KR20070097058A - Substrate inspecting apparatus and substrate inspecting method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 복수 개의 배선 패턴이 형성된 피검사 기판에 대하여, 상기 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점간(이하, 측정점 세트간이라고 함)의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치, 기판 검사 프로그램 및 기판 검사 방법에 관한 것이다. 특히, 비어를 갖는 빌드업 기판에 있어서 상기 측정점 세트간의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법에 관한 것이다. The present invention provides a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection apparatus for conducting inspection between two measurement points (hereinafter, referred to as measurement point sets), which are set in advance on the wiring pattern with respect to a test target substrate on which a plurality of wiring patterns are formed. It relates to a substrate inspection method. In particular, it relates to a board | substrate test | inspection apparatus and board | substrate test | inspection method which perform the conduction test between the said measuring point sets in the buildup board | substrate which has a via.
회로 기판 상의 배선 패턴은 그 회로 기판에 탑재되는 IC 등의 반도체나 저항기 등의 전기 부품에 전기 신호를 정확하게 전달할 필요가 있기 때문에, 종래 반도체나 전기 부품을 실장하기 전의 인쇄 배선 기판, 액정 패널이나 플라즈마 디스플레이 패널에 배선 패턴이 형성된 회로 배선 기판, 또는 반도체 웨이퍼 등의 기판에 형성된 배선 패턴에 대하여 검사 대상이 될 배선 패턴에 설치된 측정점간의 저항값을 측정하여 그 양부가 검사되고 있다. Since wiring patterns on a circuit board need to accurately transmit electrical signals to electrical components such as semiconductors and resistors, such as ICs mounted on the circuit board, printed wiring boards, liquid crystal panels, and plasmas before mounting semiconductors or electrical components. The resistance value between the measurement points provided in the wiring pattern to be inspected is measured with respect to the wiring pattern formed on the board | substrate, such as a circuit wiring board in which a wiring pattern was formed in the display panel, or a semiconductor wafer, and the quality is inspected.
이와 같이 측정점간의 저항값에 따라 기판의 양부를 판정하기 위해서는 측정점간의 저항값을 정확하게 측정할 필요가 있으며, 공지의 4단자 측정법을 이용하여 훨씬 고정밀도의 측정이 가능한 측정 방법이 제안된 바 있다(특허 문헌 1 참조). As described above, in order to determine the quality of the substrate according to the resistance value between the measurement points, it is necessary to accurately measure the resistance value between the measurement points, and a measurement method capable of a much more accurate measurement using a known four-terminal measurement method has been proposed ( See Patent Document 1).
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 평 10-123189호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-123189
한편, 최근 회로 기판의 미세화의 진행에 따라 배선 패턴의 폭이 좁아져, 배선 패턴의 폭(또는, 두께)의 불균일이 측정점간의 저항값에 미치는 영향이 커지게 되었다. 따라서, 측정점간의 저항값의 불균일이 크고, 전술한 바와 같이 측정점간의 저항값이 고정밀도로 측정된 경우에도 그 양부 판정의 기준이 되는 문턱값의 설정이 곤란해지고, 그 결과 기판의 도통 검사를 정확하게 행하기가 어려워지는 경우가 있다. On the other hand, with the progress of miniaturization of circuit boards in recent years, the width of wiring patterns has narrowed, and the influence of nonuniformity of the width (or thickness) of wiring patterns on the resistance value between measurement points has increased. Therefore, even if the resistance value between measurement points is large, and even if the resistance value between measurement points is measured with high precision as mentioned above, setting of the threshold used as the reference | standard of the acceptance judgment becomes difficult, As a result, conduction test of a board | substrate is performed correctly. It may be difficult to do it.
특히, 기판이 비어를 갖는 빌드업 기판인 경우에는, 예를 들어 레이저 비어 등의 비어에 발생한 접합 불량에 따르는 측정점간의 저항값의 증가가 작고, 배선 패턴의 폭 등의 불균일에 따른 측정점간의 저항값의 불균일과 같은 정도(또는 그 이하)가 되어 양부 판정의 기준이 되는 문턱값의 설정이 매우 곤란해진다. In particular, in the case where the substrate is a build-up substrate having vias, the increase in the resistance value between the measurement points due to the bonding failure generated in the vias such as the laser via is small, and the resistance value between the measurement points due to the nonuniformity such as the width of the wiring pattern is small. It becomes about the same (or less) as the nonuniformity of, and it becomes very difficult to set the threshold which becomes a reference | standard of the acceptance judgment.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 피검사 기판의 도통 검사를 정확하게 행하는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the board | substrate test | inspection apparatus and board | substrate test | inspection method which carry out the conduction test of the to-be-tested board | substrate correctly.
상기 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 기판 검사 장치는, 복수 개의 배선 패턴이 형성된 피검사 기판에 대하여, 상기 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치로서, 피검사 기판의 상기 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정 수단과, 상기 측정점 세트에 대응하여 문턱값을 설정하는 문턱값 설정 수단과, 상기 측정점 세트마다 상기 문턱값에 따라 상기 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. In order to solve the said problem, the board | substrate test | inspection apparatus which concerns on the board | substrate with which the some wiring pattern was formed is previously set on the said wiring pattern, and performs the conduction test between the measurement point sets which are a combination of two measurement points. A substrate inspection apparatus, comprising: inspection resistance measurement means for measuring a resistance value between the measurement point sets of a substrate to be inspected as an inspection resistance value, threshold setting means for setting a threshold value corresponding to the measurement point set, and for each of the measurement point sets It is characterized by including determination means for determining whether or not the inspection resistance value in accordance with a threshold value.
상기한 구성으로 함으로써, 검사 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판의 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 저항값이 검사 저항값으로서 측정된다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트에 대응하여 문턱값이 설정되고, 판정 수단에 의해 검사 저항값의 양부가 측정점 세트마다 문턱값 설정 수단에 의해 설정된 문턱값에 따라 판정된다. 따라서, 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값의 양부가 측정점 세트에 대응하여 설정된 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 문턱값을 측정점 세트에 대응하여 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값의 양부가 정확하게 판정되어 피검사 기판의 도통 검사가 정확하게 행해진다. By setting it as the above-mentioned structure, the resistance value between the set of measurement points which is set previously on the wiring pattern of a test | inspection board | substrate by a test | inspection resistance measuring means, and is a combination of two measuring points, is measured as test resistance value. The threshold value is set by the threshold value setting means in correspondence with the set of measurement points, and the determination means determines whether or not the value of the test resistance value is set by the threshold value setting means for each set of measurement points. Therefore, since the quantity of the inspection resistance value which is the resistance value between the measuring point sets is determined according to the threshold value set corresponding to the measuring point set, the quantity of the inspection resistance value is accurately determined by setting the threshold value to an appropriate value corresponding to the measuring point set. The conduction test of a test | inspection board | substrate is performed correctly.
도 1은 본 발명에 따른 기판 검사 장치의 일 실시 형태를 보인 측면 단면도이다. 1 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a substrate inspection device according to the present invention.
도 2는 도 1에 도시한 기판 검사 장치의 평면도이다. FIG. 2 is a plan view of the substrate inspection device shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 기판 검사 장치의 전기적 구성의 일례를 보인 구성도이다. 3 is a configuration diagram showing an example of an electrical configuration of a substrate inspection device.
도 4는 측정 실행부의 구성의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 4 is a conceptual diagram for explaining an example of the configuration of the measurement execution unit.
도 5는 제어부의 하드웨어 구성의 일례를 보인 구성도이다. 5 is a configuration diagram showing an example of a hardware configuration of the controller.
도 6은 기판의 구성의 일례를 보인 개념도이다. 6 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a substrate.
도 7은 제1 실시 형태에 따른 제어부의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이 다. 7 is a configuration diagram showing an example of a functional configuration of a control unit according to the first embodiment.
도 8은 제1 실시 형태에 따른 판정부에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방법을 설명하는 그래프이다. FIG. 8 is a graph for explaining a method of determining whether the test resistance value is determined by the determining unit according to the first embodiment. FIG.
도 9는 검사 저항차의 설명도이다. 9 is an explanatory diagram of a test resistance difference.
도 10은 문턱값의 산출 방법의 일례를 설명하는 도표이다. 10 is a chart for explaining an example of a method for calculating a threshold.
도 11은 제1 실시 형태에 따른 제어부의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 11 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold value setting of the control unit according to the first embodiment.
도 12는 제1 실시 형태에 따른 제어부의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 12 is a flowchart showing an example of the operation performed when the control unit according to the first embodiment executes inspection.
도 13은 제2 실시 형태에 따른 제어부의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이다. It is a block diagram which shows an example of the functional structure of the control part which concerns on 2nd Embodiment.
도 14는 제2 실시 형태에 따른 판정부에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방법을 설명하는 그래프이다. It is a graph explaining the method of determining the quality of inspection resistance value by the determination part which concerns on 2nd Embodiment.
도 15는 제2 실시 형태에 따른 제어부의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 15 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold value setting of the control unit according to the second embodiment.
도 16은 제2 실시 형태에 따른 제어부의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. FIG. 16 is a flowchart showing an example of the operation when the control unit executes the inspection according to the second embodiment. FIG.
도 17은 제3 실시 형태에 따른 제어부의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이다. 17 is a configuration diagram showing an example of a functional configuration of a control unit according to the third embodiment.
도 18은 제3 실시 형태에 따른 판정부에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방 법을 설명하는 그래프이다. 18 is a graph for explaining how to judge whether or not the inspection resistance value is determined by the determination unit according to the third embodiment.
도 19는 제3 실시 형태에 따른 제어부의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 19 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold value setting of the control unit according to the third embodiment.
도 20은 제3 실시 형태에 따른 제어부의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 20 is a flowchart showing an example of the operation when the control unit executes the inspection according to the third embodiment.
도 1은 본 발명에 따른 기판 검사 장치의 일 실시 형태를 보인 측면 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 검사 장치의 평면도이다. 후술하는 각 도면과의 방향 관계를 명확하게 하기 위하여, XYZ 직각 좌표축을 기재하였다. 1 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a substrate inspection apparatus according to the present invention, Figure 2 is a plan view of the substrate inspection apparatus of FIG. In order to clarify the direction relationship with each figure mentioned later, the XYZ rectangular coordinate axis was described.
이들 도면에 도시한 바와 같이, 이 기판 검사 장치는, 장치 전방측(-Y측)에 장치 본체(1)에 대하여 개폐 도어(11)는 개폐가 자유롭게 배열되어 설치되어 있고, 이 개폐 도어(11)를 연 상태에서 배선 패턴이 복수 개의 층에 형성된 빌드업 기판인 기판(2)(피검사 기판에 해당함; 도 6 참조)을 장치 전방측 중앙부에 설치된 반출입부(3)로부터 장치 본체(1) 내로 반입 가능하게 되어 있다. 또한 이 반출입부(3)의 후방측(+Y측)에는 검사 신호를 전송하는 복수 개(예를 들어 500개)의 접촉자(44)를 구비하고, 기판(2)의 배선 패턴의 랜드(측정점에 해당함)에 접촉자(44)를 맞닿게 하기 위하여 후술하는 검사 지그(41)를 이동시키는 검사부(4)가 설치되어 있다. As shown in these figures, this board | substrate test | inspection apparatus is provided with the opening-closing
또한 이 검사부(4)에 대하여 접촉자(44)를 측정점에 맞닿게 하기 위하여 이동시키는 지시 신호 및 접촉자(44)를 통하여 측정점에 출력하는 검사 신호 등을 출 력함과 함께, 검사부(4)를 통하여 검사 신호 등이 입력되고, 검사 신호를 후술하는 제어부(8)(미도시)로 전송하는 측정 실행부(74)가 적당한 곳(여기서는, 장치 본체(1) 내의 상부)에 배열되어 설치되어 있다. 그리고, 검사부(4) 및 측정 실행부(74) 등에 의한 검사(즉, 양부 판정)가 종료된 기판(2)은 반출입부(3)로 복귀되고, 개폐 도어(11)가 열린 상태로 되어 오퍼레이터에 의해 반출 가능해진다. In addition, the
이 기판 검사 장치에서는 반출입부(3)와 검사부(4)와의 사이에서 기판(2)을 반송하기 위하여 반송 테이블(5)이 Y 방향으로 이동이 자유롭게 설치됨과 함께, 반송 테이블(5)은 반송 테이블 구동 기구(6)에 의해 Y 방향으로 이동되어 위치 결정되도록 구성되어 있다. 즉, 반송 테이블 구동 기구(6)에서는 Y 방향으로 연장되는 두 개의 가이드 레일(61)이 소정 간격만큼 X 방향으로 이간되어 배치되고, 이들 가이드 레일(61)을 따라 반송 테이블(5)이 슬라이드 자유롭게 되어 있다. In this board | substrate inspection apparatus, in order to convey the board |
또한 이들 가이드 레일(61)과 평행하게 볼 나사(62)가 배열되어 설치되고, 이 볼 나사(62)의 일측(-Y측) 단이 장치 본체(1)에 축지됨과 함께, 타측(+Y측) 단이 반송 테이블 구동용 모터(63)의 회전축(64)과 연결되어 있다. 또한 이 볼 나사(62)에는 반송 테이블(5)을 고정한 브래킷(65)이 나사 결합되고, 후술하는 제어부(8)(도 3, 도 5 참조)로부터의 명령에 응답하여 모터(63)가 회전 구동되면, 그 회전량에 상응하여 반송 테이블(5)이 Y 방향으로 이동하여 반출입부(3)와 검사부(4)와의 사이를 왕복 이동한다. Moreover, the
도 2를 참조하면, 반송 테이블(5)은 기판(2)을 올려놓기 위한 기판 안착부(51)를 구비하고 있다. 이 기판 안착부(51)는 올려진 기판(2)이 3개의 결합 핀(53)과 결합함과 함께, 이들 결합 핀(53)과 대향하는 방향으로부터 기판(2)을 탄성 바이어스하는 탄성 바이어스 수단(미도시)에 의해 기판(2)이 결합 핀(53) 측으로 탄성 바이어스되어 기판 안착부(51) 상에서 기판(2)을 유지할 수 있게 되어 있다. 또한 이와 같이 유지된 기판(2)의 하면에 형성된 배선 패턴에 후술하는 하부 검사 유닛(4D)의 접촉자(44)를 맞닿게 하기 위하여, 기판 안착부(51)에는 관통 개구(미도시)가 형성되어 있다. 2, the conveyance table 5 is provided with the board |
검사부(4)는 반송 테이블(5)의 이동 경로를 사이에 두고 상방측(+Z측)에 기판(2)의 상면 측에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위한 상부 검사 유닛(4U)과, 하방측(-Z측)에 기판(2)의 하면측에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위한 하부 검사 유닛(4D)을 구비하고 있다. 검사 유닛(4U, 4D)은 대략 동일한 구성을 가지고 있으며, 반송 테이블(5)의 이동 경로를 사이에 두고 대략 대칭으로 배치되어 있다. 검사 유닛(4U, 4D)은 검사 지그(41)와 검사 지그 구동 기구(43)를 구비하고 있다. The
도 3은 기판 검사 장치의 전기적 구성의 일례를 보인 구성도이다. 기판 검사 장치는 CPU, ROM, RAM, 모터 드라이버 등을 구비하여 미리 ROM에 기억되어 있는 프로그램을 따라 장치 전체를 제어하는 제어부(8)(도 5 참조)와, 테스터 컨트롤러(75)와, 측정 실행부(74)를 구비하고 있다. 3 is a configuration diagram showing an example of an electrical configuration of a substrate inspection device. The board inspection apparatus includes a CPU, a ROM, a RAM, a motor driver, and the like, which controls the entire apparatus in accordance with a program stored in the ROM in advance (see Fig. 5), the
테스터 컨트롤러(75)는 제어부(8)로부터의 검사 개시 명령을 받아들여 미리 기억된 프로그램을 따라 기판(2)의 배선 패턴의 랜드에 맞닿은 복수 개의 접촉자(44) 중에서 검사할 배선 패턴의 양단에 위치하는 두 개의 랜드(이하, 측정점 세트라고 함)에 각각 접촉한 두 개의 접촉자(44)를 차례대로 선택하는 것이다. 또한 테스터 컨트롤러(75)는 선택한 두 개의 접촉자(44) 사이의 검사를 수행시키기 위하여 측정 실행부(74)로 스캔 명령을 출력하는 것이다. 나아가 테스터 컨트롤러(75)는 측정 실행부(74)(도 4에서 후술하는 검사 처리부(741))로부터 측정된 저항값을 수신하여 제어부(8)로 전송하는 것이다. The
한편, 검사 지그 구동 기구(43)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 장치 본체(1)에 대하여 X 방향으로 검사 지그(41)를 이동시키는 X 지그 구동부(43X)와, X 지그 구동부(43X)에 연결되어 검사 지그(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 지그 구동부(43Y)와, Y 지그 구동부(43Y)에 연결되어 검사 지그(41)를 Z축 방향으로 회전 이동시키는 θ 지그 구동부(43θ)와, θ 지그 구동부(43θ)에 연결되어 검사 지그(41)를 Z 방향으로 이동시키는 Z 지그 구동부(43Z)로 구성되어 있으며, 제어부(8)에 의해 검사 지그(41)를 반송 테이블(5)에 대하여 상대적으로 위치 결정하거나 검사 지그(41)를 상하 방향(Z 방향)으로 승강시켜 접촉자(44)를 기판(2)에 형성된 배선 패턴에 대하여 맞닿게 하거나 이간시키거나 할 수 있도록 구성되어 있다. On the other hand, as shown in FIG. 3, the inspection
도 4는 측정 실행부(74)의 구성의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 측정 실행부(74)는 소정 값(제어부(8)에서 설정된 값)(I0)의 측정용 직류 전류를 출력하는 직류 전류원으로 이루어지는 전류 생성부(742)와, 측정용 직류 전류에 의해 배선 패턴 내에 생성되는 전압 강하량(전위차)을 측정하는 전압 측정부(743)와, 검사 지그(41)가 구비하는 복수 개의 접촉자(44) 중에서 테스터 컨트롤러(75)(도 3 참조)에 의해 선택된 접촉자(44)에 전류 생성부(742) 및 전압 측정부(743)를 접속하는 스위치 어레이 등으로 이루어지는 스캐너(744)를 구비하고 있다. 4 is a conceptual diagram for explaining an example of the configuration of the
검사 처리부(741)는 테스터 컨트롤러(75)로부터의 스캔 명령에 응답하여 전류 공급 대상인 두 개의 접촉자(44) 사이에 전류 생성부(742)를 접속하고, 전위차 검출 대상인 두 개의 접촉자(44) 사이에 전압 측정부(743)를 각각 접속시키기 위하여 스캐너(744)로 제어 신호를 출력하는 것이다. 또한 검사 처리부(741)는 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값(전위차)을 측정용 직류 전류값(I0)으로 나누어 두 개의 접촉자(44)간(즉, 측정점 세트간)의 저항값을 구하여 테스트 컨트롤러(75)로 송신하는 것이다. The
도 5는 제어부(8)의 하드웨어 구성의 일례를 보인 구성도이다. 제어부(8)는 예를 들어 개인용 컴퓨터 등으로 이루어지며, 제어부(8)의 전체의 동작을 제어하는 주제어부(81)와, 외부로부터의 조작을 받아들이는 미도시한 키보드, 마우스 등으로 이루어지는 조작부(82)와, 외부로 음성을 출력하는 스피커(83)와, 외부로 화상을 출력하는 모니터(84)와, 테스터 컨트롤러(75)와 통신을 행하는 통신 제어부(85)와, 각종 정보를 기록 용지에 인쇄하는 프린터(86)가 데이터 전송로인 버스(BA8)를 통하여 접속되어 있다. 5 is a configuration diagram showing an example of a hardware configuration of the
주제어부(81)는 제어부(8)의 전체의 동작을 제어하는 것으로, 정보 처리부(CPU)(811)와, 처리 도중의 정보 등을 일시적으로 저장하는 RAM(812)과, OS(operating system), 소정의 화상 정보 등이 미리 기억된 ROM(813)을 구비하고 있다. The
RAM(812) 또는 ROM(813)에 기억된 각종 데이터 중 착탈 가능한 기록 매체에 기억될 수 있는 데이터는, 예를 들어 하드디스크 드라이브, 광 디스크 드라이브, 플렉시블 디스크 드라이브, 실리콘 디스크 드라이브, 카세트 매체 판독기 등의 드라이버로 판독 가능하게 할 수도 있으며, 이 경우, 기록 매체는 예를 들어 하드 디스크, 광 디스크, 플렉시블 디스크, CD, DVD, 반도체 메모리 등이다. Among the various data stored in the
인터페이스부(821 및 861)는 각각 조작부(82) 및 프린터(86)와 주제어부(81)와의 사이에서 데이터를 주고받기 위한 것이다. 음성 재생부(831)는 주제어부(81)로부터의 지시에 따라 소정의 음성(예를 들어 알람, 조작 가이던스용 음성 등) 등을 스피커(83)에 출력하는 것이다. 묘화 처리부(841)는 주제어부(81)로부터의 화상 표시 지시에 따라 소요의 화상을 모니터(84)에 표시시키는 것으로, 비디오 RAM 등을 구비하고 있다. The
도 6은 기판(2)의 구성의 일례를 보인 개념도이다. (a)는 배선 패턴 이외의 것을 투명화한 사시도이고, (b)는 단면도이다. 기판(2)은 절연 기판(212)의 상면(211)에 배선 패턴(211a)이 형성된 제1 기판(21)과, 절연 기판(222)의 상면(221)에 배선 패턴(221a)이 형성됨과 함께, 하면(223)에 배선 패턴(223a)이 형성된 제2 기판(22)으로 구성된 빌드업 다층(여기서는, 3층) 인쇄 배선 기판(빌드업 기판에 해당함)이다. 6 is a conceptual diagram illustrating an example of the configuration of the
배선 패턴(211a)은 절연 기판(212)에 형성된 비어(TH1)를 통하여 배선 패턴(221a)과 통전 가능하게 접속되며, 또한 이 배선 패턴(221a)은 절연 기판(222)에 형성된 비어(TH2)를 통하여 배선 패턴(223a)과 통전 가능하게 접속되어 있다. 비어(TH1) 및 비어(TH2)는 여기서는 레이저에 의해 형성된 마이크로 비어인 레이저 비어로서, 비어의 원통형의 측면에 형성된 구리 도금층과, 배선 패턴(221a, 223a) 과의 접합면에 결함이 발생하기 쉬우나, 결함이 경미한 경우에는 결함에 따른 측정점 세트간(예를 들어 배선 패턴(211a) 상의 측정점(MP1)과 측정점(MP2)과의 사이)의 저항값의 증대가 작아 검출이 곤란한 경우가 있다. The
<제1 실시 형태> <First Embodiment>
다음, 도 7 내지 도 12를 이용하여 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 검사 장치에 대하여 설명한다. 도 7은 제1 실시 형태에 따른 제어부(8)의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이다. 제어부(8)의 CPU(811)는 미리 선택된 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값을 측정하는 기준 저항 측정부(811a)(기준 저항 측정 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차를 구하는 통계 계산부(811b)(통계 계산 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값을 설정하는 문턱값 설정부(811c)(문턱값 설정 수단에 해당함)와, 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정부(811d)(검사 저항 측정 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값에 따라 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정부(811e)(판정 수단에 해당함)를 구비하고 있다. Next, the board | substrate inspection apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated using FIGS. 7 is a configuration diagram showing an example of a functional configuration of the
또한 제어부(8)의 RAM(812)은 기준 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 기준 저항 기억부(812a)와, 문턱값의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 문턱값 기억부(812b)와, 검사 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 검사 저항 기억부(812c)를 구비하고 있다. In addition, the
기준 저항 측정부(811a)는 동일 종류의 복수 개(예를 들어 10000장)의 피검사 기판 중에서 미리 선택된 소정 수(여기서는 30장)의 피검사 기판인 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값을 기준 저항값으로서 측정함과 함께, 얻어진 기준 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812a)에 저장하는 것이다. The reference
구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. 또한, 기준 기판은 동일 종류의 10000장의 피검사 기판 중에서 미리 도통 검사를 행하여 검사 결과가 양호한 것을 기준 기판으로서 선택하는 것이다. Specifically, dividing the voltage value measured by the
통계 계산부(811b)는 소정 수(여기서는 30장)의 기준 기판에 대하여, 측정점 세트마다 기준 저항 측정부(811a)에 의해 측정된 기준 저항값을 기준 저항 기억부(812a)로부터 읽어내어 그 평균값 및 표준 편차를 구함과 함께, 얻어진 평균값 및 표준 편차를 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812a)에 저장하는 것이다. The
문턱값 설정부(811c)는 측정점 세트를 기준 저항값의 평균값의 크기에 따라 오름차순으로 정렬함으로써 측정점 세트마다 시퀀스 번호를 부여하고, 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값의 차에 따라 문턱값을 설정함과 함께, 설정한 문턱값을 시퀀스 번호 정보 및 2조의 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 문턱값 기억부(812b)에 저장하는 것이다. 구체적인 문턱값의 설정 방법에 대해서는 도 10을 이용하여 후술하기로 한다. The threshold
검사 저항 측정부(811d)는, 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정함과 함께, 얻어진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대 응지어 검사 저항 기억부(812c)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. The test
판정부(811e)는 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 검사 저항값을 검사 저항 기억부(812c)로부터 읽어내어 그들의 차(이하, 검사 저항차(ΔR)라고 함)를 구하고, 문턱값 설정부(811c)에 의해 설정된 대응하는 문턱값과의 대소 관계에 따라 판정하는 것이다. 구체적으로는, 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 검사 저항차(ΔR)가 문턱값 설정부(811c)에 의해 설정된 하한값(SHLA) 미만이거나 상한값(SHUA) 초과인 경우에 불량이라고 판정하는 것이다(도 8 참조). 더욱 상세한 처리는 도 12에 도시한 흐름도를 이용하여 후술하기로 한다. The
기준 저항 기억부(812a)는 기준 저항 측정부(811a)에 의해 구해진 기준 저항값과 통계 계산부(811b)에 의해 구해진 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차를 2조의 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The reference
문턱값 기억부(812b)는 문턱값 설정부(811c)에 의해 설정된 문턱값을 시퀀스 번호 정보 및 2조의 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The
검사 저항 기억부(812c)는 검사 저항 측정부(811d)에 의해 구해진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The test resistance storage unit 812c stores the test resistance value obtained by the test
또한, 제어부(8)를 기준 저항 측정부(811a), 통계 계산부(811b) 등으로서 기능시키는 본 발명의 기판 검사 프로그램이 예를 들어 ROM(813)에 저장되어 있으며, CPU(811)에 의해 실행됨으로써 제어부(8)가 기준 저항 측정부(811a), 통계 계산 부(811b) 등의 각 기능부로서 기능하는 것이다. Further, the board inspection program of the present invention which functions the
도 8은 판정부(811e)에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방법을 설명하는 그래프이다. (a)는 검사 저항값(R)의 일례를 보인 그래프(G1)로서, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 검사 저항값(R)이다. 시퀀스 번호(SN)는 측정점 세트마다의 기준 저항값의 평균값의 크기에 따라 오름차순으로 정렬함으로써 부여되는 것이며, 측정점 세트간의 기준 저항값의 대소 관계와 검사 저항값의 대소 관계는 대략 일치하는 것이므로, 그래프(G1)는 대략 시퀀스 번호(SN)의 증가에 따라 검사 저항값(R)이 증대되는 곡선으로 되어 있다. 8 is a graph for explaining a method of determining whether the test resistance value is determined by the determining
단, 여기서는 시퀀스 번호(SN)가 "455"인 측정점 세트간의 배선 패턴 내에 불량 부위가 있고, 이 불량 부위에 기인하여 그래프(G1)에는 이 측정점 세트간의 검사 저항값(R)에 대응하는 시퀀스 번호(SN)가 "455"인 위치에서 검사 저항값(R)이 급격하게 증대되는 불량 부위(EP)가 있다. 또한, 이 불량 부위(EP)의 저항값은 시퀀스 번호(SN)가 1인 측정점 세트간의 저항값(R1) 이상이고, 시퀀스 번호(SN)가 최대(여기서는, "925")인 측정점 세트간의 저항값(R2) 이하이기 때문에, 피검사 기판 내의 모든 측정점 세트에 대하여 일정한 문턱값을 사용하는 경우에는 검출될 수 없는 것이다. However, in this case, there is a defective part in the wiring pattern between the measuring point sets with the sequence number SN of "455", and due to this defective part, the graph G1 shows the sequence number corresponding to the inspection resistance value R between the measuring point sets. There is a defective portion EP in which the test resistance value R is rapidly increased at the position where SN is "455". In addition, the resistance value of the defective part EP is equal to or greater than the resistance value R1 between the measuring point sets having the sequence number SN of 1, and the resistance between the measuring point sets having the maximum sequence number SN (here, "925"). Since it is below the value R2, it cannot be detected when a constant threshold is used for all the set of measurement points in a test | inspection board | substrate.
(b)는 (a)에 도시한 검사 저항값(R)에 대응하는, 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 그래프(G2)이다. 도면의 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고, 세로축이 검사 저항차(ΔR)이다. 여기서, 검사 저항차(ΔR)에 대하여 도 9를 사용하여 설명한다. 도 9는 검사 저항차(ΔR)의 설명도이다. 도면의 가로축이 시퀀스 번 호(SN)이고 세로축이 검사 저항값(R)이다. 검사 저항차(ΔRi)는 다음 (1)식으로 정의되는 시퀀스 번호(SN)가 인접하는(여기서는 시퀀스 번호(SN)가 i,(i+1)임) 2조의 측정점 세트의 검사 저항값(R)의 차이다. (b) is the graph G2 of the set of two sets of measurement points with which the sequence number adjoins corresponding to the test | inspection resistance value R shown to (a). The horizontal axis in the figure is the sequence number SN, and the vertical axis is the inspection resistance difference ΔR. Here, inspection resistance difference (DELTA) R is demonstrated using FIG. 9 is an explanatory diagram of inspection resistance difference ΔR. The horizontal axis in the figure is the sequence number SN and the vertical axis is the test resistance value R. FIG. The test resistance difference ΔRi is the test resistance value R of two sets of measurement points, in which the sequence numbers SN defined by the following formula (1) are adjacent (here, the sequence numbers SN are i, (i + 1)): ) Is the difference.
단, Ri는 시퀀스 번호(SN)가 i인 측정점 세트의 검사 저항값(R)이다. 또한, i=1∼925이다. However, Ri is the test resistance value R of the measuring point set whose sequence number SN is i. In addition, i = 1-925.
다시 도 8(b)로 돌아와, 전술한 바와 같이 시퀀스 번호(SN)의 증가에 따라 검사 저항값(R)이 대략 증대되기 때문에, 검사 저항차(ΔR)는 그래프(G2)에 도시한 바와 같이 통상 미소한 양의 값(예를 들어 1mΩ 정도)이 된다. 단, 시퀀스 번호(SN)가 "455"인 위치에서 검사 저항값(R)이 급격하게 증대되는 불량 부위(EP)가 존재하기 때문에, 검사 저항차(ΔRi) 중 i가 "454"인 검사 저항차(ΔRi)가 다른 점의 검사 저항차(ΔRi)와 월등하게 큰 값(예를 들어 10mΩ 정도)이 되고, i가 "455"인 검사 저항차(ΔRi)가 다른 점의 검사 저항차(ΔRi)와 월등하게 작은 값(예를 들어 -10mΩ 정도)이 된다. 따라서, 문턱값(도 8의 그래프(G3)로 나타낸 상한값, 및 그래프(G4)로 나타낸 하한값)을 적정 값(예를 들어 3mΩ 및 -2mΩ)으로 설정함으로써 불량 부위(EP)를 정확하게 검출하는 것이 가능해지는 것이다. Returning to Fig. 8B again, since the test resistance value R is substantially increased as the sequence number SN is increased as described above, the test resistance difference ΔR is shown in the graph G2. Usually, it is a small amount of value (for example, about 1 mΩ). However, since there exists the defective part EP which the test resistance value R rapidly increases in the position where sequence number SN is "455", the test resistance whose i of the test resistance difference (DELTA Ri) is "454". The difference ΔRi is significantly larger than the test resistance difference ΔRi at another point (for example, about 10 mΩ), and the test resistance difference ΔRi at a point where i is "455" is different from the test resistance difference ΔRi. ) And a significantly smaller value (eg -10mΩ). Therefore, by accurately setting the threshold value (the upper limit value shown by the graph G3 of FIG. 8 and the lower limit value shown by the graph G4) to an appropriate value (for example, 3 mΩ and -2 mΩ), it is possible to accurately detect the defective part EP. It becomes possible.
도 10은 문턱값의 산출 방법의 일례를 설명하는 도표이다. (a)는 통계 계산부(811b)에 의해 산출되는 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)을 나타낸 도표이고, (b)는 문턱값 설정부(811c)에 의해 산출되는 문턱값(상한값(SHUA) 및 하한값(SHLA))을 나 타낸 도표이다. (a)에는 상란에서부터 순서대로 측정점 세트의 번호(이하, 포인트 번호(PN)라고 함)와, 포인트 번호(PN)에 대응하는 측정점 세트에 대하여 기준 저항 측정부(811a)에 의해 측정된 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)와, 문턱값 설정부(811c)에 의해 각 측정점 세트에 부여되는 시퀀스 번호(SN)가 표시되어 있다. 10 is a chart for explaining an example of a method for calculating a threshold. (a) is a chart showing the average value AV and the standard deviation σ calculated by the
여기서는, 포인트 번호(PN)가 i인 측정점 세트의 평균값(AVi)이 가장 작고, 이 포인트 번호(PN(=i))에 대응하는 시퀀스 번호(SN)가 1로 되어 있다. 또한 포인트 번호(PN)가 j인 측정점 세트의 평균값(AVj)이 두 번째로 작고, 이 포인트 번호(PN(=j))에 대응하는 시퀀스 번호(SN)가 2로 되어 있다. Here, the average value AVi of the set of measurement points whose point number PN is i is the smallest, and the sequence number SN corresponding to this point number PN (= i) is one. Further, the average value AVj of the set of measurement points whose point number PN is j is the second smallest, and the sequence number SN corresponding to this point number PN (= j) is two.
(b)에는 상란에서부터 순서대로 시퀀스 번호(SN), 평균값(AV), 표준 편차(σ)가 표시되고, (a)에 도시한 데이터를 시퀀스 번호(SN)로 소팅(정렬)한 결과를 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, 시퀀스 번호(SN)가 1 및 2인 측정점 세트의 포인트 번호(PN)는 각각 i 및 j이다. 여기서, 시퀀스 번호(SN)가 n 및 (n+1)인 측정점 세트의 포인트 번호(PN)를 각각 p 및 q라고 하였다. (b)의 위에서부터 네 번째의 포인트 번호(PN)의 난의 하측에는 문턱값 설정부(811c)에 의해 설정되는 상한값(SHUA) 및 하한값(SHLA)이 표시되어 있다. 또한 난 바깥에 나타낸 바와 같이, 시퀀스 번호(SN)가 n 및 (n+1)인 측정점 세트로부터 설정되는 상한값(SHUAn) 및 하한값(SHLAn)은 각각 다음 (2), (3)식으로 구해진다. (b) shows a sequence number (SN), an average value (AV), and a standard deviation (σ) in order from the upper column, and shows the result of sorting (sorting) the data shown in (a) by the sequence number (SN). have. As described above, the point numbers PN of the set of measurement points having the
도 11은 제어부(8)의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려지기 전에 기판(2)을 검사하는 준비 동작으로서 실행되는 것이다. 11 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold setting of the
먼저, 기준 저항 측정부(811a)에 의해 30장의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값(SRi,j(i=1∼N, j=1∼M, N: 측정점 세트의 개수(여기서는, N=925), M: 기준 기판의 수(여기서는, M=30)))이 측정되고, 측정점 세트의 식별 정보(여기서는, 포인트 번호(PN))와 대응지어 기준 저항 기억부(812a)에 저장된다(단계 S101). 다음, 통계 계산부(811b)에 의해 측정점 세트마다 기준 저항값(SRi,j)의 평균값(AVi) 및 표준 편차(σi)가 구해지고, 측정점 세트의 식별 정보(여기서는, 포인트 번호(PN))와 대응지어 기준 저항 기억부(812a)에 저장된다(단계 S103). First, by the reference
그리고, 문턱값 설정부(811c)에 의해 기준 저항값(SRi,j)의 평균값(AVi)의 크기에 따라 오름차순으로(즉, 평균값(AVi)이 작은 순서로) 정렬함으로써 측정점 세트마다 시퀀스 번호(SN)가 부여된다(단계 S105). 다음, 문턱값 설정부(811c)에 의해 시퀀스 번호(SN)가 인접하는 2조의 측정점 세트(여기서는, 시퀀스 번호(SN)가 n 및 (n+1)인 측정점 세트)의 기준 저항값(SRi,j)의 평균값(AVi) 및 표준 편차(σi)를 이용하여(전술한 (2), (3)식에 의해), 검사 저항차(ΔRn)에 대한 상한값(SHUAn) 및 하한값(SHLAn)이 설정되고(도 10 참조), 상한값(SHUAn) 및 하한값(SHLAn)이 시퀀스 번호(SN) 정보 및 2조의 측정점 세트의 식별 정보(포인트 번호(PN))와 대응지어 문턱값 기억부(812b)에 저장되고(단계 S107), 처리가 종료된 다. Then, the threshold
도 12는 제어부(8)의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 11에 도시한 동작이 완료되고, 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려진 상태에서 실행되는 것이다. 또한, 이하의 처리는 특별히 명시하지 않는 한 판정부(811e)에 의해 수행된다. 12 is a flowchart showing an example of the operation when the
먼저, 시퀀스 번호(SK)의 카운터(k)의 값이 1로 초기화된다(단계 S201). 그리고, 문턱값 기억부(812b)를 참조하여 시퀀스 번호(SK)의 값이 카운터(k)의 값인(즉, 기준 저항값의 평균값(AV)가 작은 쪽부터 k번째의) 측정점 세트의 포인트 번호(PNk)가 구해진다(단계 S203). 다음, 검사 저항 측정부(811d)에 의해 포인트 번호(PNk)의 측정점 세트의 저항값(Rk)이 측정되고 포인트 번호(PNk)와 대응지어 검사 저항 기억부(812c)에 저장된다(단계 S205). 이어서, 카운터(k)의 값이 1인지 여부의 판정이 행해진다(단계 S207). First, the value of the counter k of the sequence number SK is initialized to 1 (step S201). Then, with reference to the
카운터(k)의 값이 1인 경우(단계 S207에서 YES)에는, 카운터(k)의 값이 1만큼 증가되고(단계 S209), 처리가 단계 S203으로 돌아가 단계 S203 이후의 처리가 반복 실행된다. 카운터(k)의 값이 1이 아닌(즉, 2 이상인) 경우(단계 S207에서 N0)에는, 시퀀스 번호(SK)가 인접하는(여기서는, 시퀀스 번호(SK)가 k 및 (k-1)임) 2조의 측정점 세트의 검사 저항값(Rk, R(k-1))이 검사 저항 기억부(812c)로부터 읽혀지고, 다음 (4)식을 이용하여 검사 저항차(ΔRk)가 구해진다(단계 S211). If the value of the counter k is 1 (YES in step S207), the value of the counter k is incremented by 1 (step S209), and the process returns to step S203 to repeat the processing after step S203. If the value of the counter k is not 1 (that is, 2 or more) (NO in step S207), the sequence numbers SK are adjacent (here, the sequence numbers SK are k and (k-1)). ) The test resistance values Rk and R (k-1) of two sets of measurement points are read from the test resistance storage unit 812c, and the test resistance difference ΔRk is obtained using the following equation (4) (step). S211).
그리고, 검사 저항차(ΔRk)가 도 11에 도시한 흐름도의 단계 S107에서 구해진 하한값(SHUA(k-1)) 이상이고 상한값(SHLA(k-1)) 이하인지 여부의 판정이 행해진다(단계 S213). 검사 저항차(ΔRk)가 하한값(SHLA(k-1))이상이고 상한값(SHUA(k-1)) 이하가 아니라고(즉, 하한값(SHLA(k-1)) 미만 또는 상한값(SHUA(k-1)) 초과라고) 판정된 경우(단계 S213에서 NO)에는, 포인트 번호(PN(k-1))에 대응하는 측정점 세트간의 배선 패턴(또는, 비어)이 불량이라고 판정되고(단계 S221), 처리가 종료된다. Then, a determination is made as to whether or not the inspection resistance difference ΔRk is equal to or greater than the lower limit SHUA (k-1) and less than or equal to the upper limit SHLA (k-1) obtained in step S107 of the flowchart shown in FIG. S213). If the test resistance difference ΔRk is greater than or equal to the lower limit SHLA (k-1) and not less than or equal to the upper limit SHUA (k-1) (that is, less than or equal to the lower limit SHLA (k-1)) or the upper limit SHUA (k- 1)) exceeding) (NO in step S213), it is determined that the wiring pattern (or empty) between the measurement point sets corresponding to the point number PN (k-1) is defective (step S221). The process ends.
한편, 검사 저항차(ΔRk)가 하한값(SHLA(k-1)) 이상 및 상한값(SHUA(k-1)) 이하라고 판정된 경우(단계 S213에서 YES)에는, 카운터(k)의 값이 측정점 세트의 개수(N) 이상인지 여부의 판정이 행해진다(단계 S215). 카운터(k)의 값이 측정점 세트의 개수(N) 이상이 아니라고(즉, 측정점 세트의 개수(N) 미만이라고) 판정된 경우(단계 S215에서 N0)에는, 카운터(k)의 값이 1만큼 증가되어(단계 S217), 처리가 단계 S203으로 돌아가고 단계 S203 이후의 처리가 반복 실행된다. 한편, 카운터(k)의 값이 측정점 세트의 개수(N) 이상이라고 판정된 경우(단계 S215에서 YES)에는, 기판(2)의 도통 상태는 양호라고 판정되고(단계 S219), 처리가 종료된다. On the other hand, when it is determined that the test resistance difference ΔRk is equal to or greater than the lower limit SHLA (k-1) and equal to or less than the upper limit SHUA (k-1) (YES in step S213), the value of the counter k is measured point. A determination is made as to whether or not the number N of sets is set (step S215). If it is determined that the value of the counter k is not more than the number N of the measuring point sets (that is, less than the number N of the measuring point sets) (NO in step S215), the value of the counter k is set by one. Incremented (step S217), the process returns to step S203 and the process after step S203 is repeatedly executed. On the other hand, when it is determined that the value of the counter k is equal to or greater than the number N of the measurement point sets (YES in step S215), the conduction state of the
이와 같이 하여 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값(Rk)의 양부가 측정점 세트마다 설정된 상한값(SHUA(k-1)) 및 하한값(SHLA(k-1))에 따라 판정되기 때문에, 상한값(SHUA(k-1)) 및 하한값(SHLA(k-1))을 측정점 세트마다 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값(Rk)의 양부가 정확하게 판정된다. In this way, since both parts of the test resistance value Rk which is the resistance value between the measuring point sets are determined according to the upper limit value SHUA (k-1) and the lower limit value SHLA (k-1) set for each measuring point set, the upper limit value SHUA By setting (k-1)) and the lower limit value SHLA (k-1) to an appropriate value for each set of measurement points, the quality of the test resistance value Rk is accurately determined.
또한 2조의 측정점 세트의 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)가 대응하는 상한값(SHUA(k-1)) 및 하한값(SHLA(k-1))에 따라 판정되기 때문에, 측정점 세트마다 검사 저항값(Rk)을 판정하는 경우와 비교하여 피검사 기판(2)마다의 제조 조건 및 피검사 기판(2)마다의 검사 저항값(Rk)의 측정 조건의 차가 상쇄됨으로써 검사 저항값(Rk)의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. In addition, the difference ΔRk between the test resistance values Rk and R (k-1) of two sets of measurement points is determined according to the corresponding upper limit value SHUA (k-1) and lower limit value SHLA (k-1). Therefore, compared with the case where the inspection resistance value Rk is determined for each measurement point set, the difference between the manufacturing conditions for each
예를 들어 기판(2)은 제조 조건에 따라 배선 패턴의 폭의 넓고 좁음의 불균일이 발생하고, 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 큰 경우(배선 패턴의 폭이 좁은 경우)와 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 작은 경우(배선 패턴의 폭이 넓은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)가 판정되기 때문에 검사 저항값(Rk)의 절대값의 변동의 영향이 억제되는 것이다. For example, when the board |
마찬가지로, 기판(2)은 측정 조건에 따라 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 높은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온도가 높은 경우)와 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 낮은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온도가 낮은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)가 판정되기 때문에 검사 저항값(Rk)의 절대값의 변동의 영향이 억제되는 것이다. Similarly, the
또한 시퀀스 번호(SK)가 인접하는(즉, 기준 저항값(SR)의 크기가 인접하는) 두 개의 측정점 세트의 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)가 대응하는 상한값(SHUA(k-1)) 및 하한값(SHLA(k-1))에 따라 판정되기 때문에, 피검사 기판(2)마다의 제조 조건 및 피검사 기판(2)마다의 검사 저항값(Rk)의 측정 조건의 차가 더 상 쇄됨으로써 검사 저항값(Rk)의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. In addition, the difference ΔRk of the test resistance values Rk and R (k-1) of two sets of measurement points to which the sequence numbers SK are adjacent (that is, the magnitude of the reference resistance value SR is adjacent) corresponds. Since it is determined according to the upper limit value SHUA (k-1) and the lower limit value SHLA (k-1), the manufacturing conditions for each inspected
즉, 피검사 기판(2)과 동종의 기판으로서, 도통 상태가 양호한 기판인 기준 기판의 기준 저항값(SR)의 평균값(AV)의 크기의 순서인 시퀀스 번호(SK)가 인접하는 2개의 측정점 세트는 본래 저항값이 같은 정도의 크기의 측정점 세트이므로 대응하는 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)의 절대값이 작아지기 때문에 더욱 정확하게 판정되는 것이다. In other words, two measurement points in which the sequence number SK, which is a sequence of the average value AV of the reference resistance value SR of the reference substrate, which is a substrate of the same kind as the
이에 더하여, 시퀀스 번호(SK)가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값(SR)의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 따라(전술한 (2)식 및 (3)식 참조) 상한값(SHUAn) 및 하한값(SHLAn)이 설정되기 때문에 적절한 상한값(SHUAn) 및 하한값(SHLAn)이 용이하게 설정된다. In addition, the upper limit value according to the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value SR of two sets of measuring points adjacent to the sequence number SK (see equations (2) and (3) described above). Since (SHUAn) and the lower limit value SHLAn are set, the appropriate upper limit value SHUAn and the lower limit value SHLAn are easily set.
또한 검사 저항값(Rk)이 측정될 때마다 검사 저항값(Rk, R(k-1))의 차(ΔRk)의 양부가 판정되어 불량이 발생한 시점에서 검사 저항값(Rk)의 측정이 중지되기 때문에, 특히 불량이 발생하는 빈도가 높은 경우에는 기판(2)의 검사가 효율적으로 수행된다. In addition, each time the test resistance value Rk is measured, it is determined whether or not the difference ΔRk between the test resistance values Rk and R (k-1) is determined and the measurement of the test resistance value Rk is stopped at the time when a defect occurs. Therefore, the inspection of the
또한, 본 발명은 이하의 형태를 취할 수 있다. In addition, this invention can take the following forms.
(A)제1 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811c)가 소정 수(여기서는, 30장)의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV)의 크기에 따라 측정점 세트마다 시퀀스 번호(SN)를 부여하는 경우에 대하여 설명하였으나, 그 밖의 룰에 따라 시퀀스 번호(SN)를 부여하는 형태일 수도 있다. 예를 들어 기판(2)의 검사 저항값(R)의 측정이 행해지는 측정점 세트의 순서를 시퀀스 번호(SN)로서 부여하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는, 기준 저항값의 평균값(AV) 등을 구하는 처리가 불필요해져 처리가 간략해진다. (A) In the first embodiment, the threshold
(B)제1 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811c)가 30장의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV)이 작은 순서로 측정점 세트마다 시퀀스 번호(SN)를 부여하는 경우에 대하여 설명하였으나, 기준 기판의 수는 30장에 한정되는 것이면 몇 장일 수도 있고(기준 기판의 수가 한 장인 경우에는 평균값을 구하는 처리가 불필요해진다), 또한 기준 저항값의 평균값(AV)이 작은 순서(오름차순)가 아니라 큰 순서(내림차순)로 시퀀스 번호(SN)를 부여하는 형태일 수도 있다. (B) In the first embodiment, the case where the threshold
(C)제1 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811c)가 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)의 적어도 하나를 설정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (C) In the first embodiment, the case where the threshold
(D)제1 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811c)가 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)을 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 따라 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)의 적어도 어느 하나에 따라 설정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (D) In the first embodiment, when the threshold
(E)제1 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811c)가 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 관한 전술한 식 (2) 및 식 (3)을 이용하여 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 그 밖의 식을 이용하여 설정하는 형태일 수도 있고, 그 밖의 구분 테이블 등을 통하여 설정하는 형태일 수도 있다. (E) In 1st Embodiment, the threshold
예를 들어 두 개의 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값(AV)인 평균값(AVp, AVq)을 소정의 크기(예를 들어 2mΩ)의 간격으로 구분하여 구분마다 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)이 저장된 테이블(룩업 테이블)을 미리 설정해 두고, 평균값(AVp, AVq) 및 이 테이블에 따라 하한값(SHLA) 및 상한값(SHUA)을 설정하는 형태일 수도 있다. For example, the average values AVp and AVq, which are the average values AV of the two sets of measurement points, are divided into intervals of a predetermined size (for example, 2 mΩ), and the lower limit value SHLA and the upper limit value SHUA are divided for each division. The stored table (look-up table) may be set in advance, and the lower limit value SHLA and the upper limit value SHUA may be set in accordance with the average values AVp and AVq and the table.
<제2 실시 형태> <2nd embodiment>
다음, 도 13 내지 도 16을 이용하여 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 검사 장치에 대하여 설명한다. 또한, 도 1 내지 도 6을 사용하여 설명한 구성은 제1 실시 형태와 동일하므로 그 설명을 생략한다. 도 13은 제2 실시 형태에 따른 제어부(8)의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이다. 제어부(8)의 CPU(811)는 미리 선택된 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값을 측정하는 기준 저항 측정부(811f)(기준 저항 측정 수단에 해당함)와, 기준 기판 한 장 당 기준 저항값의 총합을 구하는 기준 총합 산출부(811g)(기준 총합 산출 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차를 구하는 통계 계산부(811h)(통계 계산 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값을 설정하는 문턱값 설정부(811i)(문턱값 설정 수단에 해당함)와, 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정부(811j)(검사 저항 측정 수단에 해당함)와, 피검사 기판마다 검사 저항값의 총합을 구하는 검사 총합 산출부(811k)(검사 총합 산출 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값에 따라 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정부(811m)(판정 수단에 해당함)를 구비하고 있다. Next, the board | substrate inspection apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated using FIG. In addition, since the structure demonstrated using FIG. 1 thru | or 6 is the same as that of 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted. 13 is a configuration diagram showing an example of a functional configuration of the
또한 제어부(8)의 RAM(812)은 기준 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 기준 저항 기억부(812f)와, 문턱값의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 문턱값 기억부(812g)와, 검사 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 검사 저항 기억부(812h)를 구비하고 있다. In addition, the
기준 저항 측정부(811f)는 동일 종류의 복수 개(예를 들어 10000장)의 피검사 기판 중에서 미리 선택된 소정 수(여기서는 30장)의 피검사 기판인 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값을 측정함과 함께, 얻어진 기준 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812f)에 저장하는 것이다. The reference
구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. 또한, 기준 기판은 동일 종류의 10000장의 피검사 기판 중에서 미리 도통 검사를 행하여 검사 결과가 양호한 것을 기준 기판으로서 선택하는 것이다. Specifically, dividing the voltage value measured by the
기준 총합 산출부(811g)는 기준 저항 측정부(811f)에 의해 측정된 기준 저항값에 대하여 기준 기판 한 장 당 기준 저항값의 총합을 구하여 기준 저항 기억부(812f)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 30장의 기준 기판에 대하여 모든 기준 기판의 기준 저항값의 총합을 구하고, 기준 기판의 수인 30로 나눔으로써 한 장 당 기준 저항값의 총합을 구하는 것이다. The reference total calculation unit 811g obtains the sum of the reference resistance values per sheet of the reference substrate with respect to the reference resistance value measured by the reference
통계 계산부(811h)는 소정 수(여기서는 30장)의 기준 기판에 대하여 측정점 세트마다 기준 저항 측정부(811f)에 의해 측정된 기준 저항값을 기준 저항 기억 부(812f)로부터 읽어내어 그 평균값 및 표준 편차를 구함과 함께, 얻어진 평균값 및 표준 편차를 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812f)에 저장하는 것이다. The
문턱값 설정부(811i)는 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차에 따라 문턱값을 설정함과 함께, 설정한 문턱값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 문턱값 기억부(812g)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 측정점 세트의 기준 저항값(SRi(i=1∼N, N: 측정점 세트의 개수))의 평균값(AVi) 및 표준 편차(σi)를 이용하여 다음 (5), (6)식에 의해 각각 상한값(SHUBi), 하한값(SHLBi)을 구하는 것이다(도 15 참조). The threshold setting unit 811i sets the threshold value according to the average value and the standard deviation of the reference resistance value of the measurement point set, and associates the set threshold value with the identification information of the measurement point set to the threshold storage unit 812g. To save. Specifically, using the average value AVi and the standard deviation σi of the reference resistance value SRi (i = 1 to N, N: number of measurement point sets) of the measurement point set, the following equations (5) and (6) The upper limit SHUBi and the lower limit SHLBi are respectively calculated using (see FIG. 15).
검사 저항 측정부(811j)는 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정함과 함께, 얻어진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 검사 저항 기억부(812h)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. The test
검사 총합 산출부(811k)는 검사 저항 측정부(811j)에 의해 측정된 검사 저항값에 대하여 피검사 기판 한 장 당 검사 저항값의 총합을 구하여 검사 저항 기억부(812h)에 저장하는 것이다. The inspection
판정부(811m)는 측정점 세트의 검사 저항값(Rk(k=1∼N))을 검사 저항 기억 부(812h)로부터 읽어내어, 검사 저항값(Rk)을 검사 총합 산출부(811k)에 의해 구해진 검사 저항값의 총합(TM)과 기준 총합 산출부(811g)에 의해 구해진 기준 저항값의 총합(SM)을 이용하여 하기의 (7)식에 의해 보정하여 보정 저항값(RNk)을 구하고, 보정 저항값(RNk)과 문턱값 설정부(811i)에 의해 설정된 대응하는 상한값(SHUBk), 하한값(SHLBk)의 대소 관계에 따라 양부를 판정하는 것이다. 구체적으로는, 측정점 세트의 보정 저항값(RNk)이 문턱값 설정부(811i)에 의해 설정된 하한값(SHLBk) 미만이거나 상한값(SHUBk) 초과인 경우에 불량이라고 판정하는 것이다(도 14 참조). 더욱 상세한 처리는 도 16에 도시한 흐름도를 이용하여 후술한다. The
기준 저항 기억부(812f)는 기준 저항 측정부(811f)에 의해 구해진 기준 저항값과 통계 계산부(811h)에 의해 구해진 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차를 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장함과 함께, 기준 총합 산출부(811g)에 의해 구해진 기준 저항값의 총합을 저장하는 것이다. The reference
문턱값 기억부(812g)는 문턱값 설정부(811i)에 의해 설정된 문턱값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The threshold storage unit 812g stores the threshold set by the threshold setting unit 811i in association with the identification information of the measurement point set.
검사 저항 기억부(812h)는 검사 저항 측정부(811j)에 의해 구해진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장함과 함께, 검사 총합 산출부(811k)에 의해 구해진 검사 저항값의 총합을 저장하는 것이다. The test
또한, 제어부(8)를 기준 저항 측정부(811f), 통계 계산부(811h) 등으로서 기 능시키는 본 발명의 기판 검사 프로그램이 예를 들어 ROM(813)에 저장되어 있으며, CPU(811)에 의해 실행됨으로써 제어부(8)가 기준 저항 측정부(811f), 통계 계산부(811h) 등의 각 기능부로서 기능하는 것이다. In addition, the board inspection program of the present invention which functions the
도 14는 판정부(811m)에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방법을 설명하는 그래프이다. 이 도면은 검사 저항값(R)을 보정하여 얻어진 보정 저항값(RN)의 일례를 보인 그래프(G1N)이며, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 보정 저항값(RN)이다. 여기서, 시퀀스 번호(SN)란 측정점 세트마다의 기준 저항값의 평균값의 크기에 따라 오름차순으로 정렬함으로써 부여되는 것이며, 측정점 세트간의 기준 저항값의 대소 관계와 검사 저항값의 대소 관계는 대략 일치하므로 그래프(G1N)는 대략 시퀀스 번호(SN)의 증가에 따라 검사 저항값(R)이 증대되는 곡선으로 되어 있다. 14 is a graph for explaining a method for determining whether the test resistance value is determined by the determining
단, 여기서는 시퀀스 번호(SN)가 "455"인 측정점 세트간의 배선 패턴 내에 불량 부위가 있고, 이 불량 부위에 기인하여 그래프(G1N)에는 이 측정점 세트간의 검사 저항값(R)에 대응하는 시퀀스 번호(SN)가 "455"인 위치에서 보정 저항값(RN)이 급격하게 증대되는 불량 부위(EP)가 있다. 또한, 이 불량 부위(EP)의 저항값은 시퀀스 번호(SN)가 1인 측정점 세트간의 보정 저항값(R1N) 이상이며, 시퀀스 번호(SN)가 최대(여기서는 "925")인 측정점 세트간의 보정 저항값(R2N) 이하이기 때문에 피검사 기판 내의 모든 측정점 세트에 대하여 일정한 문턱값을 사용하는 경우에는 검출될 수 없는 것이다. In this case, however, there is a defective portion in the wiring pattern between the measurement point sets having the sequence number SN "455", and due to this defective portion, the graph G1N has a sequence number corresponding to the inspection resistance value R between these measurement point sets. At the position where SN is "455", there is a defective portion EP in which the correction resistance value RN is rapidly increased. Further, the resistance value of the defective portion EP is equal to or greater than the correction resistance value R1N between the measurement point sets having the sequence number SN of 1, and is corrected between the measurement point sets with the maximum sequence number SN (here, "925"). Since it is less than the resistance value R2N, it cannot be detected when a constant threshold value is used for all the set of measurement points in a test | inspection board | substrate.
전술한 바와 같이 시퀀스 번호(SN)의 증가에 따라 보정 저항값(RN)이 대략 증대되고, 문턱값 설정부(811i)에 의해 상한값(SHUBi), 하한값(SHLBi)이 각각(5), (6)식에 의해 구해지기 때문에, 상한값(SHUBi), 하한값(SHLBi)은 각각 그래프(G5, G6)에 도시한 바와 같이 그래프(G1N)를 따라 상하 방향으로 대략 병행 이동된 그래프가 된다. 따라서, 상한값(SHUBi), 하한값(SHLBi)에 각각 대응하는 그래프(G5) 및 그래프(G6)를 적정하게 설정함(그래프(G5, G6)와 그래프(G1N)의 간격을 적정하게 설정함)으로써 불량 부위(EP)를 정확하게 검출하는 것이 가능해지는 것이다. As described above, as the sequence number SN increases, the correction resistance value RN increases substantially, and the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi are respectively (5) and (6) by the threshold value setting section 811i. Since the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi are each obtained by the formula, the graphs are moved in parallel in the vertical direction along the graph G1N as shown in the graphs G5 and G6, respectively. Therefore, by appropriately setting the graphs G5 and G6 corresponding to the upper limit SHUBi and the lower limit SHLBi (by appropriately setting the interval between the graphs G5 and G6 and G1N). It is possible to accurately detect the defective area EP.
도 15는 제어부(8)의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려지기 전에 기판(2)을 검사하는 준비 동작으로서 실행되는 것이다. 15 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold value setting of the
먼저, 기준 저항 측정부(811f)에 의해 30장의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값(SRi,j(i=1∼N, j=1∼M, N: 측정점 세트의 개수(여기서는 N=925), M: 기준 기판의 수(여기서는 M=30)))이 측정되고, 측정점 세트의 식별 정보(이하, 포인트 번호(PN)라고 함)와 대응지어 기준 저항 기억부(812f)에 저장된다(단계 S301). 다음, 통계 계산부(811h)에 의해 측정점 세트마다 기준 저항값(SRi,j)의 평균값(AVi) 및 표준 편차(σi)가 구해지고, 측정점 세트의 식별 정보(여기서는 포인트 번호(PN))와 대응지어 기준 저항 기억부(812f)에 저장된다(단계 S303). First, by the reference
그리고, 기준 총합 산출부(811g)에 의해 평균값(AVi)의 총합(SM)(기준 기판 한 장 당 기준 저항값의 총합에 해당함)이 구해진다(단계 S305). 이어서, 문턱값 설정부(811i)에 의해 측정점 세트의 기준 저항값(SRi,j)의 평균값(AVi) 및 표준 편 차(σi)를 이용하여(전술한 (5), (6)식에 의해) 상한값(SHUBi) 및 하한값(SHLBi)이 설정되고, 상한값(SHUBi) 및 하한값(SHLBi)이 측정점 세트의 식별 정보(포인트 번호(PN))와 대응지어 문턱값 기억부(812g)에 저장되고(단계 S307), 처리가 종료된다.The total sum SM of the average value AVi (corresponding to the total sum of the reference resistance values per sheet of reference substrate) is obtained by the reference total calculation unit 811g (step S305). Subsequently, the threshold value setting unit 811i uses the average value AVi and the standard deviation σi of the reference resistance value SRi, j of the measurement point set (by the formulas (5) and (6) described above). ) The upper limit SHUBi and the lower limit SHLBi are set, and the upper limit SHUBi and the lower limit SHLBi are stored in the threshold storage unit 812g in association with the identification information (point number PN) of the measurement point set ( Step S307), the process ends.
도 16은 제어부(8)의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 15에 도시한 동작이 완료되고, 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려진 상태에서 실행되는 것이다. 또한, 이하의 처리는 특별히 명시하지 않는 한 판정부(811m)에 의해 수행된다. 16 is a flowchart showing an example of the operation when the
먼저, 검사 저항 측정부(811j)에 의해 모든 측정점 세트의 검사 저항값(Rk(k=1∼N))이 측정되어 검사 저항 기억부(812h)에 저장된다(단계 S401). 그리고, 검사 총합 산출부(811k)에 의해 검사 저항값(Rk)의 총합(TM)이 구해져 검사 저항 기억부(812h)에 저장된다(단계 S403). 이어서, 검사 저항값(Rk)이 검사 저항값의 총합(TM)과 기준 저항값의 총합(SM)을 이용하여 전술한 식 (7)에 의해 보정되어 보정 저항값(RNk)이 구해진다(단계 S405). First, the test resistance values Rk (k = 1 to N) of all the measurement point sets are measured by the test
그리고, 보정 저항값(RNk)이 도 15에 도시한 흐름도의 단계 S307에서 구해진 하한값(SHLBk) 이상이고 상한값(SHUBk) 이하인지 여부의 판정이 행해진다(단계 S407). 적어도 하나의 보정 저항값(RNk)이 하한값(SHLBk) 이상이고 상한값(SHUBk) 이하가 아니라고(즉, 하한값(SHLBk) 미만 또는 상한값(SHUBk) 초과라고) 판정된 경우(단계 S407에서 N0)에는, 기판(2)의 도통 상태가 불량이라고 판정되고(단계 S411) 처리가 종료된다. Then, a determination is made as to whether or not the correction resistance value RNk is greater than or equal to the lower limit SHLBk and less than or equal to the upper limit SHUBk obtained in step S307 of the flowchart shown in FIG. 15 (step S407). When it is determined that the at least one correction resistance value RNk is greater than or equal to the lower limit SHLBk and not less than or equal to the upper limit SHUBk (that is, less than the lower limit SHLBk or greater than the upper limit SHUBk) (N0 in step S407), It is determined that the conduction state of the
한편, 모든 보정 저항값(RNk)이 하한값(SHLBk) 이상이고 상한값(SHUBk) 이하라고 판정된 경우(단계 S407에서 YES)에는 기판(2)의 도통 상태는 양호라고 판정되고(단계 S409), 처리가 종료된다. On the other hand, when it is determined that all the correction resistance values RNk are equal to or greater than the lower limit value SHLBk and less than or equal to the upper limit value SHUBk (YES in step S407), it is determined that the conduction state of the
이와 같이 하여 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값(Rk)의 양부가 측정점 세트마다 설정된 상한값(SHUBk) 및 하한값(SHLBk)에 따라 판정되기 때문에 상한값(SHUBk) 및 하한값(SHLBk)을 측정점 세트마다 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값(Rk)의 양부가 정확하게 판정된다. In this way, since both parts of the test resistance value Rk, which is the resistance value between the measurement point sets, are determined according to the upper limit value SHUBk and the lower limit value SHLBk set for each measurement point set, the upper limit value SHUBk and the lower limit value SHLBk are appropriate for each measurement point set. By setting the value, the quality of the test resistance value Rk is accurately determined.
또한 검사 저항값(Rk)이 검사 저항값(Rk)의 총합(TM)의 기준 저항값(RS)의 총합(SM)에 대한 비율로 보정된 보정 저항값(RNk)으로서 판정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 보정됨으로써 검사 저항값(Rk)의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. In addition, since the test resistance value Rk is determined as the correction resistance value RNk corrected by the ratio with respect to the total SM of the reference resistance value RS of the total TM of the test resistance value Rk, it is a test | inspection By correcting the difference between the manufacturing conditions for each substrate and the measurement conditions of the inspection resistance values for each substrate to be inspected, the quality of the inspection resistance value Rk is more accurately determined.
예를 들어 기판(2)은 제조 조건에 따라 배선 패턴의 폭의 넓고 좁음의 불균일이 발생하고, 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 큰 경우(배선 패턴의 폭이 좁은 경우)와 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 작은 경우(배선 패턴의 폭이 넓은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Rk)이 검사 저항값(Rk)의 총합(TM)의 기준 저항값(RS)의 총합(SM)에 대한 비율로 보정된 보정 저항값(RNk)으로서 판정되기 때문에, 검사 저항값(Rk)의 절대값의 변동의 영향이 억제되는 것이다. For example, when the board |
마찬가지로, 기판(2)은 측정 조건에 따라 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 높은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온 도가 높은 경우)와 검사 저항값(Rk)이 기판(2) 내에서 전체적으로 낮은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온도가 낮은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Rk)이 검사 저항값(Rk)의 총합(TM)의 기준 저항값(RS)의 총합(SM)에 대한 비율로 보정된 보정 저항값(RNk)으로서 판정되기 때문에, 검사 저항값(Rk)의 절대값의 변동의 영향이 억제되는 것이다. Similarly, the
또한 측정점 세트의 기준 저항값(SR)의 평균값(AVi) 및 표준 편차(σi)에 따라(전술한 (5)식 및 (6)식 참조), 상한값(SHLBi) 및 하한값(SHUBi)이 설정되기 때문에, 적절한 상한값(SHLAi) 및 하한값(SHUAi)이 용이하게 설정된다. Furthermore, the upper limit value SHLBi and the lower limit value SHUBi are set according to the average value AVi and the standard deviation σi of the reference resistance value SR of the measurement point set (see equations (5) and (6) above). Therefore, the appropriate upper limit value SHLAi and the lower limit value SHUAi are easily set.
또한 본 발명은 이하의 형태를 취할 수 있다. Moreover, this invention can take the following forms.
(F)제2 실시 형태에 있어서는 판정부(811m)가 검사 저항값의 총합(TM)과 기준 저항값의 총합(SM)을 이용하여 검사 저항값(Rk)을 보정하여 보정 저항값(RNk)을 구하고 보정 저항값(RNk)을 판정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 검사 저항값의 총합(TM)과 기준 저항값의 총합(SM)을 이용하여 상한값(SHUBk) 및 하한값(SHLBk)을 보정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는, 예를 들어 문턱값 설정부(811i)가 다음 (8)식 및 (9)식에 의해 각각 상한값(SHUBk) 및 하한값(SHLBk)을 보정하면 된다. (F) In 2nd Embodiment, the
(G)제2 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811i)가 30장의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV)을 이용하여 총합(SM)을 구하는 경우에 대하여 설명하였으 나, 기준 기판의 수는 30장에 한정되지 않으며 몇 장이어도 좋다. 예를 들어 기준 기판의 수가 한 장인 경우에는 평균값(AV)을 구하는 처리가 불필요해진다. (G) In the second embodiment, the case where the threshold value setting unit 811i calculates the sum SM using the average value AV of the reference resistance values of the 30 reference substrates has been described. Is not limited to 30 sheets, and may be any number. For example, when the number of reference substrates is one, the processing for obtaining the average value AV is unnecessary.
(H)제2 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811i)가 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)의 적어도 하나를 설정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (H) In the second embodiment, the case where the threshold value setting section 811i sets the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB has been described. However, at least one of the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB is set. It may also be in the form. In this case, the processing is simplified.
(I)제2 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811i)가 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)을 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 따라 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)의 적어도 하나에 따라 설정하는 형태일 수도 있다. 예를 들어 평균값(AV)으로 미리 설정된 소정의 수(예를 들어 5mΩ)를 감산 및 가산하여 각각 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)을 구하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (I) In the second embodiment, when the threshold value setting section 811i sets the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB according to the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference substrate. Although it demonstrated, it may be set in accordance with at least one of the average value AV and the standard deviation (sigma). For example, the lower limit SHLB and the upper limit SHUB may be obtained by subtracting and adding a predetermined number (for example, 5 mΩ) previously set as the average value AV. In this case, the processing is simplified.
(J)제2 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811i)가 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 관한 전술한 (5)식 및 (6)식을 이용하여 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)을 설정하는 경우에 관하여 설명하였으나, 그 밖의 식을 이용하여 설정하는 형태일 수도 있고, 그 밖의 구분 테이블 등을 통하여 설정하는 형태일 수도 있다. (J) In the second embodiment, the threshold value setting unit 811 i uses the above-described equations (5) and (6) regarding the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference substrate. Although the case of setting the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB has been described, it may be set using other formulas or may be set through other division tables or the like.
예를 들어 기준 저항값의 평균값(AV)을 소정의 크기(예를 들어 2mΩ)의 간격으로 구분하여 구분마다 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)이 저장된 테이블(룩업 테이블)을 미리 설정해 두고, 평균값(AV) 및 이 테이블에 따라 하한값(SHLB) 및 상한값(SHUB)을 설정하는 형태일 수도 있다. For example, the average value AV of the reference resistance value is divided into intervals of a predetermined size (for example, 2 mΩ), and the table (lookup table) in which the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB are stored in advance is set in advance. The lower limit SHLB and the upper limit SHUB may be set in accordance with (AV) and this table.
<제3 실시 형태> Third Embodiment
다음, 도 17 내지 도 20을 이용하여 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 기판 검사 장치에 대하여 설명한다. 또한, 도 1 내지 도 6을 사용하여 설명한 구성은 제1 실시 형태와 동일하므로 그 설명을 생략한다. 도 17은 제3 실시 형태에 따른 제어부(8)의 기능 구성의 일례를 보인 구성도이다. 제어부(8)의 CPU(811)는 미리 선택된 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값을 측정하는 기준 저항 측정부(811p)(기준 저항 측정 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차를 구하는 통계 계산부(811q)(문턱값 설정 수단의 일부에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값을 설정하는 문턱값 설정부(811r)(문턱값 설정 수단의 일부에 해당함)와, 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정부(811s)(검사 저항 측정 수단에 해당함)와, 측정점 세트마다 문턱값에 따라 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정부(811t)(판정 수단에 해당함)를 구비하고 있다. Next, the board | substrate inspection apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention is demonstrated using FIGS. 17-20. In addition, since the structure demonstrated using FIG. 1 thru | or 6 is the same as that of 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted. 17 is a configuration diagram showing an example of a functional configuration of the
또한 제어부(8)의 RAM(812)은 기준 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 기준 저항 기억부(812p)와, 문턱값의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 문턱값 기억부(812q)와, 검사 저항의 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 검사 저항 기억부(812r)를 구비하고 있다. In addition, the
기준 저항 측정부(811p)는 동일 종류의 복수 장(예를 들어 10000장)의 피검사 기판 중에서 미리 선택된 소정 수(여기서는 30장)의 피검사 기판인 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값을 측정함과 함께, 얻어진 기준 저항 값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812p)에 저장하는 것이다. The reference
구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. 또한, 기준 기판은 동일 종류의 10000장의 피검사 기판 중에서 미리 도통 검사를 행하여 검사 결과가 양호한 것을 기준 기판으로서 선택하는 것이다. Specifically, dividing the voltage value measured by the
통계 계산부(811q)는 각 기준 기판에 대하여 기준 저항 측정부(811p)에 의해 측정된 기준 저항값을 기준 저항 기억부(812p)로부터 읽어내어 기준 저항값의 측정점 세트마다 시퀀스 번호를 부여하고 그 평균값 및 표준 편차를 구함과 함께, 얻어진 평균값 및 표준 편차를 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 기준 저항 기억부(812p)에 저장하는 것이다. The statistical calculation unit 811q reads the reference resistance value measured by the reference
문턱값 설정부(811r)는 측정점 세트마다 통계 계산부(811q)에 의해 구해진 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차에 따라 문턱값을 설정함과 함께, 설정한 문턱값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 문턱값 기억부(812q)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 각 기준 기판에서의 측정점 세트의 시퀀스 번호(SNi,j(i=1∼N, j=1∼M, N: 측정점 세트의 개수(여기서는 925), M: 기준 기판의 수(여기서는 30장)))의 평균값(NAVi) 및 표준 편차(Nσi)를 이용하여 다음 (10), (11)식에 의해 각각 상한값(SHUCi), 하한값(SHLCi)을 구하는 것이다(도 19 참조). The
검사 저항 측정부(811s)는 피검사 기판의 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정함과 함께, 얻어진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 검사 저항 기억부(812r)에 저장하는 것이다. 구체적으로는, 도 4에 도시한 전압 측정부(743)에서 측정된 전압값을 전류 생성부(742)에 부여된 전류값(I0)으로 나눈 것을 저항값으로서 구하는 것이다. The test
판정부(811t)는 측정점 세트의 검사 저항값(Ri(i=1∼N))을 검사 저항 기억부(812r)로부터 읽어내고, 검사 저항값(Ri)을 오름차순으로 정렬함으로써 측정점 세트마다 대응하는 시퀀스 번호(TNi)를 구하고, 시퀀스 번호(TNi)와 문턱값 설정부(811r)에 의해 설정된 대응하는 상한값(SHUCi), 하한값(SHLCi)의 대소 관계에 따라 양부를 판정하는 것이다. 구체적으로는, 측정점 세트의 시퀀스 번호(TNi)가 문턱값 설정부(811r)에 의해 설정된 하한값(SHLCi) 미만이거나 상한값(SHUCi) 초과인 경우에 불량이라고 판정하는 것이다(도 18 참조). 더욱 상세한 처리는 도 20에 도시한 흐름도를 이용하여 후술한다. The
기준 저항 기억부(812p)는 기준 저항 측정부(811p)에 의해 구해진 기준 저항값과 통계 계산부(811q)에 의해 구해진 기준 저항값의 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차를 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The reference
문턱값 기억부(812q)는 문턱값 설정부(811r)에 의해 설정된 문턱값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The threshold storage unit 812q stores the threshold value set by the threshold
검사 저항 기억부(812r)는 검사 저항 측정부(811s)에 의해 구해진 검사 저항값을 측정점 세트의 식별 정보와 대응지어 저장하는 것이다. The test
또한, 제어부(8)를 기준 저항 측정부(811p), 통계 계산부(811q) 등으로서 기능시키는 본 발명의 기판 검사 프로그램이 예를 들어 ROM(813)에 저장되어 있으며, CPU(811)에 의해 실행됨으로써 제어부(8)가 기준 저항 측정부(811p), 통계 계산부(811q) 등의 각 기능부로서 기능하는 것이다.In addition, the board inspection program of the present invention which functions the
도 18은 판정부(811t)에 의한 검사 저항값의 양부 판단의 방법을 설명하는 그래프이다. (a)는 각 측정점 세트의 기준 저항값(SR)의 평균값을 오름차순으로 나열한 그래프(G7)이며, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 기준 저항값(SR)이다. 또한 소정의 측정점 세트(이하, 주목 측정점 세트라고 함)의 시퀀스 번호의 평균값(NAVi)과 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)을 도면에 도시하였다. 18 is a graph for explaining a method of determining whether the test resistance value is determined by the determining
(b)는 어느 한 피검사 기판(2)의 각 측정점 세트의 검사 저항값(R)을 오름차순으로 나열한 그래프(G8)이며, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 검사 저항값(R)이다. 도면에서, 이 검사 기판에서의 주목 측정점 세트의 검사 저항값(Ri)의 시퀀스 번호(TNi)가 표시되어 있다. 이 피검사 기판(2)에서는 시퀀스 번호(TNi)가 하한값(SHLCi) 이상이고 상한값(SHUCi) 이하이기 때문에 양호라고 판정된다. (b) is a graph G8 in which the test resistance values R of each set of measurement points of one
(c)는 (b)와 다른 피검사 기판(2)의 각 측정점 세트의 검사 저항값(R)을 오름차순으로 나열한 그래프(G9)이며, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 검사 저항값(R)이다. 도면에서, 이 검사 기판에서의 주목 측정점 세트의 검사 저항값(Ri)의 시퀀스 번호(TNi)가 표시되어 있다. 이 피검사 기판(2)에 있어서도 시퀀스 번호(TNi)가 하한값(SHLCi) 이상이고 상한값(SHUCi) 이하이기 때문에 양호라고 판정된다. (c) is a graph (G9) in which the test resistance value R of each set of measurement points of the
(d)는 (b) 및 (c)와 다른 피검사 기판(2)의 각 측정점 세트의 검사 저항값(R)을 오름차순으로 나열한 그래프(G10)이며, 가로축이 시퀀스 번호(SN)이고 세로축이 검사 저항값(R)이다. 도면에서, 이 검사 기판에서의 주목 측정점 세트의 검사 저항값(Ri)의 시퀀스 번호(TNi)가 표시되어 있다. 이 피검사 기판(2)에 있어서는 시퀀스 번호(TNi)가 상한값(SHUCi) 초과이기 때문에 불량이라고 판정된다. (d) is a graph (G10) in which the test resistance values R of each set of measurement points of the
도 19는 제어부(8)의 문턱값 설정까지의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려지기 전에 기판(2)을 검사하는 준비 동작으로서 실행되는 것이다. 19 is a flowchart showing an example of the operation up to the threshold setting of the
먼저, 기준 저항 측정부(811p)에 의해 30장의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값인 기준 저항값(SRi,j(i=1∼N, j=1∼M, N: 측정점 세트의 개수(여기서는 N=925), M: 기준 기판의 수(여기서는 M=30)))이 측정되고, 측정점 세트의 식별 정보(이하, 포인트 번호(PN)라고 함)와 대응지어 기준 저항 기억부(812p)에 저장된다(단계 S501). 다음, 통계 계산부(811q)에 의해 기준 기판마다 측정점 세트의 기준 저항값(SRi,j)이 오름차순으로 소팅(정렬)되어 시퀀스 번호(SNi,j)가 부여된다(단계 S503). 이어서, 통계 계산부(811q)에 의해 측정점 세트마다 시퀀스 번호(SNi,j)의 평균값(NAVi) 및 표준 편차(Nσi)가 구해져 측정점 세트의 식별 정보(여기서는 포인트 번호(PN))와 대응지어 기준 저항 기억부(812p)에 저장된다(단계 S505). First, by the reference
그리고, 문턱값 설정부(811r)에 의해 측정점 세트의 시퀀스 번호(SNi,j)의 평균값(NAVi) 및 표준 편차(Nσi)를 이용하여(전술한 (10), (11)식에 의해) 상한 값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)이 설정되고, 상한값(SHUBi) 및 하한값(SHLBi)이 측정점 세트의 식별 정보(포인트 번호(PN))와 대응지어 문턱값 기억부(812q)에 저장되고(단계 S507) 처리가 종료된다. Then, the threshold
도 20은 제어부(8)의 검사 실행 시의 동작의 일례를 보인 흐름도이다. 이 동작은 도 19에 도시한 동작이 완료되고, 도 2에 도시한 기판 안착부(51) 상에 검사될 대상인 기판(2)이 올려진 상태에서 실행되는 것이다. 또한, 이하의 처리는 특별히 명시하지 않는 한 판정부(811t)에 의해 수행된다. 20 is a flowchart showing an example of the operation when the
먼저, 검사 저항 측정부(811s)에 의해 모든 측정점 세트의 검사 저항값(Rk(k=1∼N))이 측정되어 검사 저항 기억부(812r)에 저장된다(단계 S601). 그리고, 검사 저항값(Ri)이 오름차순으로 정렬됨으로써 측정점 세트마다 대응하는 시퀀스 번호(TNi)가 구해진다(단계 S603). 이어서, 시퀀스 번호(TNi)가 도 19에 도시한 흐름도의 단계 S507에서 구해진 하한값(SHLCi) 이상이고 상한값(SHUCi) 이하인지 여부의 판정이 행해진다(단계 S605). First, the test resistance values Rk (k = 1 to N) of all the measurement point sets are measured by the test
적어도 하나의 시퀀스 번호(TNi)가 하한값(SHLCi) 이상이고 상한값(SHUCi) 이하가 아니라고(즉, 하한값(SHLCi) 미만 또는 상한값(SHUCi) 초과라고) 판정된 경우(단계 S605에서 NO)에는, 기판(2)의 도통 상태가 불량이라고 판정되고(단계 S609) 처리가 종료된다. If it is determined that the at least one sequence number TNi is greater than or equal to the lower limit SHLCi and not less than or equal to the upper limit SHUCi (that is, less than the lower limit SHLCi or greater than the upper limit SHUCi) (NO in step S605), the substrate It is determined that the conduction state of (2) is defective (step S609), and the processing ends.
한편, 모든 시퀀스 번호(TNi)가 하한값(SHLCi) 이상이고 상한값(SHUCi) 이하라고 판정된 경우(단계 S605에서 YES)에는 기판(2)의 도통 상태는 양호라고 판정되고(단계 S607) 처리가 종료된다. On the other hand, when it is determined that all the sequence numbers TNi are equal to or higher than the lower limit SHLCi and equal to or lower than the upper limit SHUCi (YES in step S605), the conduction state of the
이와 같이 하여 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값(Ri)의 양부가 측정점 세트마다 설정된 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)에 따라 판정되기 때문에, 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)을 측정점 세트마다 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값(Ri)의 양부가 정확하게 판정된다. In this way, since both parts of the test resistance value Ri, which is the resistance value between the measuring point sets, are determined according to the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi set for each measuring point set, the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi are determined for each measuring point set. By setting it to an appropriate value, the quality of the test resistance value Ri is accurately determined.
또한 측정점 세트가 검사 저항값(Ri)의 크기에 따라 오름차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호(TNi)가 부여되고, 이 시퀀스 번호(TNi)가 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)과 비교되어 검사 저항값(Ri)의 양부가 판정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 상쇄됨으로써 검사 저항값의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. In addition, the measuring point sets are arranged in ascending order according to the magnitude of the test resistance value Ri, and a sequence number TNi is assigned to each measuring point set, which is compared with the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi. Since the quality of the test resistance value Ri is determined, the difference between the manufacturing conditions for each test substrate and the measurement condition of the test resistance value for each test substrate is canceled, so that the quality of the test resistance value is more accurately determined.
예를 들어 기판(2)은 제조 조건에 따라 배선 패턴의 폭의 넓고 좁음의 불균일이 발생하고, 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Ri)이 기판(2) 내에서 전체적으로 큰 경우(배선 패턴의 폭이 좁은 경우)와 검사 저항값(Ri)이 기판(2) 내에서 전체적으로 작은 경우(배선 패턴의 폭이 넓은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Ri)이 검사 기판 내의 검사 저항값(Ri)의 크기에 따라 오름차순으로 정렬되어 시퀀스 번호(TNi)로서 판정되기 때문에 검사 저항값(Rk)의 절대값의 변동의 영향이 상쇄되는 것이다. For example, when the board |
마찬가지로, 기판(2)은 측정 조건에 따라 불량 부위가 없는 경우에도 검사 저항값(Ri)이 기판(2) 내에서 전체적으로 높은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온도가 높은 경우)와 검사 저항값(Ri)이 기판(2) 내에서 전체적으로 낮은 경우(예를 들어 기판(2)의 표면 온도가 낮은 경우)가 있는데, 검사 저항값(Ri)이 검사 기판 내의 검사 저항값(Ri)의 크기에 따라 오름차순으로 정렬되어 시퀀스 번호(TNi)로서 판정되기 때문에 검사 저항값(Ri)의 절대값의 변동의 영향이 상쇄되는 것이다. Similarly, the
또한 기준 기판마다 측정점 세트가 기준 저항값(SR)의 크기에 따라 오름차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호(SN)가 부여되고, 부여된 시퀀스 번호(SN)에 따라 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)이 구해지기 때문에 적정한 문턱값이 설정된다. Also, for each reference board, the set of measuring points is arranged in ascending order according to the size of the reference resistance value SR, and a sequence number SN is assigned to each measuring point set, and the upper limit value SHUCi and the lower limit value are assigned according to the assigned sequence number SN. Since SHLCi) is obtained, an appropriate threshold value is set.
이에 더하여, 각 측정점 세트에 부여된 시퀀스 번호(SN)의 평균값(NAVi) 및 표준 편차(Nσi)가 구해지고, 구해진 시퀀스 번호(SN)의 평균값(NAVi) 및 표준 편차(Nσi)에 따라 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)이 구해지기(전술한 (10), (11)식 참조) 때문에, 더욱 적정한 상한값(SHUCi) 및 하한값(SHLCi)가 용이하게 설정된다. In addition, an average value (NAVi) and a standard deviation (Nσi) of the sequence number (SN) assigned to each measurement point set are obtained, and an upper limit value (i) is obtained according to the average value (NAVi) and standard deviation (Nσi) of the obtained sequence number (SN). Since SHUCi) and the lower limit SHLCi are obtained (see equations (10) and (11) described above), a more appropriate upper limit SHUCi and a lower limit SHLCi are easily set.
또한 본 발명은 이하의 형태를 취할 수 있다. Moreover, this invention can take the following forms.
(K)제3 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811r)가 기준 기판의 기준 저항값에 따라 문턱값을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 그 밖의 방법에 의해 문턱값을 설정하는 형태일 수도 있다. 예를 들어 검사 저항 측정부(811s)에 의한 과거의 측정 시의 검사 저항값에 따라 문턱값을 설정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (K) In the third embodiment, the case where the threshold
구체적으로는, 과거의 측정에 있어서 양호라고 판단된 것의 검사 저항값의 시퀀스 번호를 기준으로 소정 수(예를 들어 10)를 감산 및 가산한 것을 각각 하한값 및 상한값으로 설정하는 형태일 수도 있다. More specifically, it may be a form in which a predetermined number (for example, 10) is subtracted and added to the lower limit and the upper limit, respectively, based on the sequence number of the test resistance value determined to be good in the past measurement.
(L)제3 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811r)가 30장의 기준 기판의 기 준 저항값의 시퀀스 번호의 평균값(NAV)을 이용하여 문턱값을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 기준 기판의 수는 30장에 한정되지 않으며, 몇 장이어도 좋다. 예를 들어 기준 기판의 수가 한 장인 경우에는 평균값(NAV)을 구하는 처리가 불필요해진다. (L) In the third embodiment, the case where the threshold
(M)제3 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811r)가 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)의 적어도 하나를 설정하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (M) In the third embodiment, the case where the threshold
(N)제3 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811r)가 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)을 기준 기판의 기준 저항값의 시퀀스 번호의 평균값(NAV) 및 표준 편차(Nσ)에 따라 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 평균값(NAV) 및 표준 편차(Nσ)의 적어도 하나에 따라 설정하는 형태일 수도 있다. 예를 들어 평균값(NAV)으로 미리 설정된 소정의 수(예를 들어 10)를 감산 및 가산하여 각각 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)을 구하는 형태일 수도 있다. 이 경우에는 처리가 간략해진다. (N) In the third embodiment, the
(O)제3 실시 형태에 있어서는 문턱값 설정부(811r)가 기준 기판의 기준 저항값의 평균값(AV) 및 표준 편차(σ)에 관한 전술한 (10) 및 (11)식을 이용하여 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)을 설정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 그 이외의 식을 이용하여 설정하는 형태일 수도 있고, 그 이외의 구분 테이블 등을 통하여 설정하는 형태일 수도 있다. (O) In the third embodiment, the threshold
예를 들어 기준 저항값의 시퀀스 번호의 평균값(NAV)을 소정의 크기(예를 들어 5)의 간격으로 구분하여 구분마다 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)이 저장된 테이 블(룩업 테이블)을 미리 설정해 두고, 평균값(NAV) 및 이 테이블에 따라 하한값(SHLC) 및 상한값(SHUC)을 설정하는 형태일 수도 있다. For example, the average value (NAV) of the sequence number of the reference resistance value is divided into intervals of a predetermined size (for example, 5), and the table (lookup table) in which the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC are stored in advance is divided in advance. The lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC may be set according to the average value NAV and this table.
또한 본 발명은 이하의 형태를 취할 수 있다. Moreover, this invention can take the following forms.
(P)제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 기판 검사 장치가 상부 검사 유닛(4U) 및 하부 검사 유닛(4D)을 구비하는 형태에 대하여 설명하였으나, 기판 검사 장치가 상부 검사 유닛(4U) 및 하부 검사 유닛(4D)의 적어도 하나를 구비하는 형태일 수도 있다. (P) Although the board | substrate inspection apparatus was demonstrated in the 1st thru | or 3rd embodiment with the
(Q)제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 다수의 접촉자(44)를 지지하고, Z축 방향으로 이동됨으로써 기판(2)의 각 측정점에 각각 접촉자(44)의 선단을 압접시키는 검사 지그(소위 다침형 검사 지그)를 구비하는 기판 검사 장치에 본 발명이 적용되는 경우에 대하여 설명하였으나, 한 쌍의 접촉자(44)(또는 프로브)를 각각 서로 독립적으로 X, Y, Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하고, 미리 설정된 프로그램을 따라 차례대로 기판(2)의 측정점에 접촉자(44)의 선단을 압접시키는 검사 지그(소위, 이동 프로브식 검사 지그)를 구비하는 기판 검사 장치에 본 발명이 적용되는 형태일 수도 있다. (Q) In the first to third embodiments, a plurality of
(R)제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 검사 대상인 기판(2)이 비어를 갖는 빌드업 기판인 경우에 대하여 설명하였으나, 그 이외의 종류의 기판(예를 들어 한 장의 절연 기판 상의 한쪽 면에 배선 패턴이 형성된 인쇄 배선 기판 등)인 형태일 수도 있다. (R) Although the case where the board |
(S)제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 기준 기판이 기준 기판과 동일 종류 의 복수 개의 피검사 기판 중에서 선택되는 경우에 대하여 설명하였으나, 피검사 기판과 동일 종류의 기판이면 된다. 예를 들어 과거에 검사를 행한 피검사 기판과 제조 로트가 다른 피검사 기판의 검사를 행하는 경우에 과거의 검사에서 사용한 기준 기판(피검사 기판 중에서 선택된 기판)을 그대로 사용하는 형태일 수도 있고, 특별히 제조 관리를 완벽하게 행하여 결함이 전혀 없는 기판을 제조하여 기준 기판으로 하는 형태일 수도 있다. (S) In the first to third embodiments, the case where the reference substrate is selected from a plurality of inspected substrates of the same type as the reference substrate has been described, but the substrate of the same type as the inspected substrate may be used. For example, in the case of inspecting an inspected substrate different from the inspected substrate that has been inspected in the past and the manufacturing lot, the reference substrate (substrate selected from the inspected substrate) used in the past inspection may be used as it is, in particular. It may be a form in which manufacturing management is carried out perfectly, a substrate free of defects is produced, and a reference substrate is used.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 검사 장치는, 복수의 배선 패턴이 형성된 피검사 기판에 대하여, 상기 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치로서, 피검사 기판의 상기 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정 수단과, 상기 측정점 세트에 대응하여 문턱값을 설정하는 문턱값 설정 수단과, 상기 측정점 세트마다에 상기 문턱값에 따라 상기 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 것에 있어서, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 측정점 세트마다 소정의 룰에 따라 순서를 나타내는 번호인 시퀀스 번호를 부여함과 함께, 상기 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트에 대응하는 저항값의 차의 문턱값을 설정하고, 상기 판정 수단이 상기 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 검사 저항값의 차를 대응하는 문턱값에 따라 판정하는 것이 바람직하다. As mentioned above, the board | substrate inspection apparatus which concerns on this invention is a board | substrate inspection apparatus which performs the conduction test between the set of measurement points which are previously set on the said wiring pattern, and the combination of two measurement points with respect to the to-be-tested board | substrate with which the some wiring pattern was formed. And a resistance test means for measuring a resistance value between the set of measurement points of the test target substrate as a test resistance value, threshold setting means for setting a threshold value corresponding to the set of measurement points, and the threshold value for each set of measurement points. And determining means for determining whether or not the inspection resistance value is in accordance with the above, wherein the threshold value setting means assigns a sequence number which is a number indicating an order according to a predetermined rule for each of the measurement point sets. Set a threshold value of a difference between resistance values corresponding to two sets of measurement points adjacent to the sequence number. And it is preferably determined according to the threshold value at which the determining means corresponding the difference in the test resistance value of the measurement point set of the two sets of which the sequence number close.
이 구성에 따르면, 검사 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판의 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 저항값이 검사 저항 값으로서 측정된다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트에 대응하여 문턱값이 설정되고, 판정 수단에 의해 검사 저항값의 양부가 측정점 세트마다 문턱값 설정 수단에 의해 설정된 문턱값에 따라 판정된다. 따라서, 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값의 양부가 측정점 세트에 대응하여 설정된 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 문턱값을 측정점 세트에 대응하여 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값의 양부가 정확하게 판정되어 피검사 기판의 도통 검사가 정확하게 행해진다. According to this configuration, the resistance value between the set of measurement points, which is a combination of two measurement points, is set in advance on the wiring pattern of the inspection target by the inspection resistance measuring means, and is measured as the inspection resistance value. The threshold value is set by the threshold value setting means in correspondence with the set of measurement points, and the determination means determines whether or not the value of the test resistance value is set by the threshold value setting means for each set of measurement points. Therefore, since the quantity of the inspection resistance value which is the resistance value between the measuring point sets is determined according to the threshold value set corresponding to the measuring point set, the quantity of the inspection resistance value is accurately determined by setting the threshold value to an appropriate value corresponding to the measuring point set. The conduction test of a test | inspection board | substrate is performed correctly.
또한 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트마다 소정의 룰에 따라 순서를 나타내는 번호인 시퀀스 번호가 부여됨과 함께, 이 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트에 대응하는 저항값의 차의 문턱값이 설정된다. 그리고, 판정 수단에 의해 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 검사 저항값의 차가 대응하는 문턱값에 따라 판정된다. 따라서, 2조의 측정점 세트의 검사 저항값의 차가 대응하는 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 측정점 세트마다 검사 저항값을 판정하는 경우와 비교하여 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 상쇄됨으로써 검사 저항값의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. In addition, the threshold value setting means is provided with a sequence number which is a number indicating an order according to a predetermined rule for each set of measurement points, and the threshold value of the difference between the resistance values corresponding to two sets of measurement points adjacent to the sequence number is set. . And the determination means judges the difference of the test | inspection resistance value of two sets of measurement point in which sequence numbers adjoin, according to the corresponding threshold value. Therefore, since the difference of the inspection resistance value of two sets of measurement points is determined according to the corresponding threshold value, compared with the case where the inspection resistance value is determined for every measurement point set, the manufacturing conditions for every board | substrate to be tested and the inspection resistance for each board | substrate to be tested are compared. By canceling out the difference of the measurement conditions of a value, the quality of an inspection resistance value is determined more correctly.
또한 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 상기 측정점 세트간의 저항값을 기준 저항값으로서 측정하는 기준 저항 측정 수단을 구비하고, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 측정점 세트를 기준 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬함으로써 상기 측정점 세트마다 상기 시퀀스 번호를 부여하고, 상기 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 차에 따라 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. And reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the set of measurement points as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as a test target substrate, wherein the threshold value setting means sets the measurement point set according to the magnitude of the reference resistance value. It is preferable to assign the sequence number to each set of measurement points by sorting in ascending or descending order, and to set the threshold value according to the difference between the reference resistance values of two sets of measurement point adjacent to the sequence number.
상기한 구성에 따르면, 기준 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값이 기준 저항값으로서 측정된다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트가 기준 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬되어 측정점 세트마다 시퀀스 번호가 부여되고, 이 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 차에 따라 문턱값이 설정된다. 또한, 이 문턱값에 따라 판정 수단에 의해 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 검사 저항값의 차가 판정된다. 따라서, 시퀀스 번호가 인접하는(즉, 기준 저항값의 크기가 인접하는) 2조의 측정점 세트의 검사 저항값의 차가 대응하는 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 더 상쇄됨으로써 검사 저항값의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. According to the above configuration, the resistance value between the set of measurement points is measured as the reference resistance value by the reference resistance measuring means with respect to the test substrate and the same type of reference substrate. The set of measurement points is arranged in ascending or descending order according to the magnitude of the reference resistance by the threshold setting means, and a sequence number is assigned to each set of measurement points, and the sequence number is applied to the difference between the reference resistance values of two sets of adjacent measurement points. The threshold is set accordingly. In addition, according to this threshold value, the determination means determines the difference between the inspection resistance values of two sets of measurement points in which sequence numbers are adjacent. Therefore, since the difference of the test resistance value of two sets of measuring point sets with which sequence numbers adjoin (that is, the magnitude | size of a reference resistance value is adjacent) is judged according to the corresponding threshold value, the manufacturing conditions for every test board and a test board to be tested As the difference in the measurement conditions of the test resistance values for each offset is further canceled, the quality of the test resistance values is more accurately determined.
또한 상기 기준 기판의 수가 2 이상의 소정 수로서, 상기 측정점 세트마다 상기 소정 수의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나를 구하는 통계 계산 수단을 구비하고, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. And a statistical calculation means for obtaining at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each of the set of measurement points, wherein the reference number of the substrates is a predetermined number of two or more, and the threshold value setting means includes: It is preferable to set the threshold value according to at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of two sets of measurement points adjacent to the sequence number.
상기한 구성에 따르면, 기준 기판의 수가 2 이상의 소정 수로서, 통계 계산 수단에 의해 측정점 세트마다 소정 수의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나가 구해진다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하 나에 따라 문턱값이 설정된다. 따라서, 시퀀스 번호가 인접하는 2조의 측정점 세트의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값이 설정되기 때문에 적절한 문턱값이 용이하게 설정된다. According to the above configuration, at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference substrates is determined for each set of measurement points by the statistical calculation means as the number of reference substrates being two or more. The threshold value setting means sets the threshold value according to at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the set of two sets of measurement points adjacent to the sequence number. Therefore, an appropriate threshold value is easily set because the threshold value is set in accordance with at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of two sets of measurement points having adjacent sequence numbers.
또한 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 상기 측정점 세트간의 저항값을 기준 저항값으로서 측정하는 기준 저항 측정 수단과, 기준 기판 한 장 당 상기 기준 저항값의 총합을 구하는 기준 총합 산출 수단과, 피검사 기판마다 상기 검사 저항값의 총합을 구하는 검사 총합 산출 수단을 구비하고, 상기 판정 수단이 상기 검사 저항값을 상기 검사 저항값의 총합의 상기 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정하여 판정하는 것이 바람직하다. A reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the set of measurement points as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as a test target substrate, and a reference total calculation means for obtaining a sum of the reference resistance values per one reference substrate; Inspection total calculation means for obtaining a total of the inspection resistance values for each of the inspected substrates, wherein the determination means corrects the inspection resistance value as a ratio of the total of the reference resistance values of the total of the inspection resistance values to determine the result. It is preferable.
상기한 구성에 따르면, 기준 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값이 기준 저항값으로서 측정된다. 또한 기준 총합 산출 수단에 의해 기준 기판 한 장 당 기준 저항값의 총합이 구해지고, 검사 총합 산출 수단에 의해 피검사 기판마다 검사 저항값의 총합이 구해진다. 그리고, 판정 수단에 의해 검사 저항값이 검사 저항값의 총합의 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정되어 판정된다. 따라서, 검사 저항값이 검사 저항값의 총합의 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정되어 판정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 보정됨으로써 검사 저항값의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. According to the above configuration, the resistance value between the set of measurement points is measured as the reference resistance value by the reference resistance measuring means with respect to the test substrate and the same type of reference substrate. Moreover, the sum total of the reference resistance value per sheet of reference board | substrate is calculated | required by a reference total calculation means, and the sum total of an inspection resistance value is calculated | required for every board | substrate tested by a test | inspection total calculation means. The inspection resistance value is then corrected and judged by the determination means as a ratio with respect to the sum of the reference resistance values of the sum of the inspection resistance values. Therefore, since the inspection resistance value is determined by being corrected as a ratio with respect to the sum of the reference resistance values of the total of the inspection resistance values, the difference between the manufacturing conditions for each inspection target board and the measurement conditions of the inspection resistance values for each inspection board is corrected. The quality of the test resistance value is more accurately determined.
또한 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 상기 측정점 세트간의 저항값을 기준 저항값으로서 측정하는 기준 저항 측정 수단과, 기준 기판 한 장 당 상기 기준 저항값의 총합을 구하는 기준 총합 산출 수단과, 피검사 기판마다 상기 검사 저항값의 총합을 구하는 검사 총합 산출 수단을 구비하고, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 기준 저항값을 상기 검사 저항값의 총합의 상기 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정하여 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. A reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the set of measurement points as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as a test target substrate, and a reference total calculation means for obtaining a sum of the reference resistance values per one reference substrate; Inspection total calculation means for obtaining a total of the inspection resistance values for each inspected substrate, wherein the threshold value setting means corrects the reference resistance value as a ratio of the total of the reference resistance values of the total of the inspection resistance values; It is desirable to set the threshold.
상기한 구성에 따르면, 기준 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값이 기준 저항값으로서 측정된다. 또한 기준 총합 산출 수단에 의해 기준 기판 한 장 당 기준 저항값의 총합이 구해지고, 검사 총합 산출 수단에 의해 피검사 기판마다 검사 저항값의 총합이 구해진다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 기준 저항값이 검사 저항값의 총합의 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정되어 문턱값이 설정된다. 따라서, 기준 저항값이 검사 저항값의 총합의 기준 저항값의 총합에 대한 비율로 보정되어 문턱값이 설정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 보정된 적정한 문턱값이 설정된다. According to the above configuration, the resistance value between the set of measurement points is measured as the reference resistance value by the reference resistance measuring means with respect to the test substrate and the same type of reference substrate. Moreover, the sum total of the reference resistance value per sheet of reference board | substrate is calculated | required by a reference total calculation means, and the sum total of an inspection resistance value is calculated | required for every board | substrate tested by a test | inspection total calculation means. Then, the threshold value setting means corrects the reference resistance value as a ratio of the total of the reference resistance values of the total of the test resistance values to set the threshold value. Therefore, since the reference resistance value is corrected as a ratio of the total of the reference resistance values of the total of the test resistance values, and the threshold value is set, the measurement conditions of the manufacturing conditions for each test substrate and the test resistance value for each test substrate are determined. An appropriate threshold with a difference corrected is set.
또한 상기 기준 기판의 수가 2 이상의 소정 수로서, 상기 측정점 세트마다 상기 소정 수의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나를 구하는 통계 계산 수단을 구비하고, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. And a statistical calculation means for obtaining at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each of the set of measurement points, wherein the reference number of the substrates is a predetermined number of two or more, and the threshold value setting means includes: It is preferable to set the threshold value according to at least one of the average value and the standard deviation.
상기한 구성에 따르면, 기준 기판의 수가 2 이상의 소정 수로서, 통계 계산 수단에 의해 측정점 세트마다 소정 수의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나가 구해진다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값이 설정된다. 따라서, 2 이상의 소정 수의 기준 기판의 기준 저항값의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값이 설정되기 때문에 적절한 문턱값이 용이하게 설정된다. According to the above configuration, at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference substrates is determined for each set of measurement points by the statistical calculation means as the number of reference substrates being two or more. And the threshold value is set by the threshold value setting means according to at least one of an average value and a standard deviation. Therefore, since the threshold value is set according to at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of two or more predetermined numbers of reference substrates, an appropriate threshold value is easily set.
또한 상기 문턱값 설정 수단이 상기 측정점 세트의 검사 저항값의 크기에 따른 시퀀스 번호에 대한 문턱값을 설정하는 것으로서, 상기 판정 수단이 상기 측정점 세트를 검사 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬하여 상기 각 측정점 세트에 시퀀스 번호를 부여하고, 이 시퀀스 번호를 상기 문턱값과 비교하여 상기 검사 저항값의 양부를 판정하는 것이 바람직하다. Further, the threshold value setting means sets the threshold value for the sequence number according to the magnitude of the test resistance value of the set of measurement points, and the determination means arranges the set of measurement points in ascending or descending order according to the size of the test resistance value. It is preferable to assign a sequence number to each set of measurement points, and compare the sequence number with the threshold value to determine whether the test resistance value is good or bad.
상기한 구성에 따르면, 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트의 검사 저항값의 크기에 따른 시퀀스 번호에 대한 문턱값이 설정되고, 판정 수단에 의해 측정점 세트가 검사 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호가 부여되고, 이 시퀀스 번호가 문턱값과 비교되어 검사 저항값의 양부가 판정된다. 따라서, 측정점 세트가 검사 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호가 부여되고, 이 시퀀스 번호가 문턱값 설정 수단에 의해 설정된 시퀀스 번호에 대한 문턱값과 비교되어 검사 저항값의 양부가 판정되기 때문에, 피검사 기판마다의 제조 조건 및 피검사 기판마다의 검사 저항값의 측정 조건의 차가 상쇄됨으로써 검사 저항값의 양부가 더욱 정확하게 판정된다. According to the above arrangement, the threshold value setting means sets a threshold value for the sequence number according to the magnitude of the test resistance value of the set of measurement points, and the determination point set is determined by the determining means in ascending or descending order according to the magnitude of the test resistance value. A sequence number is assigned to each set of measurement points in alignment, and this sequence number is compared with a threshold value to determine whether or not the test resistance value is correct. Thus, the set of measuring points is arranged in ascending or descending order according to the magnitude of the test resistance value, and a sequence number is assigned to each measuring point set, and the sequence number is compared with the threshold value for the sequence number set by the threshold value setting means to test resistance. Since the value of the value is determined, the difference between the manufacturing conditions for each test substrate and the measurement condition of the test resistance value for each test substrate is canceled so that the quality of the test resistance value is more accurately determined.
또한 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 상기 측정점 세트간의 저항값을 기준 저항값으로서 측정하는 기준 저항 측정 수단을 구비하고, 상기 문턱 값 설정 수단이 상기 기준 기판마다 상기 측정점 세트를 기준 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬하고, 상기 각 측정점 세트에 시퀀스 번호를 부여하고, 부여된 시퀀스 번호에 따라 상기 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. And reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the set of measurement points as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as the test target substrate, wherein the threshold value setting means sets the measurement point set for each reference substrate. It is preferable to arrange in ascending or descending order according to the size of, to assign a sequence number to each set of measurement points, and to set the threshold value according to the assigned sequence number.
상기한 구성에 따르면, 기준 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판과 동일 종류의 기준 기판에 대하여 측정점 세트간의 저항값이 기준 저항값으로서 측정된다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 기준 기판마다 측정점 세트가 기준 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호가 부여되고, 부여된 시퀀스 번호에 따라 문턱값이 설정된다. 따라서, 기준 기판마다 측정점 세트가 기준 저항값의 크기에 따라 오름차순 또는 내림차순으로 정렬되어 각 측정점 세트에 시퀀스 번호가 부여되고, 부여된 시퀀스 번호에 따라 문턱값이 설정되기 때문에 적정한 문턱값이 설정된다. According to the above configuration, the resistance value between the set of measurement points is measured as the reference resistance value by the reference resistance measuring means with respect to the test substrate and the same type of reference substrate. Then, by the threshold value setting means, the measurement point sets are arranged for each reference substrate in ascending or descending order according to the magnitude of the reference resistance value, and sequence numbers are assigned to each measurement point set, and threshold values are set according to the assigned sequence numbers. Therefore, the set of measurement points for each reference substrate is arranged in ascending or descending order according to the magnitude of the reference resistance value, and the sequence number is assigned to each measurement point set, and the threshold value is set according to the assigned sequence number, so that an appropriate threshold value is set.
또한 상기 기준 기판의 수는 2 이상의 소정 수로서, 상기 문턱값 설정 수단이 상기 각 측정점 세트에 부여된 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나를 구하고, 구해진 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 상기 문턱값을 설정하는 것이 바람직하다. The number of the reference substrates is a predetermined number of two or more, and the threshold value setting means obtains at least one of the average value and the standard deviation of the sequence number assigned to each set of measurement points, and at least one of the obtained average value and the standard deviation of the sequence number. It is preferable to set the threshold according to.
상기한 구성에 따르면, 기준 기판의 수가 2 이상의 소정 수로서, 문턱값 설정 수단에 의해 각 측정점 세트에 부여된 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나가 구해지고, 구해진 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값이 설정된다. 따라서, 각 측정점 세트에 부여된 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나가 구해지고, 구해진 시퀀스 번호의 평균값 및 표준 편차의 적어도 하나에 따라 문턱값이 설정되기 때문에 더욱 적정한 문턱값이 용이하게 설정된다. According to the above configuration, at least one of the average value and the standard deviation of the sequence number assigned to each measurement point set by the threshold value setting means is determined as the number of the reference substrates is two or more, and the average value and the standard deviation of the obtained sequence number are obtained. The threshold is set in accordance with at least one of. Therefore, at least one of the average value and the standard deviation of the sequence number assigned to each measurement point set is obtained, and a more appropriate threshold value is easily set because the threshold value is set according to at least one of the average value and the standard deviation of the obtained sequence number. .
또한 상기 피검사 기판이 비어를 갖는 빌드업 기판인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the said test target board | substrate is a buildup board | substrate which has a via.
상기한 구성에 따르면, 피검사 기판이 비어를 갖는 빌드업 기판이기 때문에 비어에 있어서 접합 불량 등이 발생한 경우에도 검사 저항값의 양부가 정확하게 판정된다. According to the above-described configuration, since the inspected substrate is a build-up substrate having a via, even if a bonding failure or the like occurs in the via, the quality of the inspection resistance value is accurately determined.
또한 본 발명의 기판 검사 방법은 복수 개의 배선 패턴이 형성된 피검사 기판에 대하여 상기 배선 패턴 상에 미리 설정되고, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치의 기판 검사 방법으로서, 피검사 기판의 상기 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하고, 상기 측정점 세트에 대응하여 문턱값을 설정하고, 상기 측정점 세트마다 상기 문턱값에 따라 상기 검사 저항값의 양부를 판정하는 것을 특징으로 하고 있다. Further, the substrate inspection method of the present invention is a substrate inspection method of a substrate inspection apparatus which conducts a conduction inspection between a set of measurement points which is a combination of two measurement points, which is set in advance on the wiring pattern with respect to the inspection target board on which a plurality of wiring patterns are formed, The resistance value between the set of measurement points of the test target substrate is measured as an inspection resistance value, a threshold value is set corresponding to the set of measurement points, and the quality of the inspection resistance value is determined according to the threshold value for each of the measurement point sets. I am doing it.
상기한 기판 검사 방법에 따르면, 피검사 기판의 배선 패턴 상에 미리 설정되고, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 저항값이 검사 저항값으로서 측정된다. 그리고, 측정점 세트에 대응하여 문턱값이 설정되고, 검사 저항값의 양부가 측정점 세트마다 설정된 문턱값에 따라 판정된다. 따라서, 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값의 양부가 측정점 세트에 대응하여 설정된 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 문턱값을 측정점 세트에 대응하여 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값의 양부가 정확하게 판정되어 피검사 기판의 도통 검사가 정확하게 행해진다. According to the above-described substrate inspection method, the resistance value between the set of measurement points which is set in advance on the wiring pattern of the inspection target board and is a combination of two measurement points is measured as the inspection resistance value. Then, a threshold value is set corresponding to the set of measurement points, and both parts of the test resistance value are determined according to the threshold value set for each set of measurement points. Therefore, since the quantity of the inspection resistance value which is the resistance value between the measuring point sets is determined according to the threshold value set corresponding to the measuring point set, the quantity of the inspection resistance value is accurately determined by setting the threshold value to an appropriate value corresponding to the measuring point set. The conduction test of a test | inspection board | substrate is performed correctly.
또한 본 발명의 기판 검사 프로그램은 복수 개의 배선 패턴이 형성된 피검사 기판에 대하여, 상기 배선 패턴 상에 미리 설정되고, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 도통 검사를 행하는 기판 검사 장치의 기판 검사 프로그램으로서, 상기 기판 검사 장치를 피검사 기판의 상기 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하는 검사 저항 측정 수단과, 상기 측정점 세트에 대응하여 문턱값을 설정하는 문턱값 설정 수단과, 상기 측정점 세트마다 상기 문턱값에 따라 상기 검사 저항값의 양부를 판정하는 판정 수단으로서 기능시키는 것을 특징으로 하고 있다. The substrate inspection program of the present invention is a substrate inspection program of a substrate inspection apparatus which conducts a conduction inspection between a set of measurement points which is set on the wiring pattern in advance and is a combination of two measurement points with respect to the inspection target board on which a plurality of wiring patterns are formed. Inspection resistance measuring means for measuring the resistance value between the set of measurement points of the substrate under test as a test resistance value, threshold setting means for setting a threshold value corresponding to the set of measurement points, and for each of the measurement point sets. It is characterized by making it function as a determination means for determining the pass / fail of the test resistance value in accordance with the threshold value.
상기한 기판 검사 프로그램에 따르면, 검사 저항 측정 수단에 의해 피검사 기판의 배선 패턴 상에 미리 설정되고, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 저항값이 검사 저항값으로서 측정된다. 그리고, 문턱값 설정 수단에 의해 측정점 세트에 대응하여 문턱값이 설정되고, 판정 수단에 의해 검사 저항값의 양부가 측정점 세트마다 문턱값 설정 수단에 의해 설정된 문턱값에 따라 판정된다. 따라서, 측정점 세트간의 저항값인 검사 저항값의 양부가 측정점 세트에 대응하여 설정된 문턱값에 따라 판정되기 때문에, 문턱값을 측정점 세트에 대응하여 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값의 양부가 정확하게 판정되어 피검사 기판의 도통 검사가 정확하게 행해진다. According to the above-described substrate inspection program, the resistance value between the set of measurement points, which is a combination of two measurement points, is set in advance on the wiring pattern of the inspection target by the inspection resistance measuring means, and is measured as the inspection resistance value. The threshold value is set by the threshold value setting means in correspondence with the set of measurement points, and the determination means determines whether or not the value of the test resistance value is set by the threshold value setting means for each set of measurement points. Therefore, since the quantity of the inspection resistance value which is the resistance value between the measuring point sets is determined according to the threshold value set corresponding to the measuring point set, the quantity of the inspection resistance value is accurately determined by setting the threshold value to an appropriate value corresponding to the measuring point set. The conduction test of a test | inspection board | substrate is performed correctly.
또한 본원 명세서 중에서 어떠한 기능을 달성하는 수단으로서 기재되어 있는 것은 그들 기능을 달성하는 명세서 기재의 구성에 한정되지 않으며, 그들 기능을 달성하는 유닛, 부분 등의 구성도 포함하는 것이다. In addition, what is described as a means to achieve any function in this specification is not limited to the structure of the specification description which achieves those functions, and also includes the structure of the unit, part, etc. which achieve those functions.
본 발명의 기판 검사 장치에 따르면, 배선 패턴 상에 미리 설정되며, 두 개의 측정점의 조합인 측정점 세트간의 저항값을 검사 저항값으로서 측정하고, 측정점 세트에 대응하여 문턱값을 설정해 두고, 측정점 세트마다 상기 문턱값에 따라 상기 검사 저항값의 양부를 판정하기 때문에, 문턱값을 측정점 세트마다 적절한 값으로 설정함으로써 검사 저항값의 양부를 정확하게 판정할 수 있고, 피검사 기판의 도통 검사를 정확하게 행할 수 있다. According to the substrate inspection apparatus of the present invention, the resistance value between the measurement point sets, which are set on the wiring pattern in advance, is measured as the inspection resistance value, the threshold value is set in correspondence with the measurement point set, and each measurement point set. Since the quality of the inspection resistance value is determined according to the threshold value, by setting the threshold value to an appropriate value for each set of measurement points, the quality of the inspection resistance value can be accurately determined, and the conduction inspection of the inspected substrate can be performed accurately. .
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