KR20070071966A - 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너 - Google Patents

마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너 Download PDF

Info

Publication number
KR20070071966A
KR20070071966A KR1020050135843A KR20050135843A KR20070071966A KR 20070071966 A KR20070071966 A KR 20070071966A KR 1020050135843 A KR1020050135843 A KR 1020050135843A KR 20050135843 A KR20050135843 A KR 20050135843A KR 20070071966 A KR20070071966 A KR 20070071966A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
micro
photodetector
light
micromirror
Prior art date
Application number
KR1020050135843A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100738090B1 (ko
Inventor
좌성훈
원종화
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050135843A priority Critical patent/KR100738090B1/ko
Priority to US11/450,272 priority patent/US20070153351A1/en
Publication of KR20070071966A publication Critical patent/KR20070071966A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100738090B1 publication Critical patent/KR100738090B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems
    • G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
    • G02B26/127—Adaptive control of the scanning light beam, e.g. using the feedback from one or more detectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0181—See-saws
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0172—Seals

Abstract

본 발명은 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너를 개시한다. 본 발명의 양호한 실시예에 따른 마이크로 광스캐너는, 기판; 상기 기판 내에서 상기 기판과 일체로 형성된 것으로, 입사광을 스캐닝 하도록 시이소 운동을 하는 마이크로 미러; 상기 기판과 마이크로 미러를 둘러싸 밀폐하는 것으로, 상부에 광의 투과가 가능한 투명 윈도우를 구비하는 패키지 블록; 및 상기 마이크로 미러에 의해 스캐닝 되는 광 중에서 상기 투명 윈도우에서 반사되는 광을 검출하기 위한 적어도 하나의 광검출기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너{Micro optical scanner capable of measuring operation frequency of reflecting mirror}
도 1은 일반적인 마이크로 액츄에이터의 구조를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 일반적인 마이크로 액츄에이터의 구조를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너를 도시하는 사시도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
20.....마이크로 광스캐너 21.....광원
22a....하부 패키지 블록 22b....상부 패키지 블록
23.....실리콘 기판 24.....마이크로 미러
25.....광검출기 26.....투명 윈도우
27.....광흡수층 28.....스크린
본 발명은 고속으로 구동되는 마이크로 미러를 구비하는 마이크로 광스캐너에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너에 관한 것이다.
MEMS(Micro-electro-mechanical system) 기술에 의해 제공되는 마이크로 액츄에이터는, 통상, SOI(Silicon on insulator) 기판의 상하층에 각각 빗살 모양의 구동콤전극과 고정콤전극이 형성된 수직 콤전극 구조를 구비하고 있다.
도 1은 이러한 수직 콤전극 구조를 구비하는 일반적인 마이크로 액츄에이터의 구조를 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 2는 상기 마이크로 액츄에이터의 단면도이다. 도 1 및 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 마이크로 액츄에이터(10)는, 일반적으로, 고정콤전극(12)이 형성된 하부 실리콘 기판(11) 위에 구동콤전극(17)이 형성된 상부 실리콘 기판(14)을 적층한 구조이다. 상기 상하부 실리콘 기판(11,14) 사이에는 산화물층과 같은 절연층(13)이 형성되어 있다. 구동콤전극(17)은, 스프링(16)을 통해 상부 실리콘 기판(14)과 연결되는 구동판(15)의 양측에 수직으로 형성되어 있다. 한편, 고정콤전극(12)은 상기 구동콤전극(17)과 엇갈리는 위치에서 하부 실리콘 기판(11) 내에 형성되어 있다. 이러한 구조에서, 구동콤전극 (17)과 고정콤전극(12)에 전압을 인가하면, 상기 구동콤전극(17)과 고정콤전극(12) 사이에 작용하는 정전기력에 의해 구동판(15)이 y-축을 중심으로 시이소 운동을 하게 된다. 도 1에는 편의상, 상기 구동판(15)이 한쪽 방향으로만(즉, y-축을 중심으로만) 시이소 운동을 할 수 있게 도시되어 있다. 그러나, 구동판(15)이 y-축 뿐만 아니라 x-축을 중심으로도 시이소 운동 할 수 있도록 설계하는 것도 가능하다. 또한, 도 1 및 도 2에는 도시되어 있지 않지만, 상기 마이크로 액츄에이터는 구동판(15)을 밀폐하기 위한 패키지 블록을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 구동판(15)이 마이크로 미러로서 형성되는 경우, 이러한 마이크로 액츄에이터는, 예컨대, 레이저 TV 등에서 영상을 고속으로 스크린에 주사하기 위한 마이크로 광스캐너로서 이용될 수 있다. 상기 마이크로 액츄에이터가 광스캐너로서 이용되는 경우, 레이저 TV의 대형 스크린에 영상을 빠르게 주사하기 위하여 마이크로 미러가 매우 고속으로 동작해야 할 필요가 있다. 일반적으로, 마이크로 미러의 동작 주파수는 구동콤전극(17)과 고정콤전극(12)에 인가되는 전류의 주파수에 의해 결정된다. 특히, 마이크로 미러가 가장 효율적이고 빠르게 동작하기 위해서는, 상기 마이크로 미러 자체의 구조에 의해 결정되는 고유의 공진 주파수에 맞추어 전류를 인가하는 것이 바람직하다.
그런데, MEMS 기술에 의한 제조 공정상의 공차로 인하여, 각각의 마이크로 미러 마다 고유의 공진 주파수가 다르다는 문제가 있다. 그 결과, 동일한 크기와 주파수의 전류를 인가하더라도 마이크로 미러 마다 동작 주파수가 차이가 나게 된다. 따라서, 마이크로 미러의 공진 주파수 또는 동작 주파수를 정확하게 측정하는 것이 매우 중요하다. 마이크로 미러의 공진 주파수 또는 동작 주파수를 정확하게 알게 되면, 예컨대, 피드백 제어를 통하여 마이크로 미러의 동작 주파수를 소망하는 값으로 조정하는 것이 가능하기 때문이다.
그러나, 종래의 경우, 이러한 마이크로 미러의 공진 주파수 또는 동작 주파수를 간단한 방법으로 정확하게 측정하는 기술이 개시되지 않았다. 예컨대, 미국특허 제6,593,677호의 경우, 마이크로 미러의 동작 주파수를 검출하는 수단으로서, 위치 센서, 커패시턴스 센서, 압전 센서, 광센서 등을 제안하고 있으나, 상기 센서를 이용하여 구체적으로 어떻게 동작 주파수를 측정하는 지에 대해서는 명확하게 제시하고 있지 못하다. 또한, 광검출 수단으로서 별도의 광섬유를 다수 사용하기 때문에, 제조 비용 부담이 커질 뿐만 아니라, 마이크로 광스캐너 상에 다수의 광섬유를 정렬하여야 하는 문제도 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 개선하기 위한 것이다. 따라서, 본 발명의 목적은 간단하고 저렴한 방법으로 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너를 제공하는 것이다.
본 발명의 양호한 실시예에 따른 마이크로 광스캐너는, 기판; 상기 기판 내에서 상기 기판과 일체로 형성된 것으로, 입사광을 스캐닝 하도록 시이소 운동을 하는 마이크로 미러; 상기 기판과 마이크로 미러를 둘러싸 밀폐하는 것으로, 상부에 광의 투과가 가능한 투명 윈도우를 구비하는 패키지 블록; 및 상기 마이크로 미 러에 의해 스캐닝 되는 광 중에서 상기 투명 윈도우에서 반사되는 광을 검출하기 위한 적어도 하나의 광검출기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 광검출기는 상기 기판 위에서 상기 기판과 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 광검출기는 상기 기판 위에서, 예컨대, CMOS 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 마이크로 미러는 서로 수직인 제 1 및 제 2 스캐닝 방향을 가질 수 있으며, 이 경우, 상기 광검출기는, 제 1 스캐닝 방향으로의 동작 주파수를 측정하기 위한 제 1 광검출기와 제 2 스캐닝 방향으로의 동작 주파수를 측정하기 위한 제 2 광검출기를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 1 광검출기와 제 2 광검출기는 각각 상기 기판의 서로 수직하게 인접하는 두 변 근방에 배치되는 것이 바람직하다.
이러한 구조에서, 상기 광검출기에서 광이 검출되는 주기로부터 상기 마이크로 미러의 동작 주파수를 측정하는 것이 가능하다.
한편, 상기 패키지 블록의 상부에서, 적어도 상기 투명 윈도우 부분은 경사지게 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 패키지 블록의 상부의 내면에서, 상기 투명 윈도우 이외의 영역에는 스캐닝 되는 광의 반사를 방지하기 위한 광흡수층이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 기판은 수직하게 형성된 다수의 고정 콤전극을 구비 하며, 상기 마이크로 미러는 수직하게 형성된 다수의 구동 콤전극을 구비하고, 상기 다수의 고정 콤전극과 구동 콤전극은 서로 교번하도록 배치된 것을 특징으로 한다.
예컨대, 상기 기판은 SOI(Silicon on insulator) 기판일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로 광스캐너의 구조 및 동작에 대해 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 광스캐너를 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 광스캐너(20)는, 시이소 운동하는 마이크로 미러(24)가 일체로 형성된 SOI 기판(23)과 상기 마이크로 미러(24) 및 SOI 기판(23)을 밀폐하도록 둘러싸는 패키지 블록(22a,22b)을 포함한다. 상기 마이크로 미러(24)와 SOI 기판(23)은 MEMS 기술에 의해 제공되며, 빗살 모양의 구동콤전극과 고정콤전극으로 이루어진 공지된 수직 콤전극 구조를 갖는다. 즉, 도 1을 통해 설명한 바와 같이, 마이크로 미러(24)의 양측면에 다수의 구동콤전극이 수직으로 형성되어 있고, SOI 기판(23)에는 다수의 고정콤전극이 상기 다수의 구동콤전극과 교번하도록 수직하게 형성되어 있다.
또한, 상기 SOI 기판(23) 상에는 마이크로 미러(24)에 의해 반사되는 광을 검출하기 위한 광검출기(25)가 형성되어 있다. 상기 광검출기(25)는, 예컨대, CMOS 공정을 통해 상기 SOI 기판(23) 위에서 상기 SOI 기판(23)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, SOI 기판(23)을 에칭하여 SOI 기판(23)의 내부에 마이크로 미러(24)를 만 드는 공정에서 상기 광검출기(25)를 만드는 공정을 더 부가할 수 있다. 그러나, 예컨대, 포토 다이오드와 같은 별도의 광검출용 반도체 소자를 광검출기(25)로서 SOI 기판(23)에 설치할 수도 있다. 별도로 제공되는 광검출용 반도체 소자를 이용하는 경우, 상기 광검출기(25)는 반드시 SOI 기판(23) 위에만 형성될 필요는 없으며, 예컨대, 하부 패키지 블록(22a) 위에 설치될 수도 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 광스캐너(20)에서, 마이크로 미러(24)는 그 크기가 수 mm 이하가 될 정도로 작기 때문에, 외부 환경에 매우 민감하다. 따라서, 광스캐너(20)의 성능을 유지하고, 외부 환경의 변화로부터 보호하기 위하여, 패키지 블록(22a,22b)을 이용하여 상기 마이크로 미러(24) 및 SOI 기판(23)에 대해 허메틱 실링(hermetic sealing)을 한다. 예컨대, 하부 패키지 블록(22a)에 상기 SOI 기판(23)을 본딩한 후, 상부 패키지 블록(22b)을 하부 패키지 블록(22a)에 접합하여, 상기 SOI 기판(23)을 밀폐시킨다. 상부 패키지 블록(22b)은, 광원(21)에서 방출된 광이 마이크로 미러(24)에 입사할 수 있도록 광의 투과가 가능한 투명 윈도우(26)를 구비한다. 또한, 상기 투명 윈도우(26) 이외의 영역에서 광이 반사 또는 투과되는 것을 방지하기 위하여, 투명 윈도우(26) 이외의 상부 패키지 블록(22b)의 내면에는 광흡수층(27)이 형성되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 상부 패키지 블록(22b)은, 투명 윈도우(26) 이외의 영역에 광흡수층(27)이 코팅된 유리 기판으로 이루어질 수 있다. 한편, 광원(21)으로부터 방출된 광 중에서 상기 투명 윈도우(26)를 투과하지 못하고 반사된 광이 스크린(28)으로 입사하는 경우, 빛의 간섭으로 인하여 스크린(28)에 형성되는 영상이 왜곡될 수 있다. 이를 방 지하기 위하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상부 패키지 블록(22b)이 경사지게 형성될 수 있다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 광스캐너(20)에서, 마이크로 미러(24)의 동작 주파수를 측정하는 방법은 다음과 같다.
예컨대, 레이저 다이오드(LD)와 같은 광원(21)에서 방출되는 광은, 상부 패키지 블록(22b)의 투명 윈도우(26)를 통과한 다음, 마이크로 미러(24)에 의해 반사되어 다시 투명 윈도우(26)를 투과한 후, 스크린(28)에 입사하게 된다. 이때, 공지된 바와 같이, 마이크로 미러(24)에 형성된 구동콤전극과 SOI 기판(23)에 형성된 고정콤전극에 전압을 인가하면, 구동콤전극과 고정콤전극 사이에 작용하는 정전기력에 의해 마이크로 미러(24)가 시이소 운동을 하게 된다. 그러면, 상기 광원(21)에서 방출되는 광은, 시이소 운동을 하는 마이크로 미러(24)에 의해 스크린(28)의 좌측에서 우측으로 또는 우측에서 좌측으로 스캐닝된다.
여기서, 상기 마이크로 미러(24)에 의해 반사되는 광이 모두 상기 투명 윈도우(26)를 투과하는 것은 아니며, 일부는 투명 윈도우(26)에 의해 반사되어 마이크로 광스캐너(20)의 내부로 향하게 된다. 그 결과, 투명 윈도우(26)에 의해 반사된 광은, 상기 마이크로 미러(24)의 동작 주기와 동일한 주기로 마이크로 광스캐너(20)의 내부에서 특정한 경로를 따라 스캐닝 될 것이다. 광검출기(25)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 마이크로 광스캐너(20)의 내부에서 반사광의 스캐닝 경로상에 위치한다. 도 3에서는 상기 광검출기(25)가 SOI 기판(23) 상에 위치하고 있으나, 하부 패키지 블록(22a) 상에 위치하는 것도 가능하다. 따라서, 상기 광검출기 (25)에서 광이 검출되는 주기를 측정하면, 마이크로 미러(24)의 동작 주파수를 정확하게 계산할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 양호한 실시예에 따르면, 스크린에 영상을 제공하기 위한 광원 이외에 별도의 광원이나 광학계를 사용하지 않고도, 간단한 방식으로 마이크로 미러의 동작 주파수를 정확하게 측정하는 것이 가능하다. 또한, 마이크로 미러가 형성될 SOI 기판 위에, 예컨대, CMOS 공정을 이용하여 광검출기를 SOI 기판과 일체로 제작하는 것도 가능하므로, 광검출기는 마이크로 미러와 동시에 제조될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 마이크로 광스캐너를 제조하는 데 있어서 부가적인 비용이 거의 발생하지 않는다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 광스캐너(20)를 도시하고 있다. 도 4에 도시된 마이크로 광스캐너(20)의 경우, 상부 패키지 블록(22b)에서 투명 윈도우(26) 부분만이 경사지게 형성되어 있으며, 상부 패키지 블록(22b)의 다른 부분은 수평으로 형성되어 있다. 따라서, 마이크로 광스캐너(20)의 전체적인 높이를 감소시키는 것이 가능하다. 도 4에 도시된 마이크로 광스캐너에서, 상기 상부 패키지 블록의 형태를 제외한 나머지 구조는, 도 3에 도시된 마이크로 광스캐너의 구조와 동일하다.
또한, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 광스캐너(20)의 구조를 도시하는 분해 사시도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, SOI 기판(23)은 하부 패키지 블록(22a)의 바닥면에 본딩되며, 상부 패키지 블록(22b)이 상기 하부 패키지 블록(22a)과 접합됨으로서, SOI 기판(23) 및 마이크로 미러(24)는 외부로부터 밀폐될 수 있다.
한편, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 마이크로 미러(24)는 하나의 축을 중심으로만 시이소 운동을 하는 것이 아니라, 서로 수직인 두 개의 축을 중심으로 시이소 운동을 하도록 제조될 수도 있다. 스크린(28)에 완전한 영상을 형성하기 위해서는, 스크린(28)의 좌우 방향 뿐만 아니라 스크린(28)의 상하 방향으로도 스캐닝을 하여야 하기 때문이다. 이에 따라, 스캐닝 방향에 따른 마이크로 미러(24)의 동작 주파수를 각각 별도로 측정할 필요가 있다. 따라서, 본 발명에 따른 마이크로 광스캐너(20)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 서로 다른 방향으로 스캐닝 되는 광을 각각 검출하기 위한 두 개의 광검출기(25a,25b)를 구비하는 것이 바람직하다. 예컨대, 제 1 광검출기(25a)는 좌우 방향으로 스캐닝될 때의 마이크로 미러(24)의 동작 주파수를 측정하기 위한 것이며, 제 2 광검출기(25b)는 상하 방향으로 스캐닝될 때의 마이크로 미러(24)의 동작 주파수를 측정하기 위한 것일 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 광검출기(25a)와 제 2 광검출기(25b)는 상기 SOI 기판(23)의 서로 수직하게 인접하는 두 변의 근방에 각각 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 스크린에 영상을 제공하기 위한 광원 이외에 별도의 광원이나 광학계를 사용하지 않고도, 간단한 방식으로 마이크로 미러의 동작 주파수를 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
또한, 마이크로 미러가 형성될 SOI 기판 위에 광검출기를 상기 SOI 기판과 일체로 제작하는 것도 가능하다. 그 결과, 상기 광검출기는 마이크로 미러와 동시 에 제조될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 마이크로 광스캐너를 제조하는 데 부가적인 비용이 거의 발생하지 않는다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 내에서 상기 기판과 일체로 형성된 것으로, 입사광을 스캐닝 하도록 시이소 운동을 하는 마이크로 미러;
    상기 기판과 마이크로 미러를 둘러싸 밀폐하는 것으로, 상부에 광의 투과가 가능한 투명 윈도우를 구비하는 패키지 블록; 및
    상기 마이크로 미러에 의해 스캐닝 되는 광 중에서 상기 투명 윈도우에서 반사되는 광을 검출하기 위한 적어도 하나의 광검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광검출기는 상기 기판 위에서 상기 기판과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광검출기는 상기 기판 위에서 CMOS 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 미러는 서로 수직인 제 1 및 제 2 스캐닝 방향을 가지며, 상기 광검출기는, 제 1 스캐닝 방향으로의 동작 주파수를 측정하기 위한 제 1 광검출기와 제 2 스캐닝 방향으로의 동작 주파수를 측정하기 위한 제 2 광검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 광검출기와 제 2 광검출기는 각각 상기 기판의 서로 수직하게 인접하는 두 변의 근방에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광검출기에서 광이 검출되는 주기로부터 상기 마이크로 미러의 동작 주파수를 측정하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 블록의 상부에서, 적어도 상기 투명 윈도우 부분은 경사지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 패키지 블록의 상부의 내면에서, 상기 투명 윈도우 이외의 영역에는 스캐닝 되는 광의 반사를 방지하기 위한 광흡수층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하 는 마이크로 광스캐너.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 수직하게 형성된 다수의 고정 콤전극을 구비하며, 상기 마이크로 미러는 수직하게 형성된 다수의 구동 콤전극을 구비하고, 상기 다수의 고정 콤전극과 구동 콤전극은 서로 교번하도록 배치된 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 SOI(Silicon on insulator) 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 광스캐너.
KR1020050135843A 2005-12-30 2005-12-30 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너 KR100738090B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050135843A KR100738090B1 (ko) 2005-12-30 2005-12-30 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너
US11/450,272 US20070153351A1 (en) 2005-12-30 2006-06-12 Micro optical scanner capable of measuring operating frequency of micro mirror

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050135843A KR100738090B1 (ko) 2005-12-30 2005-12-30 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070071966A true KR20070071966A (ko) 2007-07-04
KR100738090B1 KR100738090B1 (ko) 2007-07-12

Family

ID=38224056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050135843A KR100738090B1 (ko) 2005-12-30 2005-12-30 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070153351A1 (ko)
KR (1) KR100738090B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110082158A (ko) * 2008-11-03 2011-07-18 로베르트 보쉬 게엠베하 마이크로 기계 부품 및 마이크로 기계 부품의 작동 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8411194B2 (en) * 2005-08-22 2013-04-02 Texas Instruments Incorporated Methods for combining camera and projector functions in a single device
JP4965935B2 (ja) * 2006-08-24 2012-07-04 キヤノン株式会社 光偏向器、光走査装置及び走査型画像表示装置
JP2010085434A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Sanyo Electric Co Ltd ビーム照射装置および位置検出装置
JP2015022158A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社リコー 光走査装置および画像表示装置
JP6459392B2 (ja) * 2014-10-28 2019-01-30 ミツミ電機株式会社 光走査装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63113513A (ja) 1986-10-31 1988-05-18 Citizen Watch Co Ltd 光走査装置
JPH02211417A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Yokogawa Electric Corp 光偏向装置
US6044705A (en) * 1993-10-18 2000-04-04 Xros, Inc. Micromachined members coupled for relative rotation by torsion bars
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5742419A (en) * 1995-11-07 1998-04-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Universtiy Miniature scanning confocal microscope
US5992233A (en) * 1996-05-31 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope
US6295154B1 (en) * 1998-06-05 2001-09-25 Texas Instruments Incorporated Optical switching apparatus
US6593677B2 (en) * 2000-03-24 2003-07-15 Onix Microsystems, Inc. Biased rotatable combdrive devices and methods
US7532227B2 (en) * 2002-07-02 2009-05-12 Ricoh Company, Ltd. Optical scanner and image forming apparatus
US6769616B2 (en) 2002-11-22 2004-08-03 Advanced Nano Systems Bidirectional MEMS scanning mirror with tunable natural frequency
US7345806B2 (en) 2004-06-23 2008-03-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for characterizing microelectromechanical devices on wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110082158A (ko) * 2008-11-03 2011-07-18 로베르트 보쉬 게엠베하 마이크로 기계 부품 및 마이크로 기계 부품의 작동 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20070153351A1 (en) 2007-07-05
KR100738090B1 (ko) 2007-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100667291B1 (ko) 마이크로 미러 소자 패키지 및 그 제조방법
KR100738090B1 (ko) 마이크로 미러의 동작 주파수의 측정이 가능한 마이크로광스캐너
US10914939B2 (en) MEMS reflector system
KR100724740B1 (ko) 미러 패키지 및 광 스캐너
US11635290B2 (en) Optical module
US20180031822A1 (en) Process for manufacturing a mems micromirror device, and associated device
JP2009003429A (ja) アクチュエータ
US7149022B2 (en) Optical scanner with curved mirror and method of manufacturing the same
US20070008674A1 (en) Small thin film movable element, small thin film movable element array and method of driving small thin film movable element
JP2016099567A (ja) 光偏向器、光走査装置、画像形成装置及び画像投影装置
JP2012150350A (ja) 機能素子パッケージ、光走査装置、画像形成装置及び機能素子パッケージのパッケージング方法
JP5557113B2 (ja) 画像表示装置
JP7225771B2 (ja) 可動装置、距離測定装置、画像投影装置、車両、及び台座
JP2012026935A (ja) センサ装置
JP2010060689A (ja) 光学反射素子ユニット
JP7049737B2 (ja) パッケージ型光偏向装置
JP7247553B2 (ja) 可動装置、画像投影装置、ヘッドアップディスプレイ、レーザヘッドランプ、ヘッドマウントディスプレイ、物体認識装置、及び車両
JP2012027338A (ja) 光ビーム走査装置およびそれを用いたセンサ装置
KR102108434B1 (ko) 수직 쉬프트 방식의 정전 구동기 및 그를 갖는 광 스캐너
US20230359019A1 (en) Micromechanical resonator wafer assembly and method of fabrication thereof
KR102088261B1 (ko) 수직 쉬프트 방식의 정전 구동기 및 그를 갖는 광 스캐너
JP7243174B2 (ja) 可動装置、距離測定装置、画像投影装置、及び車両
US20220155582A1 (en) Operating device, light deflector, light deflecting device, distance measurement apparatus, image projection apparatus, and mobile object
CN110799886B (zh) 光学装置
JP2023005225A (ja) 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee