KR20080039279A - 연마용 조성물 및 연마 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도에 적합한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은 회합도가 1보다 큰 콜로이드 실리카 및 산을 함유하고, pH가 1 내지 4이다. 상기 산은 카르복실산 및 술폰산으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 이 연마용 조성물은 음이온 계면활성제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 상기 음이온 계면활성제는 황산에스테르염 또는 술폰산염인 것이 바람직하다.
연마용 조성물, 이산화규소막, 콜로이드 실리카, 카르복실산, 술폰산, 음이온 계면활성제

Description

연마용 조성물 및 연마 방법{POLISHING COMPOSITION AND POLISHING PROCESS}
본 발명은 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 분리 기술로서 소자 분리용 이산화규소막을 실리콘 기판 상에 선택적으로 형성하는 LOCOS(실리콘의 국부 산화(Local Oxidation of Silicon)) 기술이 알려져 있다. 그러나, 여기에는 이산화규소막의 측방 확산 및 버즈 비크(bird's beak)에 의해 소자 영역이 감소된다는 문제가 있다. 따라서, 새로운 반도체 소자 분리 기술로서 STI(쉘로우 트렌치 분리(Shallow Trench Isolation)) 기술이 개발되어 이용되고 있다.
통상, STI 기술에서는 실리콘 기판 상에 이산화규소막 및 질화규소를 순서대로 형성하고, 포토레지스트에 의한 패터닝 후에 트렌치가 형성된다. 레지스트의 제거 후, CVD(화학적 증착(Chemical Vapor Deposition))에 의해 이산화규소막을 형성하고, CMP(화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing))에 의한 평탄화가 행해진다. 또한, CMP 후에 트렌치 내에 남은 이산화규소막이 소자 분리 영역으 로서 기능한다. 질화규소막은 인산 용액을 사용하는 것 등을 행하여 CMP 후에 제거된다.
STI 기술에서는 질화규소막은 스토퍼막으로서 설치되어 있고, STI용 CMP 슬러리에는 질화규소막에 비하여 이산화규소막을 연마하는 능력이 높은 것이 요구된다. 따라서, 이 종류의 슬러리에서는 세리아 지립을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 그러나, 실용상 충분한 이산화규소막의 연마 속도를 얻기 위해서는 세리아 지립의 평균 일차 입경이 비교적 클 필요가 있으며, 그를 위해 세리아 지립을 함유하는 슬러리에 의한 연마 후의 면에는 결함이 많이 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 또한, 세리아 지립은 연마 후의 면에 잔사로서 남기 쉽고, 연마 후의 세정이 번잡해진다는 문제도 있다.
한편, STI 기술의 공정을 간략화하기 위해 질화규소막의 형성을 생략하는 것이 제안되어 있다. 이를 실현하기 위해서는 이산화규소막의 연마 속도가 높은 한편, 실리콘 기판의 연마 속도가 낮은 CMP 슬러리가 필요하다. 또한, 그러한 CMP 슬러리는, 예를 들면 소자 영역에 설치되는 폴리실리콘막의 연마 속도도 낮은 것이 바람직하다. 즉, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막에 대하여 이산화규소막을 선택적으로 연마할 수 있는 CMP 슬러리가 요구되고 있다.
[특허 문헌 1] 국제 공개 제99/43761호 공보
본 발명의 목적은 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도에 적합한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은 회합도가 1보다 큰 콜로이드 실리카 및 산을 함유하고, pH가 1 내지 4인 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 있어서, 상기 산이 카르복실산 및 술폰산으로부터 선택되는 1종 이상인 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 있어서, 음이온 계면활성제를 더 함유하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 3에 있어서, 상기 음이온 계면활성제가 황산에스테르염 또는 술폰산염인 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 이산화규소막을 연마하는 연마 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도에 적합한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 일실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 콜로이드 실리카 및 산을 물에 혼합함으로써 pH가 1 내지 4가 되도록 제조된다. 따라서, 연마용 조성물은 콜로이드 실리카, 산 및 물을 포함한다. 이 연마용 조성물은 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도로 사용된다.
상기 콜로이드 실리카는 이산화규소막을 기계적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다. 콜로이드 실리카는 여러가지 방법으로 합성할 수 있는데, 불순물 원소의 혼입이 매우 적다는 점에서 졸 겔법으로 합성된 것이 바람직하다. 졸 겔법에 의한 콜로이드 실리카의 합성은, 일반적으로 메탄올, 암모니아 및 물을 포함하는 용매 중에 규산메틸을 적하하여 이것을 가수분해시킴으로써 행해진다. 단, 불순물 원소의 존재를 그다지 문제로 삼지 않는 경우에는, 규산소다를 출발 원료로서 이온 교환에 의해 콜로이드 실리카를 생성하는, 이른바 이온 교환법에 의한 콜로이드 실리카를 사용할 수도 있다.
연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량은 1 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 콜로이드 실리카의 함유량이 많아짐에 따라 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 함유량이 1 질량％ 이상, 다시 말해 5 질량％ 이상이면 실용상 특히 바람직한 이산화규소막의 연마 속도가 높은 연마용 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량은 25 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 콜로이드 실리카의 함유량이 적어짐에 따라 콜로이드 실리카의 분산성이 향상되고, 연마용 조성물 중에 침전이 생기지 않게 된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 함유량이 25 질량％ 이하, 다시 말해 20 질량％ 이하이면 콜로이드 실리카의 분산성이 실용상 특히 바람직한 연마용 조성물을 얻을 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경은 20 nm 이상인 것이 바람직하고, 25 nm 이상인 것이 보다 바람직하다. 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 커짐에 따라 이산화규소막을 기계적으로 연마하는 콜로이드 실리카의 작용이 강해지기 때문에, 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 20 nm 이상, 다시 말해 25 nm 이상이면 실용상 특히 바람직한 이산화규소막의 연마 속도가 높은 연마용 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경은 120 nm 이하인 것이 바람직하고, 100 nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 작아짐에 따라 콜로이드 실리카의 분산성이 향상되고, 연마용 조성물 중에 침전이 생기지 않게 된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 120 nm 이하, 다시 말해 100 nm 이하이면 콜로이드 실리카의 분산성이 실용상 특히 바람직한 연마용 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 상기 평균 일차 입경의 값은, BET법으로 측정되는 콜로이드 실리카의 비표면적과 콜로이드 실리카의 입자 밀도에 기초하여 산출되는 것이다.
연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 회합도는 1보다 큰 것이 필수이다. 콜로이드 실리카의 회합도가 커짐에 따라 이산화규소막을 기계적으로 연마하는 콜로이드 실리카의 능력이 향상되기 때문에, 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 회합도가 1보다 크면 실용상 바람직한 이산화규소막의 연마 속도가 높은 연마용 조성물을 얻을 수 있다. 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도를 한층 더 향상시키기 위해서는 연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 회합도가 1.1 이상인 것이 바람직하고, 1.5 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 회합도는 5 이하인 것이 바람직하고, 4 이하인 것이 보다 바람직하다. 콜로이드 실리카의 회합도가 작아짐에 따라 연마용 조성물에 의한 연마 후의 면의 결함을 감소시킬 수 있다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 회합도가 5 이하, 다시 말해 4 이하이면 실용상 특히 바람직한 결함이 적은 연마면을 얻을 수 있다. 또한, 상기 회합도의 값은 동적 광산란법으로 구해지는 콜로이드 실리카의 평균 입경인 이차 입경의 값을 콜로이드 실리카의 일차 입경의 값으로 나눔으로써 구해지는 것이다.
상기 산은 이산화규소막을 화학적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 이산화규소막의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다. 또한, 연마용 조성 물에 의한 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 기능도 한다.
연마용 조성물에 포함되는 산은 무기산일 수도 있고, 유기산일 수도 있지만, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 기능이 특히 강하다는 점에서 카르복실산 또는 술폰산이 바람직하다.
연마용 조성물에 포함되는 산이 R-COOH로 표시되는 모노카르복실산 또는 HOOC-R-COOH로 표시되는 디카르복실산인 경우, R기의 탄소수는 1 이상인 것이 바람직하고, 2 이상인 것이 보다 바람직하다. R기의 탄소수가 커짐에 따라 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 산의 작용이 강해진다. 이러한 점에서 R기의 탄소수가 1 이상, 다시 말해 2 이상이면 실용상 특히 바람직한 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마 속도가 낮은 연마용 조성물을 얻을 수 있다. 또한, R기의 탄소수는 6 이하인 것이 바람직하고, 4 이하인 것이 보다 바람직하다. R기의 탄소수가 작아짐에 따라 산의 수용해성이 향상된다. 이러한 점에서 R기의 탄소수가 6 이하, 다시 말해 4 이하이면 산의 수용해성이 실용상 특히 바람직한 연마용 조성물을 얻을 수 있다.
구체적으로는 카르복실산은 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산(히드록시아세트산), 살리실산, 글리세린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 피멜산, 말레산, 푸마르산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 니코틴산, 퀴날딘산, 또는 안트라닐산일 수도 있다. 또한, α-알라닌, β-알라닌, 글리신, 아스파라긴산, 에틸렌디아민-N,N,N',N'-사아세트산, 디에틸렌트리아민오아세트산, 1,3-디아미노프로판-N,N,N',N'-사아세트산, 1,2-디아미노프로판-N,N,N', N'-사아세트산, 에틸렌디아민-N,N'-디숙신산(라세미체), 에틸렌디아민디숙신산(SS 체), N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파라긴산, N-(카르복시메틸)-L-아스파라긴산, β-알라닌디아세트산, N-메틸이미노디아세트산, 니트릴로삼아세트산, 시클로헥산디아민사아세트산, 이미노디아세트산, 글리콜에테르디아민사아세트산, 에틸렌디아민1-N,N'-디아세트산, 에틸렌디아민오르토히드록시페닐아세트산, 및 N,N-비스(2-히드록시벤질)에틸렌디아민-N,N-디아세트산 등의 아미노카르복실산일 수도 있다. 그 중에서도 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 기능이 특히 강하다는 점에서 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산, 살리실산, 글리세린산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 피멜산, 말레산, 푸마르산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 락트산, 니코틴산, 퀴날딘산, 또는 안트라닐산이 바람직하고, 아세트산, 프로피온산, n-헥산산, 글리콜산, 글리세린산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 말레산, 푸마르산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 또는 락트산이 보다 바람직하고, 프로피온산, 글리콜산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 또는 락트산이 가장 바람직하다.
또한, 술폰산은 황산, 알킬황산, 알릴황산, 타우린, 이세티온산, 또는 벤젠술폰산일 수도 있다. 그 중에서도 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하 는 기능이 특히 강하다는 점에서 황산, 타우린, 이세티온산, 또는 벤젠술폰산이 바람직하다.
연마용 조성물 중의 산의 함유량은, 연마용 조성물의 pH가 1 내지 4, 바람직하게는 1 내지 3.5가 되는 양이다. 연마용 조성물의 pH가 산성일 때에는 이산화규소막의 연마 속도가 높은 연마용 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 연마용 조성물의 pH가 약산성에서부터 강산성으로 이동함에 따라, 연마용 조성물에 의한 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마가 보다 강하게 억제된다. 이러한 점에서 연마용 조성물의 pH는 1 내지 4, 다시 말해 1 내지 3.5이면 실용상 특히 바람직한 이산화규소막의 연마 속도가 높고, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마 속도가 낮은 연마용 조성물을 얻을 수 있다.
ㆍ본 실시 형태에 따르면 이하의 이점이 얻어진다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 이산화규소막의 연마 속도가 높은 한편, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마 속도가 낮다. 따라서, 이 연마용 조성물에 따르면, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막에 대하여 이산화규소막을 선택적으로 연마할 수 있다. 따라서, 이 연마용 조성물은 이산화규소막을 연마하는 용도, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘막 상에 설치된 이산화규소막을 연마하는 용도로 적합하다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 음이온 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 첨가하는 음이온 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 디 알킬술포숙신산염, 알칸술폰산염, α-올레핀술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 나프탈렌술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, N-메틸-N-아실타우린, 알킬황산염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산염, 또는 유지 황산에스테르염을 사용할 수 있다. 단, 실리콘 기판 및 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 효과가 강하다는 점에서 황산에스테르염 또는 술폰산염이 바람직하다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 콜로이드 실리카가 함유될 수도 있다.
ㆍ연마용 조성물에는 2종 이상의 산이 함유될 수도 있다. 단, 이 경우에도 당연히 연마용 조성물의 pH는 1 내지 4, 바람직하게는 1 내지 3.5가 아니면 안된다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 필요에 따라 킬레이트제, 수용성 고분자, 계면활성제, 방부제, 방미제, 방청제 등을 첨가할 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은 이산화규소막 이외의 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
<실시예>
이어서, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
지립 및 산을 적당히 물과 혼합함으로써 실시예 1 내지 28 및 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물을 제조하였다. 연마용 조성물 중의 지립 및 산의 상세 및 연 마용 조성물의 pH는 하기 표 1, 2에 나타낸 바와 같다.
표 1, 2의 "지립"란 중, "콜로이드 실리카*1"은 평균 일차 입경이 35 nm이고, 회합도가 2.0인 콜로이드 실리카를 나타내고, "콜로이드 실리카*2"는 평균 일차 입경이 35 nm이고, 회합도가 1.0인 콜로이드 실리카를 나타내고, "콜로이드 실리카*3"은 평균 일차 입경이 12 nm이고, 회합도가 2.7인 콜로이드 실리카를 나타내고, "콜로이드 실리카*4"는 평균 일차 입경이 15 nm이고, 회합도가 1.0인 콜로이드 실리카를 나타내고, "콜로이드 실리카*5"는 평균 일차 입경이 90 nm이고, 회합도가 1.7인 콜로이드 실리카를 나타내고, "퓸드 실리카*1"은 평균 일차 입경이 30 nm인 퓸드 실리카를 나타내고, "알루미나*1"은 평균 일차 입경이 5 ㎛인 알루미나를 나타내고, "알루미나*2"는 평균 일차 입경이 100 nm인 알루미나를 나타내고, "세리아*1"은 평균 일차 입경이 60 nm인 세리아를 나타낸다.
표 1, 2의 "연마 속도"란에는 실시예 1 내지 28 및 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물을 이용하여 직경 200 mm의 이산화규소막(TEOS막) 부착 기판 및 폴리실리콘막 부착 기판을 하기 표 3에 나타낸 조건으로 연마했을 때 이산화규소막의 연마 속도(SiO2 R.R.) 및 폴리실리콘막의 연마 속도(폴리-Si R.R.)를 측정한 결과를 나타낸다. 연마 속도는 연마 전후의 기판의 두께차를 연마 시간으로 나눔으로써 구하 였다. 기판의 두께 측정에는 다이닛본 스크린 제조 가부시끼가이샤의 광 간섭식 막후 측정 장치 "람다에이스 VM-2030"을 사용하였다.
표 1, 2의 "선택비"란에는 상기와 같이 하여 구해지는 이산화규소막 및 폴리실리콘막의 연마 속도로부터 폴리실리콘막의 연마 속도에 대한 이산화규소막의 연마 속도의 비율을 계산한 결과를 나타낸다.
표 1, 2의 "표면 결함"란에는 실시예 1 내지 28 및 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물을 이용하여 표 3에 나타낸 조건으로 연마한 이산화규소막 부착 기판의 표면 결함에 대하여 평가한 결과를 나타낸다. 구체적으로는 각 연마용 조성물을 이용하여 연마한 이산화규소막 부착 기판을 0.5 질량％의 불산 용액으로 12 초간 세정하고, 그 후 케이 엘 에이ㆍ텐콜사의 웨이퍼 검사 장치 "SURFSCAN SP1-TBI"를 이용하여 이산화규소막 부착 기판의 표면에 존재하는 0.2 ㎛ 이상의 크기의 스크래치 및 이물질의 수를 측정하였다. "표면 결함"란 중, ○는 0.2 ㎛ 이상의 크기의 스크래치 및 이물질의 수가 1개 이상 25개 미만이었던 것을 나타내고, △는 25개 이상 50개 미만, ×은 50개 이상이었던 것을 나타낸다.
표 1, 2의 "제타 전위"란에는 실시예 1 내지 28 및 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물 중에서의 지립의 제타 전위를 측정한 결과를 나타낸다. 제타 전위의 측정에는 디스퍼젼 테크놀로지(Dispersion Technology)사의 초음파 방식 입도 분포ㆍ제타 전위 측정 장치 "DT-1200"을 이용하였다.
Figure 112007077723041-PAT00001
Figure 112007077723041-PAT00002
Figure 112007077723041-PAT00003
표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 28의 연마용 조성물에서는 이산화규소막의 연마 속도에 대하여 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어지고, 선택비에 대해서도 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어졌다.
이에 대하여, pH가 4 이상인 비교예 1 내지 8의 연마용 조성물에서는 이산화규소막의 연마 속도에 대하여 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어지지 않고, 선택비에 대해서도 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어지지 않았다. 회합도가 1.0인 콜로이드 실리카를 이용한 비교예 10 내지 14나, 콜로이드 실리카 대신에 퓸드 실리카 또는 알루미나를 사용한 비교예 15 내지 17의 연마용 조성물의 경우도 마찬가지였다. 또한, 콜로이드 실리카 대신에 세리아를 사용한 비교예 18의 연마용 조성물에서는 이산화규소막의 연마 속도에 대하여 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어지고, 선택비에 대해서도 실용상 충분한 수준의 수치가 얻어졌지만, 실용상 허용할 수 없는 수준의 스크래치가 연마면에 확인되었다.
또한, 실시예 6, 15, 16의 결과로부터, 산으로서 황산을 사용한 경우에는 질산 또는 염산을 이용한 경우에 비하여 폴리실리콘막의 연마가 강하게 억제되는 것을 알 수 있었다. 또한, 실시예 17 내지 22의 결과로부터는 산으로서 사용되는 모노카르복실산 또는 디카르복실산의 R기의 탄소수가 커짐에 따라 폴리실리콘막의 연마가 강하게 억제되는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 1, 2, 12 내지 14 및 비교예 1 내지 4의 연마용 조성물에 의한 이산화규소막 및 폴리실리콘막의 연마 속도의 수치를 연마용 조성물의 pH와의 관계로 플롯한 그래프를 도 1에 나타내었다.
도 1은 연마용 조성물에 의한 이산화규소막 및 폴리실리콘막의 연마 속도의 pH 의존성을 나타내는 그래프이다.

Claims (5)

  1. 회합도가 1보다 큰 콜로이드 실리카 및 산을 함유하고, pH가 1 내지 4인 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산이 카르복실산 및 술폰산으로부터 선택되는 1종 이상인 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 음이온 계면활성제를 더 함유하는 연마용 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 음이온 계면활성제가 황산에스테르염 또는 술폰산염인 연마용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 이산화규소막을 연마하는 연마 방법.
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