JP2009270835A - Inspection method and device for semiconductor component - Google Patents

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Kazuyuki Kubota
和之 窪田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device allowing simultaneous measurement with high accuracy upon inspection of a large number of semiconductor components such as LSIs and semiconductor modules even when the number of objects to be inspected or the number of parts to be measured is large. <P>SOLUTION: The inspection device for semiconductor components includes: a probe substrate (10) including an insulation substrate (11) having a plurality of probe contact points (22) formed on a first face and for contacting an object to be inspected (10) and a plurality of first electrode terminals (23) formed on a second face, and a plurality of through electrodes (24) electrically connecting the probe contact points and the first electrode terminals; a control substrate (30) having a rewritable hardware mounted thereon or incorporated therein and provided with, on one surface, a plurality of second electrode terminals (33) connected to the hardware; and a plurality of conductive buffer materials (26) provided between the first electrode terminals of the probe substrate and the second electrode terminals of the control substrate and electrically connecting each other. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は大規模集積回路(LSI)又は半導体モジュール等の半導体部品の検査方法及び装置に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for inspecting a semiconductor component such as a large scale integrated circuit (LSI) or a semiconductor module.

大規模集積回路(LSI)又は半導体モジュール等の半導体部品や半導体装置を製造する場合においては、シリコンから成る1枚の半導体ウエハ上にて、多数個分の半導体装置の回路形成等の加工が行われ、ウエハ上での加工工程が終了した後に、ダイシングにより切断され個々の半導体装置に分離される。半導体装置を検査するにあったては、個片化される前の半導体ウエハ上の複数の半導体チップ領域について同時に計測することのできるテスト装置も使われている。このように、複数の半導体チップ領域における多数の検査箇所を同時に計測する場合は、プローブカードが用いられる。   When manufacturing semiconductor components such as large-scale integrated circuits (LSIs) or semiconductor modules and semiconductor devices, processing such as circuit formation of a large number of semiconductor devices is performed on a single semiconductor wafer made of silicon. After the processing process on the wafer is completed, the wafer is cut by dicing and separated into individual semiconductor devices. In testing a semiconductor device, a test device capable of simultaneously measuring a plurality of semiconductor chip regions on a semiconductor wafer before being singulated is also used. Thus, a probe card is used when simultaneously measuring a large number of inspection locations in a plurality of semiconductor chip regions.

このプローブカードは、従来、多数の検査箇所にそれぞれ接触するプローブ接点ないし触針を有している。しかしながら、一度に同時に検査できる半導体ウエハ上の領域は、プローブカードがあたる範囲やプローブカードを含むテスト装置の処理能力に依存しているため、同時に計測できる領域としては、数個の半導体装置が限度であった。   Conventionally, this probe card has probe contacts or styluses that respectively contact a large number of inspection points. However, since the area on the semiconductor wafer that can be inspected at the same time depends on the area where the probe card hits and the processing capability of the test equipment that includes the probe card, several semiconductor devices are limited as areas that can be measured simultaneously. Met.

また、モジュール化された半導体装置について複数の検査箇所を同時に計測する場合には、半導体装置がウエハから切断されて個片化した状態で試験用ソケットを用いて、複数箇所の同時測定を実現していた。   Also, when measuring a plurality of inspection locations on a modularized semiconductor device at the same time, the semiconductor device is cut from the wafer and separated into individual pieces, and a test socket is used to realize simultaneous measurement at a plurality of locations. It was.

図1に半導体ウエハ100上のチップ102を1個又は数個同時に測定することのできる従来の検査方法の概略を示す。プリント配線基板から成るプローブカード110は、その中心穴より複数の触針(プローブ)112を有し、これらの触針112が検査対象である1つ又は複数の半導体チップ102の所要な被測定箇所、例えば、半導体チップ102に設けられた電極204(図2)に接触するように設計されている。   FIG. 1 shows an outline of a conventional inspection method that can measure one or several chips 102 on a semiconductor wafer 100 simultaneously. A probe card 110 made of a printed wiring board has a plurality of styluses (probes) 112 from the center hole thereof, and these styluses 112 are required to be measured on one or a plurality of semiconductor chips 102 to be inspected. For example, it is designed to be in contact with the electrode 204 (FIG. 2) provided on the semiconductor chip 102.

図2は、大判の配線基板(プリント配線基板)に、個々の半導体モジュールとなる箇所が作製された状態を平面図である。大判の配線基板200の一方の面(図の表面)には、外部接続端子04が形成され、他方の面(図の表面)には、半導体チップや、チップキャパシタ等の部品(図示せず)が搭載されている。この大判の配線基板200を個々に切り出し、半導体モジュール202を形成している。従来の検査装置では、個々に切り出された半導体モジュール202を、テストソケット(図示せず)に挿入し、検査を行なっていた。   FIG. 2 is a plan view showing a state in which portions to be individual semiconductor modules are formed on a large-sized wiring board (printed wiring board). An external connection terminal 04 is formed on one surface (the surface in the drawing) of the large-sized wiring board 200, and a component (not shown) such as a semiconductor chip or a chip capacitor is formed on the other surface (the surface in the drawing). Is installed. The large-sized wiring board 200 is cut out individually to form a semiconductor module 202. In the conventional inspection apparatus, the semiconductor module 202 cut out individually is inserted into a test socket (not shown) for inspection.

従来知られている先行技術として、特許文献1(特開2002−174669号公報)があるが、これによると、複数の集積回路デバイスを同時にテストするシステムにおいて、単一または複数のチャンネルのテスターからデーター値を受け取って、集積回路にエラー情報を提供するための、テスターに結合されたインターフェース回路を備える。このインターフェース回路はテスターから受け取ったデーター値を複数のデバイスに同時に送る。インターフェース回路は、デバイスから読み出してデーター値を使用して比較を行い、これに応じて、比較の結果を示すエラー値を生成する。同一または異なるチャンネルを介して、このエラー値をテスターに返すことができる。   As a prior art known conventionally, there is Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-174669). According to this, in a system for simultaneously testing a plurality of integrated circuit devices, from a single or a plurality of channel testers. An interface circuit coupled to the tester is provided for receiving the data value and providing error information to the integrated circuit. This interface circuit sends data values received from the tester to multiple devices simultaneously. The interface circuit reads out from the device and performs comparison using the data value, and in response, generates an error value indicating the result of the comparison. This error value can be returned to the tester via the same or different channels.

