하는 위치에는 상기 기판의 처리를 위한 약액 등을 제공하는 분사부(500)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 분사부(500)는 노즐(510), 에어 나이프(air knife) 또는 샤워 나이프(shower knife) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 분사부(500)는 유체 공급부(520)와 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 이송부(150)는 샤프트들(152) 및 상기 샤프트들에 구비된 롤러들(154)을 포함한다. 상기 샤프트(152)의 일단에는 제1 마그네틱 디스크(도시되지 않음)가 장착되고, 제2 마그네틱 디스크(도시되지 않음)는 상기 챔버(110)의 일측벽을 사이에 두고 상기 제1 마그네틱 디스크와 마주보며 배치된다.
상기 제2 마그네틱 디스크는 구동축(도시되지 않음)에 구비되고, 상기 구동축은 타이밍 벨트에 의해 구동 모터 등과 같은 구동부(도시되지 않음)와 연결된다. 상기 제1 및 제2 마그네틱 디스크들은 자기력을 이용하여 구동부의 회전력을 상기 샤프트(152)로 전달한다.
현상 공정과 같은 약액 처리 공정이 수행된 기판(10)은 챔버(110)의 입구(102)를 통해 챔버(110) 내부로 반입된다. 구체적으로, 기판(10)은 롤러들(154) 상부에 놓여지고, 롤러들(154)이 회전함에 따라 일방향으로 이송된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치(100)의 챔버(110)는 세정액을 이용하여 기판(10)에 부착된 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행되는 세정 영역(201)과 건조 가스를 이용하여 기판(10)에 부착된 탈이온수 등을 제거하는 건조 공정이 수행되는 건조 영역(301)을 포함할 수 있다.
상기 챔버(110) 내에는 차단 플레이트(450)가 배치되고, 상기 차단 플레이트(450)에 의해 상기 챔버(110)는 세정 영역(201)과 건조 영역(301)으로 분리될 수 있다. 또한, 상기 세정부(200)는 상기 세정 영역(201) 내에 배치되고, 상기 건조부(300)는 상기 건조 영역(301) 내에 배치될 수 있다.
상기 세정부(200)는 상기 세정액을 분사하는 제1 분사 노즐(210) 및 상기 분사된 세정액으로부터 발생된 미스트(mist)를 배출하기 위한 미스트 배출부(220)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1 분사 노즐(210)은 챔버(110)의 입구(102)에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제1 분사 노즐은 상기 입구(102)를 통해 반입된 기판 상부에 배치되어 일정한 각도로 상기 기판 상에 세정액을 분사할 수 있다. 상기 세정액은 탈이온수를 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 분사 노즐(210)은 샤워 나이프일 수 있다. 상기 제1 분사 노즐(210)은 제1 노즐 몸체(도시되지 않음)와 상기 세정액이 분사되는 토출구(도시되지 않음)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 노즐 몸체는 기판(10)의 폭과 유사한 길이를 가질 수 있다. 상기 토출구는 상기 제1 노즐 몸체의 길이 방향을 따라 복수개가 구비될 수 있다. 이와 달리 상기 토출구는 상기 제1 노즐 몸체의 길이 방 향을 따라 슬릿 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 노즐 몸체 내에는 세정액을 공급하는 공급로가 형성되고, 상기 공급로는 상기 제1 분사 노즐(210)에 세정액을 제공하는 세정액 제공부(도시되지 않음)와 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 미스트 배출부(220)는 상기 세정 영역(201)의 상부에 배치될 수 있다. 상기 미스트 배출부(220)는 세정 영역(201) 내에서 상기 세정액으로부터 발생한 미스트를 배출하기 위한 제1 배기구(222) 및 상기 제1 배기구(222)를 통해 배출된 미스트를 챔버(110) 외부로 배출시키기 위한 제2 배기구(224)를 포함한다.
상기 세정액은 입구(102)를 통해 반입된 기판 상부에 제1 분사 노즐(210)에 의해 분사되고, 상기 세정액으로부터 발생하는 미스트는 상기 제1 분사 노즐(210) 상부에 배치된 제1 배기구(222)를 통해 상기 세정 영역으로부터 배출된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 건조부(300)는 상기 건조 가스를 분사하는 제2 분사 노즐(310)을 포함할 수 있다. 상기 제2 분사 노즐(310)은 챔버(110)의 출구(104)에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 분사 노즐은 상기 세정 영역으로부터 상기 건조 영역으로 이동된 기판 상부에 복수개가 배치될 수 있다. 상기 제2 분사 노즐은 상기 기판 상에 건조 가스를 분사할 수 있다.
예를 들면, 상기 건조 가스는 공기, 질소 또는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 또는 에틸글리콜과 같은 건조용 알코올을 포함할 수 있다.
상기 제2 분사 노즐(310)은 에어 나이프일 수 있다. 상기 제2 분사 노즐(310)은 제2 노즐 몸체와 상기 건조 가스가 분사되는 토출구를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 노즐 몸체(310)는 기판(10)의 폭과 유사한 길이를 가질 수 있다. 상기 토출구는 상기 제2 노즐 몸체의 길이 방향을 따라 복수개가 구비될 수 있다. 이와 달리, 상기 토출구는 상기 제2 노즐 몸체의 길이 방향을 따라 슬릿 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제2 노즐 몸체 내에는 건조 가스를 공급하는 공급로가 형성되고, 상기 공급로는 상기 제2 분사 노즐(310)에 건조 가스를 제공하는 건조 가스 제공부(315)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 분사 노즐(310)은 상기 건조 영역(301)의 상부에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 확산 차단부(400)는 상기 세정 영역과 상기 건조 영역 사이에 배치되며, 챔버(110) 하부로 유체를 분사하는 제3 분사 노즐(410)을 포함할 수 있다.
상기 제3 분사 노즐(410)은 상기 세정 영역과 상기 건조 영역을 분리하는 차단 플레이트(450)에 장착될 수 있다. 예를 들면, 상기 유체는 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 제3 분사 노즐(410)은, 예를 들면, 샤워 나이프일 수 있다. 상기 제3 분사 노즐(410)은 제3 노즐 몸체와 상기 유체가 분사되는 토출구를 가질 수 있다. 상기 제3 노즐 몸체는 상기 기판의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 제3 노즐 몸체는 상기 기판이 이동하는 방향과 수직하는 방향으로 연장되며, 챔버(110)의 폭과 유사한 길이를 가질 수 있다. 상기 토출구는 상기 기판이 이동하는 방향과 수직하는 방향을 따라 복수개가 구비될 수 있다. 이와 달리, 상기 토출구는 상기 기판이 이동하는 방향과 수직하는 방향을 따라 슬릿 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제3 노즐 몸체 내에는 상기 유체을 공급하는 공급로가 형성되고, 상기 공급로는 상기 제3 분사 노즐(410)에 유체을 제공하는 유체 제공부(도시되지 않음)와 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 분사 노즐(410)은 상기 제1 분사 노즐(210)에 세정액을 공급하는 상기 세정액 공급부에 연결될 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 제1 및 상기 제3 분사 노즐은 동일한 유체를 분사하게 된다.
상기 제2 분사 노즐(310)은 상기 세정 영역으로부터 상기 건조 영역으로 이동된 기판(10) 상에 상기 건조 가스를 분사하고, 상기 기판의 앞 부분이 챔버(110)의 출구(104)에 소정의 간격만큼 가까워지면 상기 건조 가스의 분사를 정지한다. 상기 건조 가스가 상기 기판 상에 분사될 때, 상기 건조 가스는 상기 세정 영역으로 전이되고, 상기 세정 영역으로 전이된 건조 가스는 챔버(110)의 입구(102)를 통해 약액 처리 챔버(120)로 전이될 수 있다.
