KR20070065463A - 고체 전해 콘덴서 제조방법 - Google Patents

고체 전해 콘덴서 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하기 이전에 양극와이어와 전도성부재를 미리 접합함으로써, 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성한 후에 양극와이어와 전도성부재를 접합할 경우에 비하여 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제를 해결할 수 있는 고체 전해 콘덴서 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은, 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성하는 단계; 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어를 제1 전도성플레이트에 용접하는 단계; 상기 제1 전도성플레이트에 용접된 복수의 펠릿과 상기 제1 전도성플레이트와의 사이에 전도성부재를 배치하여 상기 전도성부재와 양극와이어를 접합하는 단계; 상기 전도성부재와 펠릿과의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화하는 단계; 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하는 단계; 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계; 및 상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계;를 포함한다.
탄탈소자, 고체 전해 콘덴서, 유전체층, 음극층, 전도성부재, 절연물질

Description

고체 전해 콘덴서 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER}
도 1은 종래기술에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도
도 2는 종래기술에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트
도 3은 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서의 사시도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트
본 발명은 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 콘덴서소자의 용적율을 증가시켜 고용량화 할 수 있을 뿐만 아니라, 콘덴서 패키지를 소형화할 수 있는 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 고체 전해 콘덴서는 전기를 축적하는 기능 이외에 직류전류를 차단하고 교류 전류를 통과시키려는 목적에도 사용되는 전자부품이며, 이러한 고체 전해 콘덴서 중 가장 대표적인 탄탈륨 콘덴서는 일반 산업기기용은 물론 정격전압 사용 범위가 낮은 응용회로에 사용되며, 특히 주파수 특성이 문제되는 회로나 휴대 통신기기의 잡음 감소를 위하여 많이 쓰이고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도이며, 도 2는 이러한 종래기술에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트를 나타낸다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저, 금속 분말 성형체(11)에 양극와이어(13)를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성한다.
다음, 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(13)를 제1 전도성플레이트(14)에 용접한다(s21). 이러한 용접 전 또는 후에 상기 펠릿에 테플론 배리어(Teflon Barrier)를 형성한다.
그 후, 상기 제1 전도성플레이트(14)에 용접된 복수의 펠릿의 표면에 화성공정에 의하여 유전체층 및 소성공정에 의하여 음극층(15)을 순차적으로 형성한다(s22).
그 다음, 상기 유전체층 및 음극층(15)이 형성된 복수의 펠릿과 상기 제1 전도성플레이트(14) 사이에 전도성부재(16)를 배치하여 상기 전도성부재(16)와 상기 양극와이어(13)를 접합하게 된다(s23).
그런 다음, 상기 펠릿의 전도성부재(16) 및 음극층(15) 각각이 양극리드와 음극리드가 형성된 리드프레임(17) 상에 각각 접합하여 개별소자화한 후(s24), 마지막으로 상기 개별소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계(s25)를 수행하여 일련의 공정을 마치게 된다.
즉, 콘덴서소자를 제조하는 공정은 프레스 공정에서 유전체분말을 직육면체 상으로 성형하여 소결하고, 화성 공정을 거치면서 외부면에 유전체 피막(탄탈 소자의 경우 Ta2O5)을 형성한 다음, 질산망간수용액에 함침하여 그 외부면에 고체 전해질로 된 이산화 망간층(MnO2)을 열분해하여 형성한다. 상기와 같이 제조된 콘덴서소자에 상기 양극 및 음극 리드프레임을 연결하는 공정은, 상기 콘덴서소자의 일측면에 일정 길이로 돌출된 봉 상의 양극와이어의 압공면에 판 상의 양극 리드프레임을 용접하여 양극단자를 인출하는 단계와, 상기 콘덴서소자의 외부면에 도포된 카본분말, 은분말과 같은 도전성 접착제를 매개로 하여 상기 음극 리드프레임을 은(Ag) 패이스트로 접착하여 음극단자를 인출하는 단계로 이루어진다. 마지막으로, 상기 양극 및 음극 리드프레임에 각각 전기적으로 연결된 상기 콘덴서소자는 외장 공정에서 에폭시로 몰딩한 에폭시케이스로서 패키지를 형성한 후, 기타 조립 공정을 통해 고체 전해 콘덴서로 완성된다.
그러나, 이러한 종래기술에 의한 제조방법에 있어서 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성한 후에 양극와이어와 전도성부재를 접합함에 의하여, 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제가 있었다.
또한, 전도성부재 자체의 부피에 의하여 높은 용량의 콘덴서 소자를 구현하는데 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하기 이전에 양극와이어와 전도성부재를 미리 접합함으로써, 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성한 후에 양극와이어와 전도성부재를 접합할 경우에 비하여 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제를 해결할 수 있는 고체 전해 콘덴서 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 콘덴서 패키지 내부에 위치하는 전도성부재를 와이어 타입으로 변경함으로써 콘덴서소자의 용적율을 증가시킬 수 있는 고체 전해 콘덴서 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은, 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성하는 단계; 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어를 제1 전도성플레이트에 용접하는 단계; 상기 제1 전도성플레이트에 용접된 복수의 펠릿과 상기 제1 전도성플레이트와의 사이에 전도성부재를 배치하여 상기 전도성부재와 양극와이어를 접합하는 단계; 상기 전도성부재와 펠릿과의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화하는 단계; 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하는 단계; 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계; 및 상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계;를 포함한다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 또다른 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은, 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성하는 단계; 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어를 제1 전도성플레이트에 용접하는 단계; 상기 양극와이어가 형성된 펠릿의 일면과 상기 제1 전도성플레이트와의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화하는 단계; 상기 절연물질과 상기 제1 전도성플레이트과의 사이에 전도성부재를 배치하여 상기 전도성부재와 양극와이어를 접합하는 단계; 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하는 단계; 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계; 및 상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 전도성부재로서 하나의 연결된 상태의 부재를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 용접하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 전도성부재로서 복수의 개별 부재를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 각각 용접하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 복수의 개별 부재로서 와이어를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 각각 용접하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계는, 상기 펠릿을 개별소자로 분리한 후 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계는, 상기 펠릿을 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합한 후 개별소자로 분리하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 코팅되는 절연물질로서 테플론(Teflon), 방수제 및 글래스로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 양극리드와 음극층 사이에 절연물질을 추가적으로 코팅하는 것이 더욱 바람직하다.
나아가, 상기 전도성부재로서 부식될 수 있는 소재를 사용할 경우 상기 절연물질이 상기 전도성부재 전체를 코팅하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 부식될 수 있는 소재로서 Ni, Zn, Au 및 Cu 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전도성부재로서 탄탈 또는 니오브 재질을 사용하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.
고체 전해 콘덴서
도 3은 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서(30)의 사시도를 나타낸다. 이 고체 전해 콘덴서(30)는 소정 거리 이격되어 배치된 양극리드(37a) 및 음극리드(37b)와 상기 음극리드(37b)에 접속되는 콘덴서 소자와 양극리드(37a)에 접속되는 전도성부재(36)와 이들을 에폭시 수지 등과 같은 열경화성 수지에 의하여 포장하여 형성되는 수지 패키지(38)로 구성된다.
콘덴서 소자는 직육면체 형성의 소자본체(31)를 갖고 그 한쪽 끝면으로부터 양극와이어(33)가 돌출하여 연장되어 있다. 상기 소자본체(31)는 탄탈(Tantal) 등의 금속분말을 압축 성형하고 소결시킨 다공질 소결체에 대하여 양극와이어의 기단부가 매설되고, 상기 금속분말의 표면에 유전체로서의 산화피막(TaO5)이 형성되고, 또한 다공질 소결체의 외주면에 반도체층, 탄소층이 각각 형성되고 상기 탄소층의 표면이 은 등과 같은 금속층(35)으로 도포된 구성으로 되어 있다. 여기서, 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결한 것을 '펠릿(pellet)'이라고 한다. 또한, 이러한 금속층(35)은 콘덴서 소자에 있어서 음극으로서 기능한다. 상기 소 자본체(31)는 음극리드(37b)의 상면에 예를 들어 도전성 접착제에 의하여 접합되어 있다. 한편, 다공질 소결체로서 알루미늄(Al) 또는 니오브(Nb) 등의 금속분말을 사용하는 것도 가능함은 물론이다.
양극와이어(33)는 다공질 소결체와 동종의 금속인 탄탈 등에 의하여 형성되고 양극리드(37a)의 상면에 전도성부재(36)를 이용하여 접속되어 있다.
양극리드(37a) 및 음극리드(37b)는 가령 동 등과 같은 판상도체에 의하여 형성되고, 그 상면은 평탄화되어 있으며 서로의 상면과 실질적으로 동일 평면상에 위치하도록 설계된다. 상기 양극리드(37a)의 상면은 전도성부재(36)가 탑재 가능하도록 충분한 면적을 가지도록 형성되며, 상기 음극리드(37b)는 콘덴서 소자가 탑재 가능하도록 충분히 큰 면적을 필요로 한다. 그리고 양 리드의 하면은 수지 패키지의 하면에 단자면으로서 노출되어 있어 배선기판 등에 표면실장할 수 있도록 되어 있다.
전도성부재(36)는, 소자본체(31)가 음극리드(37b)에 접속하는 경우 거의 수평방향으로 연장되어 있는 양극와이어(37a)와 양극리드(37a)를 서로 전기적으로 도통하기 위하여 설치되는데, 특정 형상에 구애받지 않고 자유롭게 설계가능하다. 특히 상기 전도성부재(36)로서 탄탈, 니오브, Ni, Zn, Au 및 Cu 또는 그 합금의 재질이 사용될 수 있으며, Ni, Zn, Au 및 Cu 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나와 같이 부식될 수 있는 소재를 사용할 경우 후술하는 절연물질이 상기 전도성부재(36) 전체를 코팅하는 것이 바람직하다. 한편, 일반적으로 전도성부재(36)와 양극와이어(37a)는 스팟용접 등과 같은 전기저항용접에 의하여 결합되거나, 또는 도전성 수지 페이스트나 일반 용접에 의하여 접속되는 것도 가능하지만, 임피던스 특성이나 접속저항 등을 고려할 경우 전기저항용접에 의하여 결합되는 것이 바람직하다.
테플론 배리어에 해당하는 절연물질(32)은, 상기 금속분말의 표면에 유전체로서의 산화피막이 형성되고, 또한 다공질 소결체의 외주면에 반도체층, 탄소층이 각각 형성되고 상기 탄소층의 표면이 은 등과 같은 금속층으로 도포되는 공정 중 산화피막인 MnO2 형성공정에서 질산망간 함침액의 상승에 의한 양극와이어의 오염을 방지하기 위하여 형성된다. 상기 절연물질(32)은 상기 전도성부재(36)와 펠릿과의 사이에 코팅하여 경화되는 것으로서 테플론(Teflon), 방수제 및 글래스로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 어느 하나가 사용될 수 있으며 테플론의 경우 테이프나 액체를 코팅한 후 경화하여 사용한다.
수지패키지(38)는 콘덴서소자, 전도성부재 및 양극, 음극리드 등을 덮고 고체 전해 콘덴서의 외관을 형성하는 역할을 한다. 여기서 수지패키지(38)의 하면측에서는 음극리드(37b) 및 양극리드(37a)의 하면이 각각 외부에 노출되고 노출된 하면은 서로 실질적으로 동일한 크기를 갖는다.
고체 전해 콘덴서의 제조방법
이하, 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 대하여 그 구체적인 실시예에 기초하여 설명하도록 한다.
실시예 1
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트를 나타낸다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은 다음과 같다.
먼저, 금속 분말 성형체에 양극와이어(43)를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성한다. 상기 소결 펠릿(41)은 콘덴서의 용량을 결정하고 기타 주요특성에 중요한 영향을 미치는 탄탈 콘덴서의 핵심 소재로서 표면적을 늘리기 위하여 미세하고 복잡한 형태의 탄탈륨 분말을 사용하여 일정 크기로 성형 소결한 제품으로 액처리(화성 및 소성)을 하기 위해 약 0.7~2㎛의 미세기공이 50~60% 차지하고 있는 다공질체이다.
다음, 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(43)를 제1 전도성플레이트(44)에 용접한다(s51). 이는 유전체와 음극층 형성을 위한 화학공정의 진행시 제조의 편의를 위하여 수행되는 공정으로서, 소자 본체로부터 연장되는 양극와이어(43)의 선단부가 띠모양의 플레이트에 대하여 소정의 간격을 두고 연속적으로 설치되어 있다.
그 후, 상기 제1 전도성플레이트(44)에 용접된 복수의 펠릿과 상기 제1 전도성플레이트(44)와의 사이에 전도성부재(46)를 배치하여 상기 전도성부재(46)와 양 극와이어(43)를 접합한다(s52). 여기서, 상기 전도성부재(46)로서 하나의 연결된 상태의 부재(46a)를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(43)와 용접하거나, 또는 상기 전도성부재(46)로서 복수의 개별 부재(46b)를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(43)와 각각 용접하는 것이 가능하다. 상기 전도성부재(46)와 양극와이어(43)는 스팟용접 등과 같은 전기저항용접에 의하여 결합될 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서는 종래기술과는 달리 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층(45)을 형성하기 이전에 양극와이어(43)와 전도성부재(46)를 미리 접합한다. 이는 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층(45)을 형성한 후에 양극와이어(43)와 전도성부재(46)를 접합할 경우 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제를 야기하기 때문이다.
그 다음, 상기 전도성부재(46)와 펠릿과의 사이에 절연물질(42)을 코팅하여 경화한다(s53). 이는 이후 공정인 유전체층 및 음극층(45)을 형성시 전기화학공정에 의하여 양극와이어(43)가 MnO2 등에 의한 오염을 방지하기 위함이다. 여기서 코팅되는 절연물질(42)로서 테플론(Teflon), 방수제 및 글래스로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 양극리드와 음극층 사이에 절연물질을 추가적으로 코팅하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 상기 전도성부재(46)로서 부식될 수 있는 소재를 사용할 경우 상기 절연물질(42)이 상기 전도성부재(46) 전체를 코팅하여 이후 공정인 유전체층 및 음극층(45)을 형성시 전 기화학공정에 의한 부식을 방지하는 것이 바람직한데, 여기서, 상기 부식될 수 있는 소재로서 Ni, Zn, Au 및 Cu 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.
그 후, 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층(TaO5) 및 음극층(MnO2/C/Ag)을 형성하게 된다(s54).
그런 다음, 상기 펠릿의 전도성부재(46) 및 음극층(45) 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하고(s55), 마지막으로 상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질(42)로 몰딩하여 패키지를 형성하여 고체 전해 콘덴서(40)의 제조공정을 마치게 된다(s56). 여기서, 상기 펠릿의 전도성부재(46) 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계는, 상기 펠릿을 개별소자로 분리한 후 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합하거나, 또는 상기 펠릿을 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합한 후 개별소자로 분리하는 것에 의하여 수행된다. 또한 수지 패키지 형성은 에폭시 등의 소재를 이용하여 트랜스퍼 몰드 성형 방식 등에 의하여 수행될 수 있다.
실시예 2
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도이며, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트를 나타낸다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은 다음과 같으나, 기본적으로 앞선 실시예 1과는, 양극와이어와 산화피막인 MnO2와의 접촉을 막기 위한 테플론 등과 같은 절연물질이 전도성부재의 접합 이전에 형성된다는 점에서 공정상 차이가 있다. 기타 중복되는 부분에 대하여는 기재를 생략하도록 한다.
먼저, 금속 분말 성형체(61)에 양극와이어(63)를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성한다.
다음, 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(63)를 제1 전도성플레이트(64)에 용접하여 서로 결합한다(s71).
그 다음, 상기 양극와이어(63)가 형성된 펠릿의 일면과 상기 제1 전도성플레이트(64)와의 사이에 절연물질(62)을 코팅하여 경화한다. 여기서 상기 용접 전 또는 후에 테플론 배리어와 같은 절연물질(62)이 형성된다.
그런 다음, 상기 절연물질(62)과 상기 제1 전도성플레이트(64)과의 사이에 전도성부재(66a, 66b)를 배치하여 상기 전도성부재(66a, 66b)와 양극와이어(63)를 접합한다(s72).
여기서, 본 실시예에서는 상술한 실시예 1과는 달리 양극와이어와 산화피막인 MnO2와의 접촉을 막기 위한 테플론 등과 같은 절연물질이 전도성부재의 접합 이전에 형성되므로, 전도성부재가 이후 공정인 유전체층 및 음극층 형성을 위한 전기화학적 공정에 의하여 오염될 가능성이 있는 결과, 상기 전도성부재로서 탄탈, 니 오브 등과 같은 비부식성 소재를 이용하는 것이 바람직하다.
그 후, 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층(65)을 형성하게 된다(s73).
즉, 상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서는 종래기술과는 달리 상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층(65)을 형성하기 이전에 양극와이어(63)와 전도성부재(66a, 66b)를 미리 접합하는데, 이로인하여 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층(65)을 형성한 후에 양극와이어(63)와 전도성부재(66a, 66b)를 접합할 경우 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제를 방지할 수 있게 된다.
그런 다음, 상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계(s74)를 거친 후 마지막으로 상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성(s75)하여 고체 전해 콘덴서(40)의 제조공정을 마치게 된다.
실시예 3
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정도이며, 도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서 제조 공정에 관한 플로우 챠트를 나타낸다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 고체 전해 콘덴서의 제조 방법은, 기본적으로 앞선 실시예 1 및 2와 동일한 공정을 수행하되, 전도성부재 로서 와이어를 사용하기 때문에 전도성부재의 부피를 줄여 보다 높은 용량의 콘덴서 소자를 구현할 수 있다는 점에서 공정상 차이가 있다.
즉, 상기 복수의 개별 부재로서 '와이어(86)'를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어(83)와 각각 와이어본딩에 의하여 서로 결합하는 것이 바람직하다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 특허청구범위에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함되는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 고체 전해 콘덴서 제조방법에 의하면, 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하기 이전에 양극와이어와 전도성부재를 미리 접합하므로, 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성한 후에 양극와이어와 전도성부재를 접합할 경우에 비하여 그 기계적인 충격에 의한 소자 자체의 신뢰성 문제와 리드단자 사이의 접속불량 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.
또한, 전도성부재와 펠릿과의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화함에 의하여 이후 공정으로 수행되는 유전체층 및 음극층을 형성용 전기화학공정에 의하여 양극 와이어가 MnO2 등에 의한 오염을 방지할 수 있다.
아울러, 전도성부재로서 와이어를 사용하기 때문에 전도성부재의 부피를 줄여 보다 높은 용량의 콘덴서 소자를 구현할 수 있다.

Claims (12)

  1. 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성하는 단계;
    상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어를 제1 전도성플레이트에 용접하는 단계;
    상기 제1 전도성플레이트에 용접된 복수의 펠릿과 상기 제1 전도성플레이트와의 사이에 전도성부재를 배치하여 상기 전도성부재와 양극와이어를 접합하는 단계;
    상기 전도성부재와 펠릿과의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화하는 단계;
    상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하는 단계;
    상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계; 및
    상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계;
    를 포함하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  2. 금속 분말 성형체에 양극와이어를 삽입하고 소결하여 복수의 펠릿(pellet)를 형성하는 단계;
    상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어를 제1 전도성플레이트에 용접하는 단계;
    상기 양극와이어가 형성된 펠릿의 일면과 상기 제1 전도성플레이트와의 사이에 절연물질을 코팅하여 경화하는 단계;
    상기 절연물질과 상기 제1 전도성플레이트과의 사이에 전도성부재를 배치하여 상기 전도성부재와 양극와이어를 접합하는 단계;
    상기 복수의 펠릿 표면에 유전체층 및 음극층을 형성하는 단계;
    상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계; 및
    상기 양극리드 및 음극리드가 형성된 소자에 대하여 절연물질로 몰딩하여 패키지를 형성하는 단계;
    를 포함하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전도성부재로서 하나의 연결된 상태의 부재를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 용접하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전도성부재로서 복수의 개별 부재를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 각각 용접하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 개별 부재로서 와이어를 사용하여 상기 복수의 펠릿 각각에 형성된 양극와이어와 각각 용접하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계는, 상기 펠릿을 개별소자로 분리한 후 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 펠릿의 전도성부재 및 음극층 각각을 양극리드와 음극리드에 각각 접합하는 단계는, 상기 펠릿을 양극리드 및 음극리드가 형성된 리드프레임상에 접합한 후 개별소자로 분리하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 코팅되는 절연물질로서 테플론(Teflon), 방수제 및 글래스로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 양극리드와 음극층 사이에 절연물질을 추가적으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전도성부재로서 부식될 수 있는 소재를 사용할 경우 상기 절연물질이 상기 전도성부재 전체를 코팅하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 부식될 수 있는 소재로서 Ni, Zn, Au 및 Cu 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전도성부재로서 탄탈 또는 니오브 소재를 사용하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
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JPS6453535A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid electrolytic capacitor
JPH03190210A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ状固体電解コンデンサの製造方法
JPH11251189A (ja) 1997-12-09 1999-09-17 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の製造方法

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