KR20080014342A - 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
해상도(nm) | 선폭변화크기(nm) | |
실시예 3-1(화학식 2a) | 200 | 3.5 |
실시예 3-2(화학식 2b) | 200 | 3.8 |
비교예 2(화학식 7) | 200 | 4.5 |
해상도(nm) | 선폭변화크기(nm) | |
실시예 4-1(화학식 2a) | 50 | 3.6 |
실시예 4-2(화학식 2b) | 50 | 4.0 |
비교예 3(화학식 7) | 50 | 5.1 |
Claims (12)
- 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자.[화학식 1]
- 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 감광성 고분자 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.1 내지 30중량%의 감광성 고분자 및 나머지 유기용매로 이루어진 것인 포토레지스트 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 광산 발생제를 더욱 포함하며, 상기 광산발생제의 함량은 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여 0.1 내지 20중량부인 것인 포토레지스트 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 조성물.
- 제 8항에 있어서, 상기 광산 발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네 이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 조성물.
- 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 감광성 고분자 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광한 다음, 노광된 포토레지스트 패턴을 노광 후 가열하고, 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.[화학식 1]
- 제 11항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 광산 발생제를 더욱 포함하는 것인 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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