KR20070037361A - 배선 기판 - Google Patents

배선 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20070037361A
KR20070037361A KR1020060094894A KR20060094894A KR20070037361A KR 20070037361 A KR20070037361 A KR 20070037361A KR 1020060094894 A KR1020060094894 A KR 1020060094894A KR 20060094894 A KR20060094894 A KR 20060094894A KR 20070037361 A KR20070037361 A KR 20070037361A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
auxiliary
electrode
conductor wiring
wiring
semiconductor element
Prior art date
Application number
KR1020060094894A
Other languages
English (en)
Inventor
미치나리 데타니
다카유키 다나카
히로유키 이마무라
노조미 시모이시자카
고우이치 나가오
Original Assignee
마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 filed Critical 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Publication of KR20070037361A publication Critical patent/KR20070037361A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/166—Alignment or registration; Control of registration
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

가요성 절연 기재(1)와, 가요성 절연 기재 상에 정렬하여 설치된 복수개의 도체 배선(2)과, 각 도체 배선의 반도체 소자(4)를 탑재하는 영역에 위치하는 단부에 설치된 돌기 전극(3)을 구비한다. 반도체 소자에 형성된 전극 패드와 상기 돌기 전극을 접합시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 도체 배선 상에 실장한다. 절연 기재 상에 도체 배선과 동일하게 형성된 보조 도체 배선(10)과, 보조 도체 배선 상에 돌기 전극과 동일하게 형성된 보조 돌기 전극(11)을 구비하고, 반도체 소자를 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정함으로써, 반도체 소자에 형성된 전극 패드를, 도체 배선 상의 돌기 전극에 대해 위치맞춤할 수 있다. 돌기 전극에 대해 반도체 소자의 전극 패드를, 높은 정밀도로 위치결정하는 것이 가능한 위치맞춤 마크를 갖는 배선 기판을 구성할 수 있다.

Description

배선 기판{WIRING BOARD}
도 1은, 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도,
도 2a는, 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도, 도 2b는, 도 2a의 A-A선에 따른 단면도,
도 3은, 본 발명의 실시형태 3에 있어서의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도,
도 4는, 본 발명의 실시형태 4에 있어서의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도,
도 5a는, 본 발명의 실시형태 5에 있어서의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도, 도 5b는, 비교예의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도,
도 6은, 종래예의 배선 기판의 일부를 도시한 평면도이다.
본 발명은, 예를 들면 테이프 캐리어 기판과 같은, 유연한 절연성의 기재 상에 도체 배선을 설치하고, 그 도체 배선 상에 접속용의 돌기 전극을 형성한 구성을 갖는 배선 기판에 관한 것이다.
테이프 캐리어 기판을 사용한 패키지 모듈의 일종으로서, COF(Chip On Film)가 알려져 있다. COF는, 테이프 캐리어 기판 상에 반도체 소자를 탑재하여, 수지로 밀봉함으로써 탑재부를 보호한 구조를 갖는다. COF에 사용되는 테이프 캐리어 기판은, 절연성의 필름 기재와, 그 면 상에 형성된 다수개의 도체 배선으로 구성된다. 필름 기재로서는 일반적으로 폴리이미드가, 도체 배선으로서는 구리가 사용된다. 필요에 따라 도체 배선 상에는, 금속도금 피막 및 절연 수지인 솔더 레지스트의 층이 형성된다. 테이프 캐리어 기판 상의 도체 배선과 반도체 소자의 전극 패드는, 돌기 전극을 통해 접속된다. 일본 특개 2004-327936호 공보에는, 이 돌기 전극을 미리 도체 배선 상에 형성한 테이프 캐리어 기판이 개시되어 있다.
상술한 바와 같은 테이프 캐리어 기판에 반도체 소자를 실장하기 위해서, 테이프 캐리어 기판 상에 반도체 소자를 얹어놓을 때는, 반도체 소자 상의 전극 패드와 돌기 전극을 서로 위치결정할 필요가 있다.
도 6에, 그러한 위치결정을 위한 위치맞춤 마크를 갖는 테이프 캐리어 기판의 예를 도시한다. 도 6에 있어서, 1은 절연성의 필름 기재이고, 다수개의 도체 배선(2)이 정렬하여 설치되어 있다. 도체 배선(2)의 단부에는 각각 돌기 전극(3)이 설치되어 있다. 탑재되어야 할 반도체 소자(4)가 일점쇄선으로 표시되어 있다. 반도체 소자(4)에 형성된 다수의 전극 패드(도시 생략)는 각각, 돌기 전극(3)과 대향하여 접합된다.
필름 기재(1)의 상면에는, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지는 솔더 레지스 트층(5)이 형성되어, 도체 배선(2)을 보호하는 피복막이 되고 있다. 단, 솔더 레지스트층(5)에는, 반도체 소자(4)가 탑재되는 영역의 주위를 둘레가장자리로 해서 소자 탑재부 개구(5a)가 형성되어 있다. 도체 배선(2)에 있어서의 돌기 전극(3)이 설치된 단부는, 반도체 소자(4)의 전극 패드와의 접속을 위해서, 소자 탑재부 개구(5a) 내에서 노출되도록 배치되어 있다.
필름 기재(1)의 양측 가장자리부에는, 스프로켓 구멍(6)이 형성되어, 반도체 소자(4)를 탑재할 때의 처리 공정에서, 필름 기재(1)를 이동시키기 위해서 사용된다. 반도체 소자(4)를 탑재할 때는, 반도체 소자(4)의 전극 패드와, 도체 배선(2)의 돌기 전극(3)을 서로 위치맞춤할 필요가 있다. 이를 위해, 반도체 소자(4)의 반도체 기판 상면에는 위치맞춤 마크(7)가 형성되어 있다. 필름 기재(1)에도, 위치맞춤 마크(7)에 대응하는 위치맞춤 마크(8)가 형성되어 있다. 위치맞춤 마크(8)는, 도체 배선(2)과 동일한 배선층을 마크의 형상으로 형성함으로써 설치되어, 솔더 레지스트층(5)으로부터 노출되어 있다.
반도체 소자(4)를 필름 기재(1) 상에 탑재할 때는, 반도체 소자(4)의 위치맞춤 마크(7)와 필름 기재(1)의 위치맞춤 마크(8)를 기준으로 해서, 양쪽의 위치맞춤 마크가 서로 소정의 위치 관계가 되도록 반도체 소자(4)의 위치결정을 행한다. 이에 의해, 반도체 소자(4)의 전극 패드와 도체 배선(2)의 돌기 전극(3)이 서로 대향하여, 접합 가능한 상태가 얻어진다.
그러나, 상기 종래의 위치맞춤 방법에서는, 도체 배선(2)의 협(狹) 피치화가 진행하여, 돌기 전극(3)의 사이즈가 작아지면, 반도체 소자(4)의 전극 패드와 도체 배선(2)의 돌기 전극(3)의 상호의 위치맞춤을 소정의 정밀도로 행하는 것이 곤란해지고 있다. 그 이유는, 이하와 같다.
필름 기재(1)의 위치맞춤 마크(8)는 도체 배선(2)과 동일하게 형성되기 때문에, 돌기 전극(3)과는 다른 공정에서 형성된다. 그 때문에, 위치맞춤 마크(8)와 돌기 전극(3)의 상호의 위치 관계에는, 어느 정도의 폭을 가진 오차가 발생하는 것을 피할 수 없다. 그 결과, 반도체 소자(4)의 위치맞춤 마크(7)와 필름 기재(1)의 위치맞춤 마크(8)를 기준으로 해서 반도체 소자(4)의 위치결정을 행한 경우에, 돌기 전극(3)에 대한 반도체 소자(4)의 전극 패드의 위치 관계는 다소의 오차를 포함하게 되어, 접속의 신뢰성을 충분히 확보하는 것이 곤란하다.
본 발명은, 돌기 전극에 대해 반도체 소자의 전극 패드를, 높은 정밀도로 위치결정하는 것이 가능한 위치맞춤 마크를 갖는 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 배선 기판은, 가요성 절연 기재와, 상기 가요성 절연 기재 상에 정렬하여 설치된 복수개의 도체 배선과, 상기 각 도체 배선의 반도체 소자를 탑재하는 영역에 위치하는 단부에 설치된 돌기 전극을 구비하고, 반도체 소자에 형성된 전극 패드와 상기 돌기 전극을 접합시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 도체 배선 상에 실장하도록 구성된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 배선 기판은, 상기 절연 기재 상에 상기 도체 배선과 동일하게 형성된 보조 도체 배선과, 상기 보조 도체 배선 상에 상기 돌기 전극과 동일하게 형성된 보조 돌기 전극을 구비하고, 상기 반도체 소자를 상기 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정함으로써, 상기 반도체 소자에 형성된 상기 전극 패드를, 상기 도체 배선 상의 상기 돌기 전극에 대해 위치맞춤할 수 있도록 구성된다.
본 발명의 배선 기판은, 절연 기재 상에 도체 배선과 동일하게 형성된 보조 도체 배선과, 상기 보조 도체 배선 상에 형성된 보조 돌기 전극을 구비하고, 반도체 소자를 상기 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정할 수 있다. 돌기 전극과의 위치 관계의 정밀도가 높은 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정함으로써, 돌기 전극에 대해 반도체 소자의 전극 패드를 높은 정밀도로 위치결정하는 것이 가능하다.
본 발명의 배선 기판에 있어서, 상기 돌기 전극과 상기 보조 돌기 전극의 높이가 같은 것이 바람직하다. 또, 상기 돌기 전극의 재료와 상기 보조 돌기 전극의 재료가 같은 것이 바람직하다. 또, 상기 돌기 전극과 상기 보조 돌기 전극이 동시에 형성된 것임이 바람직하다.
또, 상기 도체 배선 및 상기 보조 도체 배선을 포함하는 상기 절연 기재 상을 피복하여 형성된 솔더 레지스트층을 구비하고, 상기 솔더 레지스트층은, 상기 보조 도체 배선에 있어서의 상기 보조 돌기 전극이 형성된 단부 영역에 위치맞춤 개구를 갖고, 상기 보조 돌기 전극이 상기 위치맞춤 개구로부터 노출되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 있어서 바람직하게는. 상기 보조 돌기 전극은, 상기 돌기 전극이 배치된 영역으로부터 이간한 외측 영역에 배치되어 있다.
또, 바람직하게는, 상기 보조 도체 배선이 복수개 병렬로 배치하여 설치되고, 상기 복수의 보조 도체 배선의 각각에 상기 보조 돌기 전극이 병렬로 정렬하여 형성되고, 인접하는 상기 보조 돌기 전극이 서로 접합되어 있다.
또는 바람직하게는, 상기 보조 도체 배선이 복수개 병렬로 배치하여 설치되고, 상기 복수의 보조 도체 배선의 각각에 상기 보조 돌기 전극이 병렬로 정렬하여 형성되고, 인접하는 상기 보조 돌기 전극이 서로 이간하고 있다.
상기 구성에 있어서, 또 다른 군의 복수의 보조 돌기 전극이, 상기 병렬로 정렬하여 형성된 상기 보조 돌기 전극에 대해 상기 복수의 보조 도체 배선 상에서 직렬로 정렬하여 설치된 구성으로 할 수 있다.
또는, 상기 복수의 보조 도체 배선은, 상기 보조 돌기 전극의 양측의 영역에서 1개의 보조 도체 배선에 결합되고, 그 결합 부분이 상기 위치맞춤 개구 내에 위치하고 있는 구성으로 할 수 있다.
또는, 상기 복수의 보조 도체 배선 중 적어도 일부의 상기 보조 도체 배선은, 상기 위치맞춤 개구의 둘레가장자리에 대해 비스듬하게 교차하는 사교(斜交) 부분을 갖는 구성으로 할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해, 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
(실시형태 1)
본 발명의 실시형태 1에 있어서의 배선 기판의 평면도를 도 1에 도시한다. 본 실시형태에 있어서, 도 6에 도시한 종래예의 배선 기판의 요소와 동일한 요소에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙여 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 절연성의 필름 기재(1)의 위에, 다수개의 도체 배선(2)이 정렬하여 설치되어 있다. 도체 배선(2)의 단부에는 각각 돌기 전극(3)이 설치되어 있다. 탑재되어야 할 반도체 소자(4)가 일점쇄선으로 표시되어 있다. 반도체 소자(4)에 형성된 다수의 전극 패드(도시 생략)는 각각, 돌기 전극(3)과 대향하여 접합된다.
필름 기재(1)의 상면에는, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지는 솔더 레지스트층(5)이 형성되어, 도체 배선(2)을 보호하는 피복막이 되고 있다. 단, 솔더 레지스트층(5)에는, 반도체 소자(4)가 탑재되는 영역의 주위를 둘레가장자리로 해서 소자 탑재부 개구(5a)가 형성되어 있다. 도체 배선(2)에 있어서의 돌기 전극(3)이 설치된 단부는, 반도체 소자(4)의 전극 패드와의 접속을 위해서, 소자 탑재부 개구(5a) 내에서 노출되도록 배치되어 있다.
필름 기재(1)의 양측 가장자리부에는, 스프로켓 구멍(6)이 형성되어, 반도체 소자(4)를 탑재할 때의 처리 공정에서 필름 기재(1)를 이동시키기 위해서 사용된다. 반도체 소자(4)를 탑재할 때는, 반도체 소자(4)의 전극 패드와, 도체 배선(2)의 돌기 전극(3)을 서로 위치맞춤할 필요가 있다. 이를 위해, 반도체 소자(4)의 반도체 기판 상면에는 위치맞춤 마크(7)가 설치되어 있다. 필름 기재(1)에도, 위치맞춤 마크(7)에 대응하는 위치맞춤 마크(9)가 형성되어 있다. 위치맞춤 마크(9)는, 필름 기재(1) 상에 도체 배선(2)과 동일하게 형성된 보조 도체 배선(10)과, 보조 도체 배선(10) 상에 돌기 전극(3)과 동일하게 형성된 보조 돌기 전극(11)으로 이루어진다. 솔더 레지스트층(5)에는, 보조 돌기 전극(11)을 노출시키도록 위치맞춤 마크 개구(5b)가 형성되어, 보조 돌기 전극(11)을 포함하는 주위의 영역을 노출시키고 있다.
반도체 소자(4)를 필름 기재(1) 상에 탑재할 때는, 반도체 소자(4)의 위치맞춤 마크(7)와, 필름 기재(1)의 보조 돌기 전극(11)의 상호의 위치 관계를 기준으로 해서, 반도체 소자(4)의 위치결정을 행한다. 그에 의해, 반도체 소자(4)의 전극 패드와 도체 배선(2)의 돌기 전극(3)이 서로 대향하여, 접합 가능한 상태가 얻어진다. 보조 돌기 전극(11)은, 돌기 전극(3)과 동일한 공정에서 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 소자(4)의 위치맞춤 마크(7)와 필름 기재(1)의 보조 돌기 전극(11)이 서로 소정의 위치 관계가 되도록 반도체 소자(4)의 위치결정을 행하면, 반도체 소자(4)의 전극 패드는, 돌기 전극(3)에 대해 직접 위치맞춤을 행하는 것과 동일한 정밀도로 위치맞춤 할 수 있어, 접속의 신뢰성을 충분히 확보하는 것이 가능해진다.
보조 돌기 전극(11)은, 반도체 소자(4)의 위치맞춤에 사용하므로, 반도체 소자(4)가 탑재되는 영역 밖에 배치될 필요가 있다. 그러나, 반드시 도 1처럼 소자 탑재부 개구(5a)와는 별도로 위치맞춤 마크 개구(5b)가 형성될 필요는 없다. 보조 돌기 전극(11)을, 돌기 전극(3)이 배치된 영역에 근접하여 배치해, 위치맞춤 마크 개구(5b)가 소자 탑재부 개구(5a)와 일체가 되어 있어도 된다.
돌기 전극(3)과 보조 돌기 전극(11)의 높이는 동등해지도록 형성된다. 또, 돌기 전극(3)과 보조 돌기 전극(11)은 같은 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 돌 기 전극(3)과 보조 돌기 전극(11)은, 동일한 공정에서 동시에 형성되는 것이 바람직하지만, 양자의 위치 관계의 정밀도가 양호하면, 다른 공정에 의해 형성하는 것도 가능하다.
필름 기재(1)로서는, 예를 들면 폴리이미드를 사용하고, 도체 배선(2), 보조 도체 배선(10), 돌기 전극(3) 및 보조 돌기 전극(11)으로서는, 예를 들면 구리를 사용할 수 있다. 돌기 전극(3), 및 솔더 레지스트층(5)이 설치되어 있지 않은 영역에서의 도체 배선(2)에는, Au 도금, Sn 도금 등으로 이루어지는 금속 도금층이 설치된다.
(실시형태 2)
본 발명의 실시형태 2에 있어서의 배선 기판에 관해, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2a는, 본 실시형태에 있어서의 배선 기판의 주요부를 도시한 평면도, 도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 단면도이다. 도 1에 도시한 배선 기판의 요소와 동일한 요소에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고 설명의 반복을 생략한다.
도 2a는, 필름 기재(1) 상의 솔더 레지스트층(5)에 형성된 위치맞춤 마크 개구(5b)의 영역을 도시한다. 본 실시형태에 있어서는, 보조 도체 배선(10)이 복수개 병렬로 배치하여 설치되어 있다. 위치맞춤 마크(12)는, 복수의 보조 도체 배선(10)의 각각에 병렬로 정렬하여 배치된 보조 돌기 전극(13)에 의해 형성되어 있다.
이렇게 복수의 보조 돌기 전극(13)이 설치됨으로써, 위치맞춤 마크(12)의 전체의 치수가 커진다. 따라서, 위치맞춤할 때의 화상 인식의 콘트라스트의 변화가 커져 인식 정밀도가 향상되어, 위치맞춤의 정밀도가 향상된다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 인접하는 보조 돌기 전극(13)은 서로 접합되어 있다. 단, 조건에 따라서는, 인접하는 보조 돌기 전극(13)이 서로 이간하고 있는 구성으로 해도 된다.
(실시형태 3)
본 발명의 실시형태 3에 있어서의 배선 기판에 관해, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 본 실시형태에 있어서의 배선 기판의 주요부를 도시한 평면도이고, 필름 기재(1) 상의 솔더 레지스트층(5)에 형성된 위치맞춤 마크 개구(5b)의 영역을 도시한다. 도 2에 도시한 배선 기판의 요소와 동일한 요소에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고 설명의 반복을 생략한다.
본 실시형태에 있어서는, 도 2에 도시한 구성에 대해, 또 다른 군의 복수의 보조 돌기 전극(14)이 설치된 것이 특징이다. 보조 돌기 전극(14)은, 병렬로 정렬하여 형성된 보조 돌기 전극(13)에 대해 복수의 보조 도체 배선(10) 상에서 직렬로 정렬하여 설치되어 있다.
보조 돌기 전극(14)을 직렬로 배열하여 추가함으로써, 위치맞춤 마크의 전체의 치수가 더욱 커져, 위치맞춤할 때의 화상 인식의 정밀도가 향상되어, 위치맞춤의 정밀도가 보다 향상된다.
(실시형태 4)
본 발명의 실시형태 4에 있어서의 배선 기판에 관해, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는, 본 실시형태에 있어서의 배선 기판의 주요부를 도시한 평면도이고, 필름 기재(1) 상의 솔더 레지스트층(5)에 형성된 위치맞춤 마크 개구(5b)의 영역을 도시한다. 도 2에 도시한 배선 기판의 요소와 동일한 요소에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고 설명의 반복을 생략한다.
본 실시형태에 있어서는, 도 2에 도시한 구성에 대해, 복수의 보조 도체 배선(10)이, 보조 돌기 전극(13)의 양측의 영역에서 1개의 보조 도체 배선(15)에 결합되어 있는 것이 특징이다. 복수의 보조 도체 배선(10)은 위치맞춤 개구(5b) 내에서 결합되며, 따라서 보조 도체 배선(15)은, 위치맞춤 개구(5b)의 둘레가장자리와 교차하고 있다.
이렇게, 위치맞춤 개구(5b) 내에 형성된 위치맞춤 마크가, 복수의 보조 돌기 전극(13)과, 1개의 보조 도체 배선(15)의 조합에 의해 구성된다. 복수의 보조 돌기 전극(13)과, 1개의 보조 도체 배선(15)에서는, 위치맞춤시의 화상 인식의 콘트라스트의 변화가 커지므로 인식 정밀도가 향상되어, 위치맞춤의 정밀도가 향상된다.
(실시형태 5)
본 발명의 실시형태 5에 있어서의 배선 기판에 관해, 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한다. 도 5a는, 본 실시형태에 있어서의 배선 기판의 주요부를 도시한 평면도이고, 필름 기재(1) 상의 솔더 레지스트층(5)에 형성된 위치맞춤 마크 개구(5b)의 영역을 도시한다. 도 5b는, 비교를 위해 도시한 실시형태 2의 구성이며, 도 2에 도시한 배선 기판과 동일한 것이다.
본 실시형태는, 도 4에 도시한 실시형태 4의 변형예이다. 즉, 복수의 보조 도체 배선(10)은, 보조 돌기 전극(13)의 양측의 영역에서 1개의 보조 도체 배선(15)에 결합되어 있는데, 복수의 보조 도체 배선(10)은 한쪽 측에서는, 위치맞춤 개구(5b) 밖에서 결합되어 있다. 따라서, 일부의 보조 도체 배선(10)은, 위치맞춤 개구(5b)의 둘레가장자리에 대해 비스듬하게 교차하는 사교 부분(16)을 갖는다.
이렇게 보조 도체 배선(10)이 사교 부분(16)을 가짐으로써, 보조 돌기 전극(13)의 근방에 있어서의 보조 도체 배선(10)의 직행부(17)와의 사이에서, 위치맞춤시의 화상 인식의 콘트라스트의 변화가 커진다. 이에 의해 인식 정밀도가 향상되어, 위치맞춤의 정밀도가 향상된다. 이에 대해, 도 5b에 도시한 구성의 경우는, 보조 도체 배선(10)은, 위치맞춤 개구(5b)의 둘레가장자리에 대한 교차부(18)는 직교하여 교차하는 형상으로 되어 있어, 보조 도체 배선(10)의 직행부(17)와의 사이의 화상 인식의 콘트라스트의 변화가 그다지 크지 않다.
보조 도체 배선(10)은 일례로서, 피치 : 30∼100㎛, 폭 : 15∼50㎛, 보조 돌기 전극(13)은, 폭 : 20㎛∼50㎛, 높이 : 10∼30㎛, 길이 : 20∼50㎛로 하면 된다.
본 발명의 배선 기판은, 절연 기재 상에 도체 배선과 동일하게 형성된 보조 도체 배선과, 상기 보조 도체 배선 상에 형성된 보조 돌기 전극을 구비하고, 반도체 소자를 상기 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정할 수 있다. 돌기 전극과의 위치 관계의 정밀도가 높은 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정함으로써, 돌기 전극에 대해 반도체 소자의 전극 패드를 높은 정밀도로 위치결정을 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 가요성 절연 기재와,
    상기 가요성 절연 기재 상에 정렬하여 설치된 복수개의 도체 배선과,
    상기 각 도체 배선의 반도체 소자를 탑재하는 영역에 위치하는 단부에 설치된 돌기 전극을 구비하고,
    반도체 소자에 형성된 전극 패드와 상기 돌기 전극을 접합시킴으로써, 상기 반도체 소자를 상기 도체 배선 상에 실장하도록 구성된 배선 기판에 있어서,
    상기 절연 기재 상에 상기 도체 배선과 같이 형성된 보조 도체 배선과, 상기 보조 도체 배선 상에 상기 돌기 전극과 같이 형성된 보조 돌기 전극을 구비하고,
    상기 반도체 소자를 상기 보조 돌기 전극을 기준으로 해서 위치결정함으로써, 상기 반도체 소자에 형성된 상기 전극 패드를, 상기 도체 배선 상의 상기 돌기 전극에 대해 위치맞춤할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 배선 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 돌기 전극과 상기 보조 돌기 전극의 높이가 동일한 배선 기판.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 돌기 전극의 재료와 상기 보조 돌기 전극의 재료가 동일한 배선 기판.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 돌기 전극과 상기 보조 돌기 전극이 동시에 형성된 것인 배선 기판.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 도체 배선 및 상기 보조 도체 배선을 포함하는 상기 절연 기재 상을 피복하여 형성된 솔더 레지스트층을 구비하고,
    상기 솔더 레지스트층은, 상기 보조 도체 배선에 있어서의 상기 보조 돌기 전극이 형성된 단부 영역에 위치맞춤 개구를 갖고, 상기 보조 돌기 전극이 상기 위치맞춤 개구로부터 노출되어 있는 배선 기판.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 보조 돌기 전극은, 상기 돌기 전극이 배치된 영역으로부터 이간한 외측영역에 배치되어 있는 배선 기판.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 보조 도체 배선이 복수개 병렬로 배치하여 설치되고, 상기 복수의 보조 도체 배선의 각각에 상기 보조 돌기 전극이 병렬로 정렬하여 형성되고, 인접하는 상기 보조 돌기 전극이 서로 접합되어 있는 배선 기판.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 보조 도체 배선이 복수개 병렬로 배치하여 설치되고, 상기 복수의 보조 도체 배선의 각각에 상기 보조 돌기 전극이 병렬로 정렬하여 형성되고, 인접하는 상기 보조 돌기 전극이 서로 이간하고 있는 배선 기판.
  9. 청구항 7에 있어서,
    또 다른 군의 복수의 보조 돌기 전극이, 상기 병렬로 정렬하여 형성된 상기보조 돌기 전극에 대해 상기 복수의 보조 도체 배선 상에서 직렬로 정렬하여 설치된 배선 기판.
  10. 청구항 8에 있어서,
    또 다른 군의 복수의 보조 돌기 전극이, 상기 병렬로 정렬하여 형성된 상기보조 돌기 전극에 대해 상기 복수의 보조 도체 배선 상에서 직렬로 정렬하여 설치된 배선 기판.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 보조 도체 배선은, 상기 보조 돌기 전극의 양측의 영역에서 1개의 보조 도체 배선에 결합되고, 그 결합 부분이 상기 위치맞춤 개구 내에 위치하고 있는 배선 기판.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 복수의 보조 도체 배선은, 상기 보조 돌기 전극의 양측의 영역에서 1개의 보조 도체 배선에 결합되고, 그 결합 부분이 상기 위치맞춤 개구 내에 위치하고 있는 배선 기판.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 보조 도체 배선 중 적어도 일부의 상기 보조 도체 배선은, 상기위치맞춤 개구의 둘레가장자리에 대해 비스듬하게 교차하는 사교(斜交) 부분을 갖는 배선 기판.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 복수의 보조 도체 배선 중 적어도 일부의 상기 보조 도체 배선은, 상기위치맞춤 개구의 둘레가장자리에 대해 비스듬하게 교차하는 사교 부분을 갖는 배선 기판.
KR1020060094894A 2005-09-30 2006-09-28 배선 기판 KR20070037361A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00287853 2005-09-30
JP2005287853A JP4068635B2 (ja) 2005-09-30 2005-09-30 配線基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070037361A true KR20070037361A (ko) 2007-04-04

Family

ID=37901119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060094894A KR20070037361A (ko) 2005-09-30 2006-09-28 배선 기판

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7514802B2 (ko)
JP (1) JP4068635B2 (ko)
KR (1) KR20070037361A (ko)
CN (1) CN1941354A (ko)
TW (1) TW200730051A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894179B1 (ko) 2007-10-26 2009-04-22 삼성전기주식회사 기판 스트립

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150089A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法ならびに半導体装置
JP4378387B2 (ja) * 2007-02-27 2009-12-02 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
WO2013065420A1 (ja) * 2011-10-31 2013-05-10 株式会社村田製作所 電子部品、集合基板及び電子部品の製造方法
JP2014049608A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
US8994898B2 (en) * 2012-10-18 2015-03-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd COF base tape and manufacturing method thereof and liquid crystal display module comprising same
JP5913063B2 (ja) * 2012-11-27 2016-04-27 日本特殊陶業株式会社 配線基板
SG11201601075PA (en) * 2013-08-28 2016-03-30 3M Innovative Properties Co Electronic assembly with fiducial marks for precision registration during subsequent processing steps
EP3157755B1 (en) * 2014-06-20 2022-07-27 3M Innovative Properties Company Printing of multiple inks to achieve precision registration during subsequent processing
CN105263258A (zh) * 2015-11-06 2016-01-20 广东欧珀移动通信有限公司 柔性电路板及其定位标示的设置方法
TWI701451B (zh) * 2019-08-21 2020-08-11 頎邦科技股份有限公司 軟性電路板之輔助量測線路
US11302614B2 (en) * 2019-08-23 2022-04-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Chip on film and display device
TWI754194B (zh) * 2019-12-16 2022-02-01 頎邦科技股份有限公司 電路板
CN111540728B (zh) * 2020-04-15 2021-07-02 东南大学 一种用于窄长器件精密对准的键合标记结构

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012661A (ja) 1996-06-19 1998-01-16 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
EP0993039B1 (en) * 1997-06-26 2006-08-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. Substrate for mounting semiconductor chips
US6965166B2 (en) * 1999-02-24 2005-11-15 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device of chip-on-chip structure
JP3565835B1 (ja) * 2003-04-28 2004-09-15 松下電器産業株式会社 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
JP3804649B2 (ja) * 2003-09-19 2006-08-02 株式会社村田製作所 電子回路装置の製造方法および電子回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894179B1 (ko) 2007-10-26 2009-04-22 삼성전기주식회사 기판 스트립

Also Published As

Publication number Publication date
JP4068635B2 (ja) 2008-03-26
CN1941354A (zh) 2007-04-04
US7514802B2 (en) 2009-04-07
JP2007103430A (ja) 2007-04-19
TW200730051A (en) 2007-08-01
US20070075426A1 (en) 2007-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070037361A (ko) 배선 기판
US7372131B2 (en) Routing element for use in semiconductor device assemblies
US7005750B2 (en) Substrate with reinforced contact pad structure
US20050103516A1 (en) Flip-chip mounting circuit board, manufacturing method thereof and integrated circuit device
US7049687B2 (en) Tape carrier package having stacked semiconductor elements, and short and long leads
US6700208B1 (en) Surface mounting substrate having bonding pads in staggered arrangement
KR20050040897A (ko) 배선 기판 및 그 제조 방법
KR20060103123A (ko) 가요성 회로 기판과 그 제조 방법
US6324068B1 (en) Electronic component device, and main board for circuit boards
EP1819209B1 (en) Wired circuit board and production method thereof
KR100405248B1 (ko) 캐리어필름 및 그것을 사용한 집적회로장치
US20070096271A1 (en) Substrate frame
KR101477818B1 (ko) 배선 회로 기판 및 그 제조 방법
US7030508B2 (en) Substrate for semiconductor package and wire bonding method using thereof
KR20060111408A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100196119B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법 및 전자 장치
WO2000048243A1 (fr) Substrat de circuit imprime flexible, bande porte-puces, dispositif a semiconducteur sur bande, dispositif a semiconducteur, procede de fabrication de semiconducteur, substrat de circuit, et dispositif electronique
JPH11191672A (ja) プリント配線基板
JPH05335438A (ja) リードレスチップキャリア
KR100395694B1 (ko) 지그재그 배열의 본딩패드를 가지는 표면 실장기판
JPH07235636A (ja) 半導体装置及びその積層構造体
JP2006253253A (ja) フレキシブル回路基板の製造方法
KR100585143B1 (ko) 반도체 칩이 탑재된 탭방식의 패키지 및 그 제조방법
JP2005197355A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板ならびに電子機器
KR20230099234A (ko) 인쇄회로기판 및 그를 포함하는 반도체 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid