JP2003084040A - Manufacturing method for semiconductor inspecting device and semiconductor inspecting device - Google Patents
Manufacturing method for semiconductor inspecting device and semiconductor inspecting deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体検査装置の
製造方法および半導体検査装置に係り、特にダイシング
(ペレタイズ)前の半導体ウェハ上に複数形成された半
導体装置について一括で検査を行うのに好適な半導体検
査装置の製造方法および半導体検査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device, and particularly suitable for collectively inspecting a plurality of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer before dicing (pelletizing). The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、単結晶シリコンからなる半導体ウ
ェハを複数の工程に投入し、その表面に複数の半導体装
置を形成していく製造方法が知られている。このような
製造方法では、製造工程の後段に進めば進むほど半導体
装置の付加価値は高くなるので、製造工程終了時に初め
て半導体装置の不良が解ると、その損失額は非常に大き
いものとなる。このためウェハ中に生じた半導体装置の
不良品はできるだけ製造工程の初期の段階で発見してお
き、これを積極的に除外していくことが望ましい。また
製造途中で半導体装置の検査を行うことは、各工程にお
ける良品率の把握という点からみても好ましい。2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a manufacturing method in which a semiconductor wafer made of single crystal silicon is put into a plurality of steps to form a plurality of semiconductor devices on the surface thereof. In such a manufacturing method, since the added value of the semiconductor device becomes higher as the manufacturing process progresses to the later stage, if the defect of the semiconductor device is known for the first time at the end of the manufacturing process, the loss amount becomes very large. For this reason, it is desirable to find defective semiconductor devices that have occurred in the wafer as early as possible in the manufacturing process and to actively exclude them. It is also preferable to inspect the semiconductor device during the manufacturing process from the viewpoint of grasping the non-defective rate in each process.
【0003】図7は、従来における第1の半導体検査装
置の構造を示す説明図である。同図に示すように従来の
半導体検査装置1では、ホルダ2から針状のコンタクト
ピン3が複数引き出されている。そして当該コンタクト
ピン3は、その先端が検査対象となる半導体装置4の電
極5に接触可能になっており、コンタクトピン3を介し
てホルダ2の外部に設けられた検査回路(図示せず)と
半導体装置4との間で検査信号の送受信を行えるように
している。なおコンタクトピン3の本数は、一つの半導
体装置1に対し複数本であり(ピッチ等によって変動す
る)、電源とGNDの他に幾本かのポートのON/OF
Fチェックが行われる。FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of a conventional first semiconductor inspection apparatus. As shown in the figure, in the conventional semiconductor inspection device 1, a plurality of needle-shaped contact pins 3 are pulled out from the holder 2. The tip of the contact pin 3 can come into contact with the electrode 5 of the semiconductor device 4 to be inspected, and an inspection circuit (not shown) provided outside the holder 2 via the contact pin 3 is used. Inspection signals can be transmitted and received to and from the semiconductor device 4. The number of contact pins 3 is plural for one semiconductor device 1 (it varies depending on the pitch, etc.), and in addition to the power supply and GND, some ports are turned ON / OF.
F check is performed.
【0004】図8は、従来における第2の半導体検査装
置の構造を示す断面図である。同図に示すように、従来
の半導体検査装置6は、外部の検査治具(図示せず)に
取り付けるためのホルダ2に搭載されている。そして半
導体検査装置6は、ベース基板7の上層に配線層8が形
成され、当該配線層8の上部に鉛直方向に導通性を有し
た異方性導電性ゴム9または異方性導電部材(ペースト
やフィルム)が設けられている。また当該異方性導電性
ゴム9または異方性導電部材(ペーストやフィルム)の
上層には、検査用バンプ10が付いた絶縁フィルム11
が設けられており、異方性導電性ゴム9または異方性導
電部材(ペーストやフィルム)は配線層8と検査用バン
プ10との間の導通を図るようにしている。このように
構成された半導体検査装置6は、ホルダ7を降下させ検
査用バンプ10と半導体装置の電極とを突き合わせるよ
うにすれば、検査信号は配線層8から異方性導電性ゴム
9または異方性導電部材(ペーストやフィルム)と、検
査用バンプ10を介して半導体装置側へと伝わり、当該
半導体装置の検査を行えるようになっている。なお半導
体装置における電極の高さのばらつきや検査用バンプ1
0の高さのばらつきが生じても、異方性導電性ゴム9ま
たは異方性導電部材(ペーストやフィルム)の弾性変形
によりこれらばらつきを吸収し、電極と検査用バンプ1
0との間の電気的導通を確保できるようになっている。FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a second conventional semiconductor inspection apparatus. As shown in the figure, the conventional semiconductor inspection device 6 is mounted on a holder 2 for attachment to an external inspection jig (not shown). In the semiconductor inspection device 6, the wiring layer 8 is formed on the upper layer of the base substrate 7, and the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste) having conductivity in the vertical direction is formed on the wiring layer 8. And film) are provided. In addition, the insulating film 11 having the inspection bumps 10 is formed on the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste or film).
Is provided, and the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste or film) establishes electrical connection between the wiring layer 8 and the inspection bump 10. In the semiconductor inspection device 6 configured as described above, when the holder 7 is lowered to bring the inspection bump 10 into contact with the electrode of the semiconductor device, the inspection signal is transmitted from the wiring layer 8 to the anisotropic conductive rubber 9 or. It is transmitted to the semiconductor device side through the anisotropic conductive member (paste or film) and the inspection bump 10 so that the semiconductor device can be inspected. Note that variations in the height of electrodes in semiconductor devices and bumps for inspection 1
Even if the height variation of 0 occurs, the variation is absorbed by the elastic deformation of the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste or film), and the electrode and the inspection bump 1
It is possible to secure electrical continuity with zero.
【0005】図9は、従来における第3の半導体検査装
置の接触子の外観を示す説明図である。同図に示すよう
な半導体検査装置12にはクランク状の曲げ部13が形
成された接触子14が設けられている。そして曲げ部1
3の弾性力を利用して、接触子14の先端を半導体装置
15の電極16に接触させ、電気的導通を図るようにし
ている。なお同図に示すような接触子14は、半導体装
置の製造などで用いられているワイヤボンディングによ
って形成するようにしている。FIG. 9 is an explanatory view showing the appearance of a contactor of a conventional third semiconductor inspection apparatus. A semiconductor inspection device 12 as shown in the figure is provided with a contactor 14 in which a crank-shaped bent portion 13 is formed. And bent part 1
The tip end of the contactor 14 is brought into contact with the electrode 16 of the semiconductor device 15 by utilizing the elastic force of No. 3 to achieve electrical conduction. The contactor 14 as shown in the figure is formed by wire bonding used in the manufacture of semiconductor devices.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし上述したいずれ
の半導体検査装置においても、下記に示すような問題点
があった。すなわち第1の半導体検査装置に示すような
ピンコンタクト方式では、コンタクトピンの配置や配置
数に制限があり、半導体ウェハに多数形成された半導体
装置に対し同時にコンタクトすることができないという
問題点があった。またピンを用いての接触のため、制作
費もピン数に比例して高騰するという問題点もあった。However, any of the above-mentioned semiconductor inspection devices has the following problems. That is, in the pin contact method as shown in the first semiconductor inspection apparatus, there is a problem in that the arrangement and the number of contact pins are limited, and it is not possible to simultaneously contact a large number of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer. It was In addition, there is also a problem that the production cost rises in proportion to the number of pins due to the contact using the pins.
【0007】また第2の半導体検査装置に示すような導
電性ゴムを用いた方式では、第1の半導体検査装置に比
べ、半導体装置の複数の電極と接触が容易であるもの
の、配線層や弾性層を形成しなくてはならず、また導電
性ゴムを介して配線層と検査用バンプとを貼り合わせな
くてはならないため、検査装置自体の製作が困難である
という問題点があった。Further, in the method using the conductive rubber as shown in the second semiconductor inspection apparatus, although it is easier to make contact with a plurality of electrodes of the semiconductor device as compared with the first semiconductor inspection apparatus, the wiring layer and the elastic layer are elastic. Since the layers must be formed and the wiring layer and the inspection bumps must be bonded to each other via the conductive rubber, there is a problem that the inspection apparatus itself is difficult to manufacture.
【0008】そして第3の検査装置においては、接触子
に曲げ部を設けるようにしているため、接触子のピッチ
を狭めていくと当該接触子同士が干渉するおそれがあ
る。このため検査対象となる電極が増加すると接触子が
当てられない電極が生じる問題点があった。In the third inspection apparatus, since the bent portions are provided on the contactors, there is a possibility that the contactors interfere with each other when the pitch of the contactors is narrowed. Therefore, when the number of electrodes to be inspected increases, there is a problem in that some electrodes cannot be contacted with the contacts.
【0009】本発明は、上記従来の問題点に着目し、検
査用の電極が増加しても容易に対応することができ、ま
た製作も容易であり、さらに隣接する電極の高低が大き
くても、この高低差を吸収することができる半導体検査
装置の製造方法および半導体検査装置を提供することを
目的とする。Focusing on the above-mentioned conventional problems, the present invention can easily cope with an increase in the number of electrodes for inspection and is easy to manufacture, and even if the height of adjacent electrodes is large. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device capable of absorbing the difference in height.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
表面に形成された電極と、配線層との間の電気的経路
を、導電性を有した弾性体と、この弾性体に貫通するコ
ンタクト針とで構成すれば、前記電極への接触に対する
耐摩耗性は前記コンタクト針で確保し、隣接する電極の
高さ方向のばらつきは前記弾性体によって吸収すること
ができるという知見に基づいてなされたものである。According to the present invention, an electrically conductive elastic body is penetrated through an electric path between an electrode formed on a surface of a semiconductor device and a wiring layer, and the elastic body. If the contact needle is used, abrasion resistance against contact with the electrode can be ensured by the contact needle, and variation in the height direction of adjacent electrodes can be absorbed by the elastic body. It is a thing.
【0011】すなわち本発明に係る半導体検査装置の製
造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にコンタ
クト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす
半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置へ
の押し付けをなすベース基板にスルーホールと、このス
ルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至る
よう検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スル
ーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、こ
の弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタク
ト針を前記弾性体によって保持するようにした。That is, a method of manufacturing a semiconductor inspection device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor inspection device in which a contact needle is brought into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device. A through hole is formed in the base substrate that is pressed against the semiconductor device, and a wiring layer that transmits a test signal is formed from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate. After forming an elastic body made of a conductive member, the contact needle is passed through the elastic body, and the contact needle is held by the elastic body.
【0012】また本発明に係る半導体検査装置の他の製
造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にコンタ
クト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす
半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置へ
の押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成し、
前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾性体
に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前
記弾性体によって保持するとともに、前記コンタクト針
の後端に配線層を接続するようにした。Another method of manufacturing a semiconductor inspection device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor inspection device in which a contact needle is brought into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device. There, a through hole is formed in the base substrate that presses against the semiconductor device,
After forming an elastic body in the through hole, the contact needle is passed through the elastic body, the contact needle is held by the elastic body, and the wiring layer is connected to the rear end of the contact needle. .
【0013】そして前記スルーホール内にスキージによ
って導電ゴム部材を充填させた後、この導電ゴム部材に
前記コンタクト針を貫通させたり、あるいはキャピラリ
の昇降によってボンディングワイヤを前記弾性体に貫通
させ、当該弾性体に貫通された前記ボンディングワイヤ
を前記コンタクト針とすることが好ましい。After the conductive rubber member is filled in the through hole with a squeegee, the contact needle is passed through the conductive rubber member, or the bonding wire is passed through the elastic body by raising and lowering the capillary, and the elastic body is pressed. It is preferable that the bonding wire penetrating the body is used as the contact needle.
【0014】また本発明に係る半導体検査装置は、半導
体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装
置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電
極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベー
ス基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材から
なる弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持
されるコンタクト針と、前記スルーホールの内壁面から
前記ベース基板の上層側に至り検査用信号の伝達をなす
配線層を有するよう構成した。Further, the semiconductor inspection device according to the present invention is a semiconductor inspection device which contacts an electrode formed on the surface of the semiconductor device and electrically inspects the semiconductor device so as to correspond to the position of the electrode. From a base substrate having a through hole, an elastic body filled in the through hole and made of a conductive member, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and an inner wall surface of the through hole A wiring layer is provided on the upper side of the base substrate to transmit an inspection signal.
【0015】さらに本発明に係る他の半導体検査装置
は、半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記
半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であっ
て、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成
されたベース基板と、前記スルーホール内に充填される
弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持され
るコンタクト針と、当該コンタクト針の後端側に接続さ
れ検査用信号の伝達をなす配線層を有するよう構成し
た。Further, another semiconductor inspection device according to the present invention is a semiconductor inspection device which contacts an electrode formed on the surface of the semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device and corresponds to the position of the electrode. A base substrate having a through hole formed therein, an elastic body filled in the through hole, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and a rear end side of the contact needle. It is configured to have a wiring layer that is connected and transmits the inspection signal.
【0016】そして前記コンタクト針の後端側に、当該
コンタクト針の保持をなす変形可能な支持部材を設け、
この支持部材の変形により前記コンタクト針の移動量を
調整するようにしたり、あるいは前記弾性体は、導電ゴ
ム部材をすることが好ましい。A deformable support member for holding the contact needle is provided on the rear end side of the contact needle,
It is preferable that the amount of movement of the contact needle is adjusted by the deformation of the support member, or that the elastic body is a conductive rubber member.
【0017】このように半導体検査装置の製造方法およ
び半導体検査装置を構成すれば、ベース基板を半導体装
置に接触させようとする際、前記半導体装置の電極の間
に高さのばらつきがあったり、あるいはコンタクト針の
間に高さのばらつきがあっても、スルーホール内にある
弾性体が変形することでこれら寸法のばらつきを吸収
し、全ての電極とコンタクト針とを密着させることがで
き、電気的導通を図ることが可能になる。また高さ方向
のばらつきを弾性体で吸収することができるので、コン
タクト針の硬度を向上させることができ、前記コンタク
ト針の耐摩耗性を向上させることが可能になる。さらに
コンタクト針の後端側に支持部材を配置すれば、当該支
持部材の変形が抵抗となり、スルーホール内に設けられ
た弾性体の変形力に比べ、より幅の広い設定を行うこと
が可能になる。According to the method for manufacturing a semiconductor inspection device and the semiconductor inspection device as described above, when the base substrate is brought into contact with the semiconductor device, there are variations in height between the electrodes of the semiconductor device, Alternatively, even if there is height variation between the contact needles, the elastic body inside the through hole is deformed to absorb these dimension variations, and all electrodes and contact needles can be brought into close contact with each other. It is possible to achieve electrical continuity. Further, since the variation in the height direction can be absorbed by the elastic body, the hardness of the contact needle can be improved and the wear resistance of the contact needle can be improved. Further, if a supporting member is arranged on the rear end side of the contact needle, the deformation of the supporting member becomes a resistance, and it is possible to set the width wider than the deforming force of the elastic body provided in the through hole. Become.
【0018】また弾性体を導電ゴム部材で形成すれば、
スキージにてスルーホール内に導電ゴム部材を収めるこ
とができ、前記導電ゴム部材の量や硬度を変更すること
で弾性体の特性を変更することが可能になる。一方、コ
ンタクト針の後端に配線層を接続すれば、スルーホール
内に位置する弾性体に導電性を持たせる必要が無くな
り、前記弾性体の選定範囲を拡大させることができる。If the elastic body is formed of a conductive rubber member,
The conductive rubber member can be housed in the through hole with a squeegee, and the characteristics of the elastic body can be changed by changing the amount and hardness of the conductive rubber member. On the other hand, if the wiring layer is connected to the rear end of the contact needle, the elastic body located in the through hole does not need to have conductivity, and the selection range of the elastic body can be expanded.
【0019】そして前記弾性体は、個々のコンタクト針
に対して変形するので、半導体装置における隣接する電
極の高さが大きく異なっていても、この寸法差に何ら影
響されることもなく、コンタクト針を前記電極に接触さ
せることが可能になる。またコンタクト針はベース基板
を貫通した状態にあるのでベース基板の厚みに左右され
ることなくコンタクト針の長さを自由に調整することが
できる。Since the elastic body is deformed with respect to each contact needle, even if the heights of the adjacent electrodes in the semiconductor device are greatly different, there is no effect on this dimensional difference and the contact needles are not affected. Can be brought into contact with the electrode. Further, since the contact needle penetrates the base substrate, the length of the contact needle can be freely adjusted without depending on the thickness of the base substrate.
【0020】そしてコンタクト針の形成にキャピラリを
用い、ボンディングワイヤをコンタクト針とすれば、当
該コンタクト針の先端をキャピラリの先端によって揃え
ることが可能になる。If a capillary is used to form the contact needle and the bonding wire is used as the contact needle, the tip of the contact needle can be aligned with the tip of the capillary.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る半導体検査
装置の製造方法および半導体検査装置に好適な具体的実
施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本
実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。
同図に示すように、本実施の形態に係る半導体検査装置
20は、ベース基板22を基材としており、当該ベース
基板22の両面に種々の部材が形成された形態となって
いる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments suitable for a method of manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional structural view of the semiconductor measuring device according to the present embodiment.
As shown in the figure, the semiconductor inspection device 20 according to the present embodiment has a base substrate 22 as a base material, and various members are formed on both surfaces of the base substrate 22.
【0022】前記ベース基板22は、半導体ウェハ25
の基材として使用されるシリコンやガラスあるいはセラ
ミックといった熱膨張係数が比較的近い(あるいは同
一)材料で構成されている。これは半導体装置21と本
検査装置20の熱膨張係数の違いから接点が離反するの
を防止する為であり、これにより半導体装置21の電気
的検査を高温環境下で行う際(ウェハバーイン)でも接
点間の確実な電気的導通を可能にしている。なお本実施
の形態で用いられるベース基板22は、半導体装置21
の材質と同様の単結晶シリコンからなり、その大きさ
は、半導体ウェハ25に形成された複数の半導体装置2
1に相当するだけの大きさに設定される。そして半導体
検査装置20を半導体ウェハ25に押し当てることで、
複数の半導体装置について一斉に検査を行えるようにし
ている(図2を参照)。The base substrate 22 is a semiconductor wafer 25.
It is composed of a material having a relatively close (or the same) coefficient of thermal expansion, such as silicon, glass, or ceramic used as the base material of. This is to prevent the contacts from being separated from each other due to the difference in the thermal expansion coefficient between the semiconductor device 21 and the inspection device 20, and thus even when the electrical inspection of the semiconductor device 21 is performed in a high temperature environment (wafer burn-in). It enables reliable electrical continuity between them. The base substrate 22 used in this embodiment is the semiconductor device 21.
Made of the same single crystal silicon as the material of the plurality of semiconductor devices 2 formed on the semiconductor wafer 25.
It is set to a size corresponding to 1. Then, by pressing the semiconductor inspection device 20 against the semiconductor wafer 25,
A plurality of semiconductor devices can be inspected at the same time (see FIG. 2).
【0023】また本実施の形態では、ベース基板22の
材料にシリコンやガラス、あるいはセラミックなどを用
いたが、この形態に限定されることもなく、例えば、ベ
ース基板22の材料に汎用性の高いガラスエポキシ樹脂
などを適用してもよい。当該ガラスエポキシ樹脂は、基
板の材料として多く用いられているので汎用の製造工程
が適用でき、容易にベース基板22の表面に配線層28
を形成することができる。In this embodiment, silicon, glass, ceramics, or the like is used as the material of the base substrate 22, but the material is not limited to this, and for example, the material of the base substrate 22 is highly versatile. Glass epoxy resin or the like may be applied. Since the glass epoxy resin is often used as a substrate material, a general-purpose manufacturing process can be applied, and the wiring layer 28 can be easily formed on the surface of the base substrate 22.
Can be formed.
【0024】ところでベース基板22の表面には、半導
体装置21の電極24の位置に対応するように複数のス
ルーホール26が形成されており、さらに当該スルーホ
ール26の内壁面およびベース基板22における上表面
には、図示しない絶縁膜が形成されており、後述する配
線層等とベース基板22とが短絡するのを防止するよう
にしている。By the way, a plurality of through holes 26 are formed on the surface of the base substrate 22 so as to correspond to the positions of the electrodes 24 of the semiconductor device 21, and further the inner wall surface of the through holes 26 and the upper surface of the base substrate 22. An insulating film (not shown) is formed on the surface to prevent a short circuit between a wiring layer described later and the base substrate 22.
【0025】ベース基板22における上表面には配線層
28が形成される。そして当該配線層28は、その一端
側が前記スルーホール26の開口縁部へと差し掛かって
おり、他方端部側はベース基板22の端部側へと延長さ
れ図示しないコネクタを介して外部機器へと接続されて
いる。なおスルーホール26の内側にはメッキ層29が
形成されており、このメッキ層29と配線層28を接続
させることで、配線層28における前記コネクタ側と、
後述する導電ゴム部材32との電気的導通を行うように
している。A wiring layer 28 is formed on the upper surface of the base substrate 22. One end of the wiring layer 28 approaches the opening edge of the through hole 26, and the other end extends to the end of the base substrate 22 and is connected to an external device via a connector (not shown). It is connected. A plated layer 29 is formed inside the through hole 26. By connecting the plated layer 29 and the wiring layer 28 to the connector side of the wiring layer 28,
The conductive rubber member 32, which will be described later, is electrically connected.
【0026】さらにベース基板22の上表面には、当該
ベース基板22の保持をなすためのガイド板30が取り
付けられており、ベース基板22を半導体装置21に接
離させたり、あるいは前記接離の際に、前記ベース基板
22にたわみが生じるのを防止するようにしている。な
お前記ガイド板30は、後述するコンタクト針が上下移
動しても当該コンタクト針の後端が接触しないだけの空
隙を有するようになっている。Further, a guide plate 30 for holding the base substrate 22 is attached to the upper surface of the base substrate 22, and the base substrate 22 is brought into contact with or separated from the semiconductor device 21, or the contact or separation is made. At this time, the base substrate 22 is prevented from being bent. The guide plate 30 has a gap so that the rear end of the contact needle does not come into contact with it even if the contact needle described later moves up and down.
【0027】スルーホール26の内側には弾性体となる
導電ゴム部材32が設けられている。当該導電ゴム部材
32は、導電部材となる銀が混入されたゴム部材(例え
ばシリコンゴム等)からなり、配線層28との間で導通
性を保つとともに、外力によって変形が可能になってい
る。Inside the through hole 26, a conductive rubber member 32 which is an elastic body is provided. The conductive rubber member 32 is made of a rubber member (for example, silicon rubber or the like) in which silver serving as a conductive member is mixed, maintains conductivity with the wiring layer 28, and is deformable by an external force.
