KR20070089489A - 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리 - Google Patents

사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리 Download PDF

Info

Publication number
KR20070089489A
KR20070089489A KR1020060019593A KR20060019593A KR20070089489A KR 20070089489 A KR20070089489 A KR 20070089489A KR 1020060019593 A KR1020060019593 A KR 1020060019593A KR 20060019593 A KR20060019593 A KR 20060019593A KR 20070089489 A KR20070089489 A KR 20070089489A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capillary
zirconia
alumina
injection molding
temperature
Prior art date
Application number
KR1020060019593A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100791221B1 (ko
Inventor
이강열
Original Assignee
비아이 이엠티 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비아이 이엠티 주식회사 filed Critical 비아이 이엠티 주식회사
Priority to KR1020060019593A priority Critical patent/KR100791221B1/ko
Publication of KR20070089489A publication Critical patent/KR20070089489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100791221B1 publication Critical patent/KR100791221B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
    • E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
    • E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
    • E06B3/96—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings
    • E06B3/964—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings using separate connection pieces, e.g. T-connection pieces
    • E06B3/968—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings using separate connection pieces, e.g. T-connection pieces characterised by the way the connecting pieces are fixed in or on the frame members
    • E06B3/9687—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings using separate connection pieces, e.g. T-connection pieces characterised by the way the connecting pieces are fixed in or on the frame members with screws blocking the connecting piece inside or on the frame member
    • E06B3/9688—Mitre joints
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
    • E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
    • E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
    • E06B3/96—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings
    • E06B3/964—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings using separate connection pieces, e.g. T-connection pieces
    • E06B3/9647—Corner joints or edge joints for windows, doors, or the like frames or wings using separate connection pieces, e.g. T-connection pieces the connecting piece being part of or otherwise linked to the window or door fittings
    • E06B3/9648—Mitre joints
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
    • E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
    • E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
    • E06B3/04—Wing frames not characterised by the manner of movement
    • E06B3/06—Single frames
    • E06B3/08—Constructions depending on the use of specified materials
    • E06B3/20—Constructions depending on the use of specified materials of plastics
    • E06B3/22—Hollow frames
    • E06B3/221—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity
    • E06B3/222—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity with internal prefabricated reinforcing section members inserted after manufacturing of the hollow frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H01L2224/78309—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 조립용 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 미세 알루미나 분말을 70중량% 내지 95중량%, 지르코니아 분말 5중량% 내지 30중량%가 혼합된 미세 알루미나-지르코니아 복합분말 75중량% 내지 85중량%와, 에틸렌 수지류 5중량% 내지 20중량% 및 왁스류 5중량% 내지 10중량%로 이루어진 바인더와 혼합하는 슬러리 조성단계와; 상기 슬러리 조성단계에서 조성된 슬러리를 사출성형방식에 의해 캐필러리 형상의 성형체를 성형하는 캐필러리 성형단계와; 상기 캐필러리 성형단계에서 성형된 성형체에 포함된 바인더를 제거하기 위해 상기 성형체를 탈지로 내부에 투입하여 150℃ 내지 600℃까지 순차적으로 가열시키고 자연 냉각하여 바인더를 제거시키는 디바인딩단계와; 상기 디바인딩단계에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 1300℃ 내지 1600℃의 온도로 순차적으로 가열하고 자연 냉각하여 소결시키는 소결단계와; 상기 소결단계에서 소결된 캐필러리 성형체의 조직의 치밀화 및 기공결함의 제거를 위해 상기 소결된 캐필러리 성형체를 소정 압력이 가해진 조건하에 1250℃ 내지 1500℃까지 순차적으로 가열하고 자연 냉각시키는 열간정수압소결(HIP)단계를 포함하여 이루어진다.

Description

사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리{METHOD FOR MAMUFACTURING A Al2O3-ZrO2 CAPILLARY FOR SEMICONDUCTOR WIRE BONDING USING INJECTION MOLDING AND CAPILLARY FOR SEMICONDUCTOR WIRE BONDING USING THEREOF}
도 1은 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 사시도,
도 2는 도 1에 도시된 캐필러리가 가공된 상태를 나타내는 사시도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법을 나타내는 공정도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리를 주사 현미경으로 촬영한 사진도,
도 5는 종래 일반적인 반도체 조립용 캐필러리를 주사 현미경으로 촬영한 사진을 나타낸 사진도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 캐필러리 12: 홀
100: 슬러리 조성공정 200: 캐필러리 성형공정
300: 디바인딩공정 400: 소결공정
500: 열간정수압소결공정
본 발명은 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체의 와이어 본딩시에 금, 백금, 알루미늄, 구리의 이동을 안내하는 부품으로 사용되는 캐필러리를 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에서는 반도체 칩상의 본딩 패드와 리드 프레임을 접합하기 위해서는 와이어 본딩(Wire bonding) 작업이 수행되는데, 이와 같은 와이어 본딩 작업에 사용되는 와이어 본더(Wire bonder)에는 금선(Gold wire)과 같이 와이어를 안내하여 본딩 작업이 수행되도록 하는 캐필러리(capillary)가 요구되는 바, 이와 같은 캐필러리(10)는 도 1a에 도시된 바와 같이 내부에 홀(12)이 형성된 구조로 성형된 상태에서 도 1b에 도시된 바와 같이 선, 후부가 가공되어 형성되는 것이다.
그리고 상기와 같이 형성된 캐필러리의 내부 홀에 금, 백금, 알루미늄,구리 등으로 가공된 도전성 와이어를 삽입한 상태에서 와이어의 단부에 초음파 또는 방전에 의하여 볼(ball) 형태로 되어 본딩 패드와 리드 프레임과의 본딩과정을 수행하게 되는데, 이때 캐필러리의 팁(tip) 부분의 직경이 대략 35㎛ - 80㎛ 정도의 미세한 직경을 갖는 것이므로 반복되는 본딩작업에 의해 기계적, 열적으로 큰 부화가 적용되어 부러짐이나, 캐필러리 팁(Tip)부분의 이물질 증착이 발생되므로 정밀한 와이어 본딩이 불가능하게 되고 잦은 교체로 인해 반도체 생산량이 감소되고 생산원가가 증가되는 문제점이 있었다.
그리고 캐필러리를 구성하는 순수 알루미나(고순도 99.99% 이상) 소결체는 기공 함유율이 높고 조직이 치밀하지 못하여 파괴인성이 낮다. 또한 순수 알파-알루미나의 소결과정에서 소성 온도가 높고, 입자가 비대해져 입자의 밀도가 낮아지고 표면 평탄도 및 비커스 경도가 저하되므로 순수 알루미나로 구성된 캐필러리의 팁은 고밀도, 고경도 및 내충격성이 좋지 않다. 더구나 초음파를 이용하여 와이어 본딩을 수행하는 경우 내부 기공에 의해 초음파가 차단되어 캐필러리 내에 삽입된 와이어 끝 분부에 볼이 정확하게 형성되지 않아 와이어 본딩 동작을 수행하기가 매우 곤란한 문제점 등이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 미세 입자 알루미나를 이용하여 미세 알루미나-지르코니아 복합분말을 바이더와 혼합한 후 사출성형방식을 이용하여 성형체를 형성하고, 디바인딩, 소성, 그리고 열간정수압소결공정(HIP)을 거쳐 기공 함유율을 감소시키고 조직이 미세 균일하면서 치밀한 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 캐필러리를 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법은 미세 알루미나 분말을 70중량% 내지 95중량%, 지르코니아 분말 5중량% 내지 30중량%가 혼합된 미세 알루미나-지르코니아 복합분말 75중량% 내지 85중량%와, 에틸렌 수지류 5중량% 내지 20중량% 및 왁스류 5중량% 내지 10중량%로 이루어진 바인더와 혼합하는 슬러리 조성단계와; 상기 슬러리 조성단계에서 조성된 슬러리를 사출성형방식에 의해 캐필러리 형상의 성형체를 성형하는 캐필러리 성형단계와; 상기 캐필러리 성형단계에서 성형된 성형체에 포함된 바인더를 제거하기 위해 상기 성형체를 탈지로 내부에 투입하여 150℃ 내지 600℃까지 순차적으로 가열시키고 자연 냉각하여 바인더를 제거시키는 디바인딩단계와; 상기 디바인딩단계에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 1300℃ 내지 1600℃의 온도로 순차적으로 가열하고 자연 냉각하여 소결시키는 소결단계와; 상기 소결단계에서 소결된 캐필러리 성형체의 조직의 치밀화 및 기공결함의 제거를 위해 상기 소결된 캐필러리 성형체를 소정 압력이 가해진 조건하에 1250℃ 내지 1500℃까지 순차적으로 가열하고 자연 냉각시키는 열간정수압소결(HIP)단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 일실시예에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조공정이 도 3에 도시되어 있다.
이하, 본 발명에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법을 순차적으로 살펴보기로 한다.
상기 슬러리는 미세 알루미나 분말 70중량% 내지 95중량%, 지르코니아 분말 5중량% 내지 30중량%가 혼합된 미세 알루미나-지르코니아 복합분말과 에틸렌 수지 류와 왁스류로 이루어진 바인더가 혼합한 것을 사용한다.
상기 슬러리는 미세 알루미나-지르코니아 복합분말 75중량% 내지 85중량%, 에틸렌 수지 5중량% 내지 20중량%, 왁스류 5중량% 내지 10중량%로 혼합되는 것이 바람직하다. 이는 사출기상에 설치되어 있는 금형에 투입하기 위한 유동성을 고려한 것이다.
그리고 상기 미세 알루미나 분말은 입자 크기가 0.1㎛ 내지 0.3㎛인 입도를 가지고, 순도는 99%정도이며 소성 조건이 1300-1600℃ 이하에서도 소결되는 원료를 선택하는 것이 바람직하고, 상기 지르코니아 분말은 입자 크기 0.1㎛ 내지 0.3㎛인 입도를 가지고, 소성 조건이 1300-1600℃ 이하에서도 소결되는 원료를 선정하는 것이 바람직하다. 알루미나의 크기는 0.18㎛ 내지 0.22㎛인 것이 더 바람직하고, 지르코니아의 크기는 0.10㎛ 내지 0.24㎛인 것이 더 바람직하다. 이는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리 조직의 치밀화 및 성형 후에 충분한 강도를 위함이다.
또한, 상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 분산제를 더 첨가 혼합하여 48시간을 볼밀링 한 후, 80℃ 내지 100℃에서 24시간 회전 건조하여 제조할 수 있다. 이 때, 분산제로는 메탄올과 에탄올이 사용될 수 있다. 분산제는 알루미나와 지르코니아를 분산시키면서 균일하게 결합시키는 역할을 한다.
또한, 상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 메쉬(mesh) 크기가 서로 다른 체를 통과한 분말이 소정 비율로 혼합되어 있는 것이 바람직하다. 일례로 상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 100메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 7중 량% 내지 12중량%, 200메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 18중량% 내지 23중량%, 325메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 38중량% 내지 43중량%, 500메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 27중량% 내지 32중량%의 비율로 혼합하여 제조할 수 있다. 이는 캐필러리 성형체의 치밀화를 극대화하기 위함이다(100).
상기와 같이 조성된 슬러리는 사출기상에 설치되어 서로 밀착된 상, 하금형의 내부 성형홀상에 채워져 사출성형된다. 사출성형방식에 의해 캐필러리 성형체를 성형함으로써 고경도, 고밀도 및 내충격성을 향상시킬 수 있으며, 도 1에 나타낸 캐필러리 성형체를 한번 성형공정으로 4개, 8개의 성형체를 동시에 성형할 수 있다(200).
그리고 상기 캐필러리 성형단계에서 취출된 캐필러리 성형체에는 바인더가 포함되어 있으므로 이를 제거할 필요가 있다. 바인더를 제거하기 위해 탈지로 내부에 소정형상의 캐필러리 성형체를 투입하여 150℃ 내지 600℃까지 순차적으로 가열하고, 자연 냉각시킨다. 상기 과정은 다음과 같이 진행된다(300).
먼저 상기 캐필러리 성형단계에서 성형된 성형체를 탈지로 내부에 투입하여 소정속도로 승온시켜 150℃ 내지 220℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시킨다. 상기 과정에 소정속도라 함은 다양하게 변화될 수 있으나, 그 일례로 15시간 동안 가열하여 220℃까지 상승시키는 방법을 채택할 수 있다(310).
그 다음 캐필러리 성형체를 소정속도로 승온시켜 280℃ 내지 350℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시킨다. 상기 과정에 소정속도라 함은 다양하게 변화될 수 있으나, 그 일례로 28시간 동안 가열하여 310℃까지 상승시키 는 방법을 채택할 수 있다(320).
그런 다음, 소정속도를 승온시켜 550℃ 내지 600℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시킨 후, 로냉(자연냉각)시킨다. 이 경우 소정속도는 32시간 동안 가열하여 600℃까지 상승시키는 방법을 취할 수 있다. 또한, 상기의 자연냉각은 상온에서 40℃까지 냉각시키는 것이 바람직하다(330).
상기의 디바인딩공정(310~330)을 수행한 후, 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 1300℃ 내지 1600℃의 온도로 순차적으로 가열하고 자연 냉각하여 소결시킨다(400). 이는 다음과 같은 단계로 진행된다.
상기 디바인딩단계를 거쳐 바이더가 제거된 캐필러리 성형체를 소정속도로 승온시켜 900℃ 내지 1100℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 그 온도를 유지시킨다. 일례로 바이더가 제거된 캐필러리 성형체를 0.2℃/min 속도로 1100℃까지 상승시킨 후, 시간 동안 그 온도를 유지시키는 방법을 취할 수 있다(410).
그런 다음 소정속도로 승온시켜 1300℃ 내지 1600℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 그 온도를 유지시킨 후, 자연 냉각하여 소결시킨다. 일례로 0.5℃/min의 속도로 1500℃까지 상승시키고 그 온도에서 2시간 동안 유지시킨 다음 0.3℃/min의 속도로 900℃까지 냉각 후 자연 냉각시키는 방법을 취할 수 있다(420).
상기 소결단계(410~420)에서 소결된 캐필러리 성형체의 조직의 치밀화 및 기공결함의 제거를 위해 열간정수압소결(HIP)단계가 수행된다. 열간정수압소결이라함은 분체의 성형과 소결의 두 가지 작업을 동시에 처리하는 통상적인 세라믹스 제조기술로서 본 발명에서는 소결된 캐필러리 성형체 조직을 치밀화하고, 결함을 제거 하기 위해 수행된다. 이는 다음과 같은 단계로 진행된다.
상기 소결단계(410~420)에서 소결된 캐필러리 성형체는 500bar 내지 1500bar의 압력 하에서 1250℃ 내지 1500℃까지 순차적으로 가열되고, 자연 냉각되는 과정을 거쳐 최종 소결체가 완성된다. 보다 상세하게는 500bar 내지 1500bar의 압력이 가해진 조건에서 소정속도로 승온시켜 1250℃ 내지 1500℃의 온도에서 30분 내지 120분 동안 그 온도를 유지시킨 후, 상온까지 자연 냉각하는 과정을 거치게 된다(500).
상기의 과정(100~500)을 거쳐 제조된 반도체 조립용 알루미나-지르코니아 캐필러리는 표 1에 기재된 것과 같은 물성치를 갖는다.
특성/소재 본 발명의 의한 캐필러리
주원료 알루미나-지르코니아
조성(wt%) Al2O3:70 ~ 95wt% ZrO2:5~ 30wt%
소결밀도(g/cm3) (99.5~99.9%)
경도(GPa) 17.00 ~ 19.00
탄성율(GPa) 270~300
파괴인성 (MPa·m1/2) 5.0 ~ 6.0
색깔 흰색
Grain Size(ㅅm) 알루미나 : 0.4~0.7 지르코니아 : 0.2 ~ 0.4
():상대밀도(%)
상기 표 1에 측정된 물성은 다음과 같은 방법을 이용하였다.
상대밀도: Gas Infiltration Method, 경도: Micro Vicker Indentation Method, 탄성율: Ultra-Sonic Method(Pulse Echo Method) 파괴인성: Calculated(Indentation Method)
상기 표 1에 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리를 주사현미경으로 찍은 사진이 도 4에 도시되어 있고, 종래 일반적인 압축 성형법으로 제작된 와이어 본딩용 캐필러의 미세구조와 개발된 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리를 주사현미경으로 찍은 사진 또한 도 5에 도시되어 있다.
상기 도 4와 도 5를 참조하여 본 발명과 종래의 캐필러리를 비교하여 살펴보면, 본 발명에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리가 기공이 없는 치밀성이 있고, 견고한 구조를 갖는다는 것을 확인할 수 있다. 또한 종래의 캐필러리의 미세구조에는 알루미나 그레인(Grain) 크기가 0.65 ~ 0.75㎛, 지르코니아 그레인(Grain) 크기가 0.35 ~ 0.45㎛ 이지만, 본 발명의 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 미세구조에는 알루미나 그레인(Grain) 크기가 0.45 ~ 0.65㎛, 지르코니아 그레인(Grain) 크기가 0.2 ~ 0.35㎛입자 크기로 구성되고 각각의 그레인(Grain)들이 등분포되어 조직이 균일하면서도 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 알루미나-지르코니아 캐필러리를 사출성형법으로 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 구성을 중심으로 실시예와 비교예를 참조하여 상세하게 설명하였다. 그러나 본 발명의 권리범위는 상기 실시예에 한정되는 것은 아니라 첨부된 특허청구범위내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 가능한 다양한 변형 가능한 범위까지 본 발명의 청구 범위 기저의 범위 내에 있는 것으로 본다.
또한, 본 발명에서의 바람직한 범위의 범위 한정은 그 효과를 더욱 극대화 시키기 위한 것으로서, 한정 범위가 좁혀짐으로써 더욱 만족스러운 기술적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리는 미세조직과 치밀성을 가지며, 고밀도, 고경도, 내충격성이 향상된 제품을 얻음으로 인해 본딩 작업성을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
그리고 캐필러리의 성형공정이 종래와 같이 분말을 압축하여 성형하는 압축성형방식이 아니라 슬러리로 제조하여 사출성형방식에 의해 수행되므로 캐필러리를 구성하는 미세입자 알루미나-지르코니아 복합체는 밀도가 높고 균일해지게 되어 마모와 내구성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 미세 알루미나 분말을 70중량% 내지 95중량%, 지르코니아 분말 5중량% 내지 30중량%가 혼합된 미세 알루미나-지르코니아 복합분말 75중량% 내지 85중량%와, 에틸렌 수지류 5중량% 내지 20중량% 및 왁스류 5중량% 내지 10중량%로 이루어진 바인더와 혼합하는 슬러리 조성단계와;
    상기 슬러리 조성단계에서 조성된 슬러리를 사출성형방식에 의해 캐필러리 형상의 성형체를 성형하는 캐필러리 성형단계와;
    상기 캐필러리 성형단계에서 성형된 성형체에 포함된 바인더를 제거하기 위해 상기 성형체를 탈지로 내부에 투입하여 150℃ 내지 600℃까지 순차적으로 가열시키고 자연 냉각하여 바인더를 제거시키는 디바인딩단계와;
    상기 디바인딩단계에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 1300℃ 내지 1600℃의 온도로 순차적으로 가열하고 자연 냉각하여 소결시키는 소결단계와;
    상기 소결단계에서 소결된 캐필러리 성형체의 조직의 치밀화 및 기공결함의 제거를 위해 상기 소결된 캐필러리 성형체를 소정 압력이 가해진 조건하에 1250℃ 내지 1500℃까지 순차적으로 가열하고 자연 냉각시키는 열간정수압소결(HIP)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 알루미나 분말은 입자 크기가 0.1㎛ 내지 0.3㎛인 입도를 가지는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지르코니아 분말은 입자 크기 0.1㎛ 내지 0.3㎛인 입도를 가지는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 분산제를 소정량 더 혼합하여 48시간을 볼밀링 한 후, 80℃ 내지 100℃에서 24시간 회전 건조하여 제조된 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 분산제는 메탄올 또는 에탄올인 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 캐필러리 성형체의 조직의 치밀화를 위해 메쉬(mesh) 크기가 서로 다른 체를 통과한 분말이 소정 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 미세 알루미나-지르코니아 복합분말은 100메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 7중량% 내지 12중량%, 200메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 18중량% 내지 23중량%, 325메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 38중량% 내지 43중량%, 500메쉬 크기의 체를 통과한 분말이 27중량% 내지 32중량%의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 디바인딩단계는 상기 캐필러리 성형단계에서 성형된 성형체를 탈지로 내부에 투입하여 소정속도로 승온시켜 150℃ 내지 220℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시키는 제1디바인딩단계와;
    상기 제1디바인딩단계 후, 소정속도로 승온시켜 280℃ 내지 350℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시키는 제2디바인딩단계와;
    상기 제2디바인딩단계 후, 소정속도를 승온시켜 550℃ 내지 600℃의 온도에서 5시간 내지 20시간 동안 그 온도를 유지시킨 후, 자연 냉각시키는 제3디바인딩단계로 진행되는 것을 특징으로 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 소결단계는 상기 디바인딩단계를 거쳐 바이더가 제거된 캐필러리 성형체를 소정속도로 승온시켜 900℃ 내지 1100℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 그 온도를 유지시키는 제1소결단계와;
    상기 제1소결단계 후, 소정속도로 승온시켜 1300℃ 내지 1600℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 그 온도를 유지시킨 다음 소정속도로 900℃까지 냉각한 다음 자연 냉각하는 는 제 2소결단계로 진행되는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 열간정수압소결(HIP)단계는 500bar 내지 1500bar의 압력이 가해진 조건에서 소정속도로 승온시켜 1250℃ 내지 1500℃의 온도에서 30분 내지 120분 동안 그 온도를 유지시킨 후, 상온까지 자연 냉각하는 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의 미세구조에는 알루미나 그레인(Grain) 크기가 0.45 ~ 0.65㎛, 지르코니아 그레인(Grain) 크기가 0.2 ~ 0.35㎛입자 크기로 구성된 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리는 상대밀도가 99.5% 내지 99.9%이고, 경도는 17.00GPs 내지 19.00Pa이고, 파과인성이 5.0MPa·m1/2 내지 6.0MPa·m1/ 2 인 것을 특징으로 하는 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아계 캐필러리.
KR1020060019593A 2006-02-28 2006-02-28 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리 KR100791221B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060019593A KR100791221B1 (ko) 2006-02-28 2006-02-28 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060019593A KR100791221B1 (ko) 2006-02-28 2006-02-28 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070089489A true KR20070089489A (ko) 2007-08-31
KR100791221B1 KR100791221B1 (ko) 2008-01-03

Family

ID=38614473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060019593A KR100791221B1 (ko) 2006-02-28 2006-02-28 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100791221B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100932636B1 (ko) * 2007-12-26 2009-12-21 비아이 이엠티 주식회사 알루미나 복합체 캐필러리의 제조방법
KR100966091B1 (ko) * 2008-09-11 2010-06-28 창원대학교 산학협력단 임펠러 주조용 세라믹 코어 조성 공정
KR101896031B1 (ko) * 2017-07-26 2018-10-18 주식회사 코스마 고강도 와이어 본딩용 캐필러리 제조방법 및 이에 의해 제조된 본딩용 캐필러리
KR20190029140A (ko) * 2017-09-12 2019-03-20 주식회사 페코텍 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102573024B1 (ko) 2023-04-26 2023-08-31 주식회사 페코텍 와이어 본딩용 캐필러리 및 그 제조방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100334242B1 (ko) * 2000-04-17 2002-05-03 이강열 와이어 본딩용 캐필러리 소결제, 이를 이용한 와이어본딩용 캐필러리 소결체의 제조 방법 및 이를 적용한 와이어 본딩용 캐필러리 제조 방법
KR100612611B1 (ko) * 2004-04-09 2006-08-14 비아이 이엠티 주식회사 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100932636B1 (ko) * 2007-12-26 2009-12-21 비아이 이엠티 주식회사 알루미나 복합체 캐필러리의 제조방법
KR100966091B1 (ko) * 2008-09-11 2010-06-28 창원대학교 산학협력단 임펠러 주조용 세라믹 코어 조성 공정
KR101896031B1 (ko) * 2017-07-26 2018-10-18 주식회사 코스마 고강도 와이어 본딩용 캐필러리 제조방법 및 이에 의해 제조된 본딩용 캐필러리
KR20190029140A (ko) * 2017-09-12 2019-03-20 주식회사 페코텍 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100791221B1 (ko) 2008-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10632537B2 (en) Manufacturing method of multilayer shell-core composite structural component
EP2989067B1 (en) Metal-ceramic composite and method of preparing the same
KR100791221B1 (ko) 사출성형법을 이용한 알루미나-지르코니아 캐필러리의제조방법 및 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리
EP1561737B1 (en) Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material
KR100932636B1 (ko) 알루미나 복합체 캐필러리의 제조방법
KR101661114B1 (ko) 산화알루미늄과 산화지르코늄이 첨가된 고인성 산화이트륨 소결체의 제조 방법
KR100791222B1 (ko) 사출성형법을 이용한 투광성 캐필러리 제조방법 및 이를이용한 투광성 캐필러리
JPH0645389A (ja) ボンディングツール
CN113387705B (zh) 一种碳化硼陶瓷的制备方法
KR100334242B1 (ko) 와이어 본딩용 캐필러리 소결제, 이를 이용한 와이어본딩용 캐필러리 소결체의 제조 방법 및 이를 적용한 와이어 본딩용 캐필러리 제조 방법
JPH08169755A (ja) 多結晶セラミックス製品及びその製造方法
KR100612611B1 (ko) 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법
CN114380610B (zh) 一种无压液相烧结碳化硅陶瓷研磨盘的制作方法
KR102573024B1 (ko) 와이어 본딩용 캐필러리 및 그 제조방법
KR100478773B1 (ko) 와이어 본딩용 캐필러리 소결제, 이를 이용한 와이어 본딩용 캐필러리 소결체의 제조방법 및 이를 적용한 와이어 본딩용 캐필러리 제조방법
CN115196973B (zh) 多层氮化硅陶瓷植入物及其制作方法
JPH0688832B2 (ja) 多結晶セラミックス製品及びその製造方法
KR101243745B1 (ko) 세라믹 부재 및 세라믹 부재의 제조 방법
KR0140419B1 (ko) 방전가공이 가능한 전기전도성 마그네시아 부분안정화 지르코니아-이붕화티탄 복합소재 및 제조방법
KR20040072124A (ko) 고밀도 알루미나 세라믹스의 제조방법
JPH07187759A (ja) アルミナセラミックスおよびその製造方法
KR100562989B1 (ko) 탄화규소계 서메트의 제조방법
CN116655391A (zh) 一种利用粘结剂喷射成型技术制备的氮化硅陶瓷及方法
KR101265947B1 (ko) 고강도 도자기용 조성물 및 이를 이용한 뮬라이트 결정상을 갖는 고강도 도자기의 제조방법
CN112341206A (zh) 一种稀土镨钬稳定氮化硅陶瓷的成型方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121210

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141222

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151221

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181227

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191224

Year of fee payment: 13