KR20070066511A - 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 유기 박막 트랜지스터및 이를 구비한 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 기판 상부에 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 접촉된 유기 반도체층, 상기 소스 및 드레인 전극 또는 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극, 및 상기 소스 및 드레인 전극 또는 상기 유기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연층을 형성하는 제1단계; 및상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 유기 반도체층 및 절연층 중 하나 이상을 패터닝하는 제2단계;를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1단계가,기판 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상부에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1단계가,기판 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극 상부에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판이 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 메탈 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 메탈 기판이 SUS 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 유기 반도체층이 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 유기 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연층이 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 멜라민 수지, 폴리비닐알콜 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리비닐페놀, 폴리(에테르 에테르)케톤, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(페닐렌 설파이드), 벤조사이클로부텐, 폴리이미드류, 폴리아미드류, 폴리케톤류 및 폴리노보르넨류로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 전극이 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Nd 및 W로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극 및 게이트 전극을 증착법 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2단계를 건식 식각법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 건식 식각법을 할로겐화탄소, 할로겐화규소, 할로겐화질소, 산화규소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 식각 가스를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 건식 식각법을 CF4, CClF3, CCl2F2, CCl3F, CBrF3, CBr2F2, CBr3F, CHClF2, CHCl2F, C2F5Cl, SF6, NF3, SiO2 및 SiN으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 식각 가스를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스 터의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 건식 식각법을, 20sccm 내지 100sccm의 유량으로 30초 내지 300초 동안 식각 가스를 흘려줌으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터.
- 제14항의 유기 박막 트랜지스터 및 표시 소자를 포함한 평판 표시 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 유기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 표시 소자의 화소 전극이 일체형인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 표시 소자가 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
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