JPH10104301A - Method for inspecting package substrate - Google Patents

Method for inspecting package substrate

Info

Publication number
JPH10104301A
JPH10104301A JP8258425A JP25842596A JPH10104301A JP H10104301 A JPH10104301 A JP H10104301A JP 8258425 A JP8258425 A JP 8258425A JP 25842596 A JP25842596 A JP 25842596A JP H10104301 A JPH10104301 A JP H10104301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
inspection
probe
package substrate
connection state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8258425A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Shimizu
賢治 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP8258425A priority Critical patent/JPH10104301A/en
Publication of JPH10104301A publication Critical patent/JPH10104301A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform an efficient and reliable electrical inspection quickly. SOLUTION: The insulation inspection of the first connection state formed among a first pad 2, an inner-layer pattern 5, and a second pad 3 and the second connection state formed among the first pad 2, a net-shaped inner-layer pattern 5A, and a second pad 3 is performed while a probe is in contact with the second pad 3 and at the same time the conduction inspection of the first and second connection states is performed while the probe is in contact with the second pad 3 and a conductive rubber sheet is in contact with the entire first pad 2. Further, the conduction inspection and insulation inspection of a third connection state formed between each first pad 2 and the inner-layer pattern 5 is performed while a flying probe is in contact with the first pad 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、一面にフ
リップチップ用の第1パッド、他面にボールグリッドア
レイ(BGA)、ランドグリッドアレイ(LGA)用の
第2パッドが形成され、各第1パッド、第2パッドは内
層パターンを介して相互に各種の態様で接続されている
セラミック、樹脂等のパッケージ基板の電気的検査を行
う検査方法に関し、特に、第1パッドと第2パッドとの
間に存在する各種の接続態様を勘案して短時間で効率的
に電気的検査を行うことが可能なパッケージ基板の検査
方法に関するものである。
The present invention relates to, for example, a first pad for a flip chip on one surface and a second pad for a ball grid array (BGA) and a land grid array (LGA) on the other surface. The first pad and the second pad are related to an inspection method for performing an electrical inspection of a package substrate made of ceramic, resin, or the like, which is connected to each other through various patterns via an inner layer pattern. The present invention relates to a method of inspecting a package substrate, which can efficiently perform an electrical inspection in a short time in consideration of various connection modes existing therebetween.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一面にフリップチップ用のパッド
(便宜的に第1パッドとする)、及び、他面にBGA、
LGA用のパッド(便宜的に第2パッドとする)を備え
たパッケージ基板においては、第1パッドと第2パッド
とが内層パターンを介して1対1に対応されているのが
一般的である。かかるパッケージ基板では、その内層パ
ターンがネット構造を有しておらず、従って、各第1パ
ッド、第2パッド、内層パターンの電気的検査は比較的
簡単に行うことが可能である。ここで、従来のパッケー
ジ基板における第1パッド、第2パッド、内層パターン
の電気的検査方法について図5、図6に基づき説明す
る。図5は従来のパッケージ基板において第1パッドと
第2パッドとが内層パターンを介して1対1に対応して
接続された接続状態の絶縁検査を説明するための説明
図、図6は図5に示すパッケージ基板における接続状態
の導通検査を説明するための説明図である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a flip-chip pad (referred to as a first pad for convenience) is provided on one surface, and a BGA or a pad is provided on the other surface.
In a package substrate provided with an LGA pad (referred to as a second pad for convenience), it is general that the first pad and the second pad are in one-to-one correspondence via an inner layer pattern. . In such a package substrate, the inner layer pattern does not have a net structure, and therefore, the electrical inspection of each of the first pad, the second pad, and the inner layer pattern can be performed relatively easily. Here, an electrical inspection method for the first pad, the second pad, and the inner layer pattern in the conventional package substrate will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is an explanatory view for explaining an insulation test of a connection state in which a first pad and a second pad are connected in a one-to-one correspondence via an inner layer pattern in a conventional package substrate, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram for describing a conduction test of a connection state in the package substrate shown in FIG.

【0003】図5、図6において、パッケージ基板10
0には、その一面(図5、図6中、下面)にフリップチ
ップを実装するための第1パッド101、その他面(図
5、図6中、上面)にBGAやLGA用の第2パッド1
02が形成されている。また、各第1パッド101、第
2パッド102は、内層パターン103を介して1対1
に対応するように接続されている。
FIGS. 5 and 6 show a package substrate 10.
Reference numeral 0 denotes a first pad 101 for mounting a flip chip on one surface (the lower surface in FIGS. 5 and 6), and a second pad for a BGA or LGA on the other surface (the upper surface in FIGS. 5 and 6). 1
02 is formed. Further, each of the first pads 101 and the second pads 102 are in a one-to-one relationship via the inner layer pattern 103.
Connected to correspond to

【0004】前記のようなパッケージ基板100の電気
的検査を行うには、先ず、検査装置のプローブ104を
各第2パッド102にコンタクトし、プローブ104に
所定電圧を印加して第2パッド102、内層パターン1
03及び第1パッド101間の絶縁検査を行う。このと
き、絶縁検査は、各プローブ104にて抵抗測定を行う
ことにより行われる。次に、前記のようにプローブ10
4を各第2パッド102にコンタクトした状態で各第1
パッド101の全体に導電性ゴムシート105を接触
し、プローブ104に所定電圧を印加して第2パッド1
02、内層パターン103及び第1パッド101間の導
通検査を行う。前記のような検査方法によれば、パッケ
ージ基板100の構造がシンプルであることから、安価
な検査装置、治具を使用して短時間で第1パッド10
1、内層パターン103、第2パッド102間の電気的
検査を行うことが可能である。
In order to conduct an electrical inspection of the package substrate 100 as described above, first, a probe 104 of an inspection device is brought into contact with each of the second pads 102, and a predetermined voltage is applied to the probe 104 so that the second pads 102 and Inner layer pattern 1
03 and the first pad 101 are subjected to an insulation test. At this time, the insulation test is performed by measuring the resistance with each probe 104. Next, as described above, the probe 10
4 in contact with each second pad 102,
A conductive rubber sheet 105 is brought into contact with the entirety of the pad 101, a predetermined voltage is applied to the probe 104, and the second pad 1
02, a conduction test between the inner layer pattern 103 and the first pad 101 is performed. According to the inspection method as described above, since the structure of the package substrate 100 is simple, the first pad 10 can be quickly manufactured using an inexpensive inspection device and jig.
1. Electrical inspection between the inner layer pattern 103 and the second pad 102 can be performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいてパッケージ基板は、マルチチップ基板が主流とな
りつつある。かかるマルチチップ基板では、その一面に
フリップチップ実装用の第1パッド、他面にBGAやL
GA用の第2パッドが形成されるとともに、各第1パッ
ド、第2パッドは、複雑に枝分かれしてネット構造を有
する内層パターンを介して相互に接続されており、ま
た、それ故に各第1パッド、第2パッド、内層パターン
相互の接続状態(態様)には複数種類が存在する。
However, in recent years, multi-chip substrates have become the mainstream package substrates. In such a multi-chip substrate, the first pad for flip-chip mounting is provided on one surface, and the BGA or LGA is provided on the other surface.
A second pad for the GA is formed, and the first pad and the second pad are connected to each other via an inner layer pattern having a complicatedly branched and net structure. There are a plurality of types of connection states (aspects) between the pad, the second pad, and the inner layer pattern.

【0006】従って、前記のような構成を有するマルチ
チップ基板における第1パッド、第2パッド、内層パタ
ーン相互の電気的検査を行うに際しては次のような問題
が存在する。即ち、マルチチップ基板においては、各第
1パッド、第2パッドのファイン化が更に推進されてお
り、特に、フリップチップ実装用パッドである第1パッ
ドは狭いピッチで形成され、また、そのパッド径も小さ
い。これより、検査装置における検査治具の位置精度が
要求され、それ故に検査治具が高価になってしまう。
Therefore, the following problems exist when conducting an electrical inspection of the first pad, the second pad, and the inner layer pattern in the multi-chip substrate having the above-described configuration. That is, in the multi-chip substrate, the fineness of each of the first pad and the second pad is further promoted. In particular, the first pad, which is a flip-chip mounting pad, is formed at a narrow pitch, and the pad diameter is small. Is also small. Accordingly, the positional accuracy of the inspection jig in the inspection device is required, and therefore, the inspection jig becomes expensive.

【0007】例えば、前記にて説明したように、プロー
ブと導電性ゴムシートを使用して検査を行う場合には、
プローブ及び導電性ゴムシートに対して厳格な位置精度
が要求され、これに伴い検査治具、検査装置についても
厳格な精度が要求されるが、一般に、プローブや導電性
ゴムシートの位置精度については第1パッドの径が10
0μm、ピッチが0.2mm程度が限界である。従っ
て、かかる限界に対応可能な検査治具はかなり高価なも
のとなり、また、耐久性も低いものである。
For example, as described above, when an inspection is performed using a probe and a conductive rubber sheet,
Strict positional accuracy is required for the probe and the conductive rubber sheet, and strict accuracy is also required for the inspection jig and the inspection device. The diameter of the first pad is 10
The limit is 0 μm and the pitch is about 0.2 mm. Therefore, an inspection jig that can cope with such a limit becomes considerably expensive and has low durability.

【0008】前記したようなプローブや導電性ゴムシー
トにおける位置精度の限界に対処するには、いわゆるフ
ライングプローブ方式を採用することが考えられる。こ
のフライングプローブ方式を採用した検査装置は高価で
あるものの、プローブの位置精度が良好であり、かなり
ファインピッチの第1パッド(パッド径50μm、ピッ
チ0.15mm)に対応することが可能であり、また、
高価な検査治具を必要としない。しかし、フライングプ
ローブ方式では、数本のフライングプローブのみを使用
して検査を行うことから検査時間がかかってしまい、従
って、多数の基板の検査を行うための検査タクトが問題
となる。しかも、フライングプローブ方式によるコンデ
ンサ容量測定方法ではパターンが非常に短い場合は、接
続すべきパターンが断線していてもコンデンサ容量測定
値が小さく、コンデンサ容量測定限界以下になる可能性
が高い。従って、かかる限界に対応可能な検査治具はか
なり高価なものとなってしまう。
In order to cope with the limit of the positional accuracy of the probe or the conductive rubber sheet as described above, it is conceivable to employ a so-called flying probe method. Although the inspection apparatus employing the flying probe method is expensive, it has a good position accuracy of the probe and can correspond to the first pad (pad diameter: 50 μm, pitch: 0.15 mm) having a considerably fine pitch. Also,
There is no need for expensive inspection jigs. However, in the flying probe method, since the inspection is performed using only a few flying probes, an inspection time is required. Therefore, an inspection tact for inspecting a large number of substrates becomes a problem. In addition, in the capacitor capacitance measuring method using the flying probe method, when the pattern is very short, the measured capacitance value is small even if the pattern to be connected is broken, and it is highly possible that the measured capacitance value becomes lower than the capacitance measurement limit. Therefore, an inspection jig that can cope with such a limit becomes considerably expensive.

【0009】本発明は前記従来の問題点を解消するため
になされたものであり、パッケージ基板におけるフリッ
プチップ実装用の第1パッドとBGAやLGA用の第2
パッドとの間に存在し、ネット構造に由来する内層パタ
ーンに基づく第1パッドと第2パッド間の各種接続状態
を勘案して、コストの低い検査装置、検査治具を使用し
た場合においても、短時間で効率的に電気的検査を行う
ことが可能なパッケージ基板の検査方法を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and has a first pad for flip-chip mounting on a package substrate and a second pad for BGA or LGA.
In consideration of various connection states between the first pad and the second pad based on the inner layer pattern derived from the net structure and existing between the pads, even when using a low-cost inspection device or inspection jig, An object of the present invention is to provide a method of inspecting a package substrate, which can efficiently perform an electrical inspection in a short time.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項1に係る検査方法は、複数の第1パッドと複数の
第2パッドが形成されたパッケージ基板の電気的検査を
行う検査方法において、前記第2パッドにフィクスチャ
ープローブを当接した状態でプローブに検出信号を出力
し、プローブを介して検出される検出信号に基づき検査
を行う工程と、前記第2パッドにフィクスチャープロー
ブを当接するとともに第1パッド同志をショートさせた
状態でプローブに検出信号を出力し、プローブを介して
検出される検出信号に基づき検査を行う工程と、前記第
2パッド面側に電極板を設置した状態で、前記各工程で
検査の対象とならないパターン毎にそのパターンと電極
板との間で発生するコンデンサ容量を計算し、その計算
されたコンデンサ容量の計算値が所定閾値よりも大きい
場合には前記第1パッドに対してフライングプローブを
当接した状態でフライングプローブに検出信号を出力す
るとともに電極板を介して検出されるコンデンサ容量値
に基づき容量検査を行い、前記計算されたコンデンサ容
量の計算値が所定閾値よりも小さい場合には第1パッド
に対してフライングプローブを当接した状態でフライン
グプローブに検出信号を出力するとともにフライングプ
ローブを介して検出される抵抗値に基づき抵抗検査を行
う工程とからなるパッケージ基板の検査方法に特徴を有
する。前記構成を有する請求項1に係るパッケージ基板
の検査方法では、3段階の検査工程が順次合わせて行わ
れることにより、ネット構造に由来するパターンの複雑
な検査も正確に、しかも短時間に検査できる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an inspection method for performing an electrical inspection of a package substrate having a plurality of first pads and a plurality of second pads formed thereon. Outputting a detection signal to the probe in a state where the fixture probe is in contact with the second pad, and performing an inspection based on the detection signal detected via the probe; and applying the fixture probe to the second pad. A step of outputting a detection signal to the probe in a state where the first pads are in contact with each other and short-circuiting the first pads, and performing an inspection based on the detection signal detected via the probe; In each of the above-described steps, a capacitor capacitance generated between the pattern and the electrode plate is calculated for each pattern that is not an inspection target, and the calculated capacitor is calculated. When the calculated value of the amount is larger than the predetermined threshold value, a detection signal is output to the flying probe in a state where the flying probe is in contact with the first pad, and based on the capacitance value of the capacitor detected via the electrode plate. A capacitance test is performed. If the calculated value of the calculated capacitor capacitance is smaller than a predetermined threshold, a detection signal is output to the flying probe in a state where the flying probe is in contact with the first pad, and the signal is output via the flying probe. And a step of performing a resistance test based on the detected resistance value. In the method for inspecting a package substrate according to claim 1 having the above-described configuration, a complicated inspection of a pattern derived from a net structure can be accurately and quickly performed by sequentially performing three stages of inspection processes. .

【0011】特に、請求項1の検査方法において、その
記載された工程の順に検査する場合には、最初の工程か
ら順に粗い検査を経て密な検査に至るように構成されて
おり、3段階の検査工程の内先に行われる段階の検査工
程において、導通不良や絶縁不良が検出された場合に
は、次の段階の検査工程を行う必要なく不良パッケージ
基板を選別することが可能となる。これは、パッケージ
基板の電気的検査を行うにつき、特に、フライングプロ
ーブによる検査工程が最も時間を必要として律速段階と
なることから、パッケージ基板の良品・不良品を選別す
るについて高い効率性を維持する上で重要となる。ま
た、3段階の検査工程の内最初の2段階の検査工程は、
位置精度が比較的低い検査装置、検査治具を使用しても
行うことが可能であり、また、最後の段階の検査工程の
みフライングプローブによる検査を行えばよいことか
ら、コストの低い検査装置、検査治具を使用した場合に
おいても、短時間で効率的に電気的検査を行うことが可
能となる。さらに、最後の段階の検査においては、その
前の2段階の検査では検査対象とならないパターン毎に
コンデンサ容量を計算し、その計算値が所定閾値よりも
大きい場合は容量検査を行い、一方、計算値が所定閾値
よりも小さい場合には抵抗検査を行うことから、パター
ンが非常に短い場合でも検査の信頼性を格段に向上させ
ることが可能となる。
Particularly, in the inspection method according to the first aspect, when the inspection is performed in the order of the described steps, the inspection is performed in order from the first step to a coarse inspection and then to a dense inspection. When a conduction failure or an insulation failure is detected in a test step performed earlier in the test step, a defective package substrate can be selected without performing the next test step. This maintains high efficiency in selecting non-defective / non-defective package substrates, particularly when performing an electrical inspection of the package substrate, particularly since the inspection process using a flying probe takes the most time and is the rate-determining stage. Important above. In addition, the first two inspection steps of the three inspection steps are:
Inspection can be performed by using an inspection device and an inspection jig having relatively low positional accuracy.In addition, since the inspection using a flying probe can be performed only in the final inspection process, an inspection device with a low cost can be used. Even when an inspection jig is used, an electrical inspection can be efficiently performed in a short time. Furthermore, in the final inspection, the capacitor capacitance is calculated for each pattern that is not the inspection target in the previous two inspections, and when the calculated value is larger than a predetermined threshold, the capacitance inspection is performed. When the value is smaller than the predetermined threshold value, the resistance test is performed. Therefore, even when the pattern is very short, the reliability of the test can be remarkably improved.

【0012】また、請求項2に係るパッケージ基板の検
査方法は、請求項1の検査方法において、前記第1パッ
ドは半導体チップ実装用のパッドであり、前記第2パッ
ドはボールグリッドアレイ又はランドグリッドアレイ用
のパッドである点に特徴を有する。このように、第2パ
ッドがボールグリッドアレイ又はランドグリッドアレイ
用のパッドである場合には、これらのパッドはその径が
比較的大径であり、位置精度がそれ程要求されないこと
から、プローブをパッドに当接して前記最初の2段階の
検査工程を容易に行い得、また、第1パッドが半導体チ
ップ実装用パッドである場合には、よりファイン化され
て形成されることから、かかるファイン化に対応可能な
フライングプローブにより最後の段階の検査工程が行わ
れるものである。
According to a second aspect of the present invention, in the inspection method of the first aspect, the first pad is a pad for mounting a semiconductor chip, and the second pad is a ball grid array or a land grid. It is characterized in that it is an array pad. As described above, when the second pad is a pad for a ball grid array or a land grid array, these pads have a relatively large diameter, and positional accuracy is not so required. And the first two-step inspection process can be easily performed by contacting the first pad. When the first pad is a pad for mounting a semiconductor chip, the first pad is formed more finely. The last inspection step is performed by a flying probe that can be used.

【0013】さらに、請求項3に係るパッケージ基板の
検査方法は、請求項1の検査方法において、前記所定閾
値が1pFである点に特徴を有する。このように、閾値
が1pFである場合には、比較的安価なコンデンサ容量
検査装置により、検査結果の再現性が高く、信頼性の高
い高分解能な容量検査を行うことが可能である。また、
今後、より安価で、よりコンデンサ容量測定限界が高い
コンデンサ容量測定装置が開発されれば、前記所定閾値
は1pFよりも小さい値に変更可能である。
Furthermore, a third aspect of the present invention is directed to the method of inspecting a package substrate, wherein the predetermined threshold value is 1 pF. As described above, when the threshold value is 1 pF, a relatively inexpensive capacitor capacitance inspection device can perform a highly reliable and high-resolution capacitance inspection with high reproducibility of inspection results. Also,
In the future, if a more inexpensive and higher-capacitance capacitance measuring device is developed, the predetermined threshold can be changed to a value smaller than 1 pF.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るパッケージ基
板の検査方法について、本発明を具体化した実施形態に
基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。先ず、電気的
検査の対象となるパッケージ基板の構成について図1に
基づき説明する。図1はパッケージ基板を模式的に示す
部分断面図である。図1において、パッケージ基板1
は、多層(図1では、10層)に渡って配線パターン
が、いわゆるフルアディティブ法により形成されてなる
ビルドアップ多層配線基板である。パッケージ基板1の
一面(図1中、上面)には複数のフリップチップ用の第
1パッド2が形成されており、各第1パッド2はフォト
ビアにて構成されている。本実施形態において、第1パ
ッド2は、径100μm、ピッチ0.25mmで150
0個設けられている。例えば、各第1パッド2には、半
田供給装置(導電樹脂による接続方法もある)等を介し
て半田が供給された後、フリップチップの接続端子と半
田接続される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for inspecting a package substrate according to the present invention will be described in detail based on an embodiment embodying the present invention with reference to the drawings. First, a configuration of a package substrate to be subjected to an electrical inspection will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing a package substrate. In FIG. 1, a package substrate 1
Is a build-up multilayer wiring board in which wiring patterns are formed by a so-called full additive method over multiple layers (in FIG. 1, 10 layers). A first pad 2 for a plurality of flip chips is formed on one surface (the upper surface in FIG. 1) of the package substrate 1, and each first pad 2 is formed by a photo via. In the present embodiment, the first pad 2 has a diameter of 100 μm, a pitch of 0.25 mm, and a diameter of 150 μm.
There are zero. For example, after the first pad 2 is supplied with solder via a solder supply device (there is also a connection method using a conductive resin) or the like, the first pad 2 is connected to the connection terminal of the flip chip by solder.

【0015】また、パッケージ基板1の他面(図1中、
下面)には複数のLGA用の第2パッド3が形成されて
おり、第1パッド2と同様フォトビアにより構成されて
いる。本実施形態において、第2パッド3は、径600
μm、ピッチ1.25mmで1000個設けられてい
る。例えば、各第2パッド3には、半田供給装置(ソケ
ットにより取り付けてもよい)等を介して半田が供給さ
れた後、マザーボードに半田接続されて実装される。
Further, the other surface of the package substrate 1 (in FIG. 1,
A plurality of second pads 3 for LGA are formed on the lower surface), and are constituted by photovias like the first pad 2. In the present embodiment, the second pad 3 has a diameter of 600
There are provided 1,000 pieces with a pitch of 1.25 mm and μm. For example, after the solder is supplied to each second pad 3 via a solder supply device (may be attached by a socket) or the like, the second pad 3 is mounted on the motherboard by soldering.

【0016】前記第1パッド2と第2パッド3とは、基
本的に、パッケージ基板1の各層間絶縁層4に形成され
たフォトビアからなる内層パターン5を介して接続され
ている。ここで、各第1パッド2、第2パッド3及び内
層パターン5相互における接続態様について説明する。
第1パッド2の内、所定数(本実施形態では800個)
の第1パッド2は、内層パターン5を介して1対1に対
応するように第2パッド3と接続されている。この接続
状態を便宜的に第1接続状態とする。例えば、図1中、
第1パッド2の内、Aパッド(図1中、上面左端位置の
第1パッド2)は、内層パターン5を介して第2パッド
3の内、Fパッド(図1中、下面左端位置の第2パッド
3)に接続されており、この接続状態が第1接続状態に
相当する。
The first pad 2 and the second pad 3 are basically connected via an inner layer pattern 5 composed of a photo via formed in each interlayer insulating layer 4 of the package substrate 1. Here, a connection mode among the first pads 2, the second pads 3, and the inner layer pattern 5 will be described.
A predetermined number of the first pads 2 (800 in this embodiment)
The first pads 2 are connected to the second pads 3 via the inner layer pattern 5 so as to correspond one-to-one. This connection state is referred to as a first connection state for convenience. For example, in FIG.
Among the first pads 2, the A pad (the first pad 2 at the upper left position in FIG. 1) is connected to the F pad (the lower left position at the lower left position in FIG. 1) of the second pad 3 through the inner layer pattern 5. 2), and this connection state corresponds to a first connection state.

【0017】また、第1パッド2の内、所定数(本実施
形態では600個)の第1パッド2は、ネット状に形成
された内層パターン5Aを介して選択的に第2パッド3
に接続されている。この接続状態を便宜的に第2接続状
態とする。例えば、図1中、第1パッド2の内、Bパッ
ド(図1中、上面で左から2番目の第1パッド2)及び
Cパッド(図1中、上面で左から3番目の第1パッド
2)は、ネット状の内層パターン5Aを介して第2パッ
ド3の内、Gパッド(図1中、下面で左から2番目の第
2パッド3)に接続されており、この接続状態が第2接
続状態に相当する。
Of the first pads 2, a predetermined number (600 in the present embodiment) of the first pads 2 are selectively provided via the inner layer pattern 5A formed in a net shape.
It is connected to the. This connection state is referred to as a second connection state for convenience. For example, in FIG. 1, among the first pads 2, a B pad (first pad 2 from the left on the upper surface in FIG. 1) and a C pad (third first pad from the left on the upper surface in FIG. 1) 2) is connected to the G pad (the second pad 3 on the lower surface in FIG. 1 from the left) of the second pads 3 via the net-shaped inner layer pattern 5A. This corresponds to two connection states.

【0018】更に、第1パッド2の内、特定100個の
第1パッド2は、内層パターン5を介して相互に接続さ
れている。この接続状態を便宜的に第3接続状態とす
る。例えば、図1中、第1パッド2の内、Dパッド(図
1中、上面で左から4番目の第1パッド2)とEパッド
(図1中、上面で左から5番目の第1パッド2)とは、
内層パターン5を介して相互に接続されており、この接
続状態が第3接続状態に相当する。
Further, among the first pads 2, a specific 100 first pads 2 are mutually connected via an inner layer pattern 5. This connection state is referred to as a third connection state for convenience. For example, among the first pads 2 in FIG. 1, a D pad (the fourth first pad 2 from the left on the upper surface in FIG. 1) and an E pad (the fifth first pad from the left on the upper surface in FIG. 1) 2)
They are connected to each other via the inner layer pattern 5, and this connection state corresponds to a third connection state.

【0019】次に、前記のように構成されたパッケージ
基板1の電気的検査方法について図2乃至図4に基づき
説明する。ここに、図2は第1接続状態及び第2接続状
態の絶縁検査を行っている状態を模式的に示すパッケー
ジ基板の部分断面図、図3は第1接続状態及び第2接続
状態の導通検査を行っている状態を模式的に示すパッケ
ージ基板の部分断面図、図4は第3接続状態の導通検査
・絶縁検査を行っている状態を模式的に示すパッケージ
基板の部分断面図である。尚、図2、図3においては第
1接続状態のみが示されているが、第2接続状態につい
ても前記図1の場合と同様である。パッケージ基板1の
電気的検査は、先ず、第1接続状態、第2接続状態の絶
縁検査、次に第1接続状態、第2接続状態の導通検査、
そして、最終段階として第3接続状態の導通検査及び絶
縁検査が行われる。
Next, an electrical inspection method for the package substrate 1 configured as described above will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the package substrate schematically showing a state where an insulation test is performed in the first connection state and the second connection state, and FIG. 3 is a continuity test in the first connection state and the second connection state. And FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the package substrate schematically showing a state in which a continuity test and an insulation test in a third connection state are being performed. Although FIGS. 2 and 3 show only the first connection state, the second connection state is the same as that in FIG. The electrical inspection of the package substrate 1 includes first an insulation inspection in a first connection state and a second connection state, and then a continuity inspection in a first connection state and a second connection state.
Then, as a final stage, a continuity test and an insulation test of the third connection state are performed.

【0020】パッケージ基板1の電気的検査を行うに
は、先ず図2に示すように、パッケージ基板1を検査装
置にセットし、検査治具(フィクスチャー治具)に設け
られた各プローブ6を各第2パッド3に当接する。尚、
図2では、プローブ6が第2パッド3の内パッドFに当
接された状態が示されている。プローブ6を第2パッド
3に当接した状態で、各プローブ6に対して所定電圧を
印加するとともに、各プローブ6を介して抵抗値を測定
し良品吸い上げデータと比較して第1接続状態及び第2
接続状態の絶縁検査を行う。因みに、この検査において
は各第2パッド3にプローブ6が当接されているだけで
ある。従って、第2パッド3、内層パターン5、第1パ
ッド2に至る第1接続状態、及び、第2パッド3、内層
パターン5A、第1パッド2に至る第2接続状態が良好
な絶縁状態にあってショートが発生していない場合に
は、良品吸い上げデータと一致し絶縁良好であることが
分かり、一方、第1接続状態又は第2接続状態に絶縁不
良が存在してショートが発生している場合には、良品デ
ータと一致せず(ネット数増加)絶縁不良であることが
分かる。尚、第2パッド3同志が接続したパターンの導
通検査も同時に行われている。また、同様の方法によっ
てリーク検査も同時に行われる。尚、前記第1検査工程
は、10秒程度で終了する。
In order to conduct an electrical inspection of the package substrate 1, first, as shown in FIG. 2, the package substrate 1 is set on an inspection device, and each probe 6 provided on an inspection jig (fixture jig) is connected to the inspection device. It comes into contact with each second pad 3. still,
FIG. 2 shows a state where the probe 6 is in contact with the inner pad F of the second pad 3. While the probe 6 is in contact with the second pad 3, a predetermined voltage is applied to each probe 6, and a resistance value is measured via each probe 6 and compared with the non-defective sampled data to determine the first connection state and Second
Conduct an insulation test on the connection. Incidentally, in this test, only the probe 6 is in contact with each second pad 3. Therefore, the first connection state to the second pad 3, the inner layer pattern 5, and the first pad 2 and the second connection state to the second pad 3, the inner layer pattern 5A, and the first pad 2 are in a good insulation state. When no short circuit occurred, it was found that the insulation matched with the conforming data of the non-defective product, and that the short circuit occurred due to insulation failure in the first connection state or the second connection state. In FIG. 5, it is found that the insulation does not match the non-defective data (the number of nets is increased) and the insulation is poor. Note that a continuity test of the pattern connected by the second pads 3 is also performed at the same time. Also, a leak test is performed simultaneously by the same method. The first inspection step is completed in about 10 seconds.

【0021】次に、図3に示すように、前記のように各
第2パッド3にプローブ6を当接した状態で、各第1パ
ッド2の全体に渡ってシリコン樹脂シート8に導電ゴム
シート7貼り合わせたシートで押さえた後、各プローブ
6に対して所定電圧を印加するとともに、抵抗値の測定
を行い良品データと比較して第1接続状態及び第2接続
状態の導通検査を行う。因みに、この検査においては各
第1パッド2が導電性ゴムシート7を介してショートさ
れている。従って、第2パッド3、内層パターン5、第
1パッド2に至る第1接続状態、及び、第2パッド3、
内層パターン5A、第1パッド2に至る第2接続状態が
良好な導通状態にあってオープンが発生していない場合
には、良品データとネット数が一致し導通良好であるこ
とが分かり、一方、第1接続状態又は第2接続状態に導
通不良が存在してオープンが発生している場合には、良
品データと一致しないため導通不良であることが分か
る。尚、第2パッド3が第1パッド2に接続されないパ
ターンの絶縁、導通検査も同時に行われている。前記第
2検査工程は、10秒程度で終了する。
Next, as shown in FIG. 3, a conductive rubber sheet is applied to the silicon resin sheet 8 over the entire first pad 2 in a state where the probe 6 is in contact with each second pad 3 as described above. After pressing with the bonded sheets, a predetermined voltage is applied to each probe 6, the resistance value is measured, and the continuity test of the first connection state and the second connection state is performed by comparing with the non-defective data. Incidentally, in this test, each first pad 2 is short-circuited via the conductive rubber sheet 7. Therefore, the second pad 3, the inner layer pattern 5, the first connection state reaching the first pad 2, the second pad 3,
When the second connection state to the inner layer pattern 5A and the first pad 2 is in a good conduction state and no open occurs, the non-defective data and the number of nets match, indicating that the conduction is good. If an open state occurs due to a conduction failure in the first connection state or the second connection state, it does not match the non-defective data, indicating that the conduction is defective. In addition, the insulation and continuity inspection of the pattern in which the second pad 3 is not connected to the first pad 2 is also performed at the same time. The second inspection step is completed in about 10 seconds.

【0022】前記した2つの検査工程で、第1接続状態
又は第2接続状態の絶縁不良や導通不良が検出された場
合には、パッケージ基板1としては不良品であると判断
できるので、最後の段階の検査工程を行うことなく次の
パッケージ基板1の検査に移行することができる。この
ように、先に行われる2つの検査工程を介して予め不良
品を選別することにより、早期に不良品を排除しつつ検
査対象となるパッケージ基板1の枚数を減少して効率的
にパッケージ基板1の検査を行うことができる。
In the above two inspection steps, if an insulation failure or conduction failure in the first connection state or the second connection state is detected, it can be determined that the package substrate 1 is defective, so that the final It is possible to shift to the inspection of the next package substrate 1 without performing the inspection step. As described above, by selecting defective products in advance through the two inspection processes performed earlier, the number of package substrates 1 to be inspected is reduced while eliminating defective products at an early stage, and the package substrates are efficiently reduced. One test can be performed.

【0023】前記2つの検査工程にて、パッケージ基板
1における第1接続状態及び第2接続状態の絶縁不良、
導通不良が検出されない場合には、フライングプローブ
による次の最終段階の検査工程に移行する。この検査工
程は、前記各2段階の検査工程では検査の対象とならな
い第3接続状態の導通検査・絶縁検査を行う工程であ
る。次に、図4に基づき第3接続状態の導通検査・絶縁
検査について詳細に説明する。先ず、予め第3接続状態
の第1パッド2(本実施形態では100個)および内層
パターン5のプリント基板設計情報から第3接続状態の
各パターンの面積をパターンの長さと幅を乗じて算出す
る。そして、第2パッド3面側の絶縁体15に電極板1
0(銅板等)を接触させて設置した場合の、第3接続状
態の各パターンと前記電極板10間のコンデンサ容量
(CAPACITANCE)を算出し、前記各算出コン
デンサ容量データを各パターンに対応させてフライング
プローブチェッカー14に入力する。次に、図4に示す
ように、第2パッド3面側の絶縁体15に電極板10を
接触させて設置した状態で、フライングプローブ9を備
えた検査装置にパッケージ基板1をセットし、1対のフ
ライングプローブ9を第1パッド2に選択的に当接した
状態で、内層パターン5を介して接続された第3接続状
態の第1パッド2の所定組毎に導通検査および絶縁検査
を行う。前記電気的検査において、フラインプローブチ
ェッカー14は、フライングプローブ9が選択的に当接
された検査パターンに対応する上記算出コンデンサ容量
データに基づき、算出コンデンサ容量が1pF以上の場
合は、コンデンサ容量測定部12によりフライングプロ
ーブ9に所定電圧を印加して、半田付け11(導電性接
着剤による方法もある)で接続された電極板10を介し
て検出されるコンデンサ容量を測定する。そして、前記
測定値と正常なパッケージ基板のコンデンサ容量値とを
比較することにより各第1パッド2間の導通検査・絶縁
検査を行い、パッケージ基板1の電気的検査を終了す
る。また、上記電気的検査において、フライングプロー
ブチェッカー14は、フライングプローブ9が選択的に
当接された検査パターンに対応する上記算出コンデンサ
容量が1pF未満の場合、抵抗測定部13により、一方
のフライングプローブ9に所定電圧を印加して、他方の
フライングプローブ9を介して検出される抵抗値(RE
SISTANCE)を測定する。そして、前記測定値と
正常なパッケージ基板の抵抗値とを比較することにより
各第1パッド2間の導通検査・絶縁検査を行い、パッケ
ージ基板1の電気的検査を終了する。尚、前記第3段階
の最終検査工程は1分程度で終了する。
In the two inspection steps, the first connection state and the second connection state of the package substrate 1 may be defective in insulation.
If no continuity failure is detected, the process proceeds to the next final inspection step using a flying probe. This inspection step is a step of performing a continuity inspection / insulation inspection of a third connection state which is not an inspection target in each of the two-step inspection steps. Next, the continuity test / insulation test in the third connection state will be described in detail with reference to FIG. First, the area of each pattern in the third connection state is calculated by multiplying the length and width of the pattern from the printed circuit board design information of the first pads 2 (100 in this embodiment) and the inner layer pattern 5 in the third connection state. . Then, the electrode plate 1 is placed on the insulator 15 on the second pad 3 surface side.
0 (a copper plate or the like) is placed in contact with each other, a capacitor capacitance (CAPACITANCE) between each pattern in the third connection state and the electrode plate 10 is calculated, and the calculated capacitor capacitance data is made to correspond to each pattern. Input to the flying probe checker 14. Next, as shown in FIG. 4, in a state where the electrode plate 10 is placed in contact with the insulator 15 on the second pad 3 surface side, the package substrate 1 is set on an inspection device provided with the flying probe 9, and While the pair of flying probes 9 are selectively in contact with the first pads 2, a continuity test and an insulation test are performed for each predetermined set of the first pads 2 in the third connection state connected via the inner layer pattern 5. . In the electrical inspection, the flying probe checker 14 determines whether or not the calculated capacitor capacitance is 1 pF or more based on the calculated capacitor capacitance data corresponding to the test pattern with which the flying probe 9 is selectively contacted. A predetermined voltage is applied to the flying probe 9 by 12 and the capacitance of the capacitor detected via the electrode plate 10 connected by soldering 11 (a method using a conductive adhesive is also used) is measured. Then, the continuity test and the insulation test between the first pads 2 are performed by comparing the measured value with the capacitor value of the normal package substrate, and the electrical test of the package substrate 1 is completed. In the electrical test, when the calculated capacitor capacitance corresponding to the test pattern with which the flying probe 9 is selectively contacted is less than 1 pF, the flying probe checker 14 controls the one of the flying probes by the resistance measuring unit 13. 9, a predetermined voltage is applied to the resistance value (RE) detected through the other flying probe 9.
SISTANCE). Then, the continuity test and the insulation test between the first pads 2 are performed by comparing the measured value with the resistance value of the normal package substrate, and the electrical test of the package substrate 1 is completed. Incidentally, the final inspection step of the third stage is completed in about one minute.

【0024】ここに、前記した3つの検査工程に要する
時間は、第1段階の検査工程が10秒程度、第2段階の
検査工程が10秒程度、第3段階の検査工程が1分程度
であって合計検査時間は約1.5分となり、従って、全
ての検査工程をフライングプローブ9を介して行う場合
に要する検査時間が約3分程度であることと比較して、
半分程度の検査時間でパッケージ基板1の電気的検査を
行うことができる。また、前記第1段階の検査工程、第
2段階の検査工程と第3段階の検査工程とは、相互に並
行して行うことも可能であり、かかる場合には、更に検
査時間の短縮を図ることができる。
The time required for the three inspection steps is about 10 seconds for the first inspection step, about 10 seconds for the second inspection step, and about 1 minute for the third inspection step. Therefore, the total inspection time is about 1.5 minutes. Therefore, compared to the inspection time required when all the inspection steps are performed through the flying probe 9 is about 3 minutes,
The electrical inspection of the package substrate 1 can be performed in about half the inspection time. Further, the first-stage inspection process, the second-stage inspection process, and the third-stage inspection process can be performed in parallel with each other, and in such a case, the inspection time is further reduced. be able to.

【0025】以上詳細に説明した通り本実施形態に係る
パッケージ基板1の検査方法では、第1パッド2、内層
パターン5、第2パッド3間に形成される第1接続状
態、及び、第1パッド2、ネット状内層パターン5A、
第2パッド3間に形成される第2接続状態の絶縁検査
は、プローブ6を第2パッド3に当接した状態で安価な
検査治具を介して行われるとともに、第1接続状態及び
第2接続状態の導通検査は、プローブ6を第2パッド3
に当接し、且つ、第1パッド2の全体に渡って導電性ゴ
ムシート7を接触した状態で安価な検査治具を介して行
われ、更に、各第1パッド2と内層パターン5間で形成
される第3接続状態の導通検査・絶縁検査は、フライン
グプローブ9により行われるので、検査時間を要するフ
ライングプローブ9による検査を最小限にしつつ、コス
トの低い検査装置、検査治具を使用して短時間で効率的
にパッケージ基板1の電気的検査を行うことができる。
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が
可能であることは勿論である。
As described above in detail, in the inspection method for the package substrate 1 according to the present embodiment, the first connection state formed between the first pad 2, the inner layer pattern 5, and the second pad 3, and the first pad 2, net-shaped inner layer pattern 5A,
The insulation test of the second connection state formed between the second pads 3 is performed through an inexpensive inspection jig in a state where the probe 6 is in contact with the second pad 3, and the first connection state and the second connection state are checked. For the continuity test of the connection state, the probe 6 is connected to the second pad 3.
Is performed through an inexpensive inspection jig in a state in which the conductive rubber sheet 7 is in contact with the first pad 2 and formed between the first pad 2 and the inner layer pattern 5. Since the continuity inspection / insulation inspection of the third connection state is performed by the flying probe 9, the inspection by the flying probe 9 requiring an inspection time is minimized, and the inspection is performed by using a low-cost inspection apparatus and an inspection jig. The electrical inspection of the package substrate 1 can be efficiently performed in a short time.
Note that the present invention is not limited to the above embodiment,
It goes without saying that various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0026】例えば、前記実施形態においてパッドに対
して直接プローブを当接して検査を行うようにしたが、
パッド上に半田バンプが形成された後にバンプに対して
プローブを当接して検査を行ってもよい。これは、パッ
ドに対してプローブが当接する際に、例えば、フォトビ
アパッドにクラックが発生する虞があることから、これ
を未然に防止するためである。また、プローブによる検
査は、最終工程(出荷状態に近い状態)で行う方が信頼
性を保証することができるからである。尚、パッド上に
半田バンプを形成し、半田バンプの平坦化を行った後、
プローブがその平坦化された半田バンプに当接されて検
査が行われる。また、フィクスチャー絶縁検査、フィク
スチャーと導電ゴムによる導通検査、フライングプロー
ブによるコンデンサ容量測定検査や抵抗値測定検査は、
パッドの形状が異なっている場合(例えば、半田バンプ
なしのAuメッキされたパッド、半田バンプが形成され
たパッド、半田バンプが形成されて平坦化されたパッド
等)であっても行うことができ、また、その検査順序に
ついては自由に決定することができる。尚、フライング
プローブによるコンデンサ容量測定検査と抵抗値測定検
査を、予め算出した第3接続状態のパターンのコンデン
サ容量が1pF以上かどうかで選択したが、より安価
で、より測定分解能の高いコンデンサ容量測定部が構成
できれば、1pFよりも小さいコンデンサ容量を基準に
して前記検査方法を選択してもよい。
For example, in the above embodiment, the probe is directly contacted with the pad to perform the inspection.
After the solder bump is formed on the pad, the probe may be brought into contact with the bump to perform the inspection. This is to prevent a crack from occurring in, for example, a photo via pad when the probe comes into contact with the pad. Further, it is because the reliability can be assured by performing the inspection using the probe in the final step (a state close to the shipping state). After forming the solder bump on the pad and flattening the solder bump,
An inspection is performed with the probe abutting the flattened solder bump. In addition, fixture insulation inspection, continuity inspection with fixture and conductive rubber, capacitor capacitance measurement inspection and resistance value measurement inspection with flying probe,
This can be performed even when the pads have different shapes (for example, Au-plated pads without solder bumps, pads with solder bumps formed, pads with solder bumps formed and flattened, etc.). The inspection order can be freely determined. In addition, the capacitor capacitance measurement inspection and the resistance value measurement inspection using the flying probe were selected based on whether or not the capacitor capacitance of the pattern in the third connection state calculated in advance was 1 pF or more. If the unit can be configured, the above-described inspection method may be selected based on a capacitor capacitance smaller than 1 pF.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明した通り本発明に係るパッケー
ジ基板の検査方法は、パッケージ基板におけるフリップ
チップ実装用の第1パッドとBGAやLGA用の第2パ
ッドとの間に存在し、ネット構造に由来する内層パター
ンに基づく第1パッドと第2パッド間の各種接続状態を
勘案して、コストの低い検査装置、検査治具を使用した
場合においても、短時間で効率的に電気的検査を行うこ
とが可能なパッケージ基板の検査方法を提供することが
できる。また、シングルチップパッケージは勿論、特
に、マルチチップパッケージ(MCM)基板をも効率的
に検査することができる。
As described above, the method of inspecting a package substrate according to the present invention exists between the first pad for flip chip mounting and the second pad for BGA or LGA on the package substrate, and has a net structure. In consideration of various connection states between the first pad and the second pad based on the derived inner layer pattern, an electric test is efficiently performed in a short time even when a low-cost test device or test jig is used. It is possible to provide a method of inspecting a package substrate capable of performing the above. In addition, a multichip package (MCM) substrate as well as a single chip package can be efficiently inspected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】パッケージ基板を模式的に示す部分断面図であ
る。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing a package substrate.

【図2】第1接続状態及び第2接続状態の絶縁検査を行
っている状態を模式的に示すパッケージ基板の部分断面
図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the package substrate schematically showing a state where an insulation test is being performed in a first connection state and a second connection state.

【図3】第1接続状態及び第2接続状態の導通検査を行
っている状態を模式的に示すパッケージ基板の部分断面
図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the package substrate schematically showing a state in which a continuity test is performed in a first connection state and a second connection state.

【図4】第3接続状態の導通検査・絶縁検査を行ってい
る状態を模式的に示すパッケージ基板の部分断面図であ
る。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the package substrate schematically showing a state in which a continuity test and an insulation test in a third connection state are being performed;

【図5】従来のパッケージ基板において第1パッドと第
2パッドとが内層パターンを介して1対1に対応して接
続された接続状態の絶縁検査を説明するための説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an insulation test of a connection state in which a first pad and a second pad are connected in a one-to-one correspondence via an inner layer pattern in a conventional package substrate.

【図6】図5に示すパッケージ基板における接続状態の
導通検査を説明するための説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a continuity test of a connection state in the package substrate shown in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ基板 2 第1パッド 3 第2パッド 4 層間絶縁層 5 内層パターン 5A ネット状内層パターン 6 プローブ 7 導電性ゴムシート 9 フライングプローブ 10 電極板 11 半田付け 12 コンデンサ容量測定部 13 抵抗測定部 14 フライングプローブチェッカー 15 絶縁体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package board 2 1st pad 3 2nd pad 4 Interlayer insulating layer 5 Inner layer pattern 5A Net-like inner layer pattern 6 Probe 7 Conductive rubber sheet 9 Flying probe 10 Electrode board 11 Soldering 12 Capacitance measuring part 13 Resistance measuring part 14 Flying Probe checker 15 Insulator

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の第1パッドと複数の第2パッドが
形成されたパッケージ基板の電気的検査を行う検査方法
において、 前記第2パッドにフィクスチャープローブを当接した状
態でプローブに検出信号を出力し、プローブを介して検
出される検出信号に基づき検査を行う工程と、 前記第2パッドにフィクスチャープローブを当接すると
ともに第1パッド同志をショートさせた状態でプローブ
に検出信号を出力し、プローブを介して検出される検出
信号に基づき検査を行う工程と、 前記第2パッド面側に電極板を設置した状態で、前記各
工程で検査の対象とならないパターン毎にそのパターン
と電極板との間で発生するコンデンサ容量を計算し、そ
の計算されたコンデンサ容量の計算値が所定閾値よりも
大きい場合には前記第1パッドに対してフライングプロ
ーブを当接した状態でフライングプローブに検出信号を
出力するとともに電極板を介して検出されるコンデンサ
容量値に基づき容量検査を行い、前記計算されたコンデ
ンサ容量の計算値が所定閾値よりも小さい場合には第1
パッドに対してフライングプローブを当接した状態でフ
ライングプローブに検出信号を出力するとともにフライ
ングプローブを介して検出される抵抗値に基づき抵抗検
査を行う工程とからなるパッケージ基板の検査方法。
1. An inspection method for performing an electrical inspection of a package substrate on which a plurality of first pads and a plurality of second pads are formed, wherein a detection signal is sent to a probe while a fixture probe is in contact with the second pad. And outputting a detection signal to the probe in a state where the fixture probe is brought into contact with the second pad and the first pads are short-circuited. Performing an inspection based on a detection signal detected via a probe; and, in a state where an electrode plate is provided on the second pad surface side, the pattern and the electrode plate for each pattern not to be inspected in each of the steps. Is calculated between the first pad and the calculated value of the calculated capacitor capacity is larger than a predetermined threshold value. A detection signal is output to the flying probe in a state where the flying probe is in contact with the flying probe, and a capacitance test is performed based on the capacitance value detected via the electrode plate. First if small
Outputting a detection signal to the flying probe in a state where the flying probe is in contact with the pad and performing a resistance test based on a resistance value detected via the flying probe.
【請求項2】 前記第1パッドは半導体チップ実装用の
パッドであり、前記第2パッドはボールグリッドアレイ
又はランドグリッドアレイ用のパッドであることを特徴
とする請求項1記載のパッケージ基板の検査方法。
2. The inspection of a package substrate according to claim 1, wherein the first pad is a pad for mounting a semiconductor chip, and the second pad is a pad for a ball grid array or a land grid array. Method.
【請求項3】 前記所定閾値が1pFであることを特徴
とする請求項1記載のパッケージ基板の検査方法。
3. The method according to claim 1, wherein the predetermined threshold is 1 pF.
JP8258425A 1996-09-30 1996-09-30 Method for inspecting package substrate Pending JPH10104301A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8258425A JPH10104301A (en) 1996-09-30 1996-09-30 Method for inspecting package substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8258425A JPH10104301A (en) 1996-09-30 1996-09-30 Method for inspecting package substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10104301A true JPH10104301A (en) 1998-04-24

Family

ID=17320043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8258425A Pending JPH10104301A (en) 1996-09-30 1996-09-30 Method for inspecting package substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10104301A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200946A (en) * 2005-01-18 2006-08-03 Nidec-Read Corp Apparatus, program, and method for substrate inspection
JP2012185139A (en) * 2011-03-08 2012-09-27 Toppan Printing Co Ltd Electric inspection method of substrate for flip chip package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200946A (en) * 2005-01-18 2006-08-03 Nidec-Read Corp Apparatus, program, and method for substrate inspection
KR101135440B1 (en) * 2005-01-18 2012-05-25 니혼덴산리드가부시키가이샤 Substrate inspecting apparatus and substrate inspecting method
JP2012185139A (en) * 2011-03-08 2012-09-27 Toppan Printing Co Ltd Electric inspection method of substrate for flip chip package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6564986B1 (en) Method and assembly for testing solder joint fractures between integrated circuit package and printed circuit board
KR100712561B1 (en) Wafer type probe card and method for fabricating the same and semiconductor test apparatus having wafer type probe card
US9329227B2 (en) Method and apparatus for testing interconnection reliability of a ball grid array on a testing printed circuit board
US6590409B1 (en) Systems and methods for package defect detection
US6249114B1 (en) Electronic component continuity inspection method and apparatus
US6788092B2 (en) Test assembly for integrated circuit package
US20090058447A1 (en) Fault analyzer
US7102372B2 (en) Apparatus and method for testing conductive bumps
JP2009270835A (en) Inspection method and device for semiconductor component
US20080061812A1 (en) Component-attach test vehicle
JP2005183863A (en) Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
JPH10104301A (en) Method for inspecting package substrate
US7498180B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2737774B2 (en) Wafer tester
JP2006005163A (en) Semiconductor device, and mounting inspecting method thereof
JPH09264918A (en) Method for inspecting package board
JPH0789126B2 (en) Method for testing electrical characteristics of hybrid integrated circuit board
KR100679167B1 (en) The probe card using coaxial cable for semiconductor wafer
JP2003004795A (en) Inspection system for connection of board for integrated circuit
JP2004361249A (en) Substrate inspection device
US20030197514A1 (en) System and method for testing a printed circuit board by employing a ceramic substrate with micro-probes formed on the ceramic substrate
JP2921995B2 (en) Inspection method for multilayer wiring board
TWI344187B (en) Multiple functions testing device
JP2652705B2 (en) Inspection method for wiring protrusion height
JP3163903B2 (en) Inspection parts for multi-chip module substrates