KR20080020490A - 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물과 이를사용하여 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판 - Google Patents

플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물과 이를사용하여 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판 Download PDF

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KR20080020490A
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wiring circuit
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히로후미 후지이
고스케 모리타
마사키 미즈타니
다다오 오카와
다케시 요시미
고이치로 다다
겐지 오니시
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 가열 경화 후의 휨 발생의 억제 효과를 구비한 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판을 제공하는 것으로서, 하기의 (A) 성분 내지 (C) 성분을 함유하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물이고, 도체 회로 패턴 상에 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물 층을 형성하고 이를 소정의 패턴으로 노광하여 현상함으로써 커버 절연층을 형성함으로써 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판인 것을 특징으로 한다:
(A) 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하인 카르복실기 함유 선형상 중합체;
(B) 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물; 및
(C) 광중합 개시제.

Description

플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물과 이를 사용하여 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING CIRCUIT BOARD AND FLEXIBLE WIRING CIRCUIT BOARD OBTAINED BY USING THE SAME}
본 발명은 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물(이하,「감광성 수지 조성물」이라고 약칭) 및 이를 사용하여 수득되는, 솔더 레지스트를 갖는 플렉시블 배선 회로 기판에 관한 것이다.
납땜에 의해 반도체 소자 등의 전자 부품을 실장하는 플렉시블 배선 회로 기판에는 커버레이라고 불리는 접착제 층이 형성된 폴리이미드 필름을 소정의 형상으로 펀칭한 것을 도체 패턴 상에 점착하거나, 또는 솔더 레지스트라고 불리는 내열성 재료를 스크린 인쇄법이나 노광 현상법에 의해 필요한 부분에 설치하는 바와 같이, 도체 패턴 상에 커버 절연층(솔더 레지스트층을 포함)을 설치하는 방법이 행해지고 있다.
이와 같은 플렉시블 배선 회로 기판에는 땜납에 의한 부품 실장시의 내땜납 내열성, 절연성, 난연성, 또한 플렉시블 배선 회로 기판의 휨 발생의 억제 등의 특성이 요구된다.
그리고, 종래, 상기 커버 절연층 형성 재료로서는 내땜납 내열성 등의 개선을 위해, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노보락형 에폭시 수지를 주성분으로 하는 액상의 감광성 레지스트 재료가 제안되어 있다(일본 공개특허공보 평7-207211호, 일본 공개특허공보 평8-134390호, 일본 공개특허공보 평9-5997호 참조).
그러나, 상기 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노보락형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 주성분으로 하는 액상의 감광성 레지스트 재료는 열 경화후의 에폭시 수지의 경화 수축에 기인하여 플렉시블 배선 회로 기판에서 휨이 발생하는 문제를 갖고 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 가열 경화 후의 휨 발생의 억제 효과를 구비한 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 수득되는 플렉시블 배선 회로 기판의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 하기의 (A) 성분 내지 (C) 성분을 함유하는 감광성 수지 조성물을 제 1 요지로 한다.
(A) 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하인 카르복실기 함유 선형상 중합체.
(B) 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물.
(C) 광중합 개시제.
그리고, 본 발명은 도체 회로 패턴 상에, 상기 제 1 요지인 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물 층을 형성하고, 이를 소정의 패턴으로 노광하여 현상함으로써 커버 절연층을 형성하여 이루어진 플렉시블 배선 회로 기판을 제 2 요지로 한다.
즉, 본 발명자들은 가열 경화 후의 휨 발생의 억제 효과를 구비한 감광성 수지 조성물을 수득하기 위해 일련의 연구를 거듭했다. 그 결과, 상기 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물〔(B) 성분〕과 함께 구성성분으로서 사용되는 카르복실기 함유 선형상 중합체에 착안하여, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체 중에서도 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하가 되는 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 것을 선택하여 사용하면, 양호한 저(低)응력성, 내땜납 내열성, 알칼리 현상성 및 절연성이 수득됨과 동시에, 가열 경화시의 수축에 기인한 휨의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 도달했다.
이와 같이, 본 발명은 상기 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하의, 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 카르복실기 함유 선형상 중합체 〔(A)성분〕 및 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물 〔(B)성분〕을 함유하는 감광성 수지 조성물이다. 이 때문에, 우수한 휨 발생의 억제 효과를 구비하게 된다. 따라서, 도체 회로 패턴 상에, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 솔더 레지스트를 형성함으로써, 플렉시블 배선 회로 기판 제조시의 가열 경화 수축시에 발생하는 휨이 억제된 신뢰성이 높은 플렉시블 배선 회로 기판이 수득된다. 이와 같은 플렉시블 배선 회로 기판은 예를 들어 납땜 등에 의해 LSI, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴서 등의 전자 부품을 실장하여 실장 기판으로 하고, 휴대 전화 등의 소형 기기 등에 장착 이용된다.
그리고, 상기 성분에 추가하여 인 원자의 함유량이 분자량의 2 중량% 이상 함유하여 이루어진 인 함유 에폭시 수지 〔(D)성분〕을 사용하면, 비할로겐화에 의한 난연성이 부여된다.
또한, 상기 (D)성분의 함유량을 감광성 수지 조성물의 비휘발 성분 전체 중의 10 중량% 내지 20 중량%의 범위로 설정하면 충분한 난연성과 함께 한층 더한 휨 발생의 억제 효과가 수득된다.
그리고, 상기 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물〔(B)성분〕으로서, 화학식 1로 표시되는 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용하면, 감도 및 알칼리 현상성이 우수한 것이 수득된다.
또한, 환형 포스파젠 화합물〔(E)성분〕을 사용하면, 휨을 발생시키지 않고 난연성을 향상시키고, 또한 상기 (D)성분과 병용함으로써, 난연성과 저(低)휨성, 내땜납성을 병립시킬 수 있다. 단, 상기 환형 포스파젠 화합물〔(E)성분〕은 감광성 수지 조성물의 비휘발분 전체 중의 20 중량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 환형 포스파젠 화합물 〔(E)성분〕의 첨가량이 20 중량% 보다 많으면, 고온고습 조건하에서 결정이 블루밍하여 표면에 석출되는 경향이 보이기 때문이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 특정의 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분), 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물(B성분), 및 광중합 개시제(C성분)를 사용하여 수득되는 것이다.
상기 특정의 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)로서는 그 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하가 되는 것을 사 용할 필요가 있다. 특히 바람직하게는 유리 전이 온도가 30 ℃ 내지 55 ℃이다. 즉, 유리 전이 온도가 55 ℃를 초과하여 높으면, 감광성 수지 조성물의 경화 수축 후의 휨의 발생이 많아지는 경향이 보이고, 30 ℃ 미만에서는 감광성 수지 조성물 용액의 도포, 건조 후의 건조 도막에 점착성이 보이고, 작업성이 악화된다는 문제가 발생하는 경향이 보이기 때문이다. 이와 같이, 본 발명에서는 A성분인 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 카르복실기 함유 선형상 중합체로서 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하가 되는 특성을 구비한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 것이다. 상기 유리 전이 온도는 예를 들어 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 즉, 티 에이 인스트루먼트사 제조 ARES 등의 점탄성 측정용 레오미터를 사용하여 주파수 1 ㎐, 승온 속도 5 ℃/분, 측정 온도 0 ℃ 내지 150 ℃에서 측정했을 때의 tanδ의 값으로서 유리 전이 온도(Tg)를 구할 수 있다.
그리고, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)는 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 것으로, (메타)아크릴산이나 카르복실기 함유 스티렌 유도체, 무수 말레인산 등을 공중합하여 수득할 수 있다. 상기 방법에 의해 수득되는 선형상 중합체는 산 당량을 임의로 억제할 수 있는 것이나, 원료 모노머종이 풍부하게 있는 것에 기인하여 유리 전이 온도(Tg) 등의 물성 설계가 용이하다.
상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)의 중량 평균 분자량은 5000 내지 100000의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 6000~80000, 특히 바람직하게는 7000~60000의 범위이다. 즉, 중량 평균 분자량이 5000 미만에서는 땜납 내열성 등의 물성이 나빠지는 경향이 보이고, 100000을 초과하면 알칼리 현상성이 나 빠지는 경향이 보이기 때문이다.
또한, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A 성분)의 산 당량은 200~900의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 250~850, 더욱 바람직하게는 300~800의 범위이다. 즉, 산 당량이 200 미만에서는 고온 고습하에서의 동(銅)의 산화를 촉진하므로 바람직한 것이 아니고, 900을 초과하면 알칼리 현상성이 나빠지는 경향이 보이기 때문이다.
또한, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)로서, 상기 (메타)아크릴산을 포함하는 에틸렌성 불포화 화합물의 선형상 중합물을 사용할 때에는 내열성과 휨의 억제 효과를 부여하기 위해 페녹시에틸(메타)아크릴레이트를 공중합 성분으로서 함유하는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)로서는 예를 들어 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 및 그 밖의 비닐모노머를 공중합하여 수득되는 중합체를 들 수 있다. 또한, 본 발명에서 (메타)아크릴산이라는 것은 아크릴산 또는 메타크릴산을, (메타)아크릴이라는 것은 아크릴 또는 메타크릴을, (메타)아크릴레이트라는 것은 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 각각 의미한다.
상기 그 밖의 비닐모노머로서는 예를 들어, (메타)아크릴산 메틸에스테르, (메타)아크릴산 에틸에스테르, (메타)아크릴산 부틸에스테르 등의 (메타)아크릴산의 알킬에스테르, (메타)아크릴산 2-에틸헥실에스테르, (메타)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메타)아크릴산 디메틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산 디에틸아미노에틸에스테르, 스티렌, α-스티렌, 비닐톨루엔, N-비닐피롤리돈, (메 타)아크릴산2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, N-페닐말레이미드, 시클로헥실말레이미드 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상 함께 사용된다.
상기 공중합 성분인 페녹시에틸(메타)아크릴레이트의 공중합량은 공중합 성분의 총량 중, 20 중량% 내지 92 중량%로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 중량% 내지 90 중량%의 범위이다. 즉, 공중합량이 20 중량% 미만에서는 난연성이 저하되는 경향이 보이고 92 중량%를 초과하면 경화시킨 솔더 레지스트의 알칼리 현상성이 저하되는 경향이 보이기 때문이다.
또한, 상기 공중합 성분인 (메타)아크릴산의 공중합량은 공중합 성분의 총량 중, 8 중량% 내지 40 중량%로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 중량% 내지 35 중량%의 범위이다. 즉, 공중합량이 8 중량% 미만에서는 현상 시간이 길어지고 작업성이 저하되는 경향이 보이고, 40 중량%를 초과하면 고온고습하에서의 회로 패턴인 동(銅)의 산화를 촉진하는 경향이 보이기 때문이다.
그리고, 상기 공중합 성분인 그 밖의 비닐모노머의 공중합량은 공중합 성분의 총량 중, 0 중량% 내지 72 중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0 중량% 내지 60 중량%이다. 즉, 공중합량이 72 중량%를 초과하면 난연성 및 현상성이 저하되는 경향이 보이기 때문이다.
또한, 상기 카르복실기 함유 선형상 중합체(A성분)에, 중합 후 고분자 반응에 의해 에틸렌성 불포화기 등을 도입할 수 있다. 단, 본 발명에서 고분자 반응에 의해 에틸렌성 불포화기 등을 도입하는 경우의, 후술하는 유리 전이 온도(Tg)의 값 은 에틸렌성 불포화기 도입전의 선형상 중합체의 유리 전이 온도(Tg)를 측정한 값을 가리킨다. 또한, 상기 각 모노머 성분을 사용하여 수득되는 공중합체의 카르복실기에, 중합 후 글리시딜아크릴레이트 등과의 반응에 의해 에틸렌성 불포화기를 도입하는 경우에는 도입 후의 반응에 의해 소실되는 카르복실기의 양을 고려하여, 상기 (메타)아크릴산의 공중합량을 증가시키는 것이 바람직하다. 에틸렌성 불포화 화합물의 선형상 중합물에 카르복실기를 도입할 수 있는 에틸렌성 불포화 화합물로서는 전술한 (메타)아크릴산에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 스티렌 유도체, 무수 말레인산 유도체 등을 사용할 수 있다.
그리고, A성분인 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하가 되는 카르복실기 함유 선형상 중합체를 수득하기 위한 특히 바람직한 태양(態樣)으로서는 다음과 같은 태양을 들 수 있다. 즉, 유리 전이 온도가 30 ℃ 이하의 에틸렌성 불포화 화합물, 유리 전이 온도가 55 ℃ 이상의 에틸렌성 불포화 화합물, 및 (메타)아크릴산을 질소 기류하, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 등의 라디칼 중합 개시제와 60 ℃ 내지 120 ℃의 용제 중에 적하하여 반응시킴으로써 수득할 수 있다.
상기 A성분과 함께 사용되는 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물(B성분)은 특별히 한정되지 않지만 하기의 화학식 1로 표시되는 비스페놀 A계(메타)아크릴레이트 화합물인 것이, 땜납 내열성, 알칼리 현상성 등의 특성 밸런스가 우수한 점에서 바람직하다.
Figure 112007059885949-PAT00001
[상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, 서로 동일해도 달라도 좋다. 또한, Y1 및 Y2는 각각 탄소수 2 내지 탄소수 6의 알킬렌기이다. 그리고, p 및 q는 p+q가 4 내지 40이 되도록 선택되는 양의 정수이다]
상기 화학식 1 중, 탄소수 2 내지 탄소수 6의 알킬렌기로서는 예를 들어, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 이소부틸렌기, 펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 특히 에틸렌기인 것이 바람직하다.
상기 이소프로필렌기는 -CH(CH3)CH2-로 표시되는 기이고, 상기 화학식 1 중의 -(O-Y1)- 및 -(Y2-O)-에서 결합 방향은 메틸렌기가 산소와 결합하고 있는 경우와 메틸렌기가 산소에 결합되어 있지 않은 경우의 2 종류가 있고, 1 종류의 결합 방향이어도 좋고, 2 종류의 결합 방향이 혼재하고 있어도 좋다.
상기 -(O-Y1)- 및 -(Y2-O)-의 반복 단위가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 Y1 및 2 이상의 Y2는 서로 동일해도 좋고 달라도 좋다. 그리고, Y1 및 Y2가 2 종류 이상의 알킬렌기로 구성되는 경우, 2 종 이상의 -(O-Y1)- 및 -(Y2-O)-는 랜덤으로 존재해도 좋고 블럭으로 존재해도 좋다.
또한, 상기 화학식 1 중의, 2 개의 벤젠 고리의 치환 가능한 위치에는 1 개 이상의 치환기를 갖고 있어도 좋고 2 개 이상의 치환기를 갖는 경우에는 그들의 치환기는 서로 동일해도 좋고 달라도 좋다. 이와 같은 치환기로서는 예를 들어 탄소수 1 내지 탄소수 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 탄소수 10의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 탄소수 14의 아릴기, 아미노기, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 알릴기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬머캅토기, 탄소수 1 내지 탄소수 20의 히드록시알킬기, 알킬기의 탄소수가 1 내지 10인 카르복시알킬기, 알킬기의 탄소수가 1 내지 10인 아실기, 탄소수 1 내지 탄소수 20의 알콕시기 또는 복소고리를 포함하는 기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1 중의 반복수 p, q는 p+q가 4 내지 40이 되도록 선택되는 양의 정수이고, 보다 바람직하게는 p+q가 4 내지 15가 되도록 선택되는 양의 정수이고, 특히 바람직하게는 p+q가 5 내지 13이 되도록 선택되는 양의 정수이다. 즉, p+q가 4 미만에서는 내절성(耐折性)이 저하되는 경향이 보이고 p+q가 40을 초과하면 감광성 수지 조성물 전체의 계가 친수성을 나타내고, 고온 고습하에서의 절연 신뢰성이 떨어지는 경향이 보이기 때문이다.
상기 화학식 1로 표시되는 비스페놀 A계(메타)아크릴레이트 화합물로서는 구체적으로는 2,2′-비스〔4-(메타)아크릴옥시디에톡시페닐〕프로판, 2,2′-비스〔4-(메타)아크릴옥시테트라에톡시페닐〕프로판, 2,2′-비스〔4-(메타)아크릴옥시펜타에톡시페닐〕프로판, 2,2′-비스〔4-(메타)아크릴옥시디에톡시옥타프로폭시페닐〕프로판, 2,2′-비스〔4-(메타)아크릴옥시트리에톡시옥타프로폭시페닐〕프로판 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상 함께 사용된다.
상기 A 및 B 성분과 함께 사용되는 광중합 개시제(C성분)로서는 예를 들어 치환 또는 비치환의 다핵 퀴논류(2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논 등), α-케탈도닐알콜류(벤조인, 피발론 등), 에테르류, α-탄화수소 치환 방향족 아시로인류(α-페닐-벤조인, α, α-디에톡시아세토페논류 등), 방향족 케톤류(벤조페논, N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논 등의 4,4'-비스디알킬아미노벤조페논 등), 티옥산톤류(2-메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로르티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 2-에틸티옥산톤 등), 2-메틸-1-〔4-(메틸티오)페닐〕-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상 함께 사용된다.
그리고, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 A 성분 내지 C 성분에 추가하여, 인 원자를 분자량 전체의 2 중량% 이상 함유하여 이루어진 인 함유 에폭시 수지(D성분)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 D성분은 난연제로서 작용하는 것으로 할로겐 원소를 함유하지 않으므로 비할로겐화에 의한 환경면이 배려된 것이 수득되는 효과를 갖는다. 또한, 절연 신뢰성 및 현상성 등의 물성을 손상시키지 않고 난연성을 부여하는 것이 가능해져 바람직한 것이다.
상기 D성분에서 인 원자의 함유량이 분자량의 2 중량% 미만과 같이 적어지면 충분한 난연성을 부여하는 것이 곤란해진다. 또한, 상기 인 원자의 함유량은 특별히 제한은 없지만, 5 중량% 이상에서는 에폭시 수지와의 상용성이 나빠지는 경우가 있다.
그리고, 상기 D성분으로서는 예를 들어 Journal of Applied Polymer Science 73, 353(1999)에 소개되어 있는, 질소 원자와 인 원자를 동시에 포함하는 난연성 에폭시 수지 외에, 하기의 화학식 2로 표시되는 비스페닐포스페이트 골격 구조를 포함하는 인 함유 에폭시 수지를 들 수 있다.
Figure 112007059885949-PAT00002
[상기 화학식 2에서, X는 말단에 에폭시기를 갖는 치환기를 적어도 2개 갖는 방향족기이다.]
상기 화학식 2 중, X에 관해, 말단에 에폭시기를 적어도 2개 갖는 방향족기로서는 예를 들어 노보락 수지의 유도체, 비스페놀 유도체 등을 들 수 있고, 또한 1 분자 중에 복수의 비스페닐포스페이트 골격 구조가 포함되어 있어도 좋다.
이와 같은 화학식 2로 표시되는 비스페닐포스페이트 골격 구조를 포함하는 인 함유 에폭시 수지로서는 구체적으로는 일본 특허 공보 제3613724호나, 일본 특허 공보 제3533973호에서 제공되는 에폭시 수지, Journal of Applied Polymer Science 73, 1231(1999)에서 제공되는 하기의 화학식 3으로 표시되는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
Figure 112007059885949-PAT00003
그리고, 상기 인 함유 에폭시 수지(D성분)로서는 상기 에폭시 당량이 300 내지 500의 범위인 것이, 경화 수축에 의해 발생하는 휨과, 내땜납성의 점에서 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량은 1000 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 상기 A성분 내지 D성분에 추가하여, 또한 난연성과 휨의 억제, 내땜납성의 양립을 목적으로, 환형 포스파젠 화합물(E성분)을 사용할 수 있다. 상기 환형 포스파젠 화합물(E성분)로서는 구체적으로는 하기의 화학식 4로 표시되는 환형 페녹시포스파젠 화합물 등을 들 수 있다.
Figure 112007059885949-PAT00004
[상기 화학식 4에서, n은 3 내지 10의 정수이다.]
상기 화학식 4 중, 반복수 n은 3 내지 10이고, 보다 바람직하게는 3 내지 5이다.
이와 같은 화학식 4로 표시되는 환형 페녹시포스파젠 화합물은 예를 들어, 오츠보가가쿠샤 제조의 SPE-100 등으로서 입수 가능하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에서의, 상기 A성분 내지 D성분을 사용하는 경우, 또한 E성분을 사용하는 경우의 각 함유량은 적절하게 다음과 같이 설정된다. 우선, 상기 A성분의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 30 중량% 내지 60 중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 30 중량% 미만에서는 현상 속도가 지연되는 경우가 있고, 60 중량%를 초과하면 알칼리 현상시에 노광부에 막 잔존이 발생하거나, 난연성이 불충분해지는 경향이 보이기 때문이다.
상기 B성분의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 10 중량% 내지 40 중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 30 중량%이다. 즉, 10 중량% 미만에서는 감광성 수지 조성물로의 노광시의 감도가 나빠지는 경향이 보이고, 40 중량%를 초과하면 알칼리 현상성이 저하되는 경향이 보이기 때문이다.
상기 C성분의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 1 중량% 내지 10 중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 중량% 내지 8 중량%이다. 즉, 1 중량% 미만에서는 감도가 불충분해지는 경향이 있고, 10 중량%를 초과하면 현상 속도가 지연되거나 알칼리 현상성이 저하되는 경향이 보이기 때문이다.
상기 D성분의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 20 중량% 이하로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 20 중량%의 범위이다. 즉, 10 중량% 미만에서는 난연성이 불충분해지는 경향이 보이고, 20 중량%를 초과하면 현상 속도가 지연되거나 플렉시블 배선 회로 기판의 휨이 커지는 경향이 보이기 때문이다.
상기 E성분의 함유량은 감광성 수지 조성물 전체의 20 중량% 이하로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 중량% 내지 20 중량% 이다. 즉, 20 중량%를 초과하면, E성분이 석출되는 경향이 보이기 때문이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 각 성분 이외에 필요에 따라서, 다른 첨가제, 즉 프탈로시아닌 그린, 프탈로시아닌 블루 등의 안료, 실리카, 황산 바륨, 탈크 등의 충전제, 소포제, 레벨링제, 상기 D성분 이외의 난연제, 안정제, 2-아미노-5-머캅토-1,3,4-티아디아졸이나 5-아미노-1-H-테트라졸 등의 밀착성 부여제, 벤조트리아졸 등의 방청제, 블록 이소시아네이트 등의 열가교제 등을 적절하게 배합할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상 함께 사용된다. 그리고, 이 밖의 첨가제는 감광성 수지 조성물 전체의 0.01 중량% 내지 20 중량%의 범위 내에서 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 각 성분을 소정의 함유량이 되도록 배합하여 혼합함으로써 수득된다. 그리고, 필요에 따라서 유기용제와 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 유기 용제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 솔벤트나프타, N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤, 부틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 용제 또는 이들의 혼합 용제를 사용할 수 있다.
상기 유기용제를 사용하는 경우의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대해서 0 중량부 내지 200 중량부 정도 혼합하여 사용할 수 있다.
이와 같이 하여 수득되는 감광성 수지 조성물의, 경화후 〔자외선(UV)노광후〕의 50 ℃에서의 저장 탄성률은 1 GPa 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 GPa 내지 1 GPa이다. 즉, 1 GPa를 초과하면, 감광성 수지 조성물의 경화후의 휨이 커지는 경향이 보이기 때문이다. 또한, 상기 경화후 (UV 노광후)의 50 ℃에서의 저장 탄성률은 예를 들어, 고체 점탄성 측정 장치를 사용하여, 주파수 1 ㎐, 승온 속도 5 ℃/분, 측정 온도 0 ℃ 내지 150 ℃, 인장 모드에서 측정했을 때의, 50 ℃에서의 값을 판독함으로써 수득되는 값이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 플렉시블 배선 회로 기판용 솔더 레지스트 재료로서 유용하다.
상기 플렉시블 배선 회로 기판용 솔더 레지스트 재료로서 사용할 때에는, 예를 들어 다음과 같이 하여 사용된다. 이하, 차례대로 설명한다.
우선, 플렉시블 프린트 배선판의 도체 회로 패턴 형성면에, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 롤코트법, 정전 도장법에 의해 건조 후의 두께가 5 ㎛ 내지 50 ㎛가 되도록 본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포하고, 5 ℃ 내지 120 ℃에서 3 분 내지 60 분간 정도 건조시킨 후, 네거티브 또는 포지티브 마스크 패턴 필름을 도막에 직접 접촉시키거나 또는 접촉시키지 않고 설치하고, 다음에 활성 광선을 조사한다.
상기 활성 광선의 광원으로서는 공지의 각종 광원, 예를 들어 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논램프, 메탈하이드라이드 램프 등의 자외선을 유효하게 조사하는 것이 사용된다. 또한, 사진용 플러드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 조사하는 것도 사용된다.
다음에, 알칼리성 수용액 등의 현상액을 사용하여 예를 들어 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크랩핑 등의 공지의 방법에 의해 미노광부를 제거하여 현상하고, 레지스트 패턴을 제조한다.
상기 현상에 사용되는 알칼리성 수용액으로서는 0.1 중량% 내지 5 중량% 탄산나트륨의 희박(稀薄) 용액, 0.1 중량% 내지 5 중량% 탄산 칼륨의 희박 용액, 0.1 중량% 내지 5 중량% 수산화나트륨의 희박 용액, 0.1 중량% 내지 5 중량% 사붕산나트륨의 희박 용액 등을 사용할 수 있다.
또한, 현상 후 땜납 내열성, 내약품성 등을 향상시킬 목적에서, 필요에 따라서 고압 수은 램프에 의한 자외선 조사나 가열을 실시할 수 있다. 상기 자외선의 조사량은 0.2 J/㎠ 내지 10 J/㎠ 정도로 설정하는 것이 바람직하고, 또한 상기 가열에 관해서는 100 ℃ 내지 180 ℃ 정도의 범위에서 15 분 내지 120 분간 실시하는 것이 바람직하다. 상기 자외선 조사와 가열의 순서는 어떤 것이 앞이어도 좋고, 자외선 조사 및 가열 중 어느 한쪽만의 처리이어도 좋다.
이와 같이 하여 솔더 레지스트가 형성된 플렉시블 배선 회로 기판은, 그 후 납땜 등에 의해 LSI, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴서 등의 전자 부품을 실장하여 실장 기판으로 하고, 예를 들어 휴대 전화 등의 소형 기기 등에 장착된다.
다음에, 실시예에 대해서 비교예와 함께 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예)
[합성예 1]
〔폴리머(카르복실기 함유 선형상 중합체) a의 합성〕
우선, 에틸디글리콜아세테이트 291 g(1 회째의 투입)을 질소 분위기하에서 1 리터의 세퍼러블 플라스크에 넣고 교반하면서 130 ℃로 가온했다. 30 분 보온 후, 페녹시에틸아크릴레이트 243 g, 메타크릴산 100 g, 메타크릴산 메틸 158 g, 에틸디글리콜아세테이트 158 g(2 회째의 투입), 촉매로서의 아조비스이소부티로니트릴 8.0 g을 혼합 용해한 용액을 3 시간 세퍼러블 플라스크 내에 적하하여 반응시켰다. 80 ℃에서 2 시간 보온한 후 냉각하고, 폴리머 용액 a(고형분 농도 53 중량%)를 수득했다.
〔폴리머(카르복실기 함유 선형상 중합체) b~e의 합성〕
에틸디글리콜아세테이트의 사용량(각 투입량)을 하기의 표 1에 표시하는 양으로 바꾸었다. 또한, 사용한 각 모노머 성분 및 그 사용량을 하기의 표 2로 바꾸었다. 또한, 표 2에서의 아로닉스는 도아가세이샤 제조의 N-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드이다. 그 이외의 합성 조건(온도, 시간 등)에 관해서는 상기 합성예 1과 동일하게 하여 폴리머 b 내지 폴리머 e를 합성했다. 또한, 수득된 폴리머 a 내지 폴리머 e의 유리 전이 온도 및 중량 평균 분자량을 하기의 방법에 따라서 측정하고, 하기의 표 2에 함께 나타낸다.
〔유리 전이 온도의 측정〕
상기 방법에서 수득된 폴리머의 용액을 실리콘 수지로 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에, 건조 후의 두께가 약 20 ㎛가 되도록 도포, 건조(120 ℃ × 30 분)했다. 또한, 수득된 폴리머 필름을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상으로부터 박리한 후, 50 ℃의 롤 라미네이터를 사용하여 중합시켜 압착했다. 수득된 두께 약 300 ㎛의 필름을 티 에이 인스트루먼트사 제조의 ARES를 사용하여 패러렐 플레이트 직경 7.9 ㎜, 하중 200 g, 주파수 6.3 rad/초, 승온 속도 5 ℃/분의 조건에서 측정 온도 0 ℃ 내지 150 ℃에서 측정했다. 그리고, 수득된 tanδ의 값으로서 유리 전이 온도(Tg)를 구했다.
〔중량 평균 분자량의 측정〕
상기 방법으로 수득된 폴리머의 중량 평균 분자량을 하기의 조건에서 측정했다.
측정 장치: GPC(도소샤 제조, HLC-8120 GPC)
컬럼 사이즈: 직경 6.0 ㎜×15 ㎝×3 개(합계 45 ㎝)
컬럼 온도: 40 ℃
용리액(溶離液): 10 ㎖(LiBr)+10 ㎖〔인산/디메틸포름알데히드(DMF)〕
유속: 0.4 m/min
입구압: 4.7 Pa
주입량: 20 ㎕
검출기: 시사굴절계(示唆屈折計)(RI)
표준시료: 폴리에틸렌옥사이드(PEO)
데이터 처리 장치: 도소샤 제조, GPC-8020
Figure 112007059885949-PAT00005
Figure 112007059885949-PAT00006
다음에, 하기에 나타내는 각 성분을 준비했다.
〔에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물〕
B1: 신나카무라 가가쿠샤 제조의 BPE500, 에틸렌옥사이드 변성 비스페놀 A형 메타크릴레이트 〔상기 화학식 1 중의 p+q=10, R1=H, R2=H, Y1=CH2CH2, Y2=CH2CH2〕
B2: 트리메티롤프로판트리아크릴레이트(TMPTA)
〔광중합 개시제〕
C1: 치바가이기샤 제조, Irgacure 907
C2: 닛폰가야쿠샤 제조, KAYACURE DETS-X
〔인 함유 에폭시 수지〕
D1: 도토가세이샤 제조, FX-305(인 원자 함유량 3.0 중량%, 에폭시 당량 485)
D2: 도토가세이야 제조, FX-305C(인 원자 함유량 2.6 중량%, 에폭시 당량 382)
〔에폭시 수지〕
다이닛폰잉키샤 제조, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지
〔환형 포스파젠 화합물〕
오즈카가가쿠샤 제조, SPE-100〔화학식 4 중, n=3~4〕
〔안료〕
프탈로시아닌 블루
〔밀착성 부여제〕
5-아미노-1-H-테트라졸
〔소포제〕
CBC 마테리아즈샤 제조, 모다플로(아크릴계 코폴리머)
〔실시예 1 내지 실시예 5, 비교예 1〕
하기의 표 3에 표시한 각 성분을 동일한 표에 표시하는 비율로 배합함으로써 감광성 수지 조성물을 제작했다(또한, 표 3 중의 수치는 비휘발분의 중량이다).
Figure 112007059885949-PAT00007
이와 같이 하여 수득된 각 감광성 수지 조성물을 사용하여 하기에 표시한 방법에 따라서 특성 평가를 실시했다. 그 결과를 하기의 표 4에 함께 나타낸다.
〔경화후 저장 탄성률〕
실리콘 수지로 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을 건조 후의 두께가 약 20 ㎛가 되도록 도포, 건조(80 ℃×30 분)했다. 상기 건조 표면 상에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 제조 커버 필름을 밀착시키고, 커버 필름면으로부터 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠ 노광했다. 다음에, 커버 필름을 박리한 후, 25 ℃의 1 중량% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 압력 0.2 ㎫에서 90 초간 현상하고, 또한 수돗물로 30 초간 세정했다. 이를, 열풍 순환건조기 중에서 150 ℃×30 분간의 열처리를 실시했다. 이 후, 상기 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 폭 5 ㎜, 두께 약 20 ㎛, 길이 30 ㎜의 시료를 제작했다. 이 시료를 사용하여 고체 점탄성 측정 장치 RSA11(레오메트릭사이엔티픽샤 제조)에서 20 ℃ 내지 100 ℃까지, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐, 척간 22.6 ㎜에서 인장 저장 탄성률을 측정하고, 50 ℃에서의 값을 경화후 저장 탄성률로 했다.
〔휨〕
두께 12.5 ㎛의 폴리이미드필름 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을 건조 후의 두께가 20 ㎛가 되도록 도포했다. 그 이외에는 상기 경화후 저장 탄성률의 측정 방법의 경우와 동일하게, 150 ℃×30 분간의 건조 공정까지 실시하고, 폴리이미드 필름 상에 감광성 수지 조성물 필름 층을 제작했다. 다음에, 상기 필름(폴리이미드 필름 + 감광성 수지 조성물 필름의 2층 구조)으로부터 도 1a에 도시한 바와 같이 직경 20 ㎜의 원형상의 시료 1을 펀칭 제작했다. 그리고, 도 1b에 도시한 바와 같이 제작한 시료 1에서 시료 1의 에지간 거리가 가장 작은 최단 에지간 거리(L)를 측정하고, 필름의 휨량을 다음 식에 의해 산출하고, 하기의 기준에서 평가했다.
Figure 112007059885949-PAT00008
○: 휨량이 5 ㎜ 미만이다.
×: 휨량이 5 ㎜ 이상이다.
〔알칼리 현상성〕
탈지, 소프트에칭하여 표면을 정리한 두께 35 ㎛의 동박(銅箔) 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을, 건조 후의 두께가 20 ㎛가 되도록 도포하고, 건조(80 ℃×30 분간)하고, 또한 그 위에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 밀착시키고, 250 W의 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠의 노광량으로 자외선 조사했다. 그 후, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 25 ℃의 1 중량% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 압력 0.2 ㎫에서 90 초간 현상했다. 현상후의 미노광부를 눈으로 보아 관찰하고 하기의 기준에 의해 평가했다.
○: 감광성 수지 조성물의 잔사가 없었다.
×: 감광성 수지 조성물의 잔사가 있었다.
〔난연성〕
두께 12.5 ㎛의 폴리이미드 필름의 한쪽면 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을 건조 후의 두께가 20 ㎛가 되도록, 도포하여 건조(80 ℃×30 분)하고, 그 위에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 밀착시키고, 250 W의 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠의 노광량으로 자외선 조사했다. 한편, 상기 폴리이미드 필름의 다른 면 상에도 상기와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 용액을 건조 후의 두께가 20 ㎛가 되도록 도포하여 건조(80 ℃×30 분)하고, 그 위에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 밀착시켜, 250 W의 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠의 노광량으로 자외선 조사했다. 그 후, 두 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 25 ℃의 1 중량% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 압력 0.2 ㎫에서 90 초간 현상하고, 다음에 수돗물로 30 초간 세정한 후, 열풍 순환 건조기 중에서 150 ℃×30 분간 열처리를 실시했다. 이를 난연성 시험 규격 UL94에 준거한 장치(도요 세이키 세이사쿠쇼샤 제조, No.1031, HVUL UL 연소 테스트 챔버), 방법(VTM법)에 따라서 난연성을 평가했다. VTM-0을 합격으로 했다.
〔절연성〕
두께 10 ㎛, L/S(패턴 폭/패턴 간격)=50 ㎛/50 ㎛의 바이어스 테스트용 빗형 동(銅) 패턴이 두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름 상에 직접 형성된 플렉시블 프린트 배선판을 준비하고 이를 탈지, 소프트에칭하여 동(銅) 표면을 정리했다. 그 후, 상기 플렉시블 프린트 배선판 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을 건조후의 두께가 20 ㎛가 되도록, 도포하여 건조(80 ℃×30 분간)하고, 그 위에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 밀착시키고, 250 W의 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠의 노광량으로 자외선 조사했다. 그 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 25 ℃의 1 중량%의 탄산나트륨 수용액을 사용하여 압력 0.2 ㎫에서 90 초간 현상하고, 다음에 이온 교환수로 30 초간 세정한 후, 열풍 순환 건조기 중에서 150 ℃×30 분간 열처리를 실시하여 절연성 시험용 프린트 배선판을 제작했다. 상기 절연성 시험용 프린트 배선판을 85 ℃×85 % RH의 항온 항습조에 투입하고, 빗형 패턴의 양 전극간에 50 V의 전압을 가하고, 절연 저항을 1000 시간 경과시까지 조 내에서 측정하고, 하기의 기준에 의해 평가했다.
○: 1000 시간이 경과해도 절연 저항값이 106 Ω 이상을 나타낸 것.
×: 1000 시간 이내에 절연 저항값이 106 Ω 미만을 나타낸 것.
〔땜납 내열성〕
탈지, 소프트에칭하여 표면을 정리한 두께 10 ㎛의 동박과 두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름을 사용하고, 두께 35 ㎛의 2 층 기재(두께 10 ㎛의 동박+두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름)을 제작하고, 상기 2 층 기재의 동박 상에, 상기 감광성 수지 조성물 용액을 건조 후의 두께가 20 ㎛가 되도록, 도포하여 건조(80 ℃×30 분간)하고, 그 위에 두께 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 밀착시키고, 한 변이 5 ㎜의 정방형 네거티브 패턴이 형성된 유리 마스크를 통하여 250 W의 초고압 수은등으로 300 mJ/㎠의 노광량으로 자외선 조사했다. 그 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 25 ℃의 1 중량% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 압력 0.2 ㎫에서 90 초간 현상하고 이어서 이온 교환수에서 30 초간 세정한 후, 열풍 순환 건조기 중에서 150 ℃×30 분간 열처리를 실시하여 땜납 내열성 시험용 기판을 제작했다.
이어서, 로진계 플랙스 MH-820 V(타무라카켄샤 제조)를 도포한 후, 260 ℃의 땜납욕 중에 10 초간 침지하여 납땜 처리를 실시했다. 그 후, 눈으로 보아 하기의 기준에 따라서 평가했다.
○: 땜납 용식(溶食), 솔더 레지스트의 들뜸, 박리가 발생하지 않았다.
×: 땜납 용식 또는 솔더 레지스트의 들뜸 및 박리가 발생했다.
Figure 112007059885949-PAT00009
상기 결과로부터 실시예품은 알칼리 현상성, 절연성, 땜납 내열성 모두에서 양호한 플렉시블 배선 회로 기판이 수득되는 것이 밝혀졌다. 또한, 휨의 발생이 효과적으로 억제되어 있다. 또한, 난연제로서의 인 함유 에폭시 수지가 배합된 실시예품은 난연성에서도 우수한 결과가 수득되었다.
이에 대해서, 비교예품은 휨량이 크고 휨 발생의 억제효과가 수득되지 않는 것이 명백하다.
도 1a 및 도 1b는 휨 량의 측정 방법을 도시한 설명도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
L: 최단 에지간 거리

Claims (7)

  1. 하기 (A) 성분 내지 (C) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물:
    (A) 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합시켜 이루어진 유리 전이 온도가 55 ℃ 이하인 카르복실기 함유 선형상 중합체;
    (B) 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물; 및
    (C) 광중합 개시제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (A) 성분 내지 (C) 성분에 추가하여, 하기의 (D) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물:
    (D) 인 원자의 함유량이 분자량의 2 중량% 이상 함유하여 이루어진 인 함유 에폭시 수지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 (D) 성분이 하기 화학식 2로 표시되는 비스페닐포스페이트 골격 구조를 포함하는 인 함유 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물.
    (화학식 2)
    Figure 112007059885949-PAT00010
    [상기 화학식 2에서, X는 말단에 에폭시기를 갖는 치환기를 2개 이상 갖는 방향족기이다]
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 (D) 성분의 함유량이 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물의 비휘발 성분 전체 중의 10 중량% 내지 20 중량%의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 성분인 에틸렌성 불포화기 함유 중합성 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물인 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물.
    (화학식 1)
    Figure 112007059885949-PAT00011
    [상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 수소 원자 또는 메틸기이고, 서로 동일해도 달라도 좋다. 또한, Y1 및 Y2는 각각 탄소수 2 내지 탄소수 6의 알킬렌기이다. 그리고, p 및 q는 p+q가 4 내지 40이 되도록 선택되는 양의 정수이다.]
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기의 (E) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물:
    (E) 환형 포스파젠 화합물.
  7. 도체 회로 패턴 상에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 플렉시블 배선 회로 기판용 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물 층을 형성하고, 이를 소정의 패턴으로 노광하여 현상함으로써 커버 절연층을 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉시블 배선 회로 기판.
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