JP2006200946A - Apparatus, program, and method for substrate inspection - Google Patents

Apparatus, program, and method for substrate inspection Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for substrate inspection which performs a continuity test for a substrate to be inspected accurately. <P>SOLUTION: A CPU 811 of a control section comprises a standard resistance measurement section 811a for measuring a standard resistance value, or a resistance value between a set of measurement points, for a standard substrate selected in advance, a threshold setting section 811c for setting a threshold for each set of measurement points, an inspected resistance measurement section 811d for measuring the resistance value between a set of measurement points of the substrate to be inspected as an inspected resistance value, and a decision section 811e for deciding the quality of the inspected resistance value on the basis of the threshold for each set of measurement points. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点間(以下、測定点セット間という)の導通検査を行う基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法に関する。特に、ビアを有するビルドアップ基板において、前記測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法に関する。   The present invention relates to a substrate inspection apparatus for performing a continuity inspection between two measurement points (hereinafter referred to as a measurement point set) set in advance on the wiring pattern for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed. The present invention relates to a substrate inspection program and a substrate inspection method. In particular, the present invention relates to a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection method for performing a continuity inspection between the measurement point sets in a build-up substrate having vias.

回路基板上の配線パターンは、その回路基板に搭載されるIC等の半導体や抵抗器等の電気部品に電気信号を正確に伝達する必要があるため、従来、半導体や電気部品を実装する前のプリント配線基板、液晶パネルやプラズマディスプレイパネルに配線パターンが形成された回路配線基板、あるいは半導体ウェハ等の基板に形成された配線パターンに対して、検査対象となる配線パターンに設けられた測定点間の抵抗値を測定してその良否が検査されている。   The wiring pattern on a circuit board needs to accurately transmit electrical signals to electrical components such as ICs and resistors mounted on the circuit board. Between printed wiring boards, circuit wiring boards on which wiring patterns are formed on liquid crystal panels and plasma display panels, or wiring patterns formed on boards such as semiconductor wafers, between measurement points provided on wiring patterns to be inspected The resistance value is measured and the quality is inspected.

このように測定点間の抵抗値に基づいて基板の良否を判定するためには、測定点間の抵抗値を正確に測定する必要があり、公知の4端子測定法を用いて更に高精度の測定が可能な測定方法が提案されている(特許文献1参照)。
特開平10−123189号公報
Thus, in order to determine the quality of the substrate based on the resistance value between the measurement points, it is necessary to accurately measure the resistance value between the measurement points, and a higher accuracy can be achieved by using a known four-terminal measurement method. A measurement method capable of measurement has been proposed (see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-123189

一方、近年、回路基板の微細化の進行に伴い配線パターンの幅が狭くなり、配線パターンの幅(又は、厚さ)のバラツキが測定点間の抵抗値に及ぼす影響が大きくなっている。そのため、測定点間の抵抗値のバラツキが大きく、上述のように測定点間の抵抗値が高精度に測定された場合でも、その良否判定の基準となる閾値の設定が困難となり、その結果、基板の導通検査を正確に行うことが困難となる場合がある。   On the other hand, in recent years, with the progress of miniaturization of circuit boards, the width of the wiring pattern is narrowed, and the influence of the variation in the width (or thickness) of the wiring pattern on the resistance value between the measurement points is increasing. Therefore, the variation in the resistance value between the measurement points is large, and even when the resistance value between the measurement points is measured with high accuracy as described above, it is difficult to set a threshold value that is a criterion for the pass / fail judgment. It may be difficult to accurately perform a continuity test of the substrate.

特に、基板がビアを有するビルドアップ基板である場合には、例えば、レーザビア等のビアに発生した接合不良に伴う測定点間の抵抗値の増加が小さく、配線パターンの幅等のバラツキに伴う測定点間の抵抗値のバラツキと同程度(あるいはそれ以下)となり、良否判定の基準となる閾値の設定が極めて困難となる。   In particular, when the substrate is a build-up substrate having vias, for example, the increase in resistance value between measurement points due to a bonding failure occurring in a via such as a laser via is small, and the measurement is accompanied by variations in the width of the wiring pattern, etc. It becomes almost the same as (or less than) the variation in the resistance value between the points, and it becomes extremely difficult to set a threshold value as a criterion for pass / fail judgment.

本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、被検査基板の導通検査を正確に行う基板検査装置、基板検査プログラム及び基板検査方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus, a substrate inspection program, and a substrate inspection method for accurately performing a continuity inspection of a substrate to be inspected.

請求項1に記載の基板検査装置は、複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置であって、被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定手段と、前記測定点セットに対応して閾値を設定する閾値設定手段と、前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定する判定手段とを備えることを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 1, for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed, a continuity inspection between measurement point sets that are preset on the wiring pattern and are a combination of two measurement points. An inspection resistance measuring unit that measures a resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as an inspection resistance value; and a threshold setting unit that sets a threshold value corresponding to the measurement point set; And determining means for determining pass / fail of the inspection resistance value based on the threshold value for each measurement point set.

請求項12に記載の基板検査プログラムは、複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置の基板検査プログラムであって、前記基板検査装置を、被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定手段と、前記測定点セットに対応して閾値を設定する閾値設定手段と、前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定する判定手段として機能させることを特徴としている。   The substrate inspection program according to claim 12 is a continuity inspection between measurement point sets, which is a combination of two measurement points, which is set in advance on the wiring pattern for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed. A board inspection program for a board inspection apparatus for performing inspection, the board inspection apparatus corresponding to the measurement point set, and inspection resistance measurement means for measuring a resistance value between the measurement point sets of the board to be inspected as an inspection resistance value And a threshold value setting means for setting a threshold value, and a determination means for determining pass / fail of the inspection resistance value based on the threshold value for each measurement point set.

これらの発明によれば、検査抵抗測定手段によって、被検査基板の配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の抵抗値が検査抵抗値として測定される。そして、閾値設定手段によって、測定点セットに対応して閾値が設定され、判定手段によって、検査抵抗値の良否が、測定点セット毎に閾値設定手段によって設定された閾値に基づいて判定される。   According to these inventions, the resistance value between the measurement point sets, which is set in advance on the wiring pattern of the substrate to be inspected and is a combination of two measurement points, is measured as the inspection resistance value by the inspection resistance measuring means. Then, the threshold value setting means sets a threshold value corresponding to the measurement point set, and the determination means determines pass / fail of the inspection resistance value based on the threshold value set by the threshold value setting means for each measurement point set.

従って、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値の良否が、測定点セットに対応して設定された閾値に基づいて判定されるため、閾値を測定点セットに対応して適切な値に設定することにより、検査抵抗値の良否が正確に判定され、被検査基板の導通検査が正確に行われる。   Therefore, the quality of the inspection resistance value, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the threshold value set corresponding to the measurement point set. Therefore, the threshold value is set to an appropriate value corresponding to the measurement point set. By setting, the quality of the inspection resistance value is accurately determined, and the continuity inspection of the substrate to be inspected is performed accurately.

請求項2に記載の基板検査装置は、前記閾値設定手段が、前記測定点セット毎に所定のルールに則って順番を表す番号である順番号を付与すると共に、前記順番号が隣接する2組の測定点セットに対応する抵抗値の差の閾値を設定し、前記判定手段が、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗値の差を、対応する閾値に基づいて判定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein the threshold setting unit assigns a sequential number that is a number representing an order according to a predetermined rule for each measurement point set, and two sets of adjacent sequential numbers. A resistance value difference threshold value corresponding to each of the measurement point sets is set, and the determination means determines the difference between the inspection resistance values of the two measurement point sets adjacent to each other in the order number based on the corresponding threshold values. It is characterized by that.

上記の構成によれば、閾値設定手段によって、測定点セット毎に所定のルールに則って順番を表す番号である順番号が付与されると共に、この順番号が隣接する2組の測定点セットに対応する抵抗値の差の閾値が設定される。そして、判定手段によって、順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗値の差が、対応する閾値に基づいて判定される。   According to the above configuration, the threshold value setting unit assigns a sequential number that is a number representing the order in accordance with a predetermined rule for each measurement point set, and the sequential number is assigned to two adjacent measurement point sets. A corresponding resistance value difference threshold is set. Then, the determination means determines the difference between the inspection resistance values of two measurement point sets adjacent to each other based on the corresponding threshold value.

従って、2組の測定点セットの検査抵抗値の差が、対応する閾値に基づいて判定されるため、測定点セット毎に検査抵抗値を判定する場合と比較して、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値の良否が更に正確に判定される。   Accordingly, since the difference between the inspection resistance values of the two sets of measurement points is determined based on the corresponding threshold value, the manufacturing for each substrate to be inspected is compared with the case where the inspection resistance value is determined for each measurement point set. The quality of the inspection resistance value is more accurately determined by canceling out the difference between the conditions and the measurement conditions of the inspection resistance value for each substrate to be inspected.

請求項3に記載の基板検査装置は、被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段を備え、前記閾値設定手段が、前記測定点セットを基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えることによって前記測定点セット毎に前記順番号を付与し、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の差に基づいて閾値を設定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 3 includes a reference resistance measurement unit that measures a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected, and the threshold setting unit includes: By reordering the measurement point set in ascending or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, the order number is assigned to each measurement point set, and the reference resistances of two sets of measurement point sets adjacent to each other in the order number It is characterized in that a threshold value is set based on a difference in values.

上記の構成によれば、基準抵抗測定手段によって、被検査基板と同一種類の基準基板について、測定点セット間の抵抗値が基準抵抗値として測定される。そして、閾値設定手段によって、測定点セットが基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、測定点セット毎に順番号が付与され、この順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の差に基づいて閾値が設定される。なお、この閾値に基づいて、判定手段によって、順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗値の差が判定される。   According to the above configuration, the resistance value between the measurement point sets is measured as the reference resistance value for the reference board of the same type as the board to be inspected by the reference resistance measuring unit. Then, the threshold value setting means rearranges the measurement point set in ascending or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, and assigns a sequential number to each measurement point set. A threshold is set based on the difference in the reference resistance values of the point set. In addition, based on this threshold value, the determination means determines the difference between the inspection resistance values of two measurement point sets having adjacent sequential numbers.

従って、順番号が隣接する(すなわち、基準抵抗値の大きさが隣接する)2組の測定点セットの検査抵抗値の差が、対応する閾値に基づいて判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が更に相殺されることによって、検査抵抗値の良否が更に正確に判定される。   Therefore, since the difference between the inspection resistance values of two measurement point sets that are adjacent to each other in order number (that is, the reference resistance value is adjacent) is determined based on the corresponding threshold value, By further canceling out the difference between the manufacturing condition and the measurement condition of the inspection resistance value for each substrate to be inspected, the quality of the inspection resistance value is more accurately determined.

請求項4に記載の基板検査装置は、前記基準基板の枚数が、2以上の所定数であって、前記測定点セット毎に、前記所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求める統計計算手段を備え、前記閾値設定手段が、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値を設定することを特徴としている。   5. The substrate inspection apparatus according to claim 4, wherein the number of the reference substrates is a predetermined number of 2 or more, and an average value and a standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each measurement point set. Statistical calculation means for obtaining at least one of the threshold values, wherein the threshold value setting means sets a threshold value based on at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of two measurement point sets adjacent to each other in the order number. It is characterized by.

上記の構成によれば、基準基板の枚数が2以上の所定数であって、統計計算手段によって、測定点セット毎に、所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が求められる。そして、閾値設定手段によって、順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定される。   According to the above configuration, the number of reference boards is a predetermined number of 2 or more, and at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference boards is set for each measurement point set by the statistical calculation means. Is required. Then, the threshold value is set by the threshold value setting means based on at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the two measurement point sets having adjacent sequential numbers.

従って、順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定されるため、適切な閾値が容易に設定される。   Therefore, since the threshold value is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of two measurement point sets having adjacent sequential numbers, an appropriate threshold value is easily set.

請求項5に記載の基板検査装置は、被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段と、基準基板の1枚当りの前記基準抵抗値の総和を求める基準総和算出手段と、被検査基板毎に前記検査抵抗値の総和を求める検査総和算出手段とを備え、前記判定手段が、前記検査抵抗値を、前記検査抵抗値の総和の前記基準抵抗値の総和に対する比率で補正して判定することを特徴としている。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus comprising: a reference resistance measuring unit that measures a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected; A reference sum calculating means for obtaining a sum of the reference resistance values; and an inspection sum calculating means for obtaining a sum of the inspection resistance values for each substrate to be inspected, wherein the determining means determines the inspection resistance value as the inspection resistance value. It is characterized in that the correction is made by correcting with the ratio of the total sum of the reference resistance values to the sum of the reference resistance values.

上記の構成によれば、基準抵抗測定手段によって、被検査基板と同一種類の基準基板について、測定点セット間の抵抗値が基準抵抗値として測定される。また、基準総和算出手段によって、基準基板の1枚当りの基準抵抗値の総和が求められ、検査総和算出手段によって、被検査基板毎に検査抵抗値の総和が求められる。そして、判定手段によって、検査抵抗値が、検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて判定される。   According to the above configuration, the resistance value between the measurement point sets is measured as the reference resistance value for the reference board of the same type as the board to be inspected by the reference resistance measuring unit. Further, the total sum of reference resistance values per reference substrate is obtained by the reference sum calculation means, and the sum of inspection resistance values is obtained for each substrate to be inspected by the inspection sum calculation means. Then, the determination means corrects and determines the inspection resistance value by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values.

従って、検査抵抗値が検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が補正されることによって、検査抵抗値の良否が更に正確に判定される。   Therefore, since the inspection resistance value is corrected and determined by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values, the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected are determined. By correcting the difference, the quality of the inspection resistance value is more accurately determined.

請求項6に記載の基板検査装置は、被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段と、基準基板の1枚当りの前記基準抵抗値の総和を求める基準総和算出手段と、被検査基板毎に前記検査抵抗値の総和を求める検査総和算出手段とを備え、前記閾値設定手段が、前記基準抵抗値を、前記検査抵抗値の総和の前記基準抵抗値の総和に対する比率で補正して閾値を設定することを特徴としている。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus comprising: a reference resistance measuring unit that measures a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected; A reference sum calculating means for obtaining a sum of the reference resistance values; and an inspection sum calculating means for obtaining a sum of the inspection resistance values for each substrate to be inspected, wherein the threshold setting means determines the reference resistance value as the inspection resistance. The threshold value is set by correcting with the ratio of the sum of the values to the sum of the reference resistance values.

上記の構成によれば、基準抵抗測定手段によって、被検査基板と同一種類の基準基板について、測定点セット間の抵抗値が基準抵抗値として測定される。また、基準総和算出手段によって、基準基板の1枚当りの基準抵抗値の総和が求められ、検査総和算出手段によって、被検査基板毎に検査抵抗値の総和が求められる。そして、閾値設定手段によって、基準抵抗値が、検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて閾値が設定される。   According to the above configuration, the resistance value between the measurement point sets is measured as the reference resistance value for the reference board of the same type as the board to be inspected by the reference resistance measuring unit. Further, the total sum of reference resistance values per reference substrate is obtained by the reference sum calculation means, and the sum of inspection resistance values is obtained for each substrate to be inspected by the inspection sum calculation means. Then, the threshold value is set by correcting the reference resistance value by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values by the threshold setting means.

従って、基準抵抗値が、検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて閾値が設定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が補正された適正な閾値が設定される。   Therefore, since the threshold value is set by correcting the reference resistance value by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values, the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the inspection resistance values for each substrate to be inspected are set. An appropriate threshold value in which a difference in measurement conditions is corrected is set.

請求項7に記載の基板検査装置は、前記基準基板の枚数が、2以上の所定数であって、前記測定点セット毎に、前記所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求める統計計算手段を備え、前記閾値設定手段が、前記平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値を設定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 7, wherein the number of the reference substrates is a predetermined number of 2 or more, and an average value and a standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each measurement point set. Statistical calculation means for obtaining at least one of the threshold values, wherein the threshold value setting means sets a threshold value based on at least one of the average value and the standard deviation.

上記の構成によれば、基準基板の枚数が、2以上の所定数であって、統計計算手段によって、測定点セット毎に、所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が求められる。そして、閾値設定手段によって、平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定される。   According to the above configuration, the number of reference substrates is a predetermined number of 2 or more, and at least the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the predetermined number of reference substrates are measured for each measurement point set by the statistical calculation means. One is required. Then, the threshold value setting means sets the threshold value based on at least one of the average value and the standard deviation.

従って、2以上の所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定されるため、適切な閾値が容易に設定される。   Therefore, the threshold value is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of a predetermined number of reference boards of 2 or more, and therefore an appropriate threshold value is easily set.

請求項8に記載の基板検査装置は、前記閾値設定手段が、前記測定点セットの検査抵抗値の大きさに基づく順番号に対する閾値を設定するものであって、前記判定手段が、前記測定点セットを検査抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えて、前記各測定点セットに順番号を付与し、この順番号を、前記閾値と比較して前記検査抵抗値の良否を判定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 8, wherein the threshold setting unit sets a threshold for a sequential number based on the magnitude of the inspection resistance value of the measurement point set, and the determination unit includes the measurement point. The set is rearranged in ascending or descending order based on the magnitude of the inspection resistance value, and a sequential number is assigned to each measurement point set, and this sequential number is compared with the threshold value to determine whether the inspection resistance value is good or bad. It is characterized by doing.

上記の構成によれば、閾値設定手段によって、測定点セットの検査抵抗値の大きさに基づく順番号に対する閾値が設定され、判定手段によって、測定点セットが検査抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、この順番号が、閾値と比較されて検査抵抗値の良否が判定される。   According to the above configuration, the threshold value setting means sets a threshold value for a sequence number based on the magnitude of the test resistance value of the measurement point set, and the determination means sets the measurement point set in ascending order based on the magnitude of the test resistance value. Alternatively, they are rearranged in descending order, and a sequential number is assigned to each measurement point set, and this sequential number is compared with a threshold value to determine whether the inspection resistance value is good or bad.

従って、測定点セットが検査抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、この順番号が、閾値設定手段によって設定された順番号に対する閾値と比較されて検査抵抗値の良否が判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値の良否が更に正確に判定される。   Therefore, the measurement point set is rearranged in ascending or descending order based on the magnitude of the inspection resistance value, and a sequential number is assigned to each measurement point set, and this sequential number corresponds to the sequential number set by the threshold setting unit. Since the quality of the inspection resistance value is determined by comparing with the threshold value, the difference between the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected is offset, so that the inspection resistance value Pass / fail is determined more accurately.

請求項9に記載の基板検査装置は、被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段を備え、前記閾値設定手段が、前記基準基板毎に、前記測定点セットを基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えて、前記各測定点セットに順番号を付与し、付与された順番号に基づいて前記閾値を設定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 9 includes a reference resistance measurement unit that measures a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected, and the threshold setting unit includes: For each of the reference substrates, the measurement point set is rearranged in ascending order or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, a sequential number is assigned to each measurement point set, and the threshold value is based on the assigned sequential number. It is characterized by setting.

上記の構成によれば、基準抵抗測定手段によって、被検査基板と同一種類の基準基板について、測定点セット間の抵抗値が基準抵抗値として測定される。そして、閾値設定手段によって、基準基板毎に、測定点セットが基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、付与された順番号に基づいて閾値が設定される。   According to the above configuration, the resistance value between the measurement point sets is measured as the reference resistance value for the reference board of the same type as the board to be inspected by the reference resistance measuring unit. Then, by the threshold setting means, the measurement point set is rearranged in ascending or descending order based on the size of the reference resistance value for each reference substrate, and a sequential number is assigned to each measurement point set, and the assigned sequential number A threshold is set based on

従って、基準基板毎に、測定点セットが基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、付与された順番号に基づいて閾値が設定されるため、適正な閾値が設定される。   Therefore, for each reference substrate, the measurement point set is rearranged in ascending or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, a sequential number is assigned to each measurement point set, and a threshold value is set based on the assigned sequential number. Since it is set, an appropriate threshold is set.

請求項10に記載の基板検査装置は、前記基準基板の枚数は、2以上の所定数であって、前記閾値設定手段が、前記各測定点セットに付与された順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求め、求められた順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて、前記閾値を設定することを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to claim 10, wherein the number of the reference substrates is a predetermined number equal to or greater than 2, and the threshold setting unit includes an average value and a standard deviation of sequential numbers assigned to the measurement point sets. The threshold value is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the obtained sequence numbers.

上記の構成によれば、基準基板の枚数が、2以上の所定数であって、閾値設定手段によって、各測定点セットに付与された順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が求められ、求められた順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて、閾値が設定される。   According to the above configuration, the number of reference substrates is a predetermined number of 2 or more, and at least one of an average value and a standard deviation of the sequential numbers assigned to each measurement point set is obtained by the threshold setting unit, A threshold is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the obtained sequence numbers.

従って、各測定点セットに付与された順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が求められ、求められた順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて、閾値が設定されるため、更に適正な閾値が容易に設定される。   Therefore, since at least one of the average value and standard deviation of the sequence numbers assigned to each measurement point set is obtained, and the threshold is set based on at least one of the average value and standard deviation of the obtained sequence numbers, Furthermore, an appropriate threshold value is easily set.

請求項11に記載の基板検査装置は、前記被検査基板がビアを有するビルドアップ基板であることを特徴としている。   The substrate inspection apparatus according to an eleventh aspect is characterized in that the substrate to be inspected is a build-up substrate having vias.

上記の構成によれば、被検査基板がビアを有するビルドアップ基板であるため、ビアにおいて接合不良等が発生した場合にも、検査抵抗値の良否が正確に判定される。   According to the above configuration, since the substrate to be inspected is a build-up substrate having a via, whether or not the inspection resistance value is good is accurately determined even when a bonding failure or the like occurs in the via.

請求項13に記載の基板検査方法は、複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置の基板検査方法であって、被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定し、前記測定点セットに対応して閾値を設定し、前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定することを特徴としている。   The substrate inspection method according to claim 13 is a continuity inspection between measurement point sets, which is a combination of two measurement points, set in advance on the wiring pattern with respect to a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed. A substrate inspection method for a substrate inspection apparatus for measuring a resistance value between the measurement point sets of a substrate to be inspected as an inspection resistance value, setting a threshold corresponding to the measurement point set, and the measurement point set Whether or not the inspection resistance value is good or bad is determined based on the threshold value every time.

上記の方法によれば、被検査基板の配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の抵抗値が検査抵抗値として測定される。そして、測定点セットに対応して閾値が設定され、検査抵抗値の良否が、測定点セット毎に設定された閾値に基づいて判定される。   According to said method, the resistance value between the measurement point sets which is preset on the wiring pattern of a to-be-inspected board | substrate and is a combination of two measurement points is measured as an inspection resistance value. Then, a threshold value is set corresponding to the measurement point set, and the quality of the inspection resistance value is determined based on the threshold value set for each measurement point set.

従って、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値の良否が、測定点セットに対応して設定された閾値に基づいて判定されるため、閾値を測定点セットに対応して適切な値に設定することにより、検査抵抗値の良否が正確に判定され、被検査基板の導通検査が正確に行われる。   Therefore, the quality of the inspection resistance value, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the threshold value set corresponding to the measurement point set. Therefore, the threshold value is set to an appropriate value corresponding to the measurement point set. By setting, the quality of the inspection resistance value is accurately determined, and the continuity inspection of the substrate to be inspected is performed accurately.

請求項1,12,13に記載の発明によれば、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値の良否が、測定点セット毎に設定された閾値に基づいて判定されるため、閾値を測定点セット毎に適切な値に設定することにより、検査抵抗値の良否を正確に判定でき、被検査基板の導通検査を正確に行うことができる。   According to the invention described in claims 1, 12 and 13, the quality of the inspection resistance value, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the threshold value set for each measurement point set. By setting an appropriate value for each measurement point set, it is possible to accurately determine the quality of the inspection resistance value, and to accurately perform the continuity inspection of the substrate to be inspected.

請求項2に記載の発明によれば、2組の測定点セットの検査抵抗値の差が、対応する閾値に基づいて判定されるため、測定点セット毎に検査抵抗値を判定する場合と比較して、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値の良否を更に正確に判定できる。   According to the second aspect of the present invention, since the difference between the inspection resistance values of the two measurement point sets is determined based on the corresponding threshold value, the comparison is made with the case where the inspection resistance value is determined for each measurement point set. Then, the quality of the inspection resistance value can be more accurately determined by canceling out the difference between the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected.

請求項3に記載の発明によれば、順番号が隣接する(すなわち、基準抵抗値の大きさが隣接する)2組の測定点セットの検査抵抗値の差が、対応する閾値に基づいて判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が更に相殺されることによって、検査抵抗値の良否を更に正確に判定できる。   According to the third aspect of the present invention, the difference between the inspection resistance values of the two measurement point sets adjacent to each other in the order number (that is, the reference resistance value is adjacent) is determined based on the corresponding threshold value. Therefore, the quality of the inspection resistance value can be more accurately determined by further canceling out the difference between the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected.

請求項4に記載の発明によれば、順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定されるため、適切な閾値を容易に設定できる。   According to the fourth aspect of the present invention, since the threshold is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of the two measurement point sets adjacent to each other in the order number, an appropriate threshold can be easily set. Can be set.

請求項5に記載の発明によれば、検査抵抗値が検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が補正されることによって、検査抵抗値の良否を更に正確に判定できる。   According to the invention described in claim 5, since the inspection resistance value is corrected and determined by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values, the manufacturing condition for each substrate to be inspected, and the substrate to be inspected By correcting the difference in the measurement condition of the inspection resistance value for each, the quality of the inspection resistance value can be determined more accurately.

請求項6に記載の発明によれば、基準抵抗値が、検査抵抗値の総和の基準抵抗値の総和に対する比率で補正されて閾値が設定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が補正された適正な閾値を設定できる。   According to the invention described in claim 6, since the threshold value is set by correcting the reference resistance value by the ratio of the sum of the inspection resistance values to the sum of the reference resistance values, the manufacturing conditions for each substrate to be inspected, and It is possible to set an appropriate threshold value in which the difference in the measurement condition of the inspection resistance value for each substrate to be inspected is corrected.

請求項7に記載の発明によれば、2以上の所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値が設定されるため、適切な閾値を容易に設定できる。   According to the seventh aspect of the present invention, the threshold value is set based on at least one of the average value and the standard deviation of the reference resistance values of a predetermined number of reference boards of 2 or more, so that an appropriate threshold value can be easily set. .

請求項8に記載の発明によれば、測定点セットが検査抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、この順番号が、閾値設定手段によって設定された順番号に対する閾値と比較されて検査抵抗値の良否が判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値の良否を更に正確に判定できる。   According to the invention described in claim 8, the measurement point sets are rearranged in ascending or descending order based on the magnitude of the inspection resistance value, and a sequential number is assigned to each measurement point set. Since the quality of the inspection resistance value is judged by comparing with the threshold value for the sequence number set by the setting means, the difference between the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected cancels each other. By doing so, the quality of the inspection resistance value can be determined more accurately.

請求項9に記載の発明によれば、基準基板毎に、測定点セットが基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号が付与され、付与された順番号に基づいて閾値が求められるため、適正な閾値を設定できる。   According to the ninth aspect of the present invention, for each reference substrate, the measurement point set is rearranged in ascending or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, and a sequential number is assigned to each measurement point set. Since a threshold value is obtained based on the assigned sequence number, an appropriate threshold value can be set.

請求項10に記載の発明によれば、各測定点セットに付与された順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が求められ、求められた順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて、閾値が求められるため、更に適正な閾値を容易に設定できる。   According to the invention described in claim 10, at least one of the average value and standard deviation of the sequential numbers assigned to each measurement point set is obtained, and is based on at least one of the average value and standard deviation of the obtained sequential numbers. Therefore, a more appropriate threshold can be easily set.

請求項11に記載の発明によれば、ビアにおいて接合不良等が発生した場合にも、検査抵抗値の良否を正確に判定できる。   According to the eleventh aspect of the present invention, whether or not the inspection resistance value is good can be accurately determined even when a bonding failure or the like occurs in the via.

図1は、この発明に係る基板検査装置の一実施形態を示す側面断面図であり、図2は図1の基板検査装置の平面図である。後述する各図との方向関係を明確にするために、XYZ直角座標軸を記載している。   FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of a substrate inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the substrate inspection apparatus of FIG. In order to clarify the directional relationship with each drawing described later, XYZ rectangular coordinate axes are described.

これらの図に示すように、この基板検査装置は、装置前方側(−Y側)に装置本体1に対して開閉扉11が開閉自在に配設されており、この開閉扉11を開いた状態で、配線パターンが複数の層に形成されたビルドアップ基板である基板2(被検査基板に相当する:図6参照)を、装置前方側中央部に設けられた搬出入部3から装置本体1内に搬入可能とされている。また、この搬出入部3の後方側(+Y側)には、検査信号を伝送する複数本(例えば、500本)の接触子44を備え、基板2の配線パターンのランド(測定点に相当する)に接触子44を当接させるべく後述する検査治具41を移動させる検査部4が設けられている。   As shown in these drawings, in this substrate inspection apparatus, an opening / closing door 11 is disposed on the front side (−Y side) of the apparatus so as to be openable and closable with respect to the apparatus main body 1, and the opening / closing door 11 is opened. Then, a substrate 2 (corresponding to a substrate to be inspected: see FIG. 6), which is a build-up substrate having wiring patterns formed in a plurality of layers, is transferred from the loading / unloading portion 3 provided in the central portion on the front side of the device. It is possible to carry in. In addition, on the rear side (+ Y side) of the loading / unloading unit 3, a plurality of (for example, 500) contacts 44 for transmitting an inspection signal are provided, and a land (corresponding to a measurement point) of the wiring pattern of the substrate 2. An inspection unit 4 is provided for moving an inspection jig 41 (to be described later) so as to bring the contact 44 into contact therewith.

更に、この検査部4に対して接触子44を測定点に当接させるべく移動させる指示信号及び接触子44を介して測定点に出力する検査信号等を出力すると共に、検査部4を介して検査信号等が入力され、検査信号を後述する制御部8(図示省略)へ伝送する測定実行部74が適所(ここでは、装置本体1内の上部)に配設されている。そして、検査部4及び測定実行部74等による検査(すなわち、良否判定)が終了した基板2は、搬出入部3に戻され、開閉扉11が開状態とされてオペレータによって搬出可能となる。   Further, an instruction signal for moving the contactor 44 to contact the measurement point and an inspection signal output to the measurement point via the contactor 44 are output to the inspection unit 4, and A measurement execution unit 74 that receives an inspection signal or the like and transmits the inspection signal to a control unit 8 (not shown), which will be described later, is disposed at an appropriate position (here, in the upper part of the apparatus main body 1). Then, the substrate 2 that has been inspected by the inspection unit 4 and the measurement execution unit 74 (that is, pass / fail determination) is returned to the carry-in / out unit 3, and the opening / closing door 11 is opened, so that the operator can carry it out.

この基板検査装置では、搬出入部3と検査部4との間で基板2を搬送するために、搬送テーブル5がY方向に移動自在に設けられるとともに、搬送テーブル5は搬送テーブル駆動機構6によってY方向に移動されて位置決めされるように構成されている。すなわち、搬送テーブル駆動機構6では、Y方向に延びる2本のガイドレール61が所定間隔だけX方向に離間して配置され、これらのガイドレール61に沿って搬送テーブル5がスライド自在となっている。   In this substrate inspection apparatus, in order to transfer the substrate 2 between the loading / unloading unit 3 and the inspection unit 4, the transfer table 5 is provided movably in the Y direction, and the transfer table 5 is It is configured to be moved and positioned in the direction. That is, in the transport table drive mechanism 6, the two guide rails 61 extending in the Y direction are arranged apart from each other in the X direction by a predetermined interval, and the transport table 5 is slidable along these guide rails 61. .

また、これらのガイドレール61と平行にボールネジ62が配設され、このボールネジ62の一方(−Y側)端が装置本体1に軸支されるとともに、他方(+Y側)端が搬送テーブル駆動用のモータ63の回転軸64と連結されている。更に、このボールネジ62には、搬送テーブル5を固定したブラケット65が螺合され、後述する制御部8(図3、図5参照)からの指令に応じてモータ63が回転駆動されると、その回転量に応じて搬送テーブル5がY方向に移動して搬出入部3と検査部4との間を往復移動される。   A ball screw 62 is disposed in parallel with the guide rails 61. One end (−Y side) of the ball screw 62 is pivotally supported by the apparatus main body 1, and the other end (+ Y side) is used for driving the transport table. It is connected with the rotating shaft 64 of the motor 63. Further, a bracket 65 to which the transport table 5 is fixed is screwed onto the ball screw 62, and when the motor 63 is rotationally driven in response to a command from the control unit 8 (see FIGS. 3 and 5) described later, The transfer table 5 moves in the Y direction according to the amount of rotation, and is reciprocated between the loading / unloading unit 3 and the inspection unit 4.

図2を参照して、搬送テーブル5は、基板2を載置するための基板載置部51を備えている。この基板載置部51は、載置された基板2が3つの係合ピン53と係合するとともに、これらの係合ピン53と対向する方向から基板2を付勢する付勢手段(図示省略)によって、基板2が係合ピン53側に付勢されて基板載置部51上で基板2を保持可能となっている。また、このように保持された基板2の下面に形成された配線パターンに後述する下部検査ユニット4Dの接触子44を当接させるために、基板載置部51には貫通開口(図示省略)が形成されている。   With reference to FIG. 2, the transfer table 5 includes a substrate mounting portion 51 for mounting the substrate 2. The substrate platform 51 includes an urging means (not shown) that urges the substrate 2 from a direction opposite to the engagement pins 53 while the substrate 2 placed is engaged with the three engagement pins 53. ), The substrate 2 is urged toward the engagement pin 53 and the substrate 2 can be held on the substrate mounting portion 51. Further, in order to bring a contact 44 of the lower inspection unit 4D, which will be described later, into contact with the wiring pattern formed on the lower surface of the substrate 2 held in this manner, the substrate mounting portion 51 has a through opening (not shown). Is formed.

検査部4は、搬送テーブル5の移動経路を挟んで上方側(+Z側)に基板2の上面側に形成された配線パターンを検査するための上部検査ユニット4Uと、下方側(−Z側)に基板2の下面側に形成された配線パターンを検査するための下部検査ユニット4Dとを備えている。検査ユニット4U,4Dは、略同一の構成を有しており、搬送テーブル5の移動経路を挟んで略対称に配置されている。検査ユニット4U,4Dは、検査治具41と検査治具駆動機構43とを備えている。   The inspection unit 4 includes an upper inspection unit 4U for inspecting a wiring pattern formed on the upper surface side of the substrate 2 on the upper side (+ Z side) across the movement path of the transport table 5, and a lower side (−Z side). And a lower inspection unit 4D for inspecting a wiring pattern formed on the lower surface side of the substrate 2. The inspection units 4U and 4D have substantially the same configuration, and are arranged substantially symmetrically across the movement path of the transport table 5. The inspection units 4U and 4D include an inspection jig 41 and an inspection jig driving mechanism 43.

図3は、基板検査装置の電気的構成の一例を示す構成図である。基板検査装置は、CPU,ROM,RAM,モータドライバ等を備えて予めROMに記憶されているプログラムに従って装置全体を制御する制御部8(図5参照)と、テスターコントローラ75と、測定実行部74とを備えている。   FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of an electrical configuration of the substrate inspection apparatus. The board inspection apparatus includes a CPU, a ROM, a RAM, a motor driver, and the like, and controls the entire apparatus according to a program stored in the ROM in advance (see FIG. 5), a tester controller 75, and a measurement execution unit 74. And.

テスターコントローラ75は、制御部8からの検査開始指令を受け付けて、予め記憶されたプログラムに従って、基板2の配線パターンのランドに当接された複数本の接触子44の中から検査すべき配線パターンの両端に位置する2つのランド(以下、測定点セットという)にそれぞれ接触した2つの接触子44を順次、選択するものである。また、テスターコントローラ75は、選択した2つの接触子44間の検査を行わせるべく、測定実行部74へスキャン指令を出力するものである。更に、テスターコントローラ75は、測定実行部74(図4にて後述する検査処理部741)から測定された抵抗値を受信して、制御部8へ伝送するものである。   The tester controller 75 receives an inspection start command from the control unit 8, and in accordance with a program stored in advance, the wiring pattern to be inspected from among the plurality of contacts 44 abutted on the land of the wiring pattern on the substrate 2 The two contacts 44 respectively contacting the two lands (hereinafter referred to as “measurement point set”) located at both ends are sequentially selected. In addition, the tester controller 75 outputs a scan command to the measurement execution unit 74 so as to perform an inspection between the two selected contacts 44. Further, the tester controller 75 receives a resistance value measured from the measurement execution unit 74 (an inspection processing unit 741 described later with reference to FIG. 4) and transmits the resistance value to the control unit 8.

一方、検査治具駆動機構43は、図3に示すように、装置本体1に対してX方向に検査治具41を移動させるX治具駆動部43Xと、X治具駆動部43Xに連結されて検査治具41をY方向に移動させるY治具駆動部43Yと、Y治具駆動部43Yに連結されて検査治具41をZ軸回りに回転移動させるθ治具駆動部43θと、θ治具駆動部43θに連結されて検査治具41をZ方向に移動させるZ治具駆動部43Zとで構成されており、制御部8により検査治具41を搬送テーブル5に対して相対的に位置決めしたり、検査治具41を上下方向(Z方向)に昇降させて接触子44を基板2に形成された配線パターンに対して当接させたり、離間させたりすることができるように構成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 3, the inspection jig driving mechanism 43 is connected to an X jig driving unit 43 </ b> X that moves the inspection jig 41 in the X direction with respect to the apparatus main body 1 and an X jig driving unit 43 </ b> X. Y jig driving portion 43Y for moving the inspection jig 41 in the Y direction, θ jig driving portion 43θ connected to the Y jig driving portion 43Y for rotating the inspection jig 41 around the Z axis, and θ The Z jig driving section 43Z is connected to the jig driving section 43θ and moves the inspection jig 41 in the Z direction. The control section 8 moves the inspection jig 41 relative to the transport table 5 relative to the conveyance table 5. The contactor 44 can be brought into contact with or separated from the wiring pattern formed on the substrate 2 by positioning or raising / lowering the inspection jig 41 in the vertical direction (Z direction). ing.

図4は、測定実行部74の構成の一例を説明するための概念図である。測定実行部74は、所定値(制御部8で設定された値)I0の測定用直流電流を出力する直流電流源からなる電流生成部742と、測定用直流電流によって配線パターン内に生成される電圧降下量(電位差)を測定する電圧測定部743と、検査治具41が備える複数本の接触子44の中からテスターコントローラ75(図3参照)によって選択された接触子44に電流生成部742及び電圧測定部743を接続するスイッチアレー等からなるスキャナ744とを備えている。   FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining an example of the configuration of the measurement execution unit 74. The measurement execution unit 74 is generated in the wiring pattern by a current generation unit 742 including a DC current source that outputs a measurement DC current having a predetermined value (value set by the control unit 8) I0, and the measurement DC current. A voltage measuring unit 743 that measures the amount of voltage drop (potential difference) and a current generator 742 that is selected from a plurality of contacts 44 provided in the inspection jig 41 by a tester controller 75 (see FIG. 3). And a scanner 744 composed of a switch array or the like for connecting the voltage measuring unit 743.

検査処理部741は、テスターコントローラ75からのスキャン指令に応じて、電流供給対象となる2つの接触子44間に電流生成部742を接続し、電位差検出対象となる2つの接触子44間に電圧測定部743をそれぞれ接続させるべく、スキャナ744へ制御信号を出力するものである。また、検査処理部741は、電圧測定部743で測定された電圧値(電位差)を測定用直流電流値I0で除して、2つの接触子44間(すなわち、測定点セットの間)の抵抗値を求めてテスターコントローラ75へ送信するものである。   In response to the scan command from the tester controller 75, the inspection processing unit 741 connects the current generation unit 742 between the two contacts 44 that are current supply targets, and the voltage between the two contacts 44 that are potential difference detection targets. A control signal is output to the scanner 744 to connect the measuring units 743 to each other. Further, the inspection processing unit 741 divides the voltage value (potential difference) measured by the voltage measuring unit 743 by the DC current value for measurement I0, and the resistance between the two contacts 44 (that is, between the measurement point sets). The value is obtained and transmitted to the tester controller 75.

図5は、制御部8のハードウェア構成の一例を示す構成図である。制御部8は、例えば、パーソナルコンピュータ等からなり、制御部8の全体の動作を制御する主制御部81と、外部からの操作を受け付ける図略のキーボード、マウス等からなる操作部82と、外部に音声を出力するスピーカ83と、外部に画像を出力するモニタ84と、テスターコントローラ75と通信を行う通信制御部85と、種々の情報を記録用紙に印刷するプリンタ86とがデータ伝送路であるバスBA8を介して接続されている。   FIG. 5 is a configuration diagram illustrating an example of a hardware configuration of the control unit 8. The control unit 8 includes, for example, a personal computer, and includes a main control unit 81 that controls the overall operation of the control unit 8, an operation unit 82 that includes an unillustrated keyboard and mouse that accept external operations, and an external device The data transmission path includes a speaker 83 for outputting sound, a monitor 84 for outputting an image to the outside, a communication control unit 85 for communicating with the tester controller 75, and a printer 86 for printing various information on recording paper. It is connected via the bus BA8.

主制御部81は、制御部8の全体の動作を制御するもので、情報処理部(CPU)811と、処理途中の情報等を一時的に格納するRAM812と、OS(operating system)、所定の画像情報等が予め記憶されたROM813とを備えている。   The main control unit 81 controls the overall operation of the control unit 8, and includes an information processing unit (CPU) 811, a RAM 812 that temporarily stores information during processing, an OS (operating system), a predetermined And a ROM 813 in which image information and the like are stored in advance.

RAM812またはROM813に記憶された各種データのうち装着脱可能な記録媒体に記憶され得るデータは、例えばハードディスクドライブ、光ディスクドライブ、フレキシブルディスクドライブ、シリコンディスクドライブ、カセット媒体読み取り機等のドライバで読み取り可能にしてもよく、この場合、記録媒体は、例えばハードディスク、光ディスク、フレキシブルディスク、CD、DVD、半導体メモリ等である。   Of various data stored in the RAM 812 or the ROM 813, data that can be stored in a removable recording medium can be read by a driver such as a hard disk drive, an optical disk drive, a flexible disk drive, a silicon disk drive, or a cassette medium reader. In this case, the recording medium is, for example, a hard disk, an optical disk, a flexible disk, a CD, a DVD, a semiconductor memory, or the like.

インターフェイス部821及び861は、それぞれ操作部82及びプリンタ86と主制御部81との間のデータの授受を行うためのものである。音声再生部831は、主制御部81からの指示に従って所定の音声(例えば、アラーム、操作ガイダンス用の音声等)等をスピーカ83に出力するものである。描画処理部841は、主制御部81からの画像表示指示に従って所要の画像をモニタ84に表示させるもので、ビデオRAM等を備えている。   The interface units 821 and 861 are used to exchange data between the operation unit 82 and the printer 86 and the main control unit 81, respectively. The audio reproducing unit 831 outputs predetermined audio (for example, alarm, audio for operation guidance, etc.) to the speaker 83 in accordance with an instruction from the main control unit 81. The drawing processing unit 841 displays a required image on the monitor 84 in accordance with an image display instruction from the main control unit 81, and includes a video RAM and the like.

図6は、基板2の構成の一例を示す概念図である。(a)は、配線パターン以外を透明化した斜視図であり、(b)は断面図である。基板2は、絶縁基板212の上面211に配線パターン211aが形成された第1基板21と、絶縁基板222の上面221に配線パターン221aが形成されると共に、下面223に配線パターン223aが形成された第2基板22とから構成されたビルドアップ多層(ここでは、3層)プリント配線基板(ビルドアップ基板に相当する)である。   FIG. 6 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the substrate 2. (A) is the perspective view which transparentized except the wiring pattern, (b) is sectional drawing. The substrate 2 includes a first substrate 21 having a wiring pattern 211a formed on the upper surface 211 of the insulating substrate 212, a wiring pattern 221a formed on the upper surface 221 of the insulating substrate 222, and a wiring pattern 223a formed on the lower surface 223. It is a build-up multilayer (here, three layers) printed wiring board (corresponding to a build-up board) composed of the second board 22.

配線パターン211aは、絶縁基板212に形成されたビアTH1を介して配線パターン221aと通電可能に接続され、更に、この配線パターン221aは、絶縁基板222に形成されたビアTH2を介して配線パターン223aと通電可能に接続されている。ビアTH1及びビアTH2は、ここでは、レーザによって形成されたマイクロビアであるレーザビアであって、ビアの円筒状の側面に形成された銅メッキ層と、配線パターン221a、223aとの接合面に欠陥が発生し易いが、欠陥が軽微である場合には、欠陥に伴う測定点セット間(例えば、配線パターン211a上の測定点MP1と測定点MP2との間)の抵抗値の増大が小さく、検出が困難である場合がある。   The wiring pattern 211a is connected to the wiring pattern 221a through the via TH1 formed in the insulating substrate 212 so as to be energized. Further, the wiring pattern 221a is connected to the wiring pattern 223a through the via TH2 formed in the insulating substrate 222. And connected to be energized. Here, the via TH1 and the via TH2 are laser vias, which are micro vias formed by a laser, and are defective in the bonding surface between the copper plating layer formed on the cylindrical side surface of the via and the wiring patterns 221a and 223a. However, when the defect is minor, the increase in the resistance value between the measurement point sets accompanying the defect (for example, between the measurement point MP1 and the measurement point MP2 on the wiring pattern 211a) is small, and detection is performed. May be difficult.

<第1実施形態>
次に、図7〜12を用いて、本発明の第1実施形態に係る基板検査装置について説明する。図7は、第1実施形態に係る制御部8の機能構成の一例を示す構成図である。制御部8のCPU811は、予め選択された基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値を測定する基準抵抗測定部811a(基準抵抗測定手段に相当する)と、測定点セット毎に、基準抵抗値の平均値及び標準偏差を求める統計計算部811b(統計計算手段に相当する)と、測定点セット毎に閾値を設定する閾値設定部811c(閾値設定手段に相当する)と、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定部811d(検査抵抗測定手段に相当する)と、測定点セット毎に閾値に基づいて検査抵抗値の良否を判定する判定部811e(判定手段に相当する)とを備えている。
<First Embodiment>
Next, the board | substrate inspection apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated using FIGS. FIG. 7 is a configuration diagram illustrating an example of a functional configuration of the control unit 8 according to the first embodiment. The CPU 811 of the control unit 8 includes a reference resistance measurement unit 811a (corresponding to a reference resistance measurement unit) that measures a reference resistance value that is a resistance value between measurement point sets for a preselected reference substrate, and each measurement point set. A statistical calculation unit 811b (corresponding to a statistical calculation unit) for obtaining an average value and standard deviation of the reference resistance value, a threshold setting unit 811c (corresponding to a threshold setting unit) for setting a threshold for each measurement point set, An inspection resistance measuring unit 811d (corresponding to an inspection resistance measuring means) that measures a resistance value between measurement point sets on the inspection board as an inspection resistance value, and determines whether the inspection resistance value is good or not based on a threshold value for each measurement point set. A determination unit 811e (corresponding to a determination unit).

また、制御部8のRAM812は、基準抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する基準抵抗記憶部812aと、閾値の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する閾値記憶部812bと、検査抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する検査抵抗記憶部812cとを備えている。   In addition, the RAM 812 of the control unit 8 stores a reference resistance storage unit 812a that stores the reference resistance value in association with the identification information of the measurement point set, and a threshold value that stores the threshold value in association with the identification information of the measurement point set. A storage unit 812b and a test resistance storage unit 812c that stores the value of the test resistance in association with the identification information of the measurement point set are provided.

基準抵抗測定部811aは、同一種類の複数(例えば、10000枚)の被検査基板の中から予め選択された所定数(ここでは、30枚)の被検査基板である基準基板について測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定すると共に、得られた基準抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812aに格納するものである。   The reference resistance measurement unit 811a is configured to measure a reference number of reference substrates, which are a predetermined number (30 in this case) of substrates to be inspected, selected from a plurality of (for example, 10,000) substrates of the same type between measurement point sets. As a reference resistance value, the obtained reference resistance value is stored in the reference resistance storage unit 812a in association with the identification information of the measurement point set.

具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。なお、基準基板は、同一種類の10000枚の被検査基板の中から予め導通検査を行って、検査結果が良好なものを基準基板として選択するものである。   Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value. In addition, a reference board | substrate performs a conduction | electrical_connection test beforehand from 10000 to-be-inspected board | substrates of the same kind, and selects a thing with a favorable test result as a reference board.

統計計算部811bは、所定数(ここでは、30枚)の基準基板について、測定点セット毎に、基準抵抗測定部811aによって測定された基準抵抗値を基準抵抗記憶部812aから読み出して、その平均値及び標準偏差を求めると共に、得られた平均値及び標準偏差を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812aに格納するものである。   The statistical calculation unit 811b reads the reference resistance value measured by the reference resistance measurement unit 811a from the reference resistance storage unit 812a for each measurement point set with respect to a predetermined number (here, 30) of reference substrates, and calculates the average The value and the standard deviation are obtained, and the obtained average value and standard deviation are stored in the reference resistance storage unit 812a in association with the identification information of the measurement point set.

閾値設定部811cは、測定点セットを基準抵抗値の平均値の大きさに基づいて昇順に並べ替えることによって測定点セット毎に順番号を付与し、順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値の差に基づいて閾値を設定すると共に、設定した閾値を順番号情報及び2組の測定点セットの識別情報と対応付けて閾値記憶部812bに格納するものである。具体的な閾値の設定方法については図10を用いて後述する。   The threshold value setting unit 811c assigns a sequential number to each measurement point set by rearranging the measurement point sets in ascending order based on the average value of the reference resistance values, and two measurement point sets having adjacent sequential numbers. The threshold value is set based on the difference between the average values of the reference resistance values, and the set threshold value is stored in the threshold value storage unit 812b in association with the sequential number information and the identification information of the two sets of measurement points. A specific threshold setting method will be described later with reference to FIG.

検査抵抗測定部811dは、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定すると共に、得られた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて検査抵抗記憶部812cに格納するものである。具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。   The inspection resistance measuring unit 811d measures the resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as the inspection resistance value, and associates the obtained inspection resistance value with the identification information of the measurement point set in the inspection resistance storage unit 812c. To store. Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value.

判定部811eは、順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗値を検査抵抗記憶部812cから読み出してそれらの差(以下、検査抵抗差ΔRという)を求め、閾値設定部811cによって設定された対応する閾値との大小関係に基づいて判定するものである。具体的には、順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗差ΔRが閾値設定部811cによって設定された下限値SHLA未満であるか、または、上限値SHUA超である場合に不良であると判定するものである(図8参照)。更に詳細な処理は、図12に示すフローチャートを用いて後述する。   The determination unit 811e reads out the inspection resistance values of two sets of measurement points having adjacent sequential numbers from the inspection resistance storage unit 812c, obtains a difference between them (hereinafter referred to as inspection resistance difference ΔR), and sets the threshold value setting unit 811c. The determination is made based on the magnitude relationship with the corresponding threshold value. Specifically, the test resistance difference ΔR between two measurement point sets adjacent to each other in the order number is less than the lower limit value SHLA set by the threshold value setting unit 811c, or is poor when the upper limit value SHUA is exceeded. It is determined that it exists (see FIG. 8). More detailed processing will be described later using the flowchart shown in FIG.

基準抵抗記憶部812aは、基準抵抗測定部811aによって求められた基準抵抗値と、統計計算部811bによって求められた基準抵抗値の平均値及び標準偏差とを2組の測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The reference resistance storage unit 812a uses the reference resistance value obtained by the reference resistance measurement unit 811a and the average value and standard deviation of the reference resistance value obtained by the statistical calculation unit 811b as identification information of two sets of measurement points. It is stored in association with each other.

閾値記憶部812bは、閾値設定部811cによって設定された閾値を順番号情報及び2組の測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The threshold storage unit 812b stores the threshold set by the threshold setting unit 811c in association with the sequential number information and the identification information of the two sets of measurement points.

検査抵抗記憶部812cは、検査抵抗測定部811dによって求められた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The inspection resistance storage unit 812c stores the inspection resistance value obtained by the inspection resistance measurement unit 811d in association with the identification information of the measurement point set.

なお、制御部8を、基準抵抗測定部811a、統計計算部811b等として機能させる本発明の基板検査プログラムが、例えばROM813に格納されており、CPU811によって実行されることにより、制御部8が基準抵抗測定部811a、統計計算部811b等の各機能部として機能するものである。   Note that the board inspection program of the present invention that causes the control unit 8 to function as the reference resistance measurement unit 811a, the statistical calculation unit 811b, and the like is stored in, for example, the ROM 813 and is executed by the CPU 811 so that the control unit 8 performs the reference. It functions as each functional unit such as the resistance measuring unit 811a and the statistical calculation unit 811b.

図8は、判定部811eによる検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。(a)は、検査抵抗値Rの一例を示すグラフG1であり、横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗値Rである。順番号SNは、測定点セット毎の基準抵抗値の平均値の大きさに基づいて昇順に並べ替えることによって付与されるものであり、測定点セット間の基準抵抗値の大小関係と検査抵抗値の大小関係とは略一致するものであるから、グラフG1は、概ね、順番号SNの増加に伴って検査抵抗値Rが増大する曲線となっている。   FIG. 8 is a graph for explaining a method for determining pass / fail of the inspection resistance value by the determination unit 811e. (A) is graph G1 which shows an example of test | inspection resistance value R, a horizontal axis is order number SN, and a vertical axis | shaft is test resistance value R. FIG. The sequence number SN is given by rearranging in ascending order on the basis of the average value of the reference resistance values for each measurement point set. The magnitude relationship of the reference resistance values between the measurement point sets and the inspection resistance value Therefore, the graph G1 is generally a curve in which the inspection resistance value R increases as the sequence number SN increases.

ただし、ここでは、順番号SNが「455」である測定点セット間の配線パターン内に不良箇所があり、この不良箇所に起因して、グラフG1には、この測定点セット間の検査抵抗値Rに対応する順番号SNが「455」の位置で検査抵抗値Rが急激に増大する不良箇所EPがある。なお、この不良箇所EPの抵抗値は、順番号SNが1の測定点セット間の抵抗値R1以上であり、且つ、順番号SNが最大(ここでは、「925」)の測定点セット間の抵抗値R2以下であるため、被検査基板内の全ての測定点セットに対して一定の閾値を使用する場合には検出され得ないものである。   However, here, there is a defective portion in the wiring pattern between the measurement point sets whose sequence number SN is “455”, and due to this defective portion, the inspection resistance value between the measurement point sets is shown in the graph G1. There is a defective portion EP where the inspection resistance value R increases rapidly at the position where the sequence number SN corresponding to R is “455”. The resistance value of the defective portion EP is equal to or greater than the resistance value R1 between the measurement point sets having the sequence number SN of 1, and between the measurement point sets having the maximum sequence number SN (here, “925”). Since it is equal to or less than the resistance value R2, it cannot be detected when a certain threshold is used for all measurement point sets in the substrate to be inspected.

(b)は、(a)に示す検査抵抗値Rに対応する、順番号が隣接する2組の測定点セットのグラフG2である。図の横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗差ΔRである。ここで、検査抵抗差ΔRについて図9を用いて説明する。図9は、検査抵抗差ΔRの説明図である。図の横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗値Rである。検査抵抗差ΔRiは次の(1)式で定義される順番号SNが隣接する(ここでは、順番号SNがi、(i+1)である)2組の測定点セットの検査抵抗値Rの差である。
ΔRi=R(i+1)−Ri (1)
ただし、Riは順番号SNがiである測定点セットの検査抵抗値Rである。なお、i=1〜925である。
(B) is a graph G2 of two sets of measurement points with adjacent sequential numbers corresponding to the inspection resistance value R shown in (a). The horizontal axis in the figure is the sequence number SN, and the vertical axis is the inspection resistance difference ΔR. Here, the inspection resistance difference ΔR will be described with reference to FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram of the inspection resistance difference ΔR. The horizontal axis in the figure is the sequence number SN, and the vertical axis is the inspection resistance value R. The inspection resistance difference ΔRi is the difference between the inspection resistance values R of two measurement point sets adjacent to each other in the order number SN defined by the following equation (1) (here, the order numbers SN are i and (i + 1)). It is.
ΔRi = R (i + 1) −Ri (1)
However, Ri is the inspection resistance value R of the measurement point set whose sequence number SN is i. Note that i = 1 to 925.

再び、図8(b)に戻って、上述のように順番号SNの増加に伴って検査抵抗値Rが概ね増大するため、検査抵抗差ΔRは、グラフG2に示すように、通常、微小な正の値(例えば、1mΩ程度)となる。ただし、順番号SNが「455」の位置で検査抵抗値Rが急激に増大する不良箇所EPが存在するため、検査抵抗差ΔRiの内、iが「454」である検査抵抗差ΔRiが他の点の検査抵抗差ΔRiとは桁違いの大きな値(例えば、10mΩ程度)となり、iが「455」である検査抵抗差ΔRiが他の点の検査抵抗差ΔRiとは桁違いの小さな値(例えば、−10mΩ程度)となる。従って、閾値(図8のグラフG3で示す上限値、及び、グラフG4で示す下限値)を適正値(例えば、3mΩ及び−2mΩ)に設定することによって、不良箇所EPを正確に検出することが可能となるのである。   Again, referring back to FIG. 8B, the inspection resistance value R generally increases with the increase of the sequence number SN as described above. Therefore, the inspection resistance difference ΔR is usually small as shown in the graph G2. It becomes a positive value (for example, about 1 mΩ). However, since there is a defective portion EP where the inspection resistance value R increases rapidly at the position where the sequence number SN is “455”, the inspection resistance difference ΔRi where i is “454” is the other of the inspection resistance differences ΔRi. The inspection resistance difference ΔRi at a point is an extremely large value (for example, about 10 mΩ), and the inspection resistance difference ΔRi where i is “455” is an order of magnitude smaller than the inspection resistance difference ΔRi at another point (for example, -10 mΩ). Therefore, by setting the threshold values (the upper limit value indicated by the graph G3 in FIG. 8 and the lower limit value indicated by the graph G4) to appropriate values (for example, 3 mΩ and −2 mΩ), the defective portion EP can be accurately detected. It becomes possible.

図10は、閾値の算出方法の一例を説明する図表である。(a)は、統計計算部811bによって算出される平均値AV及び標準偏差σを示す図表であり、(b)は、閾値設定部811cによって算出される閾値(上限値SHUA及び下限値SHLA)を示す図表である。(a)には、上欄から順に、測定点セットの番号(以下、ポイント番号PNという)と、ポイント番号PNに対応する測定点セットについて、基準抵抗測定部811aによって測定された基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σと、閾値設定部811cによって各測定点セットに付与される順番号SNが表示されている。   FIG. 10 is a chart for explaining an example of a threshold value calculation method. (A) is a chart showing the average value AV and the standard deviation σ calculated by the statistical calculation unit 811b, and (b) shows the threshold values (upper limit value SHUA and lower limit value SHLA) calculated by the threshold value setting unit 811c. It is a chart shown. (A) shows the reference resistance values measured by the reference resistance measuring unit 811a for the measurement point set number (hereinafter referred to as the point number PN) and the measurement point set corresponding to the point number PN in order from the top column. The average value AV and the standard deviation σ, and the sequence number SN assigned to each measurement point set by the threshold setting unit 811c are displayed.

ここでは、ポイント番号PNがiの測定点セットの平均値AViが最小であり、このポイント番号PN(=i)に対応する順番号SNが1となっている。また、ポイント番号PNがjの測定点セットの平均値AVjが2番目に小さく、このポイント番号PN(=j)に対応する順番号SNが2となっている。   Here, the average value AVi of the measurement point set with the point number PN i is the smallest, and the sequence number SN corresponding to this point number PN (= i) is 1. The average value AVj of the measurement point set with the point number PN j is the second smallest, and the order number SN corresponding to this point number PN (= j) is 2.

(b)には、上欄から順に、順番号SN、平均値AV、標準偏差σが表示され、(a)に示すデータを順番号SNでソート(並び替え)した結果を示している。上述のように、順番号SNが1及び2の測定点セットのポイント番号PNはそれぞれi及びjである。ここで、順番号SNがn及び(n+1)の測定点セットのポイント番号PNを、それぞれp及びqとしている。(b)の上から4番目のポイント番号PNの欄の下側には、閾値設定部811cによって設定される上限値SHUA及び下限値SHLAが表示されている。また、欄外に示すように、順番号SNがn及び(n+1)の測定点セットから設定される上限値SHUAn及び下限値SHLAnは、それぞれ次の(2)、(3)式で求められる。
SHUAn=(AVq−AVp)+3×(σp+σq)/2 (2)
SHLAn=(AVq−AVp)−3×(σp+σq)/2 (3)
図11は、制御部8の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図2に示す基板載置部51上に、検査される対象の基板2が載置される前に、基板2を検査する準備動作として実行されるものである。
In (b), the order number SN, the average value AV, and the standard deviation σ are displayed in order from the top column, and the result of sorting (rearranging) the data shown in (a) by the order number SN is shown. As described above, the point numbers PN of the measurement point sets whose sequence numbers SN are 1 and 2 are i and j, respectively. Here, the point numbers PN of the measurement point sets with the order numbers SN of n and (n + 1) are p and q, respectively. The upper limit SHUA and the lower limit SHLA set by the threshold setting unit 811c are displayed below the fourth point number PN column from the top in (b). Moreover, as shown in the margin, the upper limit value SHUAn and the lower limit value SHLAn set from the measurement point set having the sequence numbers SN of n and (n + 1) are obtained by the following equations (2) and (3), respectively.
SHUAn = (AVq−AVp) + 3 × (σp + σq) / 2 (2)
SHLAn = (AVq−AVp) −3 × (σp + σq) / 2 (3)
FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of the operation up to the threshold setting of the control unit 8. This operation is executed as a preparatory operation for inspecting the substrate 2 before the substrate 2 to be inspected is placed on the substrate platform 51 shown in FIG.

まず、基準抵抗測定部811aによって、30枚の基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値SRi,j(i=1〜N、j=1〜M、N:測定点セットの個数(ここでは、N=925)、M:基準基板の枚数(ここでは、M=30))が測定され、測定点セットの識別情報(ここでは、ポイント番号PN)と対応付けて基準抵抗記憶部812aに格納される(ステップS101)。次に、統計計算部811bによって、測定点セット毎に基準抵抗値SRi,jの平均値AVi及び標準偏差σiが求められ、測定点セットの識別情報(ここでは、ポイント番号PN)と対応付けて基準抵抗記憶部812aに格納される(ステップS103)。   First, the reference resistance measurement unit 811a makes reference resistance values SRi, j (i = 1 to N, j = 1 to M, N: number of measurement point sets) which are resistance values between the measurement point sets for 30 reference substrates. (Here, N = 925), M: number of reference substrates (here, M = 30)) is measured and associated with identification information (here, point number PN) of the measurement point set, and a reference resistance storage unit It is stored in 812a (step S101). Next, an average value AVi and standard deviation σi of the reference resistance value SRi, j is obtained for each measurement point set by the statistical calculation unit 811b, and is associated with the measurement point set identification information (here, the point number PN). It is stored in the reference resistance storage unit 812a (step S103).

そして、閾値設定部811cによって、基準抵抗値SRi,jの平均値AViの大きさに基づいて昇順に(すなわち、平均値AViの小さい順に)並べ替えることによって測定点セット毎に順番号SNが付与される(ステップS105)。次に、閾値設定部811cによって、順番号SNが隣接する2組の測定点セット(ここでは、順番号SNがn及び(n+1)の測定点セット)の基準抵抗値SRi,jの平均値AVi及び標準偏差σiを用いて(上述の(2)、(3)式によって)、検査抵抗差ΔRnに対する上限値SHUAn及び下限値SHLAnが設定され(図10参照)、上限値SHUAn及び下限値SHLAnが順番号SN情報及び2組の測定点セットの識別情報(ポイント番号PN)と対応付けて閾値記憶部812bに格納され(ステップS107)、処理が終了される。   Then, the threshold value setting unit 811c assigns a sequence number SN to each measurement point set by rearranging in ascending order (that is, in order of decreasing average value AVi) based on the magnitude of the average value AVi of the reference resistance values SRi, j. (Step S105). Next, the threshold value setting unit 811c causes the average value AVi of the reference resistance values SRi, j of two measurement point sets adjacent to each other with the sequence number SN (here, the sequence number SN is a measurement point set with n and (n + 1)). And the standard deviation σi (according to the above-described equations (2) and (3)), the upper limit value SHUAn and the lower limit value SHLAn for the inspection resistance difference ΔRn are set (see FIG. 10), and the upper limit value SHUAn and the lower limit value SHLAn The sequential number SN information and the identification information (point number PN) of the two sets of measurement points are associated with each other and stored in the threshold value storage unit 812b (step S107), and the process ends.

図12は、制御部8の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図11に示す動作が完了し、図2に示す基板載置部51上に検査される対象の基板2が載置された状態で実行されるものである。なお、以下の処理は、特に明示しない限り、判定部811eによって行われる。   FIG. 12 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit 8 when executing the inspection. This operation is executed in a state where the operation shown in FIG. 11 is completed and the substrate 2 to be inspected is placed on the substrate placement portion 51 shown in FIG. The following processing is performed by the determination unit 811e unless otherwise specified.

まず、順番号SKのカウンタkの値が1に初期化される(ステップS201)。そして、閾値記憶部812bを参照して、順番号SKの値がカウンタkの値である(すなわち、基準抵抗値の平均値AVが小さい方からk番目の)測定点セットのポイント番号PNkが求められる(ステップS203)。つぎに、検査抵抗測定部811dによって、ポイント番号PNkの測定点セットの抵抗値Rkが測定されて、ポイント番号PNkと対応付けて検査抵抗記憶部812cに格納される(ステップS205)。次いで、カウンタkの値が1であるか否かの判定が行われる(ステップS207)。   First, the value of the counter k of the sequence number SK is initialized to 1 (step S201). Then, referring to the threshold value storage unit 812b, the point number PNk of the measurement point set in which the value of the sequence number SK is the value of the counter k (that is, the kth from the smaller average value AV of the reference resistance value) is obtained. (Step S203). Next, the resistance value Rk of the measurement point set of the point number PNk is measured by the inspection resistance measuring unit 811d and stored in the inspection resistance storage unit 812c in association with the point number PNk (step S205). Next, it is determined whether or not the value of the counter k is 1 (step S207).

カウンタkの値が1である場合(ステップS207でYES)には、カウンタkの値が1だけインクリメントされて(ステップS209)、処理がステップS203に戻され、ステップS203以降の処理が繰り返し実行される。カウンタkの値が1ではない(すなわち、2以上である)場合(ステップS207でNO)には、順番号SKが隣接する(ここでは、順番号SKがk及び(k−1)である)2組の測定点セットの検査抵抗値Rk、R(k−1)が検査抵抗記憶部812cから読み出されて、次の(4)式を用いて検査抵抗差ΔRkが求められる(ステップS211)。
ΔRk=Rk−R(k−1) (4)
When the value of the counter k is 1 (YES in step S207), the value of the counter k is incremented by 1 (step S209), the process is returned to step S203, and the processes after step S203 are repeatedly executed. The When the value of the counter k is not 1 (that is, 2 or more) (NO in step S207), the sequence numbers SK are adjacent (here, the sequence numbers SK are k and (k-1)). The inspection resistance values Rk and R (k−1) of the two measurement point sets are read from the inspection resistance storage unit 812c, and the inspection resistance difference ΔRk is obtained using the following equation (4) (step S211). .
ΔRk = Rk−R (k−1) (4)

そして、検査抵抗差ΔRkが、図11に示すフローチャートのステップS107で求められた下限値SHUA(k−1)以上、且つ、上限値SHLA(k−1)以下であるか否かの判定が行われる(ステップS213)。検査抵抗差ΔRkが、下限値SHLA(k−1)以上、且つ、上限値SHUA(k−1)以下ではない(すなわち、下限値SHLA(k−1)未満、または、上限値SHUA(k−1)超である)と判定された場合(ステップS213でNO)には、ポイント番号PN(k−1)に対応する測定点セット間の配線パターン(または、ビア)が不良であると判定され(ステップS221)、処理が終了される。   Then, it is determined whether or not the inspection resistance difference ΔRk is not less than the lower limit value SHUA (k−1) obtained in step S107 of the flowchart shown in FIG. 11 and not more than the upper limit value SHLA (k−1). (Step S213). The inspection resistance difference ΔRk is not less than the lower limit value SHLA (k−1) and not more than the upper limit value SHUA (k−1) (that is, less than the lower limit value SHLA (k−1) or the upper limit value SHUA (k−). 1) is over (NO in step S213), it is determined that the wiring pattern (or via) between the measurement point sets corresponding to the point number PN (k-1) is defective. (Step S221), the process ends.

一方、検査抵抗差ΔRkが、下限値SHLA(k−1)以上、且つ、上限値SHUA(k−1)以下であると判定された場合(ステップS213でYES)には、カウンタkの値が測定点セットの個数N以上か否かの判定が行われる(ステップS215)。カウンタkの値が測定点セットの個数N以上ではない(すなわち、測定点セットの個数N未満である)と判定された場合(ステップS215でNO)には、カウンタkの値が1だけインクリメントされて(ステップS217)、処理がステップS203に戻され、ステップS203以降の処理が繰り返し実行される。一方、カウンタkの値が測定点セットの個数N以上であると判定された場合(ステップS215でYES)には、基板2の導通状態は良好であると判定されて(ステップS219)、処理が終了される。   On the other hand, when it is determined that the inspection resistance difference ΔRk is not less than the lower limit value SHLA (k−1) and not more than the upper limit value SHUA (k−1) (YES in step S213), the value of the counter k is It is determined whether or not the number N of measurement point sets is greater than or equal to N (step S215). When it is determined that the value of the counter k is not greater than or equal to the number N of measurement point sets (that is, less than the number N of measurement point sets) (NO in step S215), the value of the counter k is incremented by 1. (Step S217), the process returns to Step S203, and the processes after Step S203 are repeatedly executed. On the other hand, when it is determined that the value of the counter k is equal to or greater than the number N of measurement point sets (YES in step S215), it is determined that the conductive state of the substrate 2 is good (step S219), and the process is performed. Is terminated.

このようにして、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値Rkの良否が、測定点セット毎に設定された上限値SHUA(k−1)及び下限値SHLA(k−1)に基づいて判定されるため、上限値SHUA(k−1)及び下限値SHLA(k−1)を測定点セット毎に適切な値に設定することにより、検査抵抗値Rkの良否が正確に判定される。   Thus, the quality of the inspection resistance value Rk, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the upper limit value SHUA (k-1) and the lower limit value SHLA (k-1) set for each measurement point set. Therefore, the quality of the inspection resistance value Rk is accurately determined by setting the upper limit value SHUA (k-1) and the lower limit value SHLA (k-1) to appropriate values for each measurement point set.

また、2組の測定点セットの検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkが、対応する上限値SHUA(k−1)及び下限値SHLA(k−1)に基づいて判定されるため、測定点セット毎に検査抵抗値Rkを判定する場合と比較して、被検査基板2毎の製造条件、及び、被検査基板2毎の検査抵抗値Rkの測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値Rkの良否が更に正確に判定される。   Further, the difference ΔRk between the inspection resistance values Rk and R (k−1) of the two measurement point sets is determined based on the corresponding upper limit value SHUA (k−1) and lower limit value SHLA (k−1). Therefore, compared with the case where the inspection resistance value Rk is determined for each measurement point set, the difference between the manufacturing condition for each substrate to be inspected 2 and the measurement condition for the inspection resistance value Rk for each substrate to be inspected 2 is offset. Thus, the quality of the inspection resistance value Rk is determined more accurately.

例えば、基板2は製造条件によって配線パターンの幅の広狭のバラツキが発生し、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に大きい場合(配線パターンの幅が狭い場合)と、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に小さい場合(配線パターンの幅が広い場合)とがあるが、検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkが判定されるため、検査抵抗値Rkの絶対値の変動の影響が抑制されるのである。   For example, the width of the wiring pattern in the substrate 2 varies depending on the manufacturing conditions, and even when there is no defective portion, the inspection resistance value Rk is large in the substrate 2 (the width of the wiring pattern is large). The inspection resistance value Rk is generally small in the substrate 2 (when the width of the wiring pattern is wide), but the difference ΔRk between the inspection resistance values Rk and R (k−1) is determined. Therefore, the influence of the fluctuation of the absolute value of the inspection resistance value Rk is suppressed.

同様に、基板2は測定条件によって、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に高い場合(例えば、基板2の表面温度が高い場合)と、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に低い場合(例えば、基板2の表面温度が低い場合)とがあるが、検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkが判定されるため、検査抵抗値Rkの絶対値の変動の影響が抑制されるのである。   Similarly, even if the substrate 2 has no defective portion depending on measurement conditions, the inspection resistance value Rk is generally high in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is high), and the inspection resistance Although the value Rk may be generally low in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is low), the difference ΔRk between the inspection resistance values Rk and R (k−1) is determined. The influence of the change in the absolute value of the resistance value Rk is suppressed.

更に、順番号SKが隣接する(すなわち、基準抵抗値SRの大きさが隣接する)2つの測定点セットの検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkが、対応する上限値SHUA(k−1)及び下限値SHLA(k−1)に基づいて判定されるため、被検査基板2毎の製造条件、及び、被検査基板2毎の検査抵抗値Rkの測定条件の差が更に相殺されることによって、検査抵抗値Rkの良否が更に正確に判定される。   Further, the difference ΔRk between the inspection resistance values Rk and R (k−1) of two measurement point sets adjacent to each other with the sequential number SK (that is, the reference resistance value SR is adjacent) corresponds to the corresponding upper limit value SHUA ( k−1) and the lower limit value SHLA (k−1), so that the difference between the manufacturing conditions for each substrate 2 to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value Rk for each substrate 2 to be inspected is further offset. As a result, the quality of the inspection resistance value Rk is more accurately determined.

すなわち、被検査基板2と同種の基板であって、導通状態の良好な基板である基準基板の基準抵抗値SRの平均値AVの大きさの順である順番号SKが隣接する2つの測定点セットは、本来的に、抵抗値が同程度の大きさの測定点セットであるから、対応する検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkの絶対値が小さくなるため、更に正確に判定されるのである。   That is, two measurement points adjacent to each other by a sequence number SK that is the same as the substrate 2 to be inspected and in the order of the average value AV of the reference resistance value SR of the reference substrate that is a good conductive state substrate. Since the set is essentially a measurement point set having the same resistance value, the absolute value of the difference ΔRk between the corresponding inspection resistance values Rk and R (k−1) becomes small, so that it is more accurate. It is judged.

加えて、順番号SKが隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値SRの平均値AV及び標準偏差σに基づいて(上述の(2)式及び(3)式を参照)、上限値SHUAn及び下限値SHLAnが設定されるため、適切な上限値SHUAn及び下限値SHLAnが容易に設定される。   In addition, based on the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value SR of the two measurement point sets adjacent to each other with the sequence number SK (see the above formulas (2) and (3)), the upper limit value SHUAn Since the lower limit value SHLAn is set, appropriate upper limit value SHUAn and lower limit value SHLAn are easily set.

また、検査抵抗値Rkが測定される度に、検査抵抗値Rk、R(k−1)の差ΔRkの良否が判定されて、不良が発生した時点で検査抵抗値Rkの測定が中止されるため、特に不良が発生する頻度が高い場合には、基板2の検査が効率的に行われる。   Further, every time the inspection resistance value Rk is measured, the quality of the difference ΔRk between the inspection resistance values Rk and R (k−1) is determined, and the measurement of the inspection resistance value Rk is stopped when a defect occurs. Therefore, when the frequency of occurrence of defects is particularly high, the substrate 2 is efficiently inspected.

なお、本発明は以下の形態をとることができる。   In addition, this invention can take the following forms.

(A)第1実施形態においては、閾値設定部811cが、所定数(ここでは、30枚)の基準基板の基準抵抗値の平均値AVの大きさに基づいて測定点セット毎に順番号SNを付与する場合について説明したが、その他のルールに則って順番号SNを付与する形態でもよい。例えば、基板2の検査抵抗値Rの測定が行われる測定点セットの順番を順番号SNとして付与する形態でもよい。この場合には、基準抵抗値の平均値AV等を求める処理が不要となり、処理が簡略化される。   (A) In the first embodiment, the threshold value setting unit 811c has a sequential number SN for each measurement point set based on the average value AV of the reference resistance values of a predetermined number (here, 30) of reference substrates. However, the order number SN may be assigned according to other rules. For example, the form of assigning the order of the measurement point set where the test resistance value R of the substrate 2 is measured as the sequence number SN may be used. In this case, the process for obtaining the average value AV of the reference resistance value is not necessary, and the process is simplified.

(B)第1実施形態においては、閾値設定部811cが、30枚の基準基板の基準抵抗値の平均値AVの小さい順に測定点セット毎に順番号SNを付与する場合について説明したが、基準基板の枚数は30枚に限定されるものではなく何枚でもよく(基準基板の枚数が1枚である場合には、平均値を求める処理が不要となる)、また、基準抵抗値の平均値AVの小さい順(昇順)ではなく大きい順(降順)に順番号SNを付与する形態でもよい。   (B) In the first embodiment, the case where the threshold setting unit 811c assigns the sequence number SN to each measurement point set in ascending order of the average value AV of the reference resistance values of the 30 reference substrates has been described. The number of substrates is not limited to 30 and may be any number (if the number of reference substrates is 1, the processing for obtaining the average value is not required), and the average value of the reference resistance values A form in which the sequence numbers SN are assigned in the order of descending order (descending order) instead of the order of increasing AV (ascending order) may be used.

(C)第1実施形態においては、閾値設定部811cが、下限値SHLA及び上限値SHUAを設定する場合について説明したが、下限値SHLA及び上限値SHUAの少なくとも一方を設定する形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (C) In the first embodiment, the case in which the threshold setting unit 811c sets the lower limit SHLA and the upper limit SHUA has been described. However, at least one of the lower limit SHLA and the upper limit SHUA may be set. In this case, the process is simplified.

(D)第1実施形態においては、閾値設定部811cが、下限値SHLA及び上限値SHUAを、基準基板の基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σに基づいて設定する場合について説明したが、平均値AV及び標準偏差σの少なくとも一方に基づいて設定する形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (D) In the first embodiment, the case where the threshold setting unit 811c sets the lower limit SHLA and the upper limit SHUA based on the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference board has been described. It may be configured to set based on at least one of the average value AV and the standard deviation σ. In this case, the process is simplified.

(E)第1実施形態においては、閾値設定部811cが、基準基板の基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σに関する上述の式(2)及び式(3)を用いて下限値SHLA及び上限値SHUAを設定する場合について説明したが、その他の式を用いて設定する形態でもよいし、その他の区分テーブル等を介して設定する形態でもよい。   (E) In the first embodiment, the threshold value setting unit 811c uses the above-described equations (2) and (3) regarding the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference substrate to set the lower limit value SHLA and the upper limit value. Although the case where the value SHUA is set has been described, it may be set using other formulas or may be set via other sorting tables.

例えば、2つの測定点セットの基準抵抗値の平均値AVである平均値AVp、AVqを所定の大きさ(例えば、2mΩ)の間隔で区分して区分毎に下限値SHLA及び上限値SHUAが格納されたテーブル(ルックアップテーブル)を予め設定しておき、平均値AVp、AVq及びこのテーブルに基づいて、下限値SHLA及び上限値SHUAを設定する形態でもよい。   For example, average values AVp and AVq, which are average values AV of reference resistance values of two measurement point sets, are divided at intervals of a predetermined size (for example, 2 mΩ), and a lower limit value SHLA and an upper limit value SHUA are stored for each division. The table (look-up table) may be set in advance, and the lower limit value SHLA and the upper limit value SHUA may be set based on the average values AVp and AVq and this table.

<第2実施形態>
次に、図13〜16を用いて、本発明の第2実施形態に係る基板検査装置について説明する。なお、図1〜図6を用いて説明した構成は、第1実施形態と同様であるのでその説明を省略する。図13は、第2実施形態に係る制御部8の機能構成の一例を示す構成図である。制御部8のCPU811は、予め選択された基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値を測定する基準抵抗測定部811f(基準抵抗測定手段に相当する)と、基準基板の1枚当りの基準抵抗値の総和を求める基準総和算出部811g(基準総和算出手段に相当する)と、測定点セット毎に、基準抵抗値の平均値及び標準偏差を求める統計計算部811h(統計計算手段に相当する)と、測定点セット毎に閾値を設定する閾値設定部811i(閾値設定手段に相当する)と、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定部811j(検査抵抗測定手段に相当する)と、被検査基板毎に検査抵抗値の総和を求める検査総和算出部811k(検査総和算出手段に相当する)と、測定点セット毎に閾値に基づいて検査抵抗値の良否を判定する判定部811m(判定手段に相当する)とを備えている。
Second Embodiment
Next, the board | substrate inspection apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated using FIGS. The configuration described with reference to FIGS. 1 to 6 is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. FIG. 13 is a configuration diagram illustrating an example of a functional configuration of the control unit 8 according to the second embodiment. The CPU 811 of the control unit 8 includes a reference resistance measuring unit 811f (corresponding to a reference resistance measuring unit) that measures a reference resistance value that is a resistance value between measurement point sets for a preselected reference board, and one reference board. A reference sum calculation unit 811g (corresponding to a reference sum calculation unit) for calculating the sum of the reference resistance values per unit, and a statistical calculation unit 811h (statistic calculation unit) for calculating an average value and standard deviation of the reference resistance values for each measurement point set , A threshold setting unit 811i (corresponding to a threshold setting means) for setting a threshold for each measurement point set, and an inspection resistance measurement for measuring a resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as an inspection resistance value Unit 811j (corresponding to inspection resistance measuring means), an inspection sum calculating part 811k (corresponding to inspection sum calculating means) for obtaining the sum of inspection resistance values for each substrate to be inspected, and each measurement point set And a quality a determination unit 811m of the test resistance (corresponding to the determining means) based on a threshold.

また、制御部8のRAM812は、基準抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する基準抵抗記憶部812fと、閾値の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する閾値記憶部812gと、検査抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する検査抵抗記憶部812hとを備えている。   The RAM 812 of the control unit 8 stores a reference resistance storage unit 812f that stores a reference resistance value in association with measurement point set identification information, and a threshold value that stores a threshold value in association with measurement point set identification information. A storage unit 812g and a test resistance storage unit 812h that stores the value of the test resistance in association with the identification information of the measurement point set are provided.

基準抵抗測定部811fは、同一種類の複数(例えば、10000枚)の被検査基板の中から予め選択された所定数(ここでは、30枚)の被検査基板である基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値を測定すると共に、得られた基準抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812fに格納するものである。   The reference resistance measuring unit 811f performs measurement point set measurement on a reference substrate that is a predetermined number (30 in this case) of substrates to be inspected selected from a plurality (for example, 10,000) of substrates of the same type. The reference resistance value that is the resistance value of the measurement point is measured, and the obtained reference resistance value is associated with the identification information of the measurement point set and stored in the reference resistance storage unit 812f.

具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。なお、基準基板は、同一種類の10000枚の被検査基板の中から予め導通検査を行って、検査結果が良好なものを基準基板として選択するものである。   Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value. In addition, a reference board | substrate performs a conduction | electrical_connection test beforehand from 10000 to-be-inspected board | substrates of the same kind, and selects a thing with a favorable test result as a reference board.

基準総和算出部811gは、基準抵抗測定部811fによって測定された基準抵抗値について、基準基板の1枚当りの基準抵抗値の総和を求め、基準抵抗記憶部812fに格納するものである。具体的には、30枚の基準基板について、全ての基準基板の基準抵抗値の総和を求め、基準基板の枚数である30で除することによって1枚当りの基準抵抗値の総和を求めるものである。   The reference sum calculation unit 811g calculates the sum of the reference resistance values per one reference substrate for the reference resistance value measured by the reference resistance measurement unit 811f, and stores the sum in the reference resistance storage unit 812f. Specifically, with respect to 30 reference boards, the sum of the reference resistance values of all the reference boards is obtained, and the sum of the reference resistance values per board is obtained by dividing by 30 which is the number of reference boards. is there.

統計計算部811hは、所定数(ここでは、30枚)の基準基板について、測定点セット毎に、基準抵抗測定部811fによって測定された基準抵抗値を基準抵抗記憶部812fから読み出して、その平均値及び標準偏差を求めると共に、得られた平均値及び標準偏差を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812fに格納するものである。   The statistical calculation unit 811h reads the reference resistance value measured by the reference resistance measurement unit 811f from the reference resistance storage unit 812f for each measurement point set with respect to a predetermined number (here, 30) of reference substrates, and calculates the average The value and the standard deviation are obtained, and the obtained average value and standard deviation are stored in the reference resistance storage unit 812f in association with the identification information of the measurement point set.

閾値設定部811iは、測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差に基づいて閾値を設定すると共に、設定した閾値を測定点セットの識別情報と対応付けて閾値記憶部812gに格納するものである。具体的には、測定点セットの基準抵抗値SRi(i=1〜N、N:測定点セットの個数)の平均値AVi及び標準偏差σiを用いて、次の(5)、(6)式によって、それぞれ上限値SHUBi、下限値SHLBiを求めるものである(図15参照)。
SHUBi=AVi+3×σi (5)
SHLBi=AVi−3×σi (6)
The threshold value setting unit 811i sets a threshold value based on the average value and standard deviation of the reference resistance values of the measurement point set, and stores the set threshold value in association with the identification information of the measurement point set in the threshold value storage unit 812g. It is. Specifically, using the average value AVi and standard deviation σi of the reference resistance values SRi (i = 1 to N, N: number of measurement point sets) of the measurement point set, the following equations (5) and (6) To obtain the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi, respectively (see FIG. 15).
SHUBi = AVi + 3 × σi (5)
SHLBi = AVi−3 × σi (6)

検査抵抗測定部811jは、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定すると共に、得られた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて検査抵抗記憶部812hに格納するものである。具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。   The inspection resistance measuring unit 811j measures the resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as the inspection resistance value, and associates the obtained inspection resistance value with the identification information of the measurement point set in the inspection resistance storage unit 812h. To store. Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value.

検査総和算出部811kは、検査抵抗測定部811jによって測定された検査抵抗値について、被検査基板の1枚当りの検査抵抗値の総和を求め、検査抵抗記憶部812hに格納するものである。   The inspection total calculation unit 811k calculates the total of the inspection resistance values per one board to be inspected for the inspection resistance values measured by the inspection resistance measuring unit 811j, and stores the total in the inspection resistance storage unit 812h.

判定部811mは、測定点セットの検査抵抗値Rk(k=1〜N)を検査抵抗記憶部812hから読み出して、検査抵抗値Rkを、検査総和算出部811kによって求められた検査抵抗値の総和TMと基準総和算出部811gによって求められた基準抵抗値の総和SMとを用いて下記の(7)式によって補正して補正抵抗値RNkを求め、補正抵抗値RNkと、閾値設定部811iによって設定された対応する上限値SHUBk、下限値SHLBkとの大小関係に基づいて良否を判定するものである。具体的には、測定点セットの補正抵抗値RNkが閾値設定部811iによって設定された下限値SHLBk未満であるか、または、上限値SHUBk超である場合に不良であると判定するものである(図14参照)。更に詳細な処理は、図16に示すフローチャートを用いて後述する。
RNk=Rk×(SM/TM) (7)
The determination unit 811m reads the inspection resistance value Rk (k = 1 to N) of the measurement point set from the inspection resistance storage unit 812h, and the inspection resistance value Rk is the sum of the inspection resistance values obtained by the inspection total calculation unit 811k. The correction resistance value RNk is obtained by correction by the following equation (7) using TM and the total sum SM of the reference resistance values obtained by the reference sum calculation unit 811g, and is set by the correction resistance value RNk and the threshold setting unit 811i. The quality is judged based on the magnitude relationship between the corresponding upper limit value SHUBk and lower limit value SHLBk. Specifically, when the correction resistance value RNk of the measurement point set is less than the lower limit value SHLBk set by the threshold setting unit 811i or exceeds the upper limit value SHUBk, it is determined that the measurement point set is defective ( (See FIG. 14). Further detailed processing will be described later with reference to the flowchart shown in FIG.
RNk = Rk × (SM / TM) (7)

基準抵抗記憶部812fは、基準抵抗測定部811fによって求められた基準抵抗値と、統計計算部811hによって求められた基準抵抗値の平均値及び標準偏差とを測定点セットの識別情報と対応付けて格納すると共に、基準総和算出部811gによって求められた基準抵抗値の総和を格納するものである。   The reference resistance storage unit 812f associates the reference resistance value obtained by the reference resistance measurement unit 811f and the average value and standard deviation of the reference resistance value obtained by the statistical calculation unit 811h with the identification information of the measurement point set. In addition to storing, the total sum of the reference resistance values obtained by the reference sum calculation unit 811g is stored.

閾値記憶部812gは、閾値設定部811iによって設定された閾値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The threshold storage unit 812g stores the threshold set by the threshold setting unit 811i in association with the identification information of the measurement point set.

検査抵抗記憶部812hは、検査抵抗測定部811jによって求められた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納すると共に、検査総和算出部811kによって求められた検査抵抗値の総和を格納するものである。   The inspection resistance storage unit 812h stores the inspection resistance value obtained by the inspection resistance measurement unit 811j in association with the identification information of the measurement point set, and stores the sum of the inspection resistance values obtained by the inspection sum calculation unit 811k. To do.

なお、制御部8を、基準抵抗測定部811f、統計計算部811h等として機能させる本発明の基板検査プログラムが、例えばROM813に格納されており、CPU811によって実行されることにより、制御部8が基準抵抗測定部811f、統計計算部811h等の各機能部として機能するものである。   Note that the board inspection program of the present invention that causes the control unit 8 to function as the reference resistance measurement unit 811f, the statistical calculation unit 811h, and the like is stored in the ROM 813, for example, and is executed by the CPU 811 so that the control unit 8 can It functions as each functional unit such as a resistance measuring unit 811f and a statistical calculation unit 811h.

図14は、判定部811mによる検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。この図は、検査抵抗値Rを補正して得られた補正抵抗値RNの一例を示すグラフG1Nであり、横軸が順番号SNであり、縦軸が補正抵抗値RNである。ここで、順番号SNとは、測定点セット毎の基準抵抗値の平均値の大きさに基づいて昇順に並べ替えることによって付与されるものであり、測定点セット間の基準抵抗値の大小関係と検査抵抗値の大小関係とは略一致するものであるから、グラフG1Nは、概ね、順番号SNの増加に伴って検査抵抗値Rが増大する曲線となっている。   FIG. 14 is a graph for explaining a method for determining pass / fail of the inspection resistance value by the determination unit 811m. This figure is a graph G1N showing an example of the corrected resistance value RN obtained by correcting the inspection resistance value R, where the horizontal axis is the sequence number SN and the vertical axis is the corrected resistance value RN. Here, the order number SN is given by rearranging in ascending order based on the average value of the reference resistance values for each measurement point set, and the magnitude relationship of the reference resistance values between the measurement point sets. Therefore, the graph G1N is generally a curve in which the inspection resistance value R increases as the sequence number SN increases.

ただし、ここでは、順番号SNが「455」である測定点セット間の配線パターン内に不良箇所があり、この不良箇所に起因して、グラフG1Nには、この測定点セット間の検査抵抗値Rに対応する順番号SNが「455」の位置で補正抵抗値RNが急激に増大する不良箇所EPがある。なお、この不良箇所EPの抵抗値は、順番号SNが1の測定点セット間の補正抵抗値R1N以上であり、且つ、順番号SNが最大(ここでは、「925」)の測定点セット間の補正抵抗値R2N以下であるため、被検査基板内の全ての測定点セットに対して一定の閾値を使用する場合には検出され得ないものである。   However, here, there is a defective portion in the wiring pattern between the measurement point sets whose sequence number SN is “455”, and due to this defective portion, the graph G1N shows the inspection resistance value between the measurement point sets. There is a defective portion EP where the correction resistance value RN rapidly increases at the position where the sequence number SN corresponding to R is “455”. Note that the resistance value of the defective portion EP is equal to or greater than the correction resistance value R1N between the measurement point sets having the sequence number SN of 1 and between the measurement point sets having the maximum sequence number SN (here, “925”). The correction resistance value R2N is equal to or less than the correction resistance value R2N, and cannot be detected when a certain threshold is used for all measurement point sets in the substrate to be inspected.

上述のように順番号SNの増加に伴って補正抵抗値RNが概ね増大し、閾値設定部811iによって上限値SHUBi、下限値SHLBiがそれぞれ(5)、(6)式によって求められるため、上限値SHUBi、下限値SHLBiは、それぞれ、グラフG5、G6に示すように、グラフG1Nに沿って上下方向に略並行移動されたグラフとなる。従って、上限値SHUBi、下限値SHLBiにそれぞれ対応するグラフG5及びグラフG6を適正に設定する(グラフG5、G6とグラフG1Nとの間隔を適正に設定する)ことによって、不良箇所EPを正確に検出することが可能となるのである。   As described above, the correction resistance value RN generally increases as the sequence number SN increases, and the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi are obtained by the threshold value setting unit 811i according to the equations (5) and (6), respectively. The SHUBi and the lower limit value SHLBi are graphs that are substantially translated in the vertical direction along the graph G1N, as shown in the graphs G5 and G6, respectively. Accordingly, the defective portion EP is accurately detected by appropriately setting the graph G5 and the graph G6 respectively corresponding to the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi (setting the interval between the graphs G5, G6 and the graph G1N appropriately). It becomes possible to do.

図15は、制御部8の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図2に示す基板載置部51上に、検査される対象の基板2が載置される前に、基板2を検査する準備動作として実行されるものである。   FIG. 15 is a flowchart illustrating an example of the operation up to the threshold setting of the control unit 8. This operation is executed as a preparatory operation for inspecting the substrate 2 before the substrate 2 to be inspected is placed on the substrate platform 51 shown in FIG.

まず、基準抵抗測定部811fによって、30枚の基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値SRi,j(i=1〜N、j=1〜M、N:測定点セットの個数(ここでは、N=925)、M:基準基板の枚数(ここでは、M=30))が測定され、測定点セットの識別情報(以下、ポイント番号PNという)と対応付けて基準抵抗記憶部812fに格納される(ステップS301)。次に、統計計算部811hによって、測定点セット毎に基準抵抗値SRi,jの平均値AVi及び標準偏差σiが求められ、測定点セットの識別情報(ここでは、ポイント番号PN)と対応付けて基準抵抗記憶部812fに格納される(ステップS303)。   First, the reference resistance measurement unit 811f performs reference resistance values SRi, j (i = 1 to N, j = 1 to M, N: number of measurement point sets) that are resistance values between the measurement point sets for 30 reference substrates. (Here, N = 925), M: the number of reference substrates (here, M = 30)) is measured, and is associated with identification information (hereinafter referred to as point number PN) of the measurement point set, and a reference resistance storage unit It is stored in 812f (step S301). Next, the statistical calculation unit 811h obtains the average value AVi and standard deviation σi of the reference resistance values SRi, j for each measurement point set, and associates them with the measurement point set identification information (here, the point number PN). It is stored in the reference resistance storage unit 812f (step S303).

そして、基準総和算出部811gによって、平均値AViの総和SM(基準基板の1枚当りの基準抵抗値の総和に相当する)が求められる(ステップS305)。次いで、閾値設定部811iによって、測定点セットの基準抵抗値SRi,jの平均値AVi及び標準偏差σiを用いて(上述の(5)、(6)式によって)、上限値SHUBi及び下限値SHLBiが設定され、上限値SHUBi及び下限値SHLBiが測定点セットの識別情報(ポイント番号PN)と対応付けて閾値記憶部812gに格納され(ステップS307)、処理が終了される。   Then, the total sum SM of the average values AVi (corresponding to the total sum of the reference resistance values per reference board) is obtained by the reference total calculation unit 811g (step S305). Next, the threshold value setting unit 811i uses the average value AVi and the standard deviation σi of the reference resistance values SRi, j of the measurement point set (according to the expressions (5) and (6) described above) to set the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi. Is set, the upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi are stored in the threshold value storage unit 812g in association with the identification information (point number PN) of the measurement point set (step S307), and the process ends.

図16は、制御部8の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図15に示す動作が完了し、図2に示す基板載置部51上に検査される対象の基板2が載置された状態で実行されるものである。なお、以下の処理は、特に明示しない限り、判定部811mによって行われる。   FIG. 16 is a flowchart illustrating an example of the operation of the control unit 8 when the inspection is executed. This operation is executed in a state where the operation shown in FIG. 15 is completed and the target substrate 2 to be inspected is placed on the substrate placement portion 51 shown in FIG. The following processing is performed by the determination unit 811m unless otherwise specified.

まず、検査抵抗測定部811jによって、全ての測定点セットの検査抵抗値Rk(k=1〜N)が測定され、検査抵抗記憶部812hに格納される(ステップS401)。そして、検査総和算出部811kによって、検査抵抗値Rkの総和TMが求められ、検査抵抗記憶部812hに格納される(ステップS403)。次いで、検査抵抗値Rkが検査抵抗値の総和TMと基準抵抗値の総和SMとを用いて、上述の式(7)によって補正され補正抵抗値RNkが求められる(ステップS405)。   First, the inspection resistance values Rk (k = 1 to N) of all the measurement point sets are measured by the inspection resistance measuring unit 811j and stored in the inspection resistance storage unit 812h (step S401). Then, the inspection sum calculation unit 811k obtains the total sum TM of the inspection resistance values Rk and stores it in the inspection resistance storage unit 812h (step S403). Next, the test resistance value Rk is corrected by the above equation (7) using the total TM of the test resistance values and the total SM of the reference resistance values, thereby obtaining a corrected resistance value RNk (step S405).

そして、補正抵抗値RNkが、図15に示すフローチャートのステップS307で求められた下限値SHLBk以上、且つ、上限値SHUBk以下であるか否かの判定が行われる(ステップS407)。少なくとも1の補正抵抗値RNkが、下限値SHLBk以上、且つ、上限値SHUBk以下ではない(すなわち、下限値SHLBk未満、または、上限値SHUBk超である)と判定された場合(ステップS407でNO)には、基板2の導通状態が不良であると判定され(ステップS411)、処理が終了される。   Then, it is determined whether or not the corrected resistance value RNk is not less than the lower limit value SHLBk and not more than the upper limit value SHUBk obtained in step S307 of the flowchart shown in FIG. 15 (step S407). When it is determined that at least one correction resistance value RNk is not less than the lower limit value SHLBk and not more than the upper limit value SHUBk (that is, less than the lower limit value SHLBk or more than the upper limit value SHUBk) (NO in step S407) Is determined to be defective (step S411), and the process is terminated.

一方、全ての補正抵抗値RNkが、下限値SHLBk以上、且つ、上限値SHUBk以下であると判定された場合(ステップS407でYES)には、基板2の導通状態は良好であると判定されて(ステップS409)、処理が終了される。   On the other hand, when it is determined that all the corrected resistance values RNk are not less than the lower limit value SHLBk and not more than the upper limit value SHUBk (YES in step S407), it is determined that the conductive state of the substrate 2 is good. (Step S409), the process ends.

このようにして、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値Rkの良否が、測定点セット毎に設定された上限値SHUBk及び下限値SHLBkに基づいて判定されるため、上限値SHUBk及び下限値SHLBkを測定点セット毎に適切な値に設定することにより、検査抵抗値Rkの良否が正確に判定される。   In this way, the quality of the inspection resistance value Rk, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the upper limit value SHUBk and the lower limit value SHLBk set for each measurement point set, so the upper limit value SHUBk and the lower limit value By setting the value SHLBk to an appropriate value for each measurement point set, the quality of the inspection resistance value Rk is accurately determined.

また、検査抵抗値Rkが検査抵抗値Rkの総和TMの基準抵抗値RSの総和SMに対する比率で補正された補正抵抗値RNkとして判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が補正されることによって、検査抵抗値Rkの良否が更に正確に判定される。   Further, since the inspection resistance value Rk is determined as the corrected resistance value RNk corrected by the ratio of the sum TM of the inspection resistance value Rk to the sum SM of the reference resistance value RS, the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the inspection target By correcting the difference in the measurement conditions of the inspection resistance value for each substrate, the quality of the inspection resistance value Rk is more accurately determined.

例えば、基板2は製造条件によって配線パターンの幅の広狭のバラツキが発生し、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に大きい場合(配線パターンの幅が狭い場合)と、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に小さい場合(配線パターンの幅が広い場合)とがあるが、検査抵抗値Rkが検査抵抗値Rkの総和TMの基準抵抗値RSの総和SMに対する比率で補正された補正抵抗値RNkとして判定されるため、検査抵抗値Rkの絶対値の変動の影響が抑制されるのである。   For example, the width of the wiring pattern in the substrate 2 varies depending on the manufacturing conditions, and even when there is no defective portion, the inspection resistance value Rk is large in the substrate 2 (the width of the wiring pattern is large). The inspection resistance value Rk is generally small in the substrate 2 (when the width of the wiring pattern is wide), but the inspection resistance value Rk is the reference resistance value RS of the sum TM of the inspection resistance values Rk. Therefore, the influence of the variation in the absolute value of the inspection resistance value Rk is suppressed.

同様に、基板2は測定条件によって、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に高い場合(例えば、基板2の表面温度が高い場合)と、検査抵抗値Rkが基板2内で全体的に低い場合(例えば、基板2の表面温度が低い場合)とがあるが、検査抵抗値Rkが検査抵抗値Rkの総和TMの基準抵抗値RSの総和SMに対する比率で補正された補正抵抗値RNkとして判定されるため、検査抵抗値Rkの絶対値の変動の影響が抑制されるのである。   Similarly, even if the substrate 2 has no defective portion depending on measurement conditions, the inspection resistance value Rk is generally high in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is high), and the inspection resistance There are cases where the value Rk is generally low in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is low), but the inspection resistance value Rk is a sum total of the inspection resistance values Rk with respect to the sum SM of the reference resistance values RS. Since it is determined as the corrected resistance value RNk corrected by the ratio, the influence of the variation in the absolute value of the inspection resistance value Rk is suppressed.

更に、測定点セットの基準抵抗値SRの平均値AVi及び標準偏差σiに基づいて(上述の(5)式及び(6)式を参照)、上限値SHLBi及び下限値SHUBiが設定されるため、適切な上限値SHLAi及び下限値SHUAiが容易に設定される。   Furthermore, since the upper limit value SHLBi and the lower limit value SHUBi are set based on the average value AVi and the standard deviation σi of the reference resistance value SR of the measurement point set (see the above formulas (5) and (6)), Appropriate upper limit value SHLAi and lower limit value SHUAi are easily set.

なお、本発明は以下の形態をとることができる。   In addition, this invention can take the following forms.

(F)第2実施形態においては、判定部811mが、検査抵抗値の総和TMと基準抵抗値の総和SMとを用いて検査抵抗値Rkを補正して補正抵抗値RNkを求め、補正抵抗値RNkを判定する場合について説明したが、検査抵抗値の総和TMと基準抵抗値の総和SMとを用いて上限値SHUBk及び下限値SHLBkを補正する形態でもよい。この場合には、例えば、閾値設定部811iが、次の(8)式及び(9)式により、それぞれ上限値SHUBk及び下限値SHLBkを補正すればよい。
SHUBk←SHUBk×(TM/SM) (8)
SHLBk←SHLBk×(TM/SM) (9)
(G)第2実施形態においては、閾値設定部811iが、30枚の基準基板の基準抵抗値の平均値AVを用いて総和SMを求める場合について説明したが、基準基板の枚数は30枚に限定されるものではなく、何枚でもよい。例えば、基準基板の枚数が1枚である場合には、平均値AVを求める処理が不要となる。
(F) In the second embodiment, the determination unit 811m corrects the test resistance value Rk using the total TM of the test resistance values and the total SM of the reference resistance values to obtain the corrected resistance value RNk, and the corrected resistance value Although the case where RNk is determined has been described, the upper limit value SHUBk and the lower limit value SHLBk may be corrected using the sum TM of inspection resistance values and the sum SM of reference resistance values. In this case, for example, the threshold value setting unit 811i may correct the upper limit value SHUBk and the lower limit value SHLBk by the following equations (8) and (9), respectively.
SHUBk ← SHUBk × (TM / SM) (8)
SHLBk ← SHLBk × (TM / SM) (9)
(G) In the second embodiment, a case has been described in which the threshold setting unit 811i calculates the sum SM using the average value AV of the reference resistance values of 30 reference substrates. However, the number of reference substrates is 30. It is not limited and any number of sheets may be used. For example, when the number of reference substrates is one, processing for obtaining the average value AV is not necessary.

(H)第2実施形態においては、閾値設定部811iが、下限値SHLB及び上限値SHUBを設定する場合について説明したが、下限値SHLB及び上限値SHUBの少なくとも一方を設定する形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (H) In the second embodiment, the case where the threshold setting unit 811i sets the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB has been described. However, at least one of the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB may be set. In this case, the process is simplified.

(I)第2実施形態においては、閾値設定部811iが、下限値SHLB及び上限値SHUBを、基準基板の基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σに基づいて設定する場合について説明したが、平均値AV及び標準偏差σの少なくとも一方に基づいて設定する形態でもよい。例えば、平均値AVに予め設定された所定の数(例えば、5mΩ)を、減算及び加算して、それぞれ下限値SHLB及び上限値SHUBを求める形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (I) In the second embodiment, the case where the threshold value setting unit 811i sets the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB based on the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference board has been described. It may be configured to set based on at least one of the average value AV and the standard deviation σ. For example, the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB may be obtained by subtracting and adding a predetermined number (for example, 5 mΩ) preset to the average value AV, respectively. In this case, the process is simplified.

(J)第2実施形態においては、閾値設定部811iが、基準基板の基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σに関する上述の(5)式及び(6)式を用いて下限値SHLB及び上限値SHUBを設定する場合について説明したが、その他の式を用いて設定する形態でもよいし、その他の区分テーブル等を介して設定する形態でもよい。   (J) In the second embodiment, the threshold setting unit 811i uses the above formulas (5) and (6) for the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference board, and the lower limit value SHLB and the upper limit. Although the case where the value SHUB is set has been described, it may be set using other formulas, or may be set via another sort table or the like.

例えば、基準抵抗値の平均値AVを所定の大きさ(例えば、2mΩ)の間隔で区分して区分毎に下限値SHLB及び上限値SHUBが格納されたテーブル(ルックアップテーブル)を予め設定しておき、平均値AV及びこのテーブルに基づいて、下限値SHLB及び上限値SHUBを設定する形態でもよい。   For example, a table (look-up table) in which the average value AV of the reference resistance values is divided at intervals of a predetermined size (for example, 2 mΩ) and the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB are stored for each division is set in advance. Alternatively, the lower limit value SHLB and the upper limit value SHUB may be set based on the average value AV and this table.

<第3実施形態>
次に、図17〜20を用いて、本発明の第3実施形態に係る基板検査装置について説明する。なお、図1〜図6を用いて説明した構成は、第1実施形態と同様であるのでその説明を省略する。図17は、第3実施形態に係る制御部8の機能構成の一例を示す構成図である。制御部8のCPU811は、予め選択された基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値を測定する基準抵抗測定部811p(基準抵抗測定手段に相当する)と、測定点セット毎に、順番号の平均値及び標準偏差を求める統計計算部811q(閾値設定手段の一部に相当する)と、測定点セット毎に閾値を設定する閾値設定部811r(閾値設定手段の一部に相当する)と、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定部811s(検査抵抗測定手段に相当する)と、測定点セット毎に閾値に基づいて検査抵抗値の良否を判定する判定部811t(判定手段に相当する)とを備えている。
<Third Embodiment>
Next, a substrate inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The configuration described with reference to FIGS. 1 to 6 is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. FIG. 17 is a configuration diagram illustrating an example of a functional configuration of the control unit 8 according to the third embodiment. The CPU 811 of the control unit 8 includes a reference resistance measurement unit 811p (corresponding to a reference resistance measurement unit) that measures a reference resistance value, which is a resistance value between measurement point sets, on a preselected reference substrate, and each measurement point set. , A statistical calculation unit 811q (corresponding to a part of the threshold setting means) for obtaining the average value and standard deviation of the sequential numbers, and a threshold setting unit 811r (corresponding to a part of the threshold setting means) for setting a threshold value for each measurement point set And an inspection resistance measuring unit 811s (corresponding to an inspection resistance measuring means) that measures the resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as an inspection resistance value, and an inspection resistance value based on a threshold value for each measurement point set. And a determination unit 811t (corresponding to a determination unit) for determining whether the quality is good or bad.

また、制御部8のRAM812は、基準抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する基準抵抗記憶部812pと、閾値の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する閾値記憶部812qと、検査抵抗の値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納する検査抵抗記憶部812rとを備えている。   In addition, the RAM 812 of the control unit 8 stores a reference resistance storage unit 812p that stores the reference resistance value in association with the identification information of the measurement point set, and a threshold value that stores the threshold value in association with the identification information of the measurement point set. A storage unit 812q and a test resistance storage unit 812r that stores the value of the test resistance in association with the identification information of the measurement point set are provided.

基準抵抗測定部811pは、同一種類の複数(例えば、10000枚)の被検査基板の中から予め選択された所定数(ここでは、30枚)の被検査基板である基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値を測定すると共に、得られた基準抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812pに格納するものである。   The reference resistance measuring unit 811p is configured to measure a reference number of reference substrates, which are a predetermined number (in this case, 30) of substrates to be inspected, selected from a plurality (for example, 10000) of substrates of the same type between measurement point sets. Is measured, and the obtained reference resistance value is stored in the reference resistance storage unit 812p in association with the identification information of the measurement point set.

具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。なお、基準基板は、同一種類の10000枚の被検査基板の中から予め導通検査を行って、検査結果が良好なものを基準基板として選択するものである。   Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value. In addition, a reference board | substrate performs a conduction | electrical_connection test beforehand from 10000 to-be-inspected board | substrates of the same kind, and selects a thing with a favorable test result as a reference board.

統計計算部811qは、各基準基板について、基準抵抗測定部811pによって測定された基準抵抗値を基準抵抗記憶部812pから読み出して、基準抵抗値の測定点セット毎に順番号を付与し、その平均値及び標準偏差を求めると共に、得られた平均値及び標準偏差を測定点セットの識別情報と対応付けて基準抵抗記憶部812pに格納するものである。   The statistical calculation unit 811q reads the reference resistance value measured by the reference resistance measurement unit 811p from the reference resistance storage unit 812p for each reference board, assigns a sequential number for each measurement point set of the reference resistance value, and averages The value and the standard deviation are obtained, and the obtained average value and standard deviation are stored in the reference resistance storage unit 812p in association with the identification information of the measurement point set.

閾値設定部811rは、測定点セット毎に統計計算部811qによって求められた順番号の平均値及び標準偏差に基づいて閾値を設定すると共に、設定した閾値を測定点セットの識別情報と対応付けて閾値記憶部812qに格納するものである。具体的には、各基準基板における測定点セットの順番号SNi,j(i=1〜N、j=1〜M、N:測定点セットの個数(ここでは、925)、M:基準基板の枚数(ここでは、30枚))の平均値NAVi及び標準偏差Nσiを用いて、次の(10)、(11)式によって、それぞれ上限値SHUCi、下限値SHLCiを求めるものである(図19参照)。
SHUCi=NAVi+3×Nσi (10)
SHLCi=NAVi−3×Nσi (11)
The threshold setting unit 811r sets the threshold based on the average value and the standard deviation of the sequential numbers obtained by the statistical calculation unit 811q for each measurement point set, and associates the set threshold with the identification information of the measurement point set. It is stored in the threshold storage unit 812q. Specifically, the measurement point set sequence numbers SNi, j (i = 1 to N, j = 1 to M, N: the number of measurement point sets (925 here), M: The upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi are obtained by the following equations (10) and (11) using the average value NAVi and standard deviation Nσi of the number of sheets (here 30 sheets) (see FIG. 19). ).
SHUCi = NAVi + 3 × Nσi (10)
SHLCi = NAVi-3 × Nσi (11)

検査抵抗測定部811sは、被検査基板の測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定すると共に、得られた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて検査抵抗記憶部812rに格納するものである。具体的には、図4に示す電圧測定部743で測定された電圧値を電流生成部742に付与された電流値I0で除したものを抵抗値として求めるものである。   The inspection resistance measuring unit 811s measures the resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as the inspection resistance value, and associates the obtained inspection resistance value with the identification information of the measurement point set in the inspection resistance storage unit 812r. To store. Specifically, a value obtained by dividing the voltage value measured by the voltage measurement unit 743 shown in FIG. 4 by the current value I0 given to the current generation unit 742 is obtained as the resistance value.

判定部811tは、測定点セットの検査抵抗値Ri(i=1〜N)を検査抵抗記憶部812rから読み出して、検査抵抗値Riを、昇順に並べ替えることによって測定点セット毎に対応する順番号TNiを求め、順番号TNiと、閾値設定部811rによって設定された対応する上限値SHUCi、下限値SHLCiとの大小関係に基づいて良否を判定するものである。具体的には、測定点セットの順番号TNiが閾値設定部811rによって設定された下限値SHLCi未満であるか、または、上限値SHUCi超である場合に不良であると判定するものである(図18参照)。更に詳細な処理は、図20に示すフローチャートを用いて後述する。   The determination unit 811t reads out the inspection resistance values Ri (i = 1 to N) of the measurement point sets from the inspection resistance storage unit 812r, and rearranges the inspection resistance values Ri in ascending order to correspond to each measurement point set. The number TNi is obtained, and pass / fail is determined based on the magnitude relationship between the sequential number TNi and the corresponding upper limit value SHUCi and lower limit value SHLCi set by the threshold setting unit 811r. Specifically, when the order number TNi of the measurement point set is less than the lower limit value SHLCi set by the threshold value setting unit 811r or exceeds the upper limit value SHUCi, it is determined that the measurement point set is defective. 18). Further detailed processing will be described later with reference to the flowchart shown in FIG.

基準抵抗記憶部812pは、基準抵抗測定部811pによって求められた基準抵抗値と、統計計算部811qによって求められた基準抵抗値の順番号の平均値及び標準偏差とを測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The reference resistance storage unit 812p uses the reference resistance value obtained by the reference resistance measurement unit 811p and the average value and standard deviation of the reference resistance values obtained by the statistical calculation unit 811q as identification information of the measurement point set. It is stored in association with each other.

閾値記憶部812qは、閾値設定部811rによって設定された閾値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The threshold storage unit 812q stores the threshold set by the threshold setting unit 811r in association with the identification information of the measurement point set.

検査抵抗記憶部812rは、検査抵抗測定部811sによって求められた検査抵抗値を測定点セットの識別情報と対応付けて格納するものである。   The inspection resistance storage unit 812r stores the inspection resistance value obtained by the inspection resistance measurement unit 811s in association with the identification information of the measurement point set.

なお、制御部8を、基準抵抗測定部811p、統計計算部811q等として機能させる本発明の基板検査プログラムが、例えばROM813に格納されており、CPU811によって実行されることにより、制御部8が基準抵抗測定部811p、統計計算部811q等の各機能部として機能するものである。   Note that the board inspection program of the present invention that causes the control unit 8 to function as the reference resistance measurement unit 811p, the statistical calculation unit 811q, and the like is stored in, for example, the ROM 813 and is executed by the CPU 811, whereby the control unit 8 It functions as each functional unit such as the resistance measuring unit 811p and the statistical calculation unit 811q.

図18は、判定部811tによる検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。(a)は、各測定点セットの基準抵抗値SRの平均値を昇順の並べたグラフG7であり、横軸が順番号SNであり、縦軸が基準抵抗値SRである。また、所定の測定点セット(以下、注目測定点セットという)の順番号の平均値NAViと、上限値SHUCi及び下限値SHLCiとを図中に示している。   FIG. 18 is a graph illustrating a method for determining whether the inspection resistance value is good or bad by the determination unit 811t. (A) is the graph G7 which arranged the average value of the reference resistance value SR of each measurement point set in ascending order, the horizontal axis is the order number SN, and the vertical axis is the reference resistance value SR. Further, the average value NAVi of the sequential numbers of the predetermined measurement point set (hereinafter referred to as the “target measurement point set”), the upper limit value SHUCi, and the lower limit value SHLCi are shown in the drawing.

(b)は、ある被検査基板2の各測定点セットの検査抵抗値Rを昇順の並べたグラフG8であり、横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗値Rである。図中に、この検査基板における注目測定点セットの検査抵抗値Riの順番号TNiが表示されている。この被検査基板2では、順番号TNiが下限値SHLCi以上、且つ、上限値SHUCi以下であるため、良好であると判定される。   (B) is a graph G8 in which the inspection resistance values R of each measurement point set of a certain substrate 2 to be inspected are arranged in ascending order, the horizontal axis is the order number SN, and the vertical axis is the inspection resistance value R. In the drawing, the order number TNi of the inspection resistance value Ri of the target measurement point set on this inspection board is displayed. In this substrate 2 to be inspected, since the sequence number TNi is not less than the lower limit value SHLCi and not more than the upper limit value SHUCi, it is determined to be good.

(c)は、(b)とは別の被検査基板2の各測定点セットの検査抵抗値Rを昇順の並べたグラフG9であり、横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗値Rである。図中に、この検査基板における注目測定点セットの検査抵抗値Riの順番号TNiが表示されている。この被検査基板2においても、順番号TNiが下限値SHLCi以上、且つ、上限値SHUCi以下であるため、良好であると判定される。   (C) is a graph G9 in which the inspection resistance values R of the respective measurement point sets of the inspected substrate 2 different from (b) are arranged in ascending order, the horizontal axis is the sequence number SN, and the vertical axis is the inspection resistance. The value R. In the drawing, the order number TNi of the inspection resistance value Ri of the target measurement point set on this inspection board is displayed. Also in the substrate 2 to be inspected, the sequence number TNi is determined to be good because the sequence number TNi is not less than the lower limit value SHLCi and not more than the upper limit value SHUCi.

(d)は、(b)及び(c)とは別の被検査基板2の各測定点セットの検査抵抗値Rを昇順の並べたグラフG10であり、横軸が順番号SNであり、縦軸が検査抵抗値Rである。図中に、この検査基板における注目測定点セットの検査抵抗値Riの順番号TNiが表示されている。この被検査基板2においては、順番号TNiが上限値SHUCi超であるため、不良であると判定される。   (D) is a graph G10 in which the inspection resistance values R of the respective measurement point sets of the inspected substrate 2 different from (b) and (c) are arranged in ascending order, the horizontal axis is the sequence number SN, and the vertical The axis is the inspection resistance value R. In the drawing, the order number TNi of the inspection resistance value Ri of the target measurement point set on this inspection board is displayed. In this substrate 2 to be inspected, the sequence number TNi is over the upper limit SHUCi, so that it is determined to be defective.

図19は、制御部8の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図2に示す基板載置部51上に、検査される対象の基板2が載置される前に、基板2を検査する準備動作として実行されるものである。   FIG. 19 is a flowchart illustrating an example of operations up to the threshold setting of the control unit 8. This operation is executed as a preparatory operation for inspecting the substrate 2 before the substrate 2 to be inspected is placed on the substrate platform 51 shown in FIG.

まず、基準抵抗測定部811pによって、30枚の基準基板について測定点セット間の抵抗値である基準抵抗値SRi,j(i=1〜N、j=1〜M、N:測定点セットの個数(ここでは、N=925)、M:基準基板の枚数(ここでは、M=30))が測定され、測定点セットの識別情報(以下、ポイント番号PNという)と対応付けて基準抵抗記憶部812pに格納される(ステップS501)。次に、統計計算部811qによって、基準基板毎に、測定点セットの基準抵抗値SRi,jが昇順にソート(並び替え)されて、順番号SNi,jが付与される(ステップS503)。次いで、統計計算部811qによって、測定点セット毎に、順番号SNi,jの平均値NAVi及び標準偏差Nσiが求められ、測定点セットの識別情報(ここでは、ポイント番号PN)と対応付けて基準抵抗記憶部812pに格納される(ステップS505)。   First, the reference resistance measurement unit 811p makes reference resistance values SRi, j (i = 1 to N, j = 1 to M, N: number of measurement point sets) which are resistance values between measurement point sets for 30 reference substrates. (Here, N = 925), M: the number of reference substrates (here, M = 30)) is measured, and is associated with identification information (hereinafter referred to as point number PN) of the measurement point set, and a reference resistance storage unit It is stored in 812p (step S501). Next, the statistical calculation unit 811q sorts (rearranges) the reference resistance values SRi, j of the measurement point set in ascending order for each reference substrate, and assigns a sequence number SNi, j (step S503). Next, the statistical calculation unit 811q obtains the average value NAVi and the standard deviation Nσi of the sequence numbers SNi, j for each measurement point set, and associates them with the measurement point set identification information (here, the point number PN) as a reference. It is stored in the resistance storage unit 812p (step S505).

そして、閾値設定部811rによって、測定点セットの順番号SNi,jの平均値NAVi及び標準偏差Nσiを用いて(上述の(10)、(11)式によって)、上限値SHUCi及び下限値SHLCiが設定され、上限値SHUBi及び下限値SHLBiが測定点セットの識別情報(ポイント番号PN)と対応付けて閾値記憶部812qに格納され(ステップS507)、処理が終了される。   Then, the threshold value setting unit 811r uses the average value NAVi and the standard deviation Nσi of the sequential numbers SNi, j of the measurement point set (according to the above formulas (10) and (11)) to set the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi. The upper limit value SHUBi and the lower limit value SHLBi are set in association with the identification information (point number PN) of the measurement point set and stored in the threshold value storage unit 812q (step S507), and the process ends.

図20は、制御部8の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、図19に示す動作が完了し、図2に示す基板載置部51上に検査される対象の基板2が載置された状態で実行されるものである。なお、以下の処理は、特に明示しない限り、判定部811tによって行われる。   FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of the operation of the control unit 8 when performing the inspection. This operation is executed in a state where the operation shown in FIG. 19 is completed and the target substrate 2 to be inspected is placed on the substrate platform 51 shown in FIG. The following processing is performed by the determination unit 811t unless otherwise specified.

まず、検査抵抗測定部811sによって、全ての測定点セットの検査抵抗値Rk(k=1〜N)が測定され、検査抵抗記憶部812rに格納される(ステップS601)。そして、検査抵抗値Riが、昇順に並べ替えることによって測定点セット毎に対応する順番号TNiが求められる(ステップS603)。次いで、順番号TNiが図19に示すフローチャートのステップS507で求められた下限値SHLCi以上、且つ、上限値SHUCi以下であるか否かの判定が行われる(ステップS605)。   First, the inspection resistance measurement unit 811s measures the inspection resistance values Rk (k = 1 to N) of all the measurement point sets and stores them in the inspection resistance storage unit 812r (step S601). Then, the inspection resistance value Ri is rearranged in ascending order to obtain the corresponding sequence number TNi for each measurement point set (step S603). Next, it is determined whether or not the order number TNi is not less than the lower limit value SHLCi obtained in step S507 of the flowchart shown in FIG. 19 and not more than the upper limit value SHUCi (step S605).

少なくとも1の順番号TNiが、下限値SHLCi以上、且つ、上限値SHUCi以下ではない(すなわち、下限値SHLCi未満、または、上限値SHUCi超である)と判定された場合(ステップS605でNO)には、基板2の導通状態が不良であると判定され(ステップS609)、処理が終了される。   When it is determined that at least one sequence number TNi is not less than the lower limit value SHLCi and not more than the upper limit value SHUCi (that is, less than the lower limit value SHLCi or more than the upper limit value SHUCi) (NO in step S605). Is determined that the conductive state of the substrate 2 is defective (step S609), and the process is terminated.

一方、全ての順番号TNiが、下限値SHLCi以上、且つ、上限値SHUCi以下であると判定された場合(ステップS605でYES)には、基板2の導通状態は良好であると判定されて(ステップS607)、処理が終了される。   On the other hand, when it is determined that all the sequence numbers TNi are not less than the lower limit value SHLCi and not more than the upper limit value SHUCi (YES in step S605), it is determined that the conduction state of the substrate 2 is good ( Step S607), the process is terminated.

このようにして、測定点セット間の抵抗値である検査抵抗値Riの良否が、測定点セット毎に設定された上限値SHUCi及び下限値SHLCiに基づいて判定されるため、上限値SHUCi及び下限値SHLCiを測定点セット毎に適切な値に設定することにより、検査抵抗値Riの良否が正確に判定される。   In this way, the quality of the inspection resistance value Ri, which is the resistance value between the measurement point sets, is determined based on the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi set for each measurement point set, so the upper limit value SHUCi and the lower limit value By setting the value SHLCi to an appropriate value for each measurement point set, the quality of the inspection resistance value Ri is accurately determined.

また、測定点セットが検査抵抗値Riの大きさに基づいて昇順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号TNiが付与され、この順番号TNiが、上限値SHUCi及び下限値SHLCiと比較されて検査抵抗値Riの良否が判定されるため、被検査基板毎の製造条件、及び、被検査基板毎の検査抵抗値の測定条件の差が相殺されることによって、検査抵抗値の良否が更に正確に判定される。   Further, the measurement point sets are rearranged in ascending order based on the magnitude of the inspection resistance value Ri, and a sequence number TNi is given to each measurement point set, and this sequence number TNi is compared with the upper limit value SHUCi and the lower limit value SHLCi. Since the inspection resistance value Ri is judged as good or bad, the difference between the manufacturing conditions for each substrate to be inspected and the measurement conditions for the inspection resistance value for each substrate to be inspected is canceled out. It is determined more accurately.

例えば、基板2は製造条件によって配線パターンの幅の広狭のバラツキが発生し、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Riが基板2内で全体的に大きい場合(配線パターンの幅が狭い場合)と、検査抵抗値Riが基板2内で全体的に小さい場合(配線パターンの幅が広い場合)とがあるが、検査抵抗値Riが、検査基板内の検査抵抗値Riの大きさに基づいて昇順に並べ替えられて、順番号TNiとして判定されるため、検査抵抗値Rkの絶対値の変動の影響が相殺されるのである。   For example, the width of the wiring pattern of the substrate 2 varies depending on the manufacturing conditions, and the inspection resistance value Ri is generally large in the substrate 2 even when there is no defective portion (the width of the wiring pattern is large). There are cases where the inspection resistance value Ri is small as a whole in the substrate 2 (when the width of the wiring pattern is wide), but the inspection resistance value Ri is the magnitude of the inspection resistance value Ri in the inspection substrate. Are sorted in ascending order based on, and are determined as a sequence number TNi, so that the influence of fluctuations in the absolute value of the inspection resistance value Rk is offset.

同様に、基板2は測定条件によって、不良箇所が無い場合であっても、検査抵抗値Riが基板2内で全体的に高い場合(例えば、基板2の表面温度が高い場合)と、検査抵抗値Riが基板2内で全体的に低い場合(例えば、基板2の表面温度が低い場合)とがあるが、検査抵抗値Riが、検査基板内の検査抵抗値Riの大きさに基づいて昇順に並べ替えられて、順番号TNiとして判定されるため、検査抵抗値Riの絶対値の変動の影響が相殺されるのである。   Similarly, even if the substrate 2 has no defective portion depending on the measurement conditions, the inspection resistance value Ri is generally high in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is high), and the inspection resistance Although the value Ri may be generally low in the substrate 2 (for example, when the surface temperature of the substrate 2 is low), the inspection resistance value Ri is in ascending order based on the magnitude of the inspection resistance value Ri in the inspection substrate. Therefore, the influence of the variation in the absolute value of the inspection resistance value Ri is canceled out.

更に、基準基板毎に、測定点セットが基準抵抗値SRの大きさに基づいて昇順に並べ替えられて、各測定点セットに順番号SNが付与され、付与された順番号SNに基づいて上限値SHUCi及び下限値SHLCiが求められるため、適正な閾値が設定される。   Further, for each reference substrate, the measurement point set is rearranged in ascending order based on the magnitude of the reference resistance value SR, and a sequence number SN is assigned to each measurement point set, and an upper limit is set based on the assigned sequence number SN. Since the value SHUCi and the lower limit value SHLCi are obtained, an appropriate threshold value is set.

加えて、各測定点セットに付与された順番号SNの平均値NAVi及び標準偏差Nσiが求められ、求められた順番号SNの平均値NAVi及び標準偏差Nσiに基づいて、上限値SHUCi及び下限値SHLCi求められる(上述の(10)、(11)式を参照)ため、更に適正な上限値SHUCi及び下限値SHLCiが容易に設定される。   In addition, the average value NAVI and standard deviation Nσi of the sequence numbers SN assigned to each measurement point set are obtained, and based on the obtained average value NAVI and standard deviation Nσi of the sequence numbers SN, the upper limit value SHUCi and the lower limit value Since SHLCi is obtained (see the above-described equations (10) and (11)), more appropriate upper limit SHUCi and lower limit SHLCi are easily set.

なお、本発明は以下の形態をとることができる。   In addition, this invention can take the following forms.

(K)第3実施形態においては、閾値設定部811rが、基準基板の基準抵抗値に基づいて閾値を設定する場合について説明したが、その他の方法により閾値を設定する形態でもよい。例えば、検査抵抗測定部811sによる過去の測定時の検査抵抗値に基づいて閾値を設定する形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (K) In the third embodiment, the case where the threshold setting unit 811r sets the threshold based on the reference resistance value of the reference substrate has been described. However, the threshold may be set by other methods. For example, the threshold value may be set based on the inspection resistance value at the time of past measurement by the inspection resistance measuring unit 811s. In this case, the process is simplified.

具体的には、過去の測定において良好と判断されたものの検査抵抗値の順番号を基準として所定数(例えば、10)を減算及び加算したものを、それぞれ、下限値及び上限値として設定する形態でもよい。   Specifically, a form in which a predetermined number (for example, 10) is subtracted and added based on the order number of the inspection resistance value that has been determined to be good in the past measurement is set as the lower limit value and the upper limit value, respectively. But you can.

(L)第3実施形態においては、閾値設定部811rが、30枚の基準基板の基準抵抗値の順番号の平均値NAVを用いて閾値を設定する場合について説明したが、基準基板の枚数は30枚に限定されるものではなく、何枚でもよい。例えば、基準基板の枚数が1枚である場合には、平均値NAVを求める処理が不要となる。   (L) In the third embodiment, the case where the threshold setting unit 811r sets the threshold using the average value NAV of the reference numbers of the reference resistance values of the 30 reference substrates has been described. The number is not limited to 30, and any number is possible. For example, when the number of reference substrates is one, processing for obtaining the average value NAV is not necessary.

(M)第3実施形態においては、閾値設定部811rが、下限値SHLC及び上限値SHUCを設定する場合について説明したが、下限値SHLC及び上限値SHUCの少なくとも一方を設定する形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (M) In the third embodiment, the case where the threshold setting unit 811r sets the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC has been described, but at least one of the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC may be set. In this case, the process is simplified.

(N)第3実施形態においては、閾値設定部811rが、下限値SHLC及び上限値SHUCを、基準基板の基準抵抗値の順番号の平均値NAV及び標準偏差Nσに基づいて設定する場合について説明したが、平均値NAV及び標準偏差Nσの少なくとも一方に基づいて設定する形態でもよい。例えば、平均値NAVに予め設定された所定の数(例えば、10)を、減算及び加算して、それぞれ下限値SHLC及び上限値SHUCを求める形態でもよい。この場合には、処理が簡略化される。   (N) In the third embodiment, the case where the threshold value setting unit 811r sets the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC based on the average value NAV of the reference numbers of the reference resistance values of the reference board and the standard deviation Nσ will be described. However, it may be set based on at least one of the average value NAV and the standard deviation Nσ. For example, the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC may be obtained by subtracting and adding a predetermined number (for example, 10) set in advance to the average value NAV. In this case, the process is simplified.

(O)第3実施形態においては、閾値設定部811rが、基準基板の基準抵抗値の平均値AV及び標準偏差σに関する上述の(10)及び(11)式を用いて下限値SHLC及び上限値SHUCを設定する場合について説明したが、その他の式を用いて設定する形態でもよいし、その他の区分テーブル等を介して設定する形態でもよい。   (O) In the third embodiment, the threshold value setting unit 811r uses the above-described equations (10) and (11) regarding the average value AV and the standard deviation σ of the reference resistance value of the reference board to set the lower limit value SHLC and the upper limit value. Although the case where SHUC is set has been described, a mode of setting using other expressions may be used, or a mode of setting via other sorting tables may be used.

例えば、基準抵抗値の順番号の平均値NAVを所定の大きさ(例えば、5)の間隔で区分して区分毎に下限値SHLC及び上限値SHUCが格納されたテーブル(ルックアップテーブル)を予め設定しておき、平均値NAV及びこのテーブルに基づいて、下限値SHLC及び上限値SHUCを設定する形態でもよい。   For example, a table (look-up table) in which the average value NAV of the reference resistance value sequence numbers is divided at intervals of a predetermined size (for example, 5) and the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC are stored for each division in advance. It may be set and the lower limit value SHLC and the upper limit value SHUC may be set based on the average value NAV and this table.

更に、本発明は以下の形態をとることができる。   Furthermore, the present invention can take the following forms.

(P)第1〜第3実施形態においては、基板検査装置が上部検査ユニット4U及び下部検査ユニット4Dを備える形態について説明したが、基板検査装置が上部検査ユニット4U及び下部検査ユニット4Dの少なくとも一方を備える形態でもよい。   (P) In the first to third embodiments, the substrate inspection apparatus includes the upper inspection unit 4U and the lower inspection unit 4D. However, the substrate inspection apparatus is at least one of the upper inspection unit 4U and the lower inspection unit 4D. The form provided with.

(Q)第1〜第3実施形態においては、多数の接触子44を支持し、Z軸方向に移動されることにより基板2の各測定点にそれぞれ接触子44の先端を圧接させる検査治具(いわゆる多針状検査治具)を備える基板検査装置に、本発明が適用される場合について説明したが、1対の接触子44(又は、プローブ)をそれぞれ互いに独立してX,Y,Z軸方向に移動可能に支持し、予め設定されたプログラムに従って順次基板2の測定点に接触子44の先端を圧接させる検査治具(いわゆる、移動プロープ式検査治具)を備える基板検査装置に、本発明が適用される形態でもよい。   (Q) In the first to third embodiments, an inspection jig that supports a large number of contacts 44 and presses the tips of the contacts 44 to the respective measurement points of the substrate 2 by being moved in the Z-axis direction. Although the case where the present invention is applied to a substrate inspection apparatus provided with a so-called multi-needle inspection jig has been described, a pair of contactors 44 (or probes) are each independently X, Y, Z In a substrate inspection apparatus provided with an inspection jig (so-called moving probe type inspection jig) which is supported so as to be movable in the axial direction, and which sequentially presses the tip of the contactor 44 to a measurement point of the substrate 2 according to a preset program. The form to which this invention is applied may be sufficient.

(R)第1〜第3実施形態においては、検査対象である基板2がビアを有するビルドアップ基板である場合について説明したが、その他の種類の基板(例えば、1枚の絶縁基板上の片面に配線パターンが形成されたプリント配線基板等)である形態でもよい。   (R) In the first to third embodiments, the case where the substrate 2 to be inspected is a build-up substrate having vias has been described. However, other types of substrates (for example, one surface on one insulating substrate) Or a printed wiring board having a wiring pattern formed thereon.

(S)第1〜第3実施形態においては、基準基板が、基準基板と同一種類の複数の被検査基板の中から選択される場合について説明したが、被検査基板と同一種類の基板であればよい。例えば、過去に検査を行った被検査基板と、製造ロットが異なる被検査基板の検査を行う場合に、過去の検査で使用した基準基板(被検査基板の中から選択された基板)をそのまま用いる形態でもよいし、特別に製造管理を完璧に行って欠陥が全くない基板を製造して基準基板とする形態でもよい。   (S) In the first to third embodiments, the case where the reference substrate is selected from a plurality of substrates to be inspected of the same type as the reference substrate has been described. That's fine. For example, when inspecting a substrate to be inspected that has been inspected in the past and a substrate to be inspected with a different manufacturing lot, the reference substrate (a substrate selected from the substrates to be inspected) used in the past inspection is used as it is. A form may be sufficient, and the form which makes a reference | standard board | substrate by manufacturing a board | substrate without a defect at all by carrying out perfect manufacturing management may be sufficient.

この発明に係る基板検査装置の一実施形態を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows one Embodiment of the board | substrate inspection apparatus which concerns on this invention. 図1に示す基板検査装置の平面図である。It is a top view of the board | substrate inspection apparatus shown in FIG. 基板検査装置の電気的構成の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of the electrical structure of a board | substrate inspection apparatus. 測定実行部の構成の一例を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating an example of a structure of a measurement execution part. 制御部のハードウェア構成の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of the hardware constitutions of a control part. 基板の構成の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of a structure of a board | substrate. 第1実施形態に係る制御部の機能構成の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of a function structure of the control part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る判定部による検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。It is a graph explaining the method of the quality determination of the test resistance value by the determination part which concerns on 1st Embodiment. 検査抵抗差の説明図である。It is explanatory drawing of a test resistance difference. 閾値の算出方法の一例を説明する図表である。It is a graph explaining an example of the calculation method of a threshold value. 第1実施形態に係る制御部の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement until the threshold value setting of the control part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る制御部の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the operation | movement at the time of the test | inspection execution of the control part which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る制御部の機能構成の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of a function structure of the control part which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る判定部による検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。It is a graph explaining the method of the quality determination of the test resistance value by the determination part which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る制御部の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement until the threshold value setting of the control part which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る制御部の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the operation | movement at the time of the test | inspection execution of the control part which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る制御部の機能構成の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of a function structure of the control part which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る判定部による検査抵抗値の良否判断の方法を説明するグラフである。It is a graph explaining the method of the quality determination of the test resistance value by the determination part which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る制御部の閾値設定までの動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement until the threshold value setting of the control part which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る制御部の検査実行時の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the operation | movement at the time of the test | inspection execution of the control part which concerns on 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 装置本体
2 基板
3 搬出入部
4 検査部
44 接触子
74 測定実行部
744 スキャナ
75 テスターコントローラ
8 制御部
81 主制御部
811 CPU
811a 基準抵抗測定部(基準抵抗測定手段)
811b 統計計算部(統計計算手段)
811c 閾値設定部(閾値設定手段)
811d 検査抵抗測定部(検査抵抗測定手段)
811e 判定部(判定手段)
812 RAM
812a 基準抵抗記憶部
812b 閾値記憶部
812c 検査抵抗記憶部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Apparatus main body 2 Board | substrate 3 Carry-in / out part 4 Inspection part 44 Contactor 74 Measurement execution part 744 Scanner 75 Tester controller 8 Control part 81 Main control part 811 CPU
811a Reference resistance measuring unit (reference resistance measuring means)
811b Statistical calculation part (statistical calculation means)
811c Threshold setting unit (threshold setting means)
811d Inspection resistance measuring unit (Inspection resistance measuring means)
811e determination unit (determination means)
812 RAM
812a Reference resistance storage unit 812b Threshold storage unit 812c Inspection resistance storage unit

Claims (13)

複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置であって、
被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定手段と、
前記測定点セットに対応して閾値を設定する閾値設定手段と、
前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定する判定手段とを備えることを特徴とする基板検査装置。
A substrate inspection apparatus that performs a continuity inspection between measurement point sets that are set in advance on the wiring pattern for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed, and is a combination of two measurement points,
Inspection resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as an inspection resistance value;
Threshold setting means for setting a threshold corresponding to the measurement point set;
A substrate inspection apparatus comprising: a determination unit that determines the quality of the inspection resistance value based on the threshold value for each measurement point set.
前記閾値設定手段は、前記測定点セット毎に所定のルールに則って順番を表す番号である順番号を付与すると共に、前記順番号が隣接する2組の測定点セットに対応する抵抗値の差の閾値を設定し、
前記判定手段は、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの検査抵抗値の差を、対応する閾値に基づいて判定することを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
The threshold value setting means assigns a sequential number which is a number representing an order according to a predetermined rule for each measurement point set, and a difference between resistance values corresponding to two measurement point sets adjacent to each other. Set the threshold of
The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines a difference between inspection resistance values of two measurement point sets adjacent to each other based on a corresponding threshold value.
被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記測定点セットを基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えることによって前記測定点セット毎に前記順番号を付与し、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の差に基づいて閾値を設定することを特徴とする請求項2に記載の基板検査装置。
A reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference board of the same type as the board to be inspected,
The threshold value setting means assigns the order number for each measurement point set by rearranging the measurement point set in ascending or descending order based on the magnitude of the reference resistance value, and the two sets of adjacent sequential numbers The substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein the threshold value is set based on a difference in reference resistance values of the measurement point set.
前記基準基板の枚数は、2以上の所定数であって、
前記測定点セット毎に、前記所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求める統計計算手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記順番号が隣接する2組の測定点セットの基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値を設定することを特徴とする請求項3に記載の基板検査装置。
The number of the reference substrates is a predetermined number of 2 or more,
Statistical calculation means for obtaining at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each measurement point set;
4. The substrate according to claim 3, wherein the threshold setting unit sets the threshold based on at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of two measurement point sets adjacent to each other in the order number. Inspection device.
被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段と、
基準基板の1枚当りの前記基準抵抗値の総和を求める基準総和算出手段と、
被検査基板毎に前記検査抵抗値の総和を求める検査総和算出手段とを備え、
前記判定手段は、前記検査抵抗値を、前記検査抵抗値の総和の前記基準抵抗値の総和に対する比率で補正して判定することを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
For a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected, a reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value,
A reference sum calculating means for calculating a sum of the reference resistance values per one reference board;
An inspection total calculating means for calculating the total of the inspection resistance values for each substrate to be inspected,
The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines the inspection resistance value by correcting the inspection resistance value by a ratio of a total sum of the inspection resistance values to a total sum of the reference resistance values.
被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段と、
基準基板の1枚当りの前記基準抵抗値の総和を求める基準総和算出手段と、
被検査基板毎に前記検査抵抗値の総和を求める検査総和算出手段とを備え、
前記閾値設定手段は、前記基準抵抗値を、前記検査抵抗値の総和の前記基準抵抗値の総和に対する比率で補正して閾値を設定することを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
For a reference substrate of the same type as the substrate to be inspected, a reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value,
A reference sum calculating means for calculating a sum of the reference resistance values per one reference board;
An inspection total calculating means for calculating the total of the inspection resistance values for each substrate to be inspected,
The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the threshold setting unit sets the threshold by correcting the reference resistance value by a ratio of a total sum of the inspection resistance values to a total sum of the reference resistance values.
前記基準基板の枚数は、2以上の所定数であって、
前記測定点セット毎に、前記所定数の基準基板の基準抵抗値の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求める統計計算手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて閾値を設定することを特徴とする請求項5または6に記載の基板検査装置。
The number of the reference substrates is a predetermined number of 2 or more,
Statistical calculation means for obtaining at least one of an average value and a standard deviation of reference resistance values of the predetermined number of reference substrates for each measurement point set;
The substrate inspection apparatus according to claim 5, wherein the threshold setting unit sets a threshold based on at least one of the average value and the standard deviation.
前記閾値設定手段は、前記測定点セットの検査抵抗値の大きさに基づく順番号に対する閾値を設定するものであって、
前記判定手段は、前記測定点セットを検査抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えて、前記各測定点セットに順番号を付与し、この順番号を、前記閾値と比較して前記検査抵抗値の良否を判定することを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
The threshold setting means sets a threshold for a sequential number based on the magnitude of the inspection resistance value of the measurement point set,
The determination means rearranges the measurement point set in ascending or descending order based on the magnitude of the inspection resistance value, assigns a sequential number to each measurement point set, and compares the sequential number with the threshold value. The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the inspection resistance value is judged as good or bad.
被検査基板と同一種類の基準基板について、前記測定点セット間の抵抗値を基準抵抗値として測定する基準抵抗測定手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記基準基板毎に、前記測定点セットを基準抵抗値の大きさに基づいて昇順又は降順に並べ替えて、前記各測定点セットに順番号を付与し、付与された順番号に基づいて前記閾値を設定することを特徴とする請求項8に記載の基板検査装置。
A reference resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets as a reference resistance value for a reference board of the same type as the board to be inspected,
The threshold value setting means rearranges the measurement point sets in ascending order or descending order based on the magnitude of the reference resistance value for each reference substrate, and assigns a sequential number to each measurement point set, and the assigned order. The substrate inspection apparatus according to claim 8, wherein the threshold is set based on a number.
前記基準基板の枚数は、2以上の所定数であって、
前記閾値設定手段は、前記各測定点セットに付与された順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方を求め、求められた順番号の平均値及び標準偏差の少なくとも一方に基づいて、前記閾値を設定することを特徴とする請求項9に記載の基板検査装置。
The number of the reference substrates is a predetermined number of 2 or more,
The threshold setting means obtains at least one of an average value and a standard deviation of the sequential numbers assigned to each measurement point set, and determines the threshold based on at least one of the obtained average values and standard deviations of the sequential numbers. The board inspection apparatus according to claim 9, wherein the board inspection apparatus is set.
前記被検査基板は、ビアを有するビルドアップ基板であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の基板検査装置。   The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the substrate to be inspected is a build-up substrate having vias. 複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置の基板検査プログラムであって、前記基板検査装置を、
被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定する検査抵抗測定手段と、
前記測定点セットに対応して閾値を設定する閾値設定手段と、
前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定する判定手段として機能させることを特徴とする基板検査プログラム。
A board inspection program for a board inspection apparatus that performs a continuity test between measurement point sets that are set in advance on the wiring pattern for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed. The board inspection device
Inspection resistance measuring means for measuring a resistance value between the measurement point sets of the substrate to be inspected as an inspection resistance value;
Threshold setting means for setting a threshold corresponding to the measurement point set;
A board inspection program that functions as a determination unit that determines the quality of the inspection resistance value based on the threshold value for each measurement point set.
複数の配線パターンが形成された被検査基板に対して、前記配線パターン上に予め設定され、2つの測定点の組合せである測定点セット間の導通検査を行う基板検査装置の基板検査方法であって、
被検査基板の前記測定点セット間の抵抗値を検査抵抗値として測定し、
前記測定点セットに対応して閾値を設定し、
前記測定点セット毎に前記閾値に基づいて前記検査抵抗値の良否を判定することを特徴とする基板検査方法。
A substrate inspection method for a substrate inspection apparatus that performs a continuity inspection between measurement point sets that are set in advance on the wiring pattern for a substrate to be inspected on which a plurality of wiring patterns are formed. And
Measure the resistance value between the set of measurement points on the substrate to be inspected as the inspection resistance value,
Set a threshold value corresponding to the measurement point set,
A substrate inspection method for determining whether the inspection resistance value is good or not based on the threshold value for each measurement point set.
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