KR20070083208A

KR20070083208A - 반송 장치

Info

Publication number: KR20070083208A
Application number: KR1020070017024A
Authority: KR
Inventors: 마코토 아소
Original assignee: 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date: 2006-02-20
Filing date: 2007-02-20
Publication date: 2007-08-23
Also published as: CN101026118B; US20070212544A1; TWI407525B; CN101026118A; JP2007221021A; JP4895635B2; US7631911B2; TW200811983A; KR101419543B1

Abstract

반송 아암은 두 개의 돌출하는 지지 섹션을 갖는다. 지지 섹션의 두께가 지지 섹션의 전단을 향해 감소하도록 지지 섹션의 전단을 형성한다. 웨이퍼가 배치되는 반송 아암의 표면에는 팬 형상 영역에 등간격으로 형성된 복수의 흡입공이 설치되어 있다. 웨이퍼는 흡입공을 통해 반송 아암에 고정되어 있다. 웨이퍼는 대량의 정전기로 충전되어 있다. 반송 아암은 정전기로 충전되어 있다. 반송 아암의 표면은 전도성 불화흑연재료로 도포되어 있다. 따라서, 대기로의 반송 아암의 전기 방전율은 증가한다. 이에 따라, 부동 상태에서 반송 아암의 표면 전위의 상승은 적절하게 억제될 수 있다. 반송 아암과 웨이퍼 사이에 작용하는 정전기에 의해 발생하는 반발력의 감소는 웨이퍼의 진동의 감소를 유도한다.

Description

반송 장치{TRANSPORTING MACHINE}

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼 반송 장치의 개략적인 구조를 도시하는 도면이다.

도 2a는 반송 아암의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 X-X'선을 따라 절취한 반송 아암의 단면도이다.

도 3은 반송 아암이 웨이퍼 캐리어로 삽입되는 방식을 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 4는 웨이퍼 외관 검사 장치의 예시적인 개략 구조를 도시하는 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼 캐리어 2 : 반송 아암

3 : 실리콘 웨이퍼 21, 22 : 지지 섹션

23 : 흡입공 24 : 오목부

25 : 오목 통로 26 : 밀봉판

27 : 코팅

본 발명은 예컨대, 박판 형상 웨이퍼를 반송하는 반송 장치에 관한 것이다.

IC(반도체 집적회로)를 제조하는 공정에서, IC 회로를 실리콘 웨이퍼 상에 제조하는 (확산 공정, 에칭 공정, 및 포토리소그라피(photolithography) 공정을 포함하는) 웨이퍼 공정 이후, (배면 연마 공정, 검사 공정, 및 조립 공정을 포함하는) 조립 공정이 실행된다.

조립 공정의 검사 공정에서, 현미경 등이 장착되는 검사 장치는 IC로서의 기본 기능과 특성을 검사하는데 사용되어, 이에 따라 칩의 합격을 판정한다.

확산 공정을 경험하고 그대로 남아 있는 실리콘 웨이퍼는, 잔류 산화물에 의해 배면에 높은 전기적 저항과 같은 문제를 갖고 있다.

따라서, 확산 공정을 완료한 실리콘 웨이퍼는 배면 연마(백 글라인드(back grinding)) 공정에서 수 백 ㎛ 까지 연마되거나 연마되고 있다.

배면 연마 공정에서 얇게 연마된 복수의 실리콘 웨이퍼는 작은 간격으로 설치된 파티션(슬릿)을 갖는 전용 웨이퍼 캐리어(카세트)에 수납된다.

검사 공정에서, 웨이퍼 캐리어에 수납된 얇은 실리콘 웨이퍼가 현미경 등의 검사 테이블(스테이지)에 배치되도록 취출될 때, 웨이퍼 로더라 불리우는 전용 반송 장치가 사용된다.

종래, 얇은 실리콘 웨이퍼를 반송하는 기술은 일본국 특개평11-71025 A 의 상세한 설명에 제안되고 있다.

상기 일본국 특개평11-71025 A 의 상세한 설명에 따르면, 서로에 대해 평행 하게 배치된 한 쌍의 지지 바아를 이용하여, 웨이퍼의 무게 중심과 일치하는 중심을 갖는 반송 아암에 의해 웨이퍼가 반송될 때 발생되는 그 자중에 의해 웨이퍼의 굽힘을 감소시키는 기술을 제안하고 있다.

