KR20070056839A - 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 가요성 기판과,상기 기판 상에 형성되는 다중 버퍼층과,상기 버퍼층 상에 형성되어 패터닝된 소스/드레인 영역, 채널영역 및 저농도 도핑 영역을 포함하는 반도체층과,상기 반도체층 상에 형성되는 제1 절연층과,상기 제1 절연층 상에 형성되며, 상기 반도체층과 대응되도록 형성되는 게이트 전극과,상기 게이트 전극 상에 형성되는 제2 절연층과,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2/SiNx로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2/SiNx 및 SiO2/SiNO로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 2μm 두께 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 가요성 기판과 상기 버퍼층 사이에 확산 방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제5 항에 있어서, 상기 확산 방지층은 TiN, TiAlN 및 TaSiN 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 가요성 기판은 금속 박막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제7 항에 있어서, 상기 금속 박막은 스테인리스 스틸, 티타늄을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1 항에 있어서, 상기 가요성 기판 하면에 제3 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제9 항에 있어서, 상기 제3 절연층은 SiO2 및 SiNx 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 가요성 기판 상에 다중 버퍼층을 형성하는 단계와,상기 버퍼층 상에 패터닝된 반도체층을 형성하는 단계와,상기 반도체층 상에 제1 절연층을 형성하는 단계와,상기 제1 절연층 상에 게이트 전극을 형성시킨 후, 상기 반도체층과 대응되도록 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계와,상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 반도체층 패턴 상에 저농도 불순물을 이온주입하여 저농도 도핑 영역을 형성하고,상기 반도체층 상에 감광제를 도포한 후, 사진 공정을 통해 컨택홀 도핑영역을 정의한 후, 상기 오픈된 소스/드레인 영역에 고농도의 불순물을 이온주입하여 소스/드레인 영역을 형성한 후, 상기 감광제를 제거하는 단계와,상기 게이트 전극 상에 제2 절연층을 형성하는 단계와,상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층을 관통하는 콘택 홀을 형성시킨 후, 전극을 증착하고 소스전극 및 드레인 전극을 패터닝하여 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제11 항에 있어서, 상기 가요성 기판과 상기 반도체층 사이에 확산 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
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