KR20080037032A - 자기유변성 댐퍼 및 그 용도 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 자기유변성 댐퍼는, 구조물의 진동 제어에 사용되고, 댐퍼 바디와 상기 댐퍼 바디에 대하여 이동부를 가진다. 상기 자기유변성 댐퍼는 상기 이동부의 이동을 제한하도록 상기 댐퍼 바디 내에 채워진 자기유변성 물질을 포함한다. 상기 자기유변성(MR) 물질 내에서는 자기유변성(MR) 물질이 노출되는 자기장 내에서의 자기장의 변화에 따라 유변성 변화가 발생할 수 있다. 상기 자기유변성 댐퍼는 또한 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 가해진 외력을 측정하고, 상기 자기장을 제어하고 이에 따라 외력의 변동에 응답하여 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force)과 유변성 댐핑을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 상기 댐퍼 내에 매설된 적어도 하나의 센서를 포함한다.
자기유변성 댐퍼
Description
본 발명은 구조물의 진동 제어 장치에 관한 것으로, 특히, 진동 제어에 사용되는 자기유변성 댐퍼에 관한 것이다.
자기유변성(MR; Magnetorheological) 댐퍼는 통상의 진동 제어와 기계 구조물에 사용되어 왔다. 응용 예로는 그 몇 가지를 나타내보면, 케이블이 내설된 교량에서의 서스펜션 케이블의 진동 댐핑, 자동차의 시트와 현가장치의 진동 댐핑, 그리고, 자동화 및/또는 정밀 장치/기계의 진동 차단 장치 등이 있다. 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 이용되는 자기유변성(MR) 물질은 자기장에 응용하여 유체 특성을 반대로 변화시키는 성질을 가지고 있다. 더 상세히 설명하면, 자기유변성 물질은 자유롭게 흐르는 선형의 점성 유체에서 적용된 자기장에 노출될 때 1000분의 1초 내에 조절/제어가능한 산출 응력을 가진 반 고형물로 자체 변화할 수 있다. 그러한 자기유변성(MR) 댐퍼의 전자석에 다른 전기 전류를 입력함으로써, 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 형성된 자기장을 조절/제어하여 상기 자기유변성(MR) 물질의 산출 응력(yield stress)과 이에 따른 산출력과 상기 댐퍼의 유변성 댐핑을 1000분의 1초 내에 쉽게 조절/제어할 수 있다. 조절/제어 가능한 산출력(yield force)과 유변성 댐핑 능력을 가지고는 있지만, 현존하는 자기유변성(MR) 댐퍼는 실시간(real- time), 폐회로(close-loop) 진동 제어 장치를 구현할 구조물의 진동을 감지하지 못한다. 상기 자기유변성(MR) 댐퍼는 단지 개방회로(open-loop) 작동 모드로만 대신 제한되어서 댐퍼의 조절/제어 가능한 성능을 전혀 이용할 수 없다.
상기 자기유변성(MR) 댐퍼의 개방회로 작동 모드에서 폐회로 작동 모드로의 구조물의 진동 제어 장치가 기술적으로 진보하기 위해서는 원하는 산출력과 유변성 댐핑을 촉진하는 적절한 전류 입력값을 결정하도록 댐퍼용으로 정밀한 전도 역학상 모델의 개발을 필요로 하고 있다. 그럼에도 불구하고, 여전히 이런 비싼 비선형 댐퍼용으로 전도 역학상 모델을 개발하는 데 도전하고 있다. 이에 대한 대안으로, 제어 효과를 저감시키고, 실현의 어려움과 기술 비용 모두를 증가시키는 비용으로 진동 구조물과 댐퍼 사이에 에너지 센서를 설치함을 통하여 전도 역학상 모델링의 결점을 극복하기 위하여 에너지 피드백 제어 폐회로를 대개 설치하고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 산출력과 유변성 댐핑을 실시간으로 조절/제어하는 것이 성취되고, 또한 적어도 공중이 유용하게 선택할 수 있도록 한 개량된 자기유변성 댐퍼를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 구조물의 진동의 변화를 감지하고, 또한 공중이 유용하게 선택할 수 있도록 한 개량된 구조물의 진동 제어 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 구조물의 진동 제어에 사용되는 자기유변성 댐퍼는, 댐퍼 바디와 상기 댐퍼 바디에 대하여 이동부를 가진다. 