【0028】また導電ゴム部材32には、コンタクト針
34が貫通されている。当該コンタクト針34は、ベア
チップにおけるバンプ接続用のボンディングワイヤを一
定の長さに切断したものであり、ベース基板22の両面
側から、コンタクト針34の先端および後端が突出する
よう保持されている。このような半導体検査装置20を
用いて半導体ウェハ25に複数形成された半導体装置2
1に検査を行う手順を説明する。A contact needle 34 penetrates through the conductive rubber member 32. The contact needle 34 is obtained by cutting a bonding wire for bump connection in a bare chip into a certain length, and is held so that the front end and the rear end of the contact needle 34 project from both surface sides of the base substrate 22. . A plurality of semiconductor devices 2 formed on a semiconductor wafer 25 using such a semiconductor inspection device 20.
The procedure of performing the inspection will be described in 1.
【0029】図2は、半導体検査装置が取り付けられた
昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方に設置され
る半導体ウェハとの位置関係を示す状態図であり、図3
は、半導体検査装置のコンタクト針を半導体装置の電極
に接触させた際の要部拡大図である。これらの図に示す
ように、半導体装置21の検査を行う際には、まず半導
体ウェハ25をガイド板30の下方に設置されたXYテ
ーブル(図示せず)に搭載する。そしてXYテーブル上
に半導体ウェハ25を搭載させた後は、前記XYテーブ
ルを動かし、検査対象となる半導体装置21の電極24
と、半導体検査装置20のコンタクト針34との位置合
わせを行う。このように電極24とコンタクト針34の
水平方向の位置決めが終了した後は、ガイド板30を稼
働させ、半導体検査装置20を下降させる。FIG. 2 is a state diagram showing a positional relationship between a vertically movable guide plate to which the semiconductor inspection device is attached and a semiconductor wafer installed below the guide plate.
FIG. 7 is an enlarged view of a main part when a contact needle of the semiconductor inspection device is brought into contact with an electrode of the semiconductor device. As shown in these drawings, when inspecting the semiconductor device 21, the semiconductor wafer 25 is first mounted on an XY table (not shown) installed below the guide plate 30. After mounting the semiconductor wafer 25 on the XY table, the XY table is moved to move the electrodes 24 of the semiconductor device 21 to be inspected.
And the contact needle 34 of the semiconductor inspection device 20 are aligned. After the horizontal positioning of the electrode 24 and the contact needle 34 is completed, the guide plate 30 is operated and the semiconductor inspection device 20 is lowered.
【0030】ところで図3(1)に示すように、半導体
装置21の電極24は、当該電極24の間で高さ方向に
ばらつきが生じる場合がある(図中寸法Aを参照)。こ
のため半導体検査装置20をそのまま下降させても、こ
れら高さ方向のばらつきによって電極24とコンタクト
針34とが接触しないおそれがあるが、同図(2)に示
すように、本半導体検査装置20にはスルーホール26
の内部に導電ゴム部材32が設けられている。このため
一定の負荷で半導体検査装置20を半導体ウェハ25に
押し付けると、既に電極24とコンタクト針34とが密
着している箇所の導電ゴム部材32が変形し、この変形
によって未接触の電極24とコンタクト針34とが接触
する。このようにスルーホール26の内部に導電ゴム部
材32を設け、当該導電ゴム部材32の変形によって電
極24およびコンタクト針34の高さ方向の段差を吸収
するようにすれば、高さ方向の異なる複数の電極24が
存在しても確実に両者の電気的導通を図ることができ
る。そして高さ方向の吸収は全て導電ゴム部材32によ
って行われるので、コンタクト針34においては一定以
上の硬度をもたせ、耐摩耗性を向上させることが可能に
なる。このため半導体検査装置20の長寿命化を図るこ
とが可能になる。By the way, as shown in FIG. 3A, the electrodes 24 of the semiconductor device 21 may vary in the height direction between the electrodes 24 (see dimension A in the figure). Therefore, even if the semiconductor inspection device 20 is lowered as it is, there is a possibility that the electrode 24 and the contact needle 34 do not come into contact with each other due to the variation in the height direction, but as shown in FIG. Through hole 26
A conductive rubber member 32 is provided inside. Therefore, when the semiconductor inspection device 20 is pressed against the semiconductor wafer 25 with a constant load, the conductive rubber member 32 at a portion where the electrode 24 and the contact needle 34 are already in close contact with each other is deformed. Contact with the contact needle 34. As described above, by providing the conductive rubber member 32 inside the through hole 26 and absorbing the step in the height direction of the electrode 24 and the contact needle 34 by the deformation of the conductive rubber member 32, a plurality of different height directions can be obtained. Even if the electrode 24 of FIG. Further, since the absorption in the height direction is entirely performed by the conductive rubber member 32, the contact needle 34 can have a certain hardness or more, and the wear resistance can be improved. Therefore, the life of the semiconductor inspection device 20 can be extended.
【0031】なお半導体検査装置20の半導体ウェハ2
5に対する押付力は、検査対象となる全ての電極24に
対しコンタクト針34が、前記電極24の酸化膜を破る
よう接触し、半導体装置21の電気的特性を検査するの
に必要な接触抵抗値が少なくとも得られるように設定す
ればよい。なお検査時における環境は、不良を検出し易
くする目的から高温(100℃)の環境下で行われる場
合があるが、前述の通りベース基板22は、半導体ウェ
ハ25と同材料で構成されているので、熱膨張率が同じ
になり電極24間ピッチとコンタクト針34間ピッチと
が変動することがない。このため常温や高温下の環境に
おいても電極24とコンタクト針34とは確実に接触す
ることができ、電気的導通を図ることができる。The semiconductor wafer 2 of the semiconductor inspection device 20
The contact force of the contact needle 34 with respect to all the electrodes 24 to be inspected is so as to break the oxide film of the electrodes 24, and the contact resistance value required to inspect the electrical characteristics of the semiconductor device 21 Should be set so that at least The inspection environment may be a high temperature (100 ° C.) environment for the purpose of facilitating detection of defects, but as described above, the base substrate 22 is made of the same material as the semiconductor wafer 25. Therefore, the coefficient of thermal expansion is the same, and the pitch between the electrodes 24 and the pitch between the contact needles 34 do not change. Therefore, the electrode 24 and the contact needle 34 can be surely brought into contact with each other even in an environment of normal temperature or high temperature, and electrical conduction can be achieved.
