KR20070048619A - 차지 펌프 회로 - Google Patents

차지 펌프 회로 Download PDF

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KR20070048619A
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Abstract

기준 전압과 상이한 2개의 전압을 출력하는 차지 펌프 회로의 회로 규모를 작게 한다. 제1 전압(Vout+)을 생성하는 제1 차지 펌프 회로부(102)와, 제2 전압(Vout-)을 생성하는 제2 차지 펌프 회로부(104)와, 제1 차지 펌프 회로부(102)와 제2 차지 펌프 회로부(104)에 구비되는 스위칭 소자(30a ∼ 30c, 40a ∼ 40c)에 접속되어, 스위칭 소자(30a ∼ 30c, 40a ∼ 40c)를 구동하는 구동 펄스를 공급하는 버퍼 소자(56a, 56b)를 포함하는 구동 펄스 공급부(108)와, 콘덴서(32a ∼ 32c, 42a ∼ 42c)를 통해서 제1 차지 펌프 회로부(102) 및 제2 차지 펌프 회로부(104)에 접속되고, 콘덴서(32a ∼ 32c, 42a ∼ 42c)를 충전하는 클록 펄스를 생성하는 충전 펄스 공급부(106)를 구비함으로써 상기 과제를 해결할 수 있다.
기준 전압, 차지 펌프 회로, 스위칭 소자, 버퍼 소자, 구동 펄스 공급부

Description

차지 펌프 회로{CHARGE PUMP CIRCUIT}
도 1은 본 발명의 실시예에서의 차지 펌프 회로의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에서의 차지 펌프 회로의 작용을 설명하는 타이밍차트.
도 3은 종래의 차지 펌프 회로의 구성을 도시하는 도면.
도 4는 종래의 차지 펌프 회로의 작용을 설명하는 타이밍차트.
도 5는 종래의 차지 펌프 회로의 구성을 도시하는 도면.
도 6은 종래의 차지 펌프 회로의 작용을 설명하는 타이밍차트.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10a ∼ 10c, 20a ∼ 20c, 30a ∼ 30c, 40a ∼ 40c:스위칭 소자
12a ∼ 12c, 22a ∼ 22c, 32a ∼ 32c, 42a ∼ 42c:콘덴서
24a, 24b, 54a, 54b:버퍼 소자
14a, 14b, 16a ∼ 16c, 26a ∼ 26c, 56a, 56b:버퍼 소자
100:차지 펌프 회로
102:승압형 차지 펌프 회로부
104:강압형 차지 펌프 회로부
106:충전 펄스 공급부
108:구동 펄스 공급부
일본 특허 공개 2005-102375호 공보
본 발명은, 기준 전압과 상이한 2개의 전압, 예를 들면, 플러스 및 마이너스의 전위를 출력하는 차지 펌프 회로에 관한 것이다.
콘덴서와 스위칭 소자의 조를 복수 조합하여, 전압을 승압 또는 강압해서 출력하는 차지 펌프 회로가 널리 이용되고 있다.
예를 들면, 전압을 승압하는 차지 펌프 회로는, 도 3에 도시한 바와 같이, 스위칭 소자(10a ∼ 10c), 콘덴서(12a ∼ 12c), 버퍼 소자(14a, 14b), 버퍼 소자(16a ∼ 16c)를 포함해서 구성된다. 스위칭 소자(10a ∼ 10c)로서는 전계 효과형 트랜지스터(MOSFET)를 이용하고 있다.
도 3에 도시하는 차지 펌프 회로에서, 클록 펄스 φ+와 φ-는 역위상으로 변화된다. 또한, 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨일 때에 클록 펄스(φt1, φt3)가 하이 레벨로 되고, 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨일 때에 클록 펄스(φt1, φt3)도 로우 레벨로 된다. 또한, 클록 펄스(φ+ 및 φ-)의 펄스 높이는 모두 전압 Vcc인 것으로 한다. 이것에 의해, 도 4에 도시한 바와 같이, 전압 Va, Vb, Vc로 차례로 전압이 승압되어, 출력 전압(Vout)는 전원 전압(Vcc)보다 2Vcc 높은 전압으로 된다. 또한, 도 4에서는, 횡축이 시간, 종축이 전위를 나타내고, 종축의 위를 향함에 따라 높은 전압을 나타내고 있다.
또한, 전압을 강압하는 차지 펌프 회로는, 도 5에 도시한 바와 같이, 스위칭 소자(20a ∼ 20c), 콘덴서(22a ∼ 22c), 버퍼 소자(24a, 24b), 버퍼 소자(26a ∼ 26c)를 포함해서 구성된다. 스위칭 소자(20a ∼ 20c)로서는 전계 효과형 트랜지스터(MOSFET)를 이용하고 있다.
도 5에 나타내는 차지 펌프 회로에서, 클록 펄스 φ+와 φ-는 역위상으로 변화된다. 또한, 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨일 때에 클록 펄스(φt)도 하이 레벨로 되고, 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨일 때에 클록 펄스(φt)도 로우 레벨로 된다. 또한, 클록 펄스(φ+ 및 φ-)의 펄스 높이는 모두 전압 Vcc인 것으로 한다. 이것에 의해, 도 6에 도시한 바와 같이, 전압 Va, Vb, Vc로 차례로 강압되어, 출력 전압(Vout)는 기준 전압(접지 전위)보다 2Vcc 낮은 전압으로 된다. 또한, 도 6에서는, 횡축이 시간, 종축이 전위를 나타내고, 종축의 위를 향함에 따라 높은 전압을 나타내고 있다.
상기 종래 기술에서는, 기준 전위(접지 전위)에 대해서 플러스의 전압을 승압해서 출력하는 차지 펌프 회로와, 기준 전위(접지 전위)에 대해서 마이너스의 전압을 강압해서 출력하는 차지 펌프 회로가 별도의 회로로서 제공되고 있다. 그 때문에, 플러스 및 마이너스의 양방의 전압을 필요로 하는 경우에는 두 개의 차지 펌프 회로를 설치할 필요가 있어, 회로 규모가 커져, 제조 코스트가 증대하는 문제가 있다.
또한, 차지 펌프 회로의 각 단의 스위칭 소자로 되는 MOSFET를 제어하는 버퍼 소자에 공급되는 전원으로서 각 단의 콘덴서의 축적 전압이 인가되고 있다. 따라서, 버퍼 소자로부터 출력 가능한 펄스의 진폭이 작아, 스위칭 소자로 되는 MOSFET의 구동 능력도 작아져, 스위칭 소자에서의 손실이 커진다. 그 결과, 출력 능력이 낮아져 버리는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은, 상기 종래의 문제 중 적어도 하나를 해결할 수 있는 기준 전압과는 상이한 2개의 전압, 예를 들면, 플러스 및 마이너스의 전위를 출력하는 차지 펌프 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기준 전위와 상이한 제1 전압과, 상기 기준 전위 및 상기 제1 전압과 상이한 제2 전압을 생성하는 차지 펌프 회로로서, 콘덴서에 접속되고, 복수의 스위칭 소자를 포함해서 구성되고, 상기 제1 전압을 생성하는 제1 차지 펌프 회로부와, 콘덴서에 접속되고, 복수의 스위칭 소자를 포함해서 구성되고, 상기 제2 전압을 생성하는 제2 차지 펌프 회로부와, 상기 제1 차지 펌프 회로부와 상기 제2 차지 펌프 회로부에 구비되는 상기 스위칭 소자에 접속되어, 상기 스위칭 소자를 구동하는 구동 펄스를 공급하는 버퍼 소자를 포함하는 구동 펄스 공급부와, 상기 콘덴서를 통해서 상기 제1 차지 펌프 회로부 및 상기 제2 차지 펌프 회로부에 접속되고, 상기 콘덴서를 충전하는 클록 펄스를 생성하는 충전 펄스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로는, 상기 승압형 차지 펌프 회로부 및 상기 강압형 차지 펌프 회로부에서는, 스위칭 소자로서 전계 효과형 트랜지스터(MOSFET)를 적용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 구동 펄스 공급부는, MOSFET의 게이트에 대해서 게이트 펄스를 출력한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에서는, 구동 펄스를 출력하는 구동 펄스 공급부가 승압형 차지 펌프 회로부 및 강압형 차지 펌프 회로부에 공통으로 설치되어 있으므로, 기준 전위(접지 전위)에 대해서 플러스 및 마이너스의 전압을 출력하는 차지 펌프 회로의 구성을 간소화할 수 있다. 그 결과, 차지 펌프 회로를 IC칩화 했을 때의 외부 핀의 개수를 저감할 수 있음과 함께, 회로의 제조의 수율을 높여, 제조 코스트를 저감할 수 있다.
여기서, 상기 제1 차지 펌프 회로부는 승압형 차지 펌프 회로이며, 상기 제2 차지 펌프 회로부는 강압형 차지 펌프 회로이며, 상기 제1 전압은 상기 기준 전압보다도 높게 승압된 전압이며, 상기 제2 전압은 상기 기준 전압보다도 낮게 강압된 전압인 것이 바람직하다.
또한, 상기 구동 펄스 공급부에 포함되는 상기 버퍼 소자는, 상기 제1 차지 펌프 회로부에서 생성된 기준 전위보다 높은 상기 제1 전압과, 상기 제2 차지 펌프 회로부에서 생성된 기준 전위보다 낮은 상기 제2 전압을 전원으로 하고 있는 것이 바람직하다.
이와 같이, 구동 펄스 공급부에 포함되는 버퍼 소자의 전원으로서 상기 승압형 차지 펌프 회로부 및 상기 강압형 차지 펌프 회로부에서 승압 또는 강압된 전압 을 이용함으로써, 버퍼 소자의 출력 전압을 종래보다도 넓은 범위에서 변화시킬 수 있다. 따라서, 상기 승압형 차지 펌프 회로부 및 상기 강압형 차지 펌프 회로부가 포함되는 스위칭 소자에 대해서 높은 구동 능력(전류 능력)을 얻을 수 있다. 그 결과, 차지 펌프 회로의 손실을 저감할 수 있어, 출력 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 실시예에서의 차지 펌프 회로(100)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 승압형 차지 펌프 회로부(102), 강압형 차지 펌프 회로부(104), 충전 펄스 공급부(106) 및 구동 펄스 공급부(108)를 포함해서 구성된다.
승압형 차지 펌프 회로부(102)는, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)(30a ∼ 30c), 콘덴서(32a ∼ 32c)를 포함해서 구성된다. 강압형 차지 펌프 회로부(104)는, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)(40a ∼ 40c), 콘덴서(42a ∼ 42c)를 포함해서 구성된다. 충전 펄스 공급부(106)는, 버퍼 소자(54a, 54b)를 포함해서 구성된다. 또한, 구동 펄스 공급부(108)는, 버퍼 소자(56a, 56b)를 포함해서 구성된다.
승압형 차지 펌프 회로부(102)에서는，P형의 MOSFET(30a ∼ 30c)를 스위칭 소자로서 이용하고 있다. MOSFET(30a)의 드레인은 전원에 접속되어, 전압 Vcc로 유지되고 있다. MOSFET(30a)의 소스와 MOSFET(30b)의 드레인이 접속되고, 그 접속점에 콘덴서(32a)의 일단이 접속된다. 콘덴서(32a)의 타단은, 충전 펄스 공급부(106)의 버퍼 소자(54a)의 출력단에 접속된다. 또한，MOSFET(30b)의 소스와 MOSFET(30c)의 드레인이 접속되고, 그 접속점에 콘덴서(32b)의 일단이 접속된다. 콘덴서(32b)의 타단은, 충전 펄스 공급부(106)의 버퍼 소자(54b)의 출력단에 접속된다. MOSFET(30c)의 소스는, 콘덴서(32c)를 통해서 접지됨과 함께 제1 출력 단 자(T1)로 된다.
강압형 차지 펌프 회로부(104)에서는，N형의 MOSFET(40a ∼ 40c)를 스위칭 소자로서 이용하고 있다. MOSFET(40a)의 드레인은 접지되어, 기준 전위(여기에서는, 접지 전위(GND))로 유지되고 있다. MOSFET(40a)의 소스와 MOSFET(40b)의 드레인이 접속되고, 그 접속점에 콘덴서(42a)의 일단이 접속된다. 콘덴서(42a)의 타단은, 충전 펄스 공급부(106)의 버퍼 소자(54a)의 출력단에 접속된다. 또한，MOSFET(40b)의 소스와 MOSFET(40c)의 드레인이 접속되고, 그 접속점에 콘덴서(42b)의 일단이 접속된다. 콘덴서(42b)의 타단은, 충전 펄스 공급부(106)의 버퍼 소자(54b)의 출력단에 접속된다. MOSFET(40c)의 소스는, 콘덴서(42c)를 통해서 접지됨과 함께 제2 출력 단자(T2)로 된다.
버퍼 소자(54a)의 입력단에는 충전용의 클록 펄스(φ+)가 인가되고, 버퍼 소자(54b)의 입력단에는 충전용의 클록 펄스(φ-)가 인가된다. 한편, 버퍼 소자(56a)의 입력단에는 구동용 펄스(φt1)가 인가되고, 버퍼 소자(56b)의 입력단에는 구동용 펄스(φt2)가 인가된다. 구동용 펄스 φt1과 φt2는 서로 상이한 타이밍에서 변화되는 펄스로 한다. 버퍼 소자(56a)의 출력단은 MOSFET(30a, 30c, 40a, 40c)의 게이트에 접속되고, 버퍼 소자(56b)의 출력단은 MOSFET(30b, 40b)의 게이트에 접속된다. 또한, 버퍼 소자(56a, 56b)의 플러스 및 마이너스의 전원 단자는 모두 제1 출력 단자(T1) 및 제2 출력 단자(T2)에 접속되고, 버퍼 소자(56a, 56b)는 승압형 차지 펌프 회로부(102)의 출력 전압(Vout+)과 강압형 차지 펌프 회로부(104)의 출력 전압(Vout-)으로 전원 전압으로서 작동된다.
도 2에, 본 실시예에서의 차지 펌프 회로(100)의 작용을 설명하는 타이밍차트를 나타낸다. 도 2에서, 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 전위를 나타내고, 종축의 위를 향함에 따라 높은 전압을 나타내고 있다.
클록 펄스(φ+)와 클록 펄스(φ-)는 소정의 주기에서 상호 역위상을 가지도록 변화된다. 또한, 구동 펄스(φt1)는 클록 펄스(φ+)와 동상에서 변화되고, 구동 펄스(φt2)는 클록 펄스(φ-)와 동상에서 변화된다. 또한, 여기서는 설명을 간단히 하기 위해 클록 펄스(φ+ 및 φ-)의 펄스 진폭은 전원 전압(Vcc)과 동등한 것으로 한다.
승압형 차지 펌프 회로부(102)에서는, 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 하이 레벨로 되는 타이밍에서 MOSFET(30a, 30c)가 온 상태, MOSFET(30b)가 오프 상태로 된다. 이것에 의해, 콘덴서(32a)의 일단의 전위(Va)는 전원 전압(Vcc)과 동등해지고, 콘덴서(32a)의 타단은 클록 펄스(φ+)의 로우 레벨과 동등하게 된다. 다음에, 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 로우 레벨로 변화되는 타이밍에서 MOSFET(30a, 30c)가 오프 상태로 되고, MOSFET(30b)가 온 상태로 된다. 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨로 됨으로써, 콘덴서(32a)의 일단의 전위(Va)는, 전원 전압(Vcc)보다 클록 펄스(φ+)의 펄스 진폭만큼(=Vcc) 높이 상승되어, 기준 전위(접지 전위)를 기준으로 하여 전원 전압(Vcc)의 2배 높은 전위으로 된다. MOSFET(30b)가 온 상태이므로, 콘덴서(32b)의 일단의 전위(Vb)는 전위(Va)와 동등하게 되고, 콘덴서(32b)의 타단은 클록 펄스(φ-)의 로우 레벨과 동등하게 된다. 다음에, 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 하이 레벨로 변화되는 타이밍에서 MOSFET(30a, 30c)가 온 상태로 되돌아가고, MOSFET(30b)가 오프 상태로 되돌아간다. 클록 펄스(φ-)가 하이 레벨로 됨으로써, 콘덴서(32b)의 일단의 전위(Vb)는, 기준 전위(접지 전위)를 기준으로 하여 전원 전압(Vcc)의 3배 높은 전위로 상승된다. MOSFET(30c)가 온 상태이므로, 콘덴서(32c)의 일단의 전위(Vc)는 전위(Vb)와 동등하게 된다. 즉, 기준 전위(접지 전위)와 전위(Vc)의 전위차 3Vcc가 제1 출력 전압(Vout+)으로 된다. 이렇게 해서, 승압형 차지 펌프 회로부(102)로부터는 기준 전위(접지 전위(GND))에 대해서 전위차 3Vcc만큼 승압된 전압이 출력된다.
강압형 차지 펌프 회로부(104)에서는, 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 로우 레벨로 되는 타이밍에서 MOSFET(40a, 40c)가 온 상태, MOSFET(40b)가 오프 상태로 된다. 이것에 의해, 콘덴서(42a)의 일단의 전위(Vd)는 기준 전위(접지 전위)와 동등하게 되고, 콘덴서(42a)의 타단은 클록 펄스(φ+)의 하이 레벨과 동등하게 된다. 다음에, 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 하이 레벨로 변화되는 타이밍에서 MOSFET(40a, 40c)가 오프 상태로 되고, MOSFET(40b)가 온 상태로 된다. 클록 펄스(φ+)가 로우 레벨로 됨으로써, 콘덴서(42a)의 일단의 전위(Vd)는 기준 전위(접지 전위)에 대해서 전원 전압(Vcc)만큼 강압된다. MOSFET(40b)가 온 상태이므로, 콘덴서(42b)의 일단의 전위(Ve)는 전위(Vd)와 동등하게 되고, 콘덴서(42b)의 타단의 전위는 클록 펄스(φ-)의 하이 레벨과 동등하게 된다. 다음에, 클록 펄스(φ+)가 하이 레벨 및 클록 펄스(φ-)가 로우 레벨로 변화되는 타이밍에서 MOSFET(40a, 40c)가 온 상태로 되돌아가고, MOSFET(40b)가 오프 상태로 되돌아간다. 클록 펄스(φ-)가 로우 레벨로 됨으로써, 콘덴서(42b)의 일단의 전위(Vb)는, 기준 전위(여기서는 접지 전위(GND))에 대해서 전원 전압(Vcc)의 2배 낮은 전위로 강압된다. MOSFET(40c)이 온 상태이므로, 콘덴서(42c)의 일단의 전위(Vf)는 전위(Ve)와 동등하게 된다. 즉, 기준 전위(접지 전위)에 대해서 전위차 2Vcc 낮은 전위가 제2 출력 전압(Vout+)으로 된다. 이렇게 해서, 강압형 차지 펌프 회로부(104)로부터는 기준 전위(접지 전위(GND))에 대해서 전위차 2Vcc만큼 강압된 전압이 출력된다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에서는, 구동 펄스(φt1, φt2)를 출력하는 구동 펄스 공급부(108)가 승압형 차지 펌프 회로부(102) 및 강압형 차지 펌프 회로부(104)에 공통으로 설치되어 있으므로, 기준 전위(접지 전위)에 대해서 플러스 및 마이너스의 전압을 출력하는 차지 펌프 회로(100)의 구성을 간소화할 수 있다. 그 결과, 차지 펌프 회로(100)를 IC칩화 했을 때의 외부 핀의 개수를 저감할 수 있음과 함께, 회로의 제조의 수율을 높여, 제조 코스트를 저감할 수 있다.
또한, 구동 펄스 공급부(108)에 포함되는 버퍼 소자(56a, 56b)의 전원으로서 출력 전압(Vout+)과 출력 전압(Vout-)을 이용함으로써, 버퍼 소자(56a, 56b)의 출력 전압을 종래보다도 넓은 범위에서 변화시킬 수 있어, 승압형 차지 펌프 회로부(102) 및 강압형 차지 펌프 회로부(104)에 포함되는 MOSFET(30a ∼ 30c, 40a ∼ 40c)(스위칭 소자)에 대해서 높은 구동 능력(전류 능력)을 얻을 수 있다. 그 결과, MOSFET(30a ∼ 30c, 40a ∼ 40c)(스위칭 소자)에서의 손실을 저감할 수 있어, 차지 펌프 회로(100)의 출력 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 승압형 차지 펌프 회로부(102) 및 강압형 차지 펌프 회로부(104)의 각각을 3단의 스위칭 소자의 직렬 회로로 구성했지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 스위칭 소자의 단수를 변경해도 된다. 또한, 구동 펄스 공급부(108)에 포함되는 버퍼 소자(56a, 56b)의 전원으로서 승압형 차지 펌프 회로부(102) 및 강압형 차지 펌프 회로부(104)의 최종단의 출력을 이용했지만, 필요한 구동 능력에 따라 승압형 차지 펌프 회로부(102) 및 강압형 차지 펌프 회로부(104)의 중간의 충전 전압을 이용해도 된다.
또한, 본 실시예에서는，2개의 차지 펌프 회로는 각각 승압형 차지 펌프 회로와 강압형 차지 펌프 회로로 구성했지만, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 2 개의 승압형 차지 펌프 회로로 구성할 수도 있고, 또는, 2개의 강압형 차지 펌프 회로로 구성할 수도 있다. 동일한 극성에서 전위가 상이한 2개의 전압을 생성하는 경우로서, 2개의 전압의 전위차가 큰 경우에는, 2개의 전압 각각에 따라 독립적으로 차지 펌프 회로를 설치함으로써, 승압형 또는 강압형의 차지 펌프 회로를 포함하는 전원 회로에서의 소비 전력을 저감할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기준 전압과는 상이한 2개의 전압, 예를 들면, 플러스 및 마이너스의 전위를 출력하는 차지 펌프 회로의 회로 규모를 작게 할 수 있다. 또한, 차지 펌프 회로의 손실을 저감하여, 출력을 높일 수 있다.

Claims (3)

  1. 기준 전위와 상이한 제1 전압과, 상기 기준 전위 및 상기 제1 전압과 상이한 제2 전압을 생성하는 차지 펌프 회로로서,
    콘덴서에 접속되고, 복수의 스위칭 소자를 포함해서 구성되고, 상기 제1 전압을 생성하는 제1 차지 펌프 회로부와,
    콘덴서에 접속되고, 복수의 스위칭 소자를 포함해서 구성되고, 상기 제2 전압을 생성하는 제2 차지 펌프 회로부와,
    상기 제1 차지 펌프 회로부와 상기 제2 차지 펌프 회로부에 구비되는 상기 스위칭 소자에 접속되고, 상기 스위칭 소자를 구동하는 구동 펄스를 공급하는 버퍼 소자를 포함하는 구동 펄스 공급부와,
    상기 콘덴서를 통해서 상기 제1 차지 펌프 회로부 및 상기 제2 차지 펌프 회로부에 접속되고, 상기 콘덴서를 충전하는 클록 펄스를 생성하는 충전 펄스 공급부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차지 펌프 회로부는 승압형 차지 펌프 회로이며, 상기 제2 차지 펌프 회로부는 강압형 차지 펌프 회로이며,
    상기 제1 전압은 상기 기준 전압보다도 높게 승압된 전압이며, 상기 제2 전압은 상기 기준 전압보다도 낮게 강압된 전압인 것을 특징으로 하는 차지 펌프 회 로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 구동 펄스 공급부에 포함되는 상기 버퍼 소자는, 상기 제1 차지 펌프 회로부에서 생성된 기준 전위보다 높은 상기 제1 전압과, 상기 제2 차지 펌프 회로부에서 생성된 기준 전위보다 낮은 상기 제2 전압을 전원으로 하고 있는 것을 특징으로 하는 차지 펌프 회로.
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