特許文献2(特開2004−259530号公報)では、半導体ソケットのような、ばね性のワイヤからなる外部接続端子が多数配列されている半導体検査装置において、接触端子の接触回数が数百回又は数千回と繰り返される場合においても、接触電圧を変化させずに、長期間にわたり安定して使用できるようにするために、外部接続端子の先端部に、剥離可能なめっき層を多層に形成しておき、外部接続端子の先端部の汚れに応じてエッチング洗浄して再使用に供する。   In Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-259530), in a semiconductor inspection apparatus in which a large number of external connection terminals made of spring-like wires are arranged, such as a semiconductor socket, the number of contact times of the contact terminals is several hundred times or Even when it is repeated thousands of times, a peelable plating layer is formed in multiple layers at the tip of the external connection terminal so that it can be used stably over a long period of time without changing the contact voltage. In addition, etching cleaning is performed according to the dirt on the tip of the external connection terminal, and it is reused.

特許文献3(特開2005−127961号公報)では、構造が簡単で、製造コストが低価格で、且つ多ピン化に対応可能な、半導体パッケージやチップを検査するためのテスト用基板を提供するものである。そして、このテスト用基板は、シリコン基板等のプローブ基板と、このプローブ基板の一面にワイヤボンディングにより形成した検査対象のバンプ又は端子の配列に対応して配列され、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、プローブ基板の他面に配列された複数のマイクロスプリングと、各ボールバンプとマイクロスプリングとの間を電気的に接続するためのプローブ基板の位置面から他面へ貫通する導通ビアとから成る。   Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-127916) provides a test substrate for inspecting a semiconductor package or a chip that has a simple structure, is low in manufacturing cost, and can cope with an increase in the number of pins. Is. The test substrate is arranged corresponding to the arrangement of a probe substrate such as a silicon substrate and a bump or a terminal to be inspected formed on one surface of the probe substrate by wire bonding, and has a plurality of thin protrusions at the tip. Ball bumps, a plurality of microsprings arranged on the other surface of the probe substrate, and conductive vias penetrating from the position surface of the probe substrate to the other surface for electrically connecting each ball bump and the microspring. It consists of.

特開2002−174669号公報JP 2002-174669 A

特開2004−259530号公報JP 2004-259530 A

特開2005−127961号公報JP 2005-127916 A

図1及び図2に示した従来のプローブカードを用いた半導体装置の検査方法によると、プローブカードがあたる範囲やプローブカードを含むテスト装置の処理能力に依存しているため、同時に計測できるのは数個の半導体装置が限度であった。また、モジュール化された半導体装置にあっては、個片化されたチップを個々に検査用ソケットに装着して、測定を実施しなければならず、短時間の大量処理には不向きであった。   According to the semiconductor device inspection method using the conventional probe card shown in FIG. 1 and FIG. 2, it depends on the range of the probe card and the processing capability of the test apparatus including the probe card. The limit was several semiconductor devices. In addition, in the case of a modularized semiconductor device, it is necessary to perform measurement by mounting individual chips on an inspection socket, which is not suitable for a large amount of processing in a short time. .

特許文献1〜3に開示されている先行技術においても、半導体チップの試験装置においてテスト装置自体の耐久性、測定時間の短縮化等の改善はなされているものの、多数個の半導体装置について同時に計測するのは、個々のプローブのあたる範囲やその処理能力等には限界があり、多数個の検査対象物について満足のできる同時計測を実現することは実質的に困難であった。   Even in the prior arts disclosed in Patent Documents 1 to 3, although the semiconductor chip test apparatus has been improved, such as the durability of the test apparatus itself and the reduction of the measurement time, measurement of a large number of semiconductor devices is performed simultaneously. This is because there is a limit to the range of each probe, its processing capability, etc., and it has been substantially difficult to realize satisfactory simultaneous measurement for a large number of inspection objects.

そこで、本発明では、多数のLSIや半導体モジュール等の半導体部品について、同時に測定を行う場合において、測定体対象物が多くなっても、或いは測定箇所が多くなっても、精度良く同時計測を行うことのできる半導体部品の検査方法及び装置を提供することを課題とする。   Therefore, in the present invention, when measuring a large number of semiconductor parts such as LSIs and semiconductor modules at the same time, even if the number of objects to be measured increases or the number of measurement points increases, simultaneous measurement is accurately performed. It is an object of the present invention to provide a semiconductor component inspection method and apparatus that can be used.

上記の課題を達成するために、本発明によれば、絶縁基板の第1面に検査対象物に接触可能な複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、絶縁基板を貫通する複数の貫通電極でプローブ接点と第1電極端子との間を電気的に接続させたプローブ基板と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、該プローブ基板の第1電極端子と該制御基板の第2電極端子との間に介在させた、相互に電気的に接続する複数の導電性緩衝材と、から成る半導体部品の検査装置が提供される。   To achieve the above object, according to the present invention, a plurality of probe contacts capable of contacting an object to be inspected are formed on a first surface of an insulating substrate, and a plurality of first electrode terminals are formed on a second surface. The probe substrate in which the probe contact and the first electrode terminal are electrically connected by a plurality of through electrodes penetrating the insulating substrate, and rewritable hardware can be mounted or built in, and the hardware is provided on one surface. A control board having a plurality of second electrode terminals connected to the wear, and a first electrode terminal of the probe board and a second electrode terminal of the control board, electrically connected to each other A semiconductor component inspection apparatus comprising a plurality of conductive buffer materials is provided.

この場合において、前記プローブを構成する絶縁基板はシリコンからなり、前記プローブ接点は該シリコンをエッチングして複数の錐状の突起を形成し、更にその表面に導電層を形成したものであることを特徴とする。或いは、前記プローブ接点はボンディングワイヤにより形成されたスプリング状端子から成ることを特徴とする。   In this case, the insulating substrate constituting the probe is made of silicon, and the probe contact is formed by etching the silicon to form a plurality of conical projections, and further forming a conductive layer on the surface thereof. Features. Alternatively, the probe contact comprises a spring-like terminal formed by a bonding wire.

導電性緩衝材は導電性ゴムからなることを特徴とする。或いは、導電性緩衝材はボンディングワイヤにより形成されたスプリング状端子から成ることを特徴とする。   The conductive cushioning material is made of conductive rubber. Alternatively, the conductive buffer material is characterized by comprising a spring-like terminal formed of a bonding wire.

また、本発明によると、絶縁基板の第1面に検査対象物に接触可能な複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、絶縁基板を貫通する複数の貫通電極でプローブ接点と第1電極端子との間を電気的に接続させたプローブ基板と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、該プローブ基板の第1電極端子と該制御基板の第2電極端子との間を相互に電気的に接続し、且つ前記プローブ基板の複数のプローブ接点を検査対象物の複数の検査箇所に対して位置決め、接触させる位置決め装置と、から成る半導体部品の検査装置が提供される。   In addition, according to the present invention, a plurality of probe contacts that can contact an object to be inspected are formed on the first surface of the insulating substrate, a plurality of first electrode terminals are formed on the second surface, and a plurality of penetrating through the insulating substrate is formed. A probe substrate in which the probe contact and the first electrode terminal are electrically connected by a through electrode, and rewritable hardware can be mounted or built in, and a plurality of second electrodes connected to the hardware on one side A control board having two electrode terminals, a first electrode terminal of the probe board and a second electrode terminal of the control board are electrically connected to each other, and a plurality of probe contacts on the probe board are inspected. There is provided a semiconductor component inspection device comprising a positioning device for positioning and contacting a plurality of inspection locations of an object.

更に、本発明によると、絶縁基板の第1面に複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、プローブ接点と第1電極端子との間を絶縁基板を貫通する複数の貫通電極で電気的に接続したプローブ基板と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、を用い、前記プローブ基板の第1電極端子と前記制御基板の第2電極端子との間に導電性緩衝材を介在させて、相互に位置決めし且つ電気的に接続させ、前記プローブ基板の複数のプローブ接点を検査対象物の複数の検査箇所に対して位置決め、接触させることを特徴とする半導体部品の検査方法が提供される。   Further, according to the present invention, a plurality of probe contacts are formed on the first surface of the insulating substrate, a plurality of first electrode terminals are formed on the second surface, and the insulating substrate is provided between the probe contacts and the first electrode terminals. A probe board electrically connected by a plurality of through electrodes penetrating, and a control board that can be equipped with or incorporates rewritable hardware, and has a plurality of second electrode terminals connected to the hardware on one side And interposing a conductive cushioning material between the first electrode terminal of the probe board and the second electrode terminal of the control board to position and electrically connect each other, A semiconductor component inspection method is provided, wherein a plurality of probe contacts are positioned and brought into contact with a plurality of inspection locations of an inspection object.

この場合において、前記プローブ基板と前記制御基板との間の位置決めは、相互の間に真空吸引力を作用させて行うことを特徴とする。このように、プローブ基板と制御基板とが真空吸着により押圧され、接続されていると、故障時等の相互の交換が容易であり、好適なものとなる。   In this case, the positioning between the probe substrate and the control substrate is performed by applying a vacuum suction force between them. Thus, if the probe board and the control board are pressed and connected by vacuum suction, they can be easily exchanged at the time of failure or the like, which is preferable.

本発明によれば、複数のプローブ接点を有するプローブ基板と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能した制御基板と、を導電性緩衝材を介在させて相互に位置決めすると共に、前記プローブ基板の複数のプローブ接点を検査対象物の複数の検査箇所に位置決め、接触させて、検査対象物の複数の箇所にて検査を行うので、半導体ウエハ内の複数の半導体チップを1回の試験ですべての計測を完了させることが可能となる。また、例えば、1つの半導体ウエハ内の全半導体チップを一度に検査することも可能である。   According to the present invention, a probe board having a plurality of probe contacts and a control board on which rewritable hardware can be mounted or embedded can be positioned with respect to each other with a conductive buffer material interposed therebetween, and Since a plurality of probe contacts are positioned and brought into contact with a plurality of inspection locations of the inspection object, and inspection is performed at the plurality of locations of the inspection object, a plurality of semiconductor chips in the semiconductor wafer are all in one test. The measurement can be completed. Further, for example, it is possible to inspect all semiconductor chips in one semiconductor wafer at a time.

また、各種の検査対象物に応じて配列されたプローブ接点を有するプローブ基板と、単一の制御基板とを組合せることにより、種々の検査部位や計測範囲を有する検査対象物についての検査を行うことができる。   In addition, by combining a probe substrate having probe contacts arranged according to various inspection objects and a single control substrate, inspection of inspection objects having various inspection parts and measurement ranges is performed. be able to.

本発明の検査装置では、例えば、一つの半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップを、一度に検査できることを特徴としている。本発明では、例えば、半導体ウエハと同じ材質の、シリコン基板により、プローブ基板を形成する。よって、半導体ウエハの半導体チップの電極に準じた高精度・高密度で、プローブ接点を形成できる。また、制御基板も、例えば、半導体ウエハと同じ材質の、シリコン基板により形成する。よって、高精度・高密度で制御基板の電極端子を形成でき、容易に制御基板とプローブ基板を電気的に接続し、制御基板により、プローブ基板を制御可能となる。これにより、半導体ウエハに形成された全半導体チップの電極に対応したプローブ接点を接触させ、一度に検査を行うことが可能となる。なお、シリコン基板に替え、ガラス基板等、シリコン基板と同等の精度で加工可能な基板により、プローブ基板や制御基板を形成してもよい。また、プローブ基板や制御基板が高精度・高密度であるため、モジュール基板の場合も、大判の基板の状態で、全モジュール基板を、一度に検査可能となる。   In the inspection apparatus of the present invention, for example, a plurality of semiconductor chips formed on one semiconductor wafer can be inspected at a time. In the present invention, for example, the probe substrate is formed of a silicon substrate made of the same material as the semiconductor wafer. Therefore, the probe contact can be formed with high accuracy and high density according to the electrodes of the semiconductor chip of the semiconductor wafer. The control substrate is also formed of a silicon substrate made of the same material as the semiconductor wafer, for example. Therefore, the electrode terminals of the control board can be formed with high accuracy and high density, the control board and the probe board can be easily electrically connected, and the probe board can be controlled by the control board. As a result, the probe contacts corresponding to the electrodes of all the semiconductor chips formed on the semiconductor wafer can be brought into contact with each other and the inspection can be performed at a time. Note that the probe substrate and the control substrate may be formed of a substrate that can be processed with the same accuracy as the silicon substrate, such as a glass substrate, instead of the silicon substrate. Further, since the probe board and the control board have high accuracy and high density, even in the case of a module board, all module boards can be inspected at once in the state of a large board.

以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図3A及び図3Bは、本発明の第1実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。第1実施形態に係る半導体部品の検査装置において、検査対象物(デバイス・アンダー・テスト)(DUT)10は、例えば、多数個の半導体チップが形成された1枚の半導体ウエハであって、個々の半導体チップに切断される前の状態のものである。これらの多数の半導体チップのうちで1つ又は複数個の半導体チップに対して、複数の検査対象箇所ないし部位について検査をするものである。ただし、この第1実施形態では、単一の半導体ウエハ(DUT)10の全半導体チップを1つの検査範囲としている。   3A and 3B show a semiconductor component inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the semiconductor component inspection apparatus according to the first embodiment, an inspection object (device under test) (DUT) 10 is, for example, a single semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are formed. This is a state before being cut into semiconductor chips. Among these many semiconductor chips, one or a plurality of semiconductor chips are inspected for a plurality of inspection target portions or parts. However, in the first embodiment, all semiconductor chips of a single semiconductor wafer (DUT) 10 are set as one inspection range.

プローブ基板20は、例えばシリコンから成る絶縁基板21からなり、図示の下側の第1面には検査対象物に接触可能な複数のプローブ接点22が形成されている。プローブ接点22は、例えば、絶縁基板の材料であるシリコンをエッチングして複数の先端の尖った錐状の突起を形成し、次いで、絶縁基板21であるシリコンの表面に熱酸化等で絶縁層を形成し、更にその突起部分の表面にのみ無電解めっき等で導電層22aを形成したものである。プローブ接点22の配列は、検査を必要とする特定の検査対象物10の計測位置に対応している。   The probe substrate 20 is made of, for example, an insulating substrate 21 made of silicon, and a plurality of probe contacts 22 that can contact an object to be inspected are formed on the lower first surface in the drawing. For example, the probe contact 22 is formed by etching silicon, which is a material of the insulating substrate, to form a plurality of pointed cone-shaped protrusions, and then applying an insulating layer to the surface of the silicon, which is the insulating substrate 21, by thermal oxidation or the like. In addition, the conductive layer 22a is formed only on the surface of the protruding portion by electroless plating or the like. The arrangement of the probe contacts 22 corresponds to the measurement position of a specific inspection object 10 requiring inspection.

プローブ基板20の、図示の上側の第2面には、複数の電極端子23が形成されている。これらの複数の電極端子23は、後述する制御基板30の電極端子33の配列と対応した配列となっている。プローブ接点22と電極端子23との間をそれぞれ電気的に接続するために、絶縁基板11の下面と上面との間を貫通する複数の貫通電極24が設けられている。これらの貫通電極24を形成するには、シリコンから成る絶縁基板21にスルーホールを設け、次いで、シリコンの表面に熱酸化等で絶縁層を形成し、これらのスルーホールを金属ペーストで充填する、或いはめっき等の方法でビア形成する、等の方法が用いられる。   A plurality of electrode terminals 23 are formed on the upper second surface of the probe substrate 20 in the figure. The plurality of electrode terminals 23 are arranged in correspondence with the arrangement of electrode terminals 33 of the control board 30 to be described later. In order to electrically connect between the probe contact 22 and the electrode terminal 23, a plurality of through electrodes 24 penetrating between the lower surface and the upper surface of the insulating substrate 11 are provided. In order to form these through electrodes 24, through holes are formed in the insulating substrate 21 made of silicon, and then an insulating layer is formed on the surface of the silicon by thermal oxidation or the like, and these through holes are filled with a metal paste. Alternatively, a method of forming vias by a method such as plating is used.

制御基板30は、例えばシリコン基板31から成り、図示の下側の第1面には、後述する導電性緩衝材26を介してプローブ基板20の電極端子23に電気的に接触される電極端子33が形成されている。制御基板30の、図示の上側の第2面上には、例えばFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)又はリードオンメモリ(ROM)等のような書き換え可能なハードウエア35が搭載されている。そして、制御基板30の上面の搭載されているハードウエア35と下面の電極端子33との間を電気的に接続するために、シリコン基板31の下面と上面との間を貫通する複数の貫通電極34が設けられている。これらの貫通電極34の形成方法は、プローブ基板20における貫通電極24の形成方法と同じである。   The control substrate 30 is made of, for example, a silicon substrate 31, and an electrode terminal 33 that is in electrical contact with the electrode terminal 23 of the probe substrate 20 via a conductive buffer material 26 described later on the lower first surface in the drawing. Is formed. On the second surface of the upper side of the control board 30 shown in the figure, rewritable hardware 35 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) or a read-on memory (ROM) is mounted. Then, in order to electrically connect between the hardware 35 mounted on the upper surface of the control substrate 30 and the electrode terminal 33 on the lower surface, a plurality of through electrodes penetrating between the lower surface and the upper surface of the silicon substrate 31. 34 is provided. The method for forming these through electrodes 34 is the same as the method for forming the through electrodes 24 in the probe substrate 20.

制御基板30の上側には、はんだボール41を介してプリント配線基板40が搭載される。このプリント配線基板40上には、電源回路42や入出力装置43等が搭載されている。   A printed wiring board 40 is mounted on the upper side of the control board 30 via solder balls 41. On the printed wiring board 40, a power supply circuit 42, an input / output device 43, and the like are mounted.

検査対象物10の検査にあたっては、プローブ基板20の電極端子23と制御基板30の電極端子33との間に導電性緩衝材26を介在させて、相互に位置決めし且つ電気的に接続させると共に、プローブ基板20の複数のプローブ接点22を検査対象物10の複数の検査箇所に対して位置決め・接触させる。導電性緩衝材26としては、例えば、導電性ゴムを用いことができる。   In inspecting the inspection object 10, the conductive buffer material 26 is interposed between the electrode terminal 23 of the probe substrate 20 and the electrode terminal 33 of the control substrate 30 so as to be positioned and electrically connected to each other, The plurality of probe contacts 22 on the probe substrate 20 are positioned and brought into contact with the plurality of inspection locations of the inspection object 10. As the conductive buffer material 26, for example, conductive rubber can be used.

プローブ基板20と制御基板30との間の位置決めを確実なものとするために、相互の間に真空吸引力を作用させて行うこともできる。図示の実施形態では、制御基板30に設けた吸着口37からプローブ基板20と制御基板30との間の空間を減圧し、相互間に真空吸引力を作用させる。プローブ基板20と制御基板30と間の空間は、図では詳細に示していないが、密閉空間として形成されている。
なお、密閉空間を形成するにあたっては、例えば、図3Bに示すように、プローブ基板20周縁と制御基板30周縁との間に、例えばゴムからなるシールリング60を介在させて、これらの基板20、30間に密閉空間を形成する。この構成により真空吸引が容易になり、プローブ基板20と制御基板30の接続・位置決めが容易になる。
In order to ensure the positioning between the probe substrate 20 and the control substrate 30, it can also be performed by applying a vacuum suction force between them. In the illustrated embodiment, the space between the probe substrate 20 and the control substrate 30 is depressurized from the suction port 37 provided in the control substrate 30, and a vacuum suction force is applied between them. The space between the probe board 20 and the control board 30 is not shown in detail in the drawing, but is formed as a sealed space.
In forming the sealed space, for example, as shown in FIG. 3B, a seal ring 60 made of rubber, for example, is interposed between the periphery of the probe substrate 20 and the periphery of the control substrate 30, so that these substrates 20, A sealed space is formed between 30. This configuration facilitates vacuum suction and facilitates connection / positioning of the probe substrate 20 and the control substrate 30.

また、このようにプローブ基板20の電極端子23と制御基板30の電極端子33との間を電気的に接続するために、それらの間に導電性緩衝材26を介在させ、且つプローブ基板20と制御基板30との間で真空吸引力を作用させているので、両電極端子間の電気的な接続はより一層確実なものと成り、電気的な接触について接触抵抗が増加することはない。   Further, in order to electrically connect the electrode terminal 23 of the probe board 20 and the electrode terminal 33 of the control board 30 in this way, the conductive buffer material 26 is interposed therebetween, and the probe board 20 Since the vacuum suction force is applied to the control substrate 30, the electrical connection between the electrode terminals is further ensured, and the contact resistance does not increase with respect to the electrical contact.

図4は、本発明の第2実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。第1実施形態と異なる点は、第1実施形態では、単一の検査対象物10の領域を検査することを目的としていたが、この第2実施形態では、複数の検査対象物10(例えば、半導体ウエハ)にわたる領域を1つの検査範囲としている。また、この第2実施形態では、プローブ基板のプローブ接点(或いは貫通電極)の配列と制御基板の電極端子(或いは貫通電極)の配列とが同じ場合を想定している。その他の点については、第1実施形態の場合と同様である。   FIG. 4 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that in the first embodiment, the purpose is to inspect a region of a single inspection object 10, but in the second embodiment, a plurality of inspection objects 10 (for example, A region extending over the semiconductor wafer is defined as one inspection range. In the second embodiment, it is assumed that the arrangement of probe contacts (or through electrodes) on the probe board is the same as the arrangement of electrode terminals (or through electrodes) on the control board. Other points are the same as in the case of the first embodiment.

図5は、ホストコンピュータ50、プリント配線基板40、制御部(制御基板30)、プローブ基板20、検査対象物10の相互関係を示す図である。ホストコンピュータ50より、ジェータグ(JTAG)等のインターフェースを使用して、制御部(FPGA又はROM)に試験回路を登録する。制御基板30とプローブ基板20とを真空吸着等の手段を使用して導電性ゴムのような緩衝材26を介して接続する。検査対象物である半導体ウエハ(DUT)10をセットし、プローブ基板20と制御基板30との接触をとる。ホストコンピュータ50より試験開始信号を送信することで、各DUT10の試験を一斉に開始する。試験の終了後、適合又は不適合の結果を制御部からホストコンピュータ50に送信する。ホストコンピュータ50はすべての試験結果をまとめる。   FIG. 5 is a diagram showing the interrelationship among the host computer 50, the printed wiring board 40, the control unit (control board 30), the probe board 20, and the inspection object 10. The test circuit is registered in the control unit (FPGA or ROM) from the host computer 50 using an interface such as a JTAG (JTAG). The control board 30 and the probe board 20 are connected to each other through a buffer material 26 such as conductive rubber using means such as vacuum suction. A semiconductor wafer (DUT) 10 as an inspection object is set, and the probe substrate 20 and the control substrate 30 are brought into contact with each other. By transmitting a test start signal from the host computer 50, the tests of the DUTs 10 are started simultaneously. After the test is completed, the result of conformance or nonconformity is transmitted from the control unit to the host computer 50. The host computer 50 summarizes all test results.

図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。第1実施形態と異なる点は、第1実施形態では、プローブ接点22として、プローブ基板20を構成しているシリコン21をエッチングして複数の錐状の突起を形成し、更にその表面に導電層を形成したものを使用したが、この第3実施形態では、プローブ接点として、ボンディングワイヤにより形成したスプリング状端子22を使用する。このスプリング状端子は、通常使用されているボンディング装置(図示せず)により、貫通電極24の端部より金線等の細いワイヤを引き出すことにより、略「く」字形に形成し、更に、ワイヤ表面にNi、Co又はAuめっき等を施し、緩衝性を持たせやすくする。これにより、プローブの先端針として機能するスプリング端子22の先端部は、検査対象物10の検査箇所に接触して撓むことにより接触を維持する。その他の点については、第1実施形態の場合と同様である。   FIG. 6 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that, in the first embodiment, as the probe contact 22, the silicon 21 constituting the probe substrate 20 is etched to form a plurality of conical projections, and a conductive layer is formed on the surface thereof. In this third embodiment, a spring-like terminal 22 formed of a bonding wire is used as a probe contact. This spring-like terminal is formed into a substantially “<” shape by pulling out a thin wire such as a gold wire from the end of the through electrode 24 by a commonly used bonding apparatus (not shown). Ni, Co, or Au plating is applied to the surface to make it easy to provide buffering properties. Thereby, the front-end | tip part of the spring terminal 22 which functions as a front-end | tip needle | hook of a probe maintains a contact by contacting the test location of the test object 10, and bending. Other points are the same as in the case of the first embodiment.

図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。第1〜第3実施形態では、制御部として、制御基板30とは別にプリント配線基板40を構成していたが、この第4実施形態では、プリント配線基板40を制御基板としてまとめて構成した。よって、制御基板でもあるプリント配線基板40は、その上面に、例えばFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)及びリードオンメモリ(ROM)等のような書き換え可能なハードウエア35が搭載され、且つ電源回路42や入出力装置43等も同じプリント配線基板40の上面に取り付けられる。したがって、この第4実施形態では、第1〜第3実施形態において必要としていた、制御基板30とプリント配線基板40とを接続するための、はんだボール41等は必要なくなった。しかしながら、この第4実施形態では、前述の実施形態のように、プローブ基板20とプリント配線基板40との間に、インターフェースとしての機能をさせる部材が存在しないので、プリント配線基板40の下面側の電極端子33の配列を常に、プローブ基板20の電極端子23の配列と同じにしておく必要がある。
また、この第4実施形態では、プローブ基板20とプリント配線基板40との間の位置決めを確実なものとするために、相互の間に真空吸引力を作用させるが、そのための吸着口37はプリント配線基板40に設け、プローブ基板20とプリント配線基板40との間の空間を減圧し、相互間に真空吸引力を作用させる。この実施形態におけるプローブ基板20とプリント配線基板40と間の空間も、図では詳細に示していないが、密閉空間として形成されている。
FIG. 7 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In the first to third embodiments, the printed wiring board 40 is configured separately from the control board 30 as the control unit. However, in the fourth embodiment, the printed wiring board 40 is collectively configured as the control board. Therefore, the printed wiring board 40 which is also a control board is equipped with rewritable hardware 35 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) and a read-on memory (ROM) on the upper surface thereof, and a power source. The circuit 42, the input / output device 43, and the like are also attached to the upper surface of the same printed wiring board 40. Therefore, in the fourth embodiment, the solder balls 41 and the like for connecting the control board 30 and the printed wiring board 40 that are necessary in the first to third embodiments are no longer necessary. However, in the fourth embodiment, there is no member that functions as an interface between the probe board 20 and the printed wiring board 40 as in the above-described embodiment. The arrangement of the electrode terminals 33 must always be the same as the arrangement of the electrode terminals 23 of the probe substrate 20.
In the fourth embodiment, in order to ensure the positioning between the probe board 20 and the printed wiring board 40, a vacuum suction force is applied between them. Provided on the wiring board 40, the space between the probe board 20 and the printed wiring board 40 is decompressed, and a vacuum suction force is applied between them. The space between the probe board 20 and the printed wiring board 40 in this embodiment is also formed as a sealed space, although not shown in detail in the drawing.

図8は、本発明の第5実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。上述の第4実施形態では、FPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)及びリードオンメモリ(ROM)等のような書き換え可能なハードウエア35を制御基板としての機能するプリント配線基板40の上に搭載していたが、この第5実施形態では、これらのハードウエア35をプリント配線基板40に内蔵させた。したがって、電源回路42や入出力装置43等はプリント配線基板40の上に搭載した。その他の構成は、第4実施形態の場合と同様である。   FIG. 8 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment described above, rewritable hardware 35 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) and a read-on-memory (ROM) is mounted on the printed wiring board 40 that functions as a control board. However, in the fifth embodiment, the hardware 35 is built in the printed wiring board 40. Therefore, the power supply circuit 42 and the input / output device 43 are mounted on the printed wiring board 40. Other configurations are the same as those of the fourth embodiment.

図9は、本発明の第6実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。前述の実施形態では、プローブ基板20と制御基板30とを電気的に接続するのに、両電極端子23、33間に導電性緩衝材26として、導電性ゴムを使用していたが、この第6実施形態では、ボンディングワイヤにより形成したスプリング状端子を使用する。このスプリング状端子は、前述の第3実施形態における、プローブ端子としてのスプリング状端子の場合と同様に、通常使用されているボンディング装置(図示せず)により、プローブ基板20又は制御基板30のいずれかの電極端子23、33の表面より金線等の細いワイヤを略「く」字形に引き出すことにより、形成することができる。このようなスプリング状端子26は、プローブ基板20の電極端子23又は制御基板30の電極端子33のいずれかに予め設けておく。   FIG. 9 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. In the above-described embodiment, conductive rubber is used as the conductive buffer material 26 between the electrode terminals 23 and 33 to electrically connect the probe board 20 and the control board 30. In the sixth embodiment, a spring-like terminal formed by a bonding wire is used. As in the case of the spring-like terminal as the probe terminal in the third embodiment described above, this spring-like terminal is either of the probe board 20 or the control board 30 by a commonly used bonding apparatus (not shown). The electrode terminals 23 and 33 can be formed by drawing a thin wire such as a gold wire into a substantially “<” shape from the surface of the electrode terminals 23 and 33. Such a spring-like terminal 26 is provided in advance on either the electrode terminal 23 of the probe board 20 or the electrode terminal 33 of the control board 30.

図10は、本発明の第7実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。第1実施形態では、シリコンから成る制御基板30上にFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)及びリードオンメモリ(ROM)等のような書き換え可能なハードウエア35を搭載していたが、この第7実施形態では、これらのハードウエア35をシリコンから成る制御基板30に内蔵した(シリコン基板に作り込んだ)。その他の構成は、第1実施形態の場合と同じである。   FIG. 10 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. In the first embodiment, rewritable hardware 35 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) and a read-on-memory (ROM) is mounted on the control substrate 30 made of silicon. In the seventh embodiment, the hardware 35 is built in the control substrate 30 made of silicon (built in the silicon substrate). Other configurations are the same as those in the first embodiment.

図11は、本発明の第8実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。前述の実施形態では、プローブ基板20の電極端子23と制御基板30の電極端子33とを電気的に接続する場合において、これらの電極端子23、33間に導電性緩衝材26として導電性ゴムを介在させ(第1実施形態)、或いはスプリング状端子を介在させていた(第6実施形態)。この第8実施形態では、これらの電極端子23、33間に導電性緩衝材26を介在させずに、電極端子23、33間を直接接触させる構成とした。その他の構成は、第1実施形態の場合と同じである。   FIG. 11 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the eighth embodiment of the present invention. In the above-described embodiment, when the electrode terminal 23 of the probe substrate 20 and the electrode terminal 33 of the control substrate 30 are electrically connected, conductive rubber is used as the conductive buffer material 26 between the electrode terminals 23 and 33. It was interposed (first embodiment) or a spring-like terminal was interposed (sixth embodiment). In the eighth embodiment, the electrode terminals 23 and 33 are directly in contact with each other without interposing the conductive buffer material 26 between the electrode terminals 23 and 33. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

図12は、本発明の第9実施形態に係る半導体部品の検査装置を示すものである。この実施形態では、第7実施形態と同様、FPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)及びリードオンメモリ(ROM)等のような書き換え可能なハードウエア35をシリコンから成る制御基板30に内蔵した。しかし、電源回路42や入出力装置43が搭載されているプリント配線基板40を、シリコンから成る制御基板30の上側に搭載するにあたって、上述の実施形態では、はんだボール41を使用していたが、この第9実施形態では、はんだボール41に代えて、スプリング状端子48を使用した。このスプリング状端子48は、前述の第3実施形態における、プローブ端子22としてのスプリング状端子の場合と同様に、通常使用されているボンディング装置(図示せず)により、制御基板30及びプリント配線基板40のいずれかの電極端子の表面より金線等の細いワイヤを略「く」字形に引き出すことにより、形成することができる。このようなスプリング状端子48は制御基板30又はプリント配線基板40のいずれかに予め設けておく。この他の構成は、第7実施形態の場合と同様である。   FIG. 12 shows a semiconductor component inspection apparatus according to the ninth embodiment of the present invention. In this embodiment, similarly to the seventh embodiment, rewritable hardware 35 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) and a read-on memory (ROM) is built in the control substrate 30 made of silicon. However, in mounting the printed wiring board 40 on which the power supply circuit 42 and the input / output device 43 are mounted on the upper side of the control board 30 made of silicon, the solder balls 41 are used in the above-described embodiment. In the ninth embodiment, a spring-like terminal 48 is used in place of the solder ball 41. The spring-like terminal 48 is connected to the control board 30 and the printed wiring board by a commonly used bonding apparatus (not shown) as in the case of the spring-like terminal as the probe terminal 22 in the third embodiment. It can be formed by drawing a thin wire such as a gold wire into a substantially “<” shape from the surface of any one of the electrode terminals 40. Such a spring-like terminal 48 is provided in advance on either the control board 30 or the printed wiring board 40. Other configurations are the same as those of the seventh embodiment.

以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various forms, modifications, corrections, and the like are possible within the spirit and scope of the present invention. It is.

上述のように、本発明によれば、半導体ウエハ内の複数の半導体チップを1回の試験ですべての計測を同時に完了させることが可能となり、同時計測の測定部位を増加させることができ、半導体部品の大量生産に適合した検査装置及び方法が得られる。   As described above, according to the present invention, a plurality of semiconductor chips in a semiconductor wafer can be completed at the same time in a single test, and the number of measurement sites for simultaneous measurement can be increased. An inspection apparatus and method suitable for mass production of parts can be obtained.

また、各種の検査対象物に応じて配列されたプローブ接点を有するプローブ基板と、単一の制御基板とを組合せることにより、種々の検査部位や計測範囲を有する検査対象物についての検査を行うことができ、より広範囲の半導体部品を検査対象とすることができる。   In addition, by combining a probe substrate having probe contacts arranged according to various inspection objects and a single control substrate, inspection of inspection objects having various inspection parts and measurement ranges is performed. Therefore, a wider range of semiconductor components can be inspected.

従来の半導体ウエハの検査装置を示す。1 shows a conventional semiconductor wafer inspection apparatus. 大判の基板から個別の半導体モジュールを個片化した状態を示す。A state where individual semiconductor modules are separated from a large substrate is shown. 本発明の第1実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。1 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention. 第1実施形態の変形例を示す。The modification of 1st Embodiment is shown. 本発明の第2実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。4 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の半導体部品の検査装置の部材の相関関係を示す。The correlation of the member of the inspection device of the semiconductor parts of the present invention is shown. 本発明の第3実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。8 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第4実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。8 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第5実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。9 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の第6実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。9 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. 本発明の第7実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。9 shows a semiconductor component inspection apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. 本発明の第8実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。10 shows a semiconductor component inspection apparatus according to an eighth embodiment of the present invention; 本発明の第9実施形態に係る半導体部品の検査装置を示す。The semiconductor component inspection apparatus which concerns on 9th Embodiment of this invention are shown.

符号の説明Explanation of symbols

10 検査対象物(DUT)
20 プローブ基板
21 絶縁基板
22 プローブ接点
23 電極端子
24 貫通電極
26 導電性緩衝材
30 制御基板
33 電極端子
34 貫通電極
37 吸着口
40 プリント配線基板
50 ホストコンピュータ
10 Inspection object (DUT)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Probe board | substrate 21 Insulation board | substrate 22 Probe contact 23 Electrode terminal 24 Through-electrode 26 Conductive buffer material 30 Control board 33 Electrode terminal 34 Through-electrode 37 Adsorption port 40 Printed wiring board 50 Host computer

Claims (9)

絶縁基板の第1面に検査対象物に接触可能な複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、絶縁基板を貫通する複数の貫通電極でプローブ接点と第1電極端子との間を電気的に接続させたプローブ基板と、
書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、
該プローブ基板の第1電極端子と該制御基板の第2電極端子との間に介在させた、相互に電気的に接続する複数の導電性緩衝材と、
から成る半導体部品の検査装置。
A plurality of probe contacts that can contact the object to be inspected are formed on the first surface of the insulating substrate, a plurality of first electrode terminals are formed on the second surface, and the probe contacts and the first contact are formed by the plurality of through electrodes that penetrate the insulating substrate. A probe substrate electrically connected to one electrode terminal;
A control board that can be equipped with or incorporates rewritable hardware and has a plurality of second electrode terminals connected to the hardware on one surface;
A plurality of electrically conductive buffer materials interposed between the first electrode terminal of the probe board and the second electrode terminal of the control board and electrically connected to each other;
Inspection device for semiconductor parts.
前記絶縁基板はシリコンからなり、前記プローブ接点は、該シリコンをエッチングして複数の錐状の突起を形成し、更にこれらの突起の表面に導電層を形成したものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体部品の検査装置。   The insulating substrate is made of silicon, and the probe contact is formed by etching the silicon to form a plurality of conical protrusions, and further forming a conductive layer on the surface of these protrusions. Item 2. A semiconductor component inspection apparatus according to Item 1. 前記プローブ接点はボンディングワイヤにより形成されたスプリング状端子から成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体部品の検査装置。   2. The semiconductor component inspection apparatus according to claim 1, wherein the probe contact comprises a spring-like terminal formed of a bonding wire. 導電緩衝材は導電性ゴムからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体部品の検査装置。   4. The semiconductor component inspection apparatus according to claim 1, wherein the conductive buffer material is made of conductive rubber. 導電緩衝材はボンディングワイヤにより形成されたスプリング状端子から成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体部品の検査装置。   4. The semiconductor component inspection apparatus according to claim 1, wherein the conductive buffer material is formed of a spring-like terminal formed of a bonding wire. 制御基板は、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備するシリコン基板と、該シリコン基板上に搭載され且つ接続された、電源回路及び入出力装置を搭載したプリント配線基板とから成ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体部品の検査装置。   The control board can be equipped with or incorporates rewritable hardware, and has a silicon substrate having a plurality of second electrode terminals connected to the hardware on one surface, and is mounted on and connected to the silicon substrate. 6. The semiconductor component inspection apparatus according to claim 1, further comprising a printed circuit board on which a power supply circuit and an input / output device are mounted. 絶縁基板の第1面に検査対象物に接触可能な複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、絶縁基板を貫通する複数の貫通電極でプローブ接点と第1電極端子との間を電気的に接続させたプローブ基板と、
書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、
該プローブ基板の第1電極端子と該制御基板の第2電極端子との間を相互に電気的に接続し、且つ前記プローブ基板の複数のプローブ接点を検査対象物の複数の検査箇所に対して位置決め、接触させる位置決め装置と、
から成る半導体部品の検査装置。
A plurality of probe contacts that can contact the object to be inspected are formed on the first surface of the insulating substrate, a plurality of first electrode terminals are formed on the second surface, and the probe contacts and the first contact are formed by the plurality of through electrodes that penetrate the insulating substrate. A probe substrate electrically connected to one electrode terminal;
A control board that can be equipped with or incorporates rewritable hardware and has a plurality of second electrode terminals connected to the hardware on one surface;
The first electrode terminal of the probe board and the second electrode terminal of the control board are electrically connected to each other, and the plurality of probe contacts of the probe board are connected to the plurality of inspection points of the inspection object. A positioning device for positioning and contacting;
Inspection device for semiconductor parts.
絶縁基板の第1面に複数のプローブ接点を形成し、第2面に複数の第1電極端子を形成し、プローブ接点と第1電極端子との間を絶縁基板を貫通する複数の貫通電極で電気的に接続したプローブ基板と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面に該ハードウェアに接続された複数の第2電極端子を具備する制御基板と、を用い、
前記プローブ基板の第1電極端子と前記制御基板の第2電極端子との間に導電性緩衝材を介在させて、相互に位置決めし且つ電気的に接続させ、前記プローブ基板の複数のプローブ接点を検査対象物の複数の検査箇所に対して位置決め、接触させることを特徴とする半導体部品の検査方法。
A plurality of probe contacts are formed on the first surface of the insulating substrate, a plurality of first electrode terminals are formed on the second surface, and a plurality of through electrodes that penetrate the insulating substrate between the probe contacts and the first electrode terminals Using an electrically connected probe board and a control board that can be equipped with or incorporate rewritable hardware and has a plurality of second electrode terminals connected to the hardware on one side,
A conductive cushioning material is interposed between the first electrode terminal of the probe board and the second electrode terminal of the control board to position and electrically connect to each other, and a plurality of probe contacts of the probe board are connected to each other. A method of inspecting a semiconductor component, comprising positioning and contacting a plurality of inspection locations of an inspection object.
前記プローブ基板と前記制御基板との間の位置決めは、相互の間に真空吸引力を作用させて行うことを特徴とする請求項8に記載の半導体部品の検査方法。   9. The semiconductor component inspection method according to claim 8, wherein the positioning between the probe substrate and the control substrate is performed by applying a vacuum suction force between them.
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