【0032】このように電極24とコンタクト針34と
の電気的導通を行った後は、前記コンタクト針34に流
れる電流の度合いをコネクタを介した外部機器で検知し
て、規定範囲外の電流値を示すようであれば、異常を示
すコンタクト針34を含む半導体装置21を不良品とみ
なして、外部機器側にて記録させておけばよく、そして
検査が終了した後は、ガイド板30を上昇させて、半導
体ウェハ25から半導体検査装置20を離反させるとと
もにXYステージを移動させ新たな半導体装置21につ
いて検査を行うようにしていけばよい。After electrically connecting the electrode 24 and the contact needle 34 in this manner, the degree of the current flowing through the contact needle 34 is detected by an external device via the connector, and the current value outside the specified range is detected. If so, the semiconductor device 21 including the contact needle 34 indicating an abnormality may be regarded as a defective product and recorded on the external device side, and after the inspection is completed, the guide plate 30 is raised. Then, the semiconductor inspection device 20 is moved away from the semiconductor wafer 25, and the XY stage is moved to inspect the new semiconductor device 21.
【0033】ここで上述した半導体検査装置20の製造
方法を以下に説明する。図4は、本実施の形態に係る半
導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。同
図(1)に示すように、本実施の形態に係る半導体検査
装置20は、半導体ウェハ25と同材質となる単結晶シ
リコンからなるベース基板22を基材としている。そし
てベース基板22の片側表面に配線層28が形成されて
おり、さらにその上層とスルーホール26の内壁面にメ
ッキ層29が形成されている。ないメッキ層29は、前
記ベース基板29をメッキ液に浸し、無電解メッキによ
って薄いメッキ層を形成した後、電解メッキにてメッキ
層29の厚みを増加させればよい。A method of manufacturing the above-described semiconductor inspection device 20 will be described below. FIG. 4 is a manufacturing process diagram showing the manufacturing process of the semiconductor inspection device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1A, the semiconductor inspection apparatus 20 according to the present embodiment uses a base substrate 22 made of single crystal silicon, which is the same material as the semiconductor wafer 25, as a base material. A wiring layer 28 is formed on the surface of one side of the base substrate 22, and a plating layer 29 is formed on the upper layer and the inner wall surface of the through hole 26. The non-plated layer 29 may be obtained by immersing the base substrate 29 in a plating solution, forming a thin plated layer by electroless plating, and then increasing the thickness of the plated layer 29 by electrolytic plating.
【0034】スルーホール26の内壁面と配線層28と
の間の電気的導通をメッキ層29で行うようにした後
は、同図(2)に示すように、ペースト状の導電ゴム部
材32を非金属性からなるスキージ36(ベース基板2
2への損傷防止)によってスルーホール26へと埋め込
む。このようにスルーホール26に導電ゴム部材32を
埋め込んだ後は、同図(3)に示すようにワイヤボンデ
ィングに用いられるキャピラリ38をスルーホール26
の中心に向かって下降させ、前記キャピラリ38の先端
から突出するボンディングワイヤを導電ゴム部材32に
差し込む。After electrical conduction between the inner wall surface of the through hole 26 and the wiring layer 28 is established by the plating layer 29, a paste-like conductive rubber member 32 is formed as shown in FIG. Non-metallic squeegee 36 (base substrate 2
2 to prevent damage to the through hole 26). After the conductive rubber member 32 is embedded in the through hole 26 as described above, the capillary 38 used for wire bonding is attached to the through hole 26 as shown in FIG.
And the bonding wire protruding from the tip of the capillary 38 is inserted into the conductive rubber member 32.
【0035】そしてキャピラリ38の先端から突出する
ボンディングワイヤを導電ゴム部材32に差し込み、キ
ャピラリ38を一定量だけ下降させた後は、キャピラリ
38側にて、ボンディングワイヤを切断し、導電ゴム部
材32にボンディングワイヤが貫通した状態を保てばよ
い。このようにボンディングワイヤを導電ゴム部材32
に貫通させた後、当該導電ゴム部材32を加熱等によっ
て硬化させれば、導電ゴム部材32に保持されたコンタ
クト針34を形成することができる。Then, after the bonding wire protruding from the tip of the capillary 38 is inserted into the conductive rubber member 32 and the capillary 38 is lowered by a certain amount, the bonding wire is cut on the side of the capillary 38 to form the conductive rubber member 32. It suffices to keep the bonding wire penetrating. In this way, the bonding wire is connected to the conductive rubber member 32.
When the conductive rubber member 32 is hardened by heating or the like after being penetrated through, the contact needle 34 held by the conductive rubber member 32 can be formed.
【0036】図5は、本実施の形態に係る半導体検査装
置の応用例を示す断面構造図である。なお同半導体検査
装置は、本実施の形態に係る半導体検査装置に特定の部
材を追加しただけの形態であるので、同一の部材につい
ては同一の番号を付与し、その説明を行うものとする。FIG. 5 is a sectional structural view showing an application example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment. Since the semiconductor inspection apparatus is a mode in which a specific member is simply added to the semiconductor inspection apparatus according to the present embodiment, the same numbers are given to the same members and the description will be given.
【0037】同図に示すように、コンタクト針34の後
端側に変形可能な支持部材40を配置し、この支持部材
40の変形にてコンタクト針34の上下移動を調整する
ようにしてもよい。このように導電ゴム部材32の他に
支持部材40を用いれば、コンタクト針34の上下移動
における抵抗力を幅広く設定することができ、種々の半
導体装置に適用することが可能になる。なお支持部材4
0には、例えば温度変化があっても硬度の変化をおさえ
られるシリコン系のゴムなどを用いればよい。As shown in the figure, a deformable support member 40 may be arranged on the rear end side of the contact needle 34, and the vertical movement of the contact needle 34 may be adjusted by the deformation of the support member 40. . Thus, by using the support member 40 in addition to the conductive rubber member 32, it is possible to set a wide resistance force in the vertical movement of the contact needle 34, and it is possible to apply to various semiconductor devices. The support member 4
As 0, for example, a silicon-based rubber or the like whose hardness can be suppressed even if the temperature changes can be used.