전술한 바와 같은 반송 장치를 사용하는 경우에도, 배면 연마 공정에서 수 백 ㎛까지 얇게 연마되는 실리콘 웨이퍼를 취급할 때의 어려움은 제조 공정에서 수율을 증가시키는 것이 어렵다.

본 발명의 출원인은, 실리콘 웨이퍼와 이 실리콘 웨이퍼를 지지하는 반송 아암(지지 바아)에 충전되는 정전기로부터 발생하는 실리콘 웨이퍼의 진동이 수율의 증가를 방해하는 요인이라는 것을 알았다.

특히, 실리콘 웨이퍼는 웨이퍼 공정과 조립 공정에서의 작업중에 대량의 정전기로 충전될 수도 있다.

정전기로 충전되고 절연재로 형성된 웨이퍼 캐리어에 포함되고, 이어서 웨이퍼와 동일한 전위로 충전되는 웨이퍼가 부동 상태에서 반송 아암(지지 바아)에 의해 반송되는 경우, 실리콘 웨이퍼와 반송 아암 사이에 반발력이 작용한다. 그후 반발력(척력)에 의해 진동이 실리콘 웨이퍼에 발생된다.

반발력에 의한 반송 동안 큰 진동이 발생할 때, 웨이퍼는 캐리어와 브레이크의 분할부 등과 접촉하므로, 제조 공정에서의 수율을 감소한다.

따라서, 본 발명의 목적은 반송 동안 웨이퍼에 발생하는 진동을 감소시키는 데에 있다.

본 발명의 제1 태양에 따르면, 비접지상태의 반송 아암을 이용함으로써 박판 형상 웨이퍼를 반송하는 반송 장치가 제공되며, 전술한 목적은 상기 반송 아암을 높은 정전기 방전 특성을 갖는 물질로 도포됨으로써 달성된다.

본 발명의 제2 태양에 따르면, 제1 태양에 따른 반송 장치에서, 상기 반송 아암은 반송 아암의 베이스 재료를 구성하는 물질과 비교했을 때 마찰 전기 시리즈(triboelectric series)에서 음극측에 위치된 물질로 도포되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제3 태양에 따르면, 제1 태양 또는 제2 태양에 따른 반송 장치에서, 상기 반송 아암은 금속으로 제조된 베이스 재료를 포함하고, 상기 반송 아암은 불화흑연재료(fluorinated graphite material)로 도포되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제4 태양에 따르면, 제1 태양 내지 제3 태양 중 어느 하나에 따른 반송 장치에서, 상기 반송 아암은 복수의 웨이퍼 수납 섹션을 갖는 카세트로부터 웨이퍼를 취출하고 이 웨이퍼를 카세트로 삽입하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제5 태양에 따르면, 제1 태양 내지 제4 태양 중 어느 하나에 따른 반송 장치에서, 상기 반송 아암은, 웨이퍼가 배치되며 상기 반송 아암의 표면을 따라 연장하는 지지 섹션을 포함하고, 상기 지지 섹션의 두께가 지지 섹션의 전단을 향해 감소하도록 상기 지지 섹션이 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제6 태양에 따르면, 박판 형상의 웨이퍼를 반송하기 위해 제1 태양 내지 제5 태양 중 어느 하나에 따른 반송 장치에서, 상기 반송 아암은, 웨이퍼를 흡입하고 고정하기 위해, 배치 상태에서 웨이퍼의 중심과 일치하는 중심을 갖는 팬 형상으로 배열되는 복수의 흡입공을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 반송 아암은 높은 정전기 방전 특성을 갖는 물질로 도포됨으로써, 반송 아암에 충전되는 정전기에 의해 대기로 보다 용이하게 방출된다. 따라서, 비연마상태에서 반송 아암의 전위의 상승이 억제될 수 있다. 그 결과, 반송 아암과 웨이퍼 사이에 작용하는 반발력의 감소는 정전기의 효과에 의해 발생된 웨이퍼의 진동을 감소시킬 수 있다.

(바람직한 실시 형태의 상세한 설명)

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태는 도 1 내지 도 4를 참조로 상세히 설명한다.

(1) 실시형태의 개요

실리콘 웨이퍼를 흡입하고 하나씩 반송 아암의 표면에 고정함으로써, 웨이퍼 캐리어의 분할판(슬릿)에 배치되면서 수납되는 얇은 실리콘 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 로더라 불리우는 웨이퍼 반송 장치에 관해 설명한다.

실리콘 웨이퍼를 반송하는 반송 아암은 포크리프트의 포크와 같은 포크 형상으로 두 개의 돌출하는 지지 섹션(이분기(bifurcate))을 갖는다.

지지 섹션의 각각의 전단은, 그 두께가 전방(전단)을 향해 감소하도록 형성되어 있다.

실리콘 웨이퍼가 배치되는 반송 아암의 표면에는 등간격으로 팬형상 영역의 내부에 형성된 복수의 흡입공이 설치되어 있다. 팬형상 장치에 설치된 흡입공에 진공을 발생함으로써, 실리콘 웨이퍼는 반송 아암에 흡입되고 고정된다.

실리콘 웨이퍼는 (확산 공정, 에칭 공정, 및 포토리소그라피 공정을 포함하는) 웨이퍼 공정과 조립 공정의 배면 연마 공정의 작업에서의 웨이퍼 캐리어 등과의 마찰에 의한 대량의 정전기로 충전되어 있다. 반송 아암은 정전기로 충전되어 있다.

대기로 전기 방전을 촉진하기 위해서, 반송 아암의 금속으로 제조된 베이스 재료의 표면은 전도성을 갖는 불화 흑연(fluorinated graphite)으로 도포되어 있다.

도포는 반송 아암으로부터 대기로의 정전기의 방전율을 향상하고 부동 상태에서 반송 아암의 표면에 전위의 증가를 적절하게 억제한다.

그 결과, 반송 아암과 실리콘 웨이퍼 사이에 작용하고 정전기에 의해 발생되는 반발력의 감소는 실리콘 웨이퍼의 진동의 감소를 유도한다.

(2) 실시형태의 상세

도 1은 본 실시형태에 따른 웨이퍼 반송 장치의 개략 구조를 도시하는 도면이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치는 웨이퍼 캐리어(1)와 반송 아암(2)을 포함한다.

웨이퍼 반송 장치는 반송 아암(2)을 이용하여 실리콘 웨이퍼(3)를 취출한 후 웨이퍼 캐리어(1)에 수납된 실리콘 웨이퍼(3)를 특정 위치로 반송하고, 실리콘 웨이퍼(3)를 웨이퍼 캐리어(1)에 수납시키는 장치이다.

웨이퍼 반송 장치는, 예컨대, 실리콘 웨이퍼(3)를 현미경과 같은 검사 장치에 설정하는 경우에, 또는 IC(반도체 집적 회로)의 제조용 검사 공정의 검사 시간에서 검사된 실리콘 웨이퍼(3)를 웨이퍼 캐리어(1)에 수납하는 경우에, 사용된다.

또, 도면에 도시하지 않지만, 웨이퍼 반송 장치에는 반송 아암(2)용 구동 제어 장치, 웨이퍼 캐리어(1)용 구동 제어 장치, 웨이퍼용 위치 검출 장치 등이 구비되어 있다.

실리콘 웨이퍼(3)는 반도체 장치를 제조하는 재료이고 반도체 잉곳(실리콘)을 얇게 분할함으로써 얻어진 디스크(디스크판) 형상 박판이다.

본 실시형태에 따른 실리콘 웨이퍼(3)는 미리 IC 회로를 제조하는 웨이퍼 공정과 조립 공정의 배면 연마 공정의 작업에 종속하는 것에 유의해야 한다.

실리콘 웨이퍼(3)는 약 수 백 ㎛의 두께를 갖는 매우 얇은 기판으로 연마(다듬질)하는 것에 유의해야 한다.

웨이퍼 캐리어(1)는 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼(3)를 적재하는 저장 카세트(박스)이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(1)는 개구를 갖는 박스 형상 부재이다. 개구에 인접한 좌우측면에, 내부로 돌출하는 다수의 분할판(11)이 등간격으로 높이방향으로 설치되어 있다.

실리콘 웨이퍼(3)의 테두리부는 웨이퍼 캐리어(1)에 설치된 분할판(11)에 배치된다.

분할판(11)이 배열되는 간격은 제조 라인 또는 제조 장치에 공통인 표준 피 치 크기에 따라 결정되는 것을 유의해야 한다.

웨이퍼 캐리어(1)는 플라스틱 또는 불소수지(fluororesin)와 같은 절연재로 구성되어 있다.

도 2a는 반송 아암(2)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 X-X' 선을 따라 절취한 반송 아암(2)의 단면도이다.

도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 반송 아암(2)은 반송 아암의 표면을 따라 반송 아암(2)의 베이스부로부터 연장하는 지지 섹션(21)(22)을 갖고, 그 위에 실리콘 웨이퍼(3)가 배치된다.

본 실시형태에 따른 반송 아암(2)은 서로 다른 길이의 지지 섹션(21)과 지지 섹션(22)을 갖는다. 그러나, 지지 섹션(21)(22)의 형상은 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 지지 섹션(21)(22)은 동일 길이를 갖는 포크(빗) 형상으로 형성될 수도 있다.

지지 섹션(21)(22) 각각은, 그 두께가 그 전단을 향해 감소하도록 형성되어 있다. 도 2a 및 도 2b 각각의 부분 A에 도시한 바와 같이, 지지 섹션(21)(22)은 그 전단에 뾰족한 형상을 갖도록 형성되어 있다.

반송 아암(2)의 단부에는 반송 아암(2)을 지지하기 위해 반송 아암(2)을 결합부재에 고정하는데 사용되는 체결부재용 끼워맞춤 구멍(28)이 설치되어 있다.

또, 반송 아암(2)에는 반송 아암(2)의 베이스부에 형성되고 실리콘 웨이퍼(3)를 흡입하기 위한 복수의 흡입공(23)이 설치되어 있다.

흡입공(23)은 두께방향으로 반송 아암(2)의 판형상 베이스 재료를 통과하는 구멍이며, 복수의 흡입공(23)은 그 위에 배치되는 실리콘 웨이퍼(3)의 중심에 일치하는 중심을 갖는 팬 형상 영역에 등간격으로 배열되어 있다.

반송 아암(2)의 베이스 재료의 배면에는, 흡입공(23)이 형성되는 영역을 따라 오목부(24)가 설치되어 있다. 또, 반송 아암(2)의 베이스 재료의 배면에서, 오목부(24)와 소통하는 오목 통로(25), 즉 홈이 형성되어 있다. 오목 통로(25)의 단부는 흡입 제어 장치(4)용 덕트에 연결되어 있다.

반송 아암(2)의 베이스 재료의 배면에는, 오목부(24)와 오목 통로(25)를 밀봉하는 밀봉판(26)이 형성되어 있다.

또, 본 실시형태에 따른 반송 아암(2)에는, 불화흑연재료의 코팅(27)이 SUS(스테인레스 스틸) 재료와 같은 금속 재료로 이루어지는 베이스 재료의 표면에 도포된다.

이어서, 전술한 바와 같이 구성된 웨이퍼 반송 장치에서 실리콘 웨이퍼(3)를 반송하는 방법에 관해 설명한다.

웨이퍼 캐리어(1)(도시생략)용 구동 제어 장치는, 다음에 반송되는 실리콘 웨이퍼(3)가 수납되는 높이가 되는 소정의 위치에 따라 웨이퍼 캐리어(1)의 위치를 조정한다.

웨이퍼 캐리어(1)의 위치 결정의 완료후, 반송 아암(2)용 구동 제어 장치는 반송 아암(2)을 웨이퍼 캐리어(1)로 허용한다.

이 때, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(1)에 수납된 얇은 실리콘 웨이퍼(3)가 굽혀지기 때문에, 웨이퍼가 배치되는 반송 아암(2)의 표면은 실리콘 웨이퍼(3)의 배면의 일부와 접촉하도록 반송 아암(2)을 삽입한다.

반송 아암(2)이 충분하게 삽입된 후, 반송 아암(2)용 구동 제어 장치는 흡인 제어 장치(4)를 제어하여 실리콘 웨이퍼(3)의 흡인을 시작한다.

반송 아암(2)용 구동 제어 장치는 반송 아암(2)에 의해 흡인되는 동시에 웨이퍼 캐리어(1)로부터 실리콘 웨이퍼(3)가 취출(인출)되고 실리콘 웨이퍼(3)를 반송 목적지까지 이동시킨다.

이 때, 웨이퍼 캐리어(1)의 분할판(11)과 실리콘 웨이퍼(3) 사이의 접촉을 피하기 위해서, 실리콘 웨이퍼(3)가 반송 아암(2)에 의해 흡입된 후, 실리콘 웨이퍼(3)가 분할판(11)으로부터 들어올려지도록 웨이퍼 캐리어(1) 또는 반송 아암(2)을 이동하는 것이 바람직하다.

실리콘 웨이퍼(3)가 대상 반송 목적지까지 이동되도록 허용한 후, 반송 아암(2)용 구동 제어 장치는 실리콘 웨이퍼(3)의 흡인을 종료하고 실리콘 웨이퍼(3)가 해제된다.

이 방법으로, 웨이퍼 반송 장치에서, 실리콘 웨이퍼(3)의 반송 작업이 실행된다.

반면에, 실리콘 웨이퍼(3)는 (확산 공정, 에칭 공정, 및 노광 공정을 포함하는) 웨이퍼 공정과 조립 공정의 배면 연마 공정에서의 작업에 의해, 웨이퍼 캐리어(1) 등과의 마찰에 의해 대량의 정전기로 충전된다. 특히, 실리콘 웨이퍼(3)는 양전하로 충전된다.

웨이퍼 캐리어(1)가 절연재로 형성되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(3)가 충전되 는 정전기에 의해 용이하게 분산될 수 없고(용이하게 방전될 수 없고), 정전기는 웨이퍼 캐리어(1)에 누적된다.

이 실시형태에서, 반송 아암(2)은 또한 웨이퍼 반송 장치의 구조의 편리함을 위해 연마 처리하기 어렵고, 반송 아암(2)은 부동 상태에 있다.

실리콘 웨이퍼(3)가 충전되는 정전기의 일부에 의해, 반송 동안 반송 아암(2)으로 방사(방전)된다.

반송 아암(2)이 부동 상태이기 때문에, 실리콘 웨이퍼(3)(실리콘 웨이퍼에 충전된 정전기)로부터 정전기는 마찰에 의한 전기 방전을 통해서만 대기로 방전될 수 있다.

반송 아암(2)으로부터 정전기가 충분하게 방전되지 않는 경우, 반송 아암(2)이 실리콘 웨이퍼(3)로부터 이탈한 정전기로 충전되기 때문에, 반송 아암(2)의 표면 전위는 점차로 증가한다.

반송 아암(2)의 표면 전위가 높을 때, 반송 아암(2)과 양전하로 충전되는 실리콘 웨이퍼(3) 사이에 작용하는 반발력, 즉, 이들 사이의 반발력이 증가한다.

이 효과에 의해, 실리콘 웨이퍼(3)의 진동이 커질수록, 실리콘 웨이퍼(3)의 안정적 반송이 어렵게 되고, 또한, 실리콘 웨이퍼(3)가 웨이퍼 캐리어(1)의 분할판(11)과 접촉하여 손상될 가능성이 있다

따라서, 본 실시형태에서, 반송 아암(2)의 표면 전위의 상승을 억제하도록 반송 아암(2)의 정전기 방전율을 증가하기 위해서, 반송 아암(2)의 표면은 불화흑연재료의 코팅(27)으로 도포되어 반송 아암(2)의 표면이 적절한 저항의 전도성을 갖는다.

코팅(27)은 불화흑연재료에 제한하지 않으며, 물질이 높은 정전기 방전 특성을 갖는 경우 임의의 물질로 이루어질 수 있다.

높은 정전기 방전 특성을 갖는 물질은 충전된 정전기를 천천히 누설하는 특성, 예컨대, 약 10E5 내지 10E12 Ω/sq.을 갖는 물질이다.

높은 정전기 방전 특성을 갖는 물질이 반송 아암(2)의 베이스 재료(예컨대, SUS 재료, 철, 알루미늄, 및 세라믹)에 비교할 때 마찰 전기 시리즈에서 음극측에 위치한 물질이므로, 즉, 음전하(-)로 충전되기 쉬운 물질이 바람직하다.

반송 아암(2)의 전기 방전율을 증가하는 코팅(27)용 재료로서, 도전성 복합재, 불소수지 재료, 폴리에스테르 재료 등이 사용될 수 있다.

본 실시형태에 사용된 불화흑연재료의 코팅(27)은 비용, 및 금속으로 이루어진 베이스 재료에 관한 적합성과 접착성의 관점에서 매우 효과적이다.

또, 불화흑연재료의 코팅(27)은 충분한 마찰 저항과 적절한 전도성을 갖는다.

전술한 재료로 반송 아암(2)을 도포함으로써, 반송 아암(2)에 축적하는 정전기(양전하)는 실리콘 웨이퍼(3)의 반송 동안 대기로 누출(방전)되기 쉽다. 이처럼, 반송 아암(2)의 표면 전위의 상승이 억제될 수 있다.

