KR20070053611A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070053611A
KR20070053611A KR1020060109440A KR20060109440A KR20070053611A KR 20070053611 A KR20070053611 A KR 20070053611A KR 1020060109440 A KR1020060109440 A KR 1020060109440A KR 20060109440 A KR20060109440 A KR 20060109440A KR 20070053611 A KR20070053611 A KR 20070053611A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
thermostat
substrate
temperature
tank
Prior art date
Application number
KR1020060109440A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100778957B1 (ko
Inventor
토모아키 아이하라
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20070053611A publication Critical patent/KR20070053611A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100778957B1 publication Critical patent/KR100778957B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는, 처리액을 저류하고, 기판을 처리액에 침지시켜 기판에 대한 처리를 행하는 처리조, 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버, 상기 챔버내에 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하는 공급부, 기판을 지지한 상태에서, 상기 처리조의 처리위치와 상기 챔버내에서의 상기 처리조 위쪽의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강기구, 상기 처리조를 온도조절하는 조온조부(槽溫調部), 상기 챔버를 온조하는 챔버온조부, 적어도 상기 공급부로부터 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안 상기 조온조부 및 상기 챔버온조부에 가열처리를 행하게 하는 제어부를 포함한다.
기판, 기판처리, 처리액, 처리조, 온조, 유기용제, 냉각

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
도 1은 실시예에 의한 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 2는 조온조(槽溫調) 자켓(jacket)의 개략 구성을 나타내는 사시도.
도 3은 챔버(chamber)온조 자켓의 개략 구성을 나타내는 사시도.
도 4는 처리예를 나타내는 타임차트.
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정표시장치용의 유리(glass)기판(이하, 간단히, 기판이라고 칭함) 등의 기판을 순수(純水), 약액(藥液) 등의 처리액에 의해 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이고, 특히, 이소프로필 알콜 등의 유기용제를 함유한 질소가스 등의 불활성 가스를 공급하여 기판에 대한 건조처리를 행하는 기술에 관한 것이다.
종래, 이 종류의 기판처리장치로서, 처리액을 저류(貯留)하고, 기판을 수용하여 기판에 대한 처리를 행하는 처리조(處理槽)와, 이 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버(chamber)와, 기판을 지지하고, 처리조의 내부에 있는 처리위치와 처리조의 위쪽으로서 챔버의 내부에 있는 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강기구와, 챔버의 내부 위쪽에 설치되어, 챔버내에 이소프로필 알콜을 함유한 질소가스를 공급하는 노즐(nozzle)을 구비하고 있는 것을 들 수 있다(예컨대, 일본국 특개2004-63513호 공보(도 1) 참조).
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래예의 경우에는 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 장치에서는, 처리조가 예컨대 순수를 저류하고 있는 경우, 처리조 자체의 온도가 저하하는 관계상, 불활성 가스에 함유되어 있는 이소프로필 알콜이 처리조에 결로(結露)하는 문제가 있다. 이러한 결로가 생기면, 챔버내에 공급된 이소프로필 알콜의 농도가 저하하고, 기판에 부착된 순수의 치환을 충분히 행할 수 없게 되어서 건조 불량을 일으킬 우려가 있다.
또한, 처리조뿐만 아니라, 챔버 자체의 온도가 저하한 경우에는 챔버내에 이소프로필 알콜이 결로하는 일이 있어, 역시 상기와 마찬가지의 문제를 보인다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 이소프로필 알콜 등의 유기용제의 결로를 방지하여 건조 불량의 발생을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다: 처리액을 저류하고, 기판을 처리액에 침지시켜 기판에 대한 처리를 행하는 처리조; 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버; 상기 챔버내에 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하는 공급수단; 기판을 지지한 상태에서, 상기 처리조의 처리위치와 상기 챔버내에서의 상기 처리조 위쪽의 대기위치에 걸쳐 승강 하는 승강기구; 상기 처리조를 온도조절하는 조온조(槽溫調, tank temperature control)수단; 상기 챔버를 온조하는 챔버온조수단; 적어도 상기 공급수단으로부터 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단에 가열처리를 행하게 하는 제어수단.
본 발명에 따르면, 적어도 챔버내에 공급수단으로부터 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안 제어수단이 조온조수단과 챔버온조수단에 의해 가열을 행한다. 따라서, 챔버내에 공급된 유기용제가 챔버나 처리조에 결로하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 챔버내의 유기용제의 농도가 저하하는 일이 없으므로, 기판의 건조 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 조온조수단은 상기 처리조의 외면에 부설된 조온조 자켓을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
종래부터 있는 장치에 장착을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 가열 및 냉각이 가능하여, 상기 제어수단은 상기 처리조내에 저류되어 있는 처리액을 강온(降溫)할 때, 상기 조온조수단에 냉각을 행하게 하는 것이 바람직하다.
처리조에 저류하고 있는 처리액을 기판의 처리를 위해 일단 승온(昇溫)하면, 강온할 때에 자연강온에 맡겨서는 매우 시간이 걸린다. 그래서, 조온조수단 및 챔버온조수단으로 처리조를 냉각함으로써, 처리액의 강온을 보조할 수 있어, 처리액의 온도를 빨리 내릴 수 있다.
본 발명을 설명하기 위하여 현재의 바람직하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아니라는 것을 이해될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 근거하여 상세하게 설명한다.
도 1은 실시예에 의한 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
처리조(1)는 처리액을 저류하고, 기판(W)을 내부에 수용하고, 처리액에 침지시켜 세정처리를 행한다. 이 처리조(1)는 내조(內槽, 3)와 외조(外槽, 5)를 구비하고 있다. 내조(3)는 바닥부 양측에, 처리액을 내조(3) 안으로 공급하는 분출관(7)을 구비하고, 바닥부 중앙에 내조(3)로부터 처리액을 배출하는 배출부(9)를 구비하고 있다. 외조(5)는 내조(3)로부터 넘친 처리액을 회수하여 배출한다. 처리조(1)는 그 주위가 전체에 걸쳐 챔버(11)로 둘러싸여져 있다. 챔버(11)는 그 상부개구(13)가 셔터(shutter, 15)로 개폐가능하게 되어 있다. 챔버(11)는 처리조(1)의 위쪽에, 기판(W)에 대한 건조처리를 행하기 위하여 기판(W)을 일시적으로 위치하는 대기위치(WP)가 형성가능한 내용량(內容量)과 높이를 갖고 있다.
승강기구(17)는 내조(3)의 내부에 있는 처리위치(PP)와, 상기 대기위치(WP)와, 챔버(11)의 위쪽에 있는 대피위치(OP)에 걸쳐, 지지부(19)를 승강 이동시킨다. 지지부(19)는 연직(鉛直)자세의 배판(背板, 20)과, 이 배판(20)의 하부에서 수평방향으로 돌출하여 설치된 접촉부(21)를 구비하고, 접촉부(21)에서 기판(W)의 하부를 접촉 지지하여 복수 매의 기판(W)을 기립 자세로 지지한다.
상술한 분출관(7)에는, 공급관(27)의 일단측이 연통 접속되고, 그 타단측은 순수공급원(29)에 연통 접속되어 있다. 공급관(27)에는, 상류측으로부터 믹싱밸브(mixing valve, 31)와 제어밸브(33)가 설치되어 있다. 믹싱밸브(31)는 복수 종류의 약액을 공급관(27)에 주입하고, 제어밸브(33)는 공급관(27)을 유통하는 처리액의 유량 및 그 유통을 개폐 제어한다.
챔버(11)의 상부에는, 챔버(11)의 내부에 질소가스 또는 이소프로필 알콜을 함유한 질소가스를 공급하기 위한 노즐(35)이 설치되어 있다. 노즐(35)에는, 공급관(37)의 일단측이 연통 접속되고, 그 타단측은 질소가스 공급원(39)에 연통 접속되어 있다. 질소가스의 공급은 개폐밸브(41)에 의해 제어된다. 이 개폐밸브(41)보다 하류에 있는 공급관(37)의 일부위에는, 분기관(43)의 일단측이 연통 접속되어 있다. 분기관(43)의 타단측은 이소프로필 알콜 공급원(45)에 연통 접속되어 있다. 이소프로필 알콜의 공급은 분기관(43)에 설치된 개폐밸브(47)에 의해 제어된다.
상술한 처리조(1)는 처리조(1)내에 저류하고 있는 처리액의 온조가 아니라, 특히 처리조(1), 특히 내조(3) 자체의 외주부를 온조하기 위한 조온조자켓(49)이 내조(3)의 외주면에 부설되어 있다. 또한, 챔버(11)는 챔버(11)내의 공간 전체를 온조하는 것이 아니라, 챔버(11)의 내벽면을 온조하기 위한 챔버온조자켓(51)이 챔버(11)의 외주면에 부설되어 있다.
조온조자켓(49)에는 온조수(溫調水)를 유입하기 위한 유입부(53)와 온조수를 유출하기 위하여 유출부(55)가 형성되어 있다. 유입부(53)와 유출부(55)에는, 유출부(55)로부터 유출된 온조수를 유입부(53)에 순환하기 위한 제1순환배관(57)이 접속되어 있다. 이 제1순환배관(57)은 상류측으로부터 개폐밸브(58)와, 개폐밸 브(59)와, 펌프(60)와, 냉각기(61)와, 히터(62)와, 개폐밸브(63)를 순서대로 구비하고 있다.
개폐밸브(58)와 개폐밸브(59)와의 사이의 제1순환배관(57)에는, 온조수를 제1순환배관(57)으로부터 배출하기 위한 배출관(64)이 연통 접속되어 있다. 배출관(64)에는 개폐밸브(65)가 구비되며, 이 개폐밸브(65)가 온조수의 배출을 제어한다. 또한, 개폐밸브(59)와 펌프(60)와의 사이의 제1순환배관(57)에는, 온조수로서의 순수를 제1순환배관(57)에 공급하기 위한 공급관(66)의 일단측이 연통 접속되고, 그 타단측은 순수공급원(67)에 연통 접속되어 있다. 공급관(66)에는 개폐밸브(68)가 구비되며, 이 개폐밸브(68)가 온조수의 공급을 제어한다. 또한, 개폐밸브(58)와 개폐밸브(59)와의 사이의 제1순환배관(57)과, 히터(62)와 개폐밸브(63)와의 사이의 제1순환배관(57)을 연통 접속하는 배관(69)이 설치되어 있고, 이 배관(69)에는 개폐밸브(70)가 구비되어 있다.
조온조자켓(49)이 처리조(1)의 외주부를 가열할 때는, 먼저, 개폐밸브(68)를 개방하고, 순수공급원(67)으로부터 공급관(66)을 통하여 제1순환배관(57)에 온조수를 공급함과 아울러, 개폐밸브(58), 개폐밸브(65) 및 개폐밸브(63)를 폐쇄상태로 하고, 개폐밸브(59) 및 개폐밸브(70)을 개방상태로 한다. 그러면, 온조수는 펌프(60)에 의해 제1순환배관(57) 및 배관(69)를 흘려 순환된다. 이때, 순환하고 있는 온조수는 히터(62)에 의해 가열되고 있다. 다음에, 개폐밸브(58) 및 개폐밸브(63)를 개방상태로 함과 아울러, 개폐밸브(65), 개폐밸브(68) 및 개폐밸브(70)를 폐쇄상태로 하여, 가열된 온조수를 펌프(60)에 의해 유입부(53)를 통하여 조온조자 켓(49)내에 공급한다. 이에 의해, 조온조자켓(49)이 처리조(1)의 외주부를 가열한다. 한편, 이때, 온조수는 펌프(60)에 의해 제1순환배관(57) 및 조온조자켓(49) 안으로 흘려 순환된다.
조온조자켓(49)이 처리조(1)의 외주부를 냉각할 때는, 온조수를 펌프(60)에 의해 제1순환배관(57) 및 조온조자켓(49) 안으로 흘리게 하여 순환시킨 상태에서, 히터(62)를 오프(OFF)로 함과 아울러, 냉각기(61)을 온(ON)으로 하여 온조수를 냉각시킨다. 이에 의해, 냉각된 온조수가 펌프(60)에 의해 유입부(53)를 통하여 조온조자켓(49)내에 공급되므로, 조온조자켓(49)이 처리조(1)의 외주부를 냉각한다.
한편, 조온조자켓(49)이 처리조(1)의 외주부를 냉각할 때는 펌프(60)에 의해 제1순환배관(57) 및 조온조자켓(49) 안으로 흘려 순환되어 있었던 온조수를 개폐밸브(65)를 개방상태로 하여 배출관(65)을 통하여 배출하고, 새로운 온조수를 순수공급원(67)으로부터 공급관(66)을 통하여 제1순환배관(57)에 공급하고, 그 온조수를 직접적으로 유입부(53)를 통하여 조온조자켓(49)내에 공급하도록 하여도 좋다.
챔버온조자켓(51)에는, 온조수를 유입하기 위한 유입부(71)과 온조수를 유출하기 위한 유출부(72)가 형성되어 있다. 유입부(71)와 유출부(72)에는, 유출부(72)로부터 유출된 온조수를 유입부(71)에 순환하기 위한 제2순환배관(73)이 접속되어 있다. 이 제2순환배관(73)은 상류측으로부터 펌프(74)와, 냉각기(75)와, 히터(76)를 순서대로 구비하고 있다.
챔버온조자켓(51)이 챔버(11)의 내벽면을 가열할 때는 히터(76)을 온(ON)의 상태로 하여, 온조수가 펌프(74)에 의해 제2순환배관(73) 및 챔버온조자켓(51) 안 을 흘려 순환된다. 또한, 챔버온조자켓(51)이 챔버(11)의 내벽면을 냉각할 때는 냉각기(75)을 ON의 상태로 하여, 온조수가 펌프(74)에 의해 제2순환배관(73) 및 챔버온조자켓(51)안을 흘려 순환된다.
한편, 조온조자켓(49)와, 유입부(53)와, 유출부(55)와, 제1순환배관(57)과, 펌프(60)와, 냉각기(61)와, 히터(62)가 본 발명에서의 「조온조수단」에 상당한다. 또한, 챔버온조자켓(51)과, 유입부(71)와, 유출부(72)와, 제2순환배관(73)과, 펌프(74)와, 냉각기(75)와, 히터(76)가 본 발명에서의 「챔버온조수단」에 상당한다.
상기 온조수로서는, 예컨대 순수를 들 수 있다. 순수를 온조로 사용함으로써, 제어 불가능하게 되어도 그 온도가 100℃를 초과하는 일이 없으므로, 폭발·화재를 방지할 수 있는 방폭(防爆)구조로 할 수 있다.
한편, 상술한 승강기구(17)의 승강, 셔터(15)의 개폐, 제어밸브(33) 등의 밸브의 개폐, 배출부(9)의 개폐, 펌프(60, 74)의 동작 제어, 냉각기(61, 75)의 온조 제어, 히터(62, 76)의 온조 제어 등은 제어부(77, 제어수단)에 의해 통괄적(統括的)으로 제어되고 있다. 또한, 제어부(77)는 레시피(recipe)에 따라 각 구성부를 제어한다.
다음에, 도 2를 참조하여 조온조자켓(49)에 대하여 설명한다. 한편, 도 2는 조온조자켓의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
조온조자켓(49)은 내조(3)의 양측면 및 정면의 형상을 따라 형성된 3개의 온조설치부재(79)를 구비하고 있다. 조온조자켓(49)은 평면에서 보아서 U모양을 보이며, 내조(3)의 측면 및 정면에 접촉하도록 설치되어 있다. 각 온조설치부재(79) 는 열전도율이 높은 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 각 온조설치부재(79)에는 온조수가 유통되는 유통로(81)가 형성되어 있다. 유통로(81)는 내조(3)에의 열전도가 효율적으로 행하여지도록 지그재그모양으로 형성되어 있음과 아울러, 하나의 유입부(53)로부터 하나의 유출부(55)로 연통 접속되어 있다. 한편, 복수 개의 유입부(53)와 복수 개의 유출부(55)를 구비하도록 하여도 좋다.
다음에, 도 3을 참조하여 챔버온조자켓(51)에 대하여 설명한다. 한편, 도 3 은 챔버온조 자켓의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
챔버온조자켓(51)은 챔버(11)의 외주면 형상을 따라 형성된 3개의 온조설치부재(83)를 구비하고 있다. 챔버온조자켓(51)은 조온조자켓(49)처럼 평면에서 보아서 U자모양을 보이며, 챔버(11)의 측면 및 정면에 접촉하여 설치되어 있다. 각 온조설치부재(83)는 열전도율이 높은 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 각 온조설치부재(83)에는 온조수가 유통되는 유통로(85)가 형성되어 있다. 유통로(85)는 챔버(11)에의 열전도에 기여하는 면적이 커지도록 지그재그모양으로 형성되어 있음과 아울러, 하나의 유입부(71)로부터 하나의 유출부(72)로 연통 접속되어 있다. 한편, 복수 개의 유입부(71)과 복수 개의 유출부(72)를 구비하도록 하여도 좋다.
다음에, 도 4를 참조하여, 상술한 구성의 기판처리장치에 의한 처리예에 대하여 설명한다. 도 4는 처리예를 나타내는 타임차트이다. 여기에서는, 처리예로서 순수에 의한 세정처리 및 인상(引上) 건조를 들 수 있다. 한편, 이하의 설명에 있어서 초기 상태에서는, 제어밸브(33)와 개폐밸브(41, 47)는 닫혀 있고, 펌프(60, 74)는 비작동으로 되어 있는 것으로 한다.
제어부(77)는 개폐밸브(41)를 개방하여 챔버(11)내의 기체를 질소가스로 밀어냄(purge)과 아울러, 제어밸브(33)를 개방하여 소정 유량으로 순수를 내조(3)에 공급하기 시작한다(t1 시점). 내조(3)로부터 외조(5)로 순수가 흘러넘치고, 내조(3)가 순수로 채워지면(t2 시점), 셔터(15)를 개방하고, 복수 매의 기판(W)을 지지하고 있는 승강기구(17)를 대피위치(OP)로부터 처리위치(PP)로 하강시킴(t3 시점)과 함께 셔터(15)를 폐지한다. 그리고, t7 시점까지의 소정 시간만큼 승강기구(17)를 처리위치(PP)에 유지한다.
기판(W)의 세정을 끝내는 t7 시점보다 충분히 앞에 있는 t4 시점에서는, 펌프(60, 74)를 작동시킴과 아울러, 히터(62, 76)를 작동시킨다. 이에 의해, 온조수를 소정 온도로 가열한 상태에서 조온조자켓(49) 및 챔버온조자켓(51)로 유통시킨다.
그리고, t7 시점보다 앞이며 t4 시점보다 뒤인 t5 시점에 있어서, 개폐밸브(47)를 개방한다. 이에 의해, 노즐(35)로부터 이소프로필 알콜을 함유한 질소가스가 챔버(11)안에 체워진다. 한편, 상기 가열온도는 챔버(11)에 채워지는 이소프로필 알콜의 농도에 따라 조정되는 것이 바람직하다.
챔버(11)내에 이소프로필 알콜이 함유된 질소가스가 채워진 후(t7 시점), 배출부(9)로부터 배액을 행하여 내조(3)내의 순수를 급속히 배출하기 시작함과 아울러, 승강기구(17)를 처리위치(PP)로부터 대기위치(WP)로 상승시킨다(t8).
그리고, 소정 시간만큼 승강기구(17)를 대피위치(WP)에 유지하여 건조처리를 행하고(t9 시점), 그 후, 셔터(15)를 개방함과 아울러 대피위치(OP)에까지 승강기 구(17)를 상승시킨다(t10 시점). 한편, t9 시점에서, 개폐밸브(47)를 닫음과 아울러, 펌프(60, 74)를 정지시킨다.
상술한 바와 같이, 적어도 챔버(11)내에 노즐로부터 이소프로필 알콜을 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안(t5∼t9)은, 제어부(77)가 조온조자켓(49)과 챔버온조자켓(51)에 의해 가열을 행한다. 따라서, 챔버(11)내에 공급된 이소프로필 알콜이 챔버(11)나 처리조(1)에 결로하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 챔버(11)내의 이소프로필 알콜 농도가 저하하는 일이 없으므로, 기판(W)의 건조 불량을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 아래와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1)상술한 실시예에서는, 조온조자켓(49)과 챔버온조자켓(51)을 평면에서 보아서 U자모양으로 하여, 종래부터 있는 장치에 장착을 용이하게 행할 수 있도록 구성하였다. 그러나, 내조(3)의 전체 둘레나 하면(下面), 챔버(11)의 전체 둘레나 하면 및 상면(上面)도 덮도록 자켓을 구성하여도 좋다.
(2)상술한 실시예에서는, 히터(62, 76)에 의한 온조수의 가열만을 설명하였다. 그러나, 내조(3)에 저류하고 있는 처리액을 기판(W)의 처리를 위해 일단 승온 하면, 강온할 때에 자연방열에 의한 강온에 맡겨서는 매우 시간이 걸리므로, 냉각기(61)(및 냉각기(75))로 온조수를 냉각하여 내조(3)(및 챔버(11))를 외주로부터 냉각함으로써, 처리액의 강온을 보조할 수 있어, 처리액의 온도를 빨리 내릴 수 있다.
(3)온조수를 승강기구(17)의 배판(20)이나 지지부(19)에도 유통시키는 구성을 겸하여 채용함으로써, 이들에 대한 이소프로필 알콜의 결로를 방지하도록 하여도 좋다.
(4)상술한 실시예에서는, 처리조(1)에 공급한 처리액을 배출하는 구성을 채용하고 있지만, 본 발명은 처리액을 순환시키는 타입(type)에도 적용가능하다.
(5)방폭(防爆)이라는 관점에서, 상기 실시예와 같이 온조수를 사용한 온조가 바람직하지만, 내조(3)나 챔버(11)를 히터나 냉각기로 직접적으로 온조하는 조온조수단이나 챔버온조수단을 채용하여도 좋다.
(6)온조를 행하는 타이밍은 상술한 바와 같이 t5∼t9 시점의 사이에 한정되는 것은 아니며, 상시 온조수를 순환 유통시키도록 하여도 좋다.
본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 벗어나지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명은 아니며, 부가된 특허청구범위를 참조하여야 한다.
본 발명에 따르면, 적어도 챔버내에 공급수단으로부터 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안 제어수단이 조온조수단과 챔버온조수단에 의해 가열을 행한다. 따라서, 챔버내에 공급된 유기용제가 챔버나 처리조에 결로하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 챔버내의 유기용제의 농도가 저하하는 일이 없으므로, 기판의 건조 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래부터 있는 장치에 장착을 용이하게 행할 수 있 다.
또한, 본 발명에 따르면, 처리조에 저류하고 있는 처리액을 기판의 처리를 위해 일단 승온(昇溫)하면, 강온할 때에 자연강온에 맡겨서는 매우 시간이 걸리므로, 조온조수단 및 챔버온조수단으로 처리조를 냉각함으로써, 처리액의 강온을 보조할 수 있어, 처리액의 온도를 빨리 내릴 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판처리장치로서,
    상기 장치는,
    처리액을 저류하고, 기판을 처리액에 침지시켜 기판에 대한 처리를 행하는 처리조;
    상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;
    상기 챔버내에 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하는 공급수단;
    기판을 지지한 상태에서, 상기 처리조의 처리위치와 상기 챔버내에서의 상기 처리조 위쪽의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강기구;
    상기 처리조를 온조하는 조온조수단;
    상기 챔버를 온조하는 챔버온조수단;
    적어도 상기 공급수단으로부터 유기용제를 함유한 불활성 가스를 공급하고 있는 동안 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단에 가열처리를 행하게 하는 제어수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조온조수단은 상기 처리조의 외면에 부설된 조온조자켓을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 챔버온조수단은 상기 챔버의 외면에 부설된 챔버온조자켓을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 챔버온조수단은 상기 챔버의 외면에 부설된 챔버온조자켓을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 가열 및 냉각이 가능하고,
    상기 제어수단은 상기 처리조내에 저류되어 있는 처리액을 강온할 때, 상기 조온조수단으로 냉각을 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 가열 및 냉각이 가능하고,
    상기 제어수단은 상기 처리조내에 저류되어 있는 처리액을 강온할 때, 상기 조온조수단으로 냉각을 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 가열 및 냉각이 가능하고,
    상기 제어수단은 상기 처리조내에 저류되어 있는 처리액을 강온할 때, 상기 조온조수단으로 냉각을 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 가열 및 냉각이 가능하고,
    상기 제어수단은 상기 처리조내에 저류되어 있는 처리액을 강온할 때, 상기 조온조수단으로 냉각을 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 처리조는 처리액을 저류하는 내조와, 내조로부터 넘친 처리액을 회수하는 외조를 구비하고,
    상기 조온조자켓은 상기 내조의 양측면 및 정면의 형상을 따라 형성되고, 평면에서 보아서 U자모양을 보인 3개의 온조설치부재를 구비하고, 상기 3개의 온조설치부재가 상기 내조의 양측면 및 정면에 접촉하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 챔버온조자켓은 상기 챔버의 외주면 형상을 따라 형성되고, 평면에서 보아서 U자모양을 보인 3개의 온조설치부재를 구비하고, 상기 3개의 온조설치부재 가 상기 챔버의 측면 및 정면에 접촉하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제4항에 있어서,
    상기 챔버온조자켓은 상기 챔버의 외주면 형상을 따라 형성되고, 평면에서 보아서 U자모양을 보인 3개의 온조설치부재를 구비하고, 상기 3개의 온조설치부재가 상기 챔버의 측면 및 정면에 접촉하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제5항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단은 온조수로서 순수를 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제어수단은 처리액에 의한 기판에의 처리를 마치는 시점보다 전에 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단에 가열처리를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제2항에 있어서,
    상기 제어수단은 처리액에 의한 기판에의 처리를 마치는 시점보다 전에 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단에 가열처리를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제3항에 있어서,
    상기 제어수단은 처리액에 의한 기판에의 처리를 마치는 시점보다 전에 상기 조온조수단 및 상기 챔버온조수단에 가열처리를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020060109440A 2005-11-21 2006-11-07 기판처리장치 KR100778957B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005335836A JP4666494B2 (ja) 2005-11-21 2005-11-21 基板処理装置
JPJP-P-2005-00335836 2005-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070053611A true KR20070053611A (ko) 2007-05-25
KR100778957B1 KR100778957B1 (ko) 2007-11-22

Family

ID=38089219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060109440A KR100778957B1 (ko) 2005-11-21 2006-11-07 기판처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8178821B2 (ko)
JP (1) JP4666494B2 (ko)
KR (1) KR100778957B1 (ko)
CN (1) CN100559550C (ko)
TW (1) TWI349958B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101561218B (zh) * 2008-04-16 2010-12-08 富葵精密组件(深圳)有限公司 真空氮气烘箱
JP5226456B2 (ja) * 2008-10-15 2013-07-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥装置及びその温調方法
