KR20080033252A - 파클리탁셀의 제조 방법 - Google Patents

파클리탁셀의 제조 방법 Download PDF

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KR20080033252A
KR20080033252A KR1020087000673A KR20087000673A KR20080033252A KR 20080033252 A KR20080033252 A KR 20080033252A KR 1020087000673 A KR1020087000673 A KR 1020087000673A KR 20087000673 A KR20087000673 A KR 20087000673A KR 20080033252 A KR20080033252 A KR 20080033252A
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dab
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퐁 부
로버트 에이. 홀튼
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플로리다 스테이트 유니버시티 리서치 파운데이션, 인크
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Abstract

본 발명은 파클리탁셀의 제조 방법을 제공한다. 파클리탁셀은 10-DAB의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기로 보호하는 것에 의해 제조된다. 그 후, 생성된 7,10-보호된 10-DAB 유도체는 유도체화되고 탈보호되어 파클리탁셀이 형성된다.
파클리탁셀, 10-DAB 유도체, 가교형성 규소계 보호기, β-락탐 측쇄 전구체, 폴리시클릭 융합 고리 화합물

Description

파클리탁셀의 제조 방법 {PROCESSES FOR THE PREPARATION OF PACLITAXEL}
본 발명은 일반적으로 파클리탁셀의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 10-데아세틸박카틴 III (10-DAB)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기를 사용하여 보호하는 것을 포함하는 파클리탁셀의 제조 방법에 관한 것이다.
서양 주목(English yew) (taxus baccata L.)의 잎으로부터 추출된 10-DAB (I)는 강력한 항암제인 탁솔 (파클리탁셀로도 알려짐) 및 도세탁셀 (탁소테어(Taxotere)®)의 제조에 있어서 핵심 출발 물질이다.
Figure 112008001949825-PCT00001
10-DAB의 세포독성적인 활성 탁산으로의 전환에는 C(13) 히드록시기를 선택적으로 유도체화하여 C(13) 에스테르 측쇄를 형성하는 것이 요구된다. 10-DAB가 폴리올이고, 이들 각각의 히드록시기가 정의된 세트의 조건 하에서 동등한 반응성을 갖는 것이 아니기 때문에, 10-DAB로부터의 탁솔 또는 도세탁셀의 제조에 있어 서, 전형적으로 C(13) 측쇄의 부착 전에 C(7) 및 C(10) 히드록시기의 선택적 보호 및/또는 유도체화가 필요하다.
10-DAB로부터의 탁솔, 도세탁셀 및 다른 탁산의 제조를 위한 초기 전략은 피리딘 중 아세트산 무수물에 대한 10-DAB의 4개의 히드록시기의 상대적 반응성이 C(7)-OH>C(10)-OH>C(13)-OH>C(1)-OH 와 같다는 세닐흐(Senilh) 등의 발견[참조: C.R. Acad. Sci. Paris, IT, 1981, 293, 501]을 기초로 한다. 데니스(Denis) 등은 10-DAB의 C(7) 히드록시기를 피리딘 중 트리에틸실릴 클로라이드로 선택적 실릴화하여 7-트리에틸실릴-10-데아세틸 박카틴 (III)이 85%로 얻어진다고 보고하였다[참조:J. Am. Chem. Soc., 1988, 110, 5917]
보다 최근에, 홀튼(Holton) 등은 미국 특허 제6,191,287호에 아세트산 무수물에 대한 C(7)과 C(10)의 상대적 반응성이 염기의 존재하에서보다 루이스 산의 존재하에서 상이하다는 것을 개시하였다. 홀튼(Holton) 등은 10-DAB 및 다른 탁산의 C(7) 또는 C(10) 히드록시기의 선택적 유도체화를 위한 방법을 기재하였으며, 이 방법에서, C(10) 히드록시기는 C(7) 히드록시기 보다 먼저 보호되거나 유도체화될 수 있다. 구체적으로, 홀튼(Holton) 등은 C(7) 히드록시기를 아실화, 실릴화 또는 케탈화하기에 앞서 C(10) 히드록시기를 아실화 또는 실릴화하는 방법을 개시하였다.
발명의 요약
본 발명의 다양한 태양들 중에서, 이미 공지된 방법들보다 적은 수의 단계들에 의해 파클리탁셀을 제조하는 방법이 제공된다. 단계들 중에서, 방법은 10-데아세틸박카틴 III (10-DAB)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성(bridging) 규소계 보호기로 보호하는 단계 및 7,10-보호된 10-DAB 유도체를 유도체화시키는 단계를 포함하며, 이때 보호, 유도체화, 및 후속 탈보호 단계는 상대적으로 높은 수율로 진행된다.
따라서, 간략하게, 본 발명은
(a) 10-데아세틸박카틴 III (10-DAB)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기로 보호하여 10-DAB 유도체를 형성하는 단계;
(b) (i) 10-DAB 유도체를 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하여 측쇄를 가지는 10-DAB 유도체를 형성하고, 측쇄를 가지는 10-DAB 유도체를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 측쇄를 가지는 C(10) 히드록시 10-DAB 유도체를 형성하고, 측쇄를 가지는 C(10) 히드록시 10-DAB 유도체의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 측쇄를 가지는 C(10) 아세틸화 10-DAB 유도체를 형성하는 단계, 또는
(ii) 10-DAB 유도체를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 C(10) 히드록시 10-DAB 유도체를 형성하고, C(10) 히드록시 10-DAB 유도체의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 C(10) 아세틸화 10-DAB 유도체를 형성하고, C(10) 아세틸화 10-DAB 유도체를 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하여 측쇄를 가지는 C(10) 아세틸화 10-DAB 유도체를 형성하는 단계
를 포함하는 유도체화에 의해 10-DAB 유도체를 추가로 유도체화시키는 단계, 및
(c) 단계 (b)의 생성물을 탈보호시켜 파클리탁셀을 형성하는 단계
를 포함하는 파클리탁셀의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한,
(a) (i) 10-DAB 유도체의 C(10) 히드록시기를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 C(10) 히드록시 10-DAB 유도체를 형성하고, C(10) 히드록시 10-DAB 유도체의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 C(10) 아세틸화 10-DAB 유도체를 형성하는 단계; 또는
(ii) 10-DAB 유도체의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 염기로 탈보호시켜 C(7), C(10)-히드록시 10-DAB 유도체를 형성하고, C(7), C(10)-히드록시 10-DAB 유도체의 C(10) 히드록시기를 선택적으로 아세틸화시켜 C(7)-히드록시, C(10)-아세틸 10-DAB 유도체를 형성하는 단계
를 포함하는 유도체화에 의해, 가교형성 규소계 보호기로 C(7) 및 C(10) 히드록시기에서 보호되고 3' 질소 위치에 부착된 tert-부톡시카르보닐 잔기를 가지는 10-DAB 유도체를 유도체화시키는 단계; 및
(b) (i) C(7) 히드록시 보호기 및 tert-부톡시카르보닐 잔기를 단계 (a)(i)의 생성물의 3' 질소 위치로부터 제거하여 파클리탁셀을 형성하는 단계를 포함하는 탈보호에 의해 단계 (a)(i)의 생성물을 탈보호시키는 단계, 또는
(ii) tert-부톡시카르보닐 잔기를 단계 (a)(ii)의 생성물의 3' 질소 위치로부터 제거하여 파클리탁셀을 형성하는 단계를 포함하는 탈보호에 의해 단계 (a)(ii)의 생성물을 탈보호시키는 단계
를 포함하는 전환에 의해 단계 (a)(i) 또는 단계 (a)(ii)의 생성물을 파클리탁셀로 전환시키는 단계
를 포함하는 파클리탁셀의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한
(a) tert-부톡시카르보닐 잔기를 10-DAB 유도체의 3' 질소 위치로부터 제거하여 C(2') 산소 위치에 부착된 벤조일기가 3' 질소 위치로 이동하게 하는 단계; 및
(b) 존재한다면, C(7) 히드록시 보호기를 10-DAB 유도체로부터 제거하는 단계
를 포함하는 전환에 의해, C(2') 산소 위치에 부착된 벤조일기 및 3' 질소 위치에 부착된 tert-부톡시카르보닐 잔기를 가지는 10-DAB 유도체를 파클리탁셀로 전환시키는 단계를 포함하는 파클리탁셀의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 하기 화학식 (210)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 화합물에 관한 것이다.
Figure 112008001949825-PCT00002
식 중,
R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이며;
R10은 수소 또는 아세틸이거나; 또는
R7 및 R10은 함께 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-를 형성하며;
R10A는 히드로카르빌이며;
G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
n은 1 또는 2이다.
본 발명은 또한 하기 화학식 (280)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 화합물에 관한 것이다.
Figure 112008001949825-PCT00003
식 중, X6은 히드록시 보호기이며, G1, G2, G3, G4, R7, R10, R10A, 및 Z는 화학식 (210)과 관련하여 정의한 바와 같다.
다른 목적 및 특징들은 부분적으로는 명백하며 부분적으로는 이하 기재될 것 이다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 방법에 따르면, 파클리탁셀이, 다른 단계들 중에서, 10-데아세틸박카틴 III (10-DAB)(1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기로 선택적으로 그리고 동시에 보호시키는 것에 의해 제조될 수 있음이 발견되었다. 그 후, 생성된 7,10-보호된 10-DAB 유도체를 다양한 경로에 따라 유도체화시키고 탈보호시켜 파클리탁셀을 제조하였다.
일반적으로, 10-DAB(1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 보호하는데 사용되는 가교형성 규소계 보호기는 하기 화학식 (2)에 상응한다.
Figure 112008001949825-PCT00004
상기 식에서,
G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이고;
L1 및 L2는 독립적으로 아민, 할라이드 또는 술포네이트 이탈기이고;
Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO- 또는 -O-이고;
Z10 및 Z11는 각각 독립적으로 히드로카르빌이고;
n은 1 또는 2이다.
가교형성 규소계 보호기가 화학식 (2)에 상응하는 하나의 실시태양에서, Z는 히드로카르빌이다. 하나의 이러한 실시태양에서, Z는 -(CH2)y- 이며, 여기서, y는 양의 정수 1 내지 약 8이다. 보다 바람직하게는, 이러한 실시태양에서, y는 1 내지 약 4이다.
가교형성 규소계 보호기가 화학식 (2)에 상응하는 다른 실시태양에서, Z는 치환된 히드로카르빌이다. 하나의 특정 실시태양에서, Z는 -[(Z12)-(Z13)]k-[(Z14)]m-이며, 여기서, Z12, Z13 및 Z14은 각각 독립적으로 -(CH2)y-, -O-, -S- 또는 -N-이고, 단, Z12 및 Z13 중 하나 이상은 -O-, -S- 또는 -N-이고, k는 양의 정수 1 내지 약 4이고, m은 0 또는 1이고, y는 양의 정수 1 내지 약 4이다.
가교형성 규소계 보호기가 화학식 (2)에 상응하는 또다른 실시태양에서, Z는 -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO- 또는 -O-이고, 여기서, n은 1 또는 2이다. 즉, n이 1인 경우, Z는 -O-Si(Z10)(Z11)-O-이고; n이 2인 경우, Z는 -O-Si(Z10)(Z11)-O-Si(Z10)(Z11)-O-이다. n이 1 또는 2인 경우, 각 Z10 및 각 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이다 (즉, 2개의 Z10 치환기는 동일한 히드로카르빌 잔기일 필요가 없으며, 2개의 Z11 치환기는 동일한 히드로카르빌 잔기일 필요가 없다). 일부 실시태양에서, Z10 및 Z11은 알킬이다. 다른 실시태양에서, Z10 및 Z11은 약 1 내지 약 4개의 탄소 원자를 갖 는 저급 알킬이다. 또 다른 실시태양에서, Z10 및 Z11은 메틸이다.
상기한 여러 실시태양 중 어느 경우에나(즉, Z가 -(CH2)y-, -[(Z12)-(Z13)]k-[(Z14)]m-, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO- 또는 -O-인 경우), G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시 또는 헤테로시클로이다. 일부 실시태양에서, G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴 또는 시클로알킬이다. 다른 실시태양에서, G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 약 1 내지 약 4개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알킬 또는 알케닐, 약 1 내지 약 6 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 또는 페닐이다. 또 다른 실시태양에서, G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 메틸, 에틸, 에테닐, 이소프로필, 페닐 또는 시클로펜틸이다. G1, G2, G3 및 G4 임의의 하나 이상이 알콕시인 경우, 바람직하게는 C1-C6 알콕시이다
상기한 임의의 하나 이상의 실시태양에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 아민, 할라이드 또는 술포네이트 이탈기이다. 하나의 실시태양에서, L1 및 L2는 할라이드 이탈기이다. 예를 들어, L1 및 L2는 독립적으로 클로로, 플루오로, 브로모 또는 요오드일 수 있다. 이와 달리, L1 및 L2는 아민 이탈기일 수 있다. 예를 들어, L1 및 L2는 독립적으로 시클릭 아민 또는 디알킬 아민, 예컨대 이미다졸, 디에틸아민, 디이소프로필아민 등일 수 있다. 다른 실시예에서, L1 및 L2는 술포네이트 이탈기 일 수 있다. 예를 들어, L1 및 L2는 독립적으로 토실레이트, 트리플레이트, 메실레이트 등일 수 있다.
따라서, 하나의 특정 실시태양에서, L1 및 L2는 할라이드 이탈기이고; G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴 또는 시클로알킬이고; Z는 -(CH2)y-이고; y는 양의 정수 1 내지 약 8이다.
다른 특정 실시태양에서, L1 및 L2는 클로로 이탈기이고; G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 약 1 내지 약 4개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알킬 또는 알케닐, 약 1 내지 약 6개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 또는 페닐이고; Z는 -(CH2)y-이고; y는 양의 정수 1 내지 약 4이다.
세번째 특정 실시태양에서, L1 및 L2는 할라이드 이탈기이고; G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴 또는 시클로알킬이고; Z는 -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO- 또는 -O-이고; n은 1 또는 2이고; Z10 및 Z11은 알킬이다.
네번째 특정 실시태양에서, L1 및 L2는 클로로 이탈기이고; G1, G2, G3 및 G4는 독립적으로 약 1 내지 약 4개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 또는 분지쇄 알킬 또는 알케닐, 약 1 내지 약 6개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 또는 페닐이고; Z는 -O-이 다.
상기 4개의 특정 실시태양 중 임의의 하나에서, L1 및 L2는 할라이드 (또는, 보다 구체적으로, 클로로) 대신에 임의의 다른 적절한 관능적으로 반응성인 이탈기일 수 있다. 예를 들어, L1은 클로로일 수 있는 반면, L2는 상이한 이탈기, 예컨대, 상이한 할라이드, 아민 또는 술포네이트 이탈기일 수 있다. 또는, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 아민, 할라이드 또는 술포네이트 이탈기의 임의의 다른 조합일 수 있다.
특히 바람직한 가교형성 규소계 보호기는 표 1에 나타나있다(본 발명의 방법에 사용하기 위한 이들 각각 및 다른 적절한 가교형성 규소계 보호기는 겔레스트(Gelest, Inc., Morrisville, PA)로부터 입수 가능함).
Figure 112008001949825-PCT00005
당업자라면 표 1에서 제시된 각각의 가교형성 규소계 보호기는 클로로 대신에 가교형성 규소계 보호기의 각 말단에서 규소 원자에 결합되는 다른 적절한 관능적으로 반응성인 이탈기를 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 하나의 말단에서 이탈기는 클로로일 수 있는 반면에, 다른 말단에서 이탈기는 상이한 이탈기, 예컨대, 상이한 할라이드, 아민 또는 술포네이트 이탈기일 수 있다. 이와 달리, 두 개의 이탈기는 각각 독립적으로 아민, 할라이드 또는 술포네이트 이탈기의 임의의 다른 조합일 수 있다.
천연 공급원으로부터 수득되거나 또는 합성 공급원으로부터 수득되는 상기 기술된 가교형성 규소계 보호기가 10-DAB (1)과 함께 사용되어 10-DAB (1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 보호한다. C(7) 및 C(10) 보호는 10-DAB (1) 상의 다양한 위치들의 유도체화, 예컨대 이하 자세히 기술되는 C(13) 측쇄를 10-DAB 상에 도입하기 위한 β-락탐 측쇄 전구체 및 10-DAB 사이의 커플링 반응, 및 10-DAB의 C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 및 아세틸화 전에 발생한다. 일단 10-DAB (1)가 적절히 유도체화되어 파클리탁셀이 보유하는 다양한 치환기들을 제공하면, 다양한 보호기들은 제거되어(즉, 탈보호되어) 파클리탁셀이 제조될 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 방법들은 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하는 것에 의해 측쇄를 10-DAB (1)의 C(13) 위치에 부착시키는 단계를 포함한다. 바람직한 실시태양에 있어서, β-락탐 측쇄 전구체는 하기 화학식 (3)에 상응한다.
Figure 112008001949825-PCT00006
식 중, X5는 tert-부톡시카르보닐 또는 벤조일이며, X6은 히드록시 보호기이다. 예를 들면, β-락탐 측쇄 전구체는 하기 화학식 (3B)에 상응할 수 있다.
Figure 112008001949825-PCT00007
식 중, X6은 히드록시 보호기이다. 다르게는, β-락탐 측쇄 전구체는 하기 화학식 (3T)에 상응할 수 있다.
Figure 112008001949825-PCT00008
식 중, X6은 히드록시 보호기이다. 적절한 히드록시 보호기는, 예를 들면, 아세탈 예컨대 테트라히드로피라닐 (THP), 메톡시메틸 (MOM), 1-에톡시에틸 (EE), 2-메톡시-2-프로필 (MOP), 2,2,2-트리클로로에톡시메틸, 2-메톡시에톡시메틸 (MEM), 2-트리메틸실릴에톡시메틸 (SEM), 및 메틸티오메틸 (MTM)을 포함한다. 다르게는, 히드록시 보호기는 벌키한 알킬기, 예컨대 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리부틸실릴, 트리이소프로필실릴, 디메틸이소프로필실릴, 디페닐메틸실릴, 디메틸페닐실릴 등을 가지는 실릴 보호기일 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 β-락탐 측쇄 전구체는 당업계에 공지된 바와 같이 제조될 수 있다. 그러나, 다양한 실시태양들에 있어서, 일반적으로 화학식 (3), (3B) 및 (3T)에 상응하는 β-락탐 측쇄 전구체는 하기 반응식 1에 설명된 다양한 경로들에 따라 제조될 수 있다.
Figure 112008001949825-PCT00009
반응식 1의 단계 1에서, 벤즈알데히드 (4)는 극성 비양성자성 용매 (예를 들면, 테트라히드로푸란 (THF))의 존재하에 디실라지드 (5)와 반응하여 페닐-치환된 이민 (6)을 당량의 실라놀레이트 (6S)와 함께 형성한다. 다양한 실시태양들에 있어서, M은 알칼리 금속이며 R51, R52, 및 R53은 독립적으로 알킬, 아릴, 또는 아르알킬이다. 바람직하게는, R51, R52 및 R53은 메틸이다. 하나의 바람직한 실시태양에 있어서, 디실라지드 (5)는 리튬- 또는 소듐-헥사메틸디실라지드 (즉, LHMDS 또는 NaHMDS)이다.
단계 2에서, 이민 (6)은 케텐 아세탈 (7)로 처리된다. 다양한 실시태양들에 있어서, R21, R22, 및 R23은 독립적으로 알킬, 아릴, 또는 아르알킬이다. 바람직하게는, R21, R22, 및 R23은 메틸이다. 또한, R11, R12, R13, R14, R15, 및 R16은 독립적으로 알킬이되, 단 R11, R12, 및 R13이 메틸이거나 또는 R14, R15, 및 R16이 메틸이다. 하나의 바람직한 실시태양에 있어서, 각각의 R11, R12, R13, R14, R15, R16, R21, R22, 및 R23은 메틸이다. 본 실시태양에 따르면, 케텐 아세탈 (7)은 트리스(트리메틸실릴옥시)에탄이며, 이는 상업적으로 입수가능하다.
단계 1 및 단계 2의 반응은 N-미치환 β-락탐을 형성한다. 보다 구체적으로, 단계 2의 β-락탐 고리-형성 반응은 부분입체선택적이며 (±)-cis-β-락탐 (8) 및 (±)-trans-β-락탐 (8) 이성질체가 약 5:1의 cis:trans 비율로 우선적으로 형성된다. N-미치환 β-락탐이 형성된 후, (±)-cis-β-락탐이 이성질체 혼합물로부터 (예를 들면, 에틸 아세테이트를 사용하여) 결정화되며 다양한 경로들에 따라 유도체화되어 파클리탁셀의 제조에 적절한 치환기들을 보유하는 β-락탐 측쇄 전구체 (예를 들면, 일반적으로 상기 화학식 (3)에 상응하는 β-락탐 측쇄 전구체)가 형성된다. 다양한 실시태양들에 있어서, (±)-cis-β-락탐 (8)의 거울상이성질체 혼합물을 그 거울상이성질체들로 분해하는 것이 바람직할 수도 있다. N-미치환 β-락탐의 분해 및/또는 유도체화를 위한 다양한 경로들이 이하 자세히 기술된다.
2가지의 상기 경로들에 따르면, 이성질체 N-미치환 β-락탐의 C(3) 위치에서 끝나는 실릴 잔기 (즉, -SiR21R22R23)는 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 β-락탐 측쇄 전구체를 형성하는데 사용되는 다양한 단계들 전체에 걸쳐 그 위치에 유지된다.
단계 2T에 나타낸 바와 같이, (±)-cis-β-락탐 이성질체는 (±)-cis- 및 (±)-trans-β-락탐의 이성질체 혼합물로부터 (예를 들면, 에틸 아세테이트를 사용하여) 결정화되며, (±)-cis-β-락탐은 (예를 들면, 디-tert-부틸디카르보네이트를 사용하여) tert-부톡시카르보닐 (t-Boc) 기를 -NH 잔기에 도입하는 것에 의해 유도체화되어 (±)-cis-β-락탐 (30T)가 형성된다. 다양한 실시태양들에 있어서, (±)-cis-β-락탐 (30T)는 본 발명에 방법에서 β-락탐 측쇄 전구체로서 사용될 수 있다. 다르게는, 다른 실시태양에 있어서, 단계 3T에 나타낸 바와 같이, (±)-cis-β-락탐 (30T)의 거울상이성질체 혼합물을 그 거울상이성질체들로 분해하는 것이 바람직할 수 있다. 단계 3T에서의 분해는 당업계에 공지된 다양한 방법들, 예컨대 효소 분해에 의해 수행되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300T)가 형성될 수 있으며, 이때, X6은 -SiR21R22R23이다 (즉, C(3) 위치에서 끝나는 실릴 잔기는 단계 2T 및 3T 전체에 걸쳐 유지된다).
대체 단계 2B에 나타낸 바와 같이, (±)-cis-β-락탐 이성질체는 (±)-cis- 및 (±)-trans-β-락탐의 이성질체 혼합물로부터 (예를 들면, 에틸 아세테이트를 사용하여) 결정화되며, (±)-cis-β-락탐은 (예를 들면, 벤조일 클로라이드를 사용 하여) 벤조일 (Bz) 기를 -NH 잔기에 도입하는 것에 의해 유도체화되어 (±)-cis-β-락탐 (30B)가 형성된다. β-락탐의 N-치환기가 벤조일인 경우, β-락탐은, 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 β-락탐 측쇄 전구체로서 사용되기에 앞서 그 거울상이성질체들로 분해된다. 상기 단계 3T에서와 같이, 단계 3B에서의 분해는 당업계에 공지된 다양한 방법들 (예컨대, 효소 분해)에 의해 수행되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)가 형성될 수 있으며, 이때, X6은 -SiR21R22R23이다 (즉, C(3) 위치에서 끝나는 실릴 잔기는 단계 2B 및 3B 전체에 걸쳐 유지된다).
다른 일련의 경로들에 있어서, (±)-cis-β-락탐은 이성질체 혼합물로부터 (예를 들면, 에틸 아세테이트를 사용하여) 결정화되고 실릴 잔기 (즉, -SiR21R22R23)는 단계 3에서 N-미치환 β-락탐의 C(3) 히드록시기로부터 제거된다. 일반적으로, 실릴 보호기를 제거하는 방법은 공지되어 있다. 그 후, 생성된 N-미치환 (±)-cis-β-락탐 (9) (즉, (±)-cis-3-히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)은 다양한 경로에 따라 유도체화 및 임의로 분해되어 본 발명에 사용하기에 적절한 β-락탐 측쇄 전구체가 생성된다.
상기 기술한 단계 2T와 유사하게, 단계 4T에서 N-미치환 (±)-cis-β-락탐이 β-락탐 상의 C(3) 히드록시기를 보호하기 위해 히드록시 보호기 (X6)를 도입하는 것에 의해 유도체화된다. 적절한 히드록시 보호기는 상기 자세히 기술되어 있다.
단계 4T에서의 유도체화는 (예를 들면, 디-tert-부틸디카르보네이트를 사용하여) tert-부톡시카르보닐 (t-Boc) 기를 N-미치환 (±)-cis-β-락탐 (9)의 -NH 잔 기에 도입하는 것을 포함한다. 다양한 실시태양들에 있어서, 본 발명의 방법에서 사용되는 β-락탐 측쇄 전구체는 분해에 앞서 단계 4T에서 생성된 N-t-Boc-3-히드록시 보호된 β-락탐이다. 따라서, β-락탐 측쇄 전구체는 (±)-cis-β-락탐 (300T)에 상응한다 (즉, β-락탐은 거울상이성질체들의 혼합물로서 존재한다). 그러나, 상기 언급한 바와 같이, 다른 실시태양에 있어서는 N-미치환 (±)-cis-β-락탐 (9)의 거울상이성질체 혼합물을 그의 거울상이성질체들로 분해하는 것이 바람직할 수 있다. 원하는 경우, 단계 4T에서의 분해는 당업계에 공지된 다양한 방법들, 예를 들면, 효소 분해에 의해 수행되어 광학 활성 (3R,4S)-cis-β-락탐 (300T)가 형성될 수 있으며, 이때 X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다.
단계 4B와 관련하여 나타낸 바와 같이, N-미치환 (±)-cis-β-락탐은 β-락탐 상의 C(3) 히드록시기를 보호하기 위해 히드록시 보호기 (X6)를 도입하는 것에 의해 유도체화될 수 있다. 적절한 히드록시 보호기는 상기 자세히 기술되어 있다.
단계 4B에서의 유도체화도 또한 (예를 들면, 벤조일 클로라이드를 사용하여) 벤조일 (Bz) 기를 N-미치환 (±)-cis-β-락탐 (9)의 -NH 잔기에 도입하는 것을 포함한다. 상기 언급한 바와 같이, β-락탐의 N-치환기가 벤조일인 경우, β-락탐은, 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 β-락탐 측쇄 전구체로서 사용되기에 앞서 그 거울상이성질체들로 분해된다. 상기 단계 3B에서와 같이, 단계 4B에서의 분해는 당업계에 공지된 다양한 방법들 (예를 들면, 효소 분해)에 의해 수행되어 광학 활성 3R,4S (+)-cis-β-락탐 (300B)가 형성될 수 있으며, 이때 X6은 상기 정의한 바 와 같은 히드록시 보호기이다.
또다른 경로에 있어서, N-미치환 (±)-cis-β-락탐 (9)는 거울상이성질체 혼합물을 아민의 존재하에 N-치환된-L-프롤린 아실화제 (11)로 처리하여 분해된다. 예시적인 L-프롤린 아실화제는, 단계 4에 나타낸 바와 같이, 산 클로라이드, 산 무수물, 또는 N-t-부톡시카르보닐-L-프롤린 또는 N-카르보벤질옥시-L-프롤린 (예를 들면, Rn은 t-부톡시카르보닐 또는 카르보벤질옥시이며, Rc는 Cl, OC(O)Ra이며, 이때 Ra는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌 또는 헤테로시클로이다)의 혼합된 무수물이다. Rc가 히드록시이면, 광학 활성 프롤린 아실화제는 프롤린 산을 산 아실화제, 예컨대 p-톨루엔술포닐 클로라이드 (TsCl), 메탄술포닐 클로라이드 (MsCl), 옥살산 클로라이드, 디-tert-부틸디카르보네이트 (Boc2O), 디시클로헥실카르보디이미드 (DCC), 알킬 클로로포르메이트, 2-클로로-1,3,5-트리니트로벤젠, 폴리포스페이트 에스테르, 클로로술포닐 이소시아네이트, Ph3P-CCl4 등으로 처리하여 제조될 수 있다. 본 방법의 한 실시태양에 있어서, L-프롤린 아실화제는 우선적으로 거울상이성질체 쌍의 한 구성원과 반응하여 N-미치환 β-락탐 거울상이성질체들 중의 하나로부터의 C(3) 부분입체이성질체 (110)을 형성한다. 따라서, (±)-cis-β-락탐 (9)의 거울상이성질체 혼합물은, (i) 원 혼합물을 L-프롤린 아실화제로 처리하여 β-락탐 거울상이성질체들 중 하나를 에스테르 유도체로 우선 전환시키고 (단계 4에 나타냄) (ii) 예를 들면 에틸 아세테이트를 사용한 결정화 (단계 5에 나타냄)에 의해 에스테르 유도체로부터 미반응 거울상 이성질체를 선택적으로 회수하는 것에 의해, 거울상이성질체들 중 하나가 광학적으로 풍부해질 수 있으며, 이로써 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (9)가 생성된다. 다르게는, 다른 실시태양에 있어서, L-프롤린 아실화제는 양 거울상이성질체들과 반응하여 한 쌍의 부분입체이성질체들 (110 및 110A)을 생성한다. 이들 부분입체이성질체들은 상이한 화학적 및 물리적 성질들을 가지므로, 그들은 상이한 조건하에서 결정화되어 분리될 수 있으며, C(3) 에스테르는 가수분해되어 C(3) 히드록시 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (9)이 형성될 수 있다.
일단 거울상이성질체들이 분리되면, 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (9)는 상기 기술한 바와 같이 유도체화된다. 단계 6에 나타낸 바와 같이, 유도체화는 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (9)의 C(3) 히드록시기에 히드록시 보호기 (X6)을 도입하여 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (90)을 생성하는 것을 포함하며, 이때 X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다. 바람직하게는, C(3) 히드록시기는 p-톨루엔술폰산 (TsOH) 및 2-메톡시-2-프로펜으로 처리하는 것에 의해 MOP에 의해 보호된다.
유도체화는 또한 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (90)의 -NH 잔기를 유도체화하는 것을 포함한다. 단계 7T에 나타낸 바와 같이, 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (90)의 -NH 잔기는 (예를 들면, 디-tert-부틸디카르보네이트를 사용하여) tert-부톡시카르보닐 (t-Boc) 기를 도입하는 것에 의해 유도체화되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300T) (즉, (3R, 4S (+) cis)-N-t-Boc-3-보호된 히드록시-4-페닐 아제티딘-2-온)이 형성된다. 다르게는, 단계 7B에서, 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (90)의 -NH 잔기는 (예를 들면, 벤조일 클로라이드를 사용하여) 벤조일 (Bz) 기를 도입하는 것에 의해 유도체화되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B) ((3R, 4S (+) cis)-N-벤조일-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)이 생성된다.
본 발명의 방법의 한 실시태양이 하기 반응식 2 (파클리탁셀의 제조를 기술함)에 예시되며, 이때, G1, G2, G3, G4, L1, L2, 및 Z는 화학식 (2)와 관련하여 정의한 바와 같으며, R10A는 히드로카르빌이며, X6은 히드록시 보호기이다. 적절한 히드록시 보호기는 상기 자세히 설명되어 있다.
Figure 112008001949825-PCT00010
반응식 2의 단계 1은 10-DAB (1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기 (2)로 동시 보호하여 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)를 형성하는 것을 예시한다. 본원에 기술된 임의의 가교형성 규소계 보호기가 이 단계에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 하나의 실시태양에 있어서, G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으 로 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 또는 시클로알킬이며; Z는 -(CH2)y-이며; y는 1 내지 약 8의 양의 정수이다. 다른 실시태양에 있어서, G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 또는 시클로알킬이며; Z는 -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO- 또는 -O-이며; n은 1 또는 2이며; 및 Z10 및 Z11은 알킬이다. 이들 2개의 실시태양들에 있어서, L1 및 L2는 독립적으로 아민, 할라이드, 또는 술포네이트 이탈기이다.
10-DAB (1)의 동시 보호는 바람직하게는 염기 및 용매의 존재하에 수행된다. 적절한 염기는, 예를 들면, 아민 염기, 예컨대 N,N-4-디메틸아미노피리딘 (DMAP)을 포함하며, 적합한 용매는, 예를 들면, 극성 비양성자성 용매, 예컨대 THF를 포함한다. 그러나, 다르게는, 다른 실시태양에 있어서, 다른 염기 및 용매, 예컨대 무기 염기 및/또는 비극성 용매가 바람직할 수 있다.
예시된 바와 같이, 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)는 파클리탁셀을 제조하기 위한 2개의 다른 합성 경로들에 대한 통상적인 중간체 화합물이다. 10-DAB 유도체 (12)의 형성 후, 유도체 (12)는 이들 2개의 경로들 중 어느 하나에 따라 유도체화되어 10-DAB 유도체 (17)이 생성되며, 이는 탈보호되어 파클리탁셀 (18)이 형성된다. 10-DAB 유도체 (12)의 유도체화에 대한 2개의 다른 경로들은 반응식 2에서 경로 A 및 경로 B로 표현되어 있다.
경로 A의 단계 2A에서, 10-DAB 유도체 (12)는 β-락탐 측쇄 전구체로 처리되 어 10-DAB 유도체 (13)이 형성된다. 나타낸 바와 같이, β-락탐 측쇄 전구체는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B) (즉, (3R, 4S (+) cis)-N-벤조일-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)에 해당하며, 이때 X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다. 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)는 상기 반응식 1에 기술한 임의의 다양한 방법들 및 경로들에 의해, 또는 당업자에게 공지된 다른 방법들에 의해 형성될 수 있다.
10-DAB 유도체 (12)는 전형적으로 단계 2A에서 탈양성자화제 (예컨대 유기금속 화합물 (예를 들면, n-부틸리튬 또는 n-헥실리튬) 또는 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS 또는 LHMDS) 또는 아민 또는 암모늄-함유 화합물 (예컨대 테트라알킬암모늄 할라이드 또는 알칼리 금속 디알킬 아민))의 존재하에 β-락탐 측쇄 전구체로 처리된다. 그러나, 다르게는, 10-DAB 유도체 (12)는 3차 아민 (예컨대 트리에틸 아민, 디이소프로필아민, 피리딘, N-메틸 이미다졸, 및 N,N-4-디메틸아미노피리딘 (DMAP))의 존재하에 β-락탐 측쇄 전구체로 처리될 수 있다.
단계 3A에서, 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (13)의 C(10) 히드록시기는 염기의 존재하에 알코올 (즉, R10AOH, 이때 R10A는 히드로카르빌이며; 바람직하게는 알킬이다) 또는 알코올의 혼합물을 사용하여 선택적으로 탈보호되어 7-보호된 10-DAB 유도체 (14)가 형성된다. 바람직하게는, C(10) 선택적 탈보호에 사용된 알코올은 메탄올 (즉, R10A가 메틸인 R10AOH)이다. C(10) 선택적 탈보호에 적합한 염기는 트리에틸 아민, 소듐 카르보네이트, 또는 소듐 비카르보네이트를 포함하며; 바람직하게 는, 염기는 트리에틸아민 또는 소듐 비카르보네이트이다. C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호는 추가로 용매의 존재하에 일어날 수 있다. C(10) 탈보호에 적합한 용매는 알코올, 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 메틸렌 클로라이드, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 바람직하게는 용매는 메탄올이다.
C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 후, 탈보호된 C(10) 히드록시기의 선택적 아세틸화가 단계 4A에서 수행된다. 경로 A에서의 단계 2A, 3A, 및 4A의 진행에 의해 7-보호된-10-아세톡시 10-DAB 유도체 (17)가 형성되며, 이는 또한 이하 자세히 기술되는 대체 합성 경로 B를 사용하여 생성될 수도 있다. 단계 4A의 선택적 아세틸화는 C(10) 히드록시기를 아세틸화제로 처리하여 C(10) 위치를 아세틸화시켜 10-DAB 유도체 (17)을 형성하는 것에 의해 수행된다. 다양한 아세틸화제가 본 단계에서 사용될 수 있으며, 그 예는 아세틸 할라이드, 아세트산 무수물 등이다. 바람직하게는, 아세틸화제는 아세틸 클로라이드이다. 선택적 아세틸화는 전형적으로 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS 또는 LHMDS)의 존재하에 수행되어 C(10) 히드록시기를 탈양성자화시킨다.
대체 경로 B에 있어서, 7-보호된-10-아세톡시 10-DAB 유도체 (17)은 우선 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)를 단계 2B에서 염기의 존재하에 알코올 또는 알코올의 혼합물로 처리하여 7-보호된 10-DAB 유도체 (15)가 형성되는 것에 의해 제조된다. 단계 2B에서의 C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호를 위한 시약 및 조건은 상기 경로 A의 선택적 탈보호 단계 (즉, 단계 3A)와 관련하여 기술된 것들과 동일하거나 또는 유사하다.
단계 2B에서의 C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 후, 탈보호된 C(10) 히드록시기의 선택적 아세틸화가 단계 3B에서 수행되어 10-DAB 유도체 (16)이 형성되며, 이때 상기 경로 A의 선택적 아세틸화 단계 (즉, 단계 4A)와 관련하여 기술된 것들과 동일하거나 또는 유사한 시약들이 사용된다. 예를 들면, 10-DAB 유도체 (15)는 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS 또는 LHMDS) 또는 유기금속 화합물 (예를 들면, n-부틸리튬 또는 n-헥실리튬)의 존재하에 아세틸화제 (예를 들면, 아세틸 클로라이드)로 처리되어 10-DAB 유도체 (16)이 형성될 수 있다.
단계 4B에서, 10-DAB 유도체 (16)을 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하는 것에 의해 측쇄가 10-DAB 유도체 (16)의 C(13) 위치에 부착되어 10-DAB 유도체 (17)이 형성된다. 나타낸 바와 같이, β-락탐 측쇄 전구체는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B) (즉, (3R, 4S (+) cis)-N-벤조일-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)에 상응하며, 이때 X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다. 상기 언급한 바와 같이, 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)는 상기 반응식 1에 기술한 임의의 다양한 방법들 및 경로들에 의해, 또는 당업자에게 공지된 다른 방법들에 의해 형성될 수 있다. 단계 4B에서의 C(13) 측쇄 부착에 대한 시약 및 조건은 상기 경로 A의 측쇄 부착 단계 (즉, 단계 2A)와 관련하여 기술된 것들과 동일하거나 또는 유사하다. 예를 들면, 10-DAB 유도체 (16)은 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS 또는 LHMDS)의 존재하에 β-락탐 측쇄 전구체로 처리되어 10-DAB 유도체 (17)이 형성될 수 있다.
상기 2개의 경로들 중 어느 하나에 따라 (즉, (12) → (13) → (14) → (17) 또는 (12) → (15) → (16) → (17)) 7-보호된-10-아세톡시 10-DAB 유도체 (17)이 형성된 후, 단계 5에서 10-DAB 유도체 (17)이 탈보호되어 파클리탁셀 (18)이 형성된다. 다양한 보호기들은 일반적으로 가수분해에 의해 (즉, 가수분해제를 사용하여), C(13) 에스테르 결합 및/또는 10-DAB 유도체 (17)의 폴리시클릭 부분 상의 다른 가수분해 가능한 치환기들 및/또는 측쇄를 교란시키지 않는 비교적 적당한 조건하에 제거된다.
본 발명의 방법의 바람직한 실시태양이 반응식 3 (파클리탁셀의 제조를 기술함)에 예시되며, 이때 G1, G2, G3, G4, L1, L2, 및 Z는 화학식 (2)와 관련하여 정의한 바와 같으며, R10A는 메틸이며, 및 X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다.
Figure 112008001949825-PCT00011
반응식 3의 단계 1은 10-DAB (1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기 (2)로 동시 보호하여 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)를 형성하는 것을 예시한다. 본원에 기술된 임의의 가교형성 규소계 보호기가 본 단계에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 가교형성 규소계 보호기는 1,3-디클로로-1,1,3,3-테트라 메틸디실록산 (즉, L1 및 L2는 클로로이고; G1, G2, G3, 및 G4는 각각 메틸이며; Z는 -O-인 화학식 (2))일 수 있다. 다른 예로서, 가교형성 규소계 보호기는 1,2-비스(클로로디메틸실릴)에탄 (즉, L1 및 L2는 클로로이며; G1, G2, G3, 및 G4는 각각 메틸이며; Z는 -(CH2)y-이며; y는 2인 화학식 (2))일 수 있다. 다른 예로서, 가교형성 규소계 보호기는 1,5-디클로로헥사메틸트리실록산 (즉, L1 및 L2는 클로로이며; G1, G2, G3, 및 G4는 각각 메틸이며; Z는 -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO-이며; n은 1이며 Z10 및 Z11은 메틸인 화학식 (2))일 수 있다. 10-DAB (1)의 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)로의 전환은 N,N-4-디메틸아미노피리딘 (DMAP) 및 테트라히드로푸란 (THF) 용매의 존재하에 수행된다.
상기 기술한 바와 같이, 10-DAB 유도체 (12)는 파클리탁셀 (18)을 제조하기 위한 2개의 다른 경로들에 따라 유도체화될 수 있는 통상적인 중간체 화합물이며, 상기 2개의 경로들은 반응식 3에 경로 A 및 경로 B로서 표현되어 있다.
경로 A의 단계 2A에서, 10-DAB 유도체 (12)는 LHMDS 및 THF의 존재하에 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)로 처리되어 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (13)이 형성된다. 다르게는, 10-DAB 유도체 (12)는 다른 탈양성자화제 (예컨대 유기금속 화합물 (예를 들면, n-부틸리튬 또는 n-헥실리튬) 또는 다른 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS) 또는 아민 또는 암모늄-함유 화합물 (예컨대 테트라알킬암모늄 할라이드 또는 알칼리 금속 디알킬 아민))의 존재하에 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락 탐 (300B)로 처리될 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)는 반응식 1에 기술된 다양한 방법들, 또는 당업자에게 공지된 다른 방법들에 따라 제조될 수 있다.
단계 3A에서, 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (13)은 소듐 비카르보네이트의 존재하에 메탄올 (즉, R10A가 메틸인 R10AOH)을 사용하여 C(10) 히드록시 위치에서 선택적으로 탈보호되어 10-DAB 유도체 (14)가 형성된다. C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 후에, 탈보호된 C(10) 히드록시기의 선택적 아세틸화가 단계 4A에서 수행되어 10-DAB 유도체 (17)이 형성된다. 단계 4A에 나타낸 바와 같이, LHMDS가 C(10) 히드록시기를 탈양성자화시키기 위해 사용되고 아세틸 클로라이드가 아세틸화제로서 사용되어 7-보호된-10-아세톡시 10-DAB 유도체 (17)이 형성된다.
다르게는, 10-DAB 유도체 (17)은 경로 B에 따라 먼저 10-DAB 유도체 (12)가 단계 2B에서 소듐 비카르보네이트의 존재하에 메탄올 (즉, R10A가 메틸인 R10AOH)을 사용하여 선택적으로 탈보호되어 10-DAB 유도체 (15)가 형성되는 것에 의해 제조될 수 있다. C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 후에, 탈보호된 C(10) 히드록시기의 선택적 아세틸화가 단계 3B에서 LHMDS의 존재하에 아세틸 클로라이드를 사용하여 수행되어 10-DAB 유도체 (16)이 형성된다.
단계 4B에서, 10-DAB 유도체 (16)은 LHMDS 및 THF의 존재하에 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)로 처리되어 10-DAB 유도체 (17)이 형성된다. 다르게는, 10-DAB 유도체 (16)은 다른 탈양성자화제 (예컨대 유기금속 화합물 (예를 들 면, n-부틸리튬 또는 n-헥실리튬) 또는 다른 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS) 또는 아민 또는 암모늄-함유 화합물 (예컨대 테트라알킬암모늄 할라이드 또는 알칼리 금속 디알킬 아민))의 존재하에 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)로 처리될 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B)는 반응식 1에 기술된 다양한 방법들, 또는 당업자에게 공지된 다른 방법들에 따라 제조될 수 있다.
상기 2개의 경로들 중 어느 하나에 따라 (즉, (12) → (13) → (14) → (17) 또는 (12) → (15) → (16) → (17)) 7-보호된-10-아세톡시 10-DAB 유도체 (17)이 형성된 후, 10-DAB 유도체 (17)은 아세토니트릴 (ACN)의 존재하에 염산 (HCl)로 처리되어 C(7) 및 C(2') 히드록시 보호기가 제거되어 (즉, 탈보호되어) 파클리탁셀 (18)이 형성된다.
하기 반응식 4 및 5는 파클리탁셀의 제조에 대한 추가의 합성 경로들을 기술한다. 일반적으로, 이들 경로들은 하기 화학식 (210) 또는 (280)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 중간체 화합물을 사용한다.
<화학식 210>
Figure 112008001949825-PCT00012
<화학식 280>
Figure 112008001949825-PCT00013
식 중,
R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이며;
R10은 수소 또는 아세틸이거나; 또는
R7 및 R10은 함께 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-를 형성하며;
R10A는 히드로카르빌이며;
X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이며, 및 G1, G2, G3, G4, 및 Z는 화학식 (2)와 관련하여 정의한 바와 같다.
따라서, 본 발명에 따른 다른 실시태양이 반응식 4 (파클리탁셀의 제조를 기술함)에 예시된다. 반응식 4에 예시된 바와 같이, 일반적으로 하기 화학식 (260)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 화합물은 2개의 경로들에 따라 파클리탁셀로 전환될 수 있다.
Figure 112008001949825-PCT00014
식 중, G1, G2, G3, G4, L1, L2, R10A, 및 Z는 상기 정의한 바와 같으며, R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이다. 일반적으로, 전환은 만약 존재한다면 C(7) 히드록시 위치로부터 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-를 제거하 는 것을 포함하며, 또한 10-DAB 유도체 (260)의 3' 질소 위치로부터 tert-부톡시카르보닐 잔기를 제거하여 벤조일기가 3' 질소 위치로 이동하게 하는 것을 포함하며, 이로써 파클리탁셀이 형성된다.
Figure 112008001949825-PCT00015
반응식 4의 단계 1은 10-DAB (1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기 (2)로 동시 보호하여 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)를 형성하는 것을 예시한다. 상기 기술된 바와 같이, 임의의 가교형성 규소계 보호기가 본 단계에서 사용될 수 있으며, 동시 보호는 전형적으로 염기 및 용매의 존재하에 수행된다. 본 단계에 사용될 수 있는 적절한 염기 및 용매는 상기 자세히 기술되어 있다.
단계 1에서 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)가 형성된 후, 10-DAB 유도체 (12)는 β-락탐 측쇄 전구체로 처리되어 10-DAB 유도체 (21)이 형성된다. 나타낸 바와 같이, 10-DAB 유도체 (21)은 2개의 다른 경로들에 따라 제조될 수 있다. 특히, 2개의 상이한 β-락탐 측쇄 전구체가 1- 또는 2-단계 방법에서 10-DAB 유도체 (21)을 제조하는데 사용될 수 있다.
하나의 경로에 따르면, β-락탐 측쇄 전구체는 단계 2에 나타낸 (±)-cis 또는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (3000T) (즉, N-t-Boc-3-벤조일-4-페닐아제티딘-2-온)이다. N-치환기가 벤조일이 아니므로, β-락탐은 거울상이성질체들의 혼합물로서 존재할 수 있거나 또는 오직 광학 활성 3R, 4S (+) cis 거울상이성질체로만 존재할 수 있다. 단계 2에서 사용되는 β-락탐은 다양한 방법들, 예컨대 반응식 1의 다양한 경로들 중 하나 이상에 의해 제조될 수 있다. 예를 들면, β-락탐 측쇄 전구체는 벤즈알데히드, 디실라지드, 및 케텐 아세탈을 반응시켜 N-미치환 β-락탐을 제조하고, 벤조일기를 C(3) 위치에 그리고 tert-부톡시카르보닐기를 -NH 잔기에 도입하는 것에 의해 β-락탐을 유도체화시키는 것에 의해 제조될 수 있다. β-락탐은 거울상이성질체들의 혼합물로서 유지될 수 있거나 (즉, 분해되지 않음), 또는 거울상이성질체들의 혼합물은, 예를 들면, 상기 기술한 L-프롤린 또는 L-프롤린 유도체의 사용, 또는 다른 분해 방법, 예컨대 효소 분해에 의해 분해되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis 거울상이성질체가 수득될 수 있다.
단계 2A 및 2B로서 나타낸 대체 경로에 있어서, β-락탐 측쇄 전구체는 (±)-cis 또는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300T) (즉, N-t-Boc-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)이며, 이때 X6은 벤조일기 이외의 히드록시 보호기이다. 단계 2A에서 사용되는 β-락탐은 또한 다양한 방법들, 예컨대 반응식 1의 다양한 경로들 중 하나 이상에 의해 제조될 수 있다 (예를 들면, 벤조일기 이외의 히드록시 보호기를 C(3) 위치에 도입하고 tert-부톡시카르보닐기를 -NH 잔기에 도입하는 것에 의해 유도체화되며, 거울상이성질체들의 혼합물로서 존재하거나 또는 분해되어 광학 활성 3R, 4S (+) cis 거울상이성질체가 제공된다). 바람직하게는, X6은 가교형성 규소계 보호기보다 천천히 분열되는 히드록시 보호기이다. 단계 2B에서, X6 히드록시 보호기 (이전에는 β-락탐의 C(3) 히드록시기 상에 있었지만, 이제는 측쇄의 C(2') 위치에 있음)는 벤조일로 대체된다. 벤조일기는 10-DAB 유도체 (19)를, 예를 들면, 루이스산 (예를 들면, CeCl3)의 존재하에 벤조산 무수물과 반응시키는 것에 의해 C(2') 위치에 도입되어 10-DAB 유도체 (21)이 형성된다. 그 후, 파클리탁셀은 2개의 경로들에 따라 10-DAB 유도체 (21)로부터 제조될 수 있다.
하나의 경로에 있어서, 상기 기술된 경로들 (즉, 1-단계 방법 (단계 2) 또는 2-단계 방법 (단계 2A 및 2B)) 중 하나에 의한 10-DAB 유도체 (21)의 제조 후, 10-DAB 유도체 (21)은 단계 3에서 염기의 존재하에 알코올 (즉, R10AOH, 이때 R10A는 히드로카르빌이며; 바람직하게는 알킬임) 또는 알코올의 혼합물을 사용하여 C(10)에서 선택적으로 탈보호되어 7-보호된 10-DAB 유도체 (22)가 생성된다. 본 단계에 사용하기에 적절한 알코올, 염기 및 용매는 상기 자세히 기술되어 있다.
C(10) 히드록시기의 선택적 탈보호 후, 탈보호된 C(10) 히드록시기의 선택적 아세틸화가 단계 4에서 수행되어 10-아세틸 유도체 (23)이 형성된다. 상기 기술한 바와 같이, 선택적 아세틸화는, 예를 들면, 10-DAB 유도체 (22)를 디실라지드 (예를 들면, NaHMDS 또는 LHMDS)의 존재하에 아세틸화제 (예를 들면, 아세틸 클로라이드)로 처리하여 수행될 수 있다.
10-DAB 유도체 (22)가 선택적으로 아세틸화된 후, 생성된 C(10) 아세틸화된 유도체 (23)은 단계 5에서 가수분해제로 처리되어 C(7) 히드록시기가 탈보호되고 (즉, -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)- 잔기의 제거) 3' 질소 tert-부톡시카르보닐 잔기가 제거된다. 일단 3' 질소가 탈보호되면, C(2') 산소에 부착된 벤조일기가 3' 질소로 이동하여 파클리탁셀 (18)이 형성된다.
대체 경로에 있어서, 파클리탁셀은 10-DAB 유도체 (21)을 단계 3B에서 염기 (예를 들면, 소듐 카르보네이트 (Na2CO3))로 처리하여 가교형성 규소계 보호기를 완전히 제거하고 유도체 (25)를 형성하는 것에 의해 제조될 수 있다. 본 경로에 따르면, C(2') 위치의 벤조일기는 아세틸화제와의 반응 조건하에서 C(2') 산소에 부 착된채 유지되도록 선택된다. 그 후, 유도체 (25)는 단계 5A에서 루이스산 (예를 들면, CeCl3)의 존재하에 아세틸화제 (예를 들면, 아세트산 무수물)로 처리되어 C(10) 히드록시기가 선택적으로 아세틸화되어 유도체 (26)이 형성될 수 있다. 10-DAB 유도체 (25)가 선택적으로 아세틸화된 후, 생성된 C(10) 아세틸화된 유도체 (26)은 단계 6A에서 가수분해제로 처리되어 3' 질소 tert-부톡시카르보닐 잔기가 제거된다. 일단 3' 질소가 탈보호되면, C(2') 산소에 부착된 벤조일기가 3' 질소로 이동하여 파클리탁셀 (18)이 형성된다.
파클리탁셀은 또한 10-DAB 유도체 (21)의 형성 없이 형성될 수 있다. 단계 3A에 나타낸 바와 같이, 10-DAB 유도체 (19)는 가수분해제를 사용하여 완전히 탈보호되어 도세탁셀 (24)가 형성될 수 있으며, 벤조일기는 단계 4A에서 아민 (예를 들면, 피리딘)의 존재하에 벤조일 클로라이드 (또는 다른 벤조일 할라이드)를 사용하여 도세탁셀의 C(2') 히드록시 위치에 선택적으로 도입되어 유도체 (25)가 형성될 수 있다. 그 후, 유도체 (25)는 상기 기술한 바와 같이 단계 5A 및 6A에서 선택적으로 아세틸화되고 탈보호되어 파클리탁셀이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시태양이 반응식 5 (파클리탁셀의 제조를 기술함)에 예시되며, 이때 G1, G2, G3, G4, L1, L2, 및 Z는 화학식 (2)와 관련하여 정의한 바와 같으며, R10A는 히드로카르빌이며, X6은 상기 정의한 바와 같은 히드록시 보호기이다.
Figure 112008001949825-PCT00016
반응식 5의 단계 1은 10-DAB (1)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기 (2)로 동시 보호하여 7,10-DAB 유도체 (12)를 형성하는 것을 예시한다. 상기 기술된 바와 같이, 임의의 가교형성 규소계 보호기가 본 단계에서 사용될 수 있으며, 동시 보호는 전형적으로 염기 및 용매의 존재하에 수행된다. 본 단 계에 사용될 수 있는 적절한 염기 및 용매는 상기 자세히 기술되어 있다.
단계 1에서 7,10-보호된 10-DAB 유도체 (12)가 형성된 후, 10-DAB 유도체 (12)는 β-락탐 측쇄 전구체로 처리되고 유도체화되어 파클리탁셀이 제조된다. 나타낸 바와 같이, 2개의 상이한 β-락탐 측쇄 전구체가 유도체 (28)을 형성하는데 사용될 수 있으며, 이는 그 후 다양한 경로들에 따라 추가로 유도체화되어 파클리탁셀이 제조될 수 있다.
단계 2에 나타낸, 유도체 (28)의 형성에 대한 하나의 경로에 따르면, 반응식 4와 관련하여 상기 기술한 바와 같이 10-DAB 유도체 (12)는 (±)-cis 또는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300T) (즉, N-t-Boc-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)로 처리되어 10-DAB 유도체 (19)가 형성된다. 측쇄가 부착되어 유도체 (19)가 제조된 후, 벤조일기가 측쇄의 3' 질소에 도입되어 유도체 (28)이 형성된다.
단계 2A에 나타낸 대체 경로에 따르면, 10-DAB 유도체 (12)는 (±)-cis 또는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐 (300B) (즉, N-벤조일-3-보호된 히드록시-4-페닐아제티딘-2-온)로 처리되어 10-DAB 유도체 (27)이 형성된다. 측쇄가 부착되어 유도체 (27)이 제조된 후, 극성 비양성자성 용매 (예를 들면, 에틸 아세테이트, 테트라히드로푸란 (THF), 또는 디메틸포름아미드 (DMF))의 존재하에 디-tert-부틸디카르보네이트 (즉, Boc2O)를 사용하여 tert-부톡시카르보닐기가 측쇄 상의 3' 질소기에 도입되어 유도체 (28)이 형성된다.
이들 2개의 경로들 중 어느 하나에 따라 (즉, (12) → (19) → (28) 또는 (12) → (27) → (28)) 유도체 (28)이 제조된 후, 유도체 (28)은 상기 기술한 2개의 경로들 중 어느 하나를 통해 파클리탁셀로 전환될 수 있다. 예를 들면, 하나의 경로에 있어서, 유도체 (28)은 염기의 존재하에 알코올 또는 알코올의 혼합물로 처리되어 가교형성 규소계 보호기를 C(10) 위치에서 선택적으로 개방하고 7-보호된 유도체 (29)가 형성된다. C(10) 탈보호 후, 단계 5에서 아세틸화제 (예를 들면, 아세틸 클로라이드)로 처리하여 10-아세틸 유도체 (30)이 형성된 후, 단계 6에서 가수분해제로 처리하여 다양한 보호기 (즉, C(7) 히드록시 위치의 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O-(R10A)- 잔기 및 3' 질소 위치의 tert-부톡시카르보닐 잔기)가 제거되어 파클리탁셀이 형성된다.
제2 경로에 있어서, 유도체 (28)은 단계 4A에서 염기 (예를 들면, 소듐 카르보네이트 (Na2CO3))로 처리되어 가교형성 규소계 보호기가 완전히 제거되어 유도체 (31)이 제조된 후, C(10) 위치가 단계 5A에서 루이스산 (예를 들면, CeCl3)의 존재하에 아세틸화제 (예를 들면, 아세트산 무수물)로 선택적으로 아세틸화되어 10-아세틸 유도체 (32)가 형성된다. 선택적 아세틸화 후, 3' 질소 상의 tert-부톡시카르보닐 잔기가 단계 6A에서 가수분해제로 탈보호되어 파클리탁섹 (18)이 형성된다.
약어 및 정의
하기 정의 및 방법은 본 발명을 더 잘 정의하고, 본 발명을 실시함에 있어서 당업자를 안내하기 위하여 제공되는 것이다. 달리 언급이 없는 한, 용어는 당업자 에 의해 통상적으로 사용되는 것에 따르는 것으로 이해된다.
본 명세서에 사용되는 것으로서, 용어 "탄화수소" 및 "히드로카르빌"은 전적으로 탄소 및 수소로 이루어진 유기 화합물 또는 라디칼을 말한다. 이들 잔기로는 알킬, 알케닐, 알키닐 및 아릴 잔기가 포함된다. 이들 잔기로는 또한 다른 지방족 또는 시클릭 탄화수소기로 치환된 알킬, 알케닐, 알키닐 및 아릴 잔기, 예컨대, 알크아릴, 알켄아릴 및 알킨아릴이 포함된다. 달리 언급이 없는 한, 이들 잔기는 바람직하게는 1 내지 20개의 탄소 원자를 포함한다.
본 명세서에 기재된 "치환된 히드로카르빌" 잔기는 탄소 쇄 원자가 헤테로 원자, 예컨대, 질소, 산소, 규소, 인, 붕소, 황 또는 할로겐 원자로 치환된 잔기를 포함하여, 탄소 이외의 하나 이상의 원자로 치환된 히드로카르빌 잔기이다. 치환기로는 할로겐, 헤테로시클로, 알콕시, 알켄옥시, 알킨옥시, 아릴옥시, 히드록시, 보호된 히드록시, 케토, 아실, 아실옥시, 니트로, 아미노, 아미도, 니트로, 시아노, 티올, 케탈, 아세탈, 에스테르, 에테르 및 티오에테르가 포함된다.
용어 "헤테로원자"는 탄소 및 수소 이외의 원자를 의미한다.
본원에 기술된 "헤테로치환된 메틸" 잔기는 탄소 원자가 1종 이상의 이종원자에 그리고 임의로 수소와 공유 결합된 메틸기이며, 이때 이종원자는, 예를 들면, 질소, 산소, 규소, 인, 붕소, 황, 또는 할로겐 원자이다. 이종원자는, 이로써, 다른 원자들로 치환되어 헤테로시클로, 알콕시, 알케녹시, 알키녹시, 아릴옥시, 히드록시, 보호된 히드록시, 옥시, 아실옥시, 니트로, 아미노, 아미도, 티올, 케탈, 아세탈, 에스테르 또는 에테르 잔기를 형성할 수 있다.
본원에 기술된 "헤테로치환된 아세테이트" 잔기는 메틸기의 탄소가 1종 이상의 이종원자에 그리고 임의로 수소와 공유 결합된 아세테이트이며, 이때 이종원자는, 예를 들면, 질소, 산소, 규소, 인, 붕소, 황, 또는 할로겐 원자이다. 이종원자는, 이로써, 다른 원자들로 치환되어 헤테로시클로, 알콕시, 알케녹시, 알키녹시, 아릴옥시, 히드록시, 보호된 히드록시, 옥시, 아실옥시, 니트로, 아미노, 아미도, 티올, 케탈, 아세탈, 에스테르 또는 에테르 잔기를 형성할 수 있다.
달리 언급이 없는 한, 본 명세서에 기재된 알킬기는 바람직하게는 주쇄에 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하고, 20개 이하의 탄소 원자를 함유하는 저급 알킬이다. 이들은 직쇄 또는 분지쇄 또는 시클릭일 수 있으며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 헥실 등을 포함한다.
달리 언급이 없는 한, 본 명세서에 기재된 알케닐기는 바람직하게는 주쇄에 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하고, 20개 이하의 탄소 원자를 함유하는 저급 알케닐이다. 이들은 직쇄 또는 분지쇄 또는 시클릭일 수 있으며, 에테닐, 프로페닐, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, 헥세닐 등을 포함한다.
달리 언급이 없는 한, 본 명세서에 기재된 알키닐기는 바람직하게는 주쇄에 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하고, 20개 이하의 탄소 원자를 함유하는 저급 알키닐이다. 이들은 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 이소부티닐, 헥시닐 등을 포함한다.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "아릴" 또는 "ar"는 임의로 치환된 호모시클릭 방향족 기, 바람직하게는 고리 부분에 6 내지 12개의 탄소를 함유하는 모노시클릭 또는 비시클릭 기, 예컨대, 페닐, 비페닐, 나프틸, 치환된 페닐, 치환된 비페닐 또는 치환된 나프틸을 나타낸다. 페닐 및 치환된 페닐이 보다 바람직한 아릴이다.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "할라이드", "할로겐" 또는 "할로"는 염소, 브롬, 불소 및 요오드를 지칭한다.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "헤테로시클로" 또는 "헤테로시클릭"은 하나 이상의 고리에 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 각 고리에 5 내지 6개의 원자를 갖는, 임의로 치환된, 완전히 포화 또는 불포화된, 모노시클릭 또는 비시클릭, 방향족 또는 비방향족 기를 나타낸다. 헤테로시클로기는 바람직하게는 고리에 1 또는 2개의 산소 원자, 1 또는 2개의 황 원자, 및/또는 1 내지 4개의 질소 원자를 갖고, 탄소 또는 헤테로원자를 통해 분자의 나머지 부분에 결합할 수 있다. 헤테로시클로의 예로는 헤테로방향족, 예컨대, 푸릴, 티에닐, 피리딜, 옥사졸릴, 피롤릴, 인돌릴, 퀴놀리닐 또는 이소퀴놀리닐 등이 포함된다. 치환기의 예로는 다음 기 중 하나 이상이 포함된다: 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 케토, 히드록시, 보호된 히드록시, 아실, 아실옥시, 알콕시, 알켄옥시, 알킨옥시, 아릴옥시, 할로겐, 아미도, 아미노, 니트로, 시아노, 티올, 케탈, 아세탈, 에스테르 및 에테르.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "헤테로방향족"은 하나 이상의 고리에 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는, 각 고리에 5 내지 6개의 원자를 갖는 임의로 치환된 방향족 기를 나타낸다. 헤테로방향 족 기는 바람직하게는 고리에 1 또는 2개의 산소 원자, 1 또는 2개의 황 원자, 및/또는 1 내지 4개의 질소 원자를 갖고, 탄소 또는 헤테로원자를 통해 분자의 나머지 부분에 결합할 수 있다. 헤테로방향족의 예로는 푸릴, 티에닐, 피리딜, 옥사졸릴, 피롤릴, 인돌릴, 퀴놀리닐 또는 이소퀴놀리닐 등이 포함된다. 치환기의 예로는 다음 기 중 하나 이상이 포함된다: 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 케토, 히드록시, 보호된 히드록시, 아실, 아실옥시, 알콕시, 알켄옥시, 알킨옥시, 아릴옥시, 할로겐, 아미도, 아미노, 니트로, 시아노, 티올, 케탈, 아세탈, 에스테르 및 에테르.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "아실"은 유기 카르복실산의 기 -COOH로부터 히드록시기를 제거함으로써 형성된 잔기, 예를 들어, RC(O)- (여기서, R은 R1, R1O-, R1R2N- 또는 R1S-이고, R1은 히드로카르빌, 헤테로치환된 히드로카르빌 또는 헤테로시클로이고, R2는 수소, 히드로카르빌 또는 치환된 히드로카르빌임)를 나타낸다.
본 명세서에서 단독으로 또는 다른 기의 일부로 사용되는 것으로서 용어 "아실옥시"는 상기한 바와 같이 산소 연결 (-O-)을 통해 결합된 아실기, 예를 들어, RC(O)O- (여기서, R은 용어 "아실"과 관련하여 정의된 바와 같음)를 나타낸다.
달리 언급이 없는 한, 본 명세서에 기재된 알콕시카르보닐옥시 잔기는 저급 탄화수소, 치환된 탄화수소 또는 치환된 탄화수소 잔기를 포함한다.
달리 언급이 없는 한, 본 명세서에 기재된 카르바모일옥시 잔기는 아민 수소 의 하나 또는 둘 다가 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌 또는 헤테로시클로 잔기로 임의로 치환된 카르밤산의 유도체이다.
본 명세서에서 사용되는 것으로서 용어 "히드록시 보호기"는 유리 히드록시기("보호된 히드록시")를 보호할 수 있고, 이러한 보호가 이용되는 반응에 후속하여, 분자의 나머지 부분을 방해함 없이 제거될 수 있는 기를 의미한다. 히드록시 보호기의 예로는 에테르 (예를 들어, 알릴, 트리페닐메틸 (트리틸 또는 Tr), 벤질, p-메톡시벤질 (PMB), p-메톡시페닐 (PMP)), 아세탈 (예를 들어, 메톡시메틸 (MOM), β-메톡시에톡시메틸 (MEM), 테트라히드로피라닐 (THP), 에톡시 에틸 (EE), 메틸티오메틸 (MTM), 2-메톡시-2-프로필 (MOP), 2-트리메틸실릴에톡시메틸 (SEM)), 에스테르 (예를 들어, 벤조에이트 (Bz), 알릴 카르보네이트, 2,2,2-트리클로로에틸 카르보네이트 (Troc), 2-트리메틸실릴에틸 카르보네이트), 실릴 에테르 (예를 들어, 트리메틸실릴 (TMS), 트리에틸실릴 (TES), 트리이소프로필실릴 (TIPS), 트리페닐실릴 (TPS), t-부틸디메틸실릴 (TBDMS), t-부틸디페닐실릴 (TBDPS)) 등이 포함된다. 히드록시기에 대한 각종 보호기 및 그의 합성은 문헌["Protective Groups in Orgarnic Synthesis" by T.W. Greene and P.G.M. Wuts, John Wiley & Sons, 1999]에서 찾을 수 있다.
본원에 사용된 "10-DAB"은 10-데아세틸박카틴 III을 의미하며; "Ac"는 아세틸 (즉, CH3C(O)-)을 의미하며; "ACN"은 아세토니트릴을 의미하며; "Bz"는 벤조일 (즉, C6H5C(O)-)을 의미하며; "BzCl"은 벤조일 클로라이드를 의미하며; "Cbz"는 카 르보벤질옥시를 의미하며; "DMAP"는 N,N-4-디메틸아미노피리딘을 의미하며; "EtOAc"는 에틸 아세테이트를 의미하며; "LHMDS"는 리튬 헥사메틸디실라지드를 의미하며; "NaHMDS"는 소듐 헥사메틸디실라지드를 의미하며; "Ph"는 페닐을 의미하며; "t-Boc"는 tert-부톡시카르보닐을 의미하며; "TEA"는 트리에틸아민을 의미하며; "THF"는 테트라히드로푸란을 의미하며; "TMSCl"은 트리메틸실릴 클로라이드을 의미하며; "TsOH"는 p-톨루엔술폰산을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 것으로서 용어"탁산"은 A, B 및 C 고리 (고리 위치의 번호체계를 본 명세서에 나타냄)를 함유하는 화합물을 의미한다.
Figure 112008001949825-PCT00017
하기 실시예는 본 발명을 예시한 것이다.
실시예 1: 트리메틸실릴 2-( 트리메틸실릴옥시 )아세테이트의 제조
Figure 112008001949825-PCT00018
트리메틸실릴 2-(트리메틸실릴옥시)아세테이트는 많은 판매자로부터 입수가능하다. 그러나, 이것은 피리딘 2 당량의 존재 하에 글리콜산 (알드리치(Aldrich)사로부터 입수, $75/Kg) 및 트리메틸실릴 클로라이드 (알드리치(Aldrich)사로부터 입수, $80/Kg)로부터 용이하게 제조될 수 있다. 전형적으로, 글리콜산 (76.05 g, 1 mol)을 건조 피리딘 (164 mL, 2 mol) 중에 용해시킨 다음, 혼합물을 빙수욕에서 교반하면서 0 내지 5℃로 냉각시켰다. 순수 트리메틸실릴 클로라이드 (108.64 g, 1 mol)를 적가하여 40℃ 미만으로 발열을 제어하였다. 피리디늄 클로라이드를 자유 유동성 고체로서 침전시켰다. 헵탄 (500 mL)을 가하여 교반을 촉진하였다. 순수 트리메틸실릴 클로라이드를 추가로 1당량을 가하고, 반응이 완결될 때까지 30분 동안 22 내지 40℃ 주변 온도에서 혼합물을 교반하였다. 혼합물을 헵탄 (1L)으로 추가로 희석하고, 염이 침전되어 나오도록 하였다. 헵탄층을 매질 다공성 인라인 필터를 통해 회전 증발기 내로 사이퍼닝(siphoning)하고, 농축시켜 트리메틸실릴 2-(트리메틸실릴옥시)아세테이트의 투명한 오일 (215 g, 0.98 mol)을 수득하였다. 이를 6 내지 8 mmHg의 진공 하에 70 내지 75℃에서 회전 증발기로 증발시켰다.
실시예 1A
Figure 112008001949825-PCT00019
하트(Hart) 등에 의해 보고된(Chem. Rev. 1989, 89, 1447-1465), 리튬 에놀레이트 (트리메틸실릴-(트리메틸실릴옥시)아세테이트를 리튬헥사메틸디실라지드로 처리함으로써 제조됨)와 트리메틸실릴벤즈알디민 (알데히드 (하기 1a-f) 및 리튬 헥사메틸디실라지드로부터 동일 계내에서 생성됨)의 반응을 시험한 결과, 에놀레이트 분해가 0 내지 5℃에서 이민과의 반응에서보다 신속하게 일어났다. 에놀레이트의 반응 온도를 -25℃로 낮추고, 과량 (예를 들어, 2 당량)의 에놀레이트를 사용함 으로써 이러한 문제점의 해결책을 알아냈다.
따라서, 벤즈알데히드 (5.3 g, 0.05 mol)를 0℃에서 THF (150 mL 0.15 mol) 중 LHMDS의 1.0 M 용액에 가하고, 혼합물을 30분 동안 교반한 후, -30 내지 -25℃로 냉각시켰다. 반응 온도가 -30℃에 이르면, THF 중 트리메틸실릴 2-(트리메틸실옥시)아세테이트 에스테르 (22.0 g, 0.1 mol, 2 당량)의 1M 용액을 적가하여 발열을 제어함으로써 반응 온도를 -25℃ 미만으로 유지하였다. 혼합물을 이 온도에서 1시간 동안 교반한 후, -5 내지 0℃로 가온하였다. 혼합물을 이 온도에서 18시간 동안 교반하였다. 혼합물을 중탄산나트륨 (100 mL)의 포화 용액으로 켄칭하고, 1-부탄올 (500 mL)로 추출하였다. 1-부탄올을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 주변 온도에서 약 1시간 동안 메탄올 (75 mL) 및 탄산나트륨 (0.5 g, 0.005 mol) 중에 용해시켰다. 그 다음, 반응 혼합물을 아세트산 (0.6 g, 0.010 mol), 트리에틸아민 (2 g, 0.02 mol)로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 100 mL로 희석하였다. 혼합물을 실리카겔 (50 g) 패드를 통해 여과하고, 결정이 형성될 때까지 40℃에서 회전 증발기로 여액을 농축시켰다. 혼합물을 30분 동안 빙욕에서 0℃로 냉각시키고, 결정을 진공 여과를 통해 수합하고, 차가운 에틸 아세테이트로 세척하고, 일정 중량까지 건조시켜 4.13 g(50% 수율)의 백색 분말을 수득하였다.
실시예 2: 3-히드록시-4-치환된- 아제티딘 -2-온의 제조
THF (100 mL, 0.1 mol) 중 LHMDS의 1M 용액을 0℃로 냉각시키고, 실시예 1에서와 같이 제조한 THF 중 트리메틸실릴 2-(트리메틸실릴옥시)아세테이트 (22.0 g, 0.1 mol)의 1M 용액을 적가하여 발열을 제어하고, 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하였 다. 이 용액에 트리메틸실릴 클로라이드 1 당량을 가한 후, LHMDS 1당량 및 벤즈알데히드 1당량을 가하고, 14시간에 걸쳐 0 내지 15℃에서 교반하였다. 3-트리메틸실릴옥시 β-락탐 생성물이 정량 수득률에 있어서 5:1 cis:trans 비율로서 관찰되었다(반응 혼합물의 HNMR을 통해). 이 방법을 하기 반응식 6에 나타냈다.
Figure 112008001949825-PCT00020
실릴 에테르의 가메탄올 분해는 촉매량의 탄산나트륨으로 주변 온도에서 15분 내에 용이하게 달성되며, 아세테이트로부터 농축시켜 목적 생성물인 cis-히드록시-4-치환된-β-락탐을 에틸 48% 단리 수율로 결정화시켰다.
실시예 3: 3-히드록시-4- 티에닐 - 아제티딘 -2-온의 제조
전형적으로, 질소 하에 리튬 헥사메틸디실라지드 (140 mL, 0.14 mol)의 1.0 M THF 용액을 THF (140 mL)로 희석하고, 빙수욕에서 0 내지 5℃로 냉각시켰다. 트리메틸실릴 2-(트리메틸실릴옥시)아세테이트 (33.4 g, 0.14 mol)를 20분에 걸쳐 적가하였다. 에놀레이트 용액에 트리메틸실릴클로라이드 (17.7 mL, 0.14 mol)을 가하고, 5분 동안 교반한 후, THF (100 mL, 0.10 mol) 중 LHMDS 용액의 두번째 부분을 10분에 걸쳐 가하였다. 이 용액에 2-티오펜카르복스알데히드 (11.2 g, 0.1 mol)를 15 내지 20분에 걸쳐 적가하여, 발열을 5℃ 미만으로 제어하였다. 이 용액을 이민의 소멸이 완료되는 시간인 14시간에 걸쳐 0 내지 5℃에서 교반하였다.
반응물을 빙초산 (6 g, 0.10 mol)으로 중화시키고, 에틸 아세테이트 (400 mL)로 희석하고, 2-L 분별 깔대기에 옮겼다. 혼합물을 물 (100 mL) 및 염수 (100 mL)로 세척하였다. 유기층을 황산나트륨 상에서 건조시키고, 실리카겔 패드를 통해 여과하고, 농축시켜 황색의 고체를 수득하였다. 고체를 메탄올 (300 mL) 중에 용해시키고, 고체 Na2CO3 (1.0 g) 및 혼합물을 주변 온도에서 15분 동안 교반하였다. 2:1 에틸 아세테이트:헥산으로 용리시켜 TLC로 모니터링한 결과, 무-극성 TMS-에테르 (Rf=0.7)가 극성 생성물 (Rf=0.25)로 완전히 전환되었음 알 수 있었다. 반응을 빙초산 (0.6 mL)으로 켄칭하고, 혼합물을 고체로 농축시켰다. 고체를 고온의 에틸 아세테이트 (500 mL) 중에 용해시키고, 불용성 염을 실리카겔 패드를 통해 여과해 내었다. 여액을 40℃에서 회전 증발 하에 약 40mL 부피로 농축시켜, 결정 형성을 유발시켰다. 혼합물을 주변 온도에 이르게 하고, 백색 분말의 결정 (8.13 g, 0.048 mol, 48% 수율)을 수합하였다. 또한, 반응은 실시예 4에 기재한 바와 같이, 중탄산나트륨으로 켄칭하고, 1-부탄올 및 에틸 아세테이트로 추출하는 경우, 원-팟(one-pot) 조작으로 편리하게 수행된다.
실시예 4: 각종 아제티딘 -2-온의 제조
케텐 아세탈 트리스(트리메틸실릴옥시)에텐은 시판되는 화합물이며, 하기 반응식 7에 나타낸 바와 같이, 각종 알데히드로부터 출발하는 β-락탐의 합성에 사용될 수 있다. 따라서, 벤즈알데히드를 0℃에서 리튬 헥사메틸디실라지드의 THF 용액으로 처리했을 때, N-트리메틸실릴벤즈알디민이 리튬 트리메틸실라놀레이트 1 당량과 동시에 생성되었다. 이 혼합물을 케텐 아세탈과 함께 10 내지 15℃에서 14시간 동안 교반하여, 반응식 7의 반응과 유사하게 β-락탐을 형성하였다. 이러한 케텐 아세탈 반응은 본 발명자들이 조사한 각종 방향족 및 에놀화가능한 지방족에 걸쳐 일반적으로 발견되었고 (표 2 참조), 모든 경우에서 cis-β-락탐이 우세하게 생성되었다.
Figure 112008001949825-PCT00021
Figure 112008001949825-PCT00022
반응 조건을 최적화하기 위해, 케텐 아세탈을 가하기에 앞서 트리메틸실릴클로라이드 0.8 당량을 가하였다. 이러한 변경으로 생성물 β-락탐 a의 단리 수율이 66%로 증가하게 되었다(반응식 8). 따라서, 용이하게 입수가능한 벤즈알데히드 및 트리스(트리메틸실릴옥시)에텐으로 출발하는 단일 조작에서, 본 발명자들은 탁산의 합성에 중요한 중간체인 β-락탐을 고순도로 수득하였다.
Figure 112008001949825-PCT00023
하나의 실험에서, THF 중 LHMDS의 0.5 M 용액을 -10 내지 0℃로 냉각한 다음, 벤즈알데히드 1.0 당량을 15분에 걸쳐 가하여, 이민 반응의 발열 온도를 15℃ 미만으로 제어하였다. 반응 온도가 -10 내지 -5℃가 되었을 때, 순수 트리스(트리메틸실릴)에텐 (1.2 당량)을 가하였다. 혼합물을 이 온도에서 14시간 동안 교반하였다. 반응 완료 여부는 이민의 소멸에 대하여 HNMR로 모니터링하였다. 반응이 완료되었을 때, 트리메틸실릴 클로라이드 (1 당량)을 가하여, 리튬 트리메틸실라놀레이트를 휘발성 헥사메틸디실록산으로 전환시켰다. 반응물을 반응 혼합물의 1/10 부피의 물로 2회 세척하여 리튬 클로라이드 염을 제거하였다. THF 용액에 촉매량의 1.0 M HCl을 가하고, TLC 분석 (EtOAc:헵탄, 3:1)으로 모니터링하면서, 중간체의 완전한 탈실릴화를 위해 2시간 동안 교반하여 생성물 (Rf = 0.2)을 수득하였다. 반응 중의 염산을 트리에틸아민으로 켄칭하고, 혼합물을 실리카겔 패드를 통해 여과한 후, 회전 증발 하에 THF를 에틸 아세테이트로 교환하였다. 백색 고체의 결정을 수합하고, 차가운 에틸 아세테이트로 세척하였다. β-락탐 a: 융점: 140 내지 145℃; 1H NMR (400 MHz, CDCl3) (ppm): 2.26 (d, J=9.4 Hz, 1H), 4.96 (d, J=4.96 Hz, 1H, 5.12 (m, 1H), 4.15 (bm, 1H), 7.41 (m, 5H).
또 다른 실험에서, 벤즈알데히드를 0℃에서 LHMDS (100 mL, 0.1 mol)의 1.0 M THF 용액에 가하고, 혼합물을 15분 동안 교반한 후, TMSCl (10 mL, 0.08 mol)를 가하였다. 이 용액에 트리스(트리메틸실릴옥시)에틸렌 (40 mL, 0.12 mol)을 가하고, 혼합물을 24시간에 걸쳐 -10 내지 -5℃에서 교반하였다. 혼합물을 2시간에 걸 쳐 주변 온도로 가온하고, 포화 중탄산나트륨 (25 mL)으로 켄칭하고, 주변 온도에서 30분 동안 교반한 후, 층을 분리하였다. 수성층을 1-부탄올 (200 mL)로 역 추출하고, 유기층을 합하고, 염수 (50 mL)로 세척한 후, 황산나트륨 상에서 건조시키고, 실리카겔 패드를 통해 여과하고, 농축시켜 고체를 수득하였다. 고체를 고온의 에틸 아세테이트 (800 mL) 중에 용해시키고, 불용성 고체를 실리카겔 패드를 통해 여과해 내었다. 여액을 40℃에서 회전 증발 하에 약 15mL 부피로 농축시켜, 결정 형성을 유발시켰다. 혼합물을 주변 온도에 이르게 하고, 백색 분말로서 결정 (10.73 g, 0.025 mol, 66% 수율)을 수합하였다. β-락탐 a: 융점: 140 내지 145℃; 1H NMR (400 MHz, CDCl3) (ppm): 2.26 (d, J=9.4 Hz, 1H), 4.96 (d, J=4.96 Hz, 1H, 5.12 (m, 1H), 4.15 (bm, 1H), 7.41 (m, 5H).
실시예 5: 트리메틸실릴 2-( 트리메틸실릴옥시 )아세테이트
Figure 112008001949825-PCT00024
글리콜산 (91.2 g, 2.4 mol)을 질소 하에, 환류 응축기에서 기계적으로 교반하면서 피리딘 (194 g, 2.45 mol) 및 아세토니트릴 (600 mL) 중에 용해시켰다. 트리메틸실릴클로라이드 (TMSCl, 260 g, 2.4 mol)를 추가 깔대기를 통해 30분에 걸쳐 가하였다. 혼합물을 30분 동안 교반하고, 헥산 (250 mL)을 가한 후, 상을 분리하였다. 하부 층에 제2 로트의 헥산 (100 mL)을 가하고, 5분 동안 격렬하게 교반하였다. 그 다음, 상을 분리하고, 헥산층을 합하고, 30℃에서 회전 증발 하에 농축 시켜 알려진 아세테이트 240 g (91% 수율)을 수득하였다.
실시예 6: 트리스(트리메틸실록시)에탄
Figure 112008001949825-PCT00025
LHMDS (200 mL, 0.1 mol)의 0.5 M THF 용액에 0℃에서 트리메틸실릴-2-(트리메틸실록시)아세테이트 (23.9 mL, 0.1 mol)를 15분에 걸쳐 적가하고, 혼합물을 이 온도에서 추가로 15분 동안 교반하여 리튬 에놀레이트를 생성하였다. 트리메틸실릴 클로라이드 (12.5 mL, 0.1 mol)를 15분에 걸쳐 가하고, 트리스(트리메틸실록시)에텐 생성물로서 에놀레이트를 트랩핑하였다. 혼합물을 주변 온도에 이르게 하고, THF 용매를 40℃에서 진공 회전 증발로 제거하여, 리튬 클로라이드로 침전시켰다. 혼합물을 헥산 300 mL 및 트리에틸아민 5 mL 중에 용해시키고, 5분 동안 교반하고, 염이 침강되도록 하였다. 상등액을 규조토 패드를 통해 2회 여과하여 투명한 용액을 수득하였다. 이 용액을 회전 증발 하에 농축시켜, 연황색 오일 생성물을 수득하였다. 용액을 회전 증발 하에 농축시켜, 시판 생성물과 동일한 연황색 오일 생성물을 수득하였다. 비점 = 1 mmHg에서 90℃.
실시예 7: N- 트리메틸실릴 -3- 트리메틸실록시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00026
트리메틸실릴-2-트리메틸실록시-아세테이트로부터 이전에 보고되지 않은 N-트리메틸실릴 베타-락탐의 원-팟(one-pot) 합성 방법이 극저온의 냉각을 필요로 하지 않는 효율적이고 경제적인 방법임을 발견하였다. 건조 1,2-디메톡시에탄 (505 mL) 중 헥사메틸디실라잔 (390 g, 2.42 mol)의 자성 교반 용액에, 0℃에서 질소 하에 순환 냉각 장치를 사용하여, n-부틸리튬 (840 mL, 2.1 mol)의 2.5M용액을 발열 반응 온도를 30℃ 미만으로 제어하기 위한 속도로 (45분에 걸쳐) 가하여, 동일 계내에서 목적하는 LHMDS 염기를 생성하였다. LHMDS 용액 온도가 10℃ 미만에 이르게 되었을 때, TMSCl (119.5 g, 1.1 mol) 및 트리메틸실릴-2-(트리메틸실록시)아세테이트 (240 g, 1.1 mol)의 순수 혼합물을 15분에 걸쳐 가하여, 동일 계내에서 트리스(트리메틸실록시)에텐을 수득하였다. 그 다음, 순수 벤즈알데히드 (106.12 g, 1.0 mol)를 발열 반응 온도를 25℃ 미만으로 제어하기 위한 속도로 가하여 동일 계내에서 N-트리메틸실릴-벤즈알디민을 수득하였다. 1HNMR 모니터링 결과가 5.4 ppm (CDCl3)에서 케텐 아세탈 공명의 소멸이 12시간의 반응 후에 발생하였다는 것을 나타낼 때까지, 혼합물을 주변 온도 (22℃)에서 반응하도록 하였다. 발열 반응 온도를 22℃미만으로 유지하면서, 반응 혼합물을 트리메틸클로로실란 (TMSCl, 108.64 g, 1.0 mol), 트리에틸아민 (25.3 g, 0.25 mol), 이어서 다음 아세트산 (6.0 g, 0.1 mol)으로 켄칭하였다. 혼합물을 헥산 (500 mL)으로 희석하고, 생성된 리튬 클로라이드 염을 셀라이트(200 g) 패드를 통해 여과해 낸 다음, 필터 케이크를 헥산 (250 mL)으로 세척하였다. 여액을 회전 진공 증발 하에 농축시켜 잔류물을 얻었다. 잔류물을 헥산 (500 mL) 중에 용해시키고, -25℃에서 유지되도록 하여 결정 형성을 유발시켰다. 백색 결정을 진공 여과로 수합하고, 차가운 -20℃ 헥산 (200 mL)으로 세척하고, 일정 중량까지 152 g으로 건조시켰다. 여액을 농축시켜 잔류물을 얻고, 헥산 (200 mL) 중에 용해시키고, 이전에서와 같이 재결정화하여 두번째 수득물로서 32 g을 수득하였다. HNMR 분석 후에 수득물을 합하여 (184 g, 60% 수율), 순수 cis-N-트리메틸실릴-3-트리메틸실록시-4-페닐-아제티딘-2-온이 되도록 하였다. 융점: 53 내지 55℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.11 (s, 9H), 0.14 (s, 9H), 4.63 (d, J=5.01 Hz,1H), 5.06 (d, J=5.01 Hz,1H), 7.31 (m, 5H).
실시예 8: cis -3- 트리메틸실록시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00027
헥산 (600 mL) 중 N-트리메틸실릴-3-트리메틸실록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (140 g, 0.46 mol)의 용액에, 주변 온도에서 트리에틸아민 (101 g, 1 mol), 메탄올 (22 g, 0.7 mol)을 가하고, 혼합물을 15분 동안 교반하여 N-탈실릴화된 생성물이 결정 형성되었다. 혼합물을 15분 동안 0℃로 냉각시키고, 백색 결정을 진공 여과로 수합하고, 차가운 헥산으로 세척한 후, 일정 중량 94 g (87% 수율)으로 건조시 켰다. 융점: 118 내지 120℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): -0.08 (s, 9H), 4.79 (d, J=4.4 Hz, 1H), 5.09 (dd, J=4.4, 2.7 Hz, 1H), 6.16 (bm, 1H), 7.3 내지 7.4 (m, 5H).
실시예 9: cis -3-히드록시-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00028
메탄올 (500 mL) 중 N-트리메틸실릴-3-트리메틸실록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (150 g, 0.49 mol)의 불균질 용액에 촉매량의 트리메틸클로로실란 (1.08g, 1 mmol)을 가하고, 혼합물을 주변 온도에서 교반하여 투명한 용액을 수득하였다. 에틸 아세테이트 및 헥산 (3:1)으로 용리시켜 반응물을 박층 크로마토그래피 (TLC)로 모니터링한 결과, 완전한 전환이 15분 후에 달성되었음을 알 수 있었다. 반응 혼합물을 트리에틸아민 (10.1 g, 0.1 mol) 으로 켄칭하고, 결정이 형성될 때까지 메탄올을 40℃에서 회전 증발시켜 제거하였다. 에틸 아세테이트 (300 mL)를 가하고, 계속하여 증발시켜 잔류 메탄올을 제거하여 진한 슬러리를 수득한 후, 20분 동안 0 내지 5℃로 냉각시켰다. 백색 결정을 진공 여과를 통해 수합한 후, 차가운 0℃ 에틸 아세테이트 (75 mL)로 세척하고, 일정 중량까지 건조시켜 전술한 목적 생성물을 75 g (94% 수율) 얻었다.
실시예 10: 1-( 트리에틸실릴옥시 )-1,2- 비스(트리메틸실릴옥시)에탄
Figure 112008001949825-PCT00029
THF (100 mL) 중 디이소프로필아민 (15.5 mL, 0.11 mol)의 용액에, -78℃에서 n-부틸 리튬 (70 mL, 0.11 mol)의 1.6 M 헥산 용액을 15분에 걸쳐 가하였다. 이 온도에서 추가로 15분 동안 교반한 후, 트리에틸실릴클로라이드 (16.7 mL, 0.1 mol)를 10분에 걸쳐 가한 다음, 트리메틸실릴-2-(트리메틸실록시)아세테이트 (24.4 mL, 0.1 mol)를 30분에 걸쳐 가하였다. 반응물을 -78℃에서 30분 동안 교반하고, 극저온 욕을 제거하여 주변온도에 이르게 하였다. THF 용매를 40℃에서 진공 회전 증발로 제거하여 리튬 클로라이드를 침전시켰다. 혼합물을 헥산 300 mL 및 트리에틸아민 5 mL 중에 용해시키고, 5분 동안 교반하고, 염이 침강되도록 하였다. 상등액을 규조토 패드를 통해 2회 여과하여 투명한 용액을 수득하였다. 용액을 회전 증발 하에 농축시켜, 기하 이성질체 (4:1)의 혼합물로서 연황색 오일 생성물을 수득하였다.
실시예 11: 트리에틸실릴 -2-( 트리에틸실릴옥시 )아세테이트
Figure 112008001949825-PCT00030
글리콜산 (76.05 g, 1 mol)을 건조 피리딘 (164 mL, 2 mol)에 용해시키고, 혼합물을 교반하면서 빙수욕에서 냉각시켰다. 순수 트리에틸실릴 클로라이드 (115 g, 1 mol)를 적가하여 발열을 40℃ 미만으로 제어하였다. 피리디늄 클로라이드를 자유 유동성 고체로서 침전시켰다. 헵탄 (500 mL)을 가하여 교반을 촉진하였다. 순수 트리메틸실릴클로라이드를 추가로 1당량 가하고 반응이 완결될 때까지 30분 동안 주변 온도 (22 내지 40℃)에서 혼합물을 교반하였다. 혼합물을 헵탄 (1L)으로 추가로 희석하고, 염이 침전되어 나오도록 하였다. 헵탄층을 매질 다공성 인라인 필터를 통해 회전 증발기 내로 사이퍼닝하고, 농축시켜 트리에틸실릴-2-(트리에틸실릴옥시)아세테이트 에스테르의 투명한 오일 (215 g, 0.98 mol)을 수득하였다. 오일을 진공 증류로 추가로 정제하였다. 비점: 128 내지 130℃, 1.5 mmHg. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.64 (q, J=8.04 Hz, 6H) 0.78 (q, J=8.04, 6H), 0.97 (t, J=8.04, 2x9H), 4.2 (s, 2H).
실시예 12: 트리스(트리에틸실록시)에탄
Figure 112008001949825-PCT00031
에스테르를 0.5 M THF (200 mL, 0.1 mol) 용액에 15분에 걸쳐 가하고, 혼합물을 이 온도에서 추가로 15분 동안 교반하여 리튬 에놀레이트를 생성하였다. 트리에틸실릴 클로라이드 (16.7 mL 0.1 mol)를 15분에 걸쳐 가하여 트리스(트리에틸실록시)에텐 생성물로서 에놀레이트를 트래핑하였다. 혼합물을 주변 온도에 이르게 하고, THF 용매를 40℃에서 진공 회전 증발로 제거하여 리튬 클로라이드를 침전시켰다. 혼합물을 헥산 300 mL 및 트리에틸아민 5 mL 중에 용해시키고, 염이 침강되도록 하면서 5분 동안 교반하였다. 상등액을 규조토 패드를 통해 2회 여과하여 투명한 용액을 수득하였다. 이 용액을 회전 증발 하에 농축시켜 연황색 오일 생성물을 수득하였다. 이 용액을 회전 증발 하에 농축시켜 연황색 오일 생성물을 수득하였다.
실시예 13: 1,2- 비스 ( 트리에틸실릴옥시 )-1-( 트리메틸실릴옥시 ) 에텐
Figure 112008001949825-PCT00032
THF (100 mL) 중 디이소프로필아민 (15.5 mL, 0.11 mol)의 용액에, -78℃에서 n-부틸 리튬 (70 mL, 0.11 mol)의 1.6 M 헥산 용액을 15분에 걸쳐 가하였다. 이 온도에서 추가로 15분 동안 교반한 후, 트리에틸실릴클로라이드 (16.7 mL, 0.1 mol)를 10분에 걸쳐 가한 다음, 트리에틸실릴-2-(트리에틸실록시)아세테이트 (37.6 g, 0.1 mol)를 30분에 걸쳐 가하였다. 반응물을 -78℃에서 30분 동안 교반하고, 극저온 욕을 제거하여 주변온도에 이르게 하고, THF 용매를 40℃에서 진공 회전 증발로 제거하여 리튬 클로라이드를 침전시켰다. 혼합물을 헥산 300 mL 및 트리에틸아민 5 mL 중에 용해시키고, 5분 동안 교반하고, 염이 침강되도록 하였다. 상등액을 규조토 패드를 통해 2회 여과하여 투명한 용액을 수득하였다. 이 용액을 회전 증발 하에 농축시켜, 기하 이성질체의 1:1 혼합물로서 연황색 오일 생성물을 수득하였다.
실시예 14: cis -3- 트리에틸실록시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00033
건조 1,2-디메톡시에탄 (50 mL) 중 헥사메틸디실라잔 (39 g, 0.242 mol)의 자성 교반 용액에, 0℃에서 질소 하에 순환 냉각 장치를 사용하여, n-부틸리튬 (84.0 mL, 0.21 mol)의 2.5M용액을 발열 반응 온도를 30℃ 미만으로 제어하기 위한 속도로 (15분에 걸쳐) 가하여, 동일 계내에서 목적하는 LHMDS 염기를 생성하였다. LHMDS 용액 온도가 -30℃ 미만에 이르게 되었을 때, TMSCl (12 g, 0.11 mol) 및 트리에틸실릴-2-(트리에틸실록시)아세테이트 (33.5 g, 0.11 mol)의 순수 용액을 15분에 걸쳐 가하여, 동일 계내에서 1,2-비스(트리에틸실릴옥시)-1-(트리메틸실릴옥시)에텐을 기하 이성질체 (6:1)로서 수득하였다. 그 다음, 순수 벤즈알데히드 (10.6 g, 0.10 mol)를 발열 반응 온도를 -25℃ 미만으로 제어하기 위한 속도로 가하여, 동일 계내에서 N-트리메틸실릴-벤즈알디민를 수득하였다. 헥산 용매를 진공 하에 제거하고, 1HNMR 모니터링 결과가 5.43 ppm (CDCl3)에서 케텐 아세탈 공명의 소멸이 14시간의 반응 시간 후 발생하였다는 것을 나타낼 때까지, 혼합물을 주변 온도 (22℃)에서 반응하도록 하였다. 발열 반응 온도를 22℃미만으로 유지하면서, 반응 혼합물을 트리메틸클로로실란 (TMSCl, 10.8 g, 1.0 mol), 트리에틸아민 (2.53 g, 0.025 mol) 및 아세트산 (0.60 g, 0.01 mol)으로 켄칭하였다. 혼합물을 헥산 (50 mL)으로 희석하고, 생성된 리튬 클로라이드 염을 셀라이트 (20 g) 패드를 통해 여과해 낸 다음, 필터 케이크를 헥산 (25 mL)으로 세척하였다. 여액을 회전 진공 증발 하에 농축시켜 잔류물을 얻었다. 잔류물을 주변 온도에서 헥산 (50 mL), 트리에틸아민 (5 mL) 및 메탄올 중에 용해시키고, 15분 동안 교반하였다. 에틸 아세테이트 및 헥산 (2:1)으로 용리시켜 혼합물을 TLC 분석한 결과, 반응 시간의 10분 후에 목적 생성물(Rf=0.45)로의 완전한 전환이 이루어졌음을 알 수 있었다. 그 다 음, 혼합물을 에틸 아세테이트 (100 mL)로 희석하고, 실리카겔 패드 (25 g)를 통해 여과하고, 결정이 형성될 때까지 농축시켰다. 결정을 진공 여과를 통해 수합하고, 헥산으로 세척하고, 일정 중량까지 건조시켜 백색 자유 유동성 분말로서 7.68 g을 얻었다. 주변 온도에서 2시간 동안 방치시키고, 수거한 후 여액을 제2 수득물 2.8 g으로 수득하였다. 합한 수율은 38%였다. 융점: 98 내지 100℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.44 (m, 6H), 0.78 (t,J=8.0Hz, 9H), 4.80 (d, J=4.80, 1H), 5.08 (dd, 4.80, 2.80, 2H), 6.18 (bs, 1H), 7.28 내지 7.38 (m, 5H).
실시예 15: cis -N-t- 부톡시카르보닐 -3-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00034
라세미 cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (100 g, 0.61 mol)을 주변 온도에서 약 25 mL/g로 THF (2.7 L) 중에 용해시킨 다음, -10 내지 -15℃로 냉각시켰다. TsOH 일수화물 촉매 (3.5 g, 0.018 mol, 3 mol %)를 가한 다음, 2-메톡시-2-프로펜 (65 mL, 1.1 to 1.2 당량)을 적가하여 발열 반응을 제어하였다. 반응물을 TCL로 모니터링하고, 출발 물질이 소멸될 때까지 2-메톡시-2-프로펜 (2.9 mL)을 필요한 만큼 충전하였다. 트리에틸아민 (85 mL, 0.612 mol)을 가하여 TsOH 촉매를 켄칭하였다. 디-tert-부틸디카르보네이트 (160.5 g, 0.735 mol, 1.2 당량)를 DMAP (2.25 g, 0.018 mol, 3 mol%)와 함께 가하고, 반응이 완료될 때까지 주변 온도에서 반응을 진행시켰다. 혼합물을 사용된 THF와 거의 동일한 부피의 헵탄 (1.97 L)으로 희석하고, 실리카겔 (100 g) 층을 통해 여과하여 극성 촉매를 제거하였다. 필터 케이크를 에틸 아세테이트:헵탄 1:1 혼합물 1L로 세척하여 생성물이 완전히 회수되도록 하였다. 결정이 형성될 때까지 여액을 농축시켰다. 결정을 수합하고, 2% 트리에틸아민을 함유하는 빙냉 헵탄으로 세척하였다. 분말을 주변 온도 (22℃)에서 진공 하에 (0.1 mmHg), 일정 중량 161.0 g (0.48 mol, 78%)으로 건조시켰다. 융점: 90 내지 92℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.92 (s, 3H), 1.21 (s, 3H), 1.37 (s, 9H), 1.58 (s, 3H), 3.12 (s, 3H), 5.03 (d, J=5.69 Hz, 1H), 5.17 (d, J=5.69 Hz, 1H), 7.33 (m, 5H).
실시예 16: 라세미 cis -3- 트리메틸실릴옥시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00035
무수 디메톡시에탄 (200 mL) 중 헥사메틸디실라잔 (HMDS, 460 mL, 2.2 mol)의 용액에, 0℃에서 n-부틸리튬 (nBuLi, 800 mL, 2.0 mol)의 2.5 M 용액을 45분에 걸쳐 가하여, 반응 온도를 40℃ 미만으로 유지하였다. 첨가 후, 벤즈알데히드를 반응 혼합물에 1시간에 걸쳐 가하여 반응 온도를 40℃ 미만으로 유지하였다. 첨가가 완료된 후, 혼합물을 0℃로 냉각시키고, 트리스(트리메틸실록시)에탄 (643 g, 2.2 mol)을 가하고, 반응이 완료될 때까지 (12시간) 혼합물을 교반하였다. 반응 완료 여부는 출발 에텐 물질의 소멸에 의해 측정하였다. 반응 혼합물을 트리메틸 실릴클로라이드 (TMSCl, 217.28 g, 1.0 당량), 트리에틸아민 (50 mL) 및 아세트산 (20 mL)으로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 (1.0 L)로 희석하였다. 리튬 염을 소결 깔대기를 통해 여과해 내었다. 여액을 농축시켜 건조시켰다. 고체를 헵탄 (1.0 L) 중에 용해시키고, 20 내지 40℃에서 메탄올 (96 g, 1.5 당량)로 처리하여 생성물의 결정을 수득하였다. 고체 생성물을 부흐너(Buchner) 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 헵탄 중 차가운 15% 에틸 아세테이트로 세척하였다. 고체를 에틸 아세테이트 (1.5 L) 중에 용해시키고, 염수로 세척하고, 황산나트륨 (200 g) 상에서 건조시키고, 농축시켜 백색 분말을 수득하였다. 융점: 118 내지 120℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): -0.08 (s, 9H), 4.79 (d, J=4.4 Hz, 1H), 5.09 (dd, J=4.4, 2.7 Hz, 1H), 6.16 (bm, 1H), 7.3 내지 7.4 (m, 5H).
실시예 17: 라세미 cis -N-t- 부톡시카르보닐 -3- 트리메틸실릴옥시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00036
라세미 cis-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐-아제티딘-2-온 (11.5 g, 48.9 mmol)를 질소 하에 주변 온도에서 테트라히드로푸란 (THF, 250 mL) 중에 용해시키고, 디-tert-부틸디카르보네이트를 N,N-4-디메틸아미노피리딘 (DMAP, 0.185 g, 1.5 mmol)과 함께 가하고, 혼합물을 기체의 방출이 중단될 때까지 자성 교반하였다. 혼합물 을 실리카겔 (10 g) 층을 통해 여과하고, 회전 증발기로 농축시켜 백색 고체 생성물을 수득하였다. 생성물을 차가운 헵탄 (50 mL)으로 세척하고, 진공 여과로 수합하고, 진공 (0.2 mmHg)하에 주변 온도에서 일정 중량 12.3 g (75% 수율)으로 건조시켰다. 융점: 75 내지 77℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): -0.07 (s, 9H), 1.38 (s, 9H), 5.01 (d, J=5.6 Hz, 1H), 5.06 (d, J=5.6 Hz, 1H), 7.26 내지 7.38 (m, 5H).
실시예 18: 라세미 (±)- cis -N-t- 부톡시카르보닐 -3- 디페닐메틸실릴옥시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00037
THF (70 mL) 중 라세미 (±)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (4.5 g, 27.8 mmol)의 용액에, 질소 하에 트리에틸아민 (8.4 g, 83.4 mmol), DMAP (100 mg, 0.83 mmol)를 가하고, 0℃로 냉각시켰다. 디페닐메틸실릴 클로라이드 (7.1 g, 30.6 mmol)를 적가하고, 에틸 아세테이트 및 헵탄의 3:1 혼합물로 용리시켜 TLC 한 결과 출발 물질이 완전히 소멸할 때까지, 혼합물을 0℃에서 30분 동안 교반하였다. 디-tert-부틸디카르보네이트 (Boc2O, 6.68 g, 30.6 mmol)를 가하고, TLC (3:1 에틸 아세테이트:헵탄)에 나타난 결과, 목적 생성물로 완전히 전환되도록 혼합물을 주변 온도에서 3시간 동안 교반하였다. 혼합물을 헵탄 (150 mL)으로 희석하고, 실리카겔 (20 g)을 통해 여과한 후, 여액을 고체로 농축시켰다. 고체를 헵탄 (150 mL)으 로부터 재결정화하여 백색 분말 (9.5 g, 74%)을 수득하였다. 융점 98℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.46 (s, 3H), 1.39 (s, 9H), 4.94 (d, J=5.5 Hz, 1H), 5.04 (d, J=5.5 Hz, 1H), 7.2 내지 7.4 (m 15 H).
실시예 19: (±)- cis -3-히드록시-4-(2- 푸릴 )- 아제티딘 -2-온의 분해
(±)-cis-3-히드록시-4-(2-푸릴)-아제티딘-2-온 (500 g, 3.265 mol)을 p-톨루엔술포닐 클로라이드 (335.53 g, 1.76 mol) 및 1-메틸-이미다졸 (303.45 g, 3.7 mol) 0.5 당량의 존재 하에, -78℃에서 12시간 동안 N-t-Boc-L-프롤린 (378.83 g, 1.76 mol)로 처리하였다. 혼합물을 실리카겔 5 kg을 통해 여과하였다. t-Boc-L-프롤린 에스테르의 원하지 않는 (-)-β-락탐 거울상이성질체를 물로 처리하여 제거하였다. 원하는 거울상이성질체를 2-메틸-1-프로판올과 물을 공비 제거하여 회수하고, 에틸 아세테이트로부터 재결정화하여 원하는 (+)-cis-3-히드록시-4-(2-푸릴)-아제티딘-2-온을 수득하였다. 에틸 아세테이트로부터의 재결정 후, 광학 순도는 98% 초과였다. 융점: 133 내지 135℃; [[α]20D= +109.5 (MeOH, c=1.0), 1H NMR (400 MHz, CDCl3) (ppm): 2.69 (bs, 1H), 4.91 (d, J=4.96 Hz, 1H), 5.12 (bs, 1H), 6.10 (bs, 1H), 6.34 (dd, J=3.32, 3.32 Hz, 1H), 6.47 (d, J=3.32 Hz, 1H), 7.49 (m, 1H).
실시예 20: (±)- cis -3-히드록시-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온의 분해
(±)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (60 g, 0.368 mol)을 p-톨루엔술 포닐 클로라이드 (35 g, 0.184 mol) 및 1-메틸이미다졸 (45 mL, 0.56 mol) 0.5 당량의 존재 하에, -78℃에서 12시간 동안 N-cBz-L-프롤린 (45 g, 0.184 mol)로 처리하였다. 반응 혼합물을 농축하고, 실리카겔을 통한 여과로 1-메틸이미다졸리늄 토실레이트 염을 제거한 후, 원하는 부분입체이성질체를 에틸 아세테이트로부터 결정화하여, 백색 고체 14.5 g (48%)을 수득하였다. 이 프로토콜로 거울상이성질체 혼합물을 동력학적 분해하여 원하는 (+)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온을 얻었다. 에틸 아세테이트로부터 재결정화한 후, 광학 순도는 98% 초과였다. 융점: 175 내지 180℃; [[α]578 20 = +202 (MeOH, c=1.0), 1H NMR (400 MHz, CDCl3) (ppm): 2.26 (d, J=9.4 Hz, 1H), 4.96 (d, J=4.96 Hz, 1H), 5.12 (m, 1H), 4.15 (bm, 1H), 7.41 (m, 5H).
실시예 21: (±)- cis -3-히드록시-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온의 동력학적 분해
Figure 112008001949825-PCT00038
건조 250-mL 둥근 바닥 플라스크에 아세토니트릴 (50 mL) 및 1-메틸-이미다졸 (28 g, 0.2 mol)을 질소 하에 가하고, 혼합물을 0 내지 5℃로 냉각시켰다. 메탄술포닐 클로라이드 (MsCl, 17.44 g, 0.1 mol)를 혼합물에 서서히 가하여 발열 반응을 제어하였다. 반응 온도를 0 내지 5℃로 냉각시킨 후, N-cBz-L-프롤린 (25 g, 0.1 mol)을 가하고, 혼합물을 이 온도에서 30분 동안 교반하였다. 분별 3-L 플라스크에서 질소 하에, 라세미 (±)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (16.3 g, 0.1 mol)을 아세톤 (1 L) 중에 용해시키고, -65 내지 -78℃로 냉각시킨 후, 자성 교반하였다. 온도가 -65℃ 미만에 이르게 되었을 때, 프롤린 시약을 함유하는 플라스크의 함유물을 라세미 출발 물질의 아세톤 용액에 가하였다. 혼합물을 이 온도에서 최소 6시간 동안 유지한 후, 백색 침전물을 얻었다. 침전물을 침강시키고, 상등액을 침지 필터를 통해 진공 흡입으로 차가운 용액 (약 -45℃)으로서 회전 증발기에 옮겼다. 아세톤을 제거하고, 에틸 아세테이트 (500 mL) 및 트리에틸아민 (50 g, 5 당량) 염기로 교환하였다. 생성된 염을 여과해 내고, 여액을 약 100 mL으로 농축시켜, 결정을 형성시켰다. 결정을 부흐너 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 차가운 에틸 아세테이트로 세척한 후, 진공 (0.1 mmHg)하에 주변 온도에서 일정 중량까지 7.5 g (46% 수율)으로 건조시켰다.
동력학적 분해의 효율은 반응식 9에 따라 1HNMR을 통해 Boc-L-프롤린을 포함하는 베타-락탐의 부분입체이성질체 에스테르의 비율 (SSS:RRS)에 의해 측정하였다. 표 3에서, TsCl은 토실 클로라이드, Boc2O는 디-tert-부틸디카르보네이트, MsCl는 메실 클로라이드, MstCl는 메시틸 클로라이드이다.
Figure 112008001949825-PCT00039
Figure 112008001949825-PCT00040
실시예 22: (±)- cis -3-히드록시-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온의 전형적인 분해
Figure 112008001949825-PCT00041
상기 동력학적 분해의 대안으로서, 프롤린 에스테르의 부분입체이성질체 혼합물을 에틸 아세테이트로부터 재결정화를 통해 분리하였다. 프롤린 에스테르의 후속적 가수분해로 베타-락탐의 두 거울상이성질체를 얻고, 키랄성 아미노산을 회수하게 된다. 따라서, 아세토니트릴 (80 mL) 중 N-메틸-이미다졸 (12 g, 150 mmol)의 용액에 메탄술포닐 클로라이드 (MsCl, 5.7 g, 50 mmol)을 0℃에서 가하고, 발열 반응 온도가 0℃에서 안정하게 될 때까지 15분 동안 교반하였다. 이 용액에 N-Boc-L-프롤린 (11 g, 50 mmol)을 조금씩 가하고, 0℃에서 30분 동안 교반하였다. 라세미 (±)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (8.2 g, 50 mmol)을 조금씩 가하고, 혼합물을 이 온도에서, TLC 모니터링 (3:1/에틸 아세테이트:헥산) 한 결과가 1시간 후 에스테르 생성물로 완전히 전환되었음을 나타낼 때까지 교반하였다. 아세토니트릴 용매를 40℃에서 회전 증발로 제거하고, 잔류물을 에틸 아세테이트 (500 mL) 중에 용해시키고, 물 (100 mL), 포화 수성 중탄산나트륨, 염수로 세척하고 황산나트륨 상에서 건조시켰다. 건조제를 진공 여과로 제거하고, 여액을 농축시켜 고체 18 g을 수득하였다. 혼합물의 일부(7 g)를 40℃ 에틸 아세테이트 (60 mL) 중에 용해시키고, 40℃에서 결정 (1.5 g)을 형성하였다. 이 결정을 수합하여, (2S)-tert-부틸 (3R,4S)-2-옥소-4-페닐아제티딘-3-일 피롤리딘-1,2-디카르복실레이트의 원하는 3R,4S-부분입체이성질체를 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm):이 부분입체이성질체는, 출발 물질인 C3-카르비놀 양성자가 5.12 ppm에서의 다중선으로부터 에스테르화 생성물에서의 이중선의 이중 쌍 (J=4.68, 2.57 Hz)으로서 5.8 ppm으로 하향(downfield) 변화되는 특징적인 화학적 이동에 의해 유형화되는 바와 같이, NMR 타임스케일 상에서 부분입체이성질체의 1.7:1 (δ (ppm)5.84:5.87) 쌍으로 존재한다.
여액을 5시간 동안 주변 온도에서 유지하여, (2S)-tert-부틸 (3S,4R)-2-옥소-4-페닐아제티딘-3-일 피롤리딘-1,2-디카르복실레이트의 3S,4R-부분입체이성질체로 나타나는 결정 (2.4 g)의 두번째 형태를 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 이 부분입체이성질체는, 출발 물질인 C3-카르비놀 양성자가 5.12 ppm에서의 다중선으로부터 에스테르화 생성물에서의 이중선의 이중 쌍 (J=4.68, 2.57 Hz)으로서 5.9 ppm으로 하향 변화되는 특징적인 화학적 이동에 의해 유형화되는 바와 같이, NMR 타임스케일 상에서 부분입체이성질체의 1.7:1 (δ (ppm)5.90:5.94) 쌍으로 존재한다.
전통적인 열역학적 제어 분해와 동력학적 분해 간의 차이는 화학양론적 양의 시약이 사용되고, 철저한 낮은 온도 제어가 결정적으로 중요하지 않다는 점이다. 그러나, 전통적 분해에서는 부분입체이성질체 에스테르를 탈에스테르화하여 원하는 C3-히드록시 치환된 β-락탐을 회수하는 하나의 추가적인 단계가 필요하다.
실시예 23: 광학 활성 (+)- cis -3- 트리메틸실릴옥시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00042
광학 활성 (+)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (3.4 g, 20.8 mmol)을 0℃에서 트리에틸아민 (5.8 g, 57.4 mmol) 및 DMAP (76 mg, 0.62 mmol)과 함께 THF (30 mL) 중에 용해시켰다. 트리메틸실릴 클로라이드 (2.4 g, 22 mmol)를 적가하고, 혼합물을 30분 동안 교반하였다. TLC (3:1 에틸 아세테이트:헵탄)한 결과, 덜 극성인 생성물로 완전히 전환되었음을 알 수 있었다. 혼합물을 에틸 아세테이트 (30 mL)로 희석하고, 중탄산나트륨 포화수용액 (15 ml), 염수 (15 ml)로 세척하고, 황산나트륨 (5 g) 상에서 건조시켰다. 황산나트륨을 여과해 내고, 여액을 농축시키고, 헵탄 (50 mL)으로 용매를 교환하여 백색 분말을 수득하였다. 분말을 부흐너 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 진공 (<1 mmHg) 하에 주변 온도에서 일정 중량까지 3.45 g (72% 수율)으로 건조시켰다. 융점: 120 내지 122℃, [α]22 578= +81.9 (MeOH,1.0), 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): -0.08 (s, 9H), 4.79 (d, J= 4.4 Hz, 1H), 5.09 (dd, J=4.4, 2.7 Hz, 1H), 6.16 (bm, 1H), 7.3 내지 7.4 (m, 5H).
실시예 24: 광학 활성 (+)- cis -N-t- 부톡시카르보닐 -3- 트리메틸실릴옥시 -4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00043
THF (10 mL) 중 광학 활성 (+)-cis-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐-아제티딘-2-온 (0.95 g, 4 mmol)의 용액에 트리에틸아민 (1.1 g, 5 mmol), DMAP (15 mg, 0.12 mmol) 및 디-tert-부틸디카르보네이트 (Boc2O, 5.04g, 5 mmol)를 가하였다. 기체 방출이 중단되고, 덜 극성인 생성물로의 완전한 전환이 TLC (2:1 에틸 아세테이트:헵탄)를 통해 관찰될 때까지, 혼합물을 주변 온도에서 교반하였다. 반응 혼합물을 헵탄 (20 mL)으로 희석하고, 실리카겔 패드 (10 g)를 통해 여과한 후, 결정이 형성될 때까지 30℃ 회전 증발기에서 농축시켰다. 결정을 부흐너 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 차가운 헵탄으로 세척한 후, 진공 (<1 mmHg) 하에 주변 온도에서 일정 중량까지 0.87 g (65%)으로 건조시켰다. 융점: 85 내지 88℃, [α]22 578 = +106.9 (MeOH, 1.0), 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): -0.07 (s, 9H), 1.38 (s, 9H), 5.01 (d, J=5.6 Hz, 1H), 5.06 (d, J=5.6 Hz, 1H), 7.26 내지 7.38 (m, 5H).
실시예 25: (+)- cis -3-히드록시-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온으로부터 (+)- cis -N- 벤조일 -3-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-4- 페닐 - 아제티딘 -2-온
Figure 112008001949825-PCT00044
(+)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온 (13.67 g, 83.8 mmol)을 질소하에 20 mL/g의 농도로 무수 THF (275 mL) 중에 용해시킨 후, -15 내지 -10℃로 냉각시키고, TsOH 일수화물 (0.340 g, 1.8 mmol)을 가하였다. 이 온도에서 반응물에 2-메톡시-2-프로펜 (6.49 g, 90 mmol)를 적가하였다. 반응 혼합물의 샘플을 에틸 아세테이트 중 5% TEA로 켄칭하고, 중간체로의 전환을 TLC (3:1 에틸 아세테이트:헵탄)로 모니터링하였다. 반응이 완료되었을 때, 트리에틸아민 (25.5 g, 251 mmol) 및 DMAP (0.220 g, 1.8 mmol)을 가하였다. 벤조일 클로라이드 (12.95 g, 92.18 mmol)를 가한 후, 주변 온도에 이르게 하고, (+)-cis-N-벤조일-3-(2-메톡시-2-프로폭시)-4-페닐-아제티딘-2-온으로의 전환이 완료될 때까지 (3 내지 5시간) 교반하였다. 혼합물을 THF와 동일한 부피의 헵탄으로 희석하였다. 고체 염을 여과해 내고, 혼합물을 물, 포화 수성 중탄산나트륨 및 염수로 세척하였다. 유기 상을 실리카겔을 통해 여과하고, 결정이 형성될 때까지 여액을 농축시켰다. 고체를 진공 여과로 수합하고, 헵탄:트리에틸아민 (95:5)으로 세척하여 백색 고체 (21.0 g, 61.9 mmol, 74% 수율)를 수득하였다. 융점:98 내지 100℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.99 (s, 3H), 1.54 (s, 3H), 3.15 (s, 3H), 5.27 (d, J=6.3 Hz, 1H), 5.41 (d, J=6.3 Hz, 1H), 7.30 내지 7.43 (m, 5H), 7.47 (t, J=7.54 Hz, 2H), 7.59 (m, J=7.54 Hz, 1H)), 8.02 (m, J=7.54 Hz, 2H).
실시예 26: 7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실록산디일 )-10- DAB
Figure 112008001949825-PCT00045
전형적으로, 10-DAB (108.96 g, 0. 20 mol)를 DMAP (61.08 g, 0.5 mol) 2.5 당량과 함께 약 20 내지 25 mL/g (2.2 L)로 THF 중에 용해시켰다. 이 용액에 1,3-디클로로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 (42.67 g, 0.21 mol)을 생성물로의 전환이 완료되었음이 TLC (3:1 에틸 아세테이트/헵탄)에 의해 확인될 때까지 주변 온도에서 가하였다. 그 다음, 반응 혼합물을 헵탄 (2 L)으로 희석하여 DMAP-HCl 염을 침강시키고, 실리카겔 (104.5 g)을 통해 여과하였다. 필터 케이크를 에틸 아세테이트와 헵탄 (800 mL)의 1:1 혼합물로 세척하여, 생성물을 완전히 회수하였다. 여액을 트리에틸아민 (14 mL)으로 안정화하고, 결정이 형성될 때까지 농축시켰다. 혼합물을 30 분 동안 0℃로 냉각시키고, 백색 고체를 부흐너 깔대기를 통해 수합하고, 헵탄 (500 mL) 중 빙냉 20% 에틸 아세테이트로 세척하였다. 필터 케이크를 진공 (0.1 mmHg) 하, 50℃에서 일정 중량까지 109 g으로 건조시켰다. 여액을 실리카겔을 통해 여과하고, 농축시켜 결정의 두번째 수득물 13.2 g을 수득하였다. 총 수율은 99.2 % HPLC 순도로 122.2 g (0.18 mol, 90%)이었다. 융점: 220 내지 223℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.07 (s, 3H), 0.11 9 (s, 3H), 0.14 (s, 3H), 0.41 (s, 3H), 1.09 (s, 6H), 1.51 (s, 1H), 1.89 (ddd, J=13.9, 12.4,2.2 Hz, 1H), 1.99 (d, J=4.6 Hz) 1.56 (s, 3H), 2.04 (bs, 3H), 2.27 (m, 1H), 2.29 (s, 3H), 2.33 (m, 1H), 3.92 (d, 7.5 Hz, 1H), 4.19 (d, J=8.5 Hz, 1H), 4.3 (d, J=8.5 Hz, 1H), 4.51 (dd, J=10.6,6.7 Hz, 1H), 4.87 (bm, 1H), 4.95 (dd, J=9.4, 1.7 Hz, 1H), 5.60 (d, J=7.5, 1H), 5.61 (s, 1H), 7.48 (dd, J=7.8,7.7 Hz, 2H), 7.6 (dd, J=7.8, 7.7 Hz, 1H)8.1 (d J=7.8, 2H).
실시예 27: 7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 에탄디일 )-10- DAB
Figure 112008001949825-PCT00046
10-DAB (0.544 g, 1 mmol)를 DMAP (0.3 g, 2.5 mmol) 2.5 당량과 함께 약 20 내지 25 mL/g (10 mL)로 THF 중에 용해시켰다. 이 용액에 1,2-비스(클로로디메틸실릴)에탄 (0.215 g, 1 mol)을 생성물로의 전환이 완료되었음이 TLC (3:1 에틸 아세테이트/헵탄)에 의해 확인될 때까지 주변 온도에서 가하였다. 그 다음, 반응 혼합물을 헵탄 (20 mL)으로 희석하여, DMAP-HCl 염을 침강시키고, 실리카겔 (10 g)을 통해 여과하였다. 필터 케이크를 에틸 아세테이트와 헵탄 (20 mL)의 1:1 혼합물로 세척하여, 생성물을 완전히 회수하였다. 여액을 트리에틸아민 (0.5 mL)으로 안정화하고, 결정이 형성될 때까지 농축시켰다. 혼합물을 30 분 동안 0℃로 냉각시키고, 백색 고체를 부흐너 깔대기를 통해 수합하고, 헵탄 (500 mL) 중 빙냉 20% 에틸 아세테이트로 세척하였다. 필터 케이크를 진공 (0.1 mmHg) 하, 50℃에서 일정 중량 0.58 g (85% 수율)으로 건조시켰다. 융점: 191 내지 193℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.05 (s, 3H), 0.9 (s, 3H), 0.17 (s, 3H), 0.33 (s, 3H), 0.43 (m, 1H), 0.57 (dd, J=11.8, 5.6 Hz, 2H), 0.78 (m, 1H), 1.05 (s, 3H), 1.10 (s, 3H), 1.54 (s, 1H), 1.69 (s, 3H), 1.87 (m, J=14.1, 12.6, 4.2, 1.9 Hz, 1H), 2.06 (d, J=1.2 Hx, 3H), 2.11 (d, J=5.0 Hz, 1H), 2.26 (m 1H), 2.27, (s, 3H), 2.32 (m, 1H), 3.92 (d, J=6.8 Hz, 1H), 4.15 (d, J=8.5), 4.28 (d, J=8.5 Hz), 4.31 (dd, J=10.1, 6.5 Hz, 1H), 4.84 (m, 15.2, 5.4, 7.7 Hz), 4.92 (dd, J=9.7, 2.0 Hz, 1H), 5.46 (s, 1H), 5.57 (d, J=7.3, 1H), 7.48 (dd, J=7.8,7.7 Hz, 2H), 7.6 (dd, J=7.8, 7.7 Hz, 1H)8.1 (d J=7.8, 2H).
실시예 28: 7,10-O-(1,1,3,3,5,5- 헥사메틸 -1,3,5- 트리실록산디일 )-10- DAB
Figure 112008001949825-PCT00047
10-DAB (0.544 g, 1 mmol)를 DMAP (0.3 g, 2.5 mmol) 2.5 당량과 함께 약 20 내지 25 mL/g (10 mL)로 THF 중에 용해시켰다. 이 용액에 1,5-디클로로헥사메틸트리실록산 (0.277 g, 1 mol)을 생성물로의 전환이 완료되었음이 TLC (3:1 에틸 아세테이트/헵탄)에 의해 확인될 때까지 주변 온도에서 가하였다. 그 다음, 반응 혼합물을 헵탄 (20 mL)으로 희석하여, DMAP-HCl 염을 침강시키고, 실리카겔 (10 g)을 통해 여과하였다. 필터 케이크를 에틸 아세테이트와 헵탄 (20 mL)의 1:1 혼합물로 세척하여, 생성물을 완전히 회수하였다. 여액을 트리에틸아민 (0.5 mL)으로 안정화하고, 결정이 형성될 때까지 농축시켰다. 혼합물을 30 분 동안 0℃로 냉각시키고, 백색 고체를 부흐너 깔대기를 통해 수합하고, 헵탄 (500 mL) 중 빙냉 20% 에틸 아세테이트로 세척하였다. 필터 케이크를 진공 (0.1 mmHg) 하, 50℃에서 일정 중량까지 0.65 g (87% 수율)으로 건조시켰다. 융점: 240 내지 242℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.06 (s, 6H), 0.09 (1, 3H), 0.15 (s, 3H), 0.16 (s, 3H), 0.29 (s, 3H), 1.05 (s, 3H),1.19 (s, 3H), 1.56 (s, 1H), 1.70 (s, 3H), 1.89 (m, 1H), 1.96 (d, J=5.3 Hz, 1H), 2.10 (d, J=1.0 Hz, 3H), 2.27 (m, 1H), 2.29 (s, 3H), 2.42 (m, 1H), 3.96 (d, J=7.1 Hz, 1H), 4.17 (d, J=8.1 Hz, 1H), 4.29 (d, J=8.1 Hz, 1H), 4.49 (dd, J=10.0, 6.9 Hz, 1H), 4.85 (m, 1H), 4.94 (dd, J=9.6, 1.9 Hz, 1H), 5.63 (s, 1H), 5.64 (d, 6.75 Hz, 1H), 7.47 (dd, J=7.8,7.7 Hz, 2H), 7.59 (dd, J=7.8, 7.7 Hz, 1H)8.11 (d J=7.8, 2H).
실시예 29: 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00048
10-DAB을 출발 물질로 하여, 1,3-디클로로테트라메틸디실록산(즉, 화학식 4의 가교 규소-기재 보호기 (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, L1 및 L2는 클로로이고, Z는 -O-임))을 사용하여 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 보호하고, 에틸 아세테이트 및 헵탄으로부터 재결정화한 후, 시클릭 중간체 (29) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-임)를 95% 수율로 얻었다. LHMDS 및 3 당량의 라세미 (36)을 사용하여, 동력학적 분해하에 중간체 (29)와 β-락탐 측쇄 전구체 (36) (여기서, P2는 MOP임)의 커플링을 수행하였다. 디클로로메탄 및 헵탄으로부터 재결정화한 후, 중간체 (410) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, P2는 MOP이고, Z는 -O-임)을 90% 수율로 얻었다. 이소프로판올 및 헵탄으로부터 재결정화한 후, 단일 성분의 묽은 염산으로 탈보호하여 도세탁셀을 75% 수율로 얻었다.
실시예 30: 2'-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3-디 실록산 디일)- 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00049
7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (0.67 g, 0.99 mmol) 및 cis-N-t-부톡시-3-(2-메톡시-2-프로폭시)-4-페닐-아제티딘-2-온 (1.0 g, 3 당량)을 질소 하에 무수 THF (5 mL) 중에 용해시킨 다음, -45℃로 냉각시켰다. THF 중 LHMDS (1.2 mL, 1.1 당량) 1.0 M을 적가하여 발열을 제어하였다. 반응을 -35℃ 이하에서 2 내지 5시간 동안 진행시켰다. 반응을 에틸 아세테이트 (25 mL) 중 아세트산 (1.2 당량)의 용액으로 켄칭하고, 중탄산나트륨 (5 mL) 및 염수 (5 mL)로 세척한 후, 황산나트륨 (7 g) 상에서 건조시키고, 실리카 (7 g)를 통해 여과한 후, 농축시켰다. 잔류물을 1% 트리에틸아민을 함유하는 최소량의 디클로로메탄 (1 mL) 중에 용해시키고, 헵탄 (15 mL)을 가하여, 과량의 β-락탐을 처리하였다. 생성물 (0.88 g, 88%)을 단일 부분입체이성질체로서 부흐너 깔대기에 의해 수합하고, 헵탄으로 세척하였다. 융점: 235 내지 238℃, 1H NMR ( MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.07 (s, 3H), 0.08 (s, 3H), 0.12 (s, 3H), 0.41 (s, 3H), 1.08 (s, 3H), 1.12 (s, 3H), 1.25 (s, 3H), 1.30 (s, 3H), 1.32 (s, 9H), 1.53 (s, 1H), 1.67 (s, 3H), 1.90 (bs, 3H), 1.92 (m, 1H), 2.07 (m, 1H), 2.30 (m, 2H), 2.50 (s, 3H), 2.66 (bs, 3H), 3.84 (d, J=6.9 Hz, 1H), 4.22 (d, J=8.7 Hz, 1H), 4.32 (d, J=8.7 Hz, 1H), 4.48 (dd, J=9.9, 6.4 Hz, 1H), 4.50 (d, J=3.3 Hz, 1H), 4.95 (m, J=8.6, 1H), 5.22 (bm, 1H), 5.49 (bm,1H), 5.57 (s, 1H), 5.65 (d, J=6.9 Hz, 1H), 6.24 (bm, 1H), 7.24 (m, 1H), 7.30 (d, J=7.2, 2H), 7.37 (dd, J=7.2, 7.2, 2H), 7.51 (dd, J=8.0, 7.5 Hz, 2H), 7.60 (dd,J=8.0, 7.2 Hz, 1H), 8.11 (d, J=7.5 Hz, 2H). 가변성 측쇄 프로톤 화학적 이동은 CDCl3 용매 중 물의 수준에 따라 드리프팅(drifting)을 나타내었다.
실시예 31: 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00050
아세토니트릴 (580 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀 (38.38 g, 38.2 mmol)에 0.2 M HCl (115 mL)을 가하고, 혼합물을 생성물(Rf=0.15)로의 전환이 완료되었음이 TLC (3:1 에틸 아세테이트/헵탄)를 통해 나타날 때까지, 2 내지 3 시간 동안 주변 온도(20 내지 25℃)에서 교반하였다. 그 다음, 생성된 혼합물을 에틸 아세테이트 (580 mL)로 희석하고, 물 (290 mL), 염수 (150 mL), 포화 수성 중탄산나트륨 (290 mL), 염수 (200 mL)로 세척하고, 황산나트륨 (60 g) 상에서 건조시켰다. 혼합물을 실리카겔 (30 g)을 통해 여과하고, 필터 케이크를 에틸 아세테이트 (350 mL)로 헹구었다. 합한 여액을 약 192 mL로 농축한 후, 헵탄 (550 mL)을 가하여 결정화를 유발시켰다. 혼합물을 더 농축시켜 용매 약 200 mL를 제거하였다. 혼합물을 주변 온도로 냉각시키고, 결정을 부흐너 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 결정을 98.3 % HPLC 순도로 일정 중량까지 30.57 g (99.3% 수율)으로 건조시켰다. 융점: 186 내지 188℃, EA: %C: 이론치: 63.93, 실측치: 63.38, %H: 이론치 6.61, 실측치 6.59. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 1.13 (s, 3H, H-17), 1.24 (s, 3H, H-16), 1.34 (s, 9H, H-t-Boc), 1.64 (s, 1H, HO-1), 1.76 (s, 3H, H-19), 1.85 (s, 3H, H-18), 1.79 to 1.88 (m, 1H, H-6), 2.27 (m, J=8.8 Hz, 2H, H-14), 2.38 (s, 3H, Ac-4), 2.60(m, 1H, H-6), 3.32 (bd, J=4.8 Hz, 1H, HO-2'), 3.92 (d, J=6.9 Hz, 1H, H-3), 4.18 (d, J=8.5 Hz, 1H, H-20), 4.19 (bs, 1H, HO-10), 4.23 (m, 1H, H-7), 4.32 (d, J=8.5 Hz, 1H, H-20), 4.62 (bm, 1H, H-2'), 4.94 (m, 1H, H-5), 5.20 (bd, J=1.7 Hz, H-10), 5.26 (bm, 1H, H-3'), 5.40 (bd, J=9.6 Hz, H-N), 5.68 (d, J=6.9 Hz, 1H, H-2), 6.22 (bm, 1H, H-13), 7.29 내지 7.4 (m, 5H, H-Ph), 7.50 (dd, J=7.9, 7.6 Hz, 2H, H-mBz), 7.62 (dd, J=7.25, 7.6 Hz, 1H-pBz), 8.10 (d, J=7.9 Hz, 2H, H-oBz). 참고문헌[(a) Journal of Labelled Compounds and Radiopharmaceuticals, 2004; 47:763-777; (b) Tetrahedron, 1989, 45:13, pp 4177-4190]에 따름.
실시예 32: 2'-( 트리메틸실릴옥시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3-디실록산디일)- 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00051
7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (4.29 g, 6.4 mmol) 및 N-t-부톡시카르보닐-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐 아제티딘-2-온 (6.4 g, 19.1 mmol)을 질소 하에 무수 THF (43 mL) 중에 용해시킨 다음, -45℃로 냉각시켰다. LHMDS (1.2 mL, 1.1 당량, THF 중 1.0 M)를 적가하여 발열을 제어하였다. 반응을 -45℃ 이하에서 5 시간 동안 진행시켰다. 반응을 에틸 아세테이트 (50 mL) 중 아세트산 (1.2 당량)의 용액으로 켄칭하고, 중탄산나트륨 (10 mL) 및 염수 (10 mL)로 세척한 후, 황산나트륨 (10 g) 상에서 건조시키고, 실리카 (10 g)를 통해 여과한 후, 농축시켜 고체를 얻었다. 이 고체를 메탄올로부터 재결정화하고, 진공 (<1 mmHg)하에 주변 온도에서 건조시킨 후, 단일 부분입체이성질체로서 백색 분말 3.6 g (55%)을 수득하였다. 융점: 248 내지 250℃, 1H NMR (400 MHz, CDCl3) d: -0.12 (s, 9H), 0.08 (s, 3H), 0.09 (s, 3H), 0.12 (s, 3H), 0.42 (s, 3H), 1.12 (s, 3H), 1.27 (s, 3H), 1.31 (s, 9H), 1.54 (s, 1H), 1.68 (s, 3H), 1.88 (s, 3H), 1.86 to 1.96 (m, 1H), 2.08 to 2.18 (m, 1H), 2.26 to 2.43 (m, 2H), 2.54 (s, 3H), 3.85 (d, J=7.2 Hz, 1H), 4.24 (d, J=8.5 Hz, 1H), 4.32 (d, J=8.5 Hz, 1H), 4.45 (bs, 1H), 4.50 (dd, J=6.8, 10.3 Hz, 1H), 4.96 (m, J=8.5 Hz, 1H), 5.29 (m, J=8.5 Hz, 1H), 5.52 (bm, J= 8.5 Hz, 1H), 5.57 (s, 1H), 5.66 (d, J=7.5 Hz, 1H), 6.31 (bt, J=8.6 Hz, 1H), 7.3 내지 7.41 (m, 5H), 7.48 (dd, J=6.9, 8.4 Hz, 2H,) 7.59 (dd, J=6.9, 7.5, 1H), 8.12 (d, J=7.5 Hz, 2H).
실시예 33: 2'-( 트리메틸실릴옥시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실록산디일 )- 도세탁셀
THF (10 mL) 중 7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (0.84 g, 1.24 mmol)의 용액에, 헥산 중 1.0 M 부틸리튬 (0.93 mL)을 질소 하에 -45℃에서 가하였다. 이 온도에서 30분 있은 후, THF (2 mL) 중 (+)-N-t-부톡시카르보닐-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐 아제티딘-2-온 (0.5 g, 1.5 mmol)의 용액을 가한 후, 혼합물을 교반시키고, 4시간에 걸쳐 0℃로 가온하였다. 반응을 트리에틸아민 (1 당량) 및 아세트산 (1 당량)으로 켄칭하고, 헵탄 25 mL로 희석하고, 실리카겔 (30 g)을 통해 여과하였다. 여액을 회전 증발로 농축시켜, 백색 결정 (0.69 g, 55%)을 수득하였다. 조 생성물의 1HNMR은 2'-(트리메틸실릴옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀의 구조와 일치하였다.
실시예 34: 2'-( 트리메틸실릴옥시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실록산디일 )-도세탁셀의 탈보호
아세토니트릴 (2.5 mL) 중 2'-(트리메틸실릴옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀 (0.5 g, 0.495 mmol)의 용액에 0.2 M HCl 용액을 주변 온도에서 가하고, 혼합물을 생성물(Rf=0.15)로의 전환이 완료되었음이 TLC (3:1 에틸 아세테이트/헵탄)를 통해 나타날 때까지, 2 내지 3 시간 동안 주변 온도(22℃ 내지 25℃)에서 교반하였다. 그 다음, 혼합물을 에틸 아세테이트 (5 mL)로 희석하고, 물 (2 mL), 염수 (2 mL), 포화 수성 중탄산나트륨(2 mL), 염수 (2 mL)로 세척한 후, 황산나트륨 (6 g) 상에서 건조시켰다. 혼합물을 실리카겔 (5 g)을 통해 여과하고, 필터 케이크를 에틸 아세테이트 (5 mL)로 헹구었다. 합한 여액을 약 1 mL로 농축시키고, 헵탄 (5 mL)을 가하여 결정화를 유발시켰다. 그 다음, 혼합물을 농축시켜 용매 약 1 내지 2 mL를 제거하였다. 혼합물을 주변 온도로 냉각시키고, 결정을 부흐너 깔대기를 통해 진공 여과로 수합하고, 건조시켜 도세탁셀과 일치하는 HNMR 스펙트럼을 갖는 결정형 생성물 일정 중량 0.399 g (93% 수율)을 얻었다.
도세탁셀를 최대로 회수하기 위하여, 광학적으로 순수한 (+)-N-t-부톡시카르보닐-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐 아제티딘-2-온이 사용되는 경우, 중간체 2'-(트리메틸실릴옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀의 정제가 불필요함을 밝혀냈다.
실시예 35: 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00052
오븐 건조된 25 mL 둥근 바닥 플라스크 (RBF)에 질소 하에 자성 교반하면서 디이소프로필아민 (0.83 mL, 5.86 mmol) 및 THF (1.5 mL)을 가하였다. 혼합물을 -45℃로 냉각시키고, n-헥실 리튬 (2.33 mL, 2.30 M, 5.37 mmol)의 용액을 적가하여 발열을 제어하고, 반응기 온도를 -40℃ 미만으로 유지하였다. 첨가를 완료한 후, 냉욕 온도를 사용 전에 0 내지 5℃로 올렸다.
커플링 반응: 오븐 건조된 250 mL RBF에 질소 하에 자성 교반하면서 7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (3.29 g, 4.88 mmol) 및 THF (30 mL)를 가하였다. 혼합물을 -45℃로 냉각시켰다. 미리 제조한 LDA를 반응 혼합물에 주사기를 통해 5 분 안에 가하고, 그 온도에서 45 분 동안 교반하였다. 그 다음, 이 혼합물에 (+)-N-t-부톡시카르보닐-3-트리메틸실릴옥시-4-페닐 아제티딘-2-온 (THF (8 mL) 중 1.80 g (5.37 mmol))을 가하였다. 반응 혼합물을 -15℃로 가온하고, -15 내지 -10℃에서 1시간 동안 교반하였다. 1 시간 후 반응물에 대해 TLC 모니터링(1:3 에틸 아세테이트 헵탄)한 결과, 2'-(트리메틸실릴옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀로의 전환이 완료되었음이 나타났다.
후처리: 반응 플라스크에 포화 중탄산나트륨 1 mL를 반응 온도에서 가하고, 5분 동안 교반하였다. 그 다음, 이것을 에틸 아세테이트 (50 mL)로 희석하고, 염수 50 mL로 세척하였다. 유기층을 분리하고, MgSO4 상에서 건조시킨 후, 농축시켜 조질의 2'-(트리메틸실릴옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀 5.10 g을 얻었으며, 탈보호를 위해 위하여 바로 사용하였다. 상기 조 혼합물을 아세토니트릴 (50 mL) 중에 용해시키고, 0.2 N HCl (25 mL)을 가하고, 실온에서 1시간 동안 교반하였다. TLC 모니터링 (3:1/EtOAc:헵탄)한 결과, 반응이 완료되었음을 알 수 있었다. 반응 혼합물을 에틸 아세테이트 (100 mL)로 희석하고, 증류수 (50 mL), 포화 중탄산나트륨 (50 mL) 및 염수 (50 mL)로 2회 세척하였다. 생성된 유기층을 MgSO4 상에서 건조시키고, 농축시켜, C(7)-히드록시기에 탈실릴화되지 않은 (1.6%) 중간체로서 주된 불순물을 갖는 96.5% HPLC 순도의 도세탁셀 3.76 g (95.3% 수율)을 수득하였다.
실시예 36: 파클리탁셀
10-DAB를 출발 물질로 하여, 1,3-디클로로테트라메틸디실록산(즉, 화학식 4의 가교 규소-기재 보호기 (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, L1 및 L2는 클로로잉고, Z는 -O-임))을 사용하여 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 보호하고, 에틸 아세테이트 및 헵탄으로부터 재결정화한 후, 시클릭 중간체 (29) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-임)를 95% 수율로 얻었다. 중간체 (29)를 LHMDS (1.1 당량)의 존재하에 -45℃ 내지 -10℃에서 (+)-N-벤조일-4-페닐-3-(2-메톡시-2-프로폭시)-아제티딘-2-온 (즉, β-락탐 (16) (여기서, P2는 MOP임)) (1.1 당량)로 3시간 동안 처리하여, 화합물 (210) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-이고, 및 P2는 MOP임)을 제조하였다. 화합물 (210)을 에틸 아세테이트 (85% 수율, 98% 순도)로부터 결정화하였다. 화합물 (210)을 메탄올 및 촉매량의 NaHCO-3로 실온에서 20 시간 동안 처리하여, 화합물 (211) (여기서, P2는 MOP임)을 수득하였으며, 이소프로필 알코올 및 헵탄 (75 내지 80% 수율, 97% 순도)의 혼합물로부터 후속적으로 결정화하였다. 화합물 (211)을 아세틸 클로라이드 (1.05 당량) 및 LHMDS (1.1 당량)로 -45℃에서 30분 동안 처리하여, 조 혼합물 (96% 순도)을 수득하였다. 이소프로판올로부터 결정화시키면, C(10)-아세틸화된 화합물이 85 내지 90% 수율 및 97% 순도로 제조된다. 그 다음, 화합물을 아세토니트릴 중 0.2 M HCl으로 실온에서 2 시간 동안 처리하여, 메탄올로부터 결정화된 파클리탁셀을 제조하였다.
실시예 37: 파클리탁셀의 제조
10-DAB (23)을 출발 물질로 하여, 1,3-디클로로테트라메틸디실록산(즉, 화학식 4의 가교 규소-기재 보호기 (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, L1 및 L2는 클로로잉고, Z는 -O-임))을 사용하여 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 보호하고, 에틸 아세테이트 및 헵탄으로부터 재결정화한 후, 시클릭 중간체 (29) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-임)를 95% 수율로 얻었다. 중간체 (29)를 메탄올 및 촉매량의 Na2CO3 로 실온에서 20 분 동안 처리하여, 화합물 (212) (여기서, R10A, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-임)를 제조하였다. 화합물 (212)를 에틸 아세테이트 (75% 수율, 97% 순도)로부터 결정화하였다. 이어서, 화합물 (212)를 아세틸 클로라이드 (1.02 당량) 및 LHMDS (1.1 당량)로 30분 동안 처리하였다. 중간체의 단리 없이, 10-아세틸 유도체 (220) (여기서, R10A, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-임)을 LHMDS (1.1 당량)의 존재 하에, (+)-N-벤조일-4-페닐-3-(2-메티옥시-2-프로폭시)-아제티딘-2-온 (즉, β-락탐 (16) (여기서, P2는 MOP임)) (1.1 당량)으로 -45 내지 -10℃에서 3 시간 동안 처리하여, 화합물 (221) (여기서, G1, G2, G3 및 G4는 메틸이고, Z는 -O-이고,P2는 MOP임)을 85% 수율 및 94% 순도로 제조하였다. 그 다음, 화합물 (221)을 아세토니트릴 중 0.2 M HCl로 실온에서 2 시간 동안 처리하여, 에틸 아세테이트 및 헵탄으로부터 결정화되는 파클리탁셀을 제조하였다.
실시예 38: 2'-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실록산디일 )- 파클리탁셀
Figure 112008001949825-PCT00053
7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (12.1 g, 17.93 mmol) 및 (+)-cis-N-벤조일-3-(2-메톡시-2-프로폭시)-4-페닐-아제티딘-2-온 (6.69 g, 19.7 mmol)의 THF (200 mL) 용액에, LHMDS (19.7 mL, 19.7 mmol)의 1.0 M THF 용액을 질소 하에 -45℃에서 자성 교반하면서 15분에 걸쳐 가하였다. 반응 온도를 -10℃로 가온하고, 이 온도에서 TLC 분석 (1:1 에틸 아세테이트:헥산)결과, 7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB의 소멸이 완료되었음이 나타날 때까지 교반하였다. 반응 혼합물을 아세트산 (1.182 g, 19.7 mmol)으로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 (200 mL)로 희석하고, 주변온도로 가온하였다. 혼합물을 염수로 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시켰다. 건조제를 진공 여과로 제거하고, 여액을 농축시켜 고체를 얻었다. 이 고체를 고온의 에틸 아세테이트 (450 mL)에 용해시키고, 25 내지 30℃에서 회전 증발하여 부피를 반으로 감소시켜, 결정을 형성시킨 다음, 0℃ 욕에서 1시간 동안 냉각시켰다. 백색 결정을 진공 여과로 수합하고, 차가운 1:1 에틸 아세테이트:헥산 용액으로 세척한 후, 건조시켜 일정 중량 15.2 g (84% 수율)을 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.07 (s, 3H), 0.08 (s, 3H), 0.12 9 (s,3H), 0.42 (s, 3H), 1.11(s, 3H), 1.13 (s, 3H), 1.23 (s, 3H), 1.34 (s, 3H), 1.61 (s, 1H), 1.68 (s, 3H), 1.91 (d, J=1.10 Hz), 1.92 (m, 1H), 2.07 (dd, 15.1, 8.92 Hz. 1H), 2.24 내지 2.36 (m, 2H), 2.53 (s, 3H), 2.78 (s, 3H), 3.84 9d, J=7.0 Hz), 4.25 (d, J=8.75 Hz, 1H), 4.23 (d, J=8.75 Hz), 4.49 (dd, J=10.48, 6.72 Hz, 1H), 4.65 (d, J=3.23 Hz), 1H), 4.95 (dd, J=9.56, 2.47 Hz, 1H), 5.56 (s, 1H), 5.62 (dd, J=8.01, 3.08 Hz, 1H), 5.66 (d, J=7.23 Hz, 1H), 6.24 (t, J=8.60, 1H), 7.18 (d, J=8.03 Hz), 7.24 내지 7.54 (m, 10H), 7.60 (m, 1H), 7.78 (d, J=7.88 Hz, 2H), 8.12 m, 2H).
실시예 39: 2'-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-7-O-(1- 메톡시 -1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실옥사닐 )-10-히드록시 파클리탁셀
Figure 112008001949825-PCT00054
중탄산나트륨 메탄올 분해: 무수 메탄올 (250 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-파클리탁셀 (5.0 g, 4.93 mmol)의 용액에 중탄산나트륨 (0.5 g, 5.95 mmol)을 가하고, 혼합물을 주변 온도 (22 내지 25℃)에서 질소 하에 2일 동안 교반하였다. TLC 분석 (30:70 에틸 아세테이트:헥산) 결과, 보다 극성인 생성물로의 전환이 완료되었음을 알 수 있었다. 트리에틸아민 (2 g, 19.7 mmol) 및 아세트산 (0.4 g, 6.7 mmol)을 가하고, 메탄올을 감압 회전 증발 하에 제거하여, 고체 잔류물을 수득하였다. 이 고체를 이소프로판올 (75 mL) 중에 용해시킨 후, 헵탄 (75 mL)을 가하였다. 이어서, 혼합물을 감압 회전 증발 하에 약 절반의 부피로 농축시켜, 40℃에서 결정을 형성시켰다. 혼합물을 주변 온도 (20 내지 22℃)로 냉각시키고, 결정(3.6 g, 70% 수율)을 수득하였다.
트리에틸아민-메탄올 분해: 무수 메탄올 (5 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-파클리탁셀 (100 mg,0.1 mmol)의 용액에, 트리에틸아민 (0.014 mL)을 질소 하에 가하고, 혼합물을 TLC 분석(30:70 에틸 아세테이트:헥산) 결과, 더 낮은 Rf의 생성물로의 전환이 완료되었음이 나타낼 때까지 주변 온도 (22 내지 25℃)에서 12시간 동안 교반하였다. 헵탄 (5 mL)을 가하고, 혼합물을 40℃에서 감압 증발 하에 약 절반-부피로 농축시켜, 결정을 형성시켰다. 혼합물을 주변 온도 (22 내지 25℃)로 냉각시키고, 결정 90 mg (88% 수율)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.083 (s, 3H), 0.088 (s, 3H), 0.11 (s, 3H), 0.12 (s, 3H), 1.11 (s, 3H), 1.12 (s, 3H), 1.22 (s, 3H), 1.34 (s, 3H), 1.70 (s, 1H), 1.76 (s, 3H), 1.96 (d, J=1.10 Hz), 1.98 (m, 1H), 2.07 (dd, J=14.68, 8.66, 1H), 2.29 (dd, J=15.05, 9,41, 1H), 2.49 (m, 1H), 2.52 (s, 3H), 2.79 (m,3H), 3.47 (s, 3H), 3.91 (d, J=7.52, 1H), 4.23 (d, J=8.97, 1H), 4.27 (d, J=1.95 Hz, 1H), 4.33 (d, J=8.97, 1H), 4.47 (dd, J=10.51, 6.6 Hz, 1H), 4.65 (d, J=3.13 Hz, 1H), 4.95 (dd, J=9.8, 1.75 Hz, 1H), 5.13 (d, J=1.95 Hz, 1H), 5.60 (dd, J=7.99, 3.19 Hz, 1H), 5.68 (d, J=7.19 Hz, 1H), 6.25 (t, J=9.27 Hz, 1H), 7.18 (d, J=8.03 Hz), 7.24 내지 7.54 (m, 10H), 7.60 (m, 1H), 7.78 (d, J=7.88 Hz, 2H), 8.12 m, 2H).
실시예 40: 7-O-(1- 메톡시 -1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실옥사닐 )-10- DAB
Figure 112008001949825-PCT00055
트리에틸아민-메탄올 분해: 7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB 1 g (1.48mmol)에 무수 메탄올 20 mL를 가하였다. 이 용액을 균질하게 될 때까지 (약 10분) 교반하였다. 플라스크를 트리에틸아민 (TEA, 1.48 mmol, 206 mL) 1 당량으로 충전하고, 약 23 시간 동안 교반하였다. 반응의 완료 여부를 TLC (1:1 에틸 아세테이트:헥산)로 모니터링하였다. 반응이 완료되었을 때, 용액을 약 15 mL 헵탄으로 희석하고, 메탄올이 모두 제거될 때까지 증발시켰다. 증발로 결정을 형성하고, 2시간 동안 교반하였다. 결정을 여과하고, 헵탄으로 세척하여 백색 고체 948 mg (90.6% 수율)을 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.085 (s, 3H), 0.099 (s, 3H), 0.120 (s, 3H), 0.0123 (s, 3H), 1.09 (오버랩, 2-s (6H), 1.75 (s, 3H), 1.93 (m, 1H), 1.97 (d, J=5.07 Hz, 1H), 2.09 (d, J=1.22 Hz, 3H), 2.27 (m, 1H), 2.28 (s, 3H), 2.55 (m, 1H), 3.48 (s, 3H), 3.98 (d, J=6.86 Hz, 1H), 4.18 (d, J=8.14 Hz, 1H), 4.25 (d, J=2.03 Hz, 1H), 4.31 (d, J=8.14 Hz, 1H), 4.49 (dd, J=10.91, 6.71 Hz, 1H), 4.88 (dd, 17.60 , 7.48 Hz, 1H), 4.95 (dd, J=9.49, 1.79 Hz, 1H), 5.18 (d, J=2.03, 1H), 5.62 (d, J=6.94 Hz, 1H),7.48(t, J=7.7- Hz, 2H), 7.60 (m, J=7.7 Hz, 1H), 8.11 (m, 2H).
실시예 41: 2'-(2- 메톡시 -2- 프로폭시 )-7-O-(1- 메톡시 -1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실옥사닐 )- 파클리탁셀
Figure 112008001949825-PCT00056
무수 THF (22 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7-O-(1-메톡시-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실옥시)-10-히드록시 파클리탁셀 (2.62 g, 2.5 mmol)의 용액에, LHMDS (2.9 mL, 2.9 mmol)의 THF 1.0 M 용액, 이어서 아세틸 클로라이드 (0.275 mL, 2.88 mmol)를 -45℃에서 질소 하에 자성 교반하면서 가하였다. 혼합물을 -45℃에서 1시간 동안 교반하였으며, 그 때 TLC 분석 (30:70 에틸 아세테이트:헥산) 한 결과, 덜 극성인 생성물(Rf=0.5)로 전환되었음이 나타났다. 반응을 아세트산 (0.173 g, 2.88 mmol)으로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 (50 mL)로 희석하고, 염수로 세척한 후, 황산나트륨 상에서 건조시켰다. 건조제를 제거하고, 여액을 농축하여 고체 (95% HPLC 순도) 2.6 g을 수득하였다.
원-팟(one-pot) C(10)-히드록시 아세틸화 및 C(13) 측쇄 커플링: 무수 THF (40 mL) 중 7-O-(1-메톡시-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실옥시)-10-DAB (3.24 g, 4.58 mmol) 용액에, THF (5 mmol) 중 LHMDS의 1.0 M 용액 5 mL, 이어서, 아세틸 클로라이드 (AcCl, 0.335 mL, 4.7 mmol)를 -45℃에서 질소 하에 자성 교반하면서 가하였다. 반응 진행은 15분 후 CDCl3 중 5.18 ppm에서 C(10)-카르비놀 공명의 소멸 여부에 대하여 1HNMR 분석을 통해 모니터링하였다. 아세틸화의 완료가 나타났을 때, THF (5 mL, 5 mmol) 중 LHMDS의 1.0 M 용액 추가의 1당량, 이어서, 고체 (+)-cis-N-벤조일-3-(2-메톡시-2-프로폭시)-4-페닐-아제티딘-2-온을 가하였다. 온도를 -10℃로 올리고, 덜 극성인 생성물 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7-O-(1-메톡시-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실옥시)-파클리탁셀로의 전환 여부를 TLC (30:70 에틸 아세테이트:헥산)를 통해 모니터링하였다. 3시간 후, 반응 혼합물을 아세트산 (0.3 g, 5 mmol)으로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 (200 mL)로 희석하고, 주변 온도로 가온하였다. 혼합물을 염수로 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시켰다. 건조제를 진공 여과하여 제거하고, 여액을 농축시켜 고체 잔류물을 얻었다. 잔류물을 헵탄 (100 mL)으로 처리하여, 생성물 (94% HPLC 순도) 4.2 g을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.059 (s, 3H), 0.092 (s, 6H), 0.20 (s, 3H), 1.13 (s 3H), 1.20 (s, 3H), 1.22 (s, 3H), 1.33 (s, 3H), 1.71 (s, 3H), 1.96 (m, 1H), 1.98 (d, J=1.0), 2.10 (dd, J=15.74, 9.18 Hz, 1H), 2.17 (s, 3H), 2.31 (dd, J=15.57, 9.36 Hz, 1H), 2.53 (s, 3H), 2.58 (m, 1H), 2.78 (s, 3H), 3.46 (s, 3H), 3.88 (d, J=7.06 Hz, 1H), 4.21 (d, J=8.53, 1H), 4.32 (d, J=8.53, 1H), 4.54 (dd, J=10.23, 6.62 Hz, 1H), 4.66 (d, J=3.19 Hz, 1H), 4.96 (bd, J=9.80 Hz, 1H), 5.31 (bs, 1H), 5.62 (dd, J=8.28, 3.20 Hz, 1H), 5.71 (d, J=6.99 Hz, 1H), 6.20 (bt, J=9.03 Hz, 1H), 6.41 (s, 1H), 7.17 (d, J=8.12Hz, 1H), 7.24 내지 7.54 (m, 10H), 7.60 (m, 1H), 7.78 (d, J=7.88 Hz, 2H), 8.12 m, 2H).
실시예 42: 파클리탁셀
아세토니트릴 (12 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7-O-(1-메톡시-1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실옥사닐)-파클리탁셀 (1.6g, 97% 순도, 1.47 mmol)의 용액에, HCl (3 mL, 0.6 mmol) 0.2 M 용액을 주변 온도 (22 내지 25℃)에서 질소 하에 자성 교반하면서 가하였다. 3시간 후, TLC 모니터링 (3:1 에틸 아세테이트:헥산)한 결과, 원하는 생성물인 파클리탁셀로 완전히 전환되었음을 알 수 있었다. 혼합물을 트리에틸아민 (0.121 g, 1.2 mmol)으로 켄칭하고, 용매를 회전 증발 하에 제거하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트 (20 mL) 중에 용해시키고, 포화 수성 중탄산나트륨 및 염수로 세척한 후, 황산나트륨 상에서 건조시켰다. 건조제를 여과해 내고, 여액을 농축시키고, 용매를 헵탄 (20 mL)으로 교환하여, 백색 분말을 수득하였다. 이 분말을 진공 여과를 통해 수합하고, 헵탄으로 세척한 후, 일정 중량까지 건조시켜 1.2 g (1.40 mmol, 97 % 순도에서 95% 수율)을 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 1.14 (s, 3H), 1.24 (s, 3H), 1.68 (s, 3H), 1.79 (d, J=0.9 Hz, 3H), 1.88 (m, 1H), 2.23 (s, 3H), 2.28 (m, 1H), 2.35 (m, 1H), 2.38 (s, 3H), 2.48 (d, J=3.31, 1H), 2.54 (m, 1H), 2.79 (d, J=7.13 Hz, 1H), 4.19 (d, J=8.53, 1H), 4.30 (d, J=8.53 Hz, 1H), 4.40 (m, 1H), 4.78 (dd, J=5.29, 2.65 Hz, 1H), 4.94 (dd, J=9.45, 2.3 Hz, 1H), 5.16 (bs, 1H), 5.67 (d, J=7.02 Hz, 1H), 5.78 (dd, J=8.78, 2.50 Hz, 1H), 6.22 (bt, J=9.0 Hz, 1H) 6.26 (s, 3H), 6.97 (d, J=8.68, 1H), 7.32 내지 7.53 (m, 10H), 7.61 (m,1H), 7.73 (m, 2H), 8.12 (m, 2H).
실시예 43: 2'-( 벤조일옥시 )-7,10-O-(1,1,3,3- 테트라메틸 -1,3- 디실록산디일 )- 도세탁셀
Figure 112008001949825-PCT00057
무수 THF (25 mL) 중 2'-(2-메톡시-2-프로폭시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀 (5.0 g, 4.95 mmol)의 용액에 세륨 트리클로라이드 헵타히드레이트 (CeCl3·7H2O, 0.274 g, 0.735 mmol)를 질소 하에 자성 교반하면서 가하였다. 혼합물을 주변 온도 (22 내지 25℃)에서 30분 동안 교반하고, TLC (40:60 에틸 아세테이트:헥산) 분석한 결과, 2-메톡시-2-프로필 (MOP) 보호기의 제거가 완료되었음이 나타났으며, 출발 물질 (Rf=0.5)에 대해 보다 극성인 중간체 (Rf=0.4)를 얻었다. 반응 혼합물에 벤조산 무수물 (1.6 g, 7.4 mmol)을 가하였다. 이를 주변 온도에서 12시간에 걸쳐 교반했을 때, TLC (40:60 에틸 아세테이트:헥산) 분석한 결과, 덜 극성인 생성물 (Rf=0.6)로의 전환이 완료되었음이 나타났다. 혼합물을 에틸 아세테이트 (100 mL)로 희석하고, 포화 중탄산나트륨 (2x50 mL), 그 다음 염수 (25 mL)로 2회 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시킨 후, 여과하고, 회전 증발로 농축시켜 잔류물을 얻었다. 잔류물을 플래쉬 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (1:2 에틸 아세테이트:헥산)에 의해 추가로 정제하여, 반응하지 않은 벤조산 무수물을 제거하였다. 순수한 분획을 회수하고 농축시켜 목적 생성물 (4.91 g, 95% 수율)을 수득하였다.
7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-10-DAB (1.66 g, 2.47 mmol)를 무수 THF 35 mL 중에 용해시키고, 균질하게 될 때까지 교반하였다. 용액을 아세토니트릴/건조 빙욕에서 -45℃로 냉각시켰다. 그 다음, 용액을 LHMDS 2.27 mL (THF 중 1M, 1.1 당량)으로 탈양성자화시키고, 약 15분 동안 교반하였다. (+)-cis-N-t-부톡시카르보닐-3-벤조일옥시-4-페닐-아제티딘-2-온 (1.0 g, 2.72 mmol)을 혼합물에 고체로써 가하고, 5시간 동안 교반하였다. 온도를 5시간에 걸쳐 -30℃에 이르게 하였다. 약 3.5시간 후, 보다 많은 β-락탐 (10%, 100 mg)을 보다 많은 LHMDS (10%, 272 mL)과 함께 가하여 반응을 완료하도록 촉진하였다. 반응을 약 5% 미반응된 7,10-보호된 10-DAB 잔류물로 중단시켰다. 반응을 THF 10 mL중에 미리 혼합시킨 트리에틸아민 1.5당량 (515 mL) 및 아세트산 1.2 당량 (169 mL) 으로 켄칭하였다. 유기층을 에틸 아세테이트 약 30 mL로 희석하고, 염수 15 mL로 2회 세척하였다. 용매를 회전 증발기에서 제거하고, 조질의 거품 2.9 g을 회수하였다. 1:1 에틸 아세테이트/헥산의 용매계를 이용하는 플래쉬 컬럼으로 생성물을 정제하였다. 순수 생성물 2.11g (82.1% 수율)을 회수하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 0.073 (s, 3H), 0.085 (s, 3H), 0.13 (s, 3H), 0.41 (s, 3H), 1.11 (s, 3H), 1.23 (s, 3H), 1.35 (s, 9H), 1.66 (s, 3H), 1.91 (m, 1H), 1.97 (s, 3H), 2.08 (m, 1H), 2.29(m, 2H), 2.44 (s, 3H), 3.84 (d, J=6.93, 1H), 4.21 (d, J=8.53, 1H), 4.30 (d, J=8.53), 4.50 (dd, J=10.58, 6.58 Hz, 1H), 4.95 (dd, J=9.78, 2.38 Hz, 1H), 5.43 (bd, J=9.26 Hz, 1H), 5.49 (bd, J=3.09 Hz, 1H), 5.57 (bs, 1H), 5.59 (s, 1H), 5.65 (d, J=7.22 Hz, 1H), 6.27 (bt, J=8.97 Hz, 1H), 7.28 (m, 1H), 7.35 내지 7.54 (m, 8H), 7.60 (m, 2H), 7.99 (d, J=7.68 Hz, 2H), 8.10 (d, 7.68, 2H).
(+)-cis-3-히드록시-4-페닐-아제티딘-2-온과 벤조산 무수물 및 t-부톡시카르보닐 무수물을 반응시켜 (+)-cis-N-t-부톡시카르보닐-3-벤조일옥시-4-페닐-아제티딘-2-온을 수득하였고, 결정성 고체로서 분리하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 1.44 (s, 9H), 5.37 (d, J=5.42 hz, 1H), 6.18 (s, J=5.42 Hz, 1H), 7.18 내지 7.34 (m, 7H), 7.49 (bt, 1H), 7.66 (bd, 2H).
실시예 44: 2'- 벤조일옥시 도세탁셀
도세탁셀의 벤조일화는 벤조일 클로라이드-피리딘 조건하에서 C(2')히드록시 위치에서 선택적인 것을 발견하였다. 피리딘 (10 mL) 중 도세탁셀 (1.62 g, 2 mmol)의 용액에 벤조일 클로라이드 (0.394 g, 2.8 mmol)를 가하고, 혼합물을 교반하고 12시간에 걸쳐 -25℃ 미만으로 유지하였다. TLC 분석 (75:25 에틸 아세테이트:헥산)한 결과, 출발 물질 (Rf=0.3)에 대해 덜 극성인 주요 생성물 (Rf=0.5)로 약 80%가 전환되었음을 알 수 있었다. 혼합물을 포화 수성 중탄산나트륨로 켄칭하고, 에틸 아세테이트 (50 mL)로 추출하고, 염수로 세척한 후, 황산나트륨 상에서 건조시키고, 여과하고, 농축시켜 잔류물을 얻었다. 60:40 에틸 아세테이트:헥산으로 용리시키는 실리카겔 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 출발 물질을 제거하고, 순수한 분획을 수합하여, 농축 및 건조시킨 후 2'벤조일옥시-도세탁셀 1.28 g (71%)을 수득하였다.
아세토니트릴 (3 mL) 중 2'-(벤조일옥시)-7,10-O-(1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디실록산디일)-도세탁셀 (1.0 g, 0.95 mmol)의 용액에 HCl (2 mL, 0.2 mmol) 0.2 M 용액을 22 내지 25℃ 주변 온도에서 가하였다. 2시간 동안 교반한 후, TLC 분석 (1:1 에틸 아세테이트:헥산)한 결과, 출발 물질 (Rf=0.45)에 대한 보다 극성인 생성물 (Rf=0.15)로 완전히 전환되었음을 알 수 있었다. 반응물을 트리에틸아민 (0.5 g, 0.49 mmol)로 켄칭하고, 농축시켜 아세토니트릴 용매를 제거하였다. 잔류물을 에틸 아세테이트 (20 mL) 중에 용해시키고 포화 중탄산나트륨, 염수로 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시키고 여과하였다; 여액을 농축시키고, 용매를 헵탄으로 교환하여 생성물 0.78 g (90% 수율)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 1.12 (s, 3H), 1.22 (s, 3H), 1.35 (s, 9H), 1.75 (s, 3H), 1.85 (m, 1H), 1.98 (bs, 3H), 2.12 (m, 1H), 2.28 (m, 1H), 2.43 (s, 3H), 2.60 (m, 1H), 3.95 (d, J=7.06, 1H), 4.17 (d, J=1.46 Hz, 1H), 4.19 (d, J=8.61 hz, 1H), 4.26 (m, 1H), 4.32 (d, J=8.61 Hz, 1H), 4.96 (bdd, J=9.68, 2.27 Hz, 1H), 5.21 (bd, J=1.46 hz, 1H), 5.43 (bd, J=9.45 Hz, 1H), 5.54 (m, 2H), 5.69 (d, J=7.07, 1H), 6.25 (bt, J=8.91, 1H), 7.28 (m, 1H), 7.35 내지 7.54 (m, 8H), 7.60 (m, 2H), 7.99 (d, J=7.68 Hz, 2H), 8.10 (d, 7.68, 2H).
실시예 45: 2'- 벤조일옥시 -10- 아세톡시 도세탁셀
무수 THF (7 mL) 중 2'-벤조일옥시 도세탁셀 (1.28 g, 1.4 mmol)의 용액에 세륨 트리클로라이드 헵타히드레이트 (CeCl3·7H2O, 0.128 g, 0.344 mmol) 및 아세트산 무수물 (0.285 g, 2.8 mmol)을 질소 하에 가하고, 혼합물을 주변 온도 (22 내지 25℃)에서 12시간 동안 교반하였다. TLC 분석 (60:40 에틸 아세테이트:헥산)한 결과, 출발 물질인 2'-벤조일옥시 도세탁셀 (Rf=0.15)에 대해 덜 극성인 생성물 (Rf=0.25)로 완전히 전환되었음이 나타났다. 혼합물을 에틸 아세테이트 (20 mL)로 희석하고, 포화 수성 중탄산나트륨 및 염수로 2회 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시키고, 여과하고 농축시켜 고체 잔류물 1.42 g을 얻었다. 에틸 아세테이트:헥산 (45:55)로 용리시켜, 플래쉬 실리카겔로 정제하여 원하는 2'-벤조일옥시-10-아세톡시 도세탁셀 1.2 g (90% 수율)을 얻었다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ (ppm): 1.14 (s, 3H), 1.25 (s, 3H), 1.34 (s, 9H), 1.67 (s, 3H), 1.89 (m, 1H), 1.97 (bs, 3H), 2.12 (m, 1H), 2.24 (s, 3H), 2.28 (m, 1H), 2.44 (s, 3H), 2.51 (d, 4.10 Hz, 1H), 2.57 (m, 1H), 3.82 (d, J=7.12 Hz, 1H), 4.17 (d, J=8.50 Hz, 1H)), 4.31 (d, J=8.50, 1H), 4.46 (m, 1H), 4.98 (dd, J=9.65, 2.16 Hz, 1H), 5.42 (bd, J=9.79, 1H), 5.50 (d,J=3.76 Hz, 1H), 5.57 (bm, 1H), 5.67 (d, J=7.10, 1H), 6.26 (bt, J=8.73 hz, 1H), 6.30 9s, 1H), 7.28 (m, 1H), 7.35 내지 7.54 (m, 8H), 7.60 (m, 2H), 7.99 (d, J=7.68 Hz, 2H)
실시예 46: 파클리탁셀
2'-벤조일옥시-10-아세톡시 도세탁셀 (0.50 g, 0.524 mmol) 및 아세토니트릴 (1 mL)의 용액에 90% 수성 포름산 (2 mL)을 가하고, TLC 분석 (90:10, 에틸 아세테이트:메탄올) 결과, 출발 물질 (Rf=0.75)에 대해 보다 극성인 중간체 (Rf=0.35)로의 완전한 전환을 나타낼 때까지, 혼합물을 22 내지 25℃ 주변 온도에서 16시간에 걸쳐 교반하였다. 용매 및 과량의 산을 헵탄과 공비 증발하여 제거하였다. 유성의 잔류물을 디클로로메탄 (2 ml) 및 헵탄 (15 mL) 중에 용해시키고, 농축시켜 백색 분말을 얻었다. 이 분말을 디클로로메탄 (5 mL) 및 트리에틸아민 (2 mL) 중에 용해시킴으로써, 벤조일을 C2' 상의 산소로부터 3'N으로 이동시켜, 조질의 파클리탁셀을 얻었다. 실리카겔 플래쉬 컬럼 크로마토그래피 (60:40 에틸 아세테이트:헥산)로 정제하고, 순수한 분획을 회수 및 증발시켜 파클리탁셀 0.277 g을 얻었다. 정제된 파클리탁셀의 1HNMR은 이미 알고 있는 샘플과 동일하였다. 또한, 라세미 β-락탐을 광학 활성 거울상이성질체 대신에 사용함으로써 값비싼 효소 시약을 배제하였다.
상기 실시예에서 예시한 바와 같이, 10-DAB 및 β-락탐 측쇄 전구체를 사용하여, 파클리탁셀 및 도세탁셀을 고수율로 제조하였다. 이는 다른 보호기에 비해 용이하게 제거되는 가교 규소-기재 보호기의 신규한 용도에 의해 강조된다. 표 4에 열거된 것을 포함하는 다른 유사한 가교 규소-기재 보호기를 사용하여, 7,10-보호된 10-DAB 유도체를 유사한 수율로 얻었다.
Figure 112008001949825-PCT00058

Claims (16)

  1. (a) 10-데아세틸박카틴 III (10-DAB)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 가교형성 규소계 보호기로 보호하여 10-DAB 유도체 (12)를 형성하는 단계;
    (b) (i) 10-DAB 유도체 (12)를 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하여 10-DAB 유도체 (13)을 형성하고, 10-DAB 유도체 (13)의 C(10) 히드록시기를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 10-DAB 유도체 (14)를 형성하고, 10-DAB 유도체 (14)의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 10-DAB 유도체 (17)을 형성하는 단계, 또는
    (ii) 10-DAB 유도체 (12)의 C(10) 히드록시기를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 10-DAB 유도체 (15)를 형성하고, 10-DAB 유도체 (15)의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 10-DAB 유도체 (16)을 형성하고, 10-DAB 유도체 (16)을 β-락탐 측쇄 전구체로 처리하여 10-DAB 유도체 (17)를 형성하는 단계
    를 포함하는 유도체화에 의해 10-DAB 유도체 (12)를 유도체화시켜 10-DAB 유도체 (17)을 형성하는 단계; 및
    (c) 10-DAB 유도체 (17)을 탈보호시켜 파클리탁셀을 형성하는 단계
    를 포함하며, 이 때,
    10-DAB 유도체 (12), 10-DAB 유도체 (13), 10-DAB 유도체 (14), 10-DAB 유도체 (15), 10-DAB 유도체 (16), 및 10-DAB 유도체 (17)은 각각 하기 화학식 (12), (13), (14), (15), (16), 및 (17)에 상응하며:
    <화학식 12>
    Figure 112008001949825-PCT00059
    <화학식 13>
    Figure 112008001949825-PCT00060
    <화학식 14>
    Figure 112008001949825-PCT00061
    <화학식 15>
    Figure 112008001949825-PCT00062
    <화학식 16>
    Figure 112008001949825-PCT00063
    <화학식 17>
    Figure 112008001949825-PCT00064
    가교형성 규소계 보호기는 하기 화학식 (2)에 상응하며:
    <화학식 2>
    Figure 112008001949825-PCT00065
    β-락탐 측쇄 전구체는 하기 화학식 (3B)에 상응하며:
    <화학식 3B>
    Figure 112008001949825-PCT00066
    G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
    L1 및 L2는 독립적으로 아민, 할라이드, 또는 술포네이트 이탈기이며;
    R10A는 히드로카르빌이며;
    X6은 히드록시 보호기이며;
    Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
    n은 1 또는 2
    인 것인, 파클리탁셀의 제조 방법.
  2. (a) (i) 10-DAB 유도체 (28)의 C(10) 히드록시기를 염기의 존재하에 알코올로 선택적으로 탈보호시켜 10-DAB 유도체 (29)를 형성하고, 10-DAB 유도체 (29)의 C(10) 히드록시기를 아세틸화시켜 10-DAB 유도체 (30)을 형성하는 단계, 또는
    (ii) 10-DAB 유도체 (28)의 C(7) 및 C(10) 히드록시기를 염기로 탈보호시켜 10-DAB 유도체 (31)을 형성하고, 10-DAB 유도체 (31)의 C(10) 히드록시기를 선택적으로 아세틸화시켜 10-DAB 유도체 (32)를 형성하는 단계
    를 포함하는 유도체화에 의해 10-DAB 유도체 (28)을 유도체화시켜 10-DAB 유도체 (30) 또는 10-DAB 유도체 (32)를 형성하는 단계; 및
    (b) (i) C(7) 히드록시 위치에 부착된 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)- 잔기 및 tert-부톡시카르보닐 잔기를 3' 질소 위치로부터 제거하여 파클리탁셀을 형성하는 단계를 포함하는 탈보호에 의해 10-DAB 유도체 (30)을 탈보호시키는 단계, 또는
    (ii) tert-부톡시카르보닐 잔기를 3' 질소 위치로부터 제거하여 파클리탁셀을 형성하는 단계를 포함하는 탈보호에 의해 10-DAB 유도체 (32)를 탈보호시키는 단계
    를 포함하는 전환에 의해 10-DAB 유도체 (30) 또는 10-DAB 유도체 (32)를 파클리탁셀로 전환시키는 단계
    를 포함하며, 이때,
    10-DAB 유도체 (28), 10-DAB 유도체 (29), 10-DAB 유도체 (30), 10-DAB 유도체 (31), 및 10-DAB 유도체 (32)는 각각 하기 화학식 (28), (29), (30), (31), 및 (32)에 상응하며:
    <화학식 28>
    Figure 112008001949825-PCT00067
    <화학식 29>
    Figure 112008001949825-PCT00068
    <화학식 30>
    Figure 112008001949825-PCT00069
    <화학식 31>
    Figure 112008001949825-PCT00070
    <화학식 32>
    Figure 112008001949825-PCT00071
    G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
    R10A는 히드로카르빌이며;
    X6은 히드록시 보호기이며;
    Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
    n은 1 또는 2
    인 것인, 파클리탁셀의 제조 방법.
  3. (a) tert-부톡시카르보닐 잔기를 10-DAB 유도체 (260)의 3' 질소 위치로부터 제거하여 C(2') 산소 위치에 부착된 벤조일기가 3' 질소 위치로 이동하게 하는 단계; 및
    (b) 존재한다면, -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)- 잔기를 10-DAB 유도체 (260)의 C(7) 히드록시 위치로부터 제거하는 단계
    를 포함하는 전환에 의해 10-DAB 유도체 (260)을 파클리탁셀로 전환시키는 단계를 포함하며, 이때,
    10-DAB 유도체 (260)는 하기 화학식 (260)에 상응하며:
    <화학식 260>
    Figure 112008001949825-PCT00072
    R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이며;
    R10A는 히드로카르빌이며;
    G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
    Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O- Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
    n은 1 또는 2
    인 것인, 파클리탁셀의 제조 방법.
  4. 하기 화학식 (210)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 화합물.
    <화학식 210>
    Figure 112008001949825-PCT00073
    식 중,
    R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이며;
    R10은 수소 또는 아세틸이거나; 또는
    R7 및 R10은 함께 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-를 형성하며;
    R10A는 히드로카르빌이며;
    G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
    Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O- Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
    n은 1 또는 2이다.
  5. 하기 화학식 (280)에 상응하는 폴리시클릭 융합 고리 화합물.
    <화학식 280>
    Figure 112008001949825-PCT00074
    식 중,
    R7은 수소 또는 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-O(R10A)-이며;
    R10은 수소 또는 아세틸이거나; 또는
    R7 및 R10은 함께 -[Si(G3)(G4)]-Z-[Si(G1)(G2)]-를 형성하며;
    R10A는 히드로카르빌이며;
    X6은 히드록시 보호기이며;
    G1, G2, G3, 및 G4는 독립적으로 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 알콕시, 또는 헤테로시클로이며;
    Z는 히드로카르빌, 치환된 히드로카르빌, 헤테로시클로, -[O- Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    각각의 Z10 및 Z11은 독립적으로 히드로카르빌이며;
    n은 1 또는 2이다.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    Z가 -(CH2)y-, -[(Z12)-(Z13)]k-[(Z14)]m-, -[O-Si(Z10)(Z11)-]nO-, 또는 -O-이며;
    Z12, Z13, 및 Z14가 각각 독립적으로 -(CH2)y- 또는 이종원자이되, 단 Z12 및 Z13 중 적어도 하나는 이종원자이며;
    k가 1 내지 약 4의 양의 정수이며;
    m이 0 또는 1이며;
    n이 1 또는 2이며;
    y가 1 내지 약 8의 양의 정수
    인 방법 또는 화합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, G1, G2, G3, 및 G4가 독립적으로 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 또는 시클로알킬인 방법 또는 화합물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, G1, G2, G3, 및 G4가 독립적으로 약 1 내지 약 4개의 탄소 원자를 가지는 선형 또는 분지형 알킬 또는 알케닐, 약 1 내지 약 6개의 탄소 원자를 가지는 시클로알킬, 또는 페닐인 방법 또는 화합물.
  9. 제1항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, L1 및 L2가 할라이드 이탈기인 방법.
  10. 제1항 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, L1 및 L2가 클로로 이탈기인 방법.
  11. 제1항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, L1 및 L2가 아민 이탈기인 방법.
  12. 제1항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, L1 및 L2가 술포네이트 이탈기인 방법.
  13. 제1항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 가교형성 규소계 보호 기가 1,3-디클로로테트라메틸디실록산; 1,5-디클로로헥사메틸트리실록산; 1,7-디클로로옥타메틸테트라실록산; 1,3-디클로로-1,3-디페닐-1,3-디메틸디실록산; 1,3-디클로로테트라페닐디실록산; 1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디클로로디실록산; 1,1,3,3-테트라시클로펜틸디클로로디실록산; 1,1,3,3-테트라이소프로필-1,3-디클로로디실록산; 1,2-비스(클로로디메틸실릴)에탄; 1,3-비스(클로로디메틸실릴)프로판; 1,6-비스(클로로디메틸실릴)헥산; 및 1,8-비스(클로로디메틸실릴)옥탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  14. 제1항 및 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, β-락탐 측쇄 전구체가 하기 화학식 (300B)에 상응하는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐인 방법.
    <화학식 300B>
    Figure 112008001949825-PCT00075
    식 중, X6은 히드록시 보호기이다.
  15. 제1항, 제2항 및 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, X6이 2-메톡시-2-프로필 (MOP)인 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    (a) (i) 벤즈알데히드와 디실라지드를 반응시켜 이민을 형성하는 단계; 및
    (ii) 이민을 케텐 아세탈로 처리하여 거울상이성질체 혼합물로 존재하는 N-미치환 β-락탐 (8)을 형성하는 단계
    에 의해 N-미치환 β-락탐 (8)을 형성하는 단계;
    (b) (i) 실릴 잔기를 N-미치환 β-락탐 (8)의 C(3) 히드록시기로부터 제거하는 단계;
    (ii) 거울상이성질체 혼합물을 아민의 존재하에 광학 활성 프롤린 아실화제로 처리하여, 제1 및 제2 C(3)-히드록시 치환된 β-락탐 거울상이성질체들 각각을 광학 활성 프롤린 아실화제와 반응시켜 형성된 제1 및 제2 C(3)-에스테르 치환된 β-락탐 부분입체이성질체들을 함유하며 또한 임의로 미반응 제2 C(3)-히드록시 β-락탐 거울상이성질체를 함유하는 생성물 혼합물을 형성하는 단계; 및
    (iii) 제1 C(3)-에스테르 치환된 β-락탐 부분입체이성질체를 미반응 제2 C(3)-히드록시 β-락탐 거울상이성질체 또는 제2 C(3)-히드록시 치환된 β-락탐 부분입체이성질체로부터 분리하는 단계
    를 포함하는 분해에 의해 N-미치환 β-락탐 (8)의 거울상이성질체 혼합물을 분해하는 단계; 및
    (c) (i) 히드록시 보호기를 C(3) 히드록시기에 도입하는 단계; 및
    (ii) 벤조일기를 -NH 잔기에 도입하여 화학식 (300B)에 상응하는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐을 형성하는 단계
    를 포함하는 유도체화에 의해 미반응 제2 C(3)-히드록시 β-락탐 거울상이성질체 또는 제2 C(3)-히드록시 치환된 β-락탐 부분입체이성질체를 유도체화시키는 단계
    를 포함하는 방법에 의해 화학식 (300B)에 상응하는 광학 활성 3R, 4S (+) cis-β-락탐을 제조하는 것이며, 이때, N-미치환 β-락탐 (8)은 하기 화학식 (8)에 상응하는 것인 방법.
    <화학식 8>
    Figure 112008001949825-PCT00076
    식 중 R21, R22, 및 R23은 독립적으로 알킬, 아릴, 또는 아르알킬이다.
KR1020087000673A 2005-06-10 2006-06-08 파클리탁셀의 제조 방법 KR20080033252A (ko)

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