이 구조에 의해, 반송 아암(2)과 실리콘 웨이퍼(3) 사이에 작용하는 반발력은 보다 감소될 수 있다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(3)의 진동의 효과가 감소(경감)될 수 있다.

따라서, 실리콘 웨이퍼(3)의 파괴율을 감소할 수 있다. 그 결과, 제조 공정에서의 수율이 증가될 수 있다.

실리콘 웨이퍼(3)의 진동의 효과가 감소(경감)될 수 있기 때문에, 본 발명은 보다 얇은 실리콘 웨이퍼(3)를 반송하는 경우에 적용될 수 있다.

또, 실리콘 웨이퍼(3)의 진동의 효과가 감소(경감)될 수 있기 때문에, 웨이퍼 캐리어(1)에서 분할판(11) 사이의 간격이 보다 작게 이루어질 수 있다.

종래, 반송 아암(2)이 SUS(스테인레스스틸) 재료로 제조된 베이스 재료로만 형성되는 경우, 반송 아암(2)의 표면 전위는 예컨대 200V이다. 한편, 동일 조건하에서, 불화흑연재료의 코팅(27)이 반송 아암(2)에 인가되는 경우에 반송 아암(2)의 표면 전위는 예컨대 약 0 내지 20V까지 감소될 수 있다.

즉, 불화흑연재료의 코팅(27)의 적용을 통해, 반송 아암(2)의 전하의 양은 코팅(27) 없이 반송 아암(2)의 전하의 양의 약 10%까지 감소될 수 있다.

전술한 바와 같이, 불화흑연재료의 코팅(27)의 적용을 통해, 부동 상태에서 반송 아암(2)의 정전기에 대한 충분한 계수 측정은 공전 제거장치와 같은 특수장치를 이용하지 않고 취해질 수 있다.

이 실시형태에 따르면, 반송 아암(2)에 불화흑연재료의 코팅(27)의 적용은, 반송 아암(2)이 웨이퍼 캐리어(1)로 삽입될 때 실리콘 웨이퍼(3)의 배면 상의 흠(flaw)의 발생을 억제하면서, 반송 아암(2)의 표면 상의 미끄러짐을 향상한다.

또, 본 실시형태에 따르면, 반송 아암(2)의 지지 섹션(21)(22)의 전단의 상부면을 스크레이핑(scraping)과 샤프닝(sharpening)함으로써, 반송 아암(2)을 웨이 퍼 캐리어(1)에 삽입시 실리콘 웨이퍼(3)의 배면에 관해서 접촉 저항을 감소하는 것이 가능하다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(3)는 보다 안정적 방법으로 반송될 수 있다.

본 실시형태에 따르면, 실리콘 웨이퍼(3)용 반송 아암(2)의 흡입공(23)이 실리콘 웨이퍼(3)의 중심과 일치하는 중심을 갖는 팬형상 영역에 설치되고, 즉, 흡입은 실리콘 웨이퍼(3)의 외주 형상에 대응하는 형상을 갖는 영역에서 실행되므로, 흡입을 실행하는 영역을 용이하게 확대하는 것이 가능하다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(3)는 보다 안정적인 방법으로 반송될 수 있다.

또, 흡입 영역을 팬 형상으로 형성함으로써, 실리콘 웨이퍼(3)와 반송 아암(2) 사이의 접촉부(흡입부)에 작용하는 응력은 적절하게 분산될 수 있고, 즉, 응력은 종래 기술과 달리 그 위에 집중하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(3)의 손상은 반송의 시간에 억제될 수 있다.

다음에, 전술한 웨이퍼 반송 장치가 장착되는 웨이퍼 외관 검사 장치의 실시예에 관해 설명한다.

도 4의 웨이퍼 외관 검사 장치는 6인치 웨이퍼와 8인치 웨이퍼 모두가 사용되는 것을 유의해야 한다.

도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 외관 검사 장치는 웨이퍼 캐리어 테이블(101), 반송 아암(102), 스테이지(201), 검출센서(202), 회전 아암(203), 및 검사 테이블(204)을 포함한다.

웨이퍼 캐리어 테이블(101)은 웨이퍼 캐리어(1)가 도 1에 도시한 웨이퍼 캐리어 장치에 배치되는 테이블이다. 웨이퍼 캐리어 테이블(101)에 배치된 웨이퍼 캐리어(1)는 소정의 피치로 복수의 반도체 웨이퍼(103)를 수납한다.

반송 아암(102)은 웨이퍼 반송 장치의 반송 아암(2)과 동일한 구조를 갖고 연결 아암에 결합되어 있다.

스테이지(201)는 회전 아암(203)과 반송 아암(102) 사이의 반도체 웨이퍼(103)의 이송시에 반도체 웨이퍼(103)가 일시적으로 배치되는 테이블이다.

검출 센서(202)는 반도체 웨이퍼(103)의 크기와 위치를 검출하도록 기능한다.

회전 아암(203)은 스테이지(201)와 검사 테이블(204) 사이의 반도체 웨이퍼(103)의 반송을 실행하도록 기능한다.

검사 테이블(204)에서, 반도체 웨이퍼(103)의 외관의 검사가 실행된다.

다음으로, 전술한 바와 같이 구성된 웨이퍼 외관 검사 장치의 동작에 관해서 설명한다.

반송 아암(102)은, 웨이퍼 캐리어 테이블(101)에 배치되고 검사되지 않은 웨이퍼 캐리어(1)에 수용되는 반도체 웨이퍼(103)를, 반도체 웨이퍼(103)를 흡입하고 유지하면서 스테이지(201)의 위치로 반송한다.

스테이지(201)로 반송된 반도체 웨이퍼(103)의 위치는 검출센서(202)에 의해 검출되면서 조정된다.

위치 조정의 완료후, 반송 아암(102)은 스테이지(201) 상의 반도체 웨이퍼 (103)를 해제한다.

이후에, 스테이지(201)에 배치된 반도체 웨이퍼(103)가 흡입되고 회전 아암(203)의 소정의 지지면(배치부)에 유지되고 있다.

회전 아암(203)은 반도체 웨이퍼(103)를 검사 테이블(204)의 위치로 반송하도록 180°회전된다.

소정의 외관 검사가 검사 테이블(204)에서 실행된 후, 회전 아암(203)은 다시 180°회전되고 반도체 웨이퍼(103)는 스테이지(201)에 배치된다.

스테이지(201)에 배치된 반도체 웨이퍼(103)는 반송 아암(102)에 의해 흡입되고 유지되며, 반도체 웨이퍼(103)가 웨이퍼 캐리어 테이블(101)에 배치된 웨이퍼 캐리어(1)에 수납(삽입)되도록 반도체 웨이퍼(103)를 유지하면서 반송 아암(102)이 구동된다.

전술한 반송 아암(2)과 유사하게, 반송 아암(102)은 SUS 재료로 형성된 베이스 재료의 표면에 적용된 불화흑연재료가 또한 도포된다.

대기로의 부동 단계에서 반송 아암(102)의 정전기 방전율의 증가는 반송 아암의 표면 전위의 상승의 적절한 억제를 허용한다.

그 결과, 반송 아암(102)과 반도체 웨이퍼(103) 사이에 작용하는 반발력의 감소는 반도체 웨이퍼(103)의 진동의 감소를 유도한다.

Claims

비접지상태의 반송 아암을 이용함으로써 박판 형상 웨이퍼를 반송하는 반송 장치에 있어서, 상기 반송 아암은 높은 정전기 방전 특성을 갖는 물질로 도포되는 반송 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 반송 아암은 반송 아암의 베이스 재료를 구성하는 물질과 비교했을 때 마찰 전기 시리즈(triboelectric series)에서 음극측에 위치된 물질로 도포되는 반송 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 반송 아암은 금속으로 제조된 베이스 재료를 포함하고, 상기 반송 아암은 불화흑연재료(fluorinated graphite material)로 도포되는 반송 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 반송 아암은 복수의 웨이퍼 수납 섹션을 갖는 카세트로부터 웨이퍼를 취출하고 이 웨이퍼를 카세트로 삽입하는 반송 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 반송 아암은, 웨이퍼가 배치되며 상기 반송 아암의 표면을 따라 연장하는 지지 섹션을 포함하고, 상기 지지 섹션의 두께가 지지 섹션의 전단을 향해 감소하도록 상기 지지 섹션이 형성되는 반송 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 반송 아암은, 웨이퍼를 흡입하고 고정하기 위해, 배치 상태에서 웨이퍼의 중심과 일치하는 중심을 갖는 팬 형상으로 배열되는 복수의 흡입공을 갖는 반송 장치.