【0038】図6は、本実施の形態に係る半導体検査装
置の変形例を示す断面構造図である。また同半導体検査
装置においても、本実施の形態に係る半導体検査装置と
同様、弾性体でコンタクト針を保持した形態であるの
で、同一の部材については同一の番号を付与し、その説
明を行うものとする。FIG. 6 is a sectional structural view showing a modification of the semiconductor inspection device according to this embodiment. Further, also in the semiconductor inspection device, as in the semiconductor inspection device according to the present embodiment, since the contact needle is held by the elastic body, the same number is given to the same member, and the description will be given. And
【0039】同図においては、コンタクト針34の後端
部に配線層を接続し、この配線層によって外部機器への
コンタクトを行うものである。すなわち配線層は、ポリ
イミドからなるフィルム42をベースとしており、その
フィルム42の表面に形成された配線パターン44によ
って形成される。なお前記配線パターン44は、あらか
じめフィルム42の表面に銅箔を貼り付けておき、この
銅箔を所定の配線パターン44となるようエッチングに
て形成すればよい。In the figure, a wiring layer is connected to the rear end of the contact needle 34, and the wiring layer is used to make contact with an external device. That is, the wiring layer is based on the film 42 made of polyimide, and is formed by the wiring pattern 44 formed on the surface of the film 42. The wiring pattern 44 may be formed by previously adhering a copper foil to the surface of the film 42 and etching the copper foil so as to form the predetermined wiring pattern 44.
【0040】そして本配線層においては、フィルム42
の両面に配線パターン44を形成することが可能であ
り、このため種々の検査用信号をコンタクト針34に伝
達することが可能になる。In the wiring layer, the film 42
The wiring patterns 44 can be formed on both surfaces of the contact needle 34, and thus various inspection signals can be transmitted to the contact needle 34.
【0041】また本変形例においても、コンタクト針3
4の後端に支持部材40(図中、破線参照)を配置し、
コンタクト針34の上下移動における抵抗力を幅広く設
定することができるのである。Also in this modification, the contact needle 3
The support member 40 (see the broken line in the figure) is arranged at the rear end of 4,
It is possible to set a wide resistance force in the vertical movement of the contact needle 34.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触
させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装
置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けを
なすベース基板にスルーホールと、このスルーホールの
内壁面から前記ベース基板の上層側に至るよう検査用信
号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に
導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前
記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾
性体によって保持するようにしたり、As described above, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor inspection device for electrically inspecting the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device. A through hole is formed in the base substrate that is pressed against the semiconductor device, and a wiring layer that transmits a test signal is formed from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate. After forming an elastic body made of a conductive member, the contact needle is pierced through the elastic body so that the contact needle is held by the elastic body,
【0043】半導体装置の表面に形成された電極にコン
タクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をな
す半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置
への押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成
し、前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾
性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針
を前記弾性体によって保持するとともに、前記コンタク
ト針の後端に配線層を接続するようにしたり、A method of manufacturing a semiconductor inspection device for electrically inspecting a semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device, wherein the base substrate is pressed against the semiconductor device. After forming a hole and forming an elastic body in the through hole, the contact needle is pierced through the elastic body, the contact needle is held by the elastic body, and a wiring layer is formed at the rear end of the contact needle. To connect,
【0044】あるいは半導体装置の表面に形成された電
極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体
検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスル
ーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール
内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に
貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記
スルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至
り検査用信号の伝達をなす配線層を有するようにした
り、Alternatively, there is provided a semiconductor inspecting device which contacts an electrode formed on the surface of the semiconductor device and electrically inspects the semiconductor device, wherein a base substrate having through holes corresponding to the positions of the electrodes is provided. An elastic body filled in the through hole and made of a conductive member, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and an inspection from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate Or to have a wiring layer that transmits the signal for
【0045】さらに半導体装置の表面に形成された電極
に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検
査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルー
ホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内
に充填される弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体
にて保持されるコンタクト針と、当該コンタクト針の後
端側に接続され検査用信号の伝達をなす配線層を有した
ことから、検査用の電極が増加しても容易に対応するこ
とができ、さらに製作も容易におこなうことができる。Further, there is provided a semiconductor inspecting device, which is in contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device and electrically inspects the semiconductor device, wherein a base substrate having a through hole corresponding to the position of the electrode. An elastic body filled in the through hole, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and a wiring layer connected to a rear end side of the contact needle and transmitting an inspection signal Therefore, even if the number of inspection electrodes is increased, it is possible to easily cope with the increase and the manufacturing can be easily performed.
【0046】またコンタクト針と弾性体を一対の組み合
わせとしたので、隣接する電極の高さ方向のばらつきが
大きくなっても、このばらつきに左右されず個々の弾性
体で高さ方向のばらつきを吸収することができる。Since the contact needle and the elastic body are combined in a pair, even if the variation in the height direction of the adjacent electrodes becomes large, the variation in the height direction is absorbed by each elastic body without being influenced by this variation. can do.
【図1】本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造
図である。FIG. 1 is a cross-sectional structure diagram of a semiconductor measuring device according to an embodiment.
【図2】半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガ
イド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェ
ハとの位置関係を示す状態図である。FIG. 2 is a state diagram showing a positional relationship between a vertically movable guide plate to which a semiconductor inspection device is attached and a semiconductor wafer installed below the guide plate.
【図3】半導体検査装置のコンタクト針を半導体装置の
電極に接触させた際の要部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part when a contact needle of the semiconductor inspection device is brought into contact with an electrode of the semiconductor device.
【図4】本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程
を示した製造工程図である。FIG. 4 is a manufacturing process diagram showing a manufacturing process of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
【図5】本実施の形態に係る半導体検査装置の応用例を
示す断面構造図である。FIG. 5 is a sectional structural view showing an application example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
【図6】本実施の形態に係る半導体検査装置の変形例を
示す断面構造図である。FIG. 6 is a sectional structural view showing a modified example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
【図7】従来における第1の半導体検査装置の構造を示
す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a structure of a conventional first semiconductor inspection device.
【図8】従来における第2の半導体検査装置の構造を示
す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a structure of a conventional second semiconductor inspection device.
【図9】従来における第3の半導体検査装置の接触子の
外観を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an appearance of a contact of a conventional third semiconductor inspection device.
1………半導体検査装置 2………ホルダ 3………コンタクトピン 4………半導体装置 5………電極 6………半導体検査装置 7………ベース基板 8………配線層 9………導電性ゴム 10………検査用バンプ 11………絶縁フィルム 12………半導体検査装置 13………曲げ部 14………接触子 15………半導体装置 16………電極 20………半導体検査装置 21………半導体装置 22………ベース基板 24………電極 25………半導体ウェハ 26………スルーホール 28………配線層 30………ガイド板 32………導電ゴム部材 34………コンタクト針 36………スキージ 38………キャピラリ 40………支持部材 42………フィルム 44………配線パターン 1 ... Semiconductor inspection equipment 2 ... Holder 3 ... Contact pin 4 ... Semiconductor device 5 ... electrode 6 ... Semiconductor inspection equipment 7 ... Base substrate 8 ... Wiring layer 9 ... Conductive rubber 10 ………… Inspection bump 11 ... Insulation film 12 ... Semiconductor inspection equipment 13 ... Bending part 14 ... Contactor 15 ... Semiconductor device 16 ... Electrode 20 ... Semiconductor inspection equipment 21 ……… Semiconductor device 22 ... Base substrate 24 ......... Electrodes 25 ……… Semiconductor wafer 26 ... through hole 28 ………… Wiring layer 30 ......... Guide plate 32 ......... Conductive rubber member 34 ... Contact needle 36 ......... Squeegee 38 ......... Capillary 40 ......... Supporting member 42 ......... Film 44 ... Wiring pattern
Claims (8)
ンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査を
なす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装
置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、こ
のスルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に
至るよう検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記
スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した
後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コ
ンタクト針を前記弾性体によって保持するようにしたこ
とを特徴とする半導体検査装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor inspection device in which a contact needle is brought into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device, the base substrate being pressed against the semiconductor device. After forming a through hole and a wiring layer for transmitting a test signal from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate, and after forming an elastic body made of a conductive member in the through hole, A method of manufacturing a semiconductor inspection device, wherein the contact needle is penetrated through the elastic body, and the contact needle is held by the elastic body.
ンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査を
なす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装
置への押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成
し、前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾
性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針
を前記弾性体によって保持するとともに、前記コンタク
ト針の後端に配線層を接続するようにしたことを特徴と
する半導体検査装置の製造方法。2. A method of manufacturing a semiconductor inspection device for electrically inspecting the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device, the base substrate being pressed against the semiconductor device. After forming a through-hole in the through-hole and forming an elastic body in the through-hole, the contact needle is penetrated through the elastic body, the contact needle is held by the elastic body, and wiring is provided at the rear end of the contact needle. A method of manufacturing a semiconductor inspection device, wherein layers are connected.
導電ゴム部材を充填させた後、この導電ゴム部材に前記
コンタクト針を貫通させたことを特徴とする請求項1に
記載の半導体検査装置の製造方法。3. The method for manufacturing a semiconductor inspection device according to claim 1, wherein a conductive rubber member is filled in the through hole with a squeegee and then the contact needle is passed through the conductive rubber member. .
ワイヤを前記弾性体に貫通させ、当該弾性体に貫通され
た前記ボンディングワイヤを前記コンタクト針にしたこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体
検査装置の製造方法。4. The bonding wire is pierced through the elastic body by raising and lowering a capillary, and the bonding wire penetrated by the elastic body is used as the contact needle. Manufacturing method of semiconductor inspection device.
触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装
置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホー
ルが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充
填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に貫通し
当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記スルー
ホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至り検査
用信号の伝達をなす配線層を有したことを特徴とする半
導体検査装置。5. A semiconductor inspecting device for contacting an electrode formed on a surface of a semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device, wherein a through hole is formed corresponding to a position of the electrode. An elastic body filled in the through hole and made of a conductive member; a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body; and an inner wall surface of the through hole extending to the upper layer side of the base substrate. A semiconductor inspection apparatus having a wiring layer for transmitting an inspection signal.
触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装
置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホー
ルが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充
填される弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて
保持されるコンタクト針と、当該コンタクト針の後端側
に接続され検査用信号の伝達をなす配線層を有したこと
を特徴とする半導体検査装置。6. A semiconductor inspection device for contacting an electrode formed on a surface of a semiconductor device to electrically inspect the semiconductor device, the base substrate having a through hole corresponding to a position of the electrode. An elastic body filled in the through hole, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and a wiring connected to the rear end side of the contact needle and transmitting an inspection signal A semiconductor inspection device having a layer.
タクト針の保持をなす変形可能な支持部材を設け、この
支持部材の変形により前記コンタクト針の移動量を調整
することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の
半導体検査装置。7. A deformable support member for holding the contact needle is provided on the rear end side of the contact needle, and the movement amount of the contact needle is adjusted by the deformation of the support member. The semiconductor inspection apparatus according to claim 5 or 6.
とを特徴とする請求項5に記載の半導体検査装置。8. The semiconductor inspection apparatus according to claim 5, wherein the elastic body is made of a conductive rubber member.
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---|---|---|---|
JP2001274137A JP3596500B2 (en) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Method for manufacturing semiconductor inspection device, semiconductor inspection device, and method for inspecting semiconductor device |
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