JP2006005163A - Semiconductor device, and mounting inspecting method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子が搭載され、接続端子を有する半導体パッケージを、接続端子に対応するパッドを有する基板に、所定のリフロー条件にて実装してなる半導体装置及びその実装検査方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device having a semiconductor element mounted thereon and having a connection terminal mounted on a substrate having a pad corresponding to the connection terminal under predetermined reflow conditions, and a mounting inspection method thereof. .
従来、例えば特許文献1に開示されるように、半導体素子が搭載され、接続端子を有する半導体パッケージを、接続端子に対応するパッドを有する基板に、所定のリフロー条件にて実装してなる半導体装置の、半導体パッケージと母基板との接続状態を検査する実装検査方法が知られている。 Conventionally, as disclosed in, for example, Patent Document 1, a semiconductor device in which a semiconductor package is mounted and a semiconductor package having a connection terminal is mounted on a substrate having a pad corresponding to the connection terminal under predetermined reflow conditions. There is known a mounting inspection method for inspecting a connection state between a semiconductor package and a mother board.
この実装検査方法(実装検査システム)においては、接続端子(半田パッド)が接続される少なくとも2つのパッド(接続パッド)から配線パターン(パターン配線)を延ばして、実装後の半導体パッケージ(電子部品)によって覆われない基板上の位置にテスト用パッド(テストランド)を形成する。そして、半導体パッケージの配線パターン(内部パターン配線)と基板の配線パターンとを用いて、一方のテスト用パッドから半導体パッケージの配線パターンと基板の配線パターンとを通じて他方のテスト用パッドに達する電気経路を形成する。 In this mounting inspection method (mounting inspection system), a wiring pattern (pattern wiring) is extended from at least two pads (connection pads) to which connection terminals (solder pads) are connected, and a semiconductor package (electronic component) after mounting. A test pad (test land) is formed at a position on the substrate that is not covered by the substrate. Then, using the wiring pattern of the semiconductor package (internal pattern wiring) and the wiring pattern of the substrate, an electrical path from one test pad to the other testing pad through the wiring pattern of the semiconductor package and the wiring pattern of the substrate Form.
従って、所定のリフロー条件にて実装後、テスト用パッド間の電気的接続状態を検査することによって、半導体パッケージと基板との接続状態を検査することができる。
ところで、実装時において、リフロー条件(例えば温度)には多少なりともばらつきが生じる。しかしながら、上記構成においては、テスト用パッド間の電気経路を構成する接続端子、すなわちテスト用端子として、半導体パッケージと基板とを電気的に接続する接続端子と同一構成の端子を用いている。従って、例えば接続端子及び/又はテスト用端子のばらつき(例えばボール径(すなわち体積))によって、検査結果が半導体パッケージの接続端子と基板のパッドとの接続状態を的確に反映しない恐れがある。 By the way, at the time of mounting, reflow conditions (for example, temperature) vary somewhat. However, in the above configuration, a terminal having the same configuration as the connection terminal that electrically connects the semiconductor package and the substrate is used as a connection terminal that configures an electrical path between the test pads, that is, a test terminal. Therefore, for example, the inspection result may not accurately reflect the connection state between the connection terminal of the semiconductor package and the pad of the substrate due to variations (for example, ball diameter (ie, volume)) of the connection terminal and / or the test terminal.
本発明は上記問題点に鑑み、半導体パッケージと基板との接続状態をより的確に検査することができる半導体装置及びその実装検査方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a mounting inspection method thereof that can more accurately inspect the connection state between a semiconductor package and a substrate.
上記目的を達成する請求項1〜15に記載の発明は、半導体素子が搭載され、接続端子を有する半導体パッケージを、前記接続端子に対応するパッドを有する基板に、所定のリフロー条件にて実装してなる半導体装置に関するものである。 The invention according to any one of claims 1 to 15, which achieves the above object, mounts a semiconductor package having a semiconductor element and a connection terminal on a substrate having a pad corresponding to the connection terminal under predetermined reflow conditions. The present invention relates to a semiconductor device.
請求項1に記載のように、半導体パッケージは、その接続端子形成面に、接続端子に隣接して形成された複数のダミー端子を有し、基板は、ダミー端子に対応する複数のダミー用パッドと、半導体パッケージが実装されない領域に複数のテスト用パッドを有し、ダミー端子は接続端子とは異なる熱量で溶融する、及び/又は、ダミー用パッドはパッドとは異なる熱量で溶融するよう構成されており、複数のダミー端子間及び複数のダミー用パッド間の少なくとも一方が電気的に連結され、連結されたダミー端子の両端に対応するダミー用パッド又は連結されたダミー用パッドの両端と、テスト用パッドとがそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。 The semiconductor package has a plurality of dummy terminals formed adjacent to the connection terminals on the connection terminal formation surface, and the substrate has a plurality of dummy pads corresponding to the dummy terminals. And a plurality of test pads in a region where the semiconductor package is not mounted, and the dummy terminals are melted with a heat amount different from that of the connection terminals, and / or the dummy pads are melted with a heat amount different from that of the pads. And at least one of the plurality of dummy terminals and between the plurality of dummy pads are electrically connected, and dummy pads corresponding to both ends of the connected dummy terminals or both ends of the connected dummy pads are tested. The pads are electrically connected to each other.
このように本発明によると、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子は接続端子とは異なる熱量で溶融し、ダミー用パッドはパッドとは異なる熱量で溶融するよう構成されている。すなわち、リフロー条件にばらつきがない状態(接続端子とパッドとが理想的に接続)では、ダミー端子とダミー用パッドの接続状態は、接続端子とパッドとの接続状態よりも劣るものの良好であり、リフロー条件にばらつきが生じていれば、接続端子とパッドの接続状態よりも先にダミー端子とダミー用パッドの接続状態が接続不良となるように構成されている。従って、この半導体装置の構成によると、予め接続端子とダミー端子、及び/又は、パッドとダミー用パッドに差を持たせているので、テスト用パッド間の抵抗値を測定し、所定の基準値と比較することで、半導体パッケージと基板との接続状態を従来よりも的確に検査することができる。 Thus, according to the present invention, at least one of the dummy terminal and the dummy pad is configured such that the dummy terminal melts with a different amount of heat than the connection terminal, and the dummy pad melts with a different amount of heat than the pad. That is, in a state where there is no variation in reflow conditions (the connection terminal and the pad are ideally connected), the connection state of the dummy terminal and the dummy pad is good, although inferior to the connection state of the connection terminal and the pad, If the reflow conditions vary, the connection state between the dummy terminal and the dummy pad is configured to be defective before the connection state between the connection terminal and the pad. Therefore, according to the configuration of this semiconductor device, since the connection terminal and the dummy terminal and / or the pad and the dummy pad have a difference in advance, the resistance value between the test pads is measured, and a predetermined reference value is obtained. As a result, the connection state between the semiconductor package and the substrate can be inspected more accurately than in the past.
また、接続端子とダミー端子、及び/又は、パッドとダミー用パッドに差を持たせているので、従来のように接続端子と同一構成の端子をダミー端子として用いる場合よりも、ダミー端子の数を少なくすることができる。従って、検査時間を短縮することができる。またダミー端子間を電気的に連結する配線パターンの配線長を短くすることができる。従って、製造コストを低減することができる。また、ダミー端子の数を少なくすることができるので、基板に対する半導体パッケージの実装面積を小さくすることも可能である。 In addition, since there is a difference between the connection terminal and the dummy terminal and / or the pad and the dummy pad, the number of dummy terminals is larger than when a terminal having the same configuration as the connection terminal is used as a dummy terminal as in the prior art. Can be reduced. Therefore, the inspection time can be shortened. In addition, the wiring length of the wiring pattern that electrically connects the dummy terminals can be shortened. Therefore, the manufacturing cost can be reduced. In addition, since the number of dummy terminals can be reduced, the mounting area of the semiconductor package on the substrate can be reduced.
次に、ダミー端子は接続端子とは異なる熱量で溶融する、及び/又は、ダミー用パッドはパッドとは異なる熱量で溶融する構成の具体例を以下に示す。 Next, a specific example of a configuration in which the dummy terminal melts with a different amount of heat from the connection terminal and / or the dummy pad melts with a different amount of heat than the pad will be described below.
例えば請求項2に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子の溶融には接続端子よりも大きな熱量を必要とし、ダミー用パッドの溶融にはパッドよりも大きな熱量を必要とするように構成しても良い。 For example, as described in claim 2, at least one of the dummy terminal and the dummy pad requires a larger amount of heat than the connection terminal to melt the dummy terminal, and a larger amount of heat than the pad to melt the dummy pad. You may comprise as needed.
この場合、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子は接続端子よりも溶融し難く、ダミー用パッドはパッドよりも溶融し難いので、ダミー端子とダミー用パッドとの接合状態は接続端子とパッドとの接合状態よりも劣るものとなる。従って、ダミー端子とダミー用パッドとの接合状態が良好であれば、接続端子とパッドとの接合状態も良好であると判定することができる。 In this case, since at least one of the dummy terminal and the dummy pad is harder to melt than the connection terminal and the dummy pad is harder to melt than the pad, the bonding state of the dummy terminal and the dummy pad is the connection terminal. And inferior to the bonding state between the pad and the pad. Therefore, if the bonding state between the dummy terminal and the dummy pad is good, it can be determined that the bonding state between the connection terminal and the pad is also good.
より具体的には、請求項3に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子の体積は接続端子の体積よりも大きく、ダミー用パッドの体積はパッドの体積よりも大きいように構成しても良い。また、請求項4に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子を構成する材料の融点が接続端子を構成する材料の融点よりも高く、ダミー用パッドを構成する材料の融点がパッドを構成する材料の融点よりも高いように構成しても良い。 More specifically, as described in claim 3, at least one of the dummy terminal and the dummy pad is such that the volume of the dummy terminal is larger than the volume of the connection terminal, and the volume of the dummy pad is larger than the volume of the pad. You may comprise so that it may be large. According to a fourth aspect of the present invention, at least one of the dummy terminal and the dummy pad has a melting point of the material constituting the dummy terminal higher than the melting point of the material constituting the connection terminal, and the material constituting the dummy pad. The melting point may be higher than the melting point of the material constituting the pad.
また、請求項5に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子の溶融には接続端子よりも小さな熱量を必要とし、ダミー用パッドの溶融にはパッドよりも小さな熱量を必要とするように構成しても良い。 In addition, as described in claim 5, at least one of the dummy terminal and the dummy pad requires a smaller amount of heat than the connection terminal for melting the dummy terminal, and less than the pad for melting the dummy pad. You may comprise so that it may require.
この場合、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子は接続端子よりも溶融しやすく、ダミー用パッドはパッドよりも溶融しやすいので、リフロー実装時に、溶融過多によって隣接する端子間(ダミー端子間或いはダミー端子と接続端子間)、及び/又は、隣接するパッド間(ダミー用パッド間或いはダミー用パッドとパッド間)で短絡しやすい(ブリッジを生じやすい)。従って、ダミー端子とダミー用パッドとの接続状態が良好(短絡していない)であれば、接続端子とパッドとの接続状態も良好であると判定することができる。 In this case, at least one of the dummy terminal and the dummy pad is more easily melted than the connection terminal, and the dummy pad is more easily melted than the pad. It is easy to short-circuit between terminals (between dummy terminals and connection terminals) and / or between adjacent pads (between dummy pads or between dummy pads and pads). Therefore, if the connection state between the dummy terminal and the dummy pad is good (not short-circuited), it can be determined that the connection state between the connection terminal and the pad is also good.
より具体的には、請求項6に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子の体積は接続端子の体積よりも小さく、ダミー用パッドの体積はパッドの体積よりも小さいように構成しても良い。また、請求項7に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子を構成する材料の融点が接続端子を構成する材料の融点よりも低く、ダミー用パッドを構成する材料の融点がパッドを構成する材料の融点の低いように構成しても良い。 More specifically, as described in claim 6, at least one of the dummy terminal and the dummy pad is such that the volume of the dummy terminal is smaller than the volume of the connection terminal, and the volume of the dummy pad is larger than the volume of the pad. You may comprise so that it may be small. Further, according to claim 7, at least one of the dummy terminal and the dummy pad has a melting point of the material constituting the dummy terminal lower than the melting point of the material constituting the connection terminal, and the material constituting the dummy pad The melting point of the material may be low so that the material constituting the pad has a low melting point.
さらには、請求項8に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、ダミー端子は、接続端子が溶融するよりも大きな熱量で溶融する第1のダミー端子と、接続端子が溶融するよりも小さな熱量で溶融する第2のダミー端子とを有し、ダミー用パッドは、パッドが溶融するよりも大きな熱量で溶融する第1のダミー用パッドと、パッドが溶融するよりも小さな熱量で溶融する第2のダミー用パッドとを有するように構成しても良い。 Furthermore, as described in claim 8, at least one of the dummy terminal and the dummy pad, the dummy terminal is melted with a larger amount of heat than the connection terminal is melted, and the connection terminal is melted A second dummy terminal that melts with a smaller amount of heat than the first dummy terminal, and the dummy pad includes a first dummy pad that melts with a larger amount of heat than the pad melts, and a smaller amount of heat than the pad melts. It may be configured to have a second dummy pad that melts in step (b).
この場合、請求項2に記載の発明の作用効果と請求項5に記載の発明の作用効果を、同時に実現することができるので、ダミー端子とダミー用パッドとの接続状態が短絡しておらず、接合状態も良好であれば、接続端子とパッド、すなわち、半導体パッケージと基板との接続状態が短絡しておらず、接合状態も良好であると判定することができる。 In this case, since the operational effect of the invention of claim 2 and the operational effect of the invention of claim 5 can be realized simultaneously, the connection state of the dummy terminal and the dummy pad is not short-circuited. If the bonding state is good, it can be determined that the connection state between the connection terminal and the pad, that is, the semiconductor package and the substrate is not short-circuited, and the bonding state is also good.
より具体的には、請求項9に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、第1のダミー端子の体積は接続端子の体積よりも大きく、第2のダミー端子の体積は接続端子の体積よりも小さく、第2のダミー用パッドの体積はパッドの体積よりも大きく、第2のダミー用パッドの体積はパッドよりも小さいように構成しても良い。また、請求項10に記載のように、ダミー端子及びダミー用パッドの少なくとも一方が、第1のダミー端子を構成する材料の融点が接続端子を構成する材料の融点よりも高く、第2のダミー端子を構成する材料の融点が接続端子を構成する材料の融点よりも低く、第1のダミー用パッドを構成する材料の融点がパッドを構成する材料の融点の高く、第2のダミー用パッドを構成する材料の融点がパッドを構成する材料の融点の低いように構成しても良い。 More specifically, as described in claim 9, at least one of the dummy terminal and the dummy pad is such that the volume of the first dummy terminal is larger than the volume of the connection terminal, and the volume of the second dummy terminal is The volume of the second dummy pad may be smaller than the volume of the connection terminal, the volume of the second dummy pad may be larger than the volume of the pad, and the volume of the second dummy pad may be smaller than the pad. In addition, as described in claim 10, at least one of the dummy terminal and the dummy pad has a melting point of the material constituting the first dummy terminal higher than the melting point of the material constituting the connection terminal, and the second dummy The melting point of the material constituting the terminal is lower than the melting point of the material constituting the connection terminal, the melting point of the material constituting the first dummy pad is higher than the melting point of the material constituting the pad, and the second dummy pad is formed. You may comprise so that melting | fusing point of the material to comprise may have low melting | fusing point of the material which comprises a pad.
尚、請求項11に記載のように、ダミー端子の半導体パッケージの接続端子形成面から端子頂点までの高さが接続端子と略同一であり、ダミー用パッドの基板のパッド形成面からパッド頂点までの高さがパッドと略同一であると、リフロー実装時において、接続状態に与える高さの影響を除外することができるので好ましい。 In addition, as described in claim 11, the height from the connection terminal formation surface of the dummy terminal semiconductor package to the terminal vertex is substantially the same as the connection terminal, and from the pad formation surface of the dummy pad substrate to the pad vertex. It is preferable that the height is substantially the same as that of the pad because the influence of the height on the connection state can be excluded during reflow mounting.
また、複数のダミー端子は互いに隣接していなくても良い。しかしながら、請求項12に記載のように、互いに隣接し、その端子ピッチが接続端子と略同一となるように形成されていることが好ましい。この場合、ダミー端子間を連結する配線パターンの配線長、及び/又は、ダミー用パッド間を連結する配線パターンの配線長を短くすることができる。また、接続状態に与える端子ピッチの影響を除外することができる。 The plurality of dummy terminals may not be adjacent to each other. However, as described in claim 12, it is preferable that the terminals are adjacent to each other and the terminal pitch thereof is substantially the same as that of the connection terminal. In this case, the wiring length of the wiring pattern connecting the dummy terminals and / or the wiring length of the wiring pattern connecting the dummy pads can be shortened. Further, the influence of the terminal pitch on the connection state can be excluded.
ダミー端子の形成位置は、特に限定されるものではない。しかしながら、請求項13に記載のように、半導体パッケージにおける接続端子形成領域の最外周位置に形成されるか、請求項14に記載のように、半導体パッケージにおける接続端子形成領域の四隅に形成されていることが好ましい。これらの箇所は、リフロー実装時に生じる半導体パッケージ、及び/又は、基板の反り等によって接続不良が生じやすい。従って、当該箇所にダミー端子(及びダミー用パッド)を有すると、半導体パッケージと基板との接続状態を的確に検査することができる。 The formation position of the dummy terminal is not particularly limited. However, as described in claim 13, it is formed at the outermost peripheral position of the connection terminal formation region in the semiconductor package, or as formed in four corners of the connection terminal formation region in the semiconductor package. Preferably it is. In these places, connection failure is likely to occur due to a semiconductor package and / or a substrate warp generated during reflow mounting. Therefore, if a dummy terminal (and a dummy pad) is provided at the location, the connection state between the semiconductor package and the substrate can be accurately inspected.
また、接続端子の配列によっては、半導体パッケージの接続端子形成面の中央領域に接続端子の非配置領域を有している場合もある。このような場合、請求項15に記載のように、接続端子の非配置領域である中央領域にダミー端子が形成されれば、別途ダミー端子形成用のスペースを必要としないので、基板に対する半導体パッケージの実装面積を縮小することができる。 Further, depending on the arrangement of the connection terminals, there may be a connection terminal non-arrangement region in the central region of the connection terminal formation surface of the semiconductor package. In such a case, if a dummy terminal is formed in the central region, which is a non-arrangement region of the connection terminal, as described in claim 15, a separate space for forming the dummy terminal is not required. The mounting area can be reduced.
尚、請求項1〜15いずれか1項に記載の半導体装置においては、請求項16に記載のように、電気的に連結されたテスト用パッド間の抵抗値を測定し、所定の基準値と比較することにより、ダミー端子とダミー用パッド間の接続状態を検査することができる。そして、ダミー端子とダミー用パッド間の接続状態に基づいて、接続端子とパッド、すなわち、半導体パッケージと基板との接続状態を従来よりも的確に検査(判定)することができる。 In the semiconductor device according to any one of claims 1 to 15, as described in claim 16, a resistance value between electrically connected test pads is measured, and a predetermined reference value is obtained. By comparing, the connection state between the dummy terminal and the dummy pad can be inspected. Based on the connection state between the dummy terminal and the dummy pad, the connection state between the connection terminal and the pad, that is, the semiconductor package and the substrate can be inspected (determined) more accurately than in the past.
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。尚、以下の実施形態においては、ダミー端子が接続端子に対して異なる熱量で溶融するように構成されている例を示す。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態における半導体装置のうち、半導体パッケージ部分の概略構成を示す図であり、(a)は実装面側から見た平面図、(b)は(a)のA−A断面における断面図である。図2は、本実施形態における半導体装置のうち、母基板部分の概略構成を示す図であり、(a)は半導体パッケージ100の搭載面側から見た平面図、(b)は(a)のB−B断面における概略断面図である。尚、図1及び図2において、便宜上、半導体パッケージと母基板を分離して図示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, an example is shown in which the dummy terminals are configured to melt with different amounts of heat with respect to the connection terminals.
(First embodiment)
1A and 1B are diagrams showing a schematic configuration of a semiconductor package portion of the semiconductor device according to the present embodiment, where FIG. 1A is a plan view viewed from the mounting surface side, and FIG. FIG. 2A and 2B are diagrams showing a schematic configuration of the mother board portion of the semiconductor device according to the present embodiment, where FIG. 2A is a plan view viewed from the mounting surface side of the
図1に示すように、半導体パッケージ100は、半導体チップ110を回路基板120上に実装してなるものである。尚、本実施形態における半導体パッケージ100は、BGA(Ball Grid Array)タイプである。
As shown in FIG. 1, a
回路基板120は、例えば樹脂に配線部を形成してなるものであり、半導体チップ110搭載面の裏面(母基板との実装面121)に、接続端子としての複数の半田ボール122を有している。半田ボール122は、回路基板120に形成された図示されない配線部によって半導体チップ110と電気的に接続されており、この半田ボール122がリフロー時に溶融して母基板上のパッドと接合することで、半導体パッケージ100(半導体チップ110)と母基板とが電気的に接続される。
The
本実施形態において、半田ボール122は、実装面121の中央領域(図1(a)中の一点鎖線で囲まれた領域)には形成されず、この非形成領域123を取り囲んで格子状に配列されている。半田ボール122のボール径及び端子ピッチは特に限定されるものではないが、例えばボール径0.5mm、端子ピッチ1mmで形成されている。
In the present embodiment, the
また、回路基板120は、上述した非形成領域123に、半田ボール122とは異なる熱量で溶融するボール状のダミー端子124を有している。このダミー端子124は、半田ボール122に隣接して複数形成されている。
In addition, the
本実施形態において、ダミー端子124は、半田ボール122よりもボール径(体積)の大きな(例えば0.7mm)第1のダミー端子124aが2個と、半田ボール122よりもボール径(体積)の小さな(例えば0.3mm)第2のダミー端子124bが2個の、計4個により構成されている。また、第1のダミー端子124a及び第2のダミー端子124bは、ともに半田ボール122と同じ材料を用いて形成されており、その端子ピッチ及び実装面121から端子頂点までの高さは、半田ボール122と略同一に設定されている。その際、高さは、回路基板120の実装面121に形成された電極(図示せず)と、当該電極上に形成される半田ボール122、及び、ダミー端子124との間に、所定高さを有する導電性の台座(図示せず)を設けることによって調整される。
In this embodiment, the
また、各ダミー端子124a,124bは、半導体チップ110とは電気的に接続されておらず、それぞれが半導体パッケージ100(回路基板120或いは回路基板120及び半導体チップ110)に形成された配線パターン125によって、電気的に連結されている。本実施形態においては、回路基板120に形成された配線パターン125(図1(a)中の破線)によって、各ダミー端子124a,124bが電気的に連結されている。
Further, the
次に、図2に示すように、母基板200は、例えば樹脂に配線部を形成してなるものであり、半導体パッケージ100の搭載面201に、半導体パッケージ100の半田ボール122に対応して形成された複数のパッド202と、半導体パッケージ100のダミー端子124に対応して形成された複数のダミー用パッド203を有している。尚、この母基板200が、特許請求の範囲で示す基板に相当する。
Next, as shown in FIG. 2, the
また、パッド202及びダミー用パッド203とは別に、実装時に半導体パッケージ100が搭載される搭載領域204(図2(a)中の二点鎖線で囲まれた領域)外の領域(非搭載領域)に、2つのテスト用パッド205を有している。このテスト用パッド205は、電気的に連結された複数のダミー端子24のうち、両端のダミー端子24(本実施形態においては124a,124b各1つずつ)に対応するダミー用パッド203と、配線パターン206(図2(a)中における破線)によってそれぞれ電気的に接続されている。尚、本実施形態において、ダミー用パッド203は、パッド202に取り囲まれた中央領域207(図2(a)中の一点鎖線で囲まれた領域)に形成されている。従って、配線パターン206は、図2(b)に示すように母基板200を構成する樹脂内に形成され、層間接続材料の充填されたビアホール208を介して、テスト用パッド206及びダミー用パッド203と電気的に接続されている。
In addition to the
尚、本実施形態において、各パッド202,203,204の形状、体積、高さ、及び構成材料は同一としている。しかしながら、それぞれを異なる構成としても良い。
In the present embodiment, the shape, volume, height, and constituent material of each
そして、半導体パッケージ100を母基板200に位置決め載置し、この位置決め状態で、所定のリフロー条件(半田ボール122が理想的に溶融してパッド202と接続する)にて実装工程を実施し、半田ボール122を溶融させてパッド202と接合させる。これにより、図3に示すように、半導体パッケージ100を母基板200に実装してなる半導体装置300が形成される。尚、図3は、半導体装置300の概略構成を示す断面図であり、図1(b)に対応している。
Then, the
ここで、上述のリフロー条件にばらつきがなければ、半田ボール122は理想的に溶融し、パッド202との間に良好な接続状態を形成する。しかしながらが、リフロー条件は多少なりともばらつくため、半田ボール122(及びダミー端子124)が受ける熱量もばらつくこととなる。すなわち、半田ボール122はパッド202との間に良好な接続状態を形成することができない場合があるので、半導体パッケージ100と母基板200との接続状態を検査する必要がある。
Here, if there is no variation in the above-described reflow conditions, the
それに対し、本実施形態における半導体装置300は、上述したように、半導体パッケージ100の実装面121に、半田ボール122に隣接して、同じ熱量であれば半田ボール122よりも接続状態が悪くなるダミー端子124を有している。ダミー端子124間は、配線パターン125により電気的に連結されている。また、母基板200の搭載面201に、半田ボール122に対応して形成されたパッド202と、ダミー端子124に対応して形成されたダミー用パッド203を有している。また、電気的に連結されたダミー端子124の両端に対応するそれぞれのダミー用パッド203に、テスト用パッド205が配線パターン206を介して電気的に接続されている。従って、2つのテスト用パッド205間の抵抗値を測定することにより、ダミー端子124とダミー用パッド203との接続状態を検査することができるように構成されている。
On the other hand, as described above, the
ここで、半導体装置300における実装検査方法について説明する。
Here, a mounting inspection method in the
半導体装置300に対して、先ず、2つのテスト用パッド205に例えばテスターを接触させて抵抗値を測定する。そして、その測定値と所定の基準値とを比較する。尚、基準値とは、ダミー端子124とダミー用パッド203との接続状態が良好であるときの抵抗値(公差を含む)である。
First, for example, a tester is brought into contact with the two
テスト用パッド205間の抵抗値が基準値よりも高い場合、少なくとも半田ボール122よりもボール径の大きな第1のダミー端子124aとそれに対応するダミー用パッド203との接合状態が悪いことを示している。すなわち、第1のダミー端子124aが完全に溶融するだけの熱量がリフローによって与えられなかったことを示している。この場合、リフロー条件のばらつきにより、半田ボール122も溶融していない恐れがある。
When the resistance value between the
また、テスト用パッド205間の抵抗値が基準値よりも低い場合、少なくとも半田ボール122よりもボール径の小さな第2のダミー端子124bとそれに対応するダミー用パッド203との接続状態が悪いことを示している。すなわち、第2のダミー端子124bが溶融過多となり、第2のダミー端子124bと隣接する端子(ダミー端子124或いは半田ボール122)との間にブリッジを形成(短絡)したことを示している。この場合、リフロー条件のばらつきにより、半田ボール122も溶融過多となっている恐れがある。
Further, when the resistance value between the
すなわち、テスト用パッド205間の抵抗を測定した結果、測定値が所定幅を有する基準値内である場合のみ、半田ボール122が、隣接する半田ボール122間で短絡することなく、パッド202との間に良好な接合状態を形成している、すなわち良好な接続状態を有しているものと判定することができる。
That is, as a result of measuring the resistance between the
このように、本実施形態に示す半導体装置300及びその実装検査方法によると、半田ボール122が、隣接する半田ボール122間で短絡することなく、パッド202との間に良好な接合状態を確保しているかどうかを的確に検査することができる。
As described above, according to the
また、本実施形態においては、テスター等の簡易的な装置によって検査することができるので、X線透過装置等の高価な装置を使用して検査する場合に比べて製造コストを低減することができる。 Moreover, in this embodiment, since it can test | inspect with simple apparatuses, such as a tester, manufacturing cost can be reduced compared with the case where it test | inspects using expensive apparatuses, such as an X-ray transmissive apparatus. .
また、本実施形態においては、半田ボール122は、実装面121の中央領域(非搭載領域123)に配置されておらず、この非搭載領域123にダミー端子124が形成されている。このように、半田ボール122が形成されない空き領域に、ダミー端子124が形成されるので、別途ダミー端子124形成用のスペースを必要とせず、母基板200に対する半導体パッケージ100の実装面積を縮小することができる。
In this embodiment, the
また、本実施形態において、実装面121から端子頂点までのダミー端子124の高さを、半田ボール122と略同一に設定している例を示した。このように構成すると、接続状態に与える高さの影響を除外し、リフロー条件のばらつきのみを考慮することができるので好ましい。しかしながら、リフロー条件にばらつきがない状態で、ダミー端子124及び半田ボール122が、対応する各パッド202,203と接続できる範囲であれば、異なる高さとしても良い。
Further, in the present embodiment, an example in which the height of the
また、本実施形態において、互いに隣接し、端子ピッチが半田ボール122と略同一となるように複数のダミー端子124を形成する例を示した。このように構成すると、ダミー端子124を電気的に連結する配線パターン125の配線長を短くすることができる。また、接続状態に与える端子ピッチの影響を除外することができる。しかしながら、複数のダミー端子124を互いに隣接しないように形成しても良い。
In the present embodiment, an example in which a plurality of
また、本実施形態において、ダミー端子124が2個の第1のダミー端子124aと2個の第2のダミー端子124bとにより構成される例を示した。しかしながら、その個数は本例に限定されるものではない。少なくとも1個ずつ形成されれば良い。
Further, in the present embodiment, the example in which the
尚、ダミー端子124のボール径(体積)は上記例に限定されるものではない。リフロー条件にばらつきがない状態で、ダミー端子124が溶融し、ダミー用パッド203と良好な接続状態を形成できるボール径であれば良い。
The ball diameter (volume) of the
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図4に基づいて説明する。図4は、本実施形態における半導体装置300のうち、半導体パッケージ100部分の概略構成を示す図であり、(a)は実装面側から見た平面図、(b)は(a)のC−C断面における断面図である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4A and 4B are diagrams showing a schematic configuration of the
第2の実施形態における半導体装置300及びその実装検査方法は、第1の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
Since the
第2の実施形態において、第1の実施形態と異なる点は、ダミー端子124が半田ボール122とは異なる熱量で溶融する材料を用いて形成されている点である。
The second embodiment is different from the first embodiment in that the
図4に示すように、本実施形態において、半導体パッケージ100の実装面121に形成されたダミー端子124は、半田ボール122と略同一のボール径(体積)、端子ピッチ、及び、実装面121から端子頂点までの高さを有している。また、ダミー端子124は複数形成され、隣接配置されている。
As shown in FIG. 4, in this embodiment, the
しかしながら、ダミー端子124は半田ボール122と異なる熱量で溶融する材料を用いて形成されている。具体的には、半田ボール122よりも融点の高い材料を用いて形成された第1のダミー端子124cが2個と、半田ボール122よりも融点の低い材料を用いて形成された第2のダミー端子124dが2個の計4個により構成されている。
However, the
従って、テスト用パッド205間の抵抗値を測定し、その測定結果が基準値よりも高い場合、少なくとも半田ボール122よりも融点の高い材料からなる第1のダミー端子124cとそれに対応するダミー用パッド203との接合状態が悪いことを示している。すなわち、第1のダミー端子124cが完全に溶融するだけの熱量がリフローによって与えられなかったことを示している。この場合、リフロー条件のばらつきにより、半田ボール122も溶融していない恐れがある。
Accordingly, when the resistance value between the
また、テスト用パッド205間の抵抗値を測定し、その測定結果が基準値よりも低い場合、少なくとも半田ボール122よりも融点の低い材料からなる第2のダミー端子124dとそれに対応するダミー用パッド203との接続状態が悪いことを示している。すなわち、第2のダミー端子124dが溶融過多となり、第2のダミー端子124dと隣接する端子(ダミー端子124或いは半田ボール122)との間にブリッジを形成(短絡)したことを示している。この場合、リフロー条件のばらつきにより、半田ボール122も溶融過多となっている恐れがある。
Further, when the resistance value between the
すなわち、テスト用パッド205間の抵抗を測定した結果、測定値が所定幅を有する基準値内である場合のみ、半田ボール122が、隣接する半田ボール122間で短絡することなく、パッド202との間に良好な接合状態を形成しているものと判定することができる。
That is, as a result of measuring the resistance between the
このように、本実施形態に示す半導体装置300の構成、及び、実装検査方法によっても、半田ボール122が、隣接する半田ボール122間で短絡することなく、パッド202との間に良好な接合状態を確保しているかどうかを的確に検査することができる。
As described above, even in the configuration of the
尚、ダミー端子124のボール径(体積)は上記例に限定されるものではない。例えば、半田ボール122に対して、ボール径も変えることで、半田ボール122とパッド202との接続状態の判定に対する優位差(安全係数)をより細かく調整することもできる。
The ball diameter (volume) of the
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を図5に基づいて説明する。図5は、本実施形態における半導体装置300を説明するための図であり、(a)は半導体パッケージ100の実装面側から見た平面図、(b)は母基板200の搭載面側から見た平面図である。尚、図5(a),(b)においては、便宜上、半導体パッケージ100と母基板200とを分離して図示している。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5A and 5B are diagrams for explaining the
第3の実施形態における半導体装置300及びその実装検査方法は、第1の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
Since the
第3の実施形態において、第1の実施形態と異なる点は、ダミー端子124が半導体パッケージ100において半田ボール122形成領域の最外周位置に形成されている点である。
The third embodiment is different from the first embodiment in that a
ここで、半導体パッケージ100を構成する回路基板120、及び/又は、母基板200は、リフロー時の熱等により反りを生じる。この反りは基板側面側(基板端部側)ほど大きく、当該箇所において半田ボール122とパッド202との接続不良が生じやすい。
Here, the
そこで、本実施形態においては、図5(a)に示すように、接続不良が生じやすい半導体パッケージ100の実装面121における半田ボール122の形成領域の最外周位置に、ダミー端子124を形成している。尚、ダミー用パッド203も、図5(b)に示すように、ダミー端子124に対応してパッド202の最外周位置に形成している。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 5A,
従って、本実施形態に示すダミー端子124の配置の半導体装置300を構成し、実装検査を実施すれば、半田ボール122とパッド202との接続状態をより的確に検査することができる。
Therefore, if the
尚、本実施形態においては、その一例として、ダミー端子124を、第1の実施形態同様、半田ボール122よりも大きなボール径(体積)を有する2個の第1のダミー端子124aと、半田ボール122よりも小さなボール径(体積)を有する2個の第2のダミー端子124bとにより構成している。また、第1のダミー端子124a及び第2のダミー端子124bを、半田ボール122と同じ材料を用いて形成し、その端子ピッチ及び実装面121から端子頂点までの高さも、半田ボール122と略同一に設定している。
In the present embodiment, as an example, the
しかしながら、ダミー端子124の構成は、上記例に限定されるものではない。半田ボール122とは異なる熱量で溶融するダミー端子124を、接続不良が生じやすい半田ボール122の形成領域の最外周位置に、複数形成した構成であれば良い。従って、第2の実施形態同様の構成としても良い。
However, the configuration of the
尚、本実施形態において、ダミー用パッド203は、ダミー端子124に対応してパッド202の最外周位置に形成される。従って、その外周方向に半田ボール122が存在しないため、図5(b)に示すように、配線パターン206を搭載面201に形成している。この場合、ビアホール208を不要とすることができる。しかしながら、第1の実施形態同様、配線パターン206を母基板200内に形成した構成としても良い。
In this embodiment, the
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態を図6に基づいて説明する。図6は、本実施形態における半導体装置300を説明するための図であり、(a)は半導体パッケージ100の実装面側から見た平面図、(b)は母基板200の搭載面側から見た平面図である。尚、図6(a),(b)においては、便宜上、半導体パッケージ100と母基板200とを分離して図示している。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6A and 6B are diagrams for explaining the
第4の実施形態における半導体装置300及びその実装検査方法は、第1の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
Since the
第4の実施形態において、第1の実施形態と異なる点は、ダミー端子124が半田ボール122形成領域の四隅に形成される点である。
The fourth embodiment is different from the first embodiment in that
第3の実施形態でも示したように、半導体パッケージ100を構成する回路基板120、及び/又は、母基板200は、リフロー時の熱等により反りを生じる。この反りは基板側面側(基板端部側)ほど大きく、当該箇所において半田ボール122とパッド202との接続不良が生じやすい。
As shown in the third embodiment, the
そこで、本実施形態においては、図6(a)に示すように、接続不良が生じやすい半導体パッケージ100の実装面121における半田ボール122形成領域の四隅に、ダミー端子124を形成している。尚、図6(b)に示すように、ダミー用パッド203も、ダミー端子124に対応してパッド202形成領域の四隅に形成している。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 6A,
従って、本実施形態に示すダミー端子124の配置の半導体装置300を構成し、実装検査を実施すれば、半田ボール122とパッド202との接続状態をより的確に検査することができる。
Therefore, if the
また、本実施形態においては、各隅部ごとに、配線パターン125によって電気的に連結された複数のダミー端子124を形成し、それぞれにテスト用パッド205を形成している。従って、配線パターン125の配線長を短くすることができる。また、四隅のうち、どの部分で接続不良が生じたかを容易に特定することができる。
In this embodiment, a plurality of
尚、本実施形態においても、その一例として、ダミー端子124を、第1の実施形態同様、半田ボール122よりも大きなボール径(体積)を有する2個の第1のダミー端子124aと、半田ボール122よりも小さなボール径(体積)を有する2個の第2のダミー端子124bとにより構成している。また、第1のダミー端子124a及び第2のダミー端子124bを、半田ボール122と同じ材料を用いて形成し、その端子ピッチ及び実装面121から端子頂点までの高さも、半田ボール122と略同一に設定している。
In this embodiment as well, as an example, the
しかしながら、ダミー端子124の構成は、上記例に限定されるものではない。半田ボール122とは異なる熱量で溶融するダミー端子124を、接続不良が生じやすい半田ボール122形成領域の四隅に、複数形成した構成であれば良い。その際、四隅に形成された複数のダミー端子124を配線パターン125で連結し、テスト用パッド205で抵抗値を測定するよう構成しても良い。
However, the configuration of the
また、ダミー用パッド203は、ダミー端子124に対応してパッド202形成領域の四隅に形成される。従って、その外周方向に半田ボール122が存在しないため、本実施形態においても、図6(b)に示すように、配線パターン206を搭載面201に形成している。この場合、ビアホール208を不要とすることができる。しかしながら、第1の実施形態同様、配線パターン206を母基板200内に形成しても良い。
The
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施することができる。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented with various modifications.
本実施形態においては、ダミー端子124が、半田ボール122が溶融するよりも大きな熱量で溶融する第1のダミー端子124aと、半田ボール122が溶融するよりも小さな熱量で溶融する第2のダミー端子124bとにより構成される例を示した。しかしながら、ダミー端子124を、第1のダミー端子124a及び第2のダミー端子124bのいずれかにより構成しても良い。
In this embodiment, the
また、本実施形態においては、ダミー端子124が半田ボール122とは異なる熱量で溶融するように構成される例を示した。しかしながら、半導体装置300において、ダミー端子124及びダミー用パッド203の少なくとも一方が、ダミー端子124は半田ボール122とは異なる熱量で溶融し、ダミー用パッド203はパッド202とは異なる熱量で溶融するよう構成されれば良い。従って、ダミー用パッド203がパッド202とは異なる熱量で溶融するよう構成されても良いし、ダミー端子124が半田ボール122とは異なる熱量で溶融し、且つ、ダミー用パッド203がパッド202とは異なる熱量で溶融するよう構成されていても良い。
Further, in the present embodiment, an example in which the
尚、ダミー用パッド203がパッド202とは異なる熱量で溶融するよう構成される場合、ダミー用パッド203を、パッド202が溶融するよりも大きな熱量を必要とするように構成しても良いし、パッド202が溶融するよりも小さな熱量を必要とするように構成しても良い。また、パッド202が溶融するよりも大きな熱量を必要とする第1のダミー用パッドと、パッド202が溶融するよりも小さな熱量を必要とする第2のダミー用パッドとにより構成しても良い。例えば第1〜第4の実施形態で示したダミー端子124と半田ボール122との関係を、ダミー用パッド203とパッド202に置き換えて構成することができる。
When the
また、本実施形態において、複数のダミー端子124が配線パターン125により電気的に連結される例を示した。しかしながら、複数のダミー端子124及び複数のダミー用パッド203の少なくとも一方が電気的に連結され、連結されたダミー端子124の両端に対応するダミー用パッド203又は連結されたダミー用パッド203の両端と、テスト用パッド205とが電気的に接続されていれば良い。従って、複数のダミー端子124間を配線パターン125によって電気的に連結せず、複数のダミー用パッド203間を電気的に連結しても良い。また、複数のダミー端子124とともに、ダミー端子124に対応する複数のダミー用パッド203間を電気的に連結しても良い。
In the present embodiment, an example in which the plurality of
100・・・半導体パッケージ
121・・・実装面
122・・・半田ボール(接続端子)
124・・・ダミー端子
124a,124c・・・第1のダミー端子
124b,124d・・・第2のダミー端子
125・・・配線パターン
200・・・母基板
201・・・搭載面
202・・・パッド
203・・・ダミー用パッド
205・・・テスト用パッド
206・・・配線パターン
300・・・半導体装置
DESCRIPTION OF
124 ...
Claims (16)
前記半導体パッケージは、その接続端子形成面に、前記接続端子に隣接して形成された複数のダミー端子を有し、
前記基板は、前記ダミー端子に対応する複数のダミー用パッドと、前記半導体パッケージが実装されない領域に複数のテスト用パッドを有し、
前記ダミー端子は前記接続端子とは異なる熱量で溶融する、及び/又は、前記ダミー用パッドは前記パッドとは異なる熱量で溶融するよう構成されており、
複数の前記ダミー端子間及び複数の前記ダミー用パッド間の少なくとも一方が電気的に連結され、連結された前記ダミー端子の両端に対応する前記ダミー用パッド又は連結された前記ダミー用パッドの両端と、前記テスト用パッドとがそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted and a semiconductor package having a connection terminal is mounted on a substrate having a pad corresponding to the connection terminal under predetermined reflow conditions.
The semiconductor package has a plurality of dummy terminals formed adjacent to the connection terminals on the connection terminal formation surface,
The substrate has a plurality of dummy pads corresponding to the dummy terminals, and a plurality of test pads in a region where the semiconductor package is not mounted,
The dummy terminal is configured to melt with a heat amount different from that of the connection terminal, and / or the dummy pad is configured to melt with a heat amount different from that of the pad,
At least one of the plurality of dummy terminals and between the plurality of dummy pads are electrically connected, and the dummy pads corresponding to both ends of the connected dummy terminals or both ends of the connected dummy pads, The semiconductor device is electrically connected to the test pads.
前記ダミー用パッドが前記パッドとは異なる熱量で溶融するように構成された場合、前記ダミー用パッドの溶融には前記パッドよりも大きな熱量を必要とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 When the dummy terminal is configured to melt with a different amount of heat than the connection terminal, the melting of the dummy terminal requires a larger amount of heat than the connection terminal,
2. The method according to claim 1, wherein when the dummy pad is configured to melt with a different amount of heat than the pad, the dummy pad requires a larger amount of heat than the pad to melt. Semiconductor device.
前記ダミー用パッドの溶融に前記パッドよりも大きな熱量を必要とする場合、前記ダミー用パッドの体積は前記パッドの体積よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 When the melting of the dummy terminal requires a larger amount of heat than the connection terminal, the volume of the dummy terminal is larger than the volume of the connection terminal,
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein when the dummy pad requires a larger amount of heat than the pad to melt, the volume of the dummy pad is larger than the volume of the pad.
前記ダミー用パッドの溶融に前記パッドよりも大きな熱量を必要とする場合、前記ダミー用パッドを構成する材料の融点は前記パッドを構成する材料の融点よりも高いことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。 When the melting of the dummy terminal requires a larger amount of heat than the connection terminal, the melting point of the material constituting the dummy terminal is higher than the melting point of the material constituting the connection terminal,
The melting point of the material constituting the dummy pad is higher than the melting point of the material constituting the pad when the dummy pad requires a larger amount of heat than the pad. The semiconductor device according to claim 3.
前記ダミー用パッドが前記パッドとは異なる熱量で溶融するように構成された場合、前記ダミー用パッドの溶融には前記パッドよりも小さな熱量を必要とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 When the dummy terminal is configured to melt with a different amount of heat than the connection terminal, the melting of the dummy terminal requires a smaller amount of heat than the connection terminal,
2. The method according to claim 1, wherein when the dummy pad is configured to melt with a different amount of heat than the pad, melting of the dummy pad requires a smaller amount of heat than the pad. Semiconductor device.
前記ダミー用パッドの溶融に前記パッドよりも小さな熱量を必要とする場合、前記ダミー用パッドの体積は前記パッドの体積よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置 When the melting of the dummy terminal requires a smaller amount of heat than the connection terminal, the volume of the dummy terminal is smaller than the volume of the connection terminal,
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein when the dummy pad requires a smaller amount of heat than the pad, the volume of the dummy pad is smaller than the volume of the pad.
前記ダミー用パッドの溶融に前記パッドよりも小さな熱量を必要とする場合、前記ダミー用パッドを構成する材料の融点は前記パッドを構成する材料の融点よりも低いことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体装置。 When the melting of the dummy terminal requires a smaller amount of heat than the connection terminal, the melting point of the material constituting the dummy terminal is lower than the melting point of the material constituting the connection terminal,
The melting point of the material constituting the dummy pad is lower than the melting point of the material constituting the pad when melting of the dummy pad requires a smaller amount of heat than the pad. The semiconductor device according to claim 6.
前記ダミー用パッドが前記パッドとは異なる熱量で溶融するように構成された場合、前記ダミー用パッドは、前記パッドが溶融するよりも大きな熱量を必要とする第1のダミー用パッドと、前記パッドが溶融するよりも小さな熱量を必要とする第2のダミー用パッドとを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 When the dummy terminal is configured to melt with a different amount of heat than the connection terminal, the dummy terminal includes a first dummy terminal that requires a larger amount of heat than the connection terminal melts, and the connection terminal. Having a second dummy terminal that requires a smaller amount of heat than is melted,
When the dummy pad is configured to melt with a different amount of heat from the pad, the dummy pad includes a first dummy pad that requires a larger amount of heat than the pad melts, and the pad The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a second dummy pad that requires a smaller amount of heat than that of melting.
前記ダミー用パッドが前記パッドとは異なる熱量で溶融するように構成された場合、前記第1のダミー用パッドの体積は前記パッドの体積よりも大きく、前記第2のダミー用パッドの体積は前記パッドの体積よりも小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 When the dummy terminal is configured to melt with a different amount of heat than the connection terminal, the volume of the first dummy terminal is larger than the volume of the connection terminal, and the volume of the second dummy terminal is the connection Smaller than the volume of the terminal,
When the dummy pad is configured to melt with a heat quantity different from that of the pad, the volume of the first dummy pad is larger than the volume of the pad, and the volume of the second dummy pad is The semiconductor device according to claim 8, wherein the semiconductor device is smaller than a volume of the pad.
前記ダミー用パッドが前記パッドとは異なる熱量で溶融するように構成された場合、前記第1のダミー用パッドを構成する材料の融点は前記パッドを構成する材料の融点よりも高く、前記第2のダミー用パッドを構成する材料の融点は前記パッドを構成する材料の融点よりも低いことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の半導体装置。 When the dummy terminal is configured to melt with a different amount of heat from the connection terminal, the melting point of the material forming the first dummy terminal is higher than the melting point of the material forming the connection terminal, and the second The melting point of the material constituting the dummy terminal is lower than the melting point of the material constituting the connection terminal,
When the dummy pad is configured to melt with a heat quantity different from that of the pad, the melting point of the material forming the first dummy pad is higher than the melting point of the material forming the pad, and the second 10. The semiconductor device according to claim 8, wherein a melting point of a material constituting the dummy pad is lower than a melting point of the material constituting the pad. 11.
前記ダミー用パッドは、前記基板のパッド形成面からパッド頂点までの高さが前記パッドと略同一であることを特徴とする請求項1〜10いずれか1項に記載の半導体装置。 The dummy terminal has substantially the same height as the connection terminal from the connection terminal forming surface of the semiconductor package to the terminal vertex,
11. The semiconductor device according to claim 1, wherein the dummy pad has substantially the same height from the pad forming surface of the substrate to the pad apex as the pad.
電気的に連結された前記テスト用パッド間の抵抗値を測定し、所定の基準値と比較することを特徴とする半導体装置の実装検査方法。 A mounting inspection method for inspecting a connection state between the semiconductor package and the substrate in the semiconductor device according to claim 1,
A semiconductor device mounting inspection method, comprising: measuring a resistance value between the electrically connected test pads and comparing the resistance value with a predetermined reference value.
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