JP6017999B2 (ja) 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JP3333032B2 (ja) * 1994-01-25 2002-10-07 株式会社千代田製作所 超音波処理を行なう容器中の液体の温度調節方法と装置
JPH08264265A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Sekisui Plastics Co Ltd ヒータおよびその使用方法
JPH08334235A (ja) * 1995-06-09 1996-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱装置
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
KR100328797B1 (ko) * 1997-04-14 2002-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판건조장치및기판처리장치
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
KR19990010200A (ko) * 1997-07-15 1999-02-05 윤종용 감압식 건조 장치를 이용하는 반도체장치 건조방법
JPH11121429A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置
US6027760A (en) * 1997-12-08 2000-02-22 Gurer; Emir Photoresist coating process control with solvent vapor sensor
US6729040B2 (en) * 1999-05-27 2004-05-04 Oliver Design, Inc. Apparatus and method for drying a substrate using hydrophobic and polar organic compounds
JP3448613B2 (ja) 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
JP2001176833A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6558477B1 (en) * 2000-10-16 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas
JP2002317069A (ja) * 2001-04-18 2002-10-31 Potto Japan Kk 廃プラスチックの減容溶融機
US20020174882A1 (en) * 2001-05-25 2002-11-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6878216B2 (en) * 2001-09-03 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing system
KR100456527B1 (ko) * 2001-12-11 2004-11-09 삼성전자주식회사 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법
JP4076365B2 (ja) 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
JP3676756B2 (ja) * 2002-05-30 2005-07-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理装置
JP2004063513A (ja) 2002-07-25 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の洗浄乾燥方法
JP3964862B2 (ja) 2003-12-22 2007-08-22 島田理化工業株式会社 洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007142262A (ja) 2007-06-07
TW200741839A (en) 2007-11-01
CN1971841A (zh) 2007-05-30
KR100778957B1 (ko) 2007-11-22
JP4666494B2 (ja) 2011-04-06
CN100559550C (zh) 2009-11-11
US20070113744A1 (en) 2007-05-24
US8178821B2 (en) 2012-05-15
TWI349958B (en) 2011-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100260586B1 (ko) 기판 건조장치 및 기판 건조방법
KR100834080B1 (ko) 기판처리장치
KR100602481B1 (ko) 열 매체 순환 장치 및 이것을 이용한 열처리 장치
KR980012044A (ko) 기판건조장치 및 기판건조방법
KR100778957B1 (ko) 기판처리장치
TW201322323A (zh) 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
KR20120033220A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102134949B1 (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
JP3739075B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP2008116199A (ja) 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置
KR100812545B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치 및 그 세정장치의 세정 약액공급방법
JP4236073B2 (ja) 基板処理装置
JP4351981B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法及びその装置
JP4025146B2 (ja) 処理液用タンク及び処理装置
JP5484136B2 (ja) 基板処理装置
CN1971854A (zh) 基板处理方法及其装置
JP5222499B2 (ja) 基板処理装置
JP2006245491A (ja) 基板熱処理装置および基板熱処理製造方法
KR101255328B1 (ko) 기판 처리용 약액 온도 조절 장치
JP2580468B2 (ja) 高温処理液循環システム
KR100723787B1 (ko) 간접 가열식 세정 장치
KR200359464Y1 (ko) 퍼니스 장치
JP2002280352A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20230102592A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2023088278A (ja) 液供給ユニット、基板処理装置、そして、基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121023

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131018

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141022

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee