KR100612611B1 - 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 알루미나에 크롬을 첨가하고 압입성형방식을 이용하여 성형체를 형성하고 1차, 2차 소성을 거쳐 기공함유율이 감소되고 조직이 균일하면서 치밀한 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법을 제공하기 위한 것으로,
본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법은, 알루미나 99.0 ∼ 99.9wt％, 크롬 0.1 ∼ 1wt％가 혼합된 복합분말 70 ∼ 85wt％와, 에틸렌 수지류 5 ∼ 25wt％ 및 왁스류 5 ∼ 10wt％로 된 바인더를 혼합하여 캐필러리를 성형하는 금형에 투입시키기 위한 유동성이 있는 슬러리를 조성하는 슬러리조성공정과, 상기 슬러리조성공정에서 형성된 슬러리를 투입하여 캐필러리 성형체를 성형하는 캐필러리성형공정과, 상기 캐필러리성형공정에서 성형 배출된 캐필러리 성형체를 탈지로의 내부에 투입하여 순차적으로 가열 및 냉각시킨 후 자연냉각 시켜서 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거시키는 디바인딩공정과, 상기 공정에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 가열하고 순차적으로 냉각하여 소결시키는 소결공정 및, 상기 소결공정을 통해 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함이 제거되도록 일정 압력조건하에서 가열한 후 로냉시키는 열간정수압소결공정(HIP공정)으로 구성된 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 있어서, 상기 캐필러리성형공정은, 상기 슬러리를 압송하여 사출기상에 설치되어 서로 밀착된 상,하금형의 내부 성형홀상에 채워 성형하는 압입성형방식에 의해 이루어짐과 아울러; 상기 디바인딩공정은, 150 내지 250℃에 이를 때까지 45 내지 65시간 동안 천천히 상승시키고 20 내지 40시간 동안 그 온도를 유지시키는 제 1디바인딩단계와, 제1디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 700 내지 900℃ 까지 40 내지 60시간 동안 가열하고 40 내지 60시간 유지시키는 제2디바인딩단계와, 제2디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 200 내지 400℃ 까지 10 내지 30시간 동안 냉각시킨 후 자연냉각시키는 제3디바인딩단계로 구성되고; 상기 소결공정은, 1450℃ 내지 1850℃ 까지 20 내지 40시간 동안 상승시키고 0.5시간 내지 2시간 동안 유지하는 제1소결단계와, 상기 단계를 거친 캐필러리 성형체를 900 내지 1300℃ 까지 9 내지 11시간 동안 냉각시키고 5 내지 20분 동안 유지시키는 제2소결단계와, 상기 제2소결단계를 거친 캐필러리 성형체를 40℃ 까지 로냉 시키는 제3소결단계로 구성되며; 상기 열간정수압소결공정은, 700 내지 1300bar의 압력조건에서 1100 내지 1750℃ 까지 2 내지 4시간 동안 상승시킨 다음 0.5 ∼ 2 시간 동안 유지한 후 40℃가 될 때까지 로냉시키도록 구성된다.

Description

반도체 조립용 캐필러리의 제조방법{MANUFACTURE METHOD OF A CAPILLARY FOR SEMICONDUCTOR WIRE BONDING}
도 1a 및 1b는 일반적인 반도체 조립용 캐필러리를 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법을 나타내는 공정도,
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에서 캐필러리 성형공정을 수행하는 금형장치의 일예를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 조직을 주사 전자 현미경으로 촬영한 도면대용 사진이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10:캐필러리, 20:슬러리조성공정,
30:캐필러리성형공정, 40:디바인딩공정,
50:소결공정, 60:열간정수압소결공정.
본 발명은 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체의 와이어 본딩시에 금세선 또는 알루미늄세선의 이동을 안내하는 부품으로 사용되는 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에서는 반도체칩상의 본딩 패드와 리드 프레임을 접합하기 위해서는 와이어 본딩(Wire bonding) 작업이 수행되는데, 이와 같은 와이어 본딩 작업에 사용되는 와이어 본더(Wire bonder)에는 금세선(Gold wire)과 같은 와이어를 안내하여 본딩작업이 수행되도록 하는 캐필러리(capillary)가 요구되는 바, 이와 같은 캐필러리(10)는 도 1a에 도시된 바와 같이 내부에 홀(12)이 형성된 구조로 성형된 상태에서 도 1b에 도시된 바와 같이 선,후부가 가공되어 형성되는 것이다.
그리고 상기와 같이 형성된 캐필러리의 내부 홀에 금, 백금, 알루미늄 등으로 가공된 도전성 와이어를 삽입한 상태에서 와이어의 단부에 초음파 또는 방전에 의하여 볼(ball) 형태로 되어 본딩 패드와 리드 프레임과의 본딩과정을 수행하게 되는데, 이때 캐필러리의 팁(tip) 부분의 직경이 대략 45㎛ - 80㎛ 정도의 미세한 직경을 갖는 것이므로 큰 부하가 작용되면서 반복되는 본딩작업에 의해 마모나 손상이 발생되므로 정밀한 와이어 본딩이 불가능하게 되고 잦은 교체로 인해 반도체 생산량이 감소되고 생산원가가 증가되는 문제점이 있었다.
그리고 캐필러리를 구성하는 고순도(99.99％ 이상) 순수 알루미나 소결체는 기공 함유율이 높고 조직이 치밀하지 못하여 파괴인성이 낮고, 알루미나의 소결과정에서 알루미나 입자가 비대해져 입자의 밀도가 낮아지고 표면 평탄도 및 비커스경도가 저하되므로 순수 알루미나로 구성된 캐필러리의 팁은 고밀도, 고경도 및 내 충격성이 좋지 않으며, 또한 초음파를 이용하여 와이어 본딩을 수행하는 경우 내부 기공에 의해 초음파가 차단되어 캐필러리 내에 삽입된 와이어의 단부에 볼이 정확하게 형성되지 않아 와이어 본딩 동작을 수행하기가 매우 곤란한 문제점이 있었다.
또한, 종래에는 캐필러리 소결체를 성형하는 방법으로서 대한민국 등록특허공보(공고일자: 2003. 12. 31)에 나타난 등록번호 10-0413033호(발명의 명칭:와이어 본딩용 다결정 루비 캐필러리 소결체 및 그의 제조방법)의 상세한설명 및 도 3a 내지 도 3g에 나타난 바와 같이 그 성형공정이 압축성형에 의해 이루어지는데 즉 파우더를 압축하여 성형하는 것이고, 이와 같이 성형한 후 외경 부분과 팁 부분을 기계적인 절삭과 연마에 의해 제작하게 되므로 가공공수가 증가되고 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 알루미나에 크롬을 첨가하고 압입성형방식을 이용하여 성형체를 형성하고 1차, 2차 소성을 거쳐 기공함유율이 감소되고 조직이 균일하면서 치밀한 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
이러한, 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법은, 알루미나 99.0 ∼ 99.9wt％, 크롬 0.1 ∼ 1wt％가 혼합된 복합분말 70 ∼ 85wt％와, 에틸렌 수지류 5 ∼ 25wt％ 및 왁스류 5 ∼ 10wt％로 된 바인더를 혼합하여 캐필러리를 성형하는 금형에 투입시키기 위한 유동성이 있는 슬러리를 조성하는 슬러리조성공정과, 상기 슬러리조성공정에서 형성된 슬러리를 투입하여 캐필러리 성형체를 성형하는 캐필러리성형공정과, 상기 캐필러리성형공정에서 성형 배출된 캐필러리 성형체를 탈지로의 내부에 투입하여 순차적으로 가열 및 냉각시킨 후 자연냉각 시켜서 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거시키는 디바인딩공정과, 상기 공정에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 가열하고 순차적으로 냉각하여 소결시키는 소결공정 및, 상기 소결공정을 통해 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함이 제거되도록 일정 압력조건하에서 가열한 후 로냉시키는 열간정수압소결공정(HIP공정)으로 구성된 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 있어서, 상기 캐필러리성형공정은, 상기 슬러리를 압송하여 사출기상에 설치되어 서로 밀착된 상,하금형의 내부 성형홀상에 채워 성형하는 압입성형방식에 의해 이루어짐과 아울러; 상기 디바인딩공정은, 150 내지 250℃에 이를 때까지 45 내지 65시간 동안 천천히 상승시키고 20 내지 40시간 동안 그 온도를 유지시키는 제 1디바인딩단계와, 제1디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 700 내지 900℃ 까지 40 내지 60시간 동안 가열하고 40 내지 60시간 유지시키는 제2디바인딩단계와, 제2디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 200 내지 400℃ 까지 10 내지 30시간 동안 냉각시킨 후 자연냉각시키는 제3디바인딩단계로 구성되고; 상기 소결공정은, 1450℃ 내지 1850℃ 까지 20 내지 40시간 동안 상승시키고 0.5시간 내지 2시간 동안 유지하는 제1소결단계와, 상기 단계를 거친 캐필러리 성형체를 900 내지 1300℃ 까지 9 내지 11시간 동안 냉각시키고 5 내지 20분 동안 유지시키는 제2소결단계와, 상기 제2소결단계를 거친 캐필러리 성형체를 40℃ 까지 로냉 시키는 제3소결단계로 구성되며; 상기 열간정수압소결공정은, 700 내지 1300bar의 압력조건에서 1100 내지 1750℃ 까지 2 내지 4시간 동안 상승시킨 다음 0.5 ∼ 2 시간 동안 유지한 후 40℃가 될 때까지 로냉시키도록 구성된 것;을 특징으로 한다.
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이하, 첨부된 도면에 의하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
첨부 도면, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법을 나타내는 공정도, 도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에서 캐필러리 성형공정을 수행하는 금형장치의 일예를 나타내는 단면도, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 조직을 주사 전자 현미경으로 촬영한 도면대용 사진이다.
본 발명에 따라 제조되는 반도체 조립용 캐필러리는 알루미나 분말(Al₂O₃)과 크롬 분말(Cr₂O₃)을 일정한 비율로 혼합한 복합분말과, 이 복합분말에 유동성이 부여되도록 바인더를 혼합하여 조성한 슬러리를 사출금형에 의한 압입성형방식에 의해 캐필러리 형상의 성형체로 성형하고, 탈지로의 내부에 투입하여 150℃ 내지 900℃ 까지 순차적으로 장시간 동안 가열시킨 후 순차적으로 냉각시켜서 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거하고, 1450℃ 내지 1850℃의 온도조건에 따라 순차적으로 가열 후 순차적으로 냉각시켜서 소결시킨 다음, 열간정수압소결공정에 의해 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함을 제거한 것이다.
상기 슬러리는 바람직하게 알루미나 99.0 ∼ 99.9wt％(weight percent), 크롬 0.1 ∼ 1wt％가 혼합된 복합분말 70 ∼ 85wt％와, 에틸렌 수지류 5 ∼ 25wt％ 및 왁스류 5 ∼ 10wt％로 된 바인더를 혼합하여 캐필러리를 성형하는 금형에 투입이 가능하도록 유동성을 부여한 것이다.
그리고 상기 캐필러리는 성형체상에 포함된 바인더를 제거하기 위해서 탈지 로의 내부에 소정 형상의 캐필러리 성형체를 투입하여 150℃ 내지 900℃ 까지 순차적으로 장시간 동안 가열시키고 200 내지 400℃ 까지 장시간 동안 일정한 조건으로 냉각시킨 후 자연냉각시킨 것이다.
또한 캐필러리는 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 1450℃ 내지 1850℃의 고온의 조건이 될 때까지 가열하고 순차적으로 냉각하여 소결시켜서 캐필러리 소결체를 형성하고, 이 캐필러리 소결체를 700 ∼ 1300bar의 압력과 1100 ∼ 1750℃의 온도조건으로 가열한 후 자연냉각 시킨 것이다.
본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법은, 도 2에 도시된 바와 같이 캐필러리를 성형하는 금형에 투입하기 위한 슬러리를 조성하는 슬러리조성공정(20)과, 이 슬러리조성공정(20)에서 형성된 슬러리를 투입하여 캐필러리 성형체를 성형하는 캐필러리성형공정(30)과, 상기 캐필러리성형공정(30)에서 성형된 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거하는 디바인딩공정(40)과, 이 디바인딩공정 (40)에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체을 가열하여 조직을 소결시키는 소결공정(50)과, 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함을 제거하는 열간정수압소결공정(60;HIP공정)으로 구성된다.
상기 슬러리조성공정(20)은 알루미나와 크롬을 혼합한 복합분말에 바인더를 혼합하는 공정으로서 바인더는 윤활제, 이형제 및 열가소제로 구성되어 복합분말이 용이하게 혼합되고 원활한 유동성을 갖도록 함으로써 캐필러리성형공정(30)에서 원활한 공급과 성형 후 충분한 강도를 갖도록 하기 위한 것이고, 고온 보다는 저온에서 혼합할 수 있는 것이 바람직하다.
그리고 상기 슬러리는 복합분말 즉 알루미나와 크롬이 70 내지 85wt％가 포함되고, 나머지는 바인더로서 바람직하게 에틸렌 수지류 5 내지 25wt％와, 왁스류 5 내지 10wt％로 구성된다.
또한 상기 복합분말의 알루미나와 크롬의 혼합비는 알루미나 99.0 ∼99.9wt％(wt％: 중량 퍼센트), 크롬 0.1 ∼ 1wt％가 바람직하다.
상기 캐필러리성형공정(30)은 종래의 압축성형방식이 아니라 압입성형방식에 의해 수행되는 것으로 예컨대 도 3a 내지 도 3b에 도시된 바와 같은 금형장치에 의해 수행되는데 사출기(미도시)의 일측 및 타측에 상형금형(100) 및 하형금형(200)이 설치된 상태에서 사출기가 작동되어 도 3a에 도시된 바와 같이 상,하금형이 서로 밀착된 상태에서 원료주입부(상형금형의 상측 중앙홀 부분)로 상기 슬러리가 압송되면 게이트(190)와 안내홈(192)을 통해 성형홀(242a) 내부로 유입되고, 이젝트핀(260)의 경사요입홈(264)에서부터 원료가 채워짐과 동시에 성형홀(242a)내에 삽입된 코어부재(160)의 홀성형핀(162)에 의해 캐필러리의 미세한 홀(12)이 성형된다.
그리고 가이드홀(262)의 내부에 삽입되어 그 상단부가 경사요입홈(264)의 하단홀(264a)측에 위치되어 있던 조정로드(270)의 상단 면에는 원료의 분사압력이 작용되고 이에 따라 조정로드(270)는 후진되는 바, 이때 슬러리의 유입시에 성형홀 (242a) 내에 채워져 있던 공기가 가이드홀(262)측으로 이동되어 배기되면서 공기저항이 없게 되므로 슬러리가 경사요입홈(264)의 하단 까지 원활하게 유입되면서 채워지게 되어 상하 고른 밀도를 유지할 수 있게 된다.
이와 같이 유입된 슬러리는 소정 시간동안 냉각과정을 거친 후 사출기의 작동으로 상,하금형(100)(200)이 분리되면 하형금형의 이젝트장치(220)가 구동되어 캐필러리 성형체가 분리되는 바, 즉 밀판구동부에 의해 상,하밀판(224,222)이 전진되면 이젝트핀(260)이 전진되면서 성형된 캐필러리를 밀어내 배출시키고 동시에 조정로드(270)는 그 후부에 위치된 탄성부재(280)의 탄성력에 의해 전진되어 최초 상태로 복귀되면서 다음 성형작업의 대기상태로 위치되게 된다.
상기 디바인딩공정(40)은 도 2에 도시된 바와 같이 캐필러리성형공정(30)에 의해 완성된 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거하게 되는데, 그 과정은 대략 3단계에 의해 수행되고 그 제1디바인딩단계(42)로서 캐필러리 성형체를 탈지로의 내부에 투입하여 150 내지 250℃에 이를 때까지 45 내지 65시간 동안 천천히 상승시키고 20 내지 40시간 동안 그 온도를 유지한다.
바람직하게는 55시간 동안 가열하여 200℃ 까지 상승시키고 32시간 동안 그 온를 유지시킨다.
그리고 제2디바인딩단계(44)는 상기 제1디바인딩단계(42)를 거친 캐필러리 성형체를 700 내지 900℃ 까지 40 내지 60시간 동안 가열하고 40 내지 60시간 유지하게 되는데, 바람직하게는 800℃ 까지 48시간 동안 천천히 상승시키고 54시간 동안 유지시킨다.
또한 제3디바인딩단계(46)는 상기 제2디바인딩단계(44)를 거친 캐필러리 성형체를 200 내지 400℃ 까지 10 내지 30시간 동안 냉각시킨 후 자연냉각(로냉)을 실시하게 되는데, 바람직하게 300℃ 까지 20시간 동안 냉각시킨 후 로냉시키게 된 다.
상기 소결공정(50)은 디바인딩공정(40)에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 가열하여 조직을 소결시키는 공정으로서 제1소결단계(52), 제2소결단계(54) 및 제3소결단계(56)로 구성되고, 먼저 제1소결단계(52)는 1450℃ 내지 1850℃ 까지 20 내지 40시간 동안 상승시키고 0.5시간 내지 2시간 동안 유지하게 되는데, 바람직하게는 1550℃ ∼ 1750℃ 까지 30시간 동안 상승시켜 1시간 동안 유지시킨다.
그리고 제2소결단계(54)는 900 내지 1300℃ 까지 9 내지 11시간 동안 냉각시키고 5 내지 20분 동안 유지시키는 단계인데, 바람직하게는 1000 ∼ 1200℃ 까지 10시간 동안 냉각시키고 10분 동안 유지시킨다.
또한 제3소결단계(56)는 상기 제1 및 제2소결단계(52,54)를 거친 캐필러리 성형체를 자연냉각시켜서 캐필러리 소결체를 형성하는 단계로서 바람직하게 40℃ 까지 로냉 시킨다.
상기 열간정수압소결공정(60; HIP:hot isostatic pressing)은 분체(粉體)의 성형과 소결의 두 가지 작업을 동시에 처리하는 통상적인 세라믹스 제조기술로서, 본 발명에서는 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함을 제거하기 위한 또 다른 소결공정으로 적용한 것으로 700 내지 1300bar의 압력조건에서 1100 내지 1750℃ 까지 2 내지 4시간 동안 상승시킨 다음 0.5 ∼ 2 시간 동안 유지한 후 40℃가 될 때 까지 캐필러리 소결체를 자연냉각(로냉) 시킨다.
바람직하게 상기 열간정수압소결공정의 조건은 800 ∼ 1200bar의 압력조건에서 1200 ∼ 1650℃ 까지 3시간 동안 상승시킨 다음 1시간 동안 유지한 후 자연냉각 시키는 것이다.
한편 상기 열간정수압소결공정(60)을 거친 캐필러리가 도 1a에 도시된 바와 같은 형태로 얻어지게 되는 경우에는 그 선,후부를 가공하여 도 1b에 도시된 바와 같은 형태로 만드는 마감공정을 수행하여 완료하게 된다.
그리고, 상기와 같이 방법으로 제조된 반도체 조립용 캐필러리의 조직을 주사 전자 현미경으로 살펴보면, 도 4에 도시된 바와 같이 모든 입자들 사이에 기공이 없는 치밀하고 견고한 구조를 갖게 되고 특히 캐필러리를 구성하는 각 입자들이 등분포되어 조직이 균일하면서 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 반도체 조립용 캐필러리를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법은 상술한 것에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 기술적 사상 범위내에서 다양하게 변형할 수 있음은 물론이다.
상기와 같은 본 발명에 따른 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 의하면, 캐필러리가 알루미나와 크롬의 복합분말에 의해 구성되므로 고밀도, 고경도로 형성되고 내충격성과 본딩작업성이 향상되며, 그리고 캐필러리의 성형공정이 종래와 같이 파우더를 압축하여 성형하는 압축성형방식이 아니라 압입성형방식에 의해 수행되므로 캐필러리를 구성하는 알루미나 및 크롬의 밀도가 높고 균일해지게 되어 품질과 내구성이 향상되는 효과가 있는 것으로, 결국 알루미나에 크롬을 첨가하고 압입성형방식을 이용하여 성형체를 형성하고 1차, 2차 소성을 거쳐 기공함유율이 감소되고 조직이 균일하면서 치밀한 고밀도, 고경도 및 내충격성이 뛰어난 반도체 조립용 캐필러리를 얻을 수 있는 매우 유용한 발명이다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 알루미나 99.0 ∼ 99.9wt％, 크롬 0.1 ∼ 1wt％가 혼합된 복합분말 70 ∼ 85wt％와, 에틸렌 수지류 5 ∼ 25wt％ 및 왁스류 5 ∼ 10wt％로 된 바인더를 혼합하여 캐필러리를 성형하는 금형에 투입시키기 위한 유동성이 있는 슬러리를 조성하는 슬러리조성공정과, 상기 슬러리조성공정에서 형성된 슬러리를 투입하여 캐필러리 성형체를 성형하는 캐필러리성형공정과, 상기 캐필러리성형공정에서 성형 배출된 캐필러리 성형체를 탈지로의 내부에 투입하여 순차적으로 가열 및 냉각시킨 후 자연냉각 시켜서 캐필러리 성형체에 포함된 바인더를 제거시키는 디바인딩공정과, 상기 공정에서 바인더가 제거된 캐필러리 성형체를 가열하고 순차적으로 냉각하여 소결시키는 소결공정 및, 상기 소결공정을 통해 소결된 캐필러리 소결체의 조직을 치밀화하고 결함이 제거되도록 일정 압력조건하에서 가열한 후 로냉시키는 열간정수압소결공정(HIP공정)으로 구성된 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법에 있어서,
    상기 캐필러리성형공정은, 상기 슬러리를 압송하여 사출기상에 설치되어 서로 밀착된 상,하금형의 내부 성형홀상에 채워 성형하는 압입성형방식에 의해 이루어짐과 아울러;
    상기 디바인딩공정은, 150 내지 250℃에 이를 때까지 45 내지 65시간 동안 천천히 상승시키고 20 내지 40시간 동안 그 온도를 유지시키는 제 1디바인딩단계와, 제1디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 700 내지 900℃ 까지 40 내지 60시간 동안 가열하고 40 내지 60시간 유지시키는 제2디바인딩단계와, 제2디바인딩단계를 거친 캐필러리 성형체를 200 내지 400℃ 까지 10 내지 30시간 동안 냉각시킨 후 자연냉각시키는 제3디바인딩단계로 구성되고;
    상기 소결공정은, 1450℃ 내지 1850℃ 까지 20 내지 40시간 동안 상승시키고 0.5시간 내지 2시간 동안 유지하는 제1소결단계와, 상기 단계를 거친 캐필러리 성형체를 900 내지 1300℃ 까지 9 내지 11시간 동안 냉각시키고 5 내지 20분 동안 유지시키는 제2소결단계와, 상기 제2소결단계를 거친 캐필러리 성형체를 40℃ 까지 로냉 시키는 제3소결단계로 구성되며;
    상기 열간정수압소결공정은, 700 내지 1300bar의 압력조건에서 1100 내지 1750℃ 까지 2 내지 4시간 동안 상승시킨 다음 0.5 ∼ 2 시간 동안 유지한 후 40℃가 될 때까지 로냉시키도록 구성된 것;을 특징으로 하는 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제1디바인딩단계는 55시간 동안 가열하여 200℃ 까지 상승시킨 후 32시간 동안 그 온도를 유지하고, 제2디바인딩단계는 800℃ 까지 48시간 동안 천천히 상승시키고 54시간 동안 유지시키며, 제3디바인딩단계는 300℃ 까지 20시간 동안 냉각시킨 후 로냉시키는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 제1소결단계는 1550℃ ∼ 1750℃ 까지 30시간 동안 상승시켜 1시간 동안 유지시키고, 제2소결단계는 1000 ∼ 1200℃ 까지 10시간 동안 냉각시키고 10분 동안 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 조립용 캐필러리의 제조방법.
  7. 삭제
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