KR20080018846A - 스탬핑된 리드프레임 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

리드리스 패키지(leadless package)용 스탬핑된 리드프레임(stamped leadframe) 및 그와 같은 것을 제조하는 방법이 제공되며, 여기서 리드프레임은 적어도 다이 패드(die pad), 프레임, 다이 패드를 프레임에 접속시키는 타이바(tie bar) 및 복수의 리드를 갖는다. 각각의 리드는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하는데, 제2 부분은 제1 부분에 실질적으로 평행하고 제1 부분에 관련하여 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위된다. 타이바 및/또는 다이 패드의 부분도 유사하게 변위될 수 있다.
리드프레임, 다이 패드, 프레임, 타이바, 리드리스 패키지

Description

스탬핑된 리드프레임 및 그 제조 방법{STAMPED LEADFRAME AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF}
본 발명은 반도체 집적 회로("IC")가 조립 및 패키징 동안 장착된 리드프레임, 특히 스탬핑(stamping)에 의해 형성된 리드프레임에 관한 것이다.
반도체 IC는 전형적으로 웨이퍼 형태로 대량 제조되는데, 여기서 각각의 웨이퍼는 제조된 다수의 IC를 포함한다. 확립된 동작하는 IC들을 갖는 웨이퍼가 조립 및 패키징을 위해 수용될 때, 웨이퍼는 다이싱소(dicing saw) 또는 레이저에 의해 우선 개별 다이(die)들 또는 칩들으로 잘린다(또는 "다이된다(diced)"). 그 후 각각의 다이는 픽업되어(pick up) 다이 본딩 프로세스(die bonding process)에 의해 리드프레임 또는 다른 캐리어에 개별적으로 부착된다. 리드프레임은 IC 상의 전기 회로와 패키징된 반도체 장치가 통신하는 외부 시스템 사이에 계면을 제공한다.
리드프레임은 통상 구리 또는 철-니켈 합금의 스트립(strip)을 통해 패턴을 스탬핑 또는 에칭함으로써 생산된다. 다이와 리드프레임의 전기 접속은, 장치가 리트프레임 및 또한 외부 호스트 시스템과 통신할 수 있는 전도성 패드 상의 직접 플립-플롭 접속 또는 금속 와이어를 갖는 와이어 본딩에 의해 만들어진다.
CSP(chip scale package)용 리드프레임은 요즈음 인기있는 리드프레임-기반 반도체 패키지 형태인 QFN(quad flat pack no-lead) 패키지를 포함하는 몇몇의 구성으로 형성될 수 있다. 크기가 다이보다 많이 크지않은 짧은 형태 요소를 갖는 리드리스 패키지(leadless package)가 존재하는데, 여기서 캡슐화 물질(encapsulant material)로의 몰딩은 리드프레임의 한쪽 측에서만 행해진다. 다른 몰딩되지 않은 표면은 외부 시스템과 통신하기 위해 노출된 전도성 핑거(exposed conductive fingers)를 위치시키는데 사용된다. 예를 들어, 이러한 QFN 패키지는 명칭이 "Plastic Integrated Circuit Package and Method and Leadframe form Making the Package"인 미국 특허 제6,143,981호에 설명되어 있다.
리드프레임이 오직 한쪽 측 상에서만 몰딩되어, 종래 반도체 패키지에 비해보다 많은 리드가 패키지 표면에서 노출되기 때문에, 캡슐화 물질이 제거될 위험이 크다. 이는 패키지의 고장을 야기할 수 있다. 따라서, QFN 패키지에 대한 상기 특허에 설명된 바와 같이, 한편의 캡슐화 물질과 다른 한편의 리드프레임 물질 간의 접속을 강화시키기 위해 리드프레임 내의 인터라킹 메커니즘(interlocking mechanism)을 생성할 필요가 있다. 기계적 인터락을 생성하기 위해, 다이를 부착하기 위한 다이 패드 내에 및 내부 리드 상에 재진입부 및/또는 울퉁불퉁한 부분을 형성한다. 이러한 기계적 인터락들은 또한 습기 장벽으로 동작하여, 습기가 패키지로 들어와 패키지 고장을 야기할 수 있는 패키지의 내부 구성요소와의 접촉을 막는다.
우선, 상기 특허는 재진입부 및 울퉁불퉁한 부분을 형성하기 위한 습식 화학 에칭 접근법을 교시한다. 화학 에칭은 사진석판술(photolithography) 및 화학물질을 사용하는 것을 수반하여 리드프레임 상에 패턴을 밀링(mill)한다. 리드프레임 부분이 에칭되어 원하는 에칭 패턴이 나타난다. 고정밀도 및 고속 전환(turnaround) 목적을 위해 그리고 시장까지의 짧은 시간을 달성하기 위해, 리드프레임은 상기 에칭 프로세스에 의해 생산된다. 화학 에칭을 사용하는 것의 다른 이점은 양호한 리드 윤곽 제어가 존재하는 것 및 이 방법이 매트릭스형 및 어레이형 리드프레임 레이아웃 모두에 적용가능하다는 것이다. 에칭의 단점은 그것이 고비용 프로세스라는 것, 즉 리드프레임 비용이 높다는 것이다.
수요가 적은 특정 응용에 대해서는, 에칭이 고가이기 때문에 에칭을 사용되는 것이 바람직하지 않다. 따라서, 대안물은 다이를 펀칭(punching)하는 것을 사용하는 스태핑을 사용하여 인터라킹 메커니즘을 형성하는 것이다. 스탬핑된 리드프레임은 전형적으로 고밀도 매트릭스 스탬핑된 프레임을 형성하기에 완전한 설계상에서 다량 생산을 위해 사용된다.
상기 특허는 또한 단계적인 다이들을 사용하는 기계적 스탬핑을 제안하지만, 제안된 본 방법은 단계적인 다이들의 세트를 사용하여 스트립이 스테이션을 통해 이동하면서 스트립으로부터 개별적인 작은 금속 영역을 기계적으로 제거함으로써 리드프레임 스트립으로부터 금속을 제거한다. 이러한 프로세스는 리드프레임으로부터 금속을 여러 번 펀칭해내는 것을 수반하여 작은 금속 영역을 점층적으로 제거하므로 시간 소모적이다.
인터라킹 특징으로 스탬핑된 프레임을 생성하기 위한 더한 종래 방법은 명칭이 "Leadless Semiconductor Device and Method for Making the Same"인 미국 특허 제5,172,214호에 설명되어 있다. 리드프레임의 리드는 스탬핑되고 사다리꼴 모양으로 기계적으로 변형되어, 패키지 몸체 내의 위치로 리드를 보호하거나 잠근다. 그 결과, 각각의 리드는 융기된 제1 부분, 패키지 몸체의 바닥 표면에 노출된 제2 부분 및 제1 부분과 제2 부분 간의 중간 부분을 갖는다. 리드의 제2 부분의 노출된 표면은 패키지가 리드리스한 것을 허용한다. 스탬핑된 리드프레임을 갖는 이들 패키지는 보다 저비용으로 만들어질 수 있다.
그러나, 융기된 리드의 평탄도를 유지하는 것 및 리드 경사 및 리드 뒤틀림을 방지하는 것에 대한 어려움 등의 여러 단점이 또한 이 접근법에는 존재한다. 또한, 리드가 위쪽으로 굽은 중간 부분은 리드와 다이 간의 와이어 접속을 불가능하게 하므로, 유효한 사용가능한 리드 길이는 더욱 줄어든다. 리드의 제1, 중간 및 제2 부분 간의 전이가 상대적으로 점진적이기 때문에, 리드의 전복(roll-over)은 와이어 본딩에 사용가능한 평평한 팁 영역을 더욱 줄이고 노출된 리드 에지의 선명도에 영향을 준다.
따라서 본 발명의 목적은 화학적으로 에칭되는 종래 리드프레임보다 제조하기 저렴한 인터라킹 특징을 가지면서 종래 스탬핑된 리드프레임의 상기 몇몇의 단점은 피하는, 스탬핑된 리드프레임을 제공하도록 노력하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에 따라, 적어도 다이 패드, 프레임, 다이 패드와 프레임을 접속시키는 타이바(tie bar) 및 복수의 리드를 갖는 리드리스 패키지용 스탬핑된 리드프레임을 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 리드의 제1 및 제2 부분을 클램핑(clamping)하는 단계, 제2 부분이 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 제1 부분에 관련하여 변위되도록 제1 부분에 관련된 제2 부분을 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 깎는 단계를 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따라, 다이 패드, 프레임 및 다이 패드와 프레임을 접속시키는 타이바를 포함하는 리드프레임; 및 각각이 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 리드의 제2 부분은 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 제1 부분에 관련하여 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위된 복수의 리드가 제공된다.
본 발명의 제3 양태에 따라, 집적 회로 다이; 상기 다이를 덮는 캡슐화 물질로 형성된 패키지 몸체; 각각의 리드는 제1 부분 및 제2 부분은 갖고, 제2 부분은 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 제1 부분에 관련하여 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 복수의 리드; 및 다이와 리드의 제2 부분 간에 접속된 전기 전도체를 포함하는 집적 회로 다이용 패키지가 제공되는데, 여기서 다이 패드의 표면과 리드의 제1 부분의 표면은 공통 평면 내에 노출된다.
본 발명의 제4 양태에 따라, 매트릭스로 정렬된 복수의 상호접속된 금속 프레임; 프레임 각각의 내부 에지 내에서 타이바에 의해 그에 접속된 다이 패드; 및 각각의 프레임의 내부 에지에 접속된 복수의 리드를 포함하는 복수의 캡술화된 집적 회로 다이 패키지를 만들기 위한 리드프레임 구조를 제공하는데, 여기서 리드는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 제2 부분은 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 제1 부분에 관련하여 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위된다.
이후 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하는 것이 편리할 것이다. 도면의 세부사항 및 관련 설명은 청구항에 의해 정의되는 본 발명의 광범위한 동일물의 일반성을 대신하는 것으로 이해되어서는 안된다.
본 발명은 반도체 집적 회로("IC")가 조립 및 패키징 동안 장착된 리드프레임, 특히 스탬핑(stamping)에 의해 형성된 리드프레임을 제공한다.
본 발명에 따른 스탬핑된 리드프레임 및 그 동일물의 제조 방법의 예가 이제 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 리드프레임(10)을 스탬핑하는 것에 대한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 리드리스 패키지용 스탬핑된 리드프레임을 생산하기 위한 프로세스의 개략도이다. 도 1(a)는 상부 다이(14) 및 하부 다이(16)를 포함하는 스탬핑 장치에 도입되는 스탬핑될 리드(12)를 갖는 리드프레임(10)을 나타낸다. 상부 다이(14)는 오목부(18)를 갖는 반면, 하부 다이는 대응하는 볼록부(20)를 갖는다. 볼록부(20)의 수직 에지는 오목부(18)의 수직 에지에 맞춰 정렬되는 것이 바람직하며, 볼록부(20)는 오목부(18) 내에 수용가능하게 크기가 정해지는 것이 바람직하다.
도 1(b)에서, 상부 다이(14)가 아래로 움직여, 리드프레임(10)이 상부 다이(14)와 하부 다이(16) 사이에 클램핑된다. 리드(12)의 변위되는 제2 부분은 다 이(14)의 오목부(18)와 다이(16)의 볼록부(20)에 의해 클램핑되는 반면, 리드(12)의 나머지를 포함하는 제1 부분은 다이들(14, 16)의 나머지에 의해 클램핑된다. 리드(12)의 팁 엔드(tip end)에 대응하는 리드(12)의 제2 부분은 볼록부(20)에 의해 오목부(18) 방향으로 강제로 변위된다. 그것은 제1 부분에 관련하여 부분적으로 깎이지만, 리드(12)의 제1 부분에 평행하게 남아있다. (볼록부(20)가 리드(12)를 통해 완벽하게 깎지 않아) 스탬핑이 불완전하여, 하부 다이(16)가 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 제2 부분을 깎도록 제어된다.
제2 부분이 제1 부분 두께의 1/4 내지 3/4 사이의 거리만큼 깎이는 것이 바람직하지만, 대략 제1 부분 두께의 1/2만큼이 더욱 바람직하다. 따라서, 나머지는 리드(12)에 완전히 접속되는 반면, 리드(12)의 제2 부분은 대략 리드(12) 두께의 1/2만큼 탈위치될 수 있다. 스탬핑은 제1 및 제2 부분의 두께가 실질적으로 유지되도록 제어되는 것이 바람직하다.
도 1(c)에서, 상부 다이(14)가 위쪽으로 움직여 다이들(14, 16)이 분리되고 리드프레임(10)이 노출된다. 결과적인 리드(12)는 상부 다이(16)가 리드(12)를 통해 펀치하여 리드(12)의 종단부가 탈위치되는 것까지의 범위에 대응하는 재진입부(22)를 갖는다.
도 2는 본 발명에 따라 스탬핑된 리드프레임에 포함된 리드(12)의 종단부의 단면도이다. 리드프레임(10)의 리드(12)에 형성된 오목 부분(22)을 나타낸다. 오모목 부분(22)은 리드프레임(10)이 몰딩될 때 캡슐화 물질에 대한 인터라킹 메커니즘으로서 동작한다. 오목 부분(22)은 리드(12)의 제1 및 제2 부분에 인접하고 제1 및 제2 부분의 표면에 실질적으로 수직인 측벽(23)을 갖는다.
도 3은 스탬핑된 리드프레임(10)의 바닥 표면의 평면도이다. 리드프레임(10)은 다이가 부착되는 다이 패드(24)를 포함하며, 복수의 리드(12)가 다이 패드(24)를 둘러싼다. 리드(12)의 종단부는 스탬핑에 의해 이미 융기됐다. 다이 패드(24)는 타이바(28)에 의해 리드프레임(10)의 프레임(29)에 접속된다. 전형적으로, 다이 패드(24)의 각 코너에 타이바(28)가 존재한다.
도 3은 또한 리드프레임(10)의 스탬핑이 행해질 선을 나타낸다. 스탬핑 선(30)은 리드(12) 및 타이바(28)가 스탬핑되는 선을 나타내며, 스탬핑 선(32)은 다이 패드(24)가 스탬핑되는 선을 나타낸다. 따라서, 상기 도 1에 설명된 스탬핑 프로세스는 리드(12) 이외에 타이바(28)의 중간 부분에도 적용되는 것이 바람직하다. 각각의 경우에, 타이바의 제1 및 제2 부분이 클램핑되고, 제2 부분이 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 제1 부분에 관련하여 깎여, 제2 부분이 타이바의 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 변위된다.
다이 패드(24)에 대해서와 같이, 그것의 에지는 딥-코인되거나(deep-coined) 리드(12)처럼 변위된다. "딥-코인"은 기계적 강하를 사용하여 다이 패드(24)의 에지를 압착해, 에지의 두께를 줄이는 것을 의미한다. 이에 따라, 에지는 변위되지 않으면서 그들의 두께가 가장 바람직하게는 대략 1/2만큼 줄어든다. 본 발명의 제1의 바람직한 실시예에서, 다이 패드(24)의 에지는 딥-코인된다.
도 4는 스탬핑된 리드프레임(10)의 바닥 표면의 등각투상도이다. 이 도면으로부터, 리드(12)의 팁을 융기 및 탈위치시키기 위해 스탬핑함으로써 오목 부 분(22a)이 리드(12) 내에 형성되는 것을 관측할 수 있다. 오목 부분(22b)은 또한 타이바(28)의 중간 부분에, 그것의 중간 부분을 융기시킴으로써 형성된다. 탈위치되는 타이바(28)의 중간 부분은 탈위치되지 않는 타이바(28)의 분리 부분 사이에 위치된다. 이들 중간 부분은 리드(12)의 종단부와 함께 탈위치된다. 또한, 다이 패드(24)의 에지는 딥-코인에 의해 형성된 코인된 부분(25)을 갖는다.
이 오목 부분(22a, 22b) 및 코인된 부분(25)은 인터라킹 메커니즘을 형성하여 캡슐화 물질의 접착력을 강화시키고 습기 장벽으로서 동작한다. 리드(12)의 탈위치된 부분이 와이어 본딩을 위해 사용되기 때문에, 탑 플레이트(top plate)와 같은 적절한 지지체가 리드(12) 아래에 위치되어 그들을 지지하고, 힘 및 파워가 그들에 가해질 때 와이어 본딩하는 동안 리드의 탈위치된 부분이 휘는 것을 막는다는 것을 명심해야 한다.
도 5는 본 발명의 제1의 바람직한 실시예에 따른 리드리스 패키지의 단면도이며, 여기서 다이 패드(24)의 에지는 딥-코인된 것이다. 집적 회로 다이(44)는 접착제를 사용하여 다이 패드(24) 상에 부착된다. 와이어(46)와 같은 전기 전도체는 탈위치된 리드(12)의 제2 부분을 통해 다이(44)를 리드(12)에 전기적으로 접속시킨다. 캡슐화 물질(42)은 다이(44)를 포함하여 리드 프레임의 한쪽 측을 덮는다. 각각 오목 부분(22a)은 리드(12)의 제2 부분 아래에 위치되고 코인된 부분(25)은 다이 패드의 낮은 표면에 위치되어, 인터락을 형성하여 캡슐화 물질(42)을 보호한다. 전형적인 리드프레임은 매트릭스로 정렬된 복수의 상호접속된 금속 프레임(29)을 포함한다. 이에 따라, 몰딩된 리드프레임은 리드프레임 상에 매트릭 스 형태로 정렬된 이러한 다수의 패키지(40)를 포함한다.
도 6은 본 발명의 제2의 바람직한 실시예에 따른 리드리스 패키지(40)의 단면도이며, 여기서 다이 패드(24)의 에지는 변위된다. 집적 회로 다이(44)는 접착제를 사용하여 다이 패드(24) 상에 부착되고, 와이어(46)는 탈위치된 리드(12)의 제2 부분을 통해 다이(44)를 리드(12)에 전기적으로 접속시킨다. 캡슐화 물질(42)은 다이(44)를 포함하여 리드프레임의 한쪽 측을 덮는다. 오목 부분(22a)은 리드(12)의 제2 부분의 아래에 위치된다. 게다가, 오목 부분(22c)은 또한 다이 패드(24)의 제2 부분의 아래에 위치되어 인터락을 형성하여 캡슐화 물질(42)을 보호한다. 이 실시예에서, 다이 패드(24)의 에지는 도 1에 관련하여 설명된 프로세스를 통해 변위되는데, 즉 다이 패드(24)의 에지의 제1 및 제2 부분이 클램핑되고 제2 부분이 제1 부분에 관련하여 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 깎여 제2 부분이 다이 패드(24)의 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 제1 부분에 관련하여 변위된다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 스탬핑된 리드프레임(10)을 몰딩하여 형성된 패키지(40)의 바닥 표면의 평면도이다. 캡슐화 물질(42)이 패키지(40)의 대부분을 덮어 리드프레임(10)의 한쪽 측만이 노출된 채로 남아있다. 리드프레임(10)의 노출된 부분은 주로 리드(12)의 제1 부분의 표면, 타이바(28)의 제1 부분의 표면 및 다이 패드(24)의 제1 부분의 표면을 포함한다. 리드(12)는 전기 전도성 핑거로 동작하여 캡슐화 다이가 외부 장치와 통신하도록 허용한다. 전술된 바와 같이, 리드(12), 타이바(28) 및 다이 패드(24)의 제2 부분은 스탬핑 동안 융 기되고, 인터라킹을 형성하기 위해 몰딩한 이후 캡슐화 물질(42) 내에 숨겨진다.
새로운 제조 프로세스는 습식 화학 에칭 프로세스의 고비용을 피하면서 리드리스 패키지용 리드프레임에 대한 인터라킹 메커니즘을 형성하는데 유용한 것임이 명백해질 것이다. 게다가, 다른 스탬핑 프로세스와 비교하여, 리드를 얇게 하지만 단지 부분적으로 탈위치시키기만 하기 위해 리드의 종단부가 압착되지 않기 때문에, 융기된 리드의 윤곽은 더 잘 제어될 수 있다. 탈위치의 정도는 최소화되며 물질-대-물질 공간 제어 및 높이 제어가 강화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드프레임은 제조가 용이하다. 또한, 리드의 와이어 본딩 부분 뒤의 사용하지 않는 중간 부분을 없앰으로써, 리드 상의 버려진 공간이 또한 최소화된다.
여기에 설명된 본 발명은 구체적으로 설명된 것들 이외의 변형, 수정 및/또는 추가에 영향을 받으며, 본 발명이 상기 설명의 취지 및 영역에 속하는 모든 이러한 변형, 수정 및/또는 추가를 포함한다는 것이 이해될 것이다.
도 1은 리드프레임을 스탬핑하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로세스의 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 스탬핑된 리드프레임에 포함된 리드의 종단부의 단면도.
도 3은 스탬핑된 리드프레임의 바닥 표면의 평면도.
도 4는 스탬핑된 리드프레임의 바닥 표면의 등각투상도.
도 5는 본 발명의 제1의 바람직한 실시예에 따른 리드리스 패키지의 단면도.
도 6은 본 발명의 제2의 바람직한 실시예에 따른 리드리스 패키지의 단면도.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 스탬핑된 리드프레임을 몰딩함으로써 형성된 패키지의 바닥 표면의 평면도.

Claims (20)

  1. 적어도 다이 패드(die pad), 프레임, 상기 다이 패드를 상기 프레임에 접속시키는 타이바들(tie bars) 및 복수의 리드들을 갖는 리드리스 패키지(leadless package)용 스탬핑된 리드프레임(stamped leadframe)을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 리드들의 제1 및 제2 부분들을 클램핑(clamping)하는 단계; 및
    상기 제2 부분이 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 변위되도록, 상기 제1 부분에 관련하여 상기 제2 부분을 상기 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 깎는 단계
    를 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 부분들의 두께를 실질적으로 유지하도록 상기 리드들의 제1 부분의 변위를 제어하는 단계를 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리드들의 제2 부분은 상기 제1 부분의 두께의 1/4 내지 3/4 사이의 거리만큼 깎이는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리드들의 제2 부분을 깎는 단계는 상기 제1 및 제2 부분들의 표면들에 실질적으로 수직인 측벽을 갖는 상기 제1 및 제2 부분들에 인접한 오목 부분(reentrant portion)을 생성하는 것인, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 타이바들의 제1 및 제2 부분들을 클램핑하는 단계; 및
    상기 제2 부분이 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 변위되도록, 상기 제1 부분에 관련하여 상기 타이바의 제2 부분을 상기 제1 부분의 타이바의 두께보다 짧은 거리만큼 깎는 단계
    를 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 타이바들의 제1 부분은 분리 부분들을 포함하며, 상기 타이바의 제2 부분은 깎이는 그들 사이의 중간 부분에 위치되는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 몰딩 이후 상기 타이바들의 제1 부분의 표면들이 노출되도록 상기 리드프레임을 몰딩하는 단계를 더 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 다이 패드의 제1 및 제2 부분들을 클램핑하는 단계; 및
    상기 제2 부분이 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 변위되도 록, 상기 제1 부분에 관련하여 상기 다이 패드의 제2 부분을 상기 다이 패드의 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 깎는 단계
    를 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 몰딩 이후 상기 다이의 표면 및 상기 리드들의 상기 제1 부분의 표면들이 노출되도록 상기 리드프레임을 몰딩하는 단계를 더 포함하는, 스탬핑된 리드프레임 제조 방법.
  10. 리드프레임에 있어서,
    다이 패드, 프레임 및 상기 다이 패드를 상기 프레임에 접속시키는 타이바들; 및
    각각이 제1 부분 및 제2 부분을 포함하는 복수의 리드들로서, 상기 리드들의 제2 부분은 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 상기 제1 부분에 관련하여 상기 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 리드들
    을 포함하는, 리드프레임.
  11. 제10항에 있어서, 상기 리드들의 상기 제1 및 제2 부분들은 실질적으로 동일한 두께를 갖는, 리드프레임.
  12. 제10항에 있어서, 상기 리드들의 제2 부분은 상기 제1 부분의 두께의 1/4 내 지 3/4의 거리만큼 상기 제1 부분으로부터 변위되는, 리드프레임.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 부분들의 표면들에 실질적으로 수직인 측벽을 갖는 상기 제1 및 제2 부분들에 인접한 오목 부분을 포함하는, 리드프레임.
  14. 제10항에 있어서, 각각의 타이바는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 접속되고 상기 제1 부분에 관련하여 상기 타이바의 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 리드프레임.
  15. 제14항에 있어서, 상기 타이바의 제1 부분은 분리 부분들을 포함하며, 상기 타이바의 제2 부분은 상기 타이바의 제1 부분의 분리 부분들에 관련하여 변위되는 그들 사이의 중간 부분에 위치하는, 리드프레임.
  16. 제14항에 있어서, 상기 타이바들의 제1 부분의 표면들은 몰딩 이후 노출되도록 구성되는, 리드프레임.
  17. 제10항에 있어서, 상기 다이 패드는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 상기 다이 패드의 제2 부분은 상기 제1 부분에 평행하고 상기 제1 부분에 관련하여 상기 다이 패드의 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 리드프레임.
  18. 제10항에 있어서, 상기 다이 패드의 표면과 상기 리드들의 제1 부분의 표면들은 몰딩 이후 노출되도록 구성되는, 리드프레임.
  19. 집적 회로 다이용 패키지에 있어서,
    집적 회로 다이;
    상기 다이를 덮는 캡슐화 물질(encapsulant material)로 형성된 패키지 몸체;
    각각이 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 복수의 리드들로서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하게 접속되고 상기 제1 부분에 관련하여 상기 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 리드들; 및
    상기 다이와 상기 리드들의 제2 부분 사이에 접속된 전기 전도체들
    을 포함하고,
    상기 다이 패드의 표면 및 상기 리드들의 제1 부분의 표면들은 공통 평면 상에 노출된, 집적 회로 다이용 패키지.
  20. 복수의 캡슐화된 집적 회로 다이 패키지들을 만들기 위한 리드프레임 구조에 있어서,
    매트릭스로 정렬된 복수의 상호접속된 금속 프레임들;
    각각의 상기 프레임들의 내부 에지 내에서 타이바들에 의해 접속된 다이 패드; 및
    각각의 프레임의 내부 에지에 접속된 복수의 리드들로서, 상기 리드들은 제1 부분 및 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 실질적으로 평행하고 상기 제1 부분에 관련하여 상기 제1 부분의 두께보다 짧은 거리만큼 변위되는, 리드프레임 구조.
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