이 때, 상기 확산 차단부(400)의 제3 분사 노즐(410)은 챔버(110) 하부로 상기 유체를 분사한다. 상기 제3 분사 노즐로부터 분사된 유체는 상기 건조 영역에서의 건조 가스가 상기 세정 영역으로 전이되는 것을 차단하는 수막 커튼(water curtain)을 형성한다. 따라서, 상기 수막 커튼은 상기 건조 가스가 상기 세정 영역 으로 이동하는 것을 차단할 수 있다.
이하, 언급한 도 1의 기판 세정 장치를 사용한 기판 세정 방법에 대하여 설하기로 한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 사용한 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이고, 도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 기판 세정 장치를 사용한 기판 세정 방법을 나타내는 개략적인 도면들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 먼저 세정 영역(201)으로 반입된 기판(10) 상에 세정액을 분사한다.(S100)
본 발명의 일 실시예에 따른 세정 방법에 의하면, 기판 세정 장치(100)의 챔버(110)는 세정액을 이용하여 기판(10)을 세정하기 위한 세정 영역(201)과 세정된 기판(10)을 건조하기 위한 건조 영역(301)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 현상 공정과 같은 약액 처리 공정이 수행된 기판(10)은 상기 세정 영역(201) 내로 반입되고, 상기 세정 영역 내에 배치된 제1 분사 노즐(210)로부터 세정액이 상기 기판 상으로 분사될 수 있다. 상기 제1 분사 노즐은 상기 기판 상부에 일정한 각도로 상기 세정액을 분사할 수 있다. 상기 세정액은 탈이온수를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 세정 방법에 의하면, 상기 기판 상에 세정액을 분사한 이후에, 상기 분사된 세정액으로부터 발생되는 미스트(mist)를 배출시킬 수 있다.
상기 세정 영역 내에서 상기 세정액으로부터 발생한 미스트는 제1 배기구(222)를 통해 상기 세정 영역으로부터 배출되고, 상기 제2 배기구(224)를 통해 챔버(110) 외부로 배출될 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 기판을 건조 영역으로 이동시킨다.(S200) 상기 세정액이 분사된 기판(10)은 다수의 롤러들(154)에 의해 지지되어 상기 건조 영역으로 이동된다.
이어서, 상기 건조 영역 내의 상기 기판 상에 건조 가스를 분사한다.(S300)
예를 들면, 상기 기판이 상기 건조 영역 내로 반입되면, 상기 건조 영역 내에 배치된 제2 분사 노즐(310)로부터 건조 가스가 상기 기판 상으로 분사될 수 있다. 상기 제2 분사 노즐은 상기 기판 상부에 복수개가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 건조 가스는 공기, 질소 또는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 건조 가스는 이소프로필 알콜 또는 에틸글리콜과 같은 건조용 알코올을 포함할 수 있다.
이후, 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단한다.(S400)
본 발명의 일 실시예에 따른 세정 방법에 의하면, 상기 건조 영역과 상기 세정 영역 사이에 유체의 흐름을 형성하여 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단할 수 있다.
예를 들면, 제3 분사 노즐(410)이 상기 세정 영역과 상기 건조 영역 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 분사 노즐은 챔버(110) 하부로 유체를 분사시킨다. 예를 들면, 상기 유체는 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 건조 가스가 상기 기판 상에 분사될 때, 상기 건조 가스는 상기 세정 영역으로 전이되고, 상기 세정 영역으로 전이된 건조 가스는 챔버(110)의 입구(102)를 통해 약액 처리 챔버(120)로 전이될 수 있다.
이 때, 상기 제3 분사 노즐은 챔버(110) 하부로 상기 유체를 분사한다. 상기 제3 분사 노즐로부터 분사된 유체는 상기 건조 영역에서의 건조 가스가 상기 세정 영역으로 전이되는 것을 차단하는 수막 커튼(water curtain)을 형성한다. 따라서, 상기 수막 커튼은 상기 건조 가스가 상기 세정 영역으로 이동하는 것을 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 세정 방법은 세정 영역으로부터 건조 영역으로 이동된 기판 상에 건조 가스를 분사하고, 상기 건조 영역과 상기 세정 영역 사이에 유체의 흐름을 형성하여 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단하는 단계를 포함한다.
이리하여, 상기 유체는 상기 건조 영역에서의 건조 가스가 상기 세정 영역으로 전이되는 것을 차단하는 수막 커튼(water curtain)을 형성한다. 따라서, 상기 수막 커튼은 상기 건조 가스가 상기 세정 영역으로 이동하는 것을 차단하여 공정 불량을 최소화할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역 으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 세정 영역으로 반입된 기판 상에 세정액을 분사하는 단계;
    상기 기판을 건조 영역으로 이동시키는 단계;
    상기 건조 영역 내의 상기 기판 상에 건조 가스를 분사하는 단계; 및
    상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분사된 건조 가스가 상기 세정 영역으로 확산되는 것을 차단하는 단계는 상기 건조 영역과 상기 세정 영역 사이에 유체의 흐름을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 기판 세정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 세정액을 분사하는 단계 이후에, 상기 분사된 세정액으로부터 발생되는 미스트(mist)를 배출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  4. 기판이 반입되는 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판에 세정액을 분사하기 위한 세정부;
    상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판에 건조 가스를 분사하기 위한 건조부; 및
    상기 세정부와 상기 건조부 사이에 배치되어, 상기 건조부로부터 상기 세정부로의 상기 건조 가스의 확산을 차단하기 위한 확산 차단부를 포함하는 기판 세정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 세정부는
    상기 세정액을 분사하는 제1 분사 노즐; 및
    상기 분사된 세정액으로부터 발생된 미스트(mist)를 배출하기 위한 미스트 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 건조부는 상기 건조 가스를 분사하는 제2 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 확산 차단부는 상기 챔버 하부로 유체를 분사하는 제3 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 유체는 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 기판을 이송시키는 기판 이송부를 더 포함하며, 상기 기판 이송부는
    구동부;
    상기 구동부에 의해 회전하는 샤프트들; 및
    상기 샤프트들에 의해 회전하며, 상기 기판과 접촉하여 상기 기판을 이동시키는 다수의 롤러들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
KR1020070018299A 2007-02-23 2007-02-23 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 KR20080078335A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070018299A KR20080078335A (ko) 2007-02-23 2007-02-23 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070018299A KR20080078335A (ko) 2007-02-23 2007-02-23 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080078335A true KR20080078335A (ko) 2008-08-27

Family

ID=39880542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070018299A KR20080078335A (ko) 2007-02-23 2007-02-23 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080078335A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200013930A (ko) * 2018-07-31 2020-02-10 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200013930A (ko) * 2018-07-31 2020-02-10 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000012023A (ko) 기판처리방법및기판처리장치
TWI546131B (zh) 基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法
TWI457266B (zh) And a substrate processing device having a non-contact floating conveyance function
KR20090084650A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2002301413A (ja) ノズル装置及び塗布装置
KR101065982B1 (ko) 노즐 및 기판처리장치
KR20080078335A (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR20090015413A (ko) 평판표시장치 제조용 슬릿 노즐의 세정 장치
KR100837628B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20110062520A (ko) 기판 처리장치 및 이의 세정 방법
KR20080077462A (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR20080109495A (ko) 이온 에어 나이프 및 그를 이용한 기판 세정 시스템
KR20100055812A (ko) 기판 처리 장치
KR20100055789A (ko) 기판 처리 장치
KR100873938B1 (ko) 유체 분사기, 유체 분사 방법 및 이를 이용한 기판처리장치
KR100314225B1 (ko) 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 분사장치
KR100809516B1 (ko) 처리 장치 및 처리 방법
JP2003024865A (ja) フィルム基板の湿式処理方法及び湿式処理装置
KR100783067B1 (ko) 유체 코팅 방법 및 이를 수행하기 위한 유체 코팅 장치
JP2006051504A (ja) 塗布装置
TWI824281B (zh) 顯影裝置及顯影方法
KR102278073B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20080078341A (ko) 기판 세정 장치
KR102278079B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190042186A (ko) 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application