WO2005029013A1 - 振動センサ - Google Patents

振動センサ Download PDF

Info

Publication number
WO2005029013A1
WO2005029013A1 PCT/JP2004/013046 JP2004013046W WO2005029013A1 WO 2005029013 A1 WO2005029013 A1 WO 2005029013A1 JP 2004013046 W JP2004013046 W JP 2004013046W WO 2005029013 A1 WO2005029013 A1 WO 2005029013A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vibration sensor
vibration
electrode
vibrating
vibrating membrane
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/013046
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Mamoru Yasuda
Yasuo Sugimori
Original Assignee
Hosiden Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hosiden Corporation filed Critical Hosiden Corporation
Priority to US10/572,424 priority Critical patent/US20070107521A1/en
Priority to EP04787729A priority patent/EP1666855A1/en
Priority to CA002529136A priority patent/CA2529136A1/en
Publication of WO2005029013A1 publication Critical patent/WO2005029013A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means

Definitions

  • the present invention relates to a capacitive vibration sensor, and more particularly to a vibration sensor capable of outputting, as a vibration signal, a change in capacitance between a fixed electrode and a vibrating electrode disposed opposite to the fixed electrode.
  • a vibration sensor has been proposed in which a slit is provided in a plate member to form a vibrating membrane portion that is subjected to vibration displacement, and a weight is attached to the vibrating membrane portion (example For example, refer to Patent Document 2).
  • the slit of this vibration sensor is composed of a slit formed in an annular shape and a radial slit which also forces the center point force outward.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-79700
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9 49856
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide an electrostatic capacitance type vibration sensor for detecting minute vibration, which is thinner and has excellent impact resistance. vibration The point is to realize a sensor.
  • a characterizing feature of the vibration sensor according to the present invention is that a change in electrostatic capacitance between a fixed electrode and a vibrating electrode disposed opposite to the fixed electrode is a vibration signal.
  • the vibration electrode is provided with a slit in the same plate member, and a vibrating film portion on the central side which is vibrated and displaced only by its own weight, and a fixed portion positioned on the peripheral side, An elastic support portion connecting the vibrating membrane portion and the fixing portion is formed.
  • the elastic supporting portion formed by providing the slit in the vibrating electrode is provided with a function as a panel, and the vibrating membrane portion on the center side is vibrated and displaced only by its own weight.
  • the desired amplitude can be obtained without providing a weight.
  • the impact resistance can also be improved.
  • the slit of the vibrating electrode serves as a shock absorbing material, and the shock can be mitigated. As a result, it is possible to obtain a vibration sensor which is thinner and has excellent impact resistance without requiring a space for providing a weight.
  • the plate member is made of any of stainless steel, tandasten, Ti-Cu alloy, and Be-Cu alloy.
  • a material having a high specific gravity and a high bending strength is used instead of the conventional PET and PPS, such as stainless steel (SUS 304) having a specific gravity of 7.8 and tungsten having a specific gravity of 16 Desired amplitude can be obtained only by the weight of the vibrating membrane portion, and impact resistance can be improved. Therefore, by configuring as in the present characteristic configuration, a practical embodiment of a vibration sensor excellent in impact resistance can be obtained while obtaining a good output signal.
  • the plate member has a plate thickness of 30 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the plate thickness is set to be thicker than the film thickness (for example, about 4 m from the conventional vibrating electrode) (for example, about 4 m), the bending strength and impact resistance of the plate member are improved. Can do it.
  • the weight of the vibrating membrane can be set to a weight that can obtain a good output signal.
  • the vibrating membrane is formed in a circular shape, and the elastic supporting portion has an arc shape in which one end is connected to the vibrating membrane and the other end is connected to the fixed portion. A plurality of narrow bodies are arranged at equal intervals along the outer periphery of the vibrating membrane, and are wound around.
  • the elastic support portion can be formed with a simple structure, and vibration is caused.
  • the electrode can be easily manufactured.
  • the arc-shaped narrow bodies are arranged at equal intervals on the outer periphery of the vibrating membrane, the load is uniformly applied to the elastic support, and the vibrating membrane is displaced in parallel. , Stable output is obtained.
  • the displacement of the vibrating membrane portion can be increased, and the sensor output can be increased.
  • the elastic support portion is formed in a beam-like body that connects one portion on the outer peripheral side of the vibrating membrane portion and the fixing portion adjacent to the portion.
  • the vibrating membrane since the vibrating membrane has a one-point support (cantilever) structure, the fixed electrode and the vibrating membrane do not come in surface contact with each other when the vibrating membrane is displaced.
  • the electret member is formed on the surface of the fixed electrode facing the vibrating electrode, the diaphragm portion is easily attracted to the electret member due to the electric charge of the electret member.
  • the adsorption of the vibrating membrane to the electret member can be effectively prevented.
  • the vibration sensor 1 outputs, as a vibration signal, a change in capacitance between the fixed electrode 2 and the vibrating electrode 3 disposed to face the fixed electrode 2.
  • the vibration electrode 3 has a slit 3a in the same plate member, and a vibrating film portion 3b on the center side that is vibrated and displaced only by its own weight, and a fixed portion 3c located on the peripheral side.
  • An elastic support portion 3d is formed to connect the vibrating membrane portion 3b and the fixed portion 3c.
  • an operational amplifier is provided as the amplifier circuit 11 on the output side. Also, The light can be applied to both the front type and the back type.
  • the fixed electrode 2 is constituted by the bottom portion of a case member 7 having a U-shaped cross section in which the electret member 4 is formed on the inner surface. It is done. Then, a ring-shaped spacer 6, a vibrating electrode 3 and a vibrating electrode ring 5 are sequentially stacked on the bottom of the case member 7, then the circuit board 8 is covered and fixed to the case member 7 to shake it. It becomes a structure that assembles a sensor.
  • the fixed electrode 2 is connected to the circuit board 8 through the case member 7, and the vibrating electrode 3 is connected to the circuit board 8 through the vibrating electrode ring 5.
  • the back type vibration sensor 1 is a fixed electrode 2 with a vibrating electrode ring 5, a vibrating electrode 3, a spacer 6 and an electret member 4 at the bottom of the case member 7.
  • the circuit board 8 is closed and fixed to the case member 7 to assemble a vibration sensor.
  • the fixed electrode 2 is fixedly supported by sandwiching the surrounding portion by a back electrode holder 10 made of an insulator.
  • the fixed electrode 2 is connected to the circuit board 8 through the gate ring 9.
  • the vibrating electrode 3 is connected to the circuit board 8 through the vibrating electrode ring 5 and the case member 7.
  • the thickness of the vibrating electrode ring 5 is set thin in both the front type and the back type in order to improve the impact resistance, which contributes to the thinning of the vibration sensor 1. Further, the amplifier circuit 11 may be built in the circuit board 8 or may not be built in.
  • the vibrating electrode 3 is made of, for example, SUS304 (stainless steel), and its plate thickness is set to 30 ⁇ m to 50 m.
  • the vibrating electrode 3 is provided with slits in the same plate member to form the vibrating film portion 3b, the fixing portion 3c, and the elastic support portion 3d, it can be easily formed by press processing, etching, or the like.
  • the vibrating film portion 3 b is formed in a circular shape, and its area is set so as to have a weight that can detect a vibration well and obtain a desired amplitude.
  • the elastic supporting portion 3d is formed in an arc-shaped narrow body in which one end side is connected to the vibrating membrane portion 3b and the other end side is connected to the fixing portion 3c, and plural elastic supporting portions 3d are equally spaced along the outer periphery of the vibrating membrane portion 3b. It is arranged.
  • the number of elastic support portions 3 d is three in consideration of the stability of the vibration sensor 1 and the like, but the number may be arbitrarily configured.
  • the vibration sensor 1 of the present embodiment is subjected to one drop test for each of six areas in a state of being fixed to the housing from a height of 1.5 m, and the vibration sensor 1, in particular, the vibration electrode 3 is I have confirmed that it is not broken.
  • the film thickness of the vibrating electrode 3 set to about ⁇ 4 is preferably 30 ⁇ m, and the film thickness of the vibrating electrode 3 set to about ⁇ 6 is preferably 50 / z m.
  • the film thickness of the vibrating electrode 3 with a diameter of about ⁇ 4 may be set to 50 ⁇ m, but the output signal strength is lower.
  • a vibrating electrode 3 set to a thickness of 30 ⁇ m and a diameter of about ⁇ 4, and a thickness of 50 ⁇ m, a diameter of about
  • the output voltage under the conditions of resonance frequency (Hz) and low frequency vibration (2.5 Hz and 1. 75 Hz) Is shown.
  • the amplification stage gain of the amplification circuit 11 is set to 16, and the power supply voltage is set to 3V.
  • the vibrating membrane portion 3b is formed in a circular shape, and an elastic supporting portion 3d of a beam-like body connecting one portion on the outer peripheral side of the vibrating membrane portion 3b and the fixed portion 3c adjacent to the portion is formed.
  • an elastic supporting portion 3d of a beam-like body connecting one portion on the outer peripheral side of the vibrating membrane portion 3b and the fixed portion 3c adjacent to the portion is formed.
  • a circular slit 3a is formed, and furthermore, a linear slit 3a is formed inwardly at each of both ends thereof.
  • the elastic support portion 3d is formed in one place to form a cantilever structure, the vibrating membrane portion 3b is not displaced in parallel, and the adsorption of the vibrating electrode 3 to the electret member 4 is prevented.
  • FIG. 1 A third embodiment of the present invention will be described based on FIG.
  • the vibrating film portion 3b is formed in a circular shape, and a beam-like body connecting one position on the outer peripheral side of the vibrating film portion 3b and the fixed portion 3c adjacent to the position Form the elastic support 3d.
  • a circular slit 3a is formed except for one part. Therefore, the shape of the slit 3a can be simplified, and the vibration sensor 1 according to the present invention can be realized with a simpler structure.
  • the plate member is made of SUS304 (stainless steel), such as tungsten, Ti Cu alloy, Be Cu alloy, etc., which has a large specific gravity such as bending strength. It may be made of a strong material.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a vibration sensor according to the present invention.
  • FIG. 2 A schematic view showing an example of a vibrating electrode of a vibration sensor according to the present invention
  • FIG. 3 A wiring diagram showing a vibration sensor and peripheral circuits according to the present invention
  • FIG. 4 A diagram showing an example of the resonant frequency and the output voltage of the vibration sensor according to the present invention
  • FIG. 5 A schematic view showing a modified example of the vibrating electrode of the vibration sensor according to the present invention
  • FIG. 6 A schematic view showing a modified example of the vibrating electrode of the vibration sensor according to the present invention

Abstract

 固定電極と固定電極に対向して配置される振動電極3との間の静電容量の変化を振動信号として出力可能な振動センサに於いて、振動電極3は、同一の板部材にスリット3aを設けて、自重のみによって振動変位する中央側の振動膜部3bと、周辺側に位置する固定部3cと、振動膜部3bと固定部3cとを連結する弾性支持部3dとが形成されている。

Description

明 細 書
振動センサ
技術分野
[0001] 本発明は、静電容量型の振動センサ、特に、固定電極と前記固定電極に対向して 配置される振動電極との間の静電容量の変化を振動信号として出力可能な振動セ ンサに関する。 背景技術
[0002] 歩数計、微小振動計、精密機器用の振動センサ、カメラの手ぶれ防止機能用の振 動センサ等に用いられる静電容量型の振動センサでは、従来、振動電極を、ポリエ チレンテレフタレート(PET)やポリフエ-レンサルファイド(PPS)等のフィルムで構成 するとともに、より大きな振幅の信号を得るため、フィルムの中央部に重りを設けてい た (例えば、特許文献 1参照)。
[0003] また、別の従来技術として、板部材にスリットを設けて、振動変位する振動膜部を形 成するとともに、当該振動膜部に重りを付設させた振動センサが提案されている (例 えば、特許文献 2参照)。尚、この振動センサのスリットは、環状に形成されたスリットと 、中心点力も外方へ向力う放射状のスリットからなる。
特許文献 1:特開昭 59— 79700号公報
特許文献 2:特開平 9 49856号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、特許文献 1及び特許文献 2に記載の振動センサは、振動電極に重り を設ける構成であるため、重りを設ける空間が必要となって、振動センサの薄型化を 困難にしている。また、この重りが原因となって、振動センサが落下した場合や外部 力も激しい衝撃が加わった場合に、振動電極が変形したり、破損する等して、出力信 号が得られなくなったり、小さくなつたりする等の欠点があった。
[0005] 本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、微小振動を検出 する静電容量型の振動センサに於いて、より薄型で、且つ、耐衝撃性に優れた振動 センサを実現する点にある。
課題を解決するための手段
[0006] この目的を達成するための本発明に係る振動センサの特徴構成は、固定電極と前 記固定電極に対向して配置される振動電極との間の静電容量の変化を振動信号と して出力可能な振動センサであって、前記振動電極は、同一の板部材にスリットを設 けて、自重のみによって振動変位する中央側の振動膜部と、周辺側に位置する固定 部と、前記振動膜部と前記固定部とを連結する弾性支持部とが形成されている点に ある。
[0007] 本特徴構成によれば、振動電極にスリットを設けて形成される弾性支持部にパネと しての機能を持たせ、中央側の振動膜部が自重のみによって振動変位するように構 成したので、重りを設けずとも所望の振幅が得られる。また、外部から加わる衝撃が パネ構造の弾性支持部に吸収されるので、耐衝撃性も向上させることができる。特に 、振動電極の周方向の衝撃に対しては、振動電極のスリットが緩衝材の役目を果たし 衝撃を緩和することが可能である。その結果、重りを設けるための空間を不要として、 より薄型で、且つ、耐衝撃性に優れた振動センサを得ることができる。
[0008] 本発明に係る振動センサの他の特徴構成は、前記板部材は、ステンレス、タンダス テン、 Ti-Cu合金、 Be-Cu合金の何れかで構成される点にある。
[0009] 即ち、本特徴構成によれば、従来の PETや PPSに換えて、比重 7. 8のステンレス( SUS304)や比重 16のタングステン等、比重が重く曲げ強度の強い材料を用いるの で、振動膜部の自重のみによって所望の振幅が得られ、且つ、耐衝撃性を向上させ ることができる。従って、本特徴構成の如く構成することにより、良好な出力信号を得 られると共に、耐衝撃性に優れた振動センサの実用的な実施形態が得られる。
[0010] 更に他の特徴構成は、前記板部材は、 30 μ mから 50 μ mの板厚を有する点にあ る。
[0011] 本特徴構成によれば、板厚を従来の振動電極 (振動膜)の膜厚 (例えば、 か ら 4 m程度)より厚く設定するので、板部材の曲げ強度、耐衝撃度を向上させること ができる。また、重りを設けなくても、振動膜部の重さを良好な出力信号が得られる重 さに設定することができる。 [0012] また、他の特徴構成は、前記振動膜部は、円形に形成され、前記弾性支持部は、 一端側が前記振動膜部に連接し且つ他端側が前記固定部に連接した円弧状の細 幅体に形成されて、前記振動膜部の外周に沿って等間隔で複数個配置されて!ヽる にめる。
[0013] 即ち、本特徴構成の如く構成することにより、円弧状の細幅体によって弾性変形可 能なパネ部材を構成するので、弾性支持部を簡易な構造で形成することができ、振 動電極の製作を容易〖こすることができる。
[0014] また、円弧状の細幅体 (パネ部材)を振動膜部の外周に等間隔に配置するので、弾 性支持部に均等に負荷が力かり、振動膜部が平行状態で変位し、安定した出力が 得られる。特に、 3個の細幅体を配置する 3点支持構造とすれば、振動膜部の変位を 大きくして、センサ出力を大きくすることができる。
[0015] 他の特徴構成は、前記弾性支持部が、前記振動膜部の外周側の一箇所と当該箇 所に隣接する前記固定部とを接続する梁状体に形成されている点にある。
[0016] 即ち、本特徴構成によれば、振動膜部を 1点支持 (片持ち)構造とするので、振動 膜部の変位時に固定電極と振動膜部とが面接触することがない。特に、固定電極の 振動電極との対向面にエレクトレット部材が形成されている場合には、エレクトレット 部材の電荷により、振動膜部がエレクトレット部材に吸着し易くなるが、本特徴構成の 如く構成することにより、エレクトレット部材への振動膜部の吸着を効果的に防止する ことができる。
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、本発明に係る振動センサの実施形態を図面に基づいて説明する。
先ず、本発明の第一実施形態について説明する。
本発明に係る振動センサ 1は、図 1及び図 2に示すように、固定電極 2と固定電極 2 に対向して配置される振動電極 3との間の静電容量の変化を振動信号として出力可 能な振動センサであって、振動電極 3は、同一の板部材にスリット 3aを設けて、自重 のみによって振動変位する中央側の振動膜部 3bと、周辺側に位置する固定部 3cと 、振動膜部 3bと固定部 3cとを連結する弾性支持部 3dとが形成されている。そして、 図 3に示すように、出力側に増幅回路 11としてオペアンプを備えている。また、本発 明は、フロントタイプとバックタイプの何れにも適用できる。
[0018] フロントタイプの振動センサ 1は、図 1 (a)に示すように、固定電極 2が、エレクトレット 部材 4が内面に形成された断面コの字型のケース部材 7の底部部分によって構成さ れている。そして、このケース部材 7の底部に、リング状のスぺーサ 6、振動電極 3、振 動電極リング 5を順次重ねた後、回路基板 8で蓋をしてケース部材 7に止め付け、振 動センサを組み立てる構造になって 、る。固定電極 2はケース部材 7を介して回路基 板 8と接続され、振動電極 3は振動電極リング 5を介して回路基板 8と接続されている
[0019] バックタイプの振動センサ 1は、図 1 (b)に示すように、ケース部材 7の底部に、振動 電極リング 5、振動電極 3、スぺーサ 6、エレクトレット部材 4付きの固定電極 2、背極ホ ルダ 10及びゲートリング 9を順次重ねた後、回路基板 8で蓋をしてケース部材 7に止 め付け、振動センサを組み立てる構造になっている。この構造に於いて、固定電極 2 は、絶縁体で構成された背極ホルダ 10によって周囲部分を挟まれて固定支持されて いる。固定電極 2はゲートリング 9を介して回路基板 8と接続される。振動電極 3は振 動電極リング 5及びケース部材 7を介して回路基板 8と接続されている。
[0020] 尚、耐衝撃度向上のため、フロントタイプ、バックタイプ共に、振動電極リング 5の厚 みが薄く設定されており、振動センサ 1の薄型化に寄与している。また、増幅回路 11 は、回路基板 8に内蔵する構成としても良いし、内蔵しない構成としても良い。
[0021] 振動電極 3は、例えば、 SUS304 (ステンレス)で構成され、その板厚は、 30 μ mか ら 50 mに設定されている。また、振動電極 3は、同一の板部材にスリットを設けて、 振動膜部 3bと固定部 3cと弾性支持部 3dとを形成するので、プレス加工やエッチング 等により簡易に作成することができる。
[0022] 振動膜部 3bは、円形に形成されており、振動を良好に検知し所望の振幅が得られ る重さとなるようにその面積が設定されている。弾性支持部 3dは、一端側が振動膜部 3bに連接し且つ他端側が固定部 3cに連接した円弧状の細幅体に形成されて、振動 膜部 3bの外周に沿って等間隔で複数個配置されている。本実施形態では、特に、 同一形状の弾性支持部 3dを振動膜部 3bの外周に等間隔に 3個配置する 3点支持 構造を取っているので、振動膜部 3bの変位を大きくしてセンサ出力を大きくすること 力 Sできる。尚、本実施形態では、振動センサ 1の安定性等を考慮して、弾性支持部 3 dの数を 3個形成したが、その数は任意に構成してよ!、。
[0023] ここで、本実施形態の振動センサ 1は、 1. 5mの高さより、筐体に固定した状態で 6 方面につき各 1回の落下試験を行い、振動センサ 1、特に振動電極 3が破損しないこ とを確認している。また、直径約 φ 4に設定されている振動電極 3の膜厚は 30 μ mが 適しており、直径約 φ 6に設定された振動電極 3の膜厚は 50 /z mが適している。尚、 直径約 φ 4の振動電極 3の膜厚は 50 μ mに設定してもよ 、が、出力信号力 、さくな る。
[0024] 図 4に、厚み 30 μ m、直径約 φ 4に設定された振動電極 3と、厚み 50 μ m、直径約
Φ 6に設定された振動電極 3の 2種類の振動電極 3を有する振動センサ 1につ 、て、 共振周波数 (Hz)と、低周波数振動(2. 5Hzと 1. 75Hz)条件での出力電圧を示し ている。ここで、増幅回路 11の増幅段利得は 16に設定されており、電源電圧は 3V に設定されている。
[0025] 次に、本発明の第二実施形態について、図 5を基に説明する。
本実施形態では、振動膜部 3bを円形に形成し、振動膜部 3bの外周側の一箇所と 当該箇所に隣接する固定部 3cとを接続する梁状体の弾性支持部 3dを形成している 。詳細には、 1部を除いて円形のスリット 3aを形成し、更に、その両端夫々に内側に 向かって直線上のスリット 3aを形成している。本実施形態では、弾性支持部 3dを 1ケ 所に形成して片持ち梁構造としたので、振動膜部 3bは平行に変位せず、振動電極 3 のエレクトレット部材 4への吸着を防止することができる。
[0026] 本発明の第三実施形態について、図 6を基に説明する。
本実施形態では、第二実施形態と同様に、振動膜部 3bを円形に形成し、振動膜 部 3bの外周側の一箇所と当該箇所に隣接する固定部 3cとを接続する梁状体の弾 性支持部 3dを形成する。本実施形態では、 1部を除いて円形のスリット 3aを形成して いる。このため、スリット 3aの形状を簡素化し、より簡易な構造で本発明に係る振動セ ンサ 1を実現することができる。
[0027] 尚、上記第一実施形態から第三実施形態では、板部材を SUS304 (ステンレス)で 構成した力 タングステン、 Ti Cu合金、 Be Cu合金等、比重が大きぐ曲げ強度の 強い材料で構成してもよい。
産業上の利用可能性
[0028] 歩数計、微小振動計、精密機器用の振動センサ、カメラの手ぶれ防止機能用の振 動センサ等に有用である。
図面の簡単な説明
[0029] [図 1]本発明に係る振動センサの一実施形態を示す断面図
[図 2]本発明に係る振動センサの振動電極の一例を示す模式図
[図 3]本発明に係る振動センサ及び周辺回路を表す配線図
[図 4]本発明に係る振動センサの共振周波数及び出力電圧の一例を示す図
[図 5]本発明に係る振動センサの振動電極の変形例を示す模式図
[図 6]本発明に係る振動センサの振動電極の変形例を示す模式図
符号の説明
1 振動センサ
2 固定電極
3 振動電極
4 ヱレクトレット
5 振動電極リング
6 スぺーサ
7 ケース部材
8 回路基板
9 ゲートリング
10 背極ホルダ
11 増幅回路

Claims

請求の範囲
[1] 固定電極と前記固定電極に対向して配置される振動電極との間の静電容量の変 化を振動信号として出力可能な振動センサであって、
前記振動電極は、同一の板部材にスリットを設けて、自重のみによって振動変位す る中央側の振動膜部と、周辺側に位置する固定部と、前記振動膜部と前記固定部と を連結する弾性支持部とが形成されて ヽる振動センサ。
[2] 前記板部材は、ステンレス、タングステン、 Ti Cu合金、 Be Cu合金の何れかで構 成される請求項 1に記載の振動センサ。
[3] 前記板部材は、 30 μ m力 50 μ mの板厚を有する請求項 1に記載の振動センサ。
[4] 前記振動膜部は、円形に形成され、前記弾性支持部は、一端側が前記振動膜部 に連接し且つ他端側が前記固定部に連接した円弧状の細幅体に形成されて、前記 振動膜部の外周に沿って等間隔で複数個配置されて ヽる請求項 1に記載の振動セ ンサ。
[5] 前記弾性支持部が、前記振動膜部の外周側の一箇所と当該箇所に隣接する前記 固定部とを接続する梁状体に形成されて!ヽる請求項 1に記載の振動センサ。
PCT/JP2004/013046 2003-09-22 2004-09-08 振動センサ WO2005029013A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/572,424 US20070107521A1 (en) 2003-09-22 2004-09-08 Vibration sensor
EP04787729A EP1666855A1 (en) 2003-09-22 2004-09-08 Vibration sensor
CA002529136A CA2529136A1 (en) 2003-09-22 2004-09-08 Vibration sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003329877A JP2005098726A (ja) 2003-09-22 2003-09-22 振動センサ
JP2003-329877 2003-09-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005029013A1 true WO2005029013A1 (ja) 2005-03-31

Family

ID=34372979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/013046 WO2005029013A1 (ja) 2003-09-22 2004-09-08 振動センサ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070107521A1 (ja)
EP (1) EP1666855A1 (ja)
JP (1) JP2005098726A (ja)
KR (1) KR20050029686A (ja)
CN (1) CN1853090A (ja)
CA (1) CA2529136A1 (ja)
TW (1) TWI238245B (ja)
WO (1) WO2005029013A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005098727A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Hosiden Corp 振動センサ
CN101294844B (zh) * 2007-04-23 2015-07-22 成都锐华光电技术有限责任公司 弯曲压电式氧化锌纳米棒微电机(mems)振动传感器
US7841234B2 (en) * 2007-07-30 2010-11-30 Chevron U.S.A. Inc. System and method for sensing pressure using an inductive element
JP5852390B2 (ja) * 2011-01-25 2016-02-03 日本電波工業株式会社 振動検出装置
CN103547895B (zh) 2011-02-07 2016-08-24 离子地球物理学公司 用于感测水下信号的方法和设备
CN102538949B (zh) * 2011-12-13 2013-08-21 江苏大学 一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法
CN108362371A (zh) * 2018-04-08 2018-08-03 东莞泉声电子有限公司 振动膜结构及振动检测传感器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979700A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Katsuo Motoi 振動検知装置
JPS61102828U (ja) * 1984-12-10 1986-06-30
JPH0432774A (ja) * 1990-05-30 1992-02-04 Copal Co Ltd 加速度センサ
JPH06230023A (ja) * 1992-03-04 1994-08-19 Omron Corp 変位検出センサ
WO1995035485A1 (fr) * 1994-06-20 1995-12-28 Sony Corporation Capteur de vibrations et instrument de navigation
JPH1026554A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Omron Corp 感震器およびガスメータ
JP2000346867A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Topre Corp 加速度センサ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH642461A5 (fr) * 1981-07-02 1984-04-13 Centre Electron Horloger Accelerometre.
US4516428A (en) * 1982-10-28 1985-05-14 Pan Communications, Inc. Acceleration vibration detector
US4694687A (en) * 1986-04-17 1987-09-22 Vericom Corporation Vehicle performance analyzer
US4932258A (en) * 1988-06-29 1990-06-12 Sundstrand Data Control, Inc. Stress compensated transducer
US5253526A (en) * 1990-05-30 1993-10-19 Copal Company Limited Capacitive acceleration sensor with free diaphragm
US5347867A (en) * 1993-02-03 1994-09-20 Minnetonka Warehouse Supply, Inc Accelerometer incorporating a driven shield
US5827965A (en) * 1994-06-20 1998-10-27 Sony Corporation Navigation device employing an electret vibration sensor
WO2004092745A1 (de) * 2003-04-15 2004-10-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Mikromechanisches bauelement mit einstellbarer resonanzfrequenz
JP4073382B2 (ja) * 2003-09-02 2008-04-09 ホシデン株式会社 振動センサ
JP2005098727A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Hosiden Corp 振動センサ
JP2006078444A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hosiden Corp 加速度センサ
JP2006084219A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Hosiden Corp 加速度センサ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979700A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Katsuo Motoi 振動検知装置
JPS61102828U (ja) * 1984-12-10 1986-06-30
JPH0432774A (ja) * 1990-05-30 1992-02-04 Copal Co Ltd 加速度センサ
JPH06230023A (ja) * 1992-03-04 1994-08-19 Omron Corp 変位検出センサ
WO1995035485A1 (fr) * 1994-06-20 1995-12-28 Sony Corporation Capteur de vibrations et instrument de navigation
JPH1026554A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Omron Corp 感震器およびガスメータ
JP2000346867A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Topre Corp 加速度センサ

Also Published As

Publication number Publication date
CA2529136A1 (en) 2005-03-31
JP2005098726A (ja) 2005-04-14
CN1853090A (zh) 2006-10-25
KR20050029686A (ko) 2005-03-28
US20070107521A1 (en) 2007-05-17
TWI238245B (en) 2005-08-21
TW200512436A (en) 2005-04-01
EP1666855A1 (en) 2006-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8073167B2 (en) Comb sense microphone
EP0565065B1 (en) Acceleration sensor
KR20060050752A (ko) 가속도센서
US20070056378A1 (en) Pressure sensor
US20180152792A1 (en) Mems device
KR100364968B1 (ko) 진동 자이로스코프
TWI238246B (en) Vibration sensor
WO2005029013A1 (ja) 振動センサ
US20020043110A1 (en) Mechano-electrical sensor
US7043035B2 (en) Miniature microphone
US6556024B2 (en) Capacitance type load sensor
JP3166522B2 (ja) 加速度センサ
JP5113115B2 (ja) 圧電型加速度センサ
JP2002071705A (ja) 圧電素子を用いた加速度・角速度センサ
KR20020087204A (ko) 금속 코팅된 이소불화비닐 필름을 진동판으로 사용한초소형 마이크로폰
GB2299861A (en) Piezoelectric vibrator unit
JP2020148707A (ja) センサモジュール
JPH1164096A (ja) 渦巻き型感震器
RU2166762C1 (ru) Компенсационный акселерометр
CN116806004A (zh) Mems麦克风
JP2011242257A (ja) 振動ジャイロ
JP3246975B2 (ja) 圧電型振動センサ
EP1311811A1 (en) A mechano-electrical sensor for sensing force or vibration
Kim et al. A Miniature Silicon Condenser Microphone Improved with a Flexure Hinge Diaphragm and a Large Back Volume
JP2004239637A (ja) 3軸加速度センサー及びこれを利用した歩数計

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480027160.X

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC YU ZA ZM

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG MD RU TJ TM AT BE BG CH CY DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004787729

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2529136

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007107521

Country of ref document: US

Ref document number: 10572424

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004787729

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10572424

Country of ref document: US

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2004787729

Country of ref document: EP