KR20070103847A - 포토마스크의 리페어 방법 - Google Patents

포토마스크의 리페어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.
본 발명의 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
포토마스크, 수정, 리페어

Description

포토마스크의 리페어 방법{a method for repairing photomask}
도 1은 일반적인 포토 마스크의 개략도이다.
도 2는 종래의 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 공정을 설명하기 위한 공정도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 공정을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.
도 1은 포토리소그라피(photolithography) 공정으로 패터닝을 할 때 사용되 는 일반적인 포토마스크의 개략도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 포토마스크는 투명기판(21)과 상기 투명기판(21) 상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부(21)와 광을 완전히 차단시키는 광차단부(23)를 가진다. 상기와 같은 종래의 일반적인 포토마스크를 이용하여 노광→현상→에칭으로 이루어지는 포토리소그라피 공정을 적용하면 다양한 패턴을 형성할 수 있다.
그런데, 상기와 같은 구조로 이루어진 포토마스크는 설계된 대로 정확하게 패터닝되어야 한다. 그러나, 제조 과정 중에 다양한 원인으로 인하여 부정확한 패턴이 형성될 수 있으며, 원하지 않는 결함이 발생할 수 있다. 이 경우에는 상기 부정확한 결함 패턴을 제거하고, 같은 자리에 새로운 수정 패턴을 삽입할 필요가 있다. 또한, 포토마스크의 제조 과정 중에, 다양한 이유로 인하여 설계 상에 나와 있는 패턴이 빠진 상태로 제조되는 경우가 있는데, 이 경우에는 빠진 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 필요하다.
상기와 같이, 부정확한 패턴이 형성된 경우에도, 부정확한 패턴을 제거하고, 수정 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 수행되어야 하고, 소정 패턴이 빠진 경우에는 상기 빠진 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 수행되어야 한다.
도 2는 일반적인 포토마스크의 평면도로서, 결함 패턴을 제거한 후, 수정 패턴을 삽입하거나 또는 빠진 패턴을 삽입하는 방법에 대하여 설명하기 위한 예시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 제조 한 후에, 도시된 바와 같이 특정 어레이(array) 패턴(13)이 빠진 경우에는 상기 어레이(array) 패턴(13)을 삽입하는 리페어 공정을 수행해야 한다.
이와 같은 경우에, 종래에는 스퍼터링법에 의하여 각각의 유실 패턴(11)들을 하나씩 형성시키는 공정으로 상기 빠진 어레이(array) 패턴(13)을 삽입하여 리페어를 수행하였다. 그러나, 이와 같은 리페어 방법은 많은 시간이 소요되고, 과정이 복잡하다는 문제점을 안고 있다. 더욱이, 국부적으로 빠진 어레이(array) 패턴(13)들이 너무 많은 경우에는 시간 및 비용 면을 고려할 때, 리페어를 수행한다는 것은 적절하지 못하다는 단점이 있다.
한편, 도 2에 도시된 어레이 패턴(13)이 부정확한 결함 패턴이라고 할 때, 레이져 빔 장치를 이용하여 상기 어레이(array) 패턴(13)을 먼저 제거하는 공정을 수행하여야 한다. 상기 어레이(array) 패턴(13)에는 각각의 결함 패턴(11)이 복수개 포함되어 있고, 상기 레이져 빔 장치를 이용하여 결함을 제거하기 위해서는 상기 각각의 결함 패턴(11)에 대하여 일일이 레이져 빔을 조사하여 제거해야만 한다. 따라서, 결함이 발생한 상기 어레이(array) 패턴(13)을 제거하기 위해서는 필요 이상의 시간이 소요되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다.
또한, 다른 실시예에 따른 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 리프트오프용 포토레지스트와 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트와 그 하부에 존재하는 상기 리프트오프용 포토레지스트를 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 리프트오프용 포토레지스트, 제1 포토레지스트 및 그 상부에 형성된 리 페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이고, 상기 리프트오프용 포토레지스트는 상기 제1 포토레지스트를 현상할 때, 동시에 현상되되, 언더 컷(under cut)이 발생되는 것을 특징으로 한다.
또한, 다른 실시예에 따른 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하는 단계, 상기 노출된 결함 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이거나 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 리페어물질막은 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하고, 상기 리페어물질막은 차광물질막 또는 반투과물질막인 것이 바람직하다. 즉, 리페어되는 부분이 광차단부일 때에는 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시키고, 반투과부일 때에는 반투과물질막을 스터터링법에 의하여 형성시킨다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 제1 실시예는 설계 상에 나와 있는 패턴이 국부적으로 빠진 경우에 리페어를 수행하는 공정이다. 이와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 이용하면, 삽입해야할 추가 패턴(도 3의 단계 S40에서 도면부호 25로 표기됨)을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있다.
먼저, 도 3에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 형성한다. 상기 제1 실시예에서 사용하는 제1 포토레지스트(30)는 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다.
그런 다음, 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 이와 같은 노광에 의하여 상기 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분과 노광되지 않는 부분이 나타나는데, 상기 노광이 되지 않는 부분은 현상 공정에 의하여 상기 추가 패턴(단계 S40에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어야 할 부분이 노출될 수 있도록 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다.
상기 네거티트 타입의 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)의 노광되지 않는 부분을 현상하여 소정의 공간부(40)를 형성한다. 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30)의 노광되지 않는 부분은 소정의 현상액에 의하여 현상되되, 단계 S20에 도시된 바와 같이 깊이 방향으로 갈수록 공간이 더 넓어지도록 현상된다.
한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 추가 패턴(25)이 삽입될 부분을 정확하게 노출할 수 있도록, 상기 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 정확하게 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.
상기와 같이 추가 패턴(25)이 삽입될 공간부(40)가 형성되면, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(40)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 추가 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다. 이 때, 상기 공간부(40)는 깊이 방향으로 갈수록 더 넓어지는 형상이기 때문에, 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 형성되는 리페어물질막(50)은 서로 연결되지 않는 상태로 형성된다.
상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막 (50)을 구성하고, 상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.
그런 다음, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(40)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 추가 패턴(25)이다.
상기 제1 포토레지스트(30)의 상부에 형성되는 리페어물질막(50)은 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 연결되지 않는 상태에 있기 때문에, 리프트 오프법에 의하여 깨끗하게 완전히 제거될 수 있다.
이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 빠진 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 새로운 추가 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 추가 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.
다음은 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 제2 실시예는 상기에서 설명한 제1 실시예와 동일하게, 설계 상에 나와 있는 패턴이 국부적으로 빠진 경우에 리페어를 수행하는 공정이다. 다만, 리프트 오프법에 의하여 리페어물질막을 깨끗하게 제거할 수 있도록 소정의 공정을 변형한 실시예이다.
이와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 이용하면, 삽입해야할 추가 패턴(도 4의 단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있다.
먼저, 도 4에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 리프트오프용 포토레지스트(35)와 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 순차적으로 형성한다. 제2 실시예에서 사용하는 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)는 상기 제1 포토레지스트(30)를 현상하는 현상액에 의하여 동시에 현상되되, 언더 컷(under cut)이 발생될 수 있는 포토레지스트인 것이 바람직하다.
그런 다음, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분(31)을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 이와 같은 노광에 의하여 상기 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분과 노광되지 않는 부분이 나타나는데, 상기 노광이 되는 부분(31)은 현상 공정에 의하여 상기 추가 패턴(단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어야 할 부분이 노출될 수 있도록 상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다.
상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)의 노광된 부분(31)을 소정의 현상액 으로 현상함과 동시에, 이 현상액에 의하여 동시에 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)를 현상함으로써, 소정의 공간부(40)를 형성한다. 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)는 상기 제1 포토레지스트(30)의 현상액에 의하여 동시에 현상되되, 단계 S30에 도시된 바와 같이 언더 컷(under cut)이 발생되도록 현상된다.
한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 추가 패턴(25)이 삽입될 부분을 정확하게 노출할 수 있도록, 상기 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 정확하게 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.
상기와 같이 추가 패턴(25)이 삽입될 공간부(40)가 형성되면, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(40)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 추가 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다. 이 때, 상기 공간부(40)는 언더 컷이 발생한 상기 리프트오프용 포토레지스트가 현상되어 형성되기 때문에, 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 형성되는 리페어물질막(50)은 서로 연결되지 않는 상태로 형성된다.
상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성하고, 상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부 만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.
그런 다음, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 리프트오프용 포토레지스트(35), 제1 포토레지스트(30) 및 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(40)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 추가 패턴(25)이다.
상기 제1 포토레지스트(30)의 상부에 형성되는 리페어물질막(50)은 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 연결되지 않는 상태에 있기 때문에, 리프트 오프법에 의하여 깨끗하게 완전히 제거될 수 있다.
이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 빠진 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 새로운 추가 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 추가 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.
다음은, 첨부된 도 5를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명한다. 본 발명의 제3 실시예는 제조된 포토마스크의 패턴이 모두 형성되어 있지만, 국부적으로 결함을 안고 있는 결함 패턴이 존재하는 경우의 리페어 방법이다.
먼저, 도 5에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 형성한다. 단계 S10에 도시된 바와 같이, 광차단부(23)의 소정 부분에는 결함을 안고 있는 결함 패턴(27)을 포함하고 있다. 상기 제1 포토레지스트(30)는 소정의 현상액에 의하여 노광되는 부분이 현상되는 파지티브 타입이거나, 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브 타입일 수 있다. 이하에서는, 노광되는 부분이 현상되는 파지티브 타입의 포토레지스트인 경우로 상정하여 설명한다.
그런 다음, 상기 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 상기 노광이 되는 부분은 현상 공정에 의하여 상기 포토마스크 상에서 제거되어야 할 결함 패턴(27) 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다.
상기 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 노광된 제1 포토레지스트(30) 부분을 현상하여 상기 결함 패턴(27)이 외부로 노출될 수 있도록 한다.
한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 제거되어야 할 결함 패턴(27)이 정확하게 노출될 수 있도록 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.
상기와 같이, 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 현상한 후에는, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 노출된 결함 패턴(27)을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부(45)를 형성한다.
상기와 같이 노출된 결함 패턴(27)을 제거하면, 공간부(45)가 형성되는데, 이 공간부(45)에 새로운 수정 패턴(단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어 리페어가 이루어진다.
상기 수정 패턴(25)이 삽입될 공간부(45)가 형성되면, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(45)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 수정 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다.
따라서, 상기 삽입될 수정 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성하고, 상기 삽입될 수정 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.
그런 다음, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(45)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 수정 패턴(25)이다.
이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 결함 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 결함 패턴을 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 결함 패턴을 제거하고 수정 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.
상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 의하면, 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있으므로, 새로운 패턴을 삽입하거나 결함 패턴을 새로운 패턴으로 리페어 하는 시간이 대폭 감소하는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,
    포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;
    추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계;
    상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  2. 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,
    포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 리프트오프용 포토레지스트와 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계;
    추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트와 그 하부에 존재하는 상기 리프트오프용 포토레지스트를 현상하여 공간부를 형성하는 단계;
    상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;
    상기 리프트오프용 포토레지스트, 제1 포토레지스트 및 그 상부에 형성된 리 페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  3. 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,
    포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;
    상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하는 단계;
    상기 노출된 결함 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부를 형성하는 단계;
    상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리페어물질막은 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 리페어물질막은 차광물질막 또는 반투과물질막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트는 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이고, 상기 리프트오프용 포토레지스트는 상기 제1 포토레지스트를 현상할 때, 동시에 현상되되, 언더 컷(under cut)이 발생되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
  9. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이거나 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110780534A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 Hoya株式会社 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法
WO2020176582A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-03 Lam Research Corporation Semiconductor mask reshaping using a sacrificial layer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675362A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法
JPH0829615A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Sony Corp パターンの修正方法
KR100361514B1 (ko) 2000-02-08 2002-11-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 마스크 수리방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110780534A (zh) * 2018-07-30 2020-02-11 Hoya株式会社 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法
CN110780534B (zh) * 2018-07-30 2023-06-13 Hoya株式会社 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法
WO2020176582A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-03 Lam Research Corporation Semiconductor mask reshaping using a sacrificial layer

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