상기 자기유변성 댐퍼는 상기 이동부의 이동을 제한하도록 상기 댐퍼 바디 내에 채워진 자기유변성 물질을 포함한다. 상기 자기유변성(MR) 물질 내에서는 자기유변성(MR) 물질이 노출되는 자기장 내에서의 자기장의 변화에 따라 유변성 변화가 발생할 수 있다. 상기 자기유변성 댐퍼는 또한 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 가해진 외력을 모니터링하고, 상기 자기장을 제어하고 그에 따라 상기 외력의 변동에 응답하여 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force)과 유변성 댐핑을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 상기 댐퍼 내에 매설된 적어도 하나의 센서를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 구조물의 진동 제어 장치는, 댐퍼 바디 및 상기 댐퍼 바디에 대하여 이동부를 구비한 적어도 하나의 자기유변성 댐퍼로서, 상기 이동부의 이동을 제한하도록 상기 댐퍼 바디 내에 채워진 자기유변성 물질과, 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 가해진 외력을 모니터링해서 상기 자기장을 제어하고 그에 따라 상기 외력의 변동에 응답하여 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force) 및 유변성 댐핑을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 상기 댐퍼 내에 매설된 적어도 하나의 센서를 포함하고, 상기 자기유변성(MR) 물질 내에서는 자기유변성(MR) 물질이 노출되는 자기장 내에서의 자기장 변화에 따라 유변성 변화가 발생되는 구성으로 된, 적어도 하나의 자기유변성 댐퍼와;
상기 센서로부터의 신호를 수신하고 그 수신된 신호에 따라 자기장을 변화시키는 수단을 포함한다.
바람직하게는, 상기 센서는 압전 센서이다.
도 1은 종래의 선형의 자기유변성 댐퍼를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 자기유변성 댐퍼를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 댐퍼에 사용되는 제1 센서의 센서 구성요소를 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 댐퍼에 사용되는 제2 센서의 센서 구성요소를 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 2의 댐퍼에 사용되는 제3 센서의 센서 구성요소를 도시한 분해 사시도이다.
도 6은 도 2의 댐퍼에 사용되는 제4 센서의 센서 구성요소를 도시한 분해 사시도이다.
도 7은 다른 압전 물질로 된 도 3 내지 도 6의 센서의 압전 웨이퍼를 도시한 사시도이다.
도 8은 다른 전기적 패턴을 가진 도 3 내지 도6의 센서의 압전 웨이퍼를 도시한 사시도이다.
도 9는 센서의 시간에 따른 힘(force)의 분포를 도시한 그래프이다.
도 1은 기술 분야에서 알려진 종래의 자기유변성(MR) 댐퍼(100)를 설명하고 있다. 종래의 자기유변성(MR) 댐퍼(100)는 일반적으로 한 쌍의 전선(11)과, 베어링 실 유닛(12)과, 실린더 하우징 자기유변성(MR) 물질 또는 유체(13)와, 전자석(14)과, 다이아프램(15)과, 축전지(16)와, 피스톤(17)과, 상부 연결 지지부(18) 및 하 부 연결 지지부(19)를 포함하여 구성된다. 상기 베어링 실 유닛(12)은 피스톤(17)의 운동을 가이드하면서 자기유변성(MR) 물질(13)의 누수를 방지한다. 상기 한 쌍의 전선(11)을 통하여 전자석(14)에 서로 다른 전류를 흐르게 함으로써 자기유변성(MR) 물질(13)은 자유롭게 흐르는 선형 점성 유체로부터 조절/제어 가능한 산출 응력을 가진 반 고형물로 반대로 변화시켜 상기 자기유변성(MR) 댐퍼의 산출력과 유변성 댐핑을 동시에 변화시킬 수 있다.
이와 같거나 유사한 종래의 댐퍼는 일반적으로 이 분야에서 알려져 있다. 예를 들면, 1997년 10월 29일에 데이비드 제이 찰슨에 의해 출원된 "제어가능한 매개 장치 및 그 매개 장치를 이용하는 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제6,394,239호; 2000년 6월 30일에 오만 등에 의해 출원된 "시튜 상태에서의 코어 샘플을 회복시키는 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제6,378,631호; 2000년 2월 11일에 르베르스 등에 의해 출원된 "투 웨이 자기유변성 밸브 조립체 및 이를 이용하는 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제6,158,470호; 1997년 11월 25일에 졸리 등에 의해 출원된 "조절 밸브 및 이를 이용하는 진동 댐퍼"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제6,131,709호; 1997년 3월 5일에 르베르스 등에 의해 출원된 "투 웨이 자기유변성 밸브 조립체 및 이를 이용하는 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제6,095,486호; 1999년 7월 2일에 칼슨 등에 의해 출원된 "제어 가능한 진동 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제5,878,851호; 1994년 2월 7일 칼슨 등에 의해 출원된 "자기유변성 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제5,398,917호; 1992년 6월 18일에 칼슨 등에 의해 출원된 "자기유변성 장치"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제5,284,330호; 1992년 6월 18일에 칼슨 등에 의해 출원된 "자기유변성 댐퍼"를 명칭으로 하는 미국 특허 번호 제5,277,281호를 참조하라. 상기한 모든 참증자료는 여기에 참고로 병합되었다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예인 자기유변성(MR) 댐퍼(200)를 예시한다. 종래 도 1의 자기유변성(MR) 댐퍼(100)와 마찬가지로, 상기 자기유변성(MR) 댐퍼(200)도 또한 한 쌍의 전선(11)과, 베어링 실 유닛(12)과, 실린더 하우징 자기유변성(MR) 물질 또는 유체(13)와, 전자석(14)과, 다이아프램(15)과, 축전지(16)와, 피스톤(17)을 포함한다. 상기 자기유변성(MR) 댐퍼(200)는 제1 압전 센서(28)와 구조물의 진동 때문에 댐퍼에 가해지는 외력을 측정하는 제2 압전 센서(29)를 더 포함한다. 본 발명에서 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)는 도 1에 도시된 종래의 자기유변성(MR) 댐퍼(100)의 상부 연결 지지부(18) 및 하부 연결 지지부(19)를 대신하여 상기 상부 연결 지지부(18)의 하부(38) 및 하부 연결 지지부(19)의 상부(39)에 각각 부착된다. 이러한 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)의 매설 위치는 상기 자기유변성(MR) 댐퍼(200)에 실질적으로 다음과 같은 효과를 갖는 것이 확실한 바: 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)는 외력(즉, 유효 기계적 결합성(coupling)과 직진성(linearity))에 비례하는 강한 출력 신호를 발생시키는 것이 가능하고, 상기 외력의 변화를 감지하며, 설치가 쉽다. 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)는 구조물의 진동 때문에 댐퍼에 가해지는 외력의 변화를 감지하고 전극 표면에 가해지는 외력(즉, 압력; 도 8에 도시됨)의 변화에 따라 전기적 신호를 발생시키고, 그 신호는 상기 댐퍼에 작용하는 자기장을 조절/제어하고 이에 따라 상 기 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force)과 유변성 댐핑을 조절/제어하도록 상기 전자석(14)에 입력되는 전류를 조절/제어를 돕는 데 사용될 수 있다. 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)는 외력(또는 압력)에 대한 실시간 변동율을 모니터링하는 것이 가능하므로, 상기 댐퍼의 산출력과 유변성 댐핑을 실시간으로 조절/제어할 수 있다.
상기 기술 분야에서 이해된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 압전 센서(28, 29)는 그들 사이즈가 다른 것 외에는 모두 동일하다. 또한, 상기한 기술 분야에서 이해된 바와 같이, 하나의 센서를 가진 자기유변성(MR) 댐퍼는 도 2의 제1 압전 센서(28)나 제2 압전 센서(29) 둘 중 오로지 하나만을 사용하여 개발될 수 있다. 그러나, 도 2에 도시된 듀얼 센서 디자인은 싱글 센서 디자인과 비교해 볼 때 구조물의 진동을 더 정확하고 확실하게 측정할 수 있다.
도 3에서, 제1 모범적인 센서의 센서 구성요소가 도시되고, 압전 웨이퍼(30)의 일측에 장착된 두 웨이퍼 전극(31, 32)을 포함한다. 간단히 설명하면, 상기 웨이퍼 전극(31)은 양극을 가지고 설치된 반면, 전극(32)은 음극을 가지고 설치되어 있다. 절연 웨이퍼(33)는 상기 전극(31)과 상부 연결 지지부(18)의 하부(38) 또는 상기 하부 연결 지지부(19)의 상부(39)(도2 참조)에 해당하는 연결 지지부의 하부와 이웃하는 표면(40) 사이에 장착된다. 이들 센서 구성요소는 새로운 연결 지지부(42)에서 연결 지지부(18 또는 19)의 하부(38 또는 39)에 개구된 축 홀(43)에 돌설된 나선 축(threaded shaft)(41)을 사용하여 기계적 압력 하에서 중앙에 스택(stack)(35) 상태로 적층된다. 상기 선하중(preloading) 압력은 크므로 상기 압 전 웨이퍼(30)가 작동시 압력을 받는 상태가 된다. 상기 나선 축(41)은 상기 웨이퍼 전극(31, 32)과 압전 웨이퍼(30)로부터 절연되어야 한다. 전선(도시안됨)은 상기 웨이퍼 전극(31, 32)에 연결되어 상기 압전 웨이퍼(30)에서 발생된 전하(그리고 여기서는 전압)를 신호 조절 유닛(24)과 데이터 획득 유닛(25)을 통하여 전달한다. 그 결과들은 개인용 컴퓨터(26)를 이용하여 기록되고 진행되어 모니터(27)에 디스플레이된다. 이것은 외력(또는 압력)이 상기 댐퍼의 작동 상태에서 모니터링되도록 하는 것을 가능하게 한다. 또한, 기술 분야에서 이해된 바와 같이, 상기한 결과를 이용하여 산출력과 유변성 댐핑을 실시간(real-time) 조절/제어하는 것을 또한 달성할 수 있고, 상기 전자석(14)에 입력되는 전류를 조절/제어할 수 있다.
도 4에서, 다른 두 압전 웨이퍼(30)와 두 웨이퍼 전극(31, 32)을 포함하는 스택(36)은 도 3에 도시된 센서에 추가된다. 상기 압전 웨이퍼와 웨이퍼 전극은 교대로 배치된다. 양극 웨이퍼 전극 모두는 하나로 묶어 함께 연결하고, 음극 웨이퍼 전극은 다른 하나로 묶어 연결함으로써, 상기한 세 압전 웨이퍼의 효과를 나타내는 두 전극에서 발생된 전하량을 상기 댐퍼에 가해진 외력을 모니터링하여 얻을 수 있다. 그런 방식으로, 센서의 감도는 향상된다. 마찬가지로, 스택(36)을 더 추가함으로써, 다섯, 일곱, 그리고 그 이상의 압전 웨이퍼를 센서의 감도를 향상시키도록 배치할 수 있다.
도 5에서, 두 압전 웨이퍼(30)에는 세 웨이퍼 전극(둘은 32이고 하나는 31)이 스택(37)을 형성하도록 교대로 배치된다. 상기 양극 웨이퍼 전극(31) 및 두 음극 웨이퍼 전극(32)에서 발생된 전하는 상기 댐퍼에 가해진 외력을 모니터링하여 구해질 수 있다. 이와 같이 상기 두 압전 웨이퍼를 배치하는 경우에, 상기 스택(35)(도 3 및 도 4의)에 포함된 절연 웨이퍼(33)는 상기 압전 웨이퍼 중의 하나가 절연 웨이퍼로서의 기능을 하므로 불필요하다.
도 6에서, 스택(36)(도 4에 도시된 바와 같은)을 스택(37)에 추가함으로써, 네 개의 압전 웨이퍼가 배치된다. 마찬가지로, 스택(36)을 더 추가하여, 여섯, 여덟, 그리고 그 이상의 압전 웨이퍼를 센서의 감도를 향상시키도록 배치할 수 있다.
상기 압전 웨이퍼(30)는 큰 주파수 범위, 단순성, 안정성, 치밀성, 그리고 가벼운 중량의 효과를 감안한 압전 세라믹, 폴리머, 그리고 합성물을 포함하는 적당한 압전 물질로 되어 있다. 도 7에서, 압전 세라믹 요소(a)와 다른 형상 즉 0-3, 1-3, 방사상 2-2(radial 2-2), 평행 2-2(parallel 2-2)의 형상을 가진 네 개의 압전 세라믹/폴리머 합성 요소는, 본 발명에 개시된다. 통상, 압전 세라믹 센서는 좁은 대역너비 내에서 예리한 공진과 높은 감도를 가진다. 그들 공진 내의 주파수를 가진 신호는 크게 증폭되고, 가공품(artifacts)이 만들어질 수 있다. 세라믹이 딱딱하여 깨지면, 사이즈가 크고 복잡한 형상을 가진 세라믹 센서를 제조하기 어렵고, 기계적 충격이나 진동이 심해져 손상을 입게 된다. 그러나, 압전 폴리머 센서는 광역 대역너비를 가지고 있고, 모든 신호는 주파수 광역 범위에서 다소 동등한 감도를 수신하게 된다. 세라믹은 복잡한 형상으로 만들어질 수 있고, 더 유연성이 있어서 기계적 응력에 더 탄성이 있다. 낮은 감도와 더 낮은 온도 안전성이 이 세라믹의 주된 결점이다. 반대로, 압전 합성 센서는 세라믹과 폴리머의 바람직한 특성을 결합하여 만들어질 수 있고, 이 센서에 가장 적합하다.
도 8에서, 상기 웨이퍼(30)에 대한 다른 전극 패턴은 활성(active) 구역(51)과 비활성(inactive) 구역(50)의 형태로 표시된다. 상기 활성 구역(51)과 비활성 구역(50)의 상대 위치에 따라, 전체면(a), 내부(b), 내부 중간(c), 및 외부(d) 전극 패턴으로 분류된다. 그러한 전극 패턴은 세라믹, 폴리머, 상기에 언급한 합성물 중의 재질을 가진 웨이퍼 전극(30)에 사용된다.
도 9에서, 상기 댐퍼에 가해지며 진폭과 위상을 포함하는 유사 정현파력(quasi-sinusoidal force)(도 9의 (a)참조) 및 스퀘어력(square force)(도 9의 (b)참조)이 압전 센서(들)(28 또는 29)에서 발생된 전하량을 측정함으로써 정교하게 모니터링되고 전압으로 도 3의 모니터(27)에 디스플레이될 수 있다는 두 시험 결과를 도시한다.
웨이퍼가 원기둥 형상이라는 것에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 실시예에는 불규칙하고 직사각형 횡단면 형상을 포함하는 다른 형상의 웨이퍼 또는 합성 웨이퍼가 포함될 수 있다.
Claims (14)
- 구조물의 진동 제어에 사용되고, 댐퍼 바디와, 상기 댐퍼 바디에 대하여 이동부를 가진 자기유변성 댐퍼에 있어서,상기 이동부의 이동을 제한하도록 상기 댐퍼 바디 내에 채워진 자기유변성 물질과;상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 가해진 외력을 측정하고, 상기 자기장을 제어하고 그에 따라 상기 외력의 변동에 응답하여 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force)과 유변성 댐핑을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 상기 댐퍼 내에 매설된 적어도 하나의 센서를 포함하고;상기 자기유변성(MR) 물질 내에서는 자기유변성(MR) 물질이 노출되는 자기장 내에서의 자기장의 변화에 따라 유변성 변화가 발생하는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 센서는 압전 센서인 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제2항에 있어서, 상기 센서는 하나의 압전 웨이퍼로 분리되어, 압력을 받는 다른 압전 웨이퍼에 대하여 스택을 형성하는 적어도 한 쌍의 평판 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제3항에 있어서, 상기 센서는 상기 전극 중의 하나를 절연하는 절연 웨이퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제3항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼는 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼
- 제3항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼는 압전 세라믹, 폴리머 및 합성물질 중의 하나로 제조된 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제3항에 있어서, 상기 센서는 압전 웨이퍼에 의해 각각 분리된 복수개의 쌍의 평판 전극을 포함하고, 상기 평판 전극과 압전 웨이퍼의 쌍은 압력을 받는 다른 압전 웨이퍼에 대하여 함께 스택 상태를 이루는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제7항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼의 수가 홀수이면, 상기 센서는 상기 평판 전극 중의 하나를 절연하는 절연 웨이퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제7항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼는 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 자 기유변성 댐퍼.
- 제7항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼는 압전 세라믹, 폴리머 및 합성물질 중의 하나로 제조된 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제7항에 있어서, 상기 압전 웨이퍼는 다른 전극 패턴, 또는 활성 구역과 비활성 구역의 다른 형태로 제조되고, 전체면, 내부, 내부 중간 및 외부 전극 패턴을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 제1항에 있어서, 상기 센서는 상기 댐퍼의 종단에 장착된 것을 특징으로 하는 자기유변성 댐퍼.
- 구조물의 진동 제어 장치에 있어서,댐퍼 바디 및 상기 댐퍼 바디에 대하여 이동부를 구비한 적어도 하나의 자기유변성 댐퍼로서, 상기 이동부의 이동을 제한하도록 상기 댐퍼 바디 내에 채워진 자기유변성 물질과, 상기 자기유변성(MR) 댐퍼에 가해진 외력을 모니터링해서 자기장을 제어하고 그에 따라 상기 외력의 변동에 응답하여 댐퍼의 결과적인 산출력(yield force) 및 유변성 댐핑을 제어하기 위한 신호를 발생시키는 상기 댐퍼 내에 매설된 적어도 하나의 센서를 포함하고, 상기 자기유변성(MR) 물질 내에서는 자기유변성(MR) 물질이 노출되는 자기장 내에서의 자기장 변화에 따라 유변성 변화가 발생되는 구성으로 된, 적어도 하나의 자기유변성 댐퍼와;상기 센서로부터의 신호를 수신하고 그 수신된 신호에 따라 자기장을 변화시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조물의 진동 제어 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 센서는 압전 센서인 것을 특징으로 하는 구조물의 진동 